JPH08329452A - 磁気記録媒体及びその製造法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造法Info
- Publication number
- JPH08329452A JPH08329452A JP13773195A JP13773195A JPH08329452A JP H08329452 A JPH08329452 A JP H08329452A JP 13773195 A JP13773195 A JP 13773195A JP 13773195 A JP13773195 A JP 13773195A JP H08329452 A JPH08329452 A JP H08329452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非磁性基板上に金属下地膜、磁性膜及び保護
膜を順次積層してなる磁気記録媒体において、磁気ヘッ
ドの低浮上化が可能で且つ変動の少ない出力波形を与え
る磁気記録媒体を提供する。 【構成】 テキスチュアリングを施さない基板を用い、
磁性膜の成膜に引続いて窒素を含む雰囲気中で融点が１
０００℃以下の金属又はその合金のスパッタリングを行
ない、磁性膜上に金属の島状突起が不連続に分布してい
る中間金属膜を成膜し、さらにその上に１５００ｋｇ／
ｍｍ2 以上の高硬度の炭素質保護膜を成膜する。
膜を順次積層してなる磁気記録媒体において、磁気ヘッ
ドの低浮上化が可能で且つ変動の少ない出力波形を与え
る磁気記録媒体を提供する。 【構成】 テキスチュアリングを施さない基板を用い、
磁性膜の成膜に引続いて窒素を含む雰囲気中で融点が１
０００℃以下の金属又はその合金のスパッタリングを行
ない、磁性膜上に金属の島状突起が不連続に分布してい
る中間金属膜を成膜し、さらにその上に１５００ｋｇ／
ｍｍ2 以上の高硬度の炭素質保護膜を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体およびその
製造法に関するものであり、特に磁気ヘッドと磁気記録
媒体との間の接触抵抗を低減した磁気記録媒体に関する
ものである。
製造法に関するものであり、特に磁気ヘッドと磁気記録
媒体との間の接触抵抗を低減した磁気記録媒体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】現在広く用いられている磁気記録装置
は、磁気ヘッドを用いて情報を磁気記録媒体に記録し、
また、磁気記録媒体から必要に応じて情報を読み出すよ
うになっている。磁気記録媒体の代表的な製造法の１例
は次の通りである。即ち、アルミニウム合金から成る非
磁性基板上に無電解めっき法によりＮｉＰ膜を１０〜２
０μｍ程度形成し、その表面を鏡面状にポリッシングす
る。その後、砥粒の付いている研磨テープなどを用い
て、表面粗さがＲａで２０〜８０Ａ程度のレコード溝状
のテキスチャーを形成し、磁気記録媒体の基板とする。
この基板をスパッタリング装置に挿入し、到達真空度５
×１０-6Ｔｏｒｒ以下程度まで減圧し、２００〜２８０
℃程度まで加熱後、１〜２０ｍＴｏｒｒアルゴン雰囲気
中でＣｒ下地膜、Ｃｏ系磁性膜、カーボン保護膜を順次
積層する。Ｃｏ系磁性膜には、Ｃｏを主成分として種々
の金属が添加されている。その後フッ素系の潤滑剤を１
０〜４０Ａ程度塗布し、製品の磁気記録媒体とする。
は、磁気ヘッドを用いて情報を磁気記録媒体に記録し、
また、磁気記録媒体から必要に応じて情報を読み出すよ
うになっている。磁気記録媒体の代表的な製造法の１例
は次の通りである。即ち、アルミニウム合金から成る非
磁性基板上に無電解めっき法によりＮｉＰ膜を１０〜２
０μｍ程度形成し、その表面を鏡面状にポリッシングす
る。その後、砥粒の付いている研磨テープなどを用い
て、表面粗さがＲａで２０〜８０Ａ程度のレコード溝状
のテキスチャーを形成し、磁気記録媒体の基板とする。
この基板をスパッタリング装置に挿入し、到達真空度５
×１０-6Ｔｏｒｒ以下程度まで減圧し、２００〜２８０
℃程度まで加熱後、１〜２０ｍＴｏｒｒアルゴン雰囲気
中でＣｒ下地膜、Ｃｏ系磁性膜、カーボン保護膜を順次
積層する。Ｃｏ系磁性膜には、Ｃｏを主成分として種々
の金属が添加されている。その後フッ素系の潤滑剤を１
０〜４０Ａ程度塗布し、製品の磁気記録媒体とする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、磁気記録媒体の
高記録密度化が進み、磁気ヘッドと記録媒体との間の距
離の縮少、すなわち磁気ヘッドの低浮上化が図られつつ
ある。この高密度化に対応するには、従来のテキスチャ
ーでは記録媒体表面の凹凸が大きすぎて、磁気ヘッドの
低浮上化の妨げとなっている。そこで、更に、Ｒａの小
さな基板を目ざして検討が行なわれている。しかし、研
磨テープや遊離砥粒による機械加工のテキスチャーで
は、溝を浅くしても加工時に発生するバリにより異常突
起が生成する。そして基板自体のうねりによるランナウ
ト（基板が回転した時の基板表面の上下変動の加速度）
の影響で、異常突起が磁気ヘッドに衝突し、ヘッドクラ
ッシュを引き起こす可能性が高い。また、磁性膜もテキ
スチャーの凹凸に沿った形状となり、磁気ヘッドとの距
離が変動し、出力波形が乱れる一因となる。そこで、登
場したのがアルミニウム合金基板より平滑なガラス基板
で、近年多く用いられ始めている。しかし、ガラス基板
やガラス基板上に導電性を付与する為の金属をプレスパ
ッタした基板上に、通常の製法でＣｒ下地膜、Ｃｏ磁性
膜、カーボン保護膜を積層しフッ素系潤滑剤を塗布して
なる磁気記録媒体は、表面が平滑な故に摩擦係数が大き
く、磁気ヘッドのパーキング時に吸着現象が生じ、ディ
スクの起動時にヘッドクラッシュを引き起こす可能性が
高い。そこで、ガラス基板を化学エッチングして基板表
面に凹凸を設ける方法が検討されている。また特開平５
−２０６５９、特開平５−２０６８０、特開平５−２０
６８１、特開平６−６０３６８には、スパッタリングに
より粒状形状のテキスチャーを形成する方法が示されて
いる。本発明はこのスパッタリングにより粒状形状のテ
キスチャーを形成した磁気記録媒体の更に改良されたも
のを提供せんとするものである。
高記録密度化が進み、磁気ヘッドと記録媒体との間の距
離の縮少、すなわち磁気ヘッドの低浮上化が図られつつ
ある。この高密度化に対応するには、従来のテキスチャ
ーでは記録媒体表面の凹凸が大きすぎて、磁気ヘッドの
低浮上化の妨げとなっている。そこで、更に、Ｒａの小
さな基板を目ざして検討が行なわれている。しかし、研
磨テープや遊離砥粒による機械加工のテキスチャーで
は、溝を浅くしても加工時に発生するバリにより異常突
起が生成する。そして基板自体のうねりによるランナウ
ト（基板が回転した時の基板表面の上下変動の加速度）
の影響で、異常突起が磁気ヘッドに衝突し、ヘッドクラ
ッシュを引き起こす可能性が高い。また、磁性膜もテキ
スチャーの凹凸に沿った形状となり、磁気ヘッドとの距
離が変動し、出力波形が乱れる一因となる。そこで、登
場したのがアルミニウム合金基板より平滑なガラス基板
で、近年多く用いられ始めている。しかし、ガラス基板
やガラス基板上に導電性を付与する為の金属をプレスパ
ッタした基板上に、通常の製法でＣｒ下地膜、Ｃｏ磁性
膜、カーボン保護膜を積層しフッ素系潤滑剤を塗布して
なる磁気記録媒体は、表面が平滑な故に摩擦係数が大き
く、磁気ヘッドのパーキング時に吸着現象が生じ、ディ
スクの起動時にヘッドクラッシュを引き起こす可能性が
高い。そこで、ガラス基板を化学エッチングして基板表
面に凹凸を設ける方法が検討されている。また特開平５
−２０６５９、特開平５−２０６８０、特開平５−２０
６８１、特開平６−６０３６８には、スパッタリングに
より粒状形状のテキスチャーを形成する方法が示されて
いる。本発明はこのスパッタリングにより粒状形状のテ
キスチャーを形成した磁気記録媒体の更に改良されたも
のを提供せんとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体は、非磁性基板上に少くとも金属下地膜、磁性膜及び
保護膜が順次積層されており、磁性膜上には更に融点が
１０００℃以下の金属またはその合金から成る島状突起
が離散的に分布している中間金属膜が形成されており、
且つ保護膜がビッカース硬さで表示して１５００ｋｇ／
ｍｍ2 以上の硬さを有する炭素質保護膜であることを特
徴とするものである。
体は、非磁性基板上に少くとも金属下地膜、磁性膜及び
保護膜が順次積層されており、磁性膜上には更に融点が
１０００℃以下の金属またはその合金から成る島状突起
が離散的に分布している中間金属膜が形成されており、
且つ保護膜がビッカース硬さで表示して１５００ｋｇ／
ｍｍ2 以上の硬さを有する炭素質保護膜であることを特
徴とするものである。
【０００５】本発明について更に詳細に説明するに、本
発明者の検討によれば、磁性膜上に中間金属膜をスパッ
タリングにより形成してなる磁気記録媒体においては、
中間金属膜を融点が１０００℃以下の金属またはその合
金で形成した場合には、保護膜をビッカース硬さが１５
００ｋｇ／ｍｍ2 以上の高硬度の炭素質膜とすることが
重要であることが見出された。その理由は詳らかでない
が、アルミニウム等の融点が１０００℃以下の金属は比
較的軟らかいので、この金属またはその合金から成る島
状突起が同じく軟らかいアモルファスカーボンから成る
保護膜で被覆されている場合には、磁気ヘッドが突起に
接触したときの荷重が突起先端に集中するためヘッドク
ラッシュし易い。これに対し保護膜が高硬度の炭素質膜
である場合には、磁気ヘッドが突起に接触したときの荷
重が保護膜により分散されて突起先端に集中しないの
で、ヘッドクラッシュが発生し難いものと推定される。
また高硬度の炭素質保護膜は耐摩耗性が大きいこともヘ
ッドクラッシュが発生し難いことに寄与しているものと
考えられる。
発明者の検討によれば、磁性膜上に中間金属膜をスパッ
タリングにより形成してなる磁気記録媒体においては、
中間金属膜を融点が１０００℃以下の金属またはその合
金で形成した場合には、保護膜をビッカース硬さが１５
００ｋｇ／ｍｍ2 以上の高硬度の炭素質膜とすることが
重要であることが見出された。その理由は詳らかでない
が、アルミニウム等の融点が１０００℃以下の金属は比
較的軟らかいので、この金属またはその合金から成る島
状突起が同じく軟らかいアモルファスカーボンから成る
保護膜で被覆されている場合には、磁気ヘッドが突起に
接触したときの荷重が突起先端に集中するためヘッドク
ラッシュし易い。これに対し保護膜が高硬度の炭素質膜
である場合には、磁気ヘッドが突起に接触したときの荷
重が保護膜により分散されて突起先端に集中しないの
で、ヘッドクラッシュが発生し難いものと推定される。
また高硬度の炭素質保護膜は耐摩耗性が大きいこともヘ
ッドクラッシュが発生し難いことに寄与しているものと
考えられる。
【０００６】本発明に係る磁気記録媒体の製造に際して
は、基板としてはＮｉＰめっきしたアルミニウム合金基
板やガラス基板、カーボン基板などの常用の非磁性基板
が用いられる。この基板上に常法に従ってＣｒ下地膜を
形成し、更にその上にＣｏＮｉＣｒ系、ＣｏＣｒＴａ
系、ＣｏＣｒＰｔ系等のＣｏ系磁性膜を形成する。これ
らの膜の形成は不活性ガス、通常はアルゴンガス雰囲気
中で行なう。本発明ではＣｏ系磁性膜の形成に引続いて
アルミニウム、マグネシウム、銀、鉛のような融点が１
０００℃以下の金属またはその合金をスパッタリングし
て、島状突起が離散的に分布している中間金属膜を形成
する。スパッタリングはアルゴン、クリプトン、キセノ
ン等の不活性ガスに窒素ガスを０．１〜５容量％、好ま
しくは０．１〜２容量％混合した不活性ガス−窒素ガス
雰囲気中で、１〜３０ｍＴｏｒｒ、好ましくは３〜１０
ｍＴｏｒｒの圧力で行なう。雰囲気中の窒素ガスの比率
が高くなると、島状突起が離散せずに連続膜となりＣＳ
Ｓ耐久性が悪化する。またガス圧力が高くなると成膜速
度が著るしく低下し、且つスパッタガスが膜中に取り込
まれるので好ましくない。
は、基板としてはＮｉＰめっきしたアルミニウム合金基
板やガラス基板、カーボン基板などの常用の非磁性基板
が用いられる。この基板上に常法に従ってＣｒ下地膜を
形成し、更にその上にＣｏＮｉＣｒ系、ＣｏＣｒＴａ
系、ＣｏＣｒＰｔ系等のＣｏ系磁性膜を形成する。これ
らの膜の形成は不活性ガス、通常はアルゴンガス雰囲気
中で行なう。本発明ではＣｏ系磁性膜の形成に引続いて
アルミニウム、マグネシウム、銀、鉛のような融点が１
０００℃以下の金属またはその合金をスパッタリングし
て、島状突起が離散的に分布している中間金属膜を形成
する。スパッタリングはアルゴン、クリプトン、キセノ
ン等の不活性ガスに窒素ガスを０．１〜５容量％、好ま
しくは０．１〜２容量％混合した不活性ガス−窒素ガス
雰囲気中で、１〜３０ｍＴｏｒｒ、好ましくは３〜１０
ｍＴｏｒｒの圧力で行なう。雰囲気中の窒素ガスの比率
が高くなると、島状突起が離散せずに連続膜となりＣＳ
Ｓ耐久性が悪化する。またガス圧力が高くなると成膜速
度が著るしく低下し、且つスパッタガスが膜中に取り込
まれるので好ましくない。
【０００７】スパッタリングに際しての基板の温度は、
ＮｉＰ非磁性膜を有する基板の場合には１５０〜２８０
℃が好ましく、これ以上の高温ではＮｉＰ膜が結晶化し
て磁性を帯び、得られる磁気記録媒体の記録再生特性を
悪化させるおそれがある。ガラス基板やカーボン基板そ
の他のＮｉＰ非磁性膜を有していない基板の場合には、
基板温度は１３０〜４００℃、好ましくは１３０〜３０
０℃である。成膜時間は成膜速度に基づいて２０〜３０
０Å、好ましくは２０〜２００Åの膜厚となるように制
御すればよい。このようにして成膜すると、大きさが２
００〜２０００Åで、高さが３０〜５００Åの島状突起
が、５００〜１００００個／１００μｍ 2 の密度で分布
している不連続膜が形成される。なお、本明細書におい
て島状突起の大きさとは、電子顕微鏡写真において測定
される島状突起の面積に相当する円の直径であり、複数
箇所の電子顕微鏡写真からの平均値である。また、島状
突起の高さは原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓ
ｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＮａｎｏＳｃｏｐｅ、カンチレ
バー先端曲率半径１５ｎｍ）により複数の突起を測定し
た平均値（最高高さの平均値）あるが、簡単には断面の
電子顕微鏡写真から求めることができる。
ＮｉＰ非磁性膜を有する基板の場合には１５０〜２８０
℃が好ましく、これ以上の高温ではＮｉＰ膜が結晶化し
て磁性を帯び、得られる磁気記録媒体の記録再生特性を
悪化させるおそれがある。ガラス基板やカーボン基板そ
の他のＮｉＰ非磁性膜を有していない基板の場合には、
基板温度は１３０〜４００℃、好ましくは１３０〜３０
０℃である。成膜時間は成膜速度に基づいて２０〜３０
０Å、好ましくは２０〜２００Åの膜厚となるように制
御すればよい。このようにして成膜すると、大きさが２
００〜２０００Åで、高さが３０〜５００Åの島状突起
が、５００〜１００００個／１００μｍ 2 の密度で分布
している不連続膜が形成される。なお、本明細書におい
て島状突起の大きさとは、電子顕微鏡写真において測定
される島状突起の面積に相当する円の直径であり、複数
箇所の電子顕微鏡写真からの平均値である。また、島状
突起の高さは原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓ
ｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＮａｎｏＳｃｏｐｅ、カンチレ
バー先端曲率半径１５ｎｍ）により複数の突起を測定し
た平均値（最高高さの平均値）あるが、簡単には断面の
電子顕微鏡写真から求めることができる。
【０００８】中間金属膜を成膜したのち、その上に炭素
質保護膜を成膜する。炭素質保護膜の厚さは中間金属膜
の島状突起の高さの０．２〜５倍、好ましくは０．２〜
２倍である。特に５０〜２００Åの膜厚の範囲内で上記
の条件を満足するのが好ましい。炭素質保護膜の硬さは
ビッカース硬度で１５００ｋｇ／ｍｍ2 以上であること
が必要であり、特に１８００ｋｇ／ｍｍ2 以上の高硬度
であるのが好ましい。このような高硬度の炭素質保護膜
の成膜法としては、例えばアルゴン、クリプトン、キセ
ノン等の不活性ガスに水素ガスを添加した混合雰囲気中
で炭素をスパッタリングして、水素化カーボン膜を生成
させる方法がある。雰囲気ガス中の水素の比率は２〜２
０容量％であるのが好ましい。水素の比率がこれよりも
少ないと生成する保護膜の柔軟性が低下する。逆に水素
の比率が多すぎると生成する保護膜の硬度が低下し、耐
摩耗性が不十分となる傾向がある。
質保護膜を成膜する。炭素質保護膜の厚さは中間金属膜
の島状突起の高さの０．２〜５倍、好ましくは０．２〜
２倍である。特に５０〜２００Åの膜厚の範囲内で上記
の条件を満足するのが好ましい。炭素質保護膜の硬さは
ビッカース硬度で１５００ｋｇ／ｍｍ2 以上であること
が必要であり、特に１８００ｋｇ／ｍｍ2 以上の高硬度
であるのが好ましい。このような高硬度の炭素質保護膜
の成膜法としては、例えばアルゴン、クリプトン、キセ
ノン等の不活性ガスに水素ガスを添加した混合雰囲気中
で炭素をスパッタリングして、水素化カーボン膜を生成
させる方法がある。雰囲気ガス中の水素の比率は２〜２
０容量％であるのが好ましい。水素の比率がこれよりも
少ないと生成する保護膜の柔軟性が低下する。逆に水素
の比率が多すぎると生成する保護膜の硬度が低下し、耐
摩耗性が不十分となる傾向がある。
【０００９】また別法として、前述の不活性ガスに窒素
または窒素と酸素との４：１の混合ガスを雰囲気中での
濃度が０．１〜５容量％、好ましくは０．１〜３容量％
となるように添加した雰囲気中で炭素をスパッタリング
して、窒化カーボン保護膜を生成させる方法もある。炭
素質保護膜の成膜を終えたディスクは、常法により潤滑
剤、例えばフッ素系潤滑剤を１０〜４０Å程度となるよ
うに塗布して製品とする。
または窒素と酸素との４：１の混合ガスを雰囲気中での
濃度が０．１〜５容量％、好ましくは０．１〜３容量％
となるように添加した雰囲気中で炭素をスパッタリング
して、窒化カーボン保護膜を生成させる方法もある。炭
素質保護膜の成膜を終えたディスクは、常法により潤滑
剤、例えばフッ素系潤滑剤を１０〜４０Å程度となるよ
うに塗布して製品とする。
【００１０】
【実施例】以下に実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ 磁気記録媒体の製造；バッチ式ＲＦマグネトロンスパッ
タリング装置にガラス基板を装着し、２１０℃に加熱し
ながら３．７５×１０-6Ｔｏｒｒまで減圧した。この基
板上に５ｍＴｏｒｒのアルゴンガス雰囲気でＣｒ下地膜
を１０００Å成膜し、次いで基板側に−１００Ｖのバイ
アス電圧を印加しながらＣｏＮｉＣｒＢＴａ磁性膜を３
５０Å成膜した。この成膜に引続いて窒素を含むアルゴ
ンガス雰囲気中で５ｍＴｏｒｒの圧力下でアルミニウム
中間膜を成膜した。中間膜の成膜に際してはバイアス電
圧は印加せず、成膜速度から計算される膜厚が７０Åと
なるまでスパッタリングを行なった。
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ 磁気記録媒体の製造；バッチ式ＲＦマグネトロンスパッ
タリング装置にガラス基板を装着し、２１０℃に加熱し
ながら３．７５×１０-6Ｔｏｒｒまで減圧した。この基
板上に５ｍＴｏｒｒのアルゴンガス雰囲気でＣｒ下地膜
を１０００Å成膜し、次いで基板側に−１００Ｖのバイ
アス電圧を印加しながらＣｏＮｉＣｒＢＴａ磁性膜を３
５０Å成膜した。この成膜に引続いて窒素を含むアルゴ
ンガス雰囲気中で５ｍＴｏｒｒの圧力下でアルミニウム
中間膜を成膜した。中間膜の成膜に際してはバイアス電
圧は印加せず、成膜速度から計算される膜厚が７０Åと
なるまでスパッタリングを行なった。
【００１１】これに引続いて水素を１０容量％含むアル
ゴン雰囲気中で炭素のスパッタリングを行ない、水素化
カーボン保護膜を２００Å成膜した。スパッタリングを
終えたディスクをスパッタリング装置から取出し、アル
ミナテープ（８０００番手、日本ミクロコーティング社
製品）を圧空でディスク表面に押付けながらディスクを
回転させて表面の付着物などを除去した。次いでフッ素
系液体潤滑剤（商品名Ｚ−ｄｏｌ−２０００、アウジモ
ンド社製品）を浸漬引上げ法で約２５Å塗布した。
ゴン雰囲気中で炭素のスパッタリングを行ない、水素化
カーボン保護膜を２００Å成膜した。スパッタリングを
終えたディスクをスパッタリング装置から取出し、アル
ミナテープ（８０００番手、日本ミクロコーティング社
製品）を圧空でディスク表面に押付けながらディスクを
回転させて表面の付着物などを除去した。次いでフッ素
系液体潤滑剤（商品名Ｚ−ｄｏｌ−２０００、アウジモ
ンド社製品）を浸漬引上げ法で約２５Å塗布した。
【００１２】測定； 炭素質保護膜の硬度：薄膜硬度計ＭＨＡ−４００（ＮＥ
Ｃ社製品、圧子形状は対稜角８０°の三角圧子）を用
い、押し込み荷重０．１ｇｆ、押し込み速度２．７ｎｍ
／ｍｉｎで測定した。その結果、保護膜の硬度はビッカ
ース硬度で１８４０ｋｇ／ｍｍ2 であった。 アルミニウム膜の島状突起の大きさと高さ：同一バッチ
内のアルミニウム成膜を終えたディスクについて、走査
型電子顕微鏡でその大きさを観察した。突起高さは同じ
ディスクの断面を走査型電子顕微鏡で観察した。結果を
表１に示す。 ＣＳＳ試験：ヘッド荷重５ｇｆの５０％ナノスライダー
ヘッドを用い、１２秒サイクルで２万回行なった。結果
を表１に示す。
Ｃ社製品、圧子形状は対稜角８０°の三角圧子）を用
い、押し込み荷重０．１ｇｆ、押し込み速度２．７ｎｍ
／ｍｉｎで測定した。その結果、保護膜の硬度はビッカ
ース硬度で１８４０ｋｇ／ｍｍ2 であった。 アルミニウム膜の島状突起の大きさと高さ：同一バッチ
内のアルミニウム成膜を終えたディスクについて、走査
型電子顕微鏡でその大きさを観察した。突起高さは同じ
ディスクの断面を走査型電子顕微鏡で観察した。結果を
表１に示す。 ＣＳＳ試験：ヘッド荷重５ｇｆの５０％ナノスライダー
ヘッドを用い、１２秒サイクルで２万回行なった。結果
を表１に示す。
【００１３】
【表１】 ＊１ 水素を含まないアルゴン雰囲気中で炭素のスパッタリングを行なった。炭 素質保護膜の硬度は１３２０ｋｇ／ｍｍ2 であった。
【００１４】表１から明らかな如く、中間金属膜の島状
突起が大きく高さが高い場合にはヘッドクラッシュす
る。中間膜成膜時の雰囲気中の窒素濃度が高くなるにつ
れて中間膜の島状突起の大きさ及び高さが減少しＣＳＳ
は良好となる。しかし窒素濃度が更に高くなると島状突
起がさらに小さくなり、摩擦係数がやや高くなるものの
２万回のテストには合格する。窒素の濃度を１０％まで
増すと島状突起が生成せずに連続膜となり、用をなさな
くなる。また島状突起の大きさ高さとしては適正であっ
ても、炭素質保護膜が軟らかいアモルファスカーボンで
あると、ヘッドクラッシュする。
突起が大きく高さが高い場合にはヘッドクラッシュす
る。中間膜成膜時の雰囲気中の窒素濃度が高くなるにつ
れて中間膜の島状突起の大きさ及び高さが減少しＣＳＳ
は良好となる。しかし窒素濃度が更に高くなると島状突
起がさらに小さくなり、摩擦係数がやや高くなるものの
２万回のテストには合格する。窒素の濃度を１０％まで
増すと島状突起が生成せずに連続膜となり、用をなさな
くなる。また島状突起の大きさ高さとしては適正であっ
ても、炭素質保護膜が軟らかいアモルファスカーボンで
あると、ヘッドクラッシュする。
【００１５】実施例２ 実施例１において、ガラス基板の加熱温度を変更した以
外は実施例１と同様にして実験を行なった。結果を表２
に示す。
外は実施例１と同様にして実験を行なった。結果を表２
に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】表２から明らかな如く、基板温度が高くな
るにつれて中間膜の島状突起の大きさ（および高さ）が
大きくなる。
るにつれて中間膜の島状突起の大きさ（および高さ）が
大きくなる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る磁気記録媒体は、Ｃｏ系磁
性膜の上に融点が１０００℃以下の比較的軟かい金属ま
たはその合金の島状突起が不連続に分布している中間膜
を有し、さらにその上に高硬度の炭素質保護膜が形成さ
れている。そのためＣＳＳ耐久性に優れ、かつ保護膜の
表面にはその下の比較的平坦で且つ高さのそろった島状
突起の形状が反映されているので、出力変動の小さい出
力波形が得られる。
性膜の上に融点が１０００℃以下の比較的軟かい金属ま
たはその合金の島状突起が不連続に分布している中間膜
を有し、さらにその上に高硬度の炭素質保護膜が形成さ
れている。そのためＣＳＳ耐久性に優れ、かつ保護膜の
表面にはその下の比較的平坦で且つ高さのそろった島状
突起の形状が反映されているので、出力変動の小さい出
力波形が得られる。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少くとも金属下地膜、磁
性膜及び保護膜が順次積層されて成る磁気記録媒体にお
いて、磁性膜上に更に融点が１０００℃以下の金属また
はその合金から成る島状突起が離散的に分布している中
間金属膜が形成されており、且つ保護膜がビッカース硬
さで表示して１５００ｋｇ／ｍｍ2 以上の硬さを有する
炭素質保護膜であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 中間金属膜が、大きさ２００〜２０００
Å、高さ３０〜５００Åの島状突起が５００〜１０００
０個／１００μｍ2 の密度で分布して形成されており、
且つ炭素質保護膜の厚さが島状突起の高さの０．２〜５
倍であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 スパッタリングによる磁性膜の形成に引
続いて、融点が１０００℃以下の金属またはその合金
を、窒素を０．１〜５容量％含有する不活性ガス−窒素
混合ガス雰囲気中で磁性膜上にスパッタリングすること
を特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13773195A JPH08329452A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13773195A JPH08329452A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329452A true JPH08329452A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15205522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13773195A Pending JPH08329452A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329452A (ja) |
-
1995
- 1995-06-05 JP JP13773195A patent/JPH08329452A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5474830A (en) | Magnetic recording medium and method for the manufacture thereof including spaced apart deposits | |
| US6844046B2 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and sputtering target | |
| US4900397A (en) | Production of magnetic recording media | |
| US5413835A (en) | Magnetic recording medium having an underlayer of low melting point metal alloy in the form of spherically shaped structures | |
| JPH08180407A (ja) | テキスチャ化磁気記憶ディスクの製造方法 | |
| JP4023408B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用基板、垂直磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
| US6727010B2 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and medium substrate | |
| JP2697227B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH05143972A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造法 | |
| JPH0676261A (ja) | 磁気記録ディスクファイル | |
| JPH08329452A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPS62103823A (ja) | 磁気デイスク | |
| JP2535410B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3652616B2 (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、磁気記録再生装置、およびスパッタリングターゲット | |
| JP2811167B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH04255908A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH10283626A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS62236116A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0793738A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3028668B2 (ja) | 磁気記憶体の製造方法 | |
| JP3051851B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH1125441A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPH04137217A (ja) | 磁気特性に優れた磁気ディスクの製造法 | |
| JPH09326114A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08339538A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |