JPH0834206B2 - 処理装置および処理装置の開放方法 - Google Patents
処理装置および処理装置の開放方法Info
- Publication number
- JPH0834206B2 JPH0834206B2 JP62036292A JP3629287A JPH0834206B2 JP H0834206 B2 JPH0834206 B2 JP H0834206B2 JP 62036292 A JP62036292 A JP 62036292A JP 3629287 A JP3629287 A JP 3629287A JP H0834206 B2 JPH0834206 B2 JP H0834206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processed
- processing
- diffusion plate
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野〕 本発明は処理装置および処理装置の開放方法に関す
る。
る。
（従来の技術） 一般に半導体集積回路の微細パターンの形成は露光お
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い半導体ウエハ上に形成された下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。前記マス
クとして用いられたフォトレジスト膜はエッチング過程
を経た後には半導体ウエハの表面から除去する必要があ
る。
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い半導体ウエハ上に形成された下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。前記マス
クとして用いられたフォトレジスト膜はエッチング過程
を経た後には半導体ウエハの表面から除去する必要があ
る。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理と
してアッシング処理が行なわれる場合がある。
してアッシング処理が行なわれる場合がある。
このアッシング処理にはプラズマを用いたものがある
が、プラズマを用いたアッシングは、この場合集積度が
高くなり1Mビット級になると、ウエハへのダメージが大
きく実用できない。
が、プラズマを用いたアッシングは、この場合集積度が
高くなり1Mビット級になると、ウエハへのダメージが大
きく実用できない。
このプラズマを用いないアッシングの例として特開昭
52−20766号公報に開示されたものがある。
52−20766号公報に開示されたものがある。
本件出願人は、このアッシング装置の商品化研究開発
中であるが、最近、アッシングガス拡散板表面と被処理
基板である半導体ウエハ表面との間隔は著しく狭く、例
えば0.5mm程度まで狭くして、半導体ウエハを１枚ずつ
枚葉処理しようとするアッシング装置が試みられてい
る。
中であるが、最近、アッシングガス拡散板表面と被処理
基板である半導体ウエハ表面との間隔は著しく狭く、例
えば0.5mm程度まで狭くして、半導体ウエハを１枚ずつ
枚葉処理しようとするアッシング装置が試みられてい
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の装置では、アッシング処理を終
り半導体ウエハを搬出するに際し次のような問題があ
る。
り半導体ウエハを搬出するに際し次のような問題があ
る。
一般に、密着あるいは極めて近接して配置された複数
の物体、特にその表面が平板状のものを互いに遠ざける
際には、その物体間の空間が一時的に負圧状態になるた
め、相互に吸引力が作用して離れにくい現象が観察され
る。
の物体、特にその表面が平板状のものを互いに遠ざける
際には、その物体間の空間が一時的に負圧状態になるた
め、相互に吸引力が作用して離れにくい現象が観察され
る。
第２図において、半導体ウエハ14と近接して配置され
たガス拡散板24を上方に遠ざけようとすると、実線矢印
で示す吸引力Ａが発生し、この吸引力Ａが半導体ウエハ
14を吸引するように作用する。そのため、半導体ウエハ
14が載置台15から浮き上がり位置ずれを起してしまうこ
とがある。
たガス拡散板24を上方に遠ざけようとすると、実線矢印
で示す吸引力Ａが発生し、この吸引力Ａが半導体ウエハ
14を吸引するように作用する。そのため、半導体ウエハ
14が載置台15から浮き上がり位置ずれを起してしまうこ
とがある。
このことは、半導体ウエハのハンドリング上の障害と
なる可能性があり、クリーン対応装置としても望ましく
ないという問題がある。また、装置内アッシングガスの
排除を速やかに行い、スルーピット（ウエハ処理）を速
くする必要性がある。
なる可能性があり、クリーン対応装置としても望ましく
ないという問題がある。また、装置内アッシングガスの
排除を速やかに行い、スルーピット（ウエハ処理）を速
くする必要性がある。
本発明は、上記点に対処してなされたもので、被処理
基板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をさせても
被処理基板の位置ずれがなく、枚葉処理に適した処理装
置および処理装置の開放方法を提供しようとするもので
ある。
基板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をさせても
被処理基板の位置ずれがなく、枚葉処理に適した処理装
置および処理装置の開放方法を提供しようとするもので
ある。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するために、本発明の第１の観点に
よれば、被処理体を処理する処理室と、その処理室内に
配され被処理体を載置する載置台と、前記被処理体に対
して所定間隔を空けて対向配置され前記処理体上に所定
の処理ガスを流出するガス拡散板とを備えて成る処理装
置が提供され、その処理装置には、前記被処理体から前
記ガス拡散板を離す際に、前記被処理体と前記ガス拡散
板との間に生じる吸引力を相殺させるように気体を流出
させる手段を設けられている。
よれば、被処理体を処理する処理室と、その処理室内に
配され被処理体を載置する載置台と、前記被処理体に対
して所定間隔を空けて対向配置され前記処理体上に所定
の処理ガスを流出するガス拡散板とを備えて成る処理装
置が提供され、その処理装置には、前記被処理体から前
記ガス拡散板を離す際に、前記被処理体と前記ガス拡散
板との間に生じる吸引力を相殺させるように気体を流出
させる手段を設けられている。
また、本発明の第２の観点によれば、被処理体を処理
する処理室と、その処理室内に配され被処理体を載置す
る載置台と、前記被処理体に対して所定間隔を空けて対
向配置され前記処理体上に所定の処理ガスを流出するガ
ス拡散板とを備えて成る処理装置の開放方法が提供さ
れ、その処理装置の開放方法では、前記被処理体を前記
ガス拡散板から離す際に、前記被処理体と前記ガス拡散
板との間に生じる吸引力を相殺させるように気体を流出
させるように構成している。
する処理室と、その処理室内に配され被処理体を載置す
る載置台と、前記被処理体に対して所定間隔を空けて対
向配置され前記処理体上に所定の処理ガスを流出するガ
ス拡散板とを備えて成る処理装置の開放方法が提供さ
れ、その処理装置の開放方法では、前記被処理体を前記
ガス拡散板から離す際に、前記被処理体と前記ガス拡散
板との間に生じる吸引力を相殺させるように気体を流出
させるように構成している。
（作 用） 本発明の処理装置および処理装置の開放方法では、被
処理基板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をした
時、上記負圧状態を相殺する方向に一時解消する気体を
流出する手段を備えているので、上記被処理基板を吸引
しようとする吸引力を上記気体を流出することにより相
殺することができる。このため上記被処理基板の位置ず
れを防止することが可能となる。また、装置内及び配管
内に残存するアッシングガス等を速やかに排除し上記被
処理基板の搬送時間（スループット）を速めることが可
能となる。
処理基板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をした
時、上記負圧状態を相殺する方向に一時解消する気体を
流出する手段を備えているので、上記被処理基板を吸引
しようとする吸引力を上記気体を流出することにより相
殺することができる。このため上記被処理基板の位置ず
れを防止することが可能となる。また、装置内及び配管
内に残存するアッシングガス等を速やかに排除し上記被
処理基板の搬送時間（スループット）を速めることが可
能となる。
（実施例） 以下、本発明のアッシング装置の実施例を図面を参照
して説明する。
して説明する。
処理室11は、下チャンバー12と上チャンバー13とから
構成されている。
構成されている。
まず、下チャンバー12内には例えば真空チャック等に
より半導体ウエハ14を吸着保持する載置台15が配置され
ており、この載置台15は、温度制御装置16によって制御
されるヒーター17を内蔵している。また、この載置台15
には、昇降装置18に取着され半導体ウエハ14を載置台15
より持ち上げるため上下動可能に構成された複数のピン
19が貫通して設けられている。
より半導体ウエハ14を吸着保持する載置台15が配置され
ており、この載置台15は、温度制御装置16によって制御
されるヒーター17を内蔵している。また、この載置台15
には、昇降装置18に取着され半導体ウエハ14を載置台15
より持ち上げるため上下動可能に構成された複数のピン
19が貫通して設けられている。
さらに、アッシング処理後のアッシングガスを処理室
11外に排気するための排気口20が載置台15の周囲を取囲
むように設けられ、排気管21により排気装置22に接続さ
れている。
11外に排気するための排気口20が載置台15の周囲を取囲
むように設けられ、排気管21により排気装置22に接続さ
れている。
次に、上チャンバー13内の開口部には、中央部付近に
ガス流出孔23を備えたガス拡散板24が、半導体ウエハ14
表面に近接対向して上チャンバー13に固定配置されてお
り、ガス流出孔23に接続されたガス流出管25を介して流
路切換バルブ26に接続されている。
ガス流出孔23を備えたガス拡散板24が、半導体ウエハ14
表面に近接対向して上チャンバー13に固定配置されてお
り、ガス流出孔23に接続されたガス流出管25を介して流
路切換バルブ26に接続されている。
また、上チャンバー13内上部には気体流出孔27が設け
られており気体流出バルブ28を介してガス流量調節器2
9、気体供給源30に接続されている。
られており気体流出バルブ28を介してガス流量調節器2
9、気体供給源30に接続されている。
ここで、流路切換バルブ26はガス流出管25の他に、ガ
ス流量調節器29と、酸素供給源31オゾン発生器32に接続
されたガス流量調節器33にも接続されている。そしてこ
の流路切換バルブ26を切換えることにより、気体供給源
30からの気体又は、酸素供給源31からの気体を切換えて
ガス流出管25に供給できるよう構成されている。
ス流量調節器29と、酸素供給源31オゾン発生器32に接続
されたガス流量調節器33にも接続されている。そしてこ
の流路切換バルブ26を切換えることにより、気体供給源
30からの気体又は、酸素供給源31からの気体を切換えて
ガス流出管25に供給できるよう構成されている。
なお、上チャンバー13は昇降装置34により上下動可能
に構成されており、下チャンバー12とは開口の当接部35
において気密にシールされている。
に構成されており、下チャンバー12とは開口の当接部35
において気密にシールされている。
次に、上記構成のアッシング装置の動作を説明する。
先ず、上チャンバー13を昇降装置34により上昇させ、
図示しない搬送機構例えばハンドアームにより、下チャ
ンバー12内に配置された載置台15の予め定められた位置
に被処理基板例えば半導体ウエハ14を搬送する。そし
て、昇降装置18によりピン19を上昇させ、上記ハンドア
ームからピン19上に半導体ウエハ14を移す。
図示しない搬送機構例えばハンドアームにより、下チャ
ンバー12内に配置された載置台15の予め定められた位置
に被処理基板例えば半導体ウエハ14を搬送する。そし
て、昇降装置18によりピン19を上昇させ、上記ハンドア
ームからピン19上に半導体ウエハ14を移す。
半導体ウエハ14の移しかえが終了し、上記ハンドアー
ムが遠ざかるとピン19を下降させて半導体ウエハ14を載
置台15上に載置し吸着保持する。また、上チャンバー13
を下降させ下チャンバー12と当接させて処理室11内を密
閉状態にするとともに、ガス拡散板24表面と半導体ウエ
ハ14表面との間隔が例えば0.5mm程度となるように設定
する。なお、この場合、下チャンバー12を上下動させる
ように構成してもよい。
ムが遠ざかるとピン19を下降させて半導体ウエハ14を載
置台15上に載置し吸着保持する。また、上チャンバー13
を下降させ下チャンバー12と当接させて処理室11内を密
閉状態にするとともに、ガス拡散板24表面と半導体ウエ
ハ14表面との間隔が例えば0.5mm程度となるように設定
する。なお、この場合、下チャンバー12を上下動させる
ように構成してもよい。
そして、載置台15に内蔵したヒーター17を温度制御装
置16により制御し半導体ウエハ14を例えば150〜500℃程
度の範囲に加熱し、酸素供給源31を備えたオゾン発生器
32により発生したアッシングガスをガス流量調節器33に
より、流量が例えば３〜15Sl/min（Slは常温常圧換算で
の流量）程度となるように調節し、流路切換バルブ26を
介してガス流出管25により上チャンバー13内に設けたガ
ス拡散板24のガス流出孔23により載置台15上の半導体ウ
エハ14上に流出させ、アッシングを行なう。
置16により制御し半導体ウエハ14を例えば150〜500℃程
度の範囲に加熱し、酸素供給源31を備えたオゾン発生器
32により発生したアッシングガスをガス流量調節器33に
より、流量が例えば３〜15Sl/min（Slは常温常圧換算で
の流量）程度となるように調節し、流路切換バルブ26を
介してガス流出管25により上チャンバー13内に設けたガ
ス拡散板24のガス流出孔23により載置台15上の半導体ウ
エハ14上に流出させ、アッシングを行なう。
そして、排気装置22により例えば処理室11の気体気力
が700〜50Torr程度の範囲になるよう排気し、アッシン
グ処理後のアッシングガスを排気口20および排気管21を
介して処理室11外に排気する。
が700〜50Torr程度の範囲になるよう排気し、アッシン
グ処理後のアッシングガスを排気口20および排気管21を
介して処理室11外に排気する。
上記工程により半導体ウエハ14のアッシング処理が終
了すると、切換バルブ26を気体供給源30側に切換えてア
ッシングガスの流出も停止すると同時に気体供給バルブ
28を開け、気体供給源30からの気体、例えば窒素（N2）
ガスをガス流出孔23および気体流出孔27から処理室11内
に流出させる。
了すると、切換バルブ26を気体供給源30側に切換えてア
ッシングガスの流出も停止すると同時に気体供給バルブ
28を開け、気体供給源30からの気体、例えば窒素（N2）
ガスをガス流出孔23および気体流出孔27から処理室11内
に流出させる。
そして、昇降装置34により上チャンバー13を上昇させ
る。この時、第２図で説明したように吸引力Ａが発生す
る。
る。この時、第２図で説明したように吸引力Ａが発生す
る。
従って、この時、ガス拡散板24と半導体ウエハ14間に
発生する負圧状態により生じる吸引力を、ガス流量調節
器29から、上記吸引力を相殺するように流量調節された
気体を流出させる。
発生する負圧状態により生じる吸引力を、ガス流量調節
器29から、上記吸引力を相殺するように流量調節された
気体を流出させる。
このため、上記吸引力は解消される。
したがって、半導体ウエハ14を載置台15から持ち上げ
ようとする力は作用しないので、載置台15上の半導体ウ
エハ14は位置ずれすることはない。
ようとする力は作用しないので、載置台15上の半導体ウ
エハ14は位置ずれすることはない。
この後、昇降装置18によりピン19を上昇させて半導体
ウエハ14を載置台15から持ち上げ、図示しない搬送機構
例えばハンドアームにより処理室11外に搬出する。
ウエハ14を載置台15から持ち上げ、図示しない搬送機構
例えばハンドアームにより処理室11外に搬出する。
なお、気体供給源30から供給される気体は、上述の作
用のみならず例えば処理室11内のパージ、ガス置換速度
の短縮化、また配管内に残存するアッシングガスの排出
等の作用を行なうこともできる。
用のみならず例えば処理室11内のパージ、ガス置換速度
の短縮化、また配管内に残存するアッシングガスの排出
等の作用を行なうこともできる。
以上説明したように本発明によれば、被処理基板に作
用する吸引力を解消できるので、被処理基板の位置ずれ
を防止することができる。
用する吸引力を解消できるので、被処理基板の位置ずれ
を防止することができる。
第１図は本発明の処理装置および処理装置の開放方法の
一実施例を示す構成図、第２図は第１図の主要部の説明
図。 12……下チャンバー、13……上チャンバー、 14……半導体ウエハ、15……載置台、 19……ピン、23……ガス流出孔、 24……ガス拡散板、25……ガス流出管、 26……流路切換バルブ、27……気体流出孔、 28……気体流出バルブ。
一実施例を示す構成図、第２図は第１図の主要部の説明
図。 12……下チャンバー、13……上チャンバー、 14……半導体ウエハ、15……載置台、 19……ピン、23……ガス流出孔、 24……ガス拡散板、25……ガス流出管、 26……流路切換バルブ、27……気体流出孔、 28……気体流出バルブ。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理体を処理する処理室と、その処理室
内に配され被処理体を載置する載置台と、前記被処理体
に対して所定間隔を空けて対向配置され前記処理体上に
所定の処理ガスを流出するガス拡散板とを備えて成る処
理装置において、 前記被処理体から前記ガス拡散板を離す際に、前記被処
理体と前記ガス拡散板との間に生じる吸引力を相殺させ
るように気体を流出させる手段を設けたことを特徴とす
る、処理装置。 - 【請求項２】被処理体を処理する処理室と、その処理室
内に配され被処理体を載置する載置台と、前記被処理体
に対して所定間隔を空けて対向配置され前記処理体上に
所定の処理ガスを流出するガス拡散板とを備えて成る処
理装置の開放方法であって、 前記被処理体から前記ガス拡散板を離す際に、前記被処
理体と前記ガス拡散板との間に生じる吸引力を相殺させ
るように気体を流出させることを特徴とする、処理装置
の開放方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036292A JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036292A JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202917A JPS63202917A (ja) | 1988-08-22 |
| JPH0834206B2 true JPH0834206B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=12465729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036292A Expired - Lifetime JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834206B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457867A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Nichiden Varian Kk | Vacuum processor with automatic wafer feeder |
| JPS6158252A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Hitachi Ltd | 真空排気リ−ク装置 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62036292A patent/JPH0834206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63202917A (ja) | 1988-08-22 |
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