JPS63202917A - 処理装置および処理装置の開放方法 - Google Patents
処理装置および処理装置の開放方法Info
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- JPS63202917A JPS63202917A JP3629287A JP3629287A JPS63202917A JP S63202917 A JPS63202917 A JP S63202917A JP 3629287 A JP3629287 A JP 3629287A JP 3629287 A JP3629287 A JP 3629287A JP S63202917 A JPS63202917 A JP S63202917A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
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- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、被処理基板に被着された膜を除去するアッシ
ング装置に係り、特に処理を終えた被処理基板の搬出手
段に関する。
ング装置に係り、特に処理を終えた被処理基板の搬出手
段に関する。
（従来の技術）
一般に半導体集積回路の微細パターンの形成は露光およ
び現像によって形成された有機高分子のフォトレジスト
膜をマスクとして用い半導体ウェハ上に形成された下地
膜をエツチングすることにより行なわれる。前記マスク
として用いられたフォトレジスト膜はエツチング過程を
経た後には半導体ウェハの表面から除去する必要がある
。
び現像によって形成された有機高分子のフォトレジスト
膜をマスクとして用い半導体ウェハ上に形成された下地
膜をエツチングすることにより行なわれる。前記マスク
として用いられたフォトレジスト膜はエツチング過程を
経た後には半導体ウェハの表面から除去する必要がある
。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理とし
てアッシング処理が行なわれる場合がある。
てアッシング処理が行なわれる場合がある。
このアッシング処理にはプラズマを用いたものがあるが
、プラズマを用いたアッシングは、この場合集積度が高
くなりＩＭビット級になると、ウェハへのダメージが大
きく実用できない。
、プラズマを用いたアッシングは、この場合集積度が高
くなりＩＭビット級になると、ウェハへのダメージが大
きく実用できない。
このプラズマを用いないアッシングの例として特開昭５
２−２０７６６号公報に開示されたものがある。
２−２０７６６号公報に開示されたものがある。
本件出願人は、このアッシング装置の商品化研究開発中
であるが、最近、アッシングガス拡散板表面と被処理基
板である半導体ウェハ表面との間隔は著しく狭く、例え
ば０．５ｎｏ程度まで狭くして、半導体ウェハを１枚ず
つ枚葉処理しようとするアッシング装置が試みられてい
る。
であるが、最近、アッシングガス拡散板表面と被処理基
板である半導体ウェハ表面との間隔は著しく狭く、例え
ば０．５ｎｏ程度まで狭くして、半導体ウェハを１枚ず
つ枚葉処理しようとするアッシング装置が試みられてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の装置では、アッシング処理を終り
半導体ウェハを搬出するに際し次のような問題がある。
半導体ウェハを搬出するに際し次のような問題がある。
一般に、密着あるいは極めて近接して配置された複数の
物体、特にその表面が平板状のものを互いに遠ざける際
には、その物体間の空間が一時的に負圧状態になるため
、相互に吸引力が作用して離れにくい現象が観察される
。
物体、特にその表面が平板状のものを互いに遠ざける際
には、その物体間の空間が一時的に負圧状態になるため
、相互に吸引力が作用して離れにくい現象が観察される
。
第２図において、半導体ウェハ１４と近接して配置され
たガス拡散板２４を上方に遠ざけようとすると、実線矢
印で示す吸引力Ａが発生し、この吸引力Ａが半導体ウェ
ハ１４を吸引するように作用する。
たガス拡散板２４を上方に遠ざけようとすると、実線矢
印で示す吸引力Ａが発生し、この吸引力Ａが半導体ウェ
ハ１４を吸引するように作用する。
そのため、半導体ウェハ１４が載置台１５から浮き上が
り位置ずれを起してしまうことがある。
り位置ずれを起してしまうことがある。
このことは、半導体ウェハのハンドリング上の障害とな
る可能性があり、クリーン対応装置としても望ましくな
いという問題がある。また、装置内アッシングガスの排
除を速やかに行い、スループット（ウェハ処理）を速く
する必要性がある。
る可能性があり、クリーン対応装置としても望ましくな
いという問題がある。また、装置内アッシングガスの排
除を速やかに行い、スループット（ウェハ処理）を速く
する必要性がある。
本発明は、上記点に対処してなされたもので、被処理基
板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をさせても被
処理基板の位置すれかなく、枚葉処理に適したアッシン
グ装置を提供しようとするものである。
板表面近傍が負圧状態になろうとする動作をさせても被
処理基板の位置すれかなく、枚葉処理に適したアッシン
グ装置を提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、被処理基板にアッシングガスを流出させてア
ッシングする装置において、上記被処理基板表面近傍が
負圧状態になる動作時、上記負圧状態を一時解消するよ
うに気体を上記被処理基板表面に流出する手段を備えた
ことを特徴とする。
ッシングする装置において、上記被処理基板表面近傍が
負圧状態になる動作時、上記負圧状態を一時解消するよ
うに気体を上記被処理基板表面に流出する手段を備えた
ことを特徴とする。
（作 用）
本発明のアッシング装置では、被処理基板表面近傍が負
圧状態になろうとする動作をした時、上記負圧状態を相
殺する方向に一時解消する気体を流出する手段を備えて
いるので、上記被処理基板を吸引しようとする吸引力を
上記気体を流出することにより相殺することができる。
圧状態になろうとする動作をした時、上記負圧状態を相
殺する方向に一時解消する気体を流出する手段を備えて
いるので、上記被処理基板を吸引しようとする吸引力を
上記気体を流出することにより相殺することができる。
このため上記被処理基板の位置ずれを防止することが可
能となる。また、装置内及び配管内に残存するアッシン
グガス等を速やかに排除し上記被処理基板の搬送時間（
スループット）を速めることが可能となる。
能となる。また、装置内及び配管内に残存するアッシン
グガス等を速やかに排除し上記被処理基板の搬送時間（
スループット）を速めることが可能となる。
（実施例）
以下、本発明のアッシング装置の実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
処理室旦は、下チヤンバ−１２と上チヤンバ−１３とか
ら構成されている。
ら構成されている。
まず、下チヤンバ−１２内には例えば真空チャック等に
より半導体ウェハ１４を吸着保持する載置台１５が配置
されており、この載置台１５は、温度制御装置１６によ
って制御されるヒーター１７を内蔵している。また、こ
の載置台１５には、昇降装置１８に取着され半導体ウェ
ハ１４を載、置台１５より持ち上げるため上下動可能に
構成された複数のピン１９が貫通して設けられている。
より半導体ウェハ１４を吸着保持する載置台１５が配置
されており、この載置台１５は、温度制御装置１６によ
って制御されるヒーター１７を内蔵している。また、こ
の載置台１５には、昇降装置１８に取着され半導体ウェ
ハ１４を載、置台１５より持ち上げるため上下動可能に
構成された複数のピン１９が貫通して設けられている。
さらに、アッシング処理後のアッシングガスを処理室用
外に排気するための排気口２０が載置台１５の周囲を取
囲むように設けられ、排気管２１により排気装置２２に
接続されている。
外に排気するための排気口２０が載置台１５の周囲を取
囲むように設けられ、排気管２１により排気装置２２に
接続されている。
次に、上チヤンバ−１３内の開口部には、中央部付近に
ガス流出孔２３を備えたガス拡散板２４が、半導体ウェ
ハ１４表面に近接対向して上チヤンバ−１３に固定配置
されており、ガス流出孔２３に接続されたガス流出管２
５を介して流路切換バルブ２６に接続されている。
゛ また、上チヤンバ−１３内上部には気体流出孔２７が設
けられており気体流出バルブ２８を介してガス流量調節
器２９、気体供給源３０に接続されている。
ガス流出孔２３を備えたガス拡散板２４が、半導体ウェ
ハ１４表面に近接対向して上チヤンバ−１３に固定配置
されており、ガス流出孔２３に接続されたガス流出管２
５を介して流路切換バルブ２６に接続されている。
゛ また、上チヤンバ−１３内上部には気体流出孔２７が設
けられており気体流出バルブ２８を介してガス流量調節
器２９、気体供給源３０に接続されている。
ここで、流路切換バルブ２６はガス流出管２５の他に、
ガス流量調節器２９と、酸素供給源３１オゾン発生器３
２に接続されたガス流量調節器３３にも接続されている
。そしてこの流路切換バルブ２６を切換えることにより
、気体供給源３０からの気体又は、酸素供給源３１から
の気体を切換えてガス流出管２５に供給できるよう構成
されている。
ガス流量調節器２９と、酸素供給源３１オゾン発生器３
２に接続されたガス流量調節器３３にも接続されている
。そしてこの流路切換バルブ２６を切換えることにより
、気体供給源３０からの気体又は、酸素供給源３１から
の気体を切換えてガス流出管２５に供給できるよう構成
されている。
なお、上チヤンバ−１３は昇降装置３４により上下動可
能に構成されており、下チヤンバ−１２とは開口の当接
部３５において気密にシールされている。
能に構成されており、下チヤンバ−１２とは開口の当接
部３５において気密にシールされている。
次に、上記構成のアッシング装置の動作を説明する。
先ず、上チヤンバ−１３を昇降装置３４により上昇させ
、図示しない搬送機構例えばハンドアームにより、下チ
ヤンバ−１２内に配置された載置台１５の予め定められ
た位置に被処理基板例えば半導体ウェハ１４を搬送する
。そして、昇降装置１８によりピン１９を上昇させ、上
記ハンドアームからピン１９上に半導体ウェハ１４を移
す。
、図示しない搬送機構例えばハンドアームにより、下チ
ヤンバ−１２内に配置された載置台１５の予め定められ
た位置に被処理基板例えば半導体ウェハ１４を搬送する
。そして、昇降装置１８によりピン１９を上昇させ、上
記ハンドアームからピン１９上に半導体ウェハ１４を移
す。
半導体ウェハ１４の移しかえが終了し、上記ハンドアー
ムが遠ざかるとピン１９を下降させて半導体ウェハ１４
を載置台１５」二に載置し吸着保持する。また、上チヤ
ンバ−１３を下降させ下チヤンバ−１２と当接させて処
理室耳内を密閉状態にするとともに、ガス拡散板２４表
面と半導体ウェハ１４表面との間隔が例えば０．５ｍｍ
程度となるように設定する。なお、この場合、下チヤン
バ−１２を上下動させるように構成してもよい。
ムが遠ざかるとピン１９を下降させて半導体ウェハ１４
を載置台１５」二に載置し吸着保持する。また、上チヤ
ンバ−１３を下降させ下チヤンバ−１２と当接させて処
理室耳内を密閉状態にするとともに、ガス拡散板２４表
面と半導体ウェハ１４表面との間隔が例えば０．５ｍｍ
程度となるように設定する。なお、この場合、下チヤン
バ−１２を上下動させるように構成してもよい。
そして、載置台１５に内蔵したヒーター１７を温度制御
装置１６により制御し半導体ウェハ１４を例えば１５０
〜５００℃程度の範囲に加熱し、酸素供給源３１を備え
たオゾン発生器３２により発生したアッシングガスをガ
ス流量調節器３３により、流量が例えば３〜１５Ｓρ／
ｍａｎ （Ｓｆｆは常温常圧換算での流量）程度となる
ように調節し、流路切換バルブ２６を介してガス流出管
２５により上チヤンバ−１３内に設けたガス拡散板２４
のガス流出孔２３より載置台１５上の半導体ウェハ１４
上に流出させ、アッシングを行なう。
装置１６により制御し半導体ウェハ１４を例えば１５０
〜５００℃程度の範囲に加熱し、酸素供給源３１を備え
たオゾン発生器３２により発生したアッシングガスをガ
ス流量調節器３３により、流量が例えば３〜１５Ｓρ／
ｍａｎ （Ｓｆｆは常温常圧換算での流量）程度となる
ように調節し、流路切換バルブ２６を介してガス流出管
２５により上チヤンバ−１３内に設けたガス拡散板２４
のガス流出孔２３より載置台１５上の半導体ウェハ１４
上に流出させ、アッシングを行なう。
そして、排気袋ｗ２２により例えば処理室旦の気体気力
が７００〜５０Ｔｏｒｒ程度の範囲になるよう排気し、
アッシング処理後のアッシングガスを排気口２０および
排気管２１を介して処理室旦外に排気する。
が７００〜５０Ｔｏｒｒ程度の範囲になるよう排気し、
アッシング処理後のアッシングガスを排気口２０および
排気管２１を介して処理室旦外に排気する。
上記工程により半導体ウェハ１４のアッシング処理が終
了すると、切換バルブ２６を気体供給源３０側に切換え
てアッシングガスの流出も停止すると同時に気体供給バ
ルブ２８を開け、気体供給源３０からの気体、例えば窒
素（Ｎ２）ガスをガス流出孔２３および気体流出孔２７
から処理室旦内に流出させる。
了すると、切換バルブ２６を気体供給源３０側に切換え
てアッシングガスの流出も停止すると同時に気体供給バ
ルブ２８を開け、気体供給源３０からの気体、例えば窒
素（Ｎ２）ガスをガス流出孔２３および気体流出孔２７
から処理室旦内に流出させる。
そして、昇降装置３４により上チヤンバ−１３を上昇さ
せる。この時、第２図で説明したように吸引力Ａが発生
する。
せる。この時、第２図で説明したように吸引力Ａが発生
する。
従って、この時、ガス拡散板２４と半導体ウェハ１４間
に発生する負圧状態により生じる吸引力を、ガス流量調
節器２９から、上記吸引力を相殺するように流量調節さ
れた気体を流出させる。
に発生する負圧状態により生じる吸引力を、ガス流量調
節器２９から、上記吸引力を相殺するように流量調節さ
れた気体を流出させる。
このため、上記吸引力は解消される。
したがって、半導体ウェハ１４を載置台１５から持ち上
げようとする力は作用しないので、載置台１５上の半導
体ウェハ１４は位置ずれすることはない。
げようとする力は作用しないので、載置台１５上の半導
体ウェハ１４は位置ずれすることはない。
この後、昇降装置１８によりピン１９を上昇させて半導
体ウェハ１４を載置台１５から持ち上げ、図示しない搬
送機構例えばハンドアームにより処理室旦外に搬出する
。
体ウェハ１４を載置台１５から持ち上げ、図示しない搬
送機構例えばハンドアームにより処理室旦外に搬出する
。
なお、気体供給源３０から供給される気体は、上述の作
用のみならず例えば処理室耳内のパージ、ガス置換速度
の短縮化、また配管内に残存するアッシングガスの排出
等の作用を行なうこともできる。
用のみならず例えば処理室耳内のパージ、ガス置換速度
の短縮化、また配管内に残存するアッシングガスの排出
等の作用を行なうこともできる。
以上説明したように本発明によれば、被処理基板に作用
する吸引力を解消できるので、被処理基板の位置ずれを
防止することができる。
する吸引力を解消できるので、被処理基板の位置ずれを
防止することができる。
第１図は本発明のアッシング装置の一実施例を示す構成
図、第２図は第１図の主要部の説明図。 １２・・・下チヤンバ−、１３・・・上チヤンバ−，１
４・・・半導体ウェハ、 １５・・・載置台、１９・
・・ピ ン、 ２３・・・ガス流出孔、２４・
・・ガス拡散板、 ２５・・・ガス流出管、２６・
・・流路切換バルブ、 ２７・・・気体流出孔、２８・
・・気体流出バルブ。
図、第２図は第１図の主要部の説明図。 １２・・・下チヤンバ−、１３・・・上チヤンバ−，１
４・・・半導体ウェハ、 １５・・・載置台、１９・
・・ピ ン、 ２３・・・ガス流出孔、２４・
・・ガス拡散板、 ２５・・・ガス流出管、２６・
・・流路切換バルブ、 ２７・・・気体流出孔、２８・
・・気体流出バルブ。
Claims (1)
- 被処理基板にアッシングガスを流出させてアッシング
する装置において、上記被処理基板表面近傍が負圧状態
になる動作時、上記負圧状態を一時解消するように気体
を上記被処理基板表面に流出する手段を備えたことを特
徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036292A JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036292A JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202917A true JPS63202917A (ja) | 1988-08-22 |
| JPH0834206B2 JPH0834206B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=12465729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036292A Expired - Lifetime JPH0834206B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 処理装置および処理装置の開放方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834206B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457867A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Nichiden Varian Kk | Vacuum processor with automatic wafer feeder |
| JPS6158252A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Hitachi Ltd | 真空排気リ−ク装置 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62036292A patent/JPH0834206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457867A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Nichiden Varian Kk | Vacuum processor with automatic wafer feeder |
| JPS6158252A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Hitachi Ltd | 真空排気リ−ク装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834206B2 (ja) | 1996-03-29 |
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