JPH08337586A - 新規インドアニリン金属錯体、その製造方法、それを用いた透明記録体及び光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 近赤外領域に大きな吸収を有し、可視領域の
吸収が少なく、しかも有機溶媒に対する溶解性が高く、
塗布によるコーティングが可能で、耐光性等の保存性に
優れた且つ、記録濃度が高く、コントラストが良好で、
耐光性に優れた透明記録体に用いる、新規インドアニリ
ン金属錯体を提供する。 【解決手段】 一般式(1) または一般式(2) で表される
新規インドアニリン金属錯体、及びその製造方法。 【化１】 【化２】 また、透明な支持体上に、顕色剤と、該顕色剤と反応し
て発色する有機酸の金属塩若しくはロイコ染料と、上記
一般式(1) または一般式(2) で表される近赤外吸収材料
を含有した透明記録層を設けることを特徴とする透明記
録体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、近赤外光によって
直接可視部に吸収を有する記録を得ることができる透明
記録体に有用な新規インドアニリン金属錯体に関する。
また、印刷工程で使用される製版用マスキング材として
使用する際に有用な、かつ新規インドアニリン金属錯体
を含有する透明記録体、及び光ディスク等の光学記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、熱で可視部に吸収を有する記録を
直接得る記録体として、以下のものが知られている。フ
ァクシミリ等に使用されている感熱記録体は、無色又は
淡色の電子供与性物質（ロイコ染料）と電子受容性物質
（顕色剤）とを、水溶性バインダーを溶解した水溶液中
に分散混合し、微粒子化して得られた塗液を紙などの不
透明な支持体に塗布したものである。また、透明支持体
上に染料と顕色剤を有機溶媒に溶解した溶液を塗布して
作製する透明感熱記録体もある。これは、顕色剤兼熱活
性剤として窒素系や硫黄系のオニウム化合物を利用する
ものであり、特開平1-294088号公報及び特開昭63-45087
号公報に開示されている。これらはサーマルヘッドを記
録体に接触させて加熱する直接加熱法により記録するも
のである。

【０００３】一方、直接加熱法を用いることなく、近赤
外光の照射により記録する記録体及び記録方法が、特開
昭58-94494号公報、特開昭 59-2880号公報及び特開昭59
-42994号公報に記載されている。特開昭58-94494号公報
は、染料と顕色剤の他に近赤外吸収材料を水溶性バイン
ダーに分散した塗液を支持体に塗布した光記録体を、特
開昭 59-2880号公報及び特開昭59-42994号公報は染料、
顕色剤及び近赤外吸収材料を夫々真空蒸着で基板上に積
層させた光記録体を、また特開昭 58-209594号公報は、
基材上にロイコ染料などの発色剤を有機溶剤に溶解した
溶液を塗布した層と、この上に設ける顕色剤の溶液塗布
層との２層境界面に近赤外吸収材料の溶液を塗布した隔
離層を設けて、いわゆる "地かぶり”を防止した透明記
録体を夫々開示している。特開平5-177950号公報では、
この”地かぶり”を完全に防止した透明記録体を開示し
ている。特開平5-177950号公報は、透明基材上に、顕色
機能のあるフェノール性水酸基の少なくとも１つを保護
した上記一般式(5) で表される顕色剤と、該顕色剤と反
応して発色する有機酸の金属塩若しくはロイコ染料を有
機溶媒に溶解した溶液を塗布して透明記録層を設けるこ
とで”地かぶり”を完全に防止している。また、特開平
5-177950号公報ではこの透明記録体をＯＨＰフィルム、
スライド、複写用原稿あるいは樹脂配線板や集積回路の
回路パターン作成用のフォトマスクとして使用してい
る。ここで使用される近赤外吸収材料としては、日本化
薬製のIRG002（商品名）やIRG022（商品名）等のインモ
ニウム化合物、ジチオールニッケル錯体、1,1,5,5-テト
ラキス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−３−メトキシ
-1,4- ペンタジエントルエン等のシアニン色素、スクワ
リリウム色素、ナフトキノン色素、フタロシアニン化合
物、ナフタロシアニン化合物が挙げられている。

【０００４】さらに、この透明記録体を応用した例とし
て印刷製版用マスキング材が挙げられる。印刷プロセス
のコンピュータ化に伴い、製版工程及び色校正用プルー
フに於いても従来の銀塩写真方式に代わる様々な画像形
成方法が検討されている。銀塩写真方式が主としてアナ
ログ画像を扱うのに対し、レーザ記録方式、電子写真方
式、熱転写方式等はデジタル信号を用いて画像を形成す
ることもでき、高速で高品質な印刷用版材及び色校正用
プルーフを提供することができる。デジタル記録デバイ
スとしては、小型で堅牢、直接変調可能、安価などの点
から半導体レーザが最も良く使用されている。また、半
導体レーザが発する近赤外光に感応する近赤外増感剤と
して、特公平3-64064 号公報記載のフタロシアニン顔
料、特公平2-28143 号公報記載のヘプタメチンシアニン
色素、特開平6-273959号公報記載のナフトインドレニン
系シアニン色素等の近赤外吸収材料が用いられている。
また、画質の点では未だ銀塩写真が画像の形成法として
最高の位置を占めているものの、現像液や漂白・定着液
等の処理液を必要としている。処理液品質の維持管理が
煩雑であり、処理時間が長く、現像処理液の廃棄等の問
題も挙げられているため、銀塩写真に代わる材料が求め
られている。

【０００５】一般に、近赤外吸収材料は、光ディスク等
の光学記録媒体に用いられる場合が多い。光ディスク
は、円形の支持体に設けられた記録層に、近赤外レーザ
光を照射して高密度の記録を行うものである。記録層に
含まれている近赤外吸収材料は、近赤外レーザ光を効率
良く熱に変換して、照射された部分に分解、蒸発、溶解
等の熱力学的変形を施す。記録された情報の再生は、レ
ーザ光により変形が起こった部分と起きていない部分と
の反射率の差を読み取ることにより行われる。ここで近
赤外吸収材料が要求される性能は、記録に使用するレー
ザ光の波長に近い最大吸収波長を持ち、その波長での吸
光係数が高く、しかも光を熱に変える変換効率が高いこ
とである。光学記録媒体に用いた近赤外吸収材料の例と
して、特開昭55-97033号公報記載のフタロシアニン系色
素、特開昭58-83344号公報記載のフェナレン系色素、特
開昭58-224793 号公報記載のナフトキノン系色素等が、
インドアニリン金属錯体を光学記録媒体に使用した例と
して、特開昭63-227569 号公報、特開平1-254772号公
報、特開平2-568 号公報、特開平2-667 号公報等が夫々
挙げられる。また、このインドアニリン金属錯体の構造
に改変を加えて、レーザ光を効率良く吸収させる試み
が、特開平2-76884 号公報記載の含金属化合物、特開平
2-76884 号公報記載の含金属ピリドフェノチアゾン系化
合物においてなされているが、高い記録濃度及び記録部
分と未記録部分との高いコントラストが得られないなど
根本的な解決に至っていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近赤外レーザ光を光源
として用いて透明記録体に画像を形成させる際に、透明
記録体中に含まれる近赤外吸収材料は、画像記録に使用
する特定の波長の近赤外レーザ光のエネルギーを効率良
く吸収して熱エネルギーに変換する必要がある。また、
透明記録体を印刷工程で使用される印刷製版用マスキン
グ材として使用するために、高い記録濃度とレーザ光に
より記録された部分と未記録部分との高いコントラスト
が必要である。特開昭63-227569 号公報には、基板上に
インドシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いるが、このインドシアニン系色素は可視部に吸収を持
ち、これを用いて単層を作製した場合に、その膜が緑色
に着色してしまい、コントラストに欠ける記録体となる
問題点を有している。さらに、シアニン系の色素は、概
して太陽光により容易に変色、及び退色が起こり、耐光
性などの保存性に問題点を有している。

【０００７】また、光学記録媒体としての用途におい
て、特開昭55-97033号公報記載の、基板上にフタロシア
ニン系色素の単層を設けたものは、感度が低く、また分
解点が高く、蒸着しにくい等の問題点を有し、さらに有
機溶媒に対する溶解度が低く、塗布によるコーティング
に使用することができない問題点も有している。特開昭
58-83344号公報記載のフェナレン系色素、特開昭58-224
793 号公報記載のナフトキノン系色素は、蒸着はしやす
いものの光を熱に変換する効率が悪いため、レーザ光が
照射された部分の熱的変形が不十分で、情報再生時に記
録部分と非記録部分との反射率のコントラストが低くな
り、情報再生が困難となる。再生時に使用するレーザ光
に対して、一般に有機系色素は安定性に劣るため、再び
レーザ光で追記する際に変換効率が落ちてしまい、情報
を記録することができなくなる問題点も有している。

【０００８】以上の現状に鑑み、本発明は、近赤外領域
に大きな吸収を有し、光を熱に変換する効率が高く、可
視部の吸収が少なく、しかも有機溶媒に対する溶解性が
高く、塗布によるコーティングが可能で、耐光性等の保
存性に優れた新規インドアニリン金属錯体、及び該化合
物を用いて記録濃度が高く、コントラストが良好で、耐
光性等の保存性に優れた透明記録体を提供することを課
題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討を行った結果、透明支持体上に
（イ）顕色剤と（ロ）該顕色剤と反応して発色する有機
酸の金属塩若しくはロイコ染料とを有機溶媒に溶解した
溶液を塗布して作製される透明記録体において、（ハ）
本発明の新規インドアニリン金属錯体を近赤外吸収材料
として使用することにより、従来の透明記録体の上記課
題を一挙に解決することを見い出し、本発明を完成する
に至った。本発明の新規インドアニリン金属錯体は、特
開昭63-227569 号公報記載の含金属インドアニリン系化
合物と比較して最大吸収波長が長波長シフトし、近赤外
領域に大きな吸収を有している。また、上記公知の含金
属インドアニリン系化合物と比較してモル吸光係数も極
めて上昇し、近赤外レーザ光を熱に変換する能率も大幅
に向上している。出力の小さい半導体近赤外レーザ光を
使用しても、透明記録体上に充分に高い記録濃度を持っ
た画像を得ることができる。

【００１０】本発明の新規インドアニリン金属錯体は、
上記公知の含金属インドアニリン系化合物と比較して共
役系が広がっているため、その吸収スペクトルは可視領
域から近赤外領域へ大幅に長波長シフトしている。この
大幅な長波長シフトにより可視部領域の吸収が減少する
ため、新規インドアニリン金属錯体の着色が少なく、こ
れを光記録用近赤外吸収材料として用いて作製された透
明記録体も同様に、可視部領域の吸収が少なく、着色が
少なくなっている。吸光係数も大幅に上昇し、近赤外レ
ーザ光を熱に変換する能率も大幅に向上している。これ
により、近赤外レーザ光による記録の際の記録濃度が非
常に高く、得られた画像のコントラストは非常に優れた
ものとなっている。本発明の新規インドアニリン金属錯
体は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコー
ティングが可能である。一般に、金属錯体構造を有する
色素は、太陽光などに含まれる紫外線に対して安定であ
り、その中には一重項酸素クエンチャー等の作用を有し
ているものもある。本発明の新規インドアニリン金属錯
体は、太陽光下で長時間暴露しても変色せず、モル吸光
係数及び近赤外レーザ光を熱に変換する能率にも何等変
化が現れないことから、非常に耐光性に優れた色素であ
り、これを用いて作製された透明記録体も同様に耐光性
に優れている。

【００１１】即ち、本発明は、近赤外レーザ光によって
直接可視部に吸収を有する記録を得ることができる透明
記録体に有用な、光記録用近赤外吸収材料に適した下記
一般式(1)

【００１２】

【化６】 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原
子、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のア
リール基を表し、又は直接結合して含窒素５員環もしく
は６員環あるいはそれらの環を含む縮合環を形成する。
Ｒ³ は水素原子又は電子供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
びＲ⁶ は水素原子又は電子吸引性基を表す。ｉ、ｊ、ｋ
は１〜３の整数、ｌ及びｎは１〜４の整数、ｍは１又は
２を表す。Ｘは陰イオンを表す）及び下記一般式(2)

【００１３】

【化７】 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原
子、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のア
リール基を表し、又は直接結合して含窒素５員環もしく
は６員環あるいはそれらの環を含む縮合環を形成する。
Ｒ³ は水素原子又は電子供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及
びＲ⁸ は水素原子又は電子吸引性基を表す。ｉ、ｊ、ｋ
は１〜３の整数、ｌ及びｏは１〜４の整数、ｍは１又は
２を表す。Ｘは陰イオンを表す）で表される新規インド
アニリン金属錯体に関するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体例を挙げて詳
細に説明を行う。前記一般式(1) 及び一般式(2) 中、Ｍ
で示される金属原子は、Ni、Cu、Co、Zn、Fe、Pd、Pt等
が挙げられるが、好ましいものとして、Ni、Cu、Co、Fe
等の金属原子である。

【００１５】Ｒ¹ 及びＲ² で示されるアルキル基の例と
しては、メチル、エチル、n-プロピル、iso-プロピル、
n-ブチル、iso-ブチル、sec-ブチル、tert- ブチル、n-
ペンチル、n-ヘキシル、n-オクチル、2-エチルへキシ
ル、ラウリル、ミリスチル、パルミチル、ステアリル、
2-ヒドロキシエチル、2-シアノエチル、2-アミノエチ
ル、2-クロロエチル、2-ブロモエチル、2-ヨードエチ
ル、2-フルオロエチル、トリフルオロメチル、2,2,2-ト
リフルオロエチル、2-メトキシエチル、メトキシエトキ
シエチル、2-アリルオキシエチル、ベンジル、フェネチ
ル、ベンジルオキシメチル、2-ベンジルオキシエチル、
メチルカルボニルオキシエチル、ベンジルカルボニルオ
キシメチル、2-フェノキシエチル、2-アセトキシエチ
ル、2-カルボキシエチル、エトキシカルボニルメチル、
メトキシカルボニルエチル、3-メシルプロピル、2-フリ
ルメチル、2-オキソラニルメチル、シクロペンチル、シ
クロヘキシル、2-メチルシクロヘキシル等が挙げられ、
アリール基の例としては、フェニル、o-トルイル、m-ト
ルイル、p-トルイル、o-クロロフェニル、m-クロロフェ
ニル、p-クロロフェニル、o-ブロモフェニル、m-ブロモ
フェニル、p-ブロモフェニル、o-メトキシフェニル、m-
メトキシフェニル、p-メトキシフェニル、p-エトキシフ
ェニル、p-n-ブトキシフェニル等が挙げられる。また、
Ｒ¹ とＲ² は直接環を形成しても良く、その例としてピ
ロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラ
ジニル、モルホリニル、インドリニル等の環構造が挙げ
られる。

【００１６】Ｒ³ で示される電子供与性基の例として
は、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキ
ル置換アミノ基等が挙げられる。具体的には、アルキル
基としては、メチル、エチル、n-プロピル、iso-プロピ
ル、n-ブチル、iso-ブチル、sec-ブチル、tert- ブチ
ル、n-ペンチル、n-ヘキシル、n-オクチル、2-エチルへ
キシル、ラウリル、ミリスチル、パルミチル、ステアリ
ル、2-ヒドロキシエチル、2-シアノエチル、2-アミノエ
チル、2-クロロエチル、2-ブロモエチル、2-ヨードエチ
ル、2-フルオロエチル、トリフルオロメチル、2,2,2-ト
リフルオロエチル、2-メトキシエチル、メトキシエトキ
シエチル、2-アリルオキシエチル、ベンジル、フェネチ
ル、ベンジルオキシメチル、2-ベンジルオキシエチル、
メチルカルボニルオキシエチル、ベンジルカルボニルオ
キシメチル、2-フェノキシエチル、2-アセトキシエチ
ル、2-カルボキシエチル、エトキシカルボニルメチル、
メトキシカルボニルエチル、3-メシルプロピル、2-フリ
ルメチル、2-オキソラニルメチル、シクロペンチル、シ
クロヘキシル、2-メチルシクロヘキシル等が挙げられ、
アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、ベンズ
ヒドロール、トリチル等が挙げられ、アルコキシ基とし
ては、メトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、iso-プロポ
キシ、n-ブトキシ、iso-ブトキシ、sec-ブトキシ、tert
- ブトキシが挙げられ、アリールオキシ基としては、フ
ェノキシ、o-トリルオキシ、m-トリルオキシ、p-トリル
オキシ、o-クロロフェノキシ、m-クロロフェノキシ、p-
クロロフェノキシ、o-ブロモフェノキシ、m-ブロモフェ
ノキシ、p-ブロモフェノキシ、o-メトキシフェノキシ、
m-メトキシフェノキシ、p-メトキシフェノキシ、p-エト
キシフェノキシ、p-ブトキシフェノキシ等が挙げられ、
アルキルチオ基としては、メチルチオ、エチルチオ、n-
プロピルチオ、iso-プロピルチオ、n-ブチルチオ、iso-
ブチルチオ、sec-ブチルチオ、tert- ブチルチオ、ベン
ジルチオ等が挙げられ、アリールチオ基としては、フェ
ニルチオ、o-トリルチオ、m-トリルチオ、p-トリルチ
オ、o-クロロフェニルチオ、m-クロロフェニルチオ、p-
クロロフェニルチオ、o-ブロモフェニルチオ、m-ブロモ
フェニルチオ、p-ブロモフェニルチオ、o-メトキシフェ
ニルチオ、m-メトキシフェニルチオ、p-メトキシフェニ
ルチオ、p-エトキシフェニルチオ、p-ブトキシフェニル
チオ等が挙げられ、アルキル置換アミノ基としては、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ-n- プロピルアミ
ノ、ジ-iso- プロピルアミノ、ジ-n- ブチルアミノ、ジ
-iso- ブチルアミノ、ジ-sec- ブチルアミノ、ジ-tert-
ブチルアミノ、N-メチル-N- エチルアミノ、N-エチル-N
-iso- プロピルアミノ、N-エチル-N-n- ブチルアミノ等
が挙げられる。

【００１７】Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ で示され
る電子吸引性基の例としては、ハロゲン原子、アリール
基、アシルアミノ基、スルフォニルアミノ基、ウレイド
基、カルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール
オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルフォニル
基、スルファモイル基等が挙げられる。具体的には、ハ
ロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素が挙
げられ、アリール基としては、フェニル、o-トルイル、
m-トルイル、p-トルイル、o-クロロフェニル、m-クロロ
フェニル、p-クロロフェニル、o-ブロモフェニル、m-ブ
ロモフェニル、p-ブロモフェニル、o-メトキシフェニ
ル、m-メトキシフェニル、p-メトキシフェニル、p-エト
キシフェニル、p-ブトキシフェニル等が挙げられ、アシ
ルアミノ基としては、ホルミルアミノ、アセチルアミ
ノ、プロピオニルアミノ、ブチリルアミノ、イソブチリ
ルアミノ、バレリルアミノ、イソバレリルアミノ、ピバ
ロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ミリスチルアミノ、
パルミトイルアミノ、ステアロイルアミノ、ベンゾイル
アミノ、１−ナフトイルアミノ、２−ナフトイルアミノ
等が挙げられ、スルフォニルアミノ基としては、メシル
アミノ、エタンスルフォニルアミノ、トシルアミノ等が
挙げられ、ウレイド基としては、ウレイド、N-メチルウ
レイド、N-n-プロピルウレイド、N,N-ジエチルウレイ
ド、N-アセチル-N- フェニルウレイド、チオウレイド、
N-メチルチオウレイド、N,N-ジエチルチオウレイド、N-
アセチル-N- フェニルチオウレイド等が挙げられ、カル
ボニル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリ
ル、ピバロイル、ラウロイル、ミリストイル、パルミト
イル、ステアロイル、ベンゾイル、１−ナフトイル、２
−ナフトイル等が挙げられ、アルコキシカルボニル基と
しては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n-
プロポキシカルボニル、iso-プロポキシカルボニル、n-
ブトキシカルボニル、iso-ブトキシカルボニル、sec-ブ
トキシカルボニル、tert- ブトキシカルボニル、ラウリ
ルオキシカルボニル、ミリスチルオキシカルボニル、パ
ルミチルオキシカルボニル、ステアリルオキシカルボニ
ル等が挙げられ、アリールオキシカルボニル基として
は、フェノキシカルボニル、o-トリルオキシカルボニ
ル、m-トリルオキシカルボニル、p-トリルオキシカルボ
ニル、o-クロロフェノキシカルボニル、m-クロロフェノ
キシカルボニル、p-クロロフェノキシカルボニル、o-ブ
ロモフェノキシカルボニル、m-ブロモフェノキシカルボ
ニル、p-ブロモフェノキシカルボニル、o-メトキシフェ
ノキシカルボニル、m-メトキシフェノキシカルボニル、
p-メトキシフェノキシカルボニル、p-エトキシフェノキ
シカルボニル、p-ブトキシフェノキシカルボニル等が挙
げられ、カルバモイル基としては、N-フェニルカルバモ
イル、N-4-ブロモフェニルカルバモイル、N-メチルカル
バモイル、N-エチルカルバモイル、N-2-ヒドロキシエチ
ルカルバモイル、N-2-メトキシエチルカルバモイル、N-
エトキシメチルカルバモイル、N-オキソラニルメチルカ
ルバモイル、N-アリルカルバモイル、N-2-チエニルカル
バモイル、N-3-（2-メトキシカルボニル）チエニルカル
バモイル、N-2-（4-ニトロ）チエニルカルバモイル、N-
2-チアゾリルカルバモイル、N-（4-メチルスルフォニ
ル）フェニルカルバモイル、N-（4-シアノ）フェニルカ
ルバモイル、N-2-ベンゾイミダゾリルカルバモイル、N-
2-ベンゾオキサゾリルカルバモイル、N-2-ベンゾチアゾ
リルカルバモイル、N-2-ピリジルカルバモイル、N-4-ピ
リジルカルバモイル、N-4-ピリミジルカルバモイル、N-
2-キノリルカルバモイル、N-4-キノリルカルバモイル、
N-3H- インド-2- リルカルバモイル等が挙げられ、スル
フォニル基としては、メシル、エタンスルフォニル、ト
シル等が挙げられ、スルファモイル基としては、N-フェ
ニルスルファモイル、N-4-ブロモフェニルスルファモイ
ル、N-メチルスルファモイル、N-エチルスルファモイ
ル、N-2-ヒドロキシエチルスルファモイル、N-2-メトキ
シエチルスルファモイル、N-エトキシメチルスルファモ
イル、N-オキソラニルメチルスルファモイル、N-アリル
スルファモイル、N-2-チエニルスルファモイル、N-2-
（4-ニトロ）チエニルスルファモイル、N-2-チアゾリル
スルファモイル、N-（4-メチルスルフォニル）フェニル
スルファモイル、N-（4-シアノ）フェニルスルファモイ
ル、N-2-ベンゾイミダゾリルスルファモイル、N-2-ベン
ゾオキサゾリルスルファモイル、N-2-ベンゾチアゾリル
スルファモイル、N-2-ピリジルスルファモイル、N-4-ピ
リジルスルファモイル、N-4-ピリミジルスルファモイ
ル、N-2-キノリルスルファモイル、N-4-キノリルスルフ
ァモイル、N-3H- インド-2- リルスルファモイル等が挙
げられる。

【００１８】Ｘで示される陰イオンとして、Ｆ^- 、C
l^- 、Br^- 、Ｉ^- 、ClO₄ ^- 、 SCN^- 、BF₄ ^- 、 PF₆ ^- 、Sb
F₆ ^- 、TiF₆ ^2-、ZrF₆ ^2-、SiF₆ ^2-、OH^- 、 TsO^- 、HCO
O^- 、CH₃COO ^- 、 NO₃ ^- 、 H₂PO₄ ^- 、BPh₄ ^- 、CN^- 等が
挙げられるが、好ましいものとしてはCl^- 、Br^- 、
Ｉ^- 、ClO₄ ^- 、 BF₄ ^- 、 PF₆ ^- 、SbF₆ ^- を挙げることが
できる。

【００１９】以下、下記一般式(1) 又は一般式(2) で表
される新規インドアニリン金属錯体の具体例を挙げる
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２０】

【化８】

【００２１】

【表１】

【００２２】

【表２】

【００２３】

【表３】

【００２４】

【表４】

【００２５】

【表５】

【００２６】

【表６】

【００２７】

【表７】

【００２８】

【表８】

【００２９】

【表９】

【００３０】

【表１０】

【００３１】

【化９】

【００３２】

【表１１】

【００３３】

【表１２】

【００３４】

【表１３】

【００３５】

【表１４】

【００３６】

【表１５】

【００３７】

【表１６】

【００３８】

【表１７】

【００３９】

【表１８】

【００４０】

【表１９】

【００４１】

【表２０】

【００４２】次に、本発明の新規インドアニリン金属錯
体の製造法について説明する。上記一般式(1) 又は一般
式(2) で表される新規インドアニリン金属錯体は、特開
昭63-227569 号公報に記載の方法に従って合成すること
ができる。すなわち、下記一般式(6)

【００４３】

【化１０】 （式中、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、ｍ、ｎは前記定義に同じ。
Ｒ¹⁰は水素原子及びハロゲン原子を表す。）で表される
４−ヒドロキシアクリジン化合物又は下記一般式（７）

【００４４】

【化１１】 （式中、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、ｍ、ｏは前記定義に同じ。
Ｒ¹¹は水素原子及びハロゲン原子を表す。）で表される
４−ヒドロキシアクリジン化合物に対して、下記一般式
(8)

【００４５】

【化１２】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、ｌは前記定義に同じ。）で
表されるパラ−Ｎ，Ｎ−置換アミノアニリン化合物、又
はその塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩を、酸化剤を
用いて付加反応させ、下記一般式(3)

【００４６】

【化１３】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、ｌ、
ｍ、ｎは前記定義に同じ。）及び下記一般式(4)

【００４７】

【化１４】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、ｌ、
ｍ、ｏは前記定義に同じ。）で表される新規インドアニ
リン化合物を得ることができる。次いで、上記一般式
(3) 又は一般式(4) で表される新規インドアニリン化合
物に対して下記一般式(9)

【００４８】

【化１５】 （式中、Ｍ及びＸは前記定義に同じ。ｒ及びｓは１〜３
の整数を、ｔは０から20までの整数を表す。）で表され
る金属塩を用いてキレート反応させることにより、一般
式(1) 又は一般式(2) で表される新規インドアニリン金
属錯体を製造することができる。

【００４９】具体的には、一般式(3) 又は一般式(4) で
表される新規インドアニリン化合物と上記一般式(9) で
表される金属塩を、水、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等の溶媒中、好ましくは水、
及びメタノール又はエタノール等のアルコール性溶媒
中、０℃から100 ℃の間、好ましくは０℃から40℃の間
で、10分から24時間にわたって反応することにより行わ
れる。反応終了後、析出した結晶を濾過し、水及びメタ
ノール又はエタノール等のアルコール性溶媒で洗浄を行
い、風乾及び減圧下で乾燥を行い、一般式(1) 又は一般
式(2) で表される新規インドアニリン金属錯体を製造す
ることができる。

【００５０】次に、以下に下記一般式(3) 又は一般式
(4) で表される新規インドアニリン化合物の具体例を挙
げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００５１】

【化１６】

【００５２】

【表２１】

【００５３】

【表２２】

【００５４】

【表２３】

【００５５】

【表２４】

【００５６】

【表２５】

【００５７】

【表２６】

【００５８】

【表２７】

【００５９】

【表２８】

【００６０】

【表２９】

【００６１】

【表３０】

【００６２】

【化１７】

【００６３】

【表３１】

【００６４】

【表３２】

【００６５】

【表３３】

【００６６】

【表３４】

【００６７】

【表３５】

【００６８】

【表３６】

【００６９】

【表３７】

【００７０】

【表３８】

【００７１】

【表３９】

【００７２】

【表４０】

【００７３】一般式(3) 又は(4) で表される新規インド
アニリン化合物の製造方法、すなわち一般式(6) で表さ
れる４−ヒドロキシフェナントリジン化合物又は一般式
(7)で表される４−ヒドロキシアクリジン化合物と上記
一般式(8) で表されるパラ−Ｎ，Ｎ−置換アミノアニリ
ン化合物、又はその塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩
との酸化的付加反応は、水、メタノール、エタノール、
イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等の溶媒中で、クロム
酸、四酢酸鉛、ニトロソジスルホン酸カリウム、ペルオ
キソ二硫酸アンモニウム、２，３−ジクロロ−５，６−
ジシアノ−１，４−ベンゾキノン、硝酸銀、炭酸銀、ハ
ロゲン化銀、塩化第二鉄等の酸化剤を用いて行われる。
製造の際の操作性、収率又は生成物の精製しやすさか
ら、酸化剤としてはペルオキソ二硫酸アンモニウムや硝
酸銀が好ましい。また、この反応は０℃から100℃の間
で、10分から24時間にわたって行われる。反応終了後、
抽出、濃縮等の操作を行い、必要に応じてカラムクロマ
トグラフィー、再結晶などの精製法を用いて、一般式
(3) 又は(4) で表される新規インドアニリン化合物を製
造することができる。

【００７４】また、一般式（6)で示される４−ヒドロキ
シフェナントリジン化合物は、たとえば、S. V. Kessar
らの方法（Tetrahedron 、29巻、177 ページ、1973年）
を用いて合成することができるが、本発明はこれに限定
されるものではない。代表的な例として４−ヒドロキシ
フェナントリジンの合成法を以下に示す。

【００７５】

【化１８】

【００７６】ｓｔｅｐ 1-1（脱水縮合反応） ｏ−ヒドロキシアニリン (式10) とｏ−クロロベンズア
ルデヒド (式11) とを、(A) 封管中、80〜200 ℃で反
応、(B) メタノール、エタノールなどの有機溶媒中で還
流、(C) Dean-Starkの装置を用いて反応温度80〜200 ℃
で生成する水を除去する、などの条件で反応させ、アニ
ル (式12) を製造することができる。アニルの誘導体を
製造する際、原料によって最適の脱水縮合反応条件が異
なるが、(B) の条件が装置及び操作性の点で好ましい。
反応は10分から２４時間にわたって行われ、反応終了後
に有機溶媒を除去し、必要に応じてカラムクロマトグラ
フィー、再結晶等の手法を用いて精製できる。

【００７７】ｓｔｅｐ 1-2（閉環反応） アニル（式12）を液体アンモニア中で金属カリウムを用
いて閉環反応を行うことにより、４−ヒドロキシフェナ
ントリジン（式13）を製造することができる。閉環反応
は、−75℃から−30℃の範囲内で、10分から24時間にわ
たって行われる。反応終了後、アンモニアを除去し、得
られた残渣を必要に応じてカラムクロマトグラフィー、
再結晶等の手法を用いて精製できる。

【００７８】また、一般式(7) で示される４−ヒドロキ
シアクリジン化合物は、以下に示す方法などにより合成
できるが、本発明はこれに限定されるものではない。代
表的な例として４−ヒドロキシアクリジンの合成法を以
下に示す。

【００７９】

【化１９】

【００８０】ｓｔｅｐ 2-1（Ullmann 反応） ｏ−アニシジン（式14）、ｏ−ブロモ安息香酸（式1
5）、炭酸カリウムを銅塩などの触媒存在下、無溶媒又
は不活性高沸点溶媒中で反応させることにより、ジフェ
ニルアミン−２−メトキシ−２’−カルボン酸（式16）
を得ることができる。炭酸カリウムの代りに、水酸化リ
チウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどの無機
塩基やピリジン、トリエチルアミン、ジメチルアニリン
などの有機塩基を使用することができる。触媒として、
銅粉、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅などが用いられ、助剤
としてヨウ素を添加しても良い。反応は無溶媒で進行す
るが、撹拌を補助するためにトルエン、キシレン、メシ
チレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモベ
ンゼン、ニトロベンゼン、ＤＭＦなどの不活性高沸点溶
媒を添加しても良い。反応温度は80〜200 ℃、反応時間
は10分から24時間の範囲が好ましい。

【００８１】ｓｔｅｐ 2-2（閉環反応） ジフェニルアミン−２−メトキシ−２’−カルボン酸
（式16）とオキシ塩化リンを反応させることにより、４
−メトキシ−９−クロロアクリジン（式17）を得ること
ができる。オキシ塩化リンは、反応試薬として作用する
が、溶媒を兼ねるために基質に対して１当量以上使用し
ても良い。また、オキシ塩化リンに反応助剤として三塩
化リン、五塩化リンを加えても良い。反応温度は50〜10
5 ℃、反応時間は10分から24時間の範囲が好ましい。

【００８２】ｓｔｅｐ 2-3（ｐ−トルエンスルホン酸ヒ
ドラジド法） ４−メトキシ−９−クロロアクリジン（式17）とｐ−ト
ルエンスルホン酸ヒドラジドを反応させることにより、
Ｎ₁ −９−（４−メトキシ）アクリジニル−Ｎ₂ −ｐ−
トルエンスルホニルヒドラジン（式18）を得ることがで
きる。また、ｐ−トルエンスルホン酸ヒドラジドの代り
にベンゼンスルホン酸ヒドラジドを用いることができ
る。

【００８３】ｓｔｅｐ 2-4（分解反応） Ｎ₁ −９−（４−メトキシ）アクリジニル−Ｎ₂ −ｐ−
トルエンスルホニルヒドラジン（式18）をエチレングリ
コール中アルカリと共に加熱することにより、４−メト
キシシアクリジン（式19）を得ることができる。反応溶
媒としては、60℃以上の沸点を有するものであれば良
く、エチレングリコールの代りに、エタノール、プロパ
ノール、ブタノール、プロピレングリコール、グリセリ
ンなどを使用することができる。アルカリとしては、水
酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭
酸カリウムなどの無機塩基が好ましい。反応温度は60〜
150 ℃、反応時間は10分から24時間の範囲が好ましい。

【００８４】ｓｔｅｐ 2-5（脱メチル反応） ４−メトキシアクリジン（式19）に対して脱メチル反応
を行うことにより、４−ヒドロキシアクリジン（式20）
を得ることができる。脱メチル反応試薬として、臭化水
素水、ヨウ化水素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム、ピリジン塩酸塩、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三
ヨウ化ホウ素などが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。反応温度、反応時間は反応試薬により異
なるが、例えば臭化水素水を反応試薬として用いる場
合、反応温度は90〜120 ℃、反応時間は10分から24時間
の範囲が好ましい。試薬の使用量は、基質に対して１〜
20当量が好ましい。反応溶媒としては、上記反応試薬に
不活性であるものが好ましい。また、液体の反応試薬を
使用する際には溶媒を兼ねることもできる。

【００８５】本発明の新規インドアニリン金属錯体を用
いて作製される透明記録体の構成は以下のとおりであ
る。透明記録体は、基本的には、基板と、一般式（5)で
表される顕色剤と、該顕色剤と反応して発色する有機酸
の金属塩若しくはロイコ染料と、近赤外光を吸収して熱
に変換する光吸収材料として一般式（1)又は一般式(2)
で表される新規インドアニリン金属錯体と、を含有する
記録層とから構成され、さらに目的に応じて基板と記録
層の間にアンダー層を、また記録層の上に保護層が設け
られる。

【００８６】本発明に用いる基板の材質としては、ガラ
ス、プラスチック等の一般の記録材料用の支持体が挙げ
られるが、プラスチックが種々の面から好適である。プ
ラスチックとしては、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリサルホン樹脂等が挙げられ、フィルム、シート、板
状で、耐熱性があり、透明性が高いものが好ましい。

【００８７】本発明に用いる顕色剤としては、下記一般
式(5) で表される構造を持つ化合物が好ましい。

【００８８】

【化２０】 （ここで、Ｘは COO、CONH、SO₂ 、Ａは置換又は非置換
のアルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル
基、アリール基、ベンジル基、ナフチル基。Ｒは、Ｎ−
置換カルバモイル基（CONHR¹⁰)あるいはＯ−置換オキシ
カルボニル基（COOR¹¹）、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は置換又は非置
換のアルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル
基、アリール基、ベンジル基、ナフチル基、メシル基、
トシル基を表す。ｐ及びｑは１〜３の整数で、ｐ≦ｑで
ある。）

【００８９】Ａとしては、メチル、エチル、n-プロピ
ル、iso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、n-ペンチル、n-ヘキシル、n-オクチ
ル、2-エチルへキシル、ラウリル、ミリスチル、パルミ
チル、ステアリル、ベヘニル、2-ヒドロキシエチル、2-
シアノエチル、2-アミノエチル、2-クロロエチル、2-ブ
ロモエチル、2-ヨードエチル、2-フルオロエチル、トリ
フルオロメチル、2,2,2-トリフルオロエチル、2-メトキ
シエチル、メトキシエトキシエチル、2-アリルオキシエ
チル、ベンジル、フェネチル、2-ベンジルオキシエチ
ル、ベンジルカルボニルオキシメチル、2-フェノキシエ
チル、2-アセトキシエチル、2-カルボキシエチル、エト
キシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、3-
メシルプロピル、2-フリルメチル、2-オキソラニルメチ
ル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル、
2-メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基、2-プロ
ペニル、2-ブテニル、2-ペンテニル、2-ヘキセニル、2-
クロロ-2- プロペニル、2-メチル-2- ペンテニル等のア
リル基、フェニル、o-トルイル、m-トルイル、p-トルイ
ル、o-クロロフェニル、m-クロロフェニル、p-クロロフ
ェニル、o-ブロモフェニル、m-ブロモフェニル、p-ブロ
モフェニル、o-メトキシフェニル、m-メトキシフェニ
ル、p-メトキシフェニル、p-エトキシフェニル、p-ブト
キシフェニル等のアリール基が挙げられる。

【００９０】Ｎ−置換カルバモイル基としては、メチル
カルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−プロピルカル
バモイル、ｉｓｏ−プロピルカルバモイル、ｎ−ブチル
カルバモイル、ｔｅｒｔ−ブチルカルバモイル、ｎ−オ
クタデシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイ
ル、アリルカルバモイル、クロロメチルカルバモイル、
２−クロロエチルカルバモイル、フェニルカルバモイ
ル、ｏ−トルイルカルバモイル、ｍ−トルイルカルバモ
イル、ｐ−トルイルカルバモイル、ナフチルカルバモイ
ル、ｏ−クロロフェニルカルバモイル、ｍ−クロロフェ
ニルカルバモイル、ｐ−クロロフェニルカルバモイル、
３，４−ジクロロフェニルカルバモイル、ｏ−メトキシ
フェニルカルバモイル、ｍ−メトキシフェニルカルバモ
イル、ｐ−メトキシフェニルカルバモイル、ｐ−トルエ
ンスルフォニルカルバモイル、ベンジルカルバモイル、
α−ジメチルベンジルカルバモイル、α，α−ジメチル
ベンジルカルバモイル、ｍ−メチル−α，α−ジメチル
ベンジルカルバモイル、ｍ−エチル−α，α−ジメチル
ベンジルカルバモイル、ｍ−プロピル−α，α−ジメチ
ルベンジルカルバモイル、ｍ−イソプロペニル−α，α
−ジメチルベンジルカルバモイル等を挙げることができ
る。

【００９１】また、Ｏ−置換オキシカルボニル基として
は、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プ
ロポキシカルボニル、ｎ−ブチルオキシカルボニル、ｉ
ｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルオキ
シカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル、ｎ
−オクタデシルオキシカルボニル、アリルオキシカルボ
ニル、ビニルオキシカルボニル、２，２，２−トリクロ
ロエトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ナ
フチルオキシカルボニル、２−（トリメチルシリル）エ
トキシカルボニル等を挙げることができる。

【００９２】本発明に用いる有機酸金属塩の有機酸とし
ては、脂肪族カルボン酸誘導体、安息香酸誘導体、フタ
ル酸誘導体等があるが、安息香酸誘導体が好ましい。特
にオルト位及びメタ位の安息香酸誘導体が好ましく、ｏ
−ベンゾイル安息香酸、ｏ−（２−メチル）ベンゾイル
安息香酸、ｏ−（２−エチル）ベンゾイル安息香酸、ｏ
−メチル安息香酸、ｍ−メチル安息香酸、ｏ−フェニル
安息香酸、ｍ−フェニル安息香酸、ｏ−トルイル安息香
酸、ｍ−トルイル安息香酸、ｏ−クロロ安息香酸、ｍ−
クロロ安息香酸、ｏ−ブロモ安息香酸、ｍ−ブロモ安息
香酸等を挙げることができる。

【００９３】本発明に用いる有機酸金属塩の金属として
は、鉄、銀、銅、バナジウム、コバルトが好ましく、鉄
が最も好ましい。

【００９４】本発明に用いるロイコ染料としては、従来
感熱記録紙及び感圧記録紙の分野で公知の電子供与性無
色染料すべてを使用することができる。代表的なものと
して、クリスタルバイオレットラクトン、３−ジエチル
アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジ
ブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、
３−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソアミルアミノ）−６−メチ
ル−７−アニリノフルオラン、３−（４−ジエチルアミ
ノ−２−エトキシフェニル）−３−（１−エチル−２−
メチルインドール−３−イル）−４−アザフタリド、３
−（Ｎ−エチル−Ｎ−シクロヘキシルアミノ）−６−メ
チル−７−アニリノフルオラン等を挙げることができ
る。

【００９５】上記、顕色剤、有機酸の金属塩又はロイコ
染料は、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、クロロホルム等の溶剤塗工に適
した有機溶媒中に、バインダーとともに溶解するもので
ある。

【００９６】本発明に用いるバインダーとしては、ポリ
スチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ニトロセルロース、酢酸セルロース、スチレン
−ブタジエン−アクリル共重合体、シリコーンワニス、
ＥＢ硬化樹脂、ＵＶ硬化樹脂等を挙げることができる。

【００９７】本発明に用いる近赤外吸収材料としては、
本発明である新規インドアニリン金属錯体以外の近赤外
吸収材料も含有させることができる。近赤外レーザー光
を熱に変換できる化合物であれば何でも良く、その例と
して日本化薬製のIRG002（商品名）やIRG022（商品名）
等のインモニウム化合物、日本感光色素研究所製のNKX-
113 （商品名）、NKX-114 （商品名）、NKX-1199（商品
名）等のジチオールニッケル錯体、1,1,5,5 −テトラキ
ス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−３−メトキシ−1,
4 −ペンタジエントルエン、日本感光色素研究所製のNK
-2014(商品名）等のシアニン色素、スクワリリウム色
素、ナフトキノン色素、フタロシアニン化合物、ナフタ
ロシアニン化合物を挙げることができる。

【００９８】また、透明記録体の安定性やさらなる耐光
性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして、遷移
金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキ
レート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルドキシ
ム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していてもよ
い。

【００９９】また、本発明の透明記録体への記録は、サ
ーマルヘッドを使用する方式でも行うことができるが、
レーザーを使用する方式の方が印字速度、画像の解像度
等の点で有利である。本発明に用いるレーザー光源は、
Ｎ₂ 、He-Cd 、Ar、He-Ne 、ルビー、半導体(Ga-As) 、
色素レーザーなどが挙げられるが、特に、軽量性、取り
扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザ
ーが好ましい。また、数十mw程度の低出力の半導体近赤
外レーザーを使用しても、透明記録体上に十分に高い記
録濃度を持った明瞭な記録画像を形成することができ
る。

【０１００】本発明の透明記録体の記録層を得るための
材料の配合は、顕色剤３〜３０部、有機酸の金属塩又は
ロイコ染料３〜３０部、バインダー３〜３０部、近赤外
吸収材料 0.001〜１部であり、これらを固形分１０〜３
０％になるように溶媒に溶解した溶解液を、透明な支持
体の上に塗布乾燥して該透明記録体を得ることができ
る。また、必要に応じて支持体の両面に記録層を設けて
も良い。この様にして得られた本発明の透明記録体は、
印刷製版用マスキング材、ＯＨＰフィルム、スライド用
フィルム、複写用原稿あるいは樹脂配線板や集積回路の
回路パターン作成用のフォトマスクとして有用である。

【０１０１】最近、原稿フィルムを使わずにコンピュー
タ上でデザインした画像及び文字を直接版に出力するダ
イレクト製版方式が注目されている。印刷工程の簡略化
により、印刷に要する時間の大幅な短縮が可能となって
いる。しかしながら、一般商用印刷、特にオフセット印
刷の分野では、原稿フィルムを用いた製版工程が主流
で、そこでは製版用マスキング材として、銀塩写真フィ
ルムが使用されている。銀塩写真方式は画質は良いもの
の、現像処理液の廃棄等の問題のため、銀塩写真に代わ
る材料が求められている。本発明の透明記録体は、上記
の問題点がないため、銀塩写真フィルムの代替えとして
有用である。オフセット印刷用のＰＳ版に画像を焼き付
ける際に、本発明の透明記録体を用いて製版する方式
は、従来の銀塩写真フィルムを用いて製版する方式と全
く同じである。ＰＳ版と本発明の透明記録体を重ね合わ
せた後に、透明記録体側からタングステンランプ、ハロ
ゲンランプ、キセノンランプ、水銀灯等の光源を照射し
て画像を露光し、オフセット印刷用の版を得ることがで
きる。

【０１０２】本発明の新規インドアニリン金属錯体は、
近赤外吸収材料として、特に光ディスクなどの光学記録
媒体に使用する、近赤外レーザー光を熱に効率的に変換
する素子としても有用である。インドアニリン金属錯体
のモル吸光係数が上昇すると、近赤外光を熱に変換する
効率が高くなり、少ない使用量で、また出力の小さい近
赤外レーザー光でも透明記録体上に十分に高い記録濃度
を持った画像を得ることができる。本発明の新規インド
アニリン金属錯体は、特開昭63-227569 号公報記載の含
金属インドアニリン系化合物と比較して、最大吸収波長
が長波長シフトし、モル吸光係数も極めて上昇し、近赤
外レーザー光を熱に変換する能率が大幅に向上する。

【０１０３】本発明の新規インドアニリン金属錯体を用
いて作製される光学記録媒体は透明記録体と同様の材料
を用いて構成されている。基板、バインダー、一重項酸
素クエンチャー、混合できる他系統の色素等を共用でき
る。成膜法は、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクタ
ーブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等の一
般的な薄膜形成法で成膜することができる。

【０１０４】一般式（1)又は一般式（2)で表される新規
インドアニリン金属錯体は、用途としては、透明記録
体、印刷製版用マスキング材、光学記録媒体としてだけ
ではなく、緑色系色素、感熱転写用色素、インクジェッ
トプリンター用色素、熱線遮断剤、感光材料用セーフラ
イトフィルター、半導体素子のカットフィルター、カラ
ーフィルター、液晶、感光材のアンチハレーション材
料、光カード、光重合開始剤、生理活性物質、医薬品と
して利用することもできる。また、反応中間体である一
般式（3)又は一般式（4)で表される新規インドアニリン
化合物も、青色系色素、緑色系色素、感熱転写用色素、
インクジェットプリンター用色素、熱線遮断剤、感光材
料用セーフライトフィルター、半導体素子のカットフィ
ルター、カラーフィルター、液晶、感光材のアンチハレ
ーション材料、光カード、光重合開始剤、生理活性物
質、医薬品として利用することもできる。また、反応中
間体である一般式（6)で表される４−ヒドロキシフェナ
ントリジン化合物又は一般式（7)で表される４−ヒドロ
キシアクリジン化合物は、染料及び顔料の原料として使
用されるだけではなく、生理活性物質、医薬品として利
用することもできる。

【０１０５】以下、本発明の化合物の製造例及び実施例
により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの製
造例及び実施例により限定されるものではない。

【０１０６】

【実施例１】 〔フェナントリジン骨格を有するインドアニリン金属錯
体の製造〕 ［製造例１−１］ 〔表中の例示化合物 1-1に記載のインドアニリン金属錯
体の製造〕以下に示す反応スキームに従って合成を行っ
た。

【０１０７】

【化２１】

【０１０８】［１−１−１］Ｎ−（２−クロロベンジリ
デン）−2'−ヒドロキシアニリン（式12）の合成 ｏ−アミノフェノール（式10）12.00gと２−クロロベン
ズアルデヒド（式11）14.06gとエタノール100ml の混合
溶液を７５℃で５時間反応させた。反応終了後、エタノ
ールを留去し、その残渣をカラムクロマトにて精製した
後に、ヘキサン−クロロホルムより再結晶を行い、Ｎ−
（２−クロロベンジリデン）−2'−ヒドロキシアニリン
（式12）の黄色結晶22.19gを得た（収率95.8％）。 ｛分析値｝ m.p. = 94.0 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.14(s, 1H), 8.20(dd, 1H, J=7.2, 2.1Hz), 7.44-7.32
(m, 4H), 7.23(dd, 1H,J=7.0, 1.4Hz), 7.19(d, 1H, J=
1.2Hz), 7.02(d, 1H, J=7.8Hz), 6.92(t, 1H, J=7.5Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 153.4, 152.6, 136.2, 135.4, 132.9, 132.3, 130.1, 1
29.5, 128.3, 127.1, 120.2, 116.2, 115.2 IR (cm^-1, KBr) 3420, 1616, 1597, 1582, 1561, 1484, 1438, 1372, 12
71, 1250, 1233, 1211,1174, 1147, 1050, 1027, 964,
934, 879, 855, 795, 759, 739, 699, 572, 517, 499,
472, 454 MS (FAB, NBA) m/z = 232 (M⁺ +1) 図１に ¹Ｈ−ＮＭＲ、図２に¹³Ｃ−ＮＭＲのスペクトル
チャートを示した。

【０１０９】［１−１−２］４−ヒドロキシフェナント
リジン（式13）の合成 液体アンモニア150ml に金属カリウム4.3gと硝酸鉄９水
和物１mgを加えた後に、Ｎ−（２−クロロベンジリデ
ン）−2'−ヒドロキシアニリン（式12）3.85g を加え
て、−３５℃で１時間反応を行った。反応終了後、アン
モニアを除去し、その残渣をカラムクロマトにて精製し
た後に、酢酸エチルより再結晶を行い、４−ヒドロキシ
フェナントリジン（式13）の淡黄色結晶1.02ｇを得た
（収率31.5％）。 ｛分析値｝ m.p. = 191.0 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.84(br, 1H), 9.32(s, 1H), 8.75(d, 1H, J=8.3Hz),
8.24(d, 1H, J=8.0Hz),8.18(d, 1H, J=8.0Hz), 7.93(t,
1H, J=7.7Hz), 7.79(t, 1H, J=7.6Hz), 7.56(t,1H, J=
8.0Hz), 7.16(d, 1H, J=8.0Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 154.0, 150.9, 133.5, 131.9, 131.4, 128.9, 128.1, 1
27.8, 126.2, 124.5, 122.6, 112.7, 112.3 IR (cm^-1, KBr) 3313, 1615, 1581, 1526, 1492, 1470, 1442, 1410, 13
49, 1318, 1295, 1260,1213, 1170, 1061, 893, 770, 7
52, 730, 658, 553 MS (FAB, NBA) m/z = 196 (M⁺ +1) 図３に ¹Ｈ−ＮＭＲ、図４に¹³Ｃ−ＮＭＲのスペクトル
チャートを示した。

【０１１０】［１−１−３］例示化合物 3-1に記載のイ
ンドアニリン（式22）の合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）390mg と２−
アミノ−５−ジエチルアミノトルエン塩酸塩（式21）43
0mg とエタノール１５mlの混合物を２０℃で撹拌し、硝
酸銀1.02g を水4.5ml に溶解した溶液を滴下した。次
に、２５％アンモニア水溶液1.7ml を添加し、２０℃で
２４時間反応を行った。反応終了後、反応液を水に投入
して、酢酸エチルで抽出を行った後に、抽出液を濃縮し
た。カラムクロマトにて精製した後に、ヘキサン−酢酸
エチルより再結晶を行い、インドアニリン化合物（式2
2）の濃青色結晶259mg を得た（収率35.1％）。 ｛分析値｝ m.p. = 182.5 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 10.07(d, 1H, J=8.7Hz), 9.43(s, 1H), 8.06(d, 1H, J=
6.1Hz), 7.86(t, 1H, J=7.8Hz), 7.75(t, 1H, J=7.2H
z), 7.55(d, 1H, J=10.2Hz), 6.83(d, 1H, J=10.4Hz),
6.74(br, 1H), 6.69(d, 1H, J=8.6Hz), 6.59(br, 1H),
3.44(quartet, 4H,J=7.0Hz), 2.48(s, 3H),1.24(t, 6H,
J=7.0Hz) IR (cm^-1, KBr) 3423, 2964, 2923, 1654, 1597, 1525, 1500, 1458, 13
94, 1372, 1353, 1297,1263, 1237, 1198, 1159, 1146,
1111, 1086, 1030, 997, 922, 841, 812, 753,669, 61
7 MS(FAB, NBA) m/z = 370 (M⁺ +1) 図５に ¹Ｈ−ＮＭＲのスペクトルチャートを示した。可
視−近赤外部吸収スペクトル（エタノール溶液）は、最
大吸収波長＝664nm(モル吸光係数＝22,000) であった。

【０１１１】［１−１−４］表中の例示化合物 1-1に記
載のインドアニリン金属錯体（式22）の合成 インドアニリン化合物（式22）100.6 mgのエタノール10
ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）210 mgの水溶液
５mlを加えて、２０℃で２時間反応を行った。反応終了
後、析出した結晶を濾取して、少量の水とエタノールで
洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、インドアニリン
金属錯体（式24）の黒色結晶136.4mg を得た（収率100
％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 3425, 1621, 1588, 1572, 1519, 1483, 1449, 1440, 14
08, 1382, 1327, 1279,1242, 1193, 1172, 1146, 1089,
1011, 989, 922, 874, 849, 829, 805, 758,739, 674,
645, 612, 507, 455 図６にＩＲのスペクトルチャートを示した。可視−近赤
外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最大吸収波長
＝795nm(モル吸光係数＝163,000)であった。

【０１１２】［製造例１−２］ 〔例示化合物 1-2に記載のインドアニリン金属錯体の製
造〕 ［１−２−１］例示化合物 3-2に記載のインドアニリン
の合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）207mg とＮ,
Ｎ−ジエチル−ｐ−フェニレンジアミン 237mgとエタノ
ール6.8 mlの混合物を２０℃で撹拌し、硝酸銀170mg を
水 0.75ml に溶解した溶液を滴下した。次に、２５％ア
ンモニア水溶液0.85mlを添加し、２０℃で1.5 時間反応
を行った。更に、硝酸銀340mg を水1.5mlに溶解した溶
液を滴下し、２０℃で３時間反応を行った。反応終了
後、反応液を水に投入して、クロロホルムにて抽出を行
った後に、抽出液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマ
トにて精製し、例示化合物 3-2に記載のインドアニリン
（式25) を129mg を得た（収率36.2％）。 ｛分析値｝ m.p. = 176.7-178.2(℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.98(d, 1H, J=8.6Hz), 9.43(s, 1H), 8.06(d, 1H, J=
8.0Hz), 7.87(ddd, 1H,J=8.6, 7.9, 1.2Hz), 7.76(dd,
1H, J=8.0, 7.9Hz), 7.59(d, 1H, J=10.2Hz),7.10(d, 2
H, J=8.8Hz), 6.84(d, 1H, J=10.2Hz), 6.82(d, 2H, J=
8.8Hz), 3.46 (quartet, 2H, J=6.9Hz), 1.26(t, 3H, J
=6.9Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 184.9, 155.4, 142.7, 133.0, 132.4, 131.4, 130.7, 1
29.5, 129.1, 128.5, 127.6,126.7, 125.3, 123.0, 11
9.4, 112.0, 45.1, 12.6 IR (cm-1, KBr) 2967, 1651, 1590, 1508, 1397, 1349, 1299, 1269, 10
87, 997, 851, 818, 795, 760 MS(FAB, NBA) m/z = 356 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝615.4nm(モル吸光係数＝16,500) であっ
た。

【０１１３】［１−２−２］例示化合物 1-2に記載のイ
ンドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-2に記載のインドアニリン (式25) 35.5mg
のエタノール３ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）
93.4mgの水溶液1.87mlを加えて、２０℃で５時間反応を
行った。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の
水とエタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行
い、例示化合物 1-2に記載のインドアニリン金属錯体の
濃緑色結晶44.0mgを得た（収率90.3％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 1573, 1425, 1382, 1330, 1277, 1245, 1136, 1072, 10
14, 823, 738, 618 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝791nm(モル吸光係数＝98,700）であった。

【０１１４】［製造例１−３］ 〔例示化合物 1-7に記載のインドアニリン金属錯体の製
造〕 ［１−３−１］例示化合物 3-7に記載のインドアニリン
の合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）228mg とＮ,
Ｎ−ジ−sec −ブチル−ｐ−フェニレンジアミン 224mg
とエタノール7.5ml の混合物を２０℃で撹拌し、硝酸銀
187mｇを水 0.82ml に溶解した溶液を滴下した。次に、
２５％アンモニア水溶液0.94mlを添加し、２０℃で２時
間反応を行った。更に、硝酸銀375.5mｇを水1.65mlに溶
解した溶液を滴下し、２０℃で１２時間反応を行った。
反応終了後、反応液を水に投入して、クロロホルムにて
抽出を行った後に、抽出液を濃縮した。シリカゲルカラ
ムクロマトにて精製し、例示化合物 3-7に記載のインド
アニリンを133mg を得た（収率34.1％）。 ｛分析値｝ m.p. =86.8-87.5(℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.96(d, 1H, J=8.7Hz), 9.44(s, 1H), 8.07(d, 1H, J=
9.4Hz), 7.87(ddd, 1H, J=8.7, 6.7, 1.0Hz), 7.76(dd,
1H, J=9.4, 6.7Hz), 7.58(d, 1H, J=10.4Hz),7.02(d,
2H, J=8.6Hz), 6.83(d, 1H, J=10.4Hz), 6.72(d, 2H, J
=8.6Hz), 3.56-3.44(m, 1H), 1.70-1.29(m, 2H), 1.25
(d, 3H, J=6.3Hz), 1.00(t, 3H, J=7.4Hz)¹³C-NMR (pp
m, ref.-TMS, CDCl₃) 184.8, 155.5, 154.8, 147.3, 142.6, 139.8, 132.9, 1
32.5, 131.3, 130.7, 130.4, 129.5, 129.1, 128.5, 12
6.7, 125.0, 113.5, 50.3, 29.6, 20.2, 10.4IR (cm^-1,
KBr) 3368, 2979, 1637, 1605, 1590, 1477, 1422, 1339, 12
69, 1163, 1139, 1090,996, 833, 814, 756 MS (FAB, NBA) m/z = 356 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝599nm(モル吸光係数＝11,220) であった。

【０１１５】［１−３−２］例示化合物 1-7に記載のイ
ンドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-7に記載のインドアニリン 30.0mg のエタ
ノール３ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）78.4mg
の水溶液1.87mlを加えて、２０℃で２時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 1-7に記載のインドアニリン金属錯体の黒色結
晶12.6mgを得た（収率30.7％）。 ｛分析値｝ m.p.＝300(℃) 以上 IR (cm^-1, KBr) 3228, 3069, 1589, 1573, 1515, 1449, 1384, 1330, 12
27, 1246, 1169, 1139,1104, 1016, 823, 740, 670, 61
8, 513, 456 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝774nm(モル吸光係数＝104,000)であった。

【０１１６】［製造例１−４］ 〔例示化合物 1-10 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−４−１］Ｎ−アセチル−Ｎ’, Ｎ’−ジ（２−エ
チルヘキシル）−ｐ−フェニレンジアミンの合成 ｐ−アミノアセトアニリド 1.00gと２−エチルヘキシル
ブロマイド 16.72g と炭酸ナトリウム 4.59gとメチルセ
ルソルブ20mlの混合液を113 ℃で２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を水に投入し、酢酸エチルで生成物
を抽出した。酢酸エチルを留去した残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトで精製し、Ｎ−アセチル−Ｎ’, Ｎ’−ジ
（２−エチルヘキシル）−ｐ−フェニレンジアミンのオ
イル1.17ｇを得た（収率48.9％）。 ｛分析値｝¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 7.25(d, 2H, J=8.8Hz), 7.07(s, 1H), 6.60(d, 2H, J=
9.0Hz), 3.21-3.12(m, 4H), 2.12(s, 3H), 1.76(br, 2
H), 1.40-1.20(m, 16H), 0.88(t, 6H, J=6.4Hz), 0.86
(t, 6H, J=7.2Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 168.1, 145.9, 126.1, 122.2, 113.1, 56.6, 36.7, 30.
7, 28.7, 24.2, 23.9,23.2, 14.1, 10.7 IR (cm^-1, KBr) 3289, 2959, 2928, 2858, 1657, 1601, 1538, 1516, 14
61, 1417, 1369, 1322,1269, 1227, 1186, 813, 516 MS (FAB, NBA) m/z = 375 (M⁺ +1)

【０１１７】［１−４−２］Ｎ, Ｎ−ジ（２−エチルヘ
キシル）−ｐ−フェニレンジアミンの合成 ３０％水酸化ナトリウム水溶液８mlとＮ−アセチル−
N', N'−ジ（２−エチルヘキシル）−ｐ−フェニレンジ
アミン 1.012g とエタノール10mlの混合溶液を７５℃で
５時間反応させた。反応終了後、反応液を水に投入し、
酢酸エチルで生成物を抽出した。酢酸エチルを留去した
残渣をシリカゲルカラムクロマトで精製し、Ｎ, Ｎ−ジ
（２−エチルヘキシル）−ｐ−フェニレンジアミンのオ
イル501mｇを得た（収率53.4％）。 ｛分析値｝¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 6.62(s, 4H), 3.55(br, 4H), 1.63(br, 2H), 1.45-1.20
(m, 16H), 0.88(t, 6H,J=6.4Hz), 0.84(t, 6H, J=7.4H
z)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 143.2, 137.0, 116.9, 116.7, 57.8, 36.9, 30.8, 28.
8, 24.0, 23.2, 14.1,10.7 IR (cm^-1, KBr) 3446, 3355, 2958, 2928, 2871, 2858, 1681, 1599, 15
57, 1513, 1459, 1376,1363, 1310, 1268, 1227, 1179,
1155, 1114, 1041, 938, 818, 766, 727, 667,512 MS (FAB, NBA) m/z = 333 (M⁺ +1)

【０１１８】［１−４−３］例示化合物 3-10 に記載の
インドアニリンの合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）267mg とN, N
−ジ（２−エチルヘキシル）−ｐ−フェニレンジアミン
430mgとエタノール８mlの混合溶液を20℃で撹拌し、硝
酸銀219mｇを水0.9ml に溶解した溶液を滴下した。30分
後、25％アンモニア水溶液1.1ml を添加し、更に硝酸銀
438mｇを水1.7ml に溶解した溶液を滴下し、20℃で1.5
時間反応を行った。反応終了後、反応液を水に投入し
て、クロロホルムにて抽出を行った後に、抽出液を濃縮
した。シリカゲルカラムクロマトにて精製し、例示化合
物 3-10 に記載のインドアニリンを141mg を得た（収率
20.8％）。 ｛分析値｝ m.p. = 87.6-88.0(℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 10.02(dd, 1H, J=8.8, 1.0Hz), 9.41(d, 1H, J=0.6Hz),
8.05(dd, 1H, J=8.0,0.9Hz),7.86(ddd, 1H, J=8.8, 7.
2, 1.6Hz), 7.75(ddd, 1H, J=8.0, 7.2, 1.0Hz), 7.65
(d, 1H, J=10.3Hz), 7.10(d, 2H, J=9.0Hz), 6.85(d, 1
H, J=10.3Hz),6.78(d, 2H, J=9.0Hz), 3.36-3.29(m, 4
H), 1.88-1.83(m, 2H), 1.45-1.23(m, 16H), 0.98-0.90
(m, 12H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 185.0, 155.2, 153.8, 148.1, 142.6, 138.3, 133.0, 1
32.3, 131.5, 130.3, 129.6, 129.0, 128.4, 126.7, 12
5.5, 112.8, 56.5, 37.1, 30.7, 28.7, 24.0, 23.2, 1
4.1, 10.7 IR (cm^-1, KBr) 2957, 2926, 2870, 1643, 1590, 1507, 1364, 1295, 12
32, 1180, 1139, 1084,815 MS (FAB, NBA) m/z = 525 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝622.6nm(モル吸光係数＝16,760）であっ
た。

【０１１９】［１−４−４］例示化合物 1-10 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-10 に記載のインドアニリン50.0mgのエタ
ノール4.3 ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）89.1
mgの水溶液1.9ml を加えて、20℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 1-15 に記載のインドアニリン金属錯体の緑色
結晶57.0mgを得た（収率91.2％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 2956, 2927, 1575, 1392, 1350, 1134, 1095, 1016, 82
6, 736, 622 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝809.4nm(モル吸光係数＝151,500)であっ
た。

【０１２０】［製造例１−５］ 〔例示化合物 1-11 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−５−１］Ｎ−アセチル−Ｎ’, Ｎ’−ジヘキサデ
シル−ｐ−フェニレンジアミンの合成 ｐ−アミノアセトアニリド 1.00gとヘキサデシルブロマ
イド 20.34g と炭酸ナトリウム 3.53gとメチルセルソル
ブ20mlの混合液を113 ℃で９時間反応させた。反応終了
後、反応液を水に投入し、酢酸エチルで生成物を抽出し
た。酢酸エチルを留去した残渣をシリカゲルカラムクロ
マトで精製し、ジクロロメタンより再結晶を行い、Ｎ−
アセチル−Ｎ’, Ｎ’−ジヘキサデシル−ｐ−フェニレ
ンジアミンの結晶3.95ｇを得た（収率99.0％）。 ｛分析値｝ m.p. = 56.3-57.3 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 7.25(d, 2H, J=8.7Hz), 7.05(s, 1H), 6.57(d, 2H, J=
8.9Hz), 3.21(t, 4H, J=7.6Hz), 2.12(s, 3H), 1.54(b
r, 4H), 1.26(br, 52H), 0.88(t, 6H, J=6.6Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 168.1, 145.7, 126.1, 122.6, 112.0, 51.3, 31.9, 29.
7, 29.4, 27.2, 24.2, 22.7, 14.1 IR (cm^-1, KBr) 3278, 2920, 2851, 1654, 1555, 1541, 1514, 1468, 13
68, 1318 MS (FAB, NBA) m/z = 599 (M⁺ +1)

【０１２１】［１−５−２］Ｎ, Ｎ−ジヘキサデシル−
ｐ−フェニレンジアミンの合成 ３０％水酸化ナトリウム水溶液５mlとＮ−アセチル−
N', N'−ジヘキサデシル−ｐ−フェニレンジアミン 3.2
57g とエタノール10mlの混合溶液を75℃で９時間反応さ
せた。反応終了後、反応液を水に投入し、酢酸エチルで
生成物を抽出した。酢酸エチルを留去した残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトで精製し、ジクロロメタンより再結
晶を行い、N, N−ジヘキサデシル−ｐ−フェニレンジア
ミンの結晶2.138gを得た（収率70.6％）。 ｛分析値｝ m.p. = 43.0-44.0 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 6.64(d, 2H, J=8.9Hz), 6.58(d, 2H, J=9.0Hz), 3.11
(t, 4H, J=7.5Hz), 1.49(br, 4H), 1.26(br, 52H), 0.8
8(t, 6H, J=6.7Hz),¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 142.5, 136.8, 116.9, 115.5, 52.3, 32.0, 29.7, 29.
4, 27.3, 22.7, 14.1IR (cm^-1, KBr) 3433, 3207, 2919, 2851, 1637, 1612, 1512, 1467, 13
63, 1275, 1089, 830,722 MS (FAB, NBA) m/z = 557 (M⁺ +1)

【０１２２】［１−５−３］例示化合物 3-11 に記載の
インドアニリンの合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）207mg とN, N
−ジヘキサデシル−ｐ−フェニレンジアミン 557mgとエ
タノール6.8ml の混合溶液を20℃で撹拌し、硝酸銀170m
g を水0.8ml に溶解した溶液を滴下した。45分後、25％
アンモニア水溶液0.9ml を添加し、更に硝酸銀340mg を
水1.5ml に溶解した溶液を滴下し、20℃で８時間反応を
行った。反応終了後、反応液を水に投入して、クロロホ
ルムにて抽出を行った後に、抽出液を濃縮した。シリカ
ゲルカラムクロマトにて精製し、例示化合物 3-11 に記
載のインドアニリンを99.3mgを得た（収率13.3％）。 ｛分析値｝ m.p. = 66.3 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 10.02(d, 1H, J=8.7Hz), 9.43(s, 1H), 8.07(d, 1H, J=
8.0Hz), 7.87(dd, 1H, J=7.3, 7.3Hz), 7.76(dd, 1H, J
=7.7, 7.0Hz), 7.63(d, 1H, J=10.4Hz), 7.10(d,2H, J=
8.9Hz),6.84(d, 1H, J=10.4Hz), 6.74(d, 2H, J=8.9H
z), 3.35(t, 4H, J=7.3Hz), 1.65(m, 4H), 1.36-1.26
(m, 52H), 0.88(t, 6H, J=6.2Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 185.0, 155.3, 153.9, 148.0, 142.6, 138.3, 134.2, 1
33.0, 132.4, 131.5, 130.4, 129.6, 129.0, 128.5, 12
6.8, 125.7, 118.9, 51.3, 32.0, 29.73, 29.71,29.66,
29.57, 29.50, 29.46, 29.39, 27.43, 27.2, 22.7, 1
4.1 IR (cm^-1, KBr) 2919, 2850, 1650, 1591, 1508, 1465, 1398, 1372, 13
05, 1093, 819 MS (FAB, NBA) m/z = 749 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝623.4nm(モル吸光係数＝17,200) であっ
た。

【０１２３】［１−５−４］例示化合物 1-11 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-11 に記載のインドアニリン65.1mgのエタ
ノール７ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）80.6mg
の水溶液1.5ml を加えて、２０℃で１２時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 1-11 に記載のインドアニリン金属錯体の緑色
結晶57.5mgを得た（収率37.6％）。 ｛分析値｝ m.p. = 213-215 (℃) IR (cm^-1, KBr) 2920, 2850, 1574, 1383, 1338, 1134, 1104, 1016, 82
5, 741, 617 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝789.8nm(モル吸光係数＝87,940) であっ
た。

【０１２４】［製造例１−６］ 〔例示化合物 1-15 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−６−１］Ｎ−アセチル−Ｎ’, Ｎ’−ジ(2-(2-メ
トキシ）エトキシ）エチル−ｐ−フェニレンジアミンの
合成 ｐ−アミノアセトアニリド 1.00gと２−クロロ−2'−メ
トキシジエチルエーテル 10.00g と炭酸ナトリウム 5.0
0gの混合液を150 ℃で12時間反応させた。反応終了後、
反応液を水洗し、カラムクロマトにて精製し、Ｎ−アセ
チル−N', N'−ジ(2-(2-メトキシ）エトキシ）エチル−
ｐ−フェニレンジアミンのオイル1.90ｇを得た（収率8
0.3％）。 ｛分析値｝¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 7.44(s, 1H), 7.27(d, 2H, J=9.0Hz), 6.64(d, 2H, J=
8.9Hz), 3.65-3.50(m, 16H), 2.11(s, 3H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 168.3, 145.0, 127.1, 122.4, 111.9, 71.9, 70.5, 68.
4, 59.0, 51.0, 24.1 IR (cm^-1, KBr) 3479, 3301, 3182, 3114, 3064, 2878, 1655, 1600, 15
19, 1455, 1418, 1369,1324, 1268, 1228, 1195, 1112,
1023, 928, 846, 817, 666, 603, 522 MS (FAB, NBA) m/z = 355 (M⁺ +1)

【０１２５】［１−６−２］Ｎ, Ｎ−ジ(2-(2-メトキ
シ）エトキシ）エチル−ｐ−フェニレンジアミンの合成 30％水酸化ナトリウム水溶液 25ml とＮ−アセチル−
N', N'−ジ(2-(2-メトキシ）エトキシ）エチル−ｐ−フ
ェニレンジアミン 1.795g とエタノール20mlの混合溶液
を75℃で10時間反応させた。反応終了後、反応液を水に
投入し、酢酸エチルで生成物を抽出した。酢酸エチルを
留去した残渣をシリカゲルカラムクロマトで精製し、N,
N−ジ(2-(2-メトキシ）エトキシ）エチル−ｐ−フェニ
レンジアミンのオイル 1.281ｇを得た（収率81.0％）。 ｛分析値｝¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 6.62(s, 4H), 3.67-3.28(m, 24H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 141.1, 137.2, 116.6, 114.5, 71.7, 70.2, 68.5, 58.
8, 51.6 IR (cm^-1, KBr) 3427, 3350, 2876, 1650, 1635, 1558, 1517, 1472, 14
56, 1360, 1274, 1197,1108, 1027, 976, 814, 667, 51
7 MS (FAB, NBA) m/z = 313 (M⁺ +1)

【０１２６】［１−６−３］例示化合物 3-15 に記載の
インドアニリンの合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）145mg とＮ,
Ｎ−ジ(2-(2-メトキシ）エトキシ）エチル−ｐ−フェニ
レンジアミン 219mgとエタノール4.3ml の混合溶液を20
℃で撹拌し、硝酸銀119mg を水0.5ml に溶解した溶液を
滴下した。30分後、25％アンモニア水溶液0.6ml を添加
し、更に硝酸銀238mg を水 1.0mlに溶解した溶液を滴下
し、20℃で1.5 時間反応を行った。反応終了後、反応液
を水に投入して、クロロホルムにて抽出を行った後に、
抽出液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトにて精製
し、例示化合物 3-15 に記載のインドアニリンを194mg
を得た（収率54.9％）。 ｛分析値｝¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.98(d, 1H, J=8.7Hz), 9.43(s, 1H), 8.07(d, 1H, J=
8.0Hz), 7.88(dd, 1H, J=8.7, 7.6Hz), 7.78(dd, 1H, J
=7.6, 7.0Hz), 7.59(d, 1H, J=10.3Hz), 7.06(d,2H, J=
8,7Hz), 6.84(d, 2H, J=8.7Hz), 6.835(d, 1H, J=8.7H
z), 3.70(m, 8H),3.65(m, 4H), 3.56(m, 4H), 3.40(s,
6H),¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 185.0, 155.4, 154.7, 147.5, 142.6, 139.0, 132.9, 1
32.5, 131.4, 130.7, 130.3, 129.4, 129.1, 128.5, 12
6.7, 125.0, 112.1, 72.0, 70.7, 68.5, 59.1, 51.2 IR (cm^-1, KBr) 2878, 1651, 1591, 1508, 1393, 1353, 1240, 1138, 99
7, 817, MS (FAB, NBA) m/z = 504 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝605.6nm(モル吸光係数＝11,700) であっ
た。

【０１２７】［１−６−４］例示化合物 1-15 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-15 に記載のインドアニリン79.3mgのエタ
ノール６ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）147.0m
g の水溶液２mlを加えて、20℃で12時間反応を行った。
反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水とエタ
ノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例示化
合物 1-15 に記載のインドアニリン金属錯体の茶色結晶
39.8mgを得た（収率20.0％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 1574, 1537, 1377, 1332, 1122, 1096, 1013, 824, 73
6, 622 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝798.2nm(モル吸光係数＝110,200)であっ
た。

【０１２８】［製造例１−７］ 〔例示化合物 1-25 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−７−１］例示化合物 3-25 に記載のインドアニリ
ンの合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）207mg とｐ−
アミノジフェニルアミン塩酸塩 221mgとエタノール6.8m
l の混合溶液を２０℃で撹拌し、硝酸銀170mgを水0.8ml
に溶解した溶液を滴下した。３０分後、２５％アンモ
ニア水溶液0.9ml を添加し、更に硝酸銀340mｇを水1.5m
l に溶解した溶液を滴下し、２０℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を水に投入して、クロロホルム
にて抽出を行った後に、抽出液を濃縮した。シリカゲル
カラムクロマトにて精製し、例示化合物 3-25 に記載の
インドアニリンを129mg を得た（収率34.4％）。 ｛分析値｝ m.p. = 198.2-199.7 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.92(d, 1H, J=8.6Hz), 9.46(s, 1H), 8.08(d, 1H, J=
7.7Hz), 7.91(dd, 1H, J=8.6, 7.0Hz), 7.79(dd, 1H, J
=7.7, 7.0Hz), 7.54(d, 1H, J=10.3Hz), 7.35-7.30(m,
2H), 7.27(s, 1H), 7.21-7.04(m, 4H), 7.09-6.95(m, 3
H), 6.85(d, 1H, J=10.3Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 184.9, 156.6, 155.9, 142.7, 142.4, 142.4, 142.1, 1
32.8, 132.8, 131.6, 131.3,130.4, 129.5, 129.3, 12
9.2, 128.6, 126.4, 123.4, 121.9, 118.6, 117.5IR (c
m^-1, KBr) 3281, 1642, 1578, 1510, 1492, 1458, 1412, 1309, 12
34, 1162, 1137, 1091,995,841, 818, 805, 747, 693 MS (FAB, NBA) m/z = 376 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝576nm(モル吸光係数＝10,160) であった。

【０１２９】［１−７−２］例示化合物 1-25 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-25 に記載のインドアニリン37.5mgのエタ
ノール３ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）93.4mg
の水溶液２mlを加えて、20℃で12時間反応を行った。反
応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水とエタノ
ールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例示化合
物 1-25 に記載のインドアニリン金属錯体の黒色結晶4
5.3mgを得た（収率89.3％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 1574, 1389, 1319, 1124, 1099, 1014, 824, 740 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝784nm(モル吸光係数＝62,700) であった。

【０１３０】［製造例１−８］ 〔例示化合物 1-53 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−８−１］ラウリン酸−５−クロロ−２−ニトロア
ニリドの合成 ５−クロロ−２−ニトロアニリン 3.45gとN, N−ジメチ
ルアミノピリジン1.29g とピリジン 1.58gとベンゼン 2
0ml の混合溶液に、ｎ−ラウロイルクロライド7.65gの
ベンゼン溶液 20ml を氷冷下で滴下し、室温で 8.5時間
反応を行った。反応終了後、反応液を 0.1Ｎ塩酸で洗浄
し、溶媒を留去した。析出した結晶をヘキサン−酢酸エ
チルより再結晶を行い、ラウリン酸−５−クロロ−２−
ニトロアニリドの結晶 4.75gを得た（収率67.0％）。 ｛分析値｝ m.p. = 66.2(℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 10.46(s, 1H), 8.94(d, 1H, J=2.5Hz), 8.17(d, 1H, J=
9.4Hz), 7.13(dd, 1H, J=9.4, 2.5Hz), 2.50(t, 2H, J=
7.5Hz), 1.75(m, 2H), 1.43-1.26(m, 16H), 0.88(t, 3
H, J=6.3Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 172.4, 142.8, 136.0, 134.2, 126.9, 123.3, 121.7, 3
8.7, 31.9, 29.6, 29.4,29.32, 29.30, 29.1, 25.2, 2
2.7, 14.1 IR (cm^-1, KBr) 3332, 2917, 2850, 1683, 1609, 1578, 1502, 1330, 12
58, 1170, 919, 848 MS (FAB, NBA) m/z = 355 (M⁺ +1)

【０１３１】［１−８−２］ラウリン酸−５−ジブチル
アミノ−２−ニトロアニリドの合成 ラウリン酸−５−クロロ−２−ニトロアニリド 2.13gと
ジブチルアミン 1.29gと炭酸カリウム 0.33gと銅粉 0.2
4gとヨウ素 3.6mgの混合液を反応温度 155℃で６時間反
応させた。反応液から無機物を濾別した後に、濾液をシ
リカゲルカラムクロマトにて精製を行い、ラウリン酸−
５−ジブチルアミノ−２−ニトロアニリドの黄色結晶
1.47gを得た（収率54.5％）。 ｛分析値｝ m.p. = 90.3(℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 11.18(s, 1H), 8.19(d, 1H, J=2.7Hz), 8.12(d, 1H, J=
9.7Hz), 6.31(dd, 1H, J=9.7, 2.7Hz), 3.39(t, 4H, J=
7.7Hz), 2.47(t, 2H, J=7.5Hz), 1.78-1.71(m, 2H), 1.
68-1.58(m, 4H), 1.46-1.26(m, 20H), 0.98(t, 6H, J=
7.3Hz), 0.88(t, 3H, J=6.0Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 172.9, 153.9, 138.3, 128.8, 124.5, 106.2, 100.6, 5
1.2, 39.2, 31.9, 29.6,29.44, 29.36, 29.31, 29.1, 2
5.5, 22.7, 20.2, 14.1, 13.9 IR (cm^-1, KBr) 2918, 2850, 1610, 1569, 1275, 1219, 1178, 1091, 85
0, 741 MS (FAB, NBA) m/z = 448 (M⁺ +1)

【０１３２】［１−８−３］ラウリン酸−５−ジブチル
アミノ−２−アミノアニリドの合成 ラウリン酸−５−ジブチルアミノ−２−ニトロアニリド
330mgのエタノール溶液100ml に５％パラジウムカーボ
ン 30mg を加え、水素添加反応を４０℃で７時間行っ
た。反応終了後、５％パラジウムカーボンを濾過し、エ
タノールを留去した。析出した結晶をヘキサン−酢酸エ
チルより再結晶を行い、ラウリン酸−５−ジブチルアミ
ノ−２−アミノアニリドの結晶 215mgを得た（収率69.8
％）。 ｛分析値｝ m.p. = 69.9-71.6 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 7.57(br, 1H), 6.94(br, 1H), 6.71(br, 1H), 6.41(br,
1H), 3.15(br, 4H),2.35(t, 2H, J=7.4Hz), 1.72(m, 2
H), 1.50(m, 4H), 1.48-1.26(m, 20H), 0.95-0.86(m, 9
H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 171.6, 143.9, 128.2, 127.8, 121.1, 111.3, 108.6, 5
1.6, 37.5, 31.9, 29.7,29.6, 29.5, 29.4, 29.3, 25.
9, 22.7, 20.4, 14.1, 14.0 IR (cm^-1, KBr) 3288, 2915, 2850, 1650, 1516, 1468, 1424, 1370, 79
8, 718 MS (FAB, NBA) m/z = 417 (M⁺ +1)

【０１３３】［１−８−４］例示化合物 3-53 に記載の
インドアニリンの合成 ４−ヒドロキシフェナントリジン（式13）310.7 mgとラ
ウリン酸−５−ジブチルアミノ−２−アミノアニリド 6
26.5mgとエタノール10mlの混合溶液を20℃で撹拌し、硝
酸銀255.0mｇを水1.0 mlに溶解した溶液を滴下した。30
分後、25％アンモニア水溶液1.28mlを添加し、更に硝酸
銀510.0mｇを水2.0 mlに溶解した溶液を滴下し、20℃で
1.5 時間反応を行った。反応終了後、反応液を水に投入
して、クロロホルムにて抽出を行った後に、抽出液を濃
縮した。シリカゲルカラムクロマトにて精製し、例示化
合物 3-53 に記載のインドアニリンを55.2mgを得た（収
率6.04％）。 ｛分析値｝ m.p. = 67.7-69.8 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.66(d, 1H, J=8.3Hz), 9.37(s, 1H), 8.72(s, 1H), 8.
19(d, 1H, J=2.0Hz),8.07(d, 1H, J=7.9Hz), 7.81-7.76
(m, 2H), 7.72(d, 1H, J=10.3Hz), 7.00(d, 1H, J=9.0H
z),6.86(dd, 1H, J=10.3, 0.8Hz), 6.46(dd, 1H, J=9.
0, 2.0Hz), 3.43(t, 4H, J=7.3Hz), 2.35(t, 2H, J=7.5
Hz), 1.71-1.64(m, 6H), 1.47-1.40(m,4H), 1.28-1.19
(m, 16H),1.01(t, 6H, J=7.2Hz), 0.87(t, 3H, J=5.8H
z)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 183.9, 171.6, 154.7, 150.7, 150.5, 142.3, 138.0, 1
33.0, 131.9, 131.3, 130.3,130.1, 128.8, 127.4, 12
6.3, 123.5, 107.1, 102.3, 51.2, 38.5, 31.8, 29.7,
29.5, 29.4,29.30, 29.25, 29.20, 29.19, 25.6, 22.6,
20.3, 14.1, 13.9IR (cm^-1, KBr) 3356, 2922, 2852, 1608, 1588, 1462, 1361, 1227, 10
89, 1000, 803,747 MS (FAB, NBA) m/z = 610 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝659.2nm(モル吸光係数＝26,700）であっ
た。

【０１３４】［１−８−５］例示化合物 1-53 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-53 に記載のインドアニリン32.2mgのエタ
ノール４ml溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）49.4mg
の水溶液１mlを加えて、20℃で15時間反応を行った。反
応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水とエタノ
ールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例示化合
物 1-53 に記載のインドアニリン金属錯体の濃緑色結晶
34.9mgを得た（収率89.3％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 2923, 2852, 1575, 1503, 1451, 1332, 1143, 1086, 81
4, 617 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝779nm(モル吸光係数＝78,600）であった。

【０１３５】［製造例１−９］ 〔例示化合物 1-57 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕例示化合物 3-10 に記載のインドアニリン30.0mg
のエタノール５ml溶液に、過塩素酸ニッケル６水和物 5
2.4 mgの水溶液５mlを加えて、20℃で12時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 1-57 に記載のインドアニリン金属錯体の緑色
結晶19.0mgを得た（収率50.8％）。 ｛分析値｝ m.p. = 194-197 (℃) IR (cm^-1, KBr) 3956, 2928, 2978, 1578, 1541, 1457, 1424, 1392, 13
51, 1169, 1130, 1098,1012, 825, 740, 443 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝798.8nm(モル吸光係数＝100,800)であっ
た。

【０１３６】［製造例１−１０］ 〔例示化合物 1-58 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕例示化合物 3-10 に記載のインドアニリン30.0mg
のエタノール５ml溶液に、過塩素酸鉄水和物 75.0mg の
水溶液５mlを加えて、20℃で12時間反応を行った。反応
終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水とエタノー
ルで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例示化合物
1-58 に記載のインドアニリン金属錯体の濃緑色結晶2
5.3mgを得た（収率67.8％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 2956, 2928, 2870, 1573, 1518, 1423, 1391, 1326, 12
79, 1243, 1139, 1095,1014, 821, 613, 487, 447 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝811.2nm(モル吸光係数＝67,000) であっ
た。

【０１３７】［製造例１−１１］ 〔例示化合物 1-131に記載のインドアニリン金属錯体の
製造〕 ［１−11−１］Ｎ−（２−クロロ−４−フルオロベンジ
リデン）−2'−メトキシアニリンの合成 ｏ−アニシジン 627.0mgと２−クロロ−４−フルオロベ
ンズアルデヒド 807.1m ｇとエタノール50mlの混合溶液
を還流下で24時間反応させた。反応終了後、エタノール
を留去し、Ｎ−(2−クロロ−４−フルオロベンジリデ
ン)-2'−メトキシアニリンの黄色オイル 1.312ｇを得た
（収率97.8％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 3067, 2932, 2829, 1600, 1494, 1462, 1396, 1368, 12
48, 1204, 1180, 1204,1114, 1041, 1028, 909, 859, 8
21, 747, 586, 488, 426 MS (FAB, NBA) m/z = 264 (M⁺ +1)

【０１３８】［１−11−２］４−メトキシ−６−フルオ
ロフェナントリジンの合成 液体アンモニア70mlに金属カリウム1.05ｇと硝酸鉄９水
和物１mgを加えた後に、Ｎ−(2−クロロ−４−フルオロ
ベンジリデン）−2'−メトキシアニリン871.0mg を加え
て、−60℃で１時間反応を行った。反応終了後、アンモ
ニアを除去し、その残渣をシリカゲルカラムクロマトに
て精製した後に、ヘキサン−クロロホルムより再結晶を
行い、４−メトキシ−６−フルオロフェナントリジンの
淡茶色結晶145.8mｇを得た（収率19.4％）。 ｛分析値｝ 145 ℃より昇華¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.23(s, 1H), 8.10(dd, 1H, J=10.5, 2.2Hz), 8.03(dd,
1H, J=8.8, 5.8Hz),7.95(d, 1H, J=8.1Hz), 7.57(t, 1
H, J=8.1Hz), 7.40(td, 1H, J=8.5, 2.3Hz),7.15(d, 1
H, J=8.0Hz), 4.11(s, 3H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 163.9(d, J=249.3Hz), 155.9, 151.1, 135.3, 134.4(d,
J=9.5Hz), 131.3(d, J=9.6Hz), 127.3, 124.6(d, J=4.
1Hz), 123.4, 116.9(d, J=24.2Hz), 114.0, 108.7, 10
7.4(d, J=22.3Hz), 56.0 IR (cm^-1, KBr) 3425, 2934, 1623, 1504, 1469, 1254, 1156, 1118, 10
28, 840, 751 MS (FAB, NBA) m/z = 228 (M⁺ +1)

【０１３９】［１−11−３］４−ヒドロキシ−６−フル
オロフェナントリジンの合成 ４−メトキシ−６−フルオロフェナントリジン 115mgと
48％臭化水素水５mlの混合液を116 ℃で１４時間反応を
行った。反応終了後、反応液を炭酸ナトリウム水溶液に
投入し、酢酸エチルで生成物を抽出した。酢酸エチルを
留去した残渣をカラムクロマトにて精製、及びヘキサン
より再結晶を行い、４−ヒドロキシ−６−フルオロフェ
ナントリジンの結晶104.5mｇを得た（収率96.9％）。 ｛分析値｝ 180 ℃より昇華¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, d₆-DMSO) 9.89(s, 1H), 9.30(s, 1H), 8.57(dd, 1H, J=10.4, 0.9
Hz), 8.34(dd, 1H, J=8.6, 6.1Hz),8.16(d, 1H, J=8.2H
z), 7.67(td, 1H, J=8.6, 1.5Hz), 7.55(t, 1H,J=8.0H
z), 7.18(d, 1H, J=7.6Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, d₆-DMSO) 163.6(d, J=246.8Hz), 154.0, 150.2, 134.3(d, J=9.5H
z), 133.6, 132.2(d, J=9.9Hz), 128.1, 124.1(d, J=3.
8Hz), 123.4, 117.0(d, J=24.2Hz), 113.2, 112.9, 10
7.9(d, J=22.6Hz) IR (cm^-1, KBr) 3328, 1622, 1584, 1526, 1473, 1422, 1411, 1315, 12
88, 1251, 1213, 1165,1129, 1060, 895, 872, 833, 75
5, 705, 633, 547 MS (FAB, NBA) m/z = 214 (M⁺ +1)

【０１４０】［１−11−４］例示化合物 3-131に記載の
インドアニリンの合成 ４−ヒドロキシ−６−フルオロフェナントリジン59mgと
２−アミノ−５−ジエチルアミノトルエン塩酸塩（式2
1）85mgとエタノール４mlの混合物を20℃で撹拌し、硝
酸銀258mｇを水0.8ml に溶解した溶液を滴下した。次
に、25％アンモニア水溶液0.84mlを添加し、20℃で24時
間反応を行った。反応終了後、反応液を水に投入して、
クロロホルムで抽出を行った後に、抽出液を濃縮した。
カラムクロマトにて精製した後に、ヘキサン−酢酸エチ
ルより再結晶を行い、例示化合物 3-131に記載のインド
アニリンの濃青色結晶29mgを得た（収率27.1％）。 ｛分析値｝ m.p. = 177.8-179.9 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.96(dd, 1H, J=13.0, 2.4Hz), 9.40(s, 1H), 8.09(dd,
1H, J=8.9, 6.0Hz),7.59(d, 1H, J=10.4Hz), 7.53(dd
d, 1H, J=9.3, 8.9, 2.4Hz), 6.85(d, 1H, J=10.4Hz),
6.71(d, 1H, J=2.5Hz), 6.69(d, 1H, J=8.8Hz), 6.56(d
d, 1H, J=8.8,2.5Hz),3.45(quartet, 4H, J=7.1Hz), 2.
52(s, 3H), 1.25(t, 6H, J=7.1Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, d₆-DMSO) 184.9, 164.9(d, J=242.0Hz), 154.5, 153.1, 148.1, 1
43.0, 137.9, 136.6, 134.8, 131.9, 131.2, 131.1, 13
0.2, 127.5, 123.5, 119.2(d, J=25.8Hz), 114.3(d, J=
26.4Hz),113.8, 109.0, 44.7, 20.0, 12.8 IR (cm^-1, KBr) 3435, 2966, 2925, 1640, 1592, 1501, 1475, 1393, 13
53, 1262, 1232, 1196,1147, 1113, 1079, 998, 997, 8
45, 799 MS (FAB, NBA) m/z = 388 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝647nm(モル吸光係数＝15,000）であった。

【０１４１】［１−11−５］例示化合物 1-131に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 3-131に記載のインドアニリン25.0mgのエタ
ノール2.5ml 溶液に、過塩素酸銅６水和物（式23）60.2
mgの水溶液1.3ml を加えて、20℃で20時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 1-131に記載のインドアニリン金属錯体の緑色
結晶30.0mgを得た（収率89.6％）。 ｛分析値｝ IR (cm^-1, KBr) 1622, 1590, 1576, 1533, 1449, 1417, 1381, 1327, 12
76, 1246, 1147, 1120,1071, 1014, 985, 856, 822, 80
1, 739, 669, 630, 508, 466 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝790nm(モル吸光係数＝129,000)であった。

【０１４２】

【実施例２】 〔アクリジン骨格を有するインドアニリン金属錯体の合
成〕 ［製造例２−１］ 〔例示化合物 2-1に記載のインドアニリン金属錯体の製
造〕以下の反応スキームに従って合成を行った。

【０１４３】

【化２２】

【０１４４】［２−１−１］２−メトキシジフェニルア
ミン−2'−カルボン酸（式16）の合成 ｏ−アニシジン（式14）7.84g とｏ−クロロ安息香酸
（式15）4.99g と酸化第２銅500mg の混合液を140 ℃で
３時間反応を行った。反応終了後、反応液より無機物を
除き、その残渣をカラムクロマトにて精製、及び再結晶
を行い、２−メトキシジフェニルアミン−２’−カルボ
ン酸（式16）の結晶6.30g を得た（収率81.2％）。 ｛分析値｝ m.p. = 174.0 - 175.0 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref-TMS, d₆-DMSO) 8.28(s, 1H), 6.58(dd, 1H, J=8.0, 1.3Hz), 6.06(d, 1
H, J=7.6Hz),6.04(td, 1H, J=7.7, 1.6Hz), 5.87(d, 1
H, J=8.2Hz), 5.76-5.68(m, 2H), 5.60(td, 1H, J=7.2,
2.0Hz), 5.43(t, 1H, J=7.3Hz), 3.38(s, 3H)¹³ C-NMR (ppm, ref-TMS, d₆-DMSO) 169.8, 150.9, 146.7, 134.0, 131.8, 129.3, 123.4, 1
20.5, 120.2, 117.1, 113.6,112.8, 111.8, 55.6 IR (cm^-1, KBr) 3374, 2946, 1667, 1593, 1573, 1519, 1491, 1469, 14
50, 1432, 1404, 1331,1257, 1212, 1161, 1117, 1026,
909, 743, 671, 647, 569, 486 MS (FAB, NBA) m/z = 242 (M⁺ -1）

【０１４５】［２−１−２］９−クロロ−４−メトキシ
アクリジン（式17）の合成 ２−メトキシジフェニルアミン−2'−カルボン酸（式1
6）3.06g とオキシ塩化リン15ｇの混合液を100 ℃で２
時間反応を行った。反応終了後、反応液を25％アンモニ
ア水10ml、氷25ｇ、クロロホルム10mlの混液に投入し
た。反応生成物をクロロホルムで抽出し、クロロホルム
を留去した残渣をカラムクロマトにて精製、及びヘキサ
ン−クロロホルムより再結晶を行い、９−クロロ−４−
メトキシアクリジン（式17）の結晶2.58g を得た（収率
84.1％）。 ｛分析値｝ m.p. = 125.0 - 125.5（℃)¹ H-NMR (ppm, ref-TMS, d₆-DMSO) 8.37(d, 1H, J=8.6Hz), 7.90(d, 1H, J=8.8Hz), 7.86
(d, 1H, J=8.7Hz), 7.65(br, 2H), 7.61(t, 1H, J=7.8H
z), 7.30(t, 1H, J=7.4Hz), 7.19(t, 1H, J=8.1Hz), 6.
99(d, 1H, J=7.4Hz ), 3.92(s, 3H)¹³ C-NMR (ppm, ref-TMS, d₆-DMSO) 154.9, 149.6, 147.6, 141.6, 129.5, 129.2, 123.1, 1
21.9, 121.3, 114.6, 113.6, 113.2, 107.1, 55.3 IR (cm^-1, KBr) 3436, 1624, 1611, 1521, 1465, 1397, 1347, 1322, 12
76, 1263, 1225, 1157,1095, 1077, 990, 872, 804, 79
4, 755, 733, 597 MS (FAB, NBA) m/z = 225 (M⁺ +1)

【０１４６】［２−１−３］Ｎ₁ −９−（４−メトキ
シ）アクリジニル−Ｎ₂ −ｐ−トルエンスルホニルヒド
ラジン塩酸塩（式18）の合成 ９−クロロ−４−メトキシアクリジン（式17）817mg と
ｐ−トルエンスルフォニルヒドラジド749mg とｎ−アミ
ルアルコール20mlの混合液を70℃で１時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、析出し
た結晶を濾集し、酢酸エチルで洗浄後乾燥して、Ｎ₁ −
９−（４−メトキシ）アクリジニル−Ｎ₂−ｐ−トルエ
ンスルホニルヒドラジン塩酸塩（式18）の結晶1.33g を
得た（収率92.4％）。この段階で精製することなく、そ
のまま次の反応へと進行した。

【０１４７】［２−１−４］４−メトキシアクリジン
（式19）の合成 Ｎ₁ −９−（４−メトキシ）アクリジニル−Ｎ₂ −ｐ−
トルエンスルホニルヒドラジン塩酸塩(18)124mg と水酸
化ナトリウム40mgとエチレングリコール５mlの混合液を
100 ℃で１時間反応を行った。反応終了後、反応液を水
に投入し、酢酸エチルで生成物を抽出した。酢酸エチル
を留去した残渣をカラムクロマトにて精製、及びヘキサ
ン−酢酸エチルより再結晶を行い、４−メトキシアクリ
ジン（式19）の結晶57.6mgを得た（収率95.2％）。 ｛分析値｝ m.p. = 127.0-128.3（℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 8.70(s, 1H), 8.40(d, 1H, J=8.9Hz), 7.95(d, 1H, J=
8.4Hz), 7.75(t, 1H, J=7.7Hz), 7.55(d, 1H, J=8.4H
z), 7.52(t, 1H, J=7.5Hz), 7.42(t, 1H, J=8.0Hz),7.0
2(d, 1H, J=7.4Hz ), 4.15(s, 3H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 155.1, 148.1, 142.0, 135.8, 130.2, 129.9, 127.8, 1
27.5, 126.8, 126.0, 125.6, 120.0, 106.5, 56.1 IR (cm^-1, KBr) 3444, 3003, 2953, 2932, 2827, 1624, 1560, 1530, 14
65, 1402, 1366, 1320,1268, 1224, 1178, 1143, 1126,
1095, 964, 937, 854, 770, 737, 718, 612, 572 MS (FAB, NBA) m/z = 210 (M⁺ +1)

【０１４８】［２−１−５］４−ヒドロキシアクリジン
（式20）の合成 ４−メトキシアクリジン（式19）510mg と48％臭化水素
水10mlの混合液を110℃で14時間反応を行った。反応終
了後、反応液を炭酸ナトリウム水溶液に投入し、酢酸エ
チルで生成物を抽出した。酢酸エチルを留去した残渣を
カラムクロマトにて精製、及びヘキサンより再結晶を行
い、４−ヒドロキシアクリジン（式20)の結晶420mg を
得た（収率88.3％）。 ｛分析値｝ m.p. = 115.0 -115.5 （℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 8.59(s, 1H), 8.08(d, 1H, J=8.8Hz), 7.87(d, 1H, J=
8.6Hz), 7.65(t, 1H, J=7.7Hz), 7.42(t, 1H, J=7.5H
z), 7.37-7.30(m, 2H), 7.09(d, 1H, J=7.7Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 151.7, 146.9, 140.2, 135.9, 130.2, 129.0, 128.2, 1
27.2, 126.8, 126.6, 125.9,118.1, 108.4 IR (cm^-1, KBr) 3357, 3054, 2925, 2854, 1636, 1562, 1521, 1467, 14
40, 1399, 1369, 1321,1228, 1212, 1129, 1070, 1035,
956, 919, 855, 771, 763, 733, 722, 647, 612,592,
560, 535, 474 MS (FAB, NBA) m/z = 196 (M⁺ +1)

【０１４９】［２−１−６］例示化合物 4-1に記載のイ
ンドアニリン化合物（式25）の合成 ４−ヒドロキシアクリジン（式20）195mg と2-アミノ-5
- ジエチルアミノトルエン塩酸塩（式21）214mg とエタ
ノール6.8ml の混合物を20℃で撹拌し、硝酸銀0.17mgを
水0.75mlに溶解した溶液を滴下した。次に、25％アンモ
ニア水溶液0.85mlを添加し、20℃で24時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を水に投入して、酢酸エチルに
て抽出を行った後に、抽出液を濃縮して、カラムクロマ
トにて精製した後に、ヘキサン−酢酸エチルより再結晶
を行い、例示化合物4-1 に記載のインドアニリン化合物
（式25）の濃青色結晶72.5mgを得た（収率19.6％）。 ｛分析値｝ m.p. = 148.7（℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.40(s, 1H), 8.45(d, 1H, J=8.7Hz), 8.05(d, 1H, J=
8.2Hz),7.84(ddd, 1H, J=8.4, 7.5, 1.1Hz), 7.68(t, 1
H, J=7.2Hz), 7.66(d, 1H, J=10.3Hz),6.96(d, 1H, J=1
0.3Hz), 6.73 - 6.68(m, 2H), 6.55(dd, 1H, J=8.8, 2.
7Hz),3.43(q, 4H,J=7.1Hz), 2.43(s, 3H), 1.23(t, 6H,
J=7.1Hz)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 184.7, 149.2, 148.8, 147.6, 146.2, 137.3, 135.9, 1
34.2, 133.0, 131.8, 131.3, 131.2, 129.5, 129.1, 12
8.8, 128.7, 122.8, 113.8, 109.1, 44.6, 19.2,12.8IR
(cm^-1, KBr) 2967, 1666, 1587, 1498, 1394, 1373, 1262, 1080 MS (FAB, NBA) m/z = 370 (M⁺ +1) 図８に ¹Ｈ−ＮＭＲのスペクトルチャート、図９に¹³Ｃ
−ＮＭＲのスペクトルチャート、図10にＩＲのスペクト
ルチャートを示した。可視−近赤外部吸収スペクトル
（アセトン溶液）は、最大吸収波長＝606nm(モル吸光係
数＝10,500) であった。

【０１５０】［２−１−７］例示化合物 2-1に記載のイ
ンドアニリン金属錯体（式26）の合成 例示化合物 4-1に記載のインドアニリン化合物（式25）
30.0mgのエタノール３ml溶液に、過塩素酸銅６水和物
（式23）75.6mgの水溶液1.5ml を加えて、２０℃で２時
間反応を行った。反応終了後、析出した結晶を濾取し
て、少量の水とエタノールで洗浄した後に、４時間減圧
乾燥を行い、例示化合物 2-1に記載のインドアニリン金
属錯体（式26）の黒色結晶31.5mgを得た（収率77.4
％）。 ｛分析値｝ m.p. > 300（℃) IR (cm^-1, KBr) 1569, 1530, 1462, 1393, 1376, 1325, 1286, 1247, 11
43, 1115, 1091, 1072,1033, 990, 859 図１１にＩＲのスペクトルチャートを示した。可視−近
赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最大吸収波
長＝822nm （モル吸光係数＝97,000）であった。

【０１５１】［製造例２−２］ （例示化合物 2-10 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造） ［２−２−１］例示化合物 4-10 に記載のインドアニリ
ン化合物の合成 ４−ヒドロキシアクリジン(20)2.87g とＮ, Ｎ−ジ（２
−エチルヘキシル）−ｐ−フェニレンジアミン 4.89gと
エタノール100ml の混合物を20℃で撹拌し、硝酸銀7.48
g を水33.1mlに溶解した溶液を滴下した。次に、25％ア
ンモニア水溶液12.5mlを添加し、20℃で24時間反応を行
った。反応終了後、反応液を水に投入して、酢酸エチル
にて抽出を行った後に、抽出液を濃縮して、カラムクロ
マトにて精製した後に、ヘキサン−酢酸エチルより再結
晶を行い、例示化合物 4-10 に記載のインドアニリン化
合物の濃青色結晶0.99g を得た（収率12.9％）。 ｛分析値｝ m.p. = 108.1 - 108.9 (℃)¹ H-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 9.37(s, 1H), 8.44(d, 1H, J=8.6Hz), 8.03(d, 1H, J=
8.2Hz), 7.83(t, 1H, J=8.2Hz), 7.74(d, 1H, J=10.6H
z), 7.66(t, 1H, J=7.6Hz), 7.08(d, 2H, J=8.6Hz), 6.
97(d, 1H, J=10.6Hz), 6.76(d, 2H, J=8.6Hz), 3.44-3.
23(m, 4H), 1.95-1.80(m, 2H), 1.54-1.18(m, 16H), 1.
06-0.77(m, 12H)¹³ C-NMR (ppm, ref.-TMS, CDCl₃) 184.5, 149.7, 148.8, 147.9, 146.2, 138.0, 134.2, 1
33.0, 131.8, 131.2, 129.4, 129.0, 128.8, 128.7, 12
5.3, 112.8, 56.5, 37.0, 30.6, 28.7, 24.0, 23.9, 2
3.2, 14.1, 10.7 IR (cm^-1,KBr) 2980, 2926, 2858, 1663, 1607, 1582, 1508, 1461, 13
64, 1335, 1284, 1227,1178, 1156, 1141, 1081, 826,
804 MS (FAB, NBA) m/z = 524 (M⁺ +1) 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝599nm(モル吸光係数＝21,000) であった。

【０１５２】［２−２−２］例示化合物 2-10 に記載の
インドアニリン金属錯体の合成 例示化合物 4-10 に記載のインドアニリン化合物30.0mg
のエタノール3ml 溶液に、過塩素酸銅６水和物(23)53.0
mgの水溶液1.1ml を加えて、20℃で20時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 2-10 に記載のインドアニリン金属錯体の黒色
結晶33.8mgを得た（収率90.1％）。 ｛分析値｝ m.p.＝147.5 - 150.4(℃) IR (cm^-1, KBr) 2971, 2927, 2859, 1602, 1572, 1512, 1468, 1395, 13
80, 1362, 1329, 1291,1180, 1136, 1095, 1028, 831,
741 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝840nm(モル吸光係数＝71,800) であった。

【０１５３】［製造例２−３］ （例示化合物 2-57 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造）例示化合物 4-10 に記載のインドアニリン化合物
30.0mgのエタノール 3ml溶液に、過塩素酸ニッケル六水
和物52.4mgの水溶液 1.1mlを加えて、20℃で20時間反応
を行った。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量
の水とエタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行
い、例示化合物 2-57 に記載のインドアニリン金属錯体
の黒色結晶20.7mgを得た（収率55.3％) 。 ｛分析値｝ m.p.＝147.0-149.6(℃) IR (cm^-1, KBr) 2971, 2928, 2870, 1605, 1516, 1460, 1378, 1361, 13
31, 1289, 1178, 1140,1121, 1108, 827, 749, 628 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝817.8nm（モル吸光係数＝29,500) であっ
た。

【０１５４】［製造例２−４］ （例示化合物 2-58 に記載のインドアニリン金属錯体の
製造）例示化合物 4-10 に記載のインドアニリン化合物
30.0mgのエタノール3ml 溶液に、過塩素酸鉄水和物75.0
mgの水溶液 1.1mlを加えて、20℃で20時間反応を行っ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取して、少量の水と
エタノールで洗浄した後に、４時間減圧乾燥を行い、例
示化合物 2-58 に記載のインドアニリン金属錯体の黒色
結晶17.5mgを得た（収率43.6％）。 ｛分析値｝ m.p.＝300(℃) 以上 IR (cm^-1, KBr) 2971, 2927, 2859, 1605, 1516, 1460, 1378, 1361, 13
30, 1289, 1235, 1137,1121, 1102, 823, 759, 622 可視−近赤外部吸収スペクトル（アセトン溶液）は、最
大吸収波長＝764nm(モル吸光係数＝16,600) であった。

【０１５５】

【実施例３】 〔透明記録体の製法〕 ［実施例３−１］有機溶媒（メチルエチルケトン）に、
次の配合で固形分として20％になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 20 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-1 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量5g/m² になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、50μm の線幅の黒色記録画像が得られた。
この透明記録体をスライドにマウントして投影すると、
鮮明に黒色のラインを高解像度のまま拡大できた。ま
た、この透明記録体をＯＨＰで投影しても、鮮明に黒色
のラインを高解像度のまま拡大できた。60℃耐熱性試験
では、地色の変化は全く見られなかった。さらに、この
透明記録体を太陽光に１週間暴露しても、透明記録体の
色に何等変化も見られなかった。

【０１５６】［実施例３−２］有機溶媒（メチルエチル
ケトン）に、次の配合で固形分として20％になる様に溶
解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 20 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物3-1 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量5g/m² になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、55μm の線幅の黒色記録画像が得られた。
この透明記録体をスライドにマウントして投影すると、
鮮明に黒色のラインを高解像度のまま拡大できた。ま
た、この透明記録体をＯＨＰで投影しても、鮮明に黒色
のラインを高解像度のまま拡大できた。60℃耐熱性試験
では、地色の変化は全く見られなかった。さらに、この
透明記録体を太陽光に１週間暴露しても、透明記録体の
色に何等変化は見られなかった。

【０１５７】［実施例３−３］実施例３−１の記録用塗
布液のバインダーを、紫外線硬化樹脂GRANDICUV5020
（大日本インキ株式会社製）20部に代えた以外は実施例
３−１と同様にして記録用塗布液を得た。この塗布液を
透明なポリエステルフィルム上に塗布量5g/m² になるよ
うにメイヤーバーで塗布した後に、コンベア速度５m/分
で移動させながら、紫外線照射装置（アイグラフィック
社製、光出力３KW１灯）を用いて塗布層表面より12cmの
距離から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて
透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30mWの近赤
外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査したとこ
ろ、50μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１５８】［実施例３−４］実施例３−２の記録用塗
布液のバインダーを、紫外線硬化樹脂GRANDICUV5020(大
日本インキ株式会社製）20部に代えた以外は実施例３−
２と同様にして記録用塗布液を得た。この塗布液を透明
なポリエステルフィルム上に塗布量５g/m²になるように
メイヤーバーで塗布した後に、コンベア速度５m/分で移
動させながら、紫外線照射装置（アイグラフィック社
製、光出力３KW１灯）を用いて塗布層表面より12cmの距
離から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて透
明記録体を得た。この透明記録体に、出力30mWの近赤外
半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査したとこ
ろ、55μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１５９】［実施例３−５］有機溶媒（トルエン）
に、次の配合で固形分として20％になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-2 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６０】［実施例３−６］有機溶媒（トルエン）
に、次の配合で固形分として20％になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-7 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６１】［実施例３−７］有機溶媒（メチルイソブ
チルケトン）に、次の配合で固形分として25％になる様
に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−クロロ安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料［Ａ］：例示化合物1-10に記載のインアニリン金属錯体 1 部 近赤外吸収材料［Ｂ］：NK-2014 （日本感光色素研究所製） 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６２】［実施例３−８］有機溶媒（メチルイソブ
チルケトン）に、次の配合で固形分として25％になる様
に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−クロロ安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料［Ａ］：例示化合物1-11に記載のインドアニリン金属錯体 １部 近赤外吸収材料［Ｂ］：NK-1144(日本感光色素研究所製） 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６３】［実施例３−９］有機溶媒（クロロホル
ム）に、次の配合で固形分として10％になる様に溶解し
た。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−シクロヘキシルカルバメート 8 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 12 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料［Ａ］：例示化合物1-15に記載のインドアニリン金属錯体 １部 1 部 近赤外吸収材料［Ｂ］：ＮＩＲ−１４（山本化成株式会社製） 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、50μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６４】［実施例３−１０］有機溶媒（クロロホル
ム）に、次の配合で固形分として10％になる様に溶解し
た。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−シクロヘキシルカルバメート 8 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 12 部 バインダー：ポリビニルブチラール 20 部 近赤外吸収材料［Ａ］：例示化合物1-25に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 近赤外吸収材料［Ｂ］：PA-1006(三井東圧株式会社製） 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、55μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６５】［実施例３−１１］混合有機溶媒（クロロ
ホルム／アセトン）に、次の配合で固形分として20％に
なる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリメチルカーボネート 20 部 ロイコ染料：クリスタルバイオレットラクトン 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-53に記載のインドアニリン金属錯体 3 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、40μm の線幅の青色記録画像が得られた。
この透明記録体をスライドにマウントして投影すると、
鮮明に青色のラインを高解像度のまま拡大できた。60℃
耐熱性試験では、地色の変化は全く見られなかった。

【０１６６】［実施例３−１２］混合有機溶媒（クロロ
ホルム／アセトン）に、次の配合で固形分として20％に
なる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリメチルカーボネート 20 部 ロイコ染料：クリスタルバイオレットラクトン 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-5 ７に記載のインドアニリン金属錯体 3 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、35μm の線幅の青色記録画像が得られた。
この透明記録体をスライドにマウントして投影すると、
鮮明に青色のラインを高解像度のまま拡大できた。60℃
耐熱性試験では、地色の変化は全く見られなかった。

【０１６７】［実施例３−１３］有機溶媒（トルエン）
に、次の配合で固形分として20％になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-58に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 一重項酸素クエンチャー：サリチルアルドキシム 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６８】［実施例３−１４］有機溶媒（トルエン）
に、次の配合で固形分として20％になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物1-131 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 一重項酸素クエンチャー：サリチルアルドキシム 0.1部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量５g/m²になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザー光を動作速度40mm/secで走査
したところ、45μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１６９】［実施例３−１５］有機溶媒（トルエン／
メチルエチルケトン）に、次の配合で固形分として20％
になる様に溶解した。 顕色剤：没食子酸ノルマルプロピルトリ−Ｎ−フェニルカルバメート 5 部 有機酸金属塩：ｏ−ベンゾイル安息香酸鉄塩 20 部 バインダー：ポリスチレン 20 部 近赤外吸収材料：例示化合物2-10に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 この記録用塗布液を、透明なポリエステルフィルム上に
塗布量5g/m² になる様にメイヤーバーで塗布し、常温で
風乾して透明記録体を得た。この透明記録体に、出力30
mWの近赤外半導体レーザ光を動作速度 40mm/sec で走査
したところ、55μm の線幅の黒色記録画像が得られた。

【０１７０】

【実施例４】 〔本発明の印刷製版用マスキング材を用いて印刷した
例〕 ［実施例４−１］実施例３−１で得られた透明記録体
に、出力30mWの近赤外半導体レーザー光を用いて黒色画
像及び文字を記録した。画像及び文字が記録された透明
記録体と、富士写真フィルム社製PS版（PS-PLATE VPS(p
ositive)) を重ね合わせ、透明記録体側からメタルハラ
イドランプ（波長417nm)を照射して画像を露光した。こ
の様にして得られたオフセット用印刷版を、オフセット
枚用印刷機（ハマダ611XL)にかけ、上質紙、及びコート
紙上に印刷した。印刷物の画像及び文字は、透明記録体
上に記録された画像及び文字と全く同じ画質であり、50
00枚を越えても印刷物の非画像部の地汚れや、画像部の
画質の低下も全く見られなかった。

【０１７１】［実施例４−２］実施例３−２で得られた
透明記録体に、出力30mWの近赤外半導体レーザー光を用
いて黒色画像及び文字を記録した。画像及び文字が記録
された透明記録体と、富士写真フィルム社製PS版（PS-P
LATE VPS(positive)) を重ね合わせ、透明記録体側から
メタルハライドランプ（波長417nm)を照射して画像を露
光した。この様にして得られたオフセット用印刷版を、
オフセット枚用印刷機（ハマダ611XL)にかけ、上質紙、
及びコート紙上に印刷した。印刷物の画像及び文字は、
透明記録体上に記録された画像及び文字と全く同じ画質
であり、5000枚を越えても印刷物の非画像部の地汚れ
や、画像部の画質の低下も全く見られなかった。

【０１７２】［実施例４−３］実施例３−１５で得られ
た透明記録体に、出力30mWの近赤外半導体レーザ光を用
いて黒色画像及び文字を記録した。画像及び文字が記録
された透明記録体と、富士写真フィルム社製ＰＳ版(PS-
PLATE VPS(positive))を重ね合わせ、透明記録体側から
メタルハライドランプ（波長417nm)を照射して画像を露
光した。この様にして得られたオフセット用印刷版を、
オフセット枚用印刷機（ハマダ611XL)にかけ、上質紙、
及びコート紙上に印刷した。印刷物の画像及び文字は、
透明記録体上に記録された画像及び文字と全く同じ画質
であり、5000枚を越えても印刷物の非画像部の地汚れ
や、画像部の画質の低下も全く見られなかった。

【０１７３】

【実施例５】 〔光学記録媒体の製法〕 ［実施例５−１］ 近赤外吸収材料：例示化合物 1-1に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 有機溶媒：アセトン 50 部 以上からなる均一な塗布液をを、透明なポリエステルフ
ィルム上へ滴下し、スピナー法により500rpmの回転数で
塗布し、40℃で20分間乾燥した。この光学記録媒体に、
出力５mWの近赤外半導体レーザー光を照射したところ、
4.1 μm のスポットが得られた。

【０１７４】［実施例５−２］ 近赤外吸収材料：例示化合物 2-1に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 有機溶媒：アセトン 50 部 以上からなる均一な塗布液をを、透明なポリエステルフ
ィルム上へ滴下し、スピナー法により500rpmの回転数で
塗布し、40℃で20分間乾燥した。この光学記録媒体に、
出力５mWの近赤外半導体レーザー光を照射したところ、
4.3 μm のスポットが得られた。

【０１７５】［実施例５−３］ 近赤外吸収材料：例示化合物 2-10 に記載のインドアニリン金属錯体 1 部 有機溶媒：アセトン 50 部 以上からなる均一な塗布液をを、透明なポリエステルフ
ィルム上へ滴下し、スピナー法により500rpmの回転数で
塗布し、40℃で20分間乾燥した。この光学記録媒体に、
出力5mW の近赤外半導体レーザ光を照射したところ、4.
5 μm のスポットが得られた。

【０１７６】

【比較例】

［比較例１−１］ 実施例３−１の近赤外吸収材料を下記構造式（27）

【０１７７】

【化２３】

【０１７８】で表されるインドアニリン金属錯体１部に
代えた以外は、実施例３−１と同様にして透明記録体を
作製した。この透明記録体に、出力30mWの近赤外半導体
レーザー光を動作速度40mm/secで走査したところ、40μ
m の線幅の黒色記録画像が得られた。しかしながら、得
られた透明記録体の着色が濃く、コントラストに欠ける
画像が得られた。

【０１７９】［比較例１−２］実施例３−１の近赤外吸
収材料をNK-2014(日本感光色素研究所製）１部に代えた
以外は、実施例３−１と同様にして透明記録体を作製し
た。この透明記録体に、出力30mWの近赤外半導体レーザ
ー光を動作速度40mm/secで走査したところ、40μm の線
幅の黒色記録画像が得られた。しかしながら、この透明
記録体を太陽光に３日間暴露すると、透明記録体の色は
薄い黄緑色から茶褐色へと変化した。

【０１８０】［比較例１−３］実施例３−１の近赤外吸
収材料をベンゾインニッケル錯体１部に代えた以外は、
実施例３−１と同様にして透明記録体を作製した。しか
しながら、不均一な塗工表面で、しかも透明性に欠ける
透明記録体が得られた。

【０１８１】［比較例２−１］実施例４−１に於いて使
用した実施例３−１の透明記録体を、比較例１−１の透
明記録体に代えた以外は実施例４−１と全く同様にし
て、オフセット印刷用版を得た。これを用いて印刷して
得られた印刷物の画像及び文字は、不明瞭であった。

【０１８２】［比較例３−１］実施例５−１の近赤外吸
収材料を上記構造式（式27) で表されるインドアニリン
金属錯体１部に代えた以外は、実施例５−１と同様にし
て光学記録媒体を得た。しかしながら、出力５mWの近赤
外半導体レーザー光を照射したところ、2.1 μm のスポ
ットしか得られなかった。

【０１８３】

【発明の効果】本発明の新規インドアニリン金属錯体
は、近赤外領域に大きな吸収を有し、しかも従来のイン
ドアニリン金属錯体と比較してモル吸光係数が高く、近
赤外レーザー光を熱に変換する能率が大幅に向上してい
る。この新規インドアニリン金属錯体を光記録用近赤外
吸収材料として用いて作製された透明記録体は、可視部
の吸収領域が少なく、しかも近赤外レーザー光による記
録の際に記録濃度が高いため、画像のコントラストに非
常に優れている。また、本発明の新規インドアニリン金
属錯体は、太陽光下で長時間暴露しても変色せず、モル
吸光係数及び近赤外レーザー光を熱に変換する能率に何
等変化が現れないことから、非常に耐光性に優れた色素
であり、これを用いて作製された透明記録体も同様に耐
光性に優れている。また、本発明によれば、緑色系色
素、感熱転写用色素、インクジェットプリンター用色
素、光ディスク、熱線遮断剤、感光材料用セーフライト
フィルター、半導体素子のカットフィルター、カラーフ
ィルター、液晶、感光材のアンチハレーション材料、光
カード、光重合開始剤、生理活性物質、医薬品等の用途
にもこの新規インドアニリン金属錯体及び新規インドア
ニリン化合物を提供する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例１−１−１で得られたＮ−（２−クロロ
ベンジリデン）−2'−ヒドロキシアニリン（式12) の ¹
Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【図２】製造例１−１−１で得られたＮ−（２−クロロ
ベンジリデン）−2'−ヒドロキシアニリン（式12) の¹³
Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【図３】製造例１−１−２で得られた４−ヒドロキシフ
ェナントリジン（式13) の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示
す。

【図４】製造例１−１−２で得られた４−ヒドロキシフ
ェナントリジン（式13) の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示
す。

【図５】製造例１−１−３で得られたインドアニリン
（式22) の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【図６】製造例１−１−４で得られたインドアニリン金
属錯体（式24) のＩＲスペクトルを示す。

【図７】製造例１−１−４で得られたインドアニリン金
属錯体（式24) と比較例１−１のインドアニリン金属錯
体（式27) の可視及び近赤外領域の吸収スペクトルを示
す。縦軸は吸光度、横軸は波長（nm) を表す。

【図８】製造例２−１−６で得られたインドアニリン化
合物（式25) の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【図９】製造例２−１−６で得られたインドアニリン化
合物（式25) の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【図１０】製造例２−１−６で得られたインドアニリン
化合物（式25) のＩＲスペクトルを示す。

【図１１】製造例２−１−７で得られたインドアニリン
金属錯体（式26) のＩＲスペクトルを示す。

【図１２】製造例２−１−７で得られたインドアニリン
金属錯体（式26) と比較例１−１のインドアニリン金属
錯体（式27) の可視及び近赤外領域の吸収スペクトルを
示す。縦軸は吸光度、横軸は波長(nm)を表す。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｆ 15/00 9450−4Ｈ Ｃ０７Ｆ 15/04 15/02 9450−4Ｈ 15/06 15/04 Ｃ０９Ｂ 53/02 15/06 57/10 Ｃ０９Ｂ 53/02 Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５ 57/10 Ｇ０３Ｆ 1/00 Ｚ Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ０３Ｆ 1/00 Ｂ４１Ｍ 5/18 Ｈ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ １０１Ｃ １０８ 7416−2Ｈ 5/26 Ｙ (72)発明者 吉岡 英敏 東京都北区王子５丁目21番１号 日本製紙 株式会社中央研究所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式(1) 【化１】 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原
   子、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のア
   リール基を表し、又は直接結合して含窒素５員環もしく
   は６員環あるいはそれらの環を含む縮合環を形成する。
   Ｒ³ は水素原子又は電子供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
   びＲ⁶ は水素原子又は電子吸引性基を表す。ｉ、ｊ、ｋ
   は１〜３の整数、ｌ及びｎは１〜４の整数、ｍは１又は
   ２を表す。Ｘは陰イオンを表す）で表される新規インド
   アニリン金属錯体。
2. 【請求項２】 下記一般式(2) 【化２】 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原
   子、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のア
   リール基を表し、又は直接結合して含窒素５員環もしく
   は６員環あるいはそれらの環を含む縮合環を形成する。
   Ｒ³ は水素原子又は電子供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及
   びＲ⁸ は水素原子又は電子吸引性基を表す。ｉ、ｊ、ｋ
   は１〜３の整数、ｌ及びｏは１〜４の整数、ｍは１又は
   ２を表す。Ｘは陰イオンを表す）で表される新規インド
   アニリン金属錯体。
3. 【請求項３】 下記一般式(3) 【化３】 （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原子、置換又は非置換のア
   ルキル基、置換又は非置換のアリール基を表し、又は直
   接結合して含窒素５員環もしくは６員環あるいはそれら
   の環を含む縮合環を形成する。Ｒ³ は水素原子又は電子
   供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は水素原子又は電
   子吸引性基を表す。ｌ及びｎは１〜４の整数、ｍは１又
   は２を表す。）で表される新規インドアニリン化合物。
4. 【請求項４】 下記一般式(4) 【化４】 （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は水素原子、置換又は非置換のア
   ルキル基、置換又は非置換のアリール基を表し、又は直
   接結合して含窒素５員環もしくは６員環あるいはそれら
   の環を含む縮合環を形成する。Ｒ³ は水素原子又は電子
   供与性基を表し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は水素原子又は電
   子吸引性基を表す。ｌ及びｏは１〜４の整数、ｍは１又
   は２を表す。）で表される新規インドアニリン化合物。
5. 【請求項５】 ４−ヒドロキシフェナントリジン化合物
   とパラ−N, N−置換アミノアニリン化合物とを反応させ
   ることにより得られる請求項３に記載の新規インドアニ
   リン化合物の製造方法。
6. 【請求項６】 ４−ヒドロキシアクリジン化合物とパラ
   −N, N−置換アミノアニリン化合物とを反応させること
   により得られる請求項４に記載の新規インドアニリン化
   合物の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項３に記載の新規インドアニリン化
   合物に対して無機金属塩をキレートさせることにより得
   られる請求項１に記載の新規インドアニリン金属錯体の
   製造方法。
8. 【請求項８】 請求項４に記載の新規インドアニリン化
   合物に対して無機金属塩をキレートさせることにより得
   られる請求項２に記載の新規インドアニリン金属錯体の
   製造方法。
9. 【請求項９】 透明な支持体上に、（イ）顕色機能のあ
   るフェノール性水酸基の少なくとも一つをＮ−置換カル
   バモイル基、あるいはＯ−置換オキシカルボニル基で保
   護した下記一般式(5) 【化５】 （ここで、Ｘは COO、CONH、 SO₂、Ａは置換又は非置換
   のアルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル
   基、アリール基、ベンジル基、ナフチル基を表し、Ｒ
   は、Ｎ−置換カルバモイル基（CONHR¹⁰)あるいはＯ−置
   換オキシカルボニル基（COOR¹¹）、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は置換
   又は非置換のアルキル基、シクロアルキル基、ビニル
   基、アリル基、アリール基、ベンジル基、ナフチル基、
   メシル基、トシル基を表す。ｐ及びｑは１〜３の整数
   で、ｐ≦ｑである。）で表される顕色剤、（ロ）該顕色
   剤と反応して発色する有機酸の金属塩若しくはロイコ染
   料及び（ハ）請求項１に記載の一般式(1) 又は請求項２
   に記載の一般式(2) の新規インドアニリン金属錯体、を
   含有した透明記録層を設けることを特徴とする透明記録
   体。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の透明記録体を印刷製
    版用マスキング材として使用することを特徴とする透明
    記録体。
11. 【請求項１１】 請求項１に記載の一般式(1) 又は請求
    項２に記載の一般式(2) で表される新規インドアニリン
    金属錯体を含有することを特徴とする光学記録媒体。