JPH08340220A - 半導体増幅器 - Google Patents
半導体増幅器Info
- Publication number
- JPH08340220A JPH08340220A JP7170486A JP17048695A JPH08340220A JP H08340220 A JPH08340220 A JP H08340220A JP 7170486 A JP7170486 A JP 7170486A JP 17048695 A JP17048695 A JP 17048695A JP H08340220 A JPH08340220 A JP H08340220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- amplifier
- high frequency
- load
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電力増幅器の高調波歪みを補償する低
消費電力で回路規模の小さい回路を得る。 【構成】 増幅用ＦＥＴと負荷用ＦＥＴの組み合わせで
入力電力を上昇させるに従って利得が高くなり位相が遅
れる部分を有する半導体増幅器を構成し、高周波電力増
幅器の前段増幅器とする。
消費電力で回路規模の小さい回路を得る。 【構成】 増幅用ＦＥＴと負荷用ＦＥＴの組み合わせで
入力電力を上昇させるに従って利得が高くなり位相が遅
れる部分を有する半導体増幅器を構成し、高周波電力増
幅器の前段増幅器とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体増幅器、さらに詳
しくは高周波電力増幅器の前段増幅器として使用される
半導体増幅器に関する。
しくは高周波電力増幅器の前段増幅器として使用される
半導体増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波電力増幅器の非直線性に起因する
高調波歪みは、通信装置において帯域外不要輻射を増大
させる。特に、多重通信装置、衛星通信装置および移動
通信装置のように、割り当てられた通信帯域を数多くの
チャネルに分割して使用する装置の場合、隣接チャネル
に対する干渉が生じる等、高調波出力が他に影響を及ぼ
す。従ってこの高調波歪みを改善するために、高周波電
力増幅器で発生する歪みと逆特性となる歪みを予め与え
ておくプリディストーション法や、歪み発生器を用いて
歪み成分のみを打ち消すフィードフォワード法を用いた
リニアライザが広く使用されている。
高調波歪みは、通信装置において帯域外不要輻射を増大
させる。特に、多重通信装置、衛星通信装置および移動
通信装置のように、割り当てられた通信帯域を数多くの
チャネルに分割して使用する装置の場合、隣接チャネル
に対する干渉が生じる等、高調波出力が他に影響を及ぼ
す。従ってこの高調波歪みを改善するために、高周波電
力増幅器で発生する歪みと逆特性となる歪みを予め与え
ておくプリディストーション法や、歪み発生器を用いて
歪み成分のみを打ち消すフィードフォワード法を用いた
リニアライザが広く使用されている。
【０００３】図５は、従来のプリディストーション法に
よるリニアライザの構成例を示すブロック図であり、従
来はマイクロストリップラインで構成されるこのような
回路を高周波電力増幅器の前段に挿入して高調波歪みを
改善している。また、フィードフォワード法を用いるリ
ニアライザには高周波電力増幅器と同一のＦＥＴを歪み
発生器として用いる場合が多い。
よるリニアライザの構成例を示すブロック図であり、従
来はマイクロストリップラインで構成されるこのような
回路を高周波電力増幅器の前段に挿入して高調波歪みを
改善している。また、フィードフォワード法を用いるリ
ニアライザには高周波電力増幅器と同一のＦＥＴを歪み
発生器として用いる場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来では
高周波電力増幅器の非直線性に起因する高調波歪みを改
善するために図５に示す回路や、高周波電力増幅器と同
一のＦＥＴを歪み発生器として用いる回路を使用してお
り、歪みの補償量は大きいが回路規模が複雑で大きくな
り、消費電力も大きい等の問題点があった。
高周波電力増幅器の非直線性に起因する高調波歪みを改
善するために図５に示す回路や、高周波電力増幅器と同
一のＦＥＴを歪み発生器として用いる回路を使用してお
り、歪みの補償量は大きいが回路規模が複雑で大きくな
り、消費電力も大きい等の問題点があった。
【０００５】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、最小限の回路構成で高調波歪みを補
償する半導体増幅器を提供することを目的としている。
されたものであり、最小限の回路構成で高調波歪みを補
償する半導体増幅器を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体増
幅器は、ソースを接地した増幅用ＦＥＴと、そのドレイ
ンは電源に接続されそのソースは抵抗を介し上記増幅用
ＦＥＴのドレインに接続された上記増幅用ＦＥＴに対す
る負荷となる負荷用ＦＥＴと、上記負荷用ＦＥＴのゲー
トを上記増幅用ＦＥＴのドレインに接続する手段と、入
力信号を上記増幅用ＦＥＴのゲートに接続する手段と、
出力信号を上記負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段
と、上記増幅用ＦＥＴのゲートを電圧を調整できるバイ
アス電源に抵抗を介して接続する手段とを備え、上記バ
イアス電源の電圧を調整して上記出力信号が入力される
後段の増幅器の振幅歪み，位相歪みを補償する構成とし
た。
幅器は、ソースを接地した増幅用ＦＥＴと、そのドレイ
ンは電源に接続されそのソースは抵抗を介し上記増幅用
ＦＥＴのドレインに接続された上記増幅用ＦＥＴに対す
る負荷となる負荷用ＦＥＴと、上記負荷用ＦＥＴのゲー
トを上記増幅用ＦＥＴのドレインに接続する手段と、入
力信号を上記増幅用ＦＥＴのゲートに接続する手段と、
出力信号を上記負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段
と、上記増幅用ＦＥＴのゲートを電圧を調整できるバイ
アス電源に抵抗を介して接続する手段とを備え、上記バ
イアス電源の電圧を調整して上記出力信号が入力される
後段の増幅器の振幅歪み，位相歪みを補償する構成とし
た。
【０００７】また、入力信号を上記増幅用ＦＥＴのゲー
トに接続する手段は入力用整合回路を備え、出力信号を
上記負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段は出力用整
合回路を備えたことを特徴とする。さらに、上記半導体
増幅器を段間に減衰器を介して多段接続した構成を特徴
とする。
トに接続する手段は入力用整合回路を備え、出力信号を
上記負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段は出力用整
合回路を備えたことを特徴とする。さらに、上記半導体
増幅器を段間に減衰器を介して多段接続した構成を特徴
とする。
【０００８】
【作用】本発明の半導体増幅器は、上述のような構成と
することにより、高周波電力増幅器の前段増幅器として
動作しながら、同時に歪み補償回路としての特性を有
し、更にＭＭＩＣに組み込みも可能な簡単で小型な回路
が構成でき、全体として高周波電力増幅器の低歪化およ
び小型化，低消費電力化が可能となる。
することにより、高周波電力増幅器の前段増幅器として
動作しながら、同時に歪み補償回路としての特性を有
し、更にＭＭＩＣに組み込みも可能な簡単で小型な回路
が構成でき、全体として高周波電力増幅器の低歪化およ
び小型化，低消費電力化が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は本発明の半導体増幅器１００の回路構
成の一実施例を示す図であり、図において、１は増幅用
ＦＥＴ、２は負荷用ＦＥＴ、３はゲートバイアス抵抗、
４は抵抗、５は入力整合回路、６は出力整合回路、７は
ＤＣカットコンデンサ、８はゲートバイアス端子、１０
は信号入力端子、２０は信号出力端子、３０は電源端子
である。図２は、図１に示す回路の利得，位相特性を示
す図であり、入力電力を上昇させるに従って、利得が高
くなり位相が遅れる部分を有し、且つ、その利得，位相
特性はゲートバイアス端子８に入力するゲートバイアス
電圧によって調整可能な半導体増幅器を構成できる。
説明する。図１は本発明の半導体増幅器１００の回路構
成の一実施例を示す図であり、図において、１は増幅用
ＦＥＴ、２は負荷用ＦＥＴ、３はゲートバイアス抵抗、
４は抵抗、５は入力整合回路、６は出力整合回路、７は
ＤＣカットコンデンサ、８はゲートバイアス端子、１０
は信号入力端子、２０は信号出力端子、３０は電源端子
である。図２は、図１に示す回路の利得，位相特性を示
す図であり、入力電力を上昇させるに従って、利得が高
くなり位相が遅れる部分を有し、且つ、その利得，位相
特性はゲートバイアス端子８に入力するゲートバイアス
電圧によって調整可能な半導体増幅器を構成できる。
【００１０】一般的な高周波電力増幅器の入出力特性
は、図３に示すように、入力電力が飽和に近づくにつれ
てその利得は低下し、位相が進むので、図１に示す半導
体増幅器を高周波電力増幅器の前段に接続し、ゲートバ
イアス電圧を調整することで、高周波電力増幅器で発生
する非直線性歪みをプリディストーション法により補償
し、その直線性を改善することができるようになる。そ
してこの半導体増幅器は、図１に示すようにＦＥＴ等の
回路素子だけで構成できるので、モノリシック化に適
し、ＭＭＩＣに組み込むことも可能となる。
は、図３に示すように、入力電力が飽和に近づくにつれ
てその利得は低下し、位相が進むので、図１に示す半導
体増幅器を高周波電力増幅器の前段に接続し、ゲートバ
イアス電圧を調整することで、高周波電力増幅器で発生
する非直線性歪みをプリディストーション法により補償
し、その直線性を改善することができるようになる。そ
してこの半導体増幅器は、図１に示すようにＦＥＴ等の
回路素子だけで構成できるので、モノリシック化に適
し、ＭＭＩＣに組み込むことも可能となる。
【００１１】図４は、本発明の他の実施例を示す図であ
り、図１に示す半導体増幅器１００を段間に可変減衰器
を介して多段接続にしたものであり、このように構成す
ることで減衰器を調整し、さらに柔軟な歪み補償が可能
な半導体増幅器を構成できる。
り、図１に示す半導体増幅器１００を段間に可変減衰器
を介して多段接続にしたものであり、このように構成す
ることで減衰器を調整し、さらに柔軟な歪み補償が可能
な半導体増幅器を構成できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体増幅
器は、ＦＥＴ等の回路素子だけの簡単な構成で高周波電
力増幅器の前段増幅器として使用し高周波電力増幅器で
発生する非直線性歪みの補償が可能となり、低消費電力
の高周波電力増幅器を構成でき、特に小型で低消費電力
であることが求められる移動体通信，衛星通信用の線形
増幅器を構成する上で効果がある。また、回路を構成す
る部品はモノリシック化に適するため、ＭＭＩＣに組み
込むことも可能となる等の効果がある。
器は、ＦＥＴ等の回路素子だけの簡単な構成で高周波電
力増幅器の前段増幅器として使用し高周波電力増幅器で
発生する非直線性歪みの補償が可能となり、低消費電力
の高周波電力増幅器を構成でき、特に小型で低消費電力
であることが求められる移動体通信，衛星通信用の線形
増幅器を構成する上で効果がある。また、回路を構成す
る部品はモノリシック化に適するため、ＭＭＩＣに組み
込むことも可能となる等の効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図２】図１に示す回路の利得，位相特性を示す図であ
る。
る。
【図３】一般的な高周波電力増幅器の入出力特性を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すブロック図である。
【図５】従来のリニアライザの一例を示すブロック図で
ある。
ある。
１ 増幅用ＦＥＴ ２ 負荷用ＦＥＴ ３ ゲートバイアス抵抗 ４ 抵抗 ５ 入力整合回路 ６ 出力整合回路 ７ ＤＣカットコンデンサ ８ ゲートバイアス端子 １０ 信号入力端子 ２０ 信号出力端子 ３０ 電源端子 ５０ 可変減衰器 １００ 半導体増幅器
Claims (3)
- 【請求項１】 ソースを接地した増幅用ＦＥＴと、 そのドレインは電源に接続されそのソースは抵抗を介し
上記増幅用ＦＥＴのドレインに接続された上記増幅用Ｆ
ＥＴに対する負荷となる負荷用ＦＥＴと、 上記負荷用ＦＥＴのゲートを上記増幅用ＦＥＴのドレイ
ンに接続する手段と、 入力信号を上記増幅用ＦＥＴのゲートに接続する手段
と、 出力信号を上記負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段
と、 上記増幅用ＦＥＴのゲートを電圧を調整できるバイアス
電源に抵抗を介して接続する手段とを備え、 上記バイアス電源の電圧を調整して上記出力信号が入力
される後段の増幅器の振幅歪み，位相歪みを補償する半
導体増幅器。 - 【請求項２】 入力信号を上記増幅用ＦＥＴのゲートに
接続する手段は入力用整合回路を備え、出力信号を上記
負荷用ＦＥＴのソースから取り出す手段は出力用整合回
路を備えたことを特徴とする請求項第１項記載の半導体
増幅器。 - 【請求項３】 上記請求項第１項または第２項記載の半
導体増幅器を段間に減衰器を介して多段接続してなる半
導体増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170486A JPH08340220A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 半導体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170486A JPH08340220A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 半導体増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340220A true JPH08340220A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15905853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7170486A Pending JPH08340220A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 半導体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021507595A (ja) * | 2017-12-14 | 2021-02-22 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 高電圧、高速ＧａＮ駆動回路 |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP7170486A patent/JPH08340220A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021507595A (ja) * | 2017-12-14 | 2021-02-22 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 高電圧、高速ＧａＮ駆動回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |