JPH0837308A - Manufacture of thin film transistor - Google Patents

Manufacture of thin film transistor

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JPH0837308A
JPH0837308A JP16938894A JP16938894A JPH0837308A JP H0837308 A JPH0837308 A JP H0837308A JP 16938894 A JP16938894 A JP 16938894A JP 16938894 A JP16938894 A JP 16938894A JP H0837308 A JPH0837308 A JP H0837308A
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Fumiaki Emoto
Akira Nakamura
Koji Senda
晃 中村
耕司 千田
文昭 江本
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松下電子工業株式会社
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Abstract

PURPOSE:To prevent the generations of the cracks in the surfaces of a silicon nitride film, etc., which are caused by a heat treatment performed in a hydrogen gas. CONSTITUTION:A polycrystal silicon film 2 is formed on a quartz substrate 1, and by the implantation of ions thereinto, drain and source regions 5, 6 are formed. In an interlayer insulation film 7 covering extensively the regions 5, 6, contact holes 8 are bored, and further, by the etching of a conductive film formed extensively on the film 7, electrode wirings 9 are formed. Thereafter, a silicon nitride film is so formed that it has as its internal stress a compressive stress present in the range of 2.0$10<9>-5.0X10<9>, and it is heat-treated at a temperature present in the range of 400 deg.C-500 deg.C. Thereby, the generations of the cracks of the silicon nitride film which are caused by the excessively large tensile stress generated by the heat treatment are prevented, and as a result, the improvement of the reliability of a thin film transistor and the effective recovery of its characteristic are made possible.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ、特に画像表示のための液晶表示装置に使用される液晶ディスプレイを駆動する薄膜トランジスタの製造方法に関する。 The present invention relates to a thin film transistor, a method of manufacturing a thin film transistor for driving a liquid crystal display, particularly used in a liquid crystal display device for image display.

【0002】 [0002]

【従来の技術】1955年頃よりテレビジョン受像機のディスプレイとして実用化が始まったCRTすなわちブラウン管はその用途を拡大し、その後40年近く民生用、産業用を問わずテレビ、コンピュータ、計測機器等の各種表示装置として主役の地位を揺るぎないものとしてきた。 BACKGROUND OF THE INVENTION CRT that is a cathode ray tube that practically began from around 1955 as a display of the television receiver has expanded its application, then nearly 40 years for consumer use, TV regardless of the industrial, computer, such as measuring instruments It has been as unwavering position of the leading role as various display devices. しかし1980年代に入って各種電子機器のポータブル化の要望が高まるにしたがって軽薄短小なる言葉が流行し、ラジオやラジカセ、ヘッドホンステレオなどを先頭に、特に民生機器を中心に電子機器の小型、薄型化競争が激しくなった。 But the 1980s was light, thin Naru words epidemic in accordance with the demand of portable and increases of various kinds of electronic equipment, radio and radio-cassette players, such as top to the headphone stereo, especially small electronic devices around the consumer electronics, thinner competition has become intense.

【0003】一方ディスプレイの方も軽量、薄型を特徴とする直流ガス放電を利用するプラズマディスプレイ(PDP)、エレクトロクロミックディスプレイ(EC Meanwhile lighter towards the display, a plasma display that uses a DC gas discharge, wherein a thin (PDP), electrochromic displays (EC
D)、液晶ディスプレイ(LCD)その他電気泳動を利用するものなどが実用化のために盛んに研究開発されてきた。 D), such as a liquid crystal display (LCD) other utilizes the electrophoresis have been actively researched and developed for practical use. 特に液晶ディスプレイは同じ時期に実用化され始めた卓上電子計算機、すなわち電卓の表示部やデジタルウオッチの表示盤として急速にその地歩を固めてきた。 Particularly LCD desktop computer that started to be commercialized in the same time, i.e. has rapidly solidified their ground as a display unit and a digital watch display panel calculator.
さらに1990年に登場したTFT液晶ディスプレイはカラーフィルタの高度な製造技術の進展とともに薄型、 In addition TFT liquid crystal display that appeared in 1990, a flat-screen along with the development of advanced manufacturing technology of the color filter,
軽量、低消費電力だけでなく表示色数、精細度、画面寸法など表示能力の面からもブラウン管に迫るものとなってきた。 Lightweight, low power consumption just not display the number of colors, resolution, has become a thing approaching the cathode-ray tube from the surface such as a display capability screen size.

【0004】その後、液晶ディスプレイは応用範囲を拡大し、いまや薄型、軽量ディスプレイの主流として携帯用小型カラーテレビジョン受像機や、ラップトップコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、および車載用ナビゲータシステム等の各種表示装置として使用され出した。 [0004] After that, a liquid crystal display has expanded the range of applications, now a flat-screen, as the mainstream of lightweight display for small portable color television receivers and, a laptop computer, a notebook personal computer, and various types of display, such as a vehicle navigator system It began to be used as a device. また最近では、家庭用小型ビデオカメラのビューファインダーや投射型ディスプレイ(プロジェクタ)といった小型で高精細表示への応用へと展開しつつある。 In recent years, it is being developed into applications to high-definition display with small such compact household video camera viewfinder and a projection display (projector).

【0005】このような液晶カラーテレビジョン受像機や液晶ビューファインダーでは、高画質が得られるアモルファスシリコンまたは多結晶シリコン等よりなる薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示装置が使用されており、 [0005] In such a liquid crystal color television receiver or a liquid crystal viewfinder, a thin film transistor made of amorphous silicon or polycrystalline silicon, high quality can be obtained (hereinafter, referred to as TFT) liquid crystal display apparatus of the active matrix system using the It has been used,
これらの画面は数万個から数十万個の画素で構成され、 These screens are composed of hundreds of thousands of pixels from the tens of thousands,
きわめて高度な製造技術により無欠陥に近い状態で製造されなければならない。 The very advanced manufacturing techniques must be manufactured with almost no defects.

【0006】このように無欠陥で形成された数十万の画素を構成するTFTではリークまたはアルミニウム配線等の腐食断線の原因となる外部よりのイオン汚染や水分の浸透による汚染を防止するために表面保護膜を必要とする。 In order to prevent contamination by such ion contamination and moisture penetration from the outside which causes corrosion disconnection of leaks or aluminum wiring or the like in the TFT constituting the hundreds of thousands of pixels that are formed in the defect-free require a surface protection film. 従来この目的のためにTFTの表面に膜厚500 Thickness to a conventional surface of the TFT for this purpose 500
〜1000nmのシリコン窒化膜を低温で気相成長することが行われている。 The silicon nitride film ~1000nm be vapor phase growth at a low temperature it has been made. 一方、このようにして形成された画素を駆動するためのTFTには表示画質を向上させるためにオン電流を大きくし、オフ電流を小さくすることが要求される。 On the other hand, this way the TFT for driving the pixels formed by increasing the ON current in order to improve the display quality, it is required to reduce the off current. したがって、一般的にはつぎにこのTF Thus, in general, then this TF
T基板を水素ガス雰囲気中、380℃で30分間処理することによってTFTの特性を回復させていた。 In a hydrogen gas atmosphere T substrate, it had restored the properties of the TFT by treatment with 380 ° C. 30 min.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このシリコン窒化膜はTFT製造法における最後の工程においてTFTの特性回復のために実施される水素ガス中熱処理時の温度でクラックが生じるという問題を有していた。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the silicon nitride film has a problem that cracks occur in the temperature during the hydrogen gas heat treatment carried out for the characteristic recovery of TFT in the last step in the TFT manufacturing process which was. 特に、TFTの特性回復のためには高温における水素ガス中熱処理が有利であり、400℃以上の温度で行うのが好ましいが、そうするとこのシリコン窒化膜に与えるクラック発生などのダメージが大きくなり、表面保護膜としての役割を果たせなくなるという課題を生じた。 In particular, due to the characteristic recovery of TFT is advantageously hydrogen gas heat treatment at high temperature, but preferably carried out at 400 ° C. or higher, Then damage such as cracks is increased to provide for the silicon nitride film, the surface resulting in a problem that no longer fulfill the role as a protective film.

【0008】本発明は上記課題を解決するものであり、 [0008] The present invention has been made to solve the above problems,
TFTの特性を従来よりさらに改善するために行われる水素ガス中熱処理の比較的高温での処理温度においてT T in the processing temperature at a relatively high temperature of the hydrogen gas heat treatment carried out in order to further improve the conventional characteristics of TFT
FTの表面に形成された保護膜にクラック等の障害を生じることなく、外部からのさまざまな汚染から防護することができる表面保護膜を備えた薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 FT without causing failure such as cracks in the protective film formed on the surface of, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a thin film transistor having a surface protection film can be protected from various external contamination.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は、石英基板等の透明絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を形成した後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜を選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注入により薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にドレイン領域およびソース領域に達するコンタクト孔を形成する工程と、全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した後選択的にエッチングして電極配線を形成する工程と、電極配線を含む薄膜トランジスタ構成部を保護するためのシリコン窒化膜をその内部応力が2.0×10 9 〜5. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention in order to achieve the above object, selective polycrystalline silicon film serving as the thin film transistor forming region after forming a polycrystalline silicon film on a transparent insulating substrate such as a quartz substrate a step of leaving, and forming a gate electrode made of a gate oxide film and a polycrystalline silicon film, and forming a drain region and a source region of the thin film transistor by ion implantation, an interlayer insulating film such as the entire surface a silicon oxide film forming and forming, forming a contact hole in the interlayer insulating film reaching the drain region and the source region, the selectively etched and the electrode wiring after forming a conductive film mainly containing aluminum on the entire surface When the silicon nitride film for protecting the thin film transistor structure portion including an electrode wiring that internal stress is 2.0 × 10 9 ~5. 0×10 9の範囲内の圧縮応力を備えるように形成した後、400〜500℃の範囲内の温度の水素ガス中で熱処理する工程とからなるものである。 0 After forming to include a compressive stress in the range of × 10 9, is made of a step of heat treatment in the temperature of the hydrogen gas in the range of 400 to 500 ° C..

【0010】 [0010]

【作用】したがって本発明によれば、透明絶縁基板上に形成された多結晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備えたTFTの上に内部応力が2.0×10 9 〜5.0 According to the invention therefore, a transparent insulating polycrystalline silicon film formed on a substrate and the active region, the internal stress of 2.0 × 10 on a TFT having an electrode wiring 9 to 5.0
×10 9の範囲内の圧縮応力を有するシリコン窒化膜をプラズマCVD装置により形成した後、このTFTを4 After forming by plasma CVD device a silicon nitride film having a compressive stress in the range of × 10 9, the TFT 4
00〜500℃の範囲内の温度で水素ガス中において熱処理することによってこのシリコン窒化膜の内部に生じさせていた圧縮応力を適度な引っ張り応力へ変化させているために従来のような過大な引っ張り応力が内部に発生せず、したがってシリコン窒化膜にクラックなどを生じることがなく表面保護膜としての機能を保持することができる。 Excessive tension, such as conventional for by a heat treatment in a 00 to 500 ° C. Hydrogen gas at a temperature in the range of that by changing the compressive stress has been caused in the interior of the silicon nitride film to moderate tensile stresses stress is not generated therein, thus can hold the function as a surface protective film without causing cracks or the like in a silicon nitride film. また、従来よりも高温で熱処理することが可能となるため、TFTの特性回復を従来よりもさらに効果的に実施することができる。 Moreover, since it is possible than the conventional heat treatment at high temperatures, the performance recovery of the TFT can be further effective implementation than the conventional.

【0011】 [0011]

【実施例】以下、本発明の薄膜トランジスタの製造方法における一実施例について、図面を参照しながら説明する。 EXAMPLES Hereinafter, an embodiment of the method of manufacturing the thin film transistor of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】図1は本一実施例の製造方法を示す工程断面図である。 [0012] Figure 1 is a process cross-sectional views showing a manufacturing method of the present embodiment. 図1(a)に示すように、石英等よりなる透明絶縁基板1の上に膜厚100nm程度の多結晶シリコン膜を形成した後、TFT形成領域となる多結晶シリコン膜2を選択的にドライエッチングすることによって残す。 As shown in FIG. 1 (a), after forming a film thickness 100nm of approximately polycrystalline silicon film on a transparent insulating substrate 1 made of quartz or the like, selectively dry the polycrystalline silicon film 2 of the TFT forming region leave by etching.

【0013】つぎに図1(b)に示すように、ゲート酸化膜3および多結晶シリコン膜からなるゲート電極4を形成する。 [0013] Next, as shown in FIG. 1 (b), to form a gate electrode 4 made of a gate oxide film 3 and the polycrystalline silicon film. つぎに図1(c)に示すように、イオン注入によって多結晶シリコン膜2上のドレイン領域5およびソース領域6を形成する。 Next, as shown in FIG. 1 (c), to form the drain and source regions 5 and 6 on the polycrystalline silicon film 2 by ion implantation.

【0014】つぎに図1(d)に示すように、全面にシリコン酸化膜などの層間絶縁膜7を被覆した後、図1 [0014] Next, as shown in FIG. 1 (d), after coating the interlayer insulating film 7, such as the entire surface a silicon oxide film, Fig. 1
(e)に示すように、層間絶縁膜7にドレイン領域5およびソース領域6に達するコンタクト孔8を設け、つぎに全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した後、選択的にエッチングして電極配線9を形成する。 (E), the contact hole 8 in the interlayer insulating film 7 to reach the drain region 5 and the source region 6 is provided, then the entire surface after forming the conductive film mainly containing aluminum is selectively etched Te to form an electrode wiring 9.

【0015】つぎに、このようにして構成されたTFT [0015] Next, TFT that has been configured in this manner
の全面に、図1(f)に示すように、表面保護膜としてシリコン窒化膜10を形成する。 On the entire surface, as shown in FIG. 1 (f), a silicon nitride film 10 as a surface protection film. このとき形成されるシリコン窒化膜の内部には、圧縮応力として2.0×10 9 Inside the silicon nitride film formed at this time, 2.0 as a compressive stress × 10 9
〜5.0×10 9の範囲内の内部応力が形成される。 5.0 the internal stress in the range of × 10 9 is formed. なお、シリコン窒化膜10の下にシリコン酸化膜を形成しておいてもよい。 Incidentally, it may be formed a silicon oxide film under the silicon nitride film 10.

【0016】つぎに図1(g)に示すように、このTF [0016] Then, as shown in FIG. 1 (g), the TF
Tが形成された石英基板1を400〜500℃の範囲内の温度で水素ガス中において熱処理をすることによって本実施例におけるTFTが完成する。 TFT is completed in this embodiment by T to a heat treatment in a hydrogen gas at a temperature in the range of been quartz substrate 1 400 to 500 ° C. formation.

【0017】つぎに本実施例におけるシリコン窒化膜の内部応力について説明する。 [0017] Next, the internal stress of the silicon nitride film in this embodiment will be described. 内部応力の測定は石英基板1の変形量(反り量)をフラットネステスターで測定し、次式(1)より算出した。 Measurement of the internal stress is measured the amount of deformation of the quartz substrate 1 (warpage) in flatness tester was calculated from the following equation (1).

【0018】 δ f =4・E・D 2・δ/3(1−ν)・d・L 2 ………… (1) ここで、式(1)は変形量δと内部応力δ fの関係式であって、Lは変形量δを測定した間隔、dはシリコン窒化膜の厚さ、Dは石英基板の厚さ、νはポアソン比、E [0018] δ f = 4 · E · D 2 · δ / 3 (1-ν) · d · L 2 ............ (1) wherein in Formula (1) is a deformation amount [delta] and the internal stress [delta] f a relational expression, L is to measure the deformation amount δ spacing, d is the thickness of the silicon nitride film, D is a quartz substrate thickness, [nu is the Poisson's ratio, E
はヤング率である。 It is the Young's modulus. 測定に使用した材料の数値を式(1)に代入して次の関係式(2)を得た。 The numerical value of the material used in the measurement into Equation (1) to give the following relational expression (2).

【0019】 δ f =3.69×10 11・δ ………… (2) つぎにシリコン窒化膜10の形成後、および温度450 [0019] After the formation of δ f = 3.69 × 10 11 · δ ............ (2) then the silicon nitride film 10, and the temperature 450
℃で水素ガス中熱処理を施した後のシリコン窒化膜10 Silicon nitride film 10 after applying the hydrogen gas treated at ℃
の内部応力の測定結果を表1に、また参考として従来例を表2に示す。 The measurement results of the internal stress in Table 1, also shown in Table 2 a conventional example as a reference. なお、表1および表2における負号の変形量は凹変形を示し、負号の内部応力は圧縮応力を意味する。 Incidentally, the amount of deformation of the negative sign in Table 1 and Table 2 shows the concave deformation, the internal stress of the negative sign means compressive stress.

【0020】 [0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】 [0021]

【表2】 [Table 2]

【0022】表1に見られるように、シリコン窒化膜1 [0022] As can be seen in Table 1, silicon nitride film 1
0を形成した直後の内部応力は3.0×10 9 〜4.2× Internal stress immediately after formation of a 0 is 3.0 × 10 9 ~4.2 ×
10 9ダイン/cm 2の圧縮応力を有しているが、水素ガス中熱処理後ではその応力の極性が反転し、1.6×1 109 has the compressive stress of dynes / cm 2, the following hydrogen gas heat treatment reverses the polarity of the stress, 1.6 × 1
9 〜2.7×10 9ダイン/cm 2の引っ張り応力へ変化している。 0 9 ~2.7 × 10 9 has been changed to a tensile stress dyne / cm 2.

【0023】一方、表2に示す従来例では、すでにシリコン窒化膜形成後の内部応力として2.7×10 9 〜2. On the other hand, in the conventional example shown in Table 2, 2.7 × 10 9 ~2 already as internal stress after the silicon nitride film formation.
8×10 9ダイン/cm 2の引っ張り応力を生じており、 8 × 10 9 has occurred the tensile stress dyne / cm 2,
これが高温の水素ガス中熱処理によってさらにその引っ張り応力が増大し、水素ガス中熱処理後では9.2×1 This further tensile stress will increase its by hydrogen gas high temperature heat treatment, 9.2 × 1 is after hydrogen gas heat treatment
10 〜11.1×10 10ダイン/cm 2に達している。 0 from 10 to 11.1 has reached × 10 10 dyne / cm 2. この大きな引っ張り応力が従来のシリコン窒化膜のクラックの原因となっているのである。 The large tensile stress is of causing the cracking of conventional silicon nitride film.

【0024】このように、上記実施例によれば、シリコン窒化膜の形成時の内部応力を2.0×10 9 〜5.0× [0024] Thus, according to the above embodiment, 2.0 × 10 9 ~5.0 × internal stress during the formation of the silicon nitride film
10 9の範囲の圧縮応力を備えるように制御することにより、400〜500℃の範囲内の温度で水素ガス中熱処理を行っても、従来のような過大な引っ張り応力が内部に発生することはなく、したがってクラック発生などの障害からTFTを保護することができる。 By controlling to include 109 range of compressive stress, even if the hydrogen gas heat treatment at a temperature in the range of 400 to 500 ° C., is an excessive tensile stress, such as a conventional generated inside without therefore it can protect the TFT from disorders such as cracks.

【0025】なお、シリコン窒化膜成形後の圧縮応力が2.0×10 9ダイン/cm 2未満の場合は水素ガス中における加熱処理後の引っ張り応力が過大となり、シリコン窒化膜のクラック発生の原因となる。 It should be noted, the tensile stress after the heat treatment in hydrogen gas in the case compressive stress after the silicon nitride film forming is less than 2.0 × 10 9 dynes / cm 2 becomes excessive, cause cracks in the silicon nitride film to become. また圧縮応力が5.0×10 9ダイン/cm 2を超える場合、シリコン窒化膜にクラックが入ることはないが、石英基板等の透明絶縁基板の反りが過大となり、自動搬送時および露光工程において問題が発生し、極端な場合は透明絶縁基板が割れることがある。 Also if the compressive stress exceeds 5.0 × 10 9 dynes / cm 2, although never to the silicon nitride film cracking, warpage of the transparent insulating substrate such as a quartz substrate becomes excessive, in the automatic conveying and during the exposure step problem occurs, extreme cases the transparent insulating substrate is cracked.

【0026】また水素ガス中熱処理の際の熱処理温度が400℃未満ではTFTの特性回復が不十分であり、5 [0026] In the heat treatment temperature is lower than 400 ° C. during the heat treatment in hydrogen gas is insufficient characteristic recovery of TFT, 5
00℃を超えるとシリコン窒化膜にクラックが入る。 Exceeding 00 ° C. cracks in the silicon nitride film enters the.

【0027】なお本実施例ではシリコン窒化膜の例について説明したが、本発明は特にこの範囲に限定されるものではなく、シリコン酸化窒化膜においても同様の効果が期待できるものである。 [0027] Note that this embodiment has described the example of silicon nitride film, the present invention is not particularly limited to this range, in which the same effect can be expected also in the silicon oxynitride film.

【0028】 [0028]

【発明の効果】本発明は、透明絶縁基板上に形成された多結晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備えたT According to the present invention, the formed transparent insulating substrate a polycrystalline silicon film as an active region, comprising an electrode wire T
FTの上に内部応力が2.0×10 9 〜5.0×10 9の範囲内の圧縮応力を有するシリコン窒化膜をプラズマCV Internal stress is 2.0 × 10 on a FT 9 ~5.0 × 10 9 plasma CV silicon nitride film having a compressive stress in the range of
D装置により形成した後、このTFTを400〜500 After forming the D unit, the TFT 400 to 500
℃の範囲内の温度で水素ガス中熱処理しているために、 Because of heat-treated in a hydrogen gas at a temperature in the range of ° C.,
シリコン窒化膜にクラックなどを生じることがなく表面保護膜としての機能を保持することができ、また従来よりも高温で熱処理することが可能となるためTFTの特性回復の効果を従来よりもさらに向上させることができる。 Silicon nitride film can hold the function as a surface protective film without causing cracks, also further improved compared with the prior art effect of characteristic recovery of TFT since it is possible to heat treatment at a higher temperature than the conventional it can be.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】(a)〜(g)は本発明の一実施例における薄膜トランジスタの製造方法を示す工程断面図 [1] (a) ~ (g) are sectional views showing a manufacturing method of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 石英基板(透明絶縁基板) 2 多結晶シリコン膜 3 ゲート酸化膜 4 ゲート電極 5 ドレイン領域 6 ソース領域 7 層間絶縁膜 8 コンタクト孔 9 電極配線 10 シリコン窒化膜 1 quartz substrate (transparent insulating substrate) 2 polycrystalline silicon film 3 gate oxide film 4 gate electrode 5 drain region 6 the source region 7 interlayer insulating film 8 contact hole 9 electrode wiring 10 silicon nitride film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/336 9056−4M H01L 29/78 311 Y ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (51) Int.Cl. 6 identification symbol Agency Docket No. FI art display portion H01L 21/336 9056-4M H01L 29/78 311 Y

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 石英基板等の透明絶縁基板上に多結晶シリコン膜を形成した後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜を選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注入によって薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記ドレイン領域およびソース領域に達するコンタクト孔を形成する工程と、全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した後選択的にエッチングして電極配線を形成する工程と、前記電極配線を含み薄膜トランジスタ構成部を保護するためのシリコン窒化膜をその内部応力が2.0×10 9 〜5.0×10 9の範囲内の圧縮応力を備えるよ 1. A a process to leave a polycrystalline silicon film serving as the thin film transistor forming region after forming a polycrystalline silicon film on a transparent insulating substrate such as a quartz substrate selectively, gates a gate oxide film and a polycrystalline silicon film forming an electrode, and forming a drain region and a source region of the thin film transistor by ion implantation, forming an interlayer insulating film such as a silicon oxide film on the entire surface, the drain and source regions on the interlayer insulating film forming a contact hole reaching the entire surface forming a selectively etched and the electrode wiring after forming a conductive film mainly containing aluminum, for protecting the thin film transistor component includes the electrode wires silicon nitride film inside stress comprises a compressive stress in the range of 2.0 × 10 9 ~5.0 × 10 9 of にプラズマCVD装置により形成した後、400〜500℃の範囲内の温度の水素ガス中で熱処理する工程とからなる薄膜トランジスタの製造方法。 After forming by plasma CVD apparatus, a thin film transistor fabrication method of comprising the step of heat treatment in the temperature of the hydrogen gas in the range of 400 to 500 ° C..
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