JPH08325199A - ３−メチルアジピン酸ジエステル化合物およびこれを含む液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 配向性あるいは電気光学特性等を調整した組
成物を作成することができ、また反強誘電性相の安定
性、しきい値特性、相転移温度、配向性あるいは電気光
学特性等を調整できる新規な３-メチルアジピン酸ジエ
ステル化合物およびらせんピッチの大きさが制御された
強誘電性液晶組成物、あるいは反強誘電性相の安定性お
よびしきい値特性等が調整された反強誘電性液晶組成物
を提供すること。 【構成】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数２〜１８の直鎖のアルキル基または
そのα位にメチル基を有する炭素数３〜１９のアルキル
基を示し、ａおよびｂはそれぞれ１または２、ｃおよび
ｄはそれぞれ１または０で、ａ＝２、ｃ＝０かつｄ＝１
の化合物は含まれない。尚、式中の芳香環の１以上の水
素はハロゲン基、メトキシ基またはメチル基で置換され
ていてもよい。）で表わされる新規な３-メチルアジピ
ン酸ジエステル化合物および前記化合物の少なくとも１
種以上を含有することからなる液晶組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な３-メチル
アジピン酸ジエステル化合物またはその光学活性体およ
びこれらの少なくとも一種を含む液晶組成物に関する。
この３-メチルアジピン酸ジエステル化合物およびこれ
を含む液晶組成物はディスプレイ、記録素子、ライトバ
ルブあるいはプロジェクター等のオプトエレクトロニク
ス関連素子を構成する液晶材料として極めて有用であ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、強誘電性液晶の光スイッチング現
象を利用した表示素子が、クラーク(N. A. Clark)とラ
ガーヴァール(S. T. Lagerwall)により提案された〔ア
プライドフィジックス レター(Applied Phys. Lett.)，
36，899頁 (1980)〕。この強誘電性液晶を利用した素子
は双安定性を有し、しかも、従来のＴＮ型あるいはＳＴ
Ｎ型と呼ばれる表示方式の液晶素子に比べて光学的な応
答がμsecのオーダーと速いという優れた特徴を有して
いる。

【０００３】この強誘電性液晶素子において、良好なコ
ントラストを得るためには、液晶組成物が液体-コレス
テリック(Ch)相-スメクチックＡ(S_A)相-キラルスメクテ
ィックＣ(S_c ^*)相という相系列をとり、かつCh相、S_c ^*相
のらせんピッチを長くする必要であり、また、応答速度
を速くするためには、自発分極(Ps)を大きくしなければ
ならない。

【０００４】強誘電性液晶組成物は、非キラルなベース
液晶に光学活性化合物を加えることによって調製できる
が、上記要件を満たすためには、この場合の光学活性化
合物は自発分極が大きく、しかもピッチの長いものが必
要となる。しかし、通常は、大きな自発分極を発現させ
る分子構造のものは、同時に短いらせんピッチを発現さ
せる。従って、光学活性化合物を添加して応答速度を速
く、すなわち、自発分極を大きくすればするほど、Ch
相、S_c ^*相のらせんピッチが短くなり、コントラストが
低下することになる。

【０００５】ところで、らせんピッチには左向きと右向
きがあり、また自発分極にも＋向きと−向きがある。ら
せんピッチの長さを長くするためにはこのらせんピッチ
の向きの逆のものを添加すれば良い。しかし、このらせ
んピッチの向きと自発分極の向きは化合物にほぼ共通な
もので、一方の向きが逆になった化合物を作ることは困
難である。したがって、らせんピッチを長くするため
に、らせんピッチが逆向きの化合物を添加すると自発分
極が打ち消されて弱くなる。また、らせんピッチが短い
方がねじり力は強く、逆向きのらせんピッチに添加して
らせんピッチを長くするためには、らせんピッチが短い
方が添加量を少なくできる。

【０００６】そこで、自発分極にはあまり影響を与え
ず、短いらせんピッチを誘起する化合物が添加材料とし
て望まれる。

【０００７】このような化合物として、本発明者らは、
下記一般式（II）

【化２】 （式中、Ｒはアルキル基、＊は光学活性が誘起された不
斉炭素を示す）で表される化合物(J. Mater. Chem., 19
94, 4, p449および特開平６-３０６０５５号公報)を提
案し、これらがCh相およびS_c ^*相の両相において短いら
せんピッチを誘起することを示した。しかしながら、こ
のらせんピッチは短ければ短いほど良く、さらに短いら
せんピッチを誘起する化合物が求められている。

【０００８】一方、最近、強誘電性液晶材料を用いた動
作モードとして、従来の表面安定型強誘電性液晶ディス
プレイ(SSFLCDs)に代えて、新たに、階調表示が可能な
ショートピッチ双安定強誘電性液晶ディスプレイ(SBFLC
Ds)と呼ばれる方式(J. Fuenfschilling, M. Schadt、Jp
n. J. Appl. Phys., 1991, 30, p741)と、変形らせん強
誘電性液晶ディスプレイ(DHFLCDs)と呼ばれる方式(L.
A. Beresnev 他、Liquid Crystals, 1989, 5, p1171)が
提案されている。これらの新しい動作モードを適用する
場合は、キラルスメクチックＣ(S_c ^*)相で、短いらせん
ピッチを有する液晶材料が必要である。

【０００９】さらに、S_c ^*相での良好な配向を得ること
はコントラストを向上させるために重要であるが、その
ためにはCh相のピッチを長くする必要がある。この目的
のためにはS_c ^*相とCh相のらせん構造のねじれの向きが
逆方向である化合物を得ることが必要であるが、通常は
S_c ^*相とCh相のねじれの向きは同一方向である化合物が
多い。ねじれの向きがS_c ^*相とCh相では逆方向となる化
合物であって、自発分極にはあまり影響を与えず、短い
らせんピッチを誘起するものとして、本発明者らは、下
記一般式（III）

【化３】 （式中、Ｒはアルキル基、＊は光学活性が誘起された不
斉炭素を示す）で表される化合物を提案したが(特願平
６-８２６０１号明細書)、まだ分子構造とS_c ^*相とCh相
のねじれの向きの相関については十分に理解が得られて
はおらず、現状ではS_c ^*相とCh相のねじれ構造のらせん
の向きを独立に制御するのは困難であった。

【００１０】また、１９８９年に東京工業大学の福田、
竹添らによりMHPOBCと略称される液晶において反強誘電
性相が発見され〔Jpn.J.Appl.Phys.,28(1989),L126
5〕、さらに電場誘起反強誘電-強誘電相転移に基づく３
安定状態間スイッチングが提案された〔テレビジョン学
会誌,44,536,(1990)〕。反強誘電性相は自発分極を持た
ないため、スイッチング不良という現像は生じず、配向
性、安定性も良好であると言われている。そこで反強誘
電性を示す液晶材料についても研究が進められている
が、まだ分子構造と物性の相関については十分な理解が
得られていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するもので、本発明の目的は強誘電性液晶材料と混合
することにより、自発分極等に影響を与えることが少な
く、S_c ^*相とCh相のらせんピッチの大きさを制御できる
ため、強誘電性液晶材料開発において配向性あるいは電
気光学特性等を調整した組成物を作成することができ、
また、反強誘電性液晶材料となる組成物の一部あるいは
全部として用いることにより、反強誘電性相の安定性、
しきい値特性、相転移温度、配向性あるいは電気光学特
性等を調整することができる新規な３-メチルアジピン
酸ジエステル化合物およびこれを含むらせんピッチの大
きさが制御された強誘電性液晶組成物、あるいは反強誘
電性相の安定性およびしきい値特性等が調整された反強
誘電性液晶組成物を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（Ｉ）

【化４】 （式中、Ｒは炭素数２〜１８の直鎖のアルキル基または
そのα位にメチル基を有する炭素数３〜１９のアルキル
基を示し、ａおよびｂはそれぞれ１または２、ｃおよび
ｄはそれぞれ１または０で、ａ＝２、ｃ＝０かつｄ＝１
の化合物は含まれない。尚、式中の芳香環の１以上の水
素はハロゲン基、メトキシ基またはメチル基で置換され
ていてもよい。）で表わされる新規な３-メチルアジピ
ン酸ジエステル化合物で、特に好ましくは、前記化合物
において、不斉炭素の少なくとも１つ以上が光学活性を
誘起されていることからなる３-メチルアジピン酸ジエ
ステル化合物の光学活性体、および前記３-メチルアジ
ピン酸ジエステル化合物またはその光学活性体の少なく
とも１種以上を含有することからなる液晶組成物であ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】上記一般式（Ｉ）で表わされる化
合物としては次のものを例示できる。

【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【化１２】 この化合物のうち、代表的なものについて理化学的性質
を次に示す。

【００１４】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４
-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル)フェニル〕エス
テル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.０６(d,J=8.9Hz,4
H)、７.１５(d,J=8.9Hz,4H)、５.０８-５.２０(m,2H)、
２.６０-２.７４(m,3H)、２.４６-２.５５(m,1H)、２.
１５-２.２９(m,1H)、１.８９-２.０４(m,1H)、１.５２
-１.８２(m,4H)、１.２０-１.４２(m,22H)、１.１４(d,
J=6.6Hz,3H)、０.８８(t,J=6.9Hz,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９００、２８５０、１７５０、１７
０５、１５９６、１４４０ ＭＳ(m/z)：６２４〔M⁺〕、３７５、２６３、１２１

【００１５】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４
-(１-メチルヘプチルオキシカルボニルフェノキシカル
ボニルフェニル〕エステル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ）：８.２３(d,J=8.7Hz,4
H)、８.１１(d,J=8.7Hz,4H)、７.２７(d,J=8.7Hz,4H)、
７.２６(d,J=8.7Hz,4H)、５.１６(m,2H)、２.６２-２.
７８(m,3H)、２.５０-２.６０(m,1H)、２.２１-２.３４
(m,1H)、１.９４-２.０８(m,1H)、１.５３-１.８７(m,6
H)、１.２０-１.４６(m,21H)、１.１７(d,J=6.6Hz,3
H)、０.８８(t,J=6.6Hz,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９２０、２８６０、１７４６、１７
０８、１６００、１２６０、１１９５、１０６０ ＭＳ(m/z)：８６４〔M⁺〕、６１４、４９５ 融点(℃)：７９

【００１６】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｒ)-４
-(４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル)-４-ビフ
ェニルオキシカルボニル)-２-メトキシフェニル〕エス
テル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.１１(d,J=7.5Hz,4
H)、７.８７(d,J=8.6Hz,2H)、７.８０(s,2H)、７.６８
(d,J=7.5Hz,4H)、７.６５(d,J=7.5Hz,4H)、７.３１(d,J
=7.5Hz,4H)、７.１９(d,J=8.6Hz,2H)、５.１５-５.２０
(m,2H)、３.９３(s,6H)、２.６４-２.７６(m,3H)、２.
５９-２.６０(m,1H)、２.２４-２.３８(m,1H)、１.９４
-２.１２(m,1H)、１.５５-１.８８(m,6H)、１.２６-１.
４９(m,21H)、１.１９(d,J=6.6Hz,3H)、０.８８(br,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９２０、２８５０、１７６８、１７
３０、１７０８、１６０４、１４４９、１２７５、１１
６８、１１００ ＭＳ(m/z)：１０７６〔M⁺〕、５３８、４７６、３７５

【００１７】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｒ)-４
-(４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル)-４-ビフ
ェニルオキシカルボニル)フェニル〕エステル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.２５(d,J=８.９Hz,
４H)、８.１０(d,J=8.9Hz,4H)、７.６７(d,J=6.3Hz,4
H)、７.６４(d,J=6.3Hz,4H)、７.３０(d,J=8.9Hz,4H)、
７.２３(d,J=8.9Hz,4H)、５.１０-５.２５(m,2H)、２.
６０-２.８０(m,3H)、２.４５-２.６０(m,1H)、２.２０
-２.３５(m,1H)、１.９０-２.１５(m,1H)、１.５０-１.
８５(m,6H)、１.２５-１.５０(m,21H)、１.１７(d,J=6.
6Hz,3H)、０.８８(br,6H) IＲ(KBr,cm^-1)：２９４０、２８６０、１７５０、１７
２５、１７１０、１６００ ＭＳ(m/z)：１０１６〔M⁺〕、８１９、５０８、４４６

【００１８】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-
４'-(２-メチルヘプタノイル)-４-ビフェニル〕エステ
ル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.０１(d,J=8.1Hz,4
H)、７.６４(d,J=8.1Hz,4H)、７.６２(d,J=8.1Hz,4H)、
７.２０(d,J=8.1Hz,4H)、３.４２-３.５５(m,2H)、２.
６１-２.７５(m,3H)、２.４６-２.５６(m,1H)、２.２１
-２.３３(m,1H)、１.９４-２.０５(m,1H)、１.７４-１.
８９(m,3H)、１.１０-１.５３(m,27H)、０.８６(t,J=7.
2Hz,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９４０、２９１０、２８６０、１７
４７、１６７４、１６００、１５２０、１４９５、１４
５３、１２３２、１１６８、８４２ ＭＳ(m/z)：７４４〔M⁺〕、６６０、４３５、１８７ 融点(℃)：１１６

【００１９】(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔４'-(２
-メチルヘプタノイル)-４-ビフェニル〕エステル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.０１(d,J=8.1Hz,4
H)、７.６４(d,J=8.1Hz,4H)、７.６２(d,J=8.1Hz,4H)、
７.２０(d,J=8.1Hz,4H)、３.４２-３.５５(m,2H)、２.
６１-２.７５(m,3H)、２.４６-２.５６(m,1H)、２.２１
-２.３３(m,1H)、１.９４-２.０５(m,1H)、１.７４-１.
８９(m,3H)、１.１０-１.５３(m,27H)、０.８６(t,J=7.
2Hz,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９４０、２９１０、２８６０、１７
４７、１６７４、１６００、１５２０、１４９５、１４
５３、１２３２、１１６８、８４２ ＭＳ(m/z)：７４４〔M⁺〕、６６０、４３５、１８７ 融点(℃)：９７

【００２０】３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４'-(２
-メチルヘプタノイル)-４-ビフェニル〕エステル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(CDCl₃,TMS基準,δ)：８.０１(d,J=8.1Hz,4
H)、７.６４(d,J=8.1Hz,4H)、７.６２(d,J=8.1Hz,4H)、
７.２０(d,J=8.1Hz,4H)、３.４２-３.５５(m,2H)、２.
６１-２.７５(m,3H)、２.４６-２.５６(m,1H)、２.２１
-２.３３(m,1H)、１.９４-２.０５(m,1H)、１.７４-１.
８９(m,3H)、１.１０-１.５３(m,27H)、０.８６(t,J=7.
2Hz,6H) ＩＲ(KBr,cm^-1)：２９４０、２９１０、２８６０、１７
４７、１６７４、１６００、１５２０、１４９５、１４
５３、１２３２、１１６８、８４２ ＭＳ(m/z)：７４４〔M⁺〕、６６０、４３５、１８７ 融点(℃)：１２４

【００２１】３-メチルアジピン酸 ビス〔４-(４-ヘプ
チルオキシカルボニル-４'-ビフェニルオキシカルボニ
ル)-２-メトキシフェニル〕エステル ¹ Ｈ-ＮＭＲ(270MHz,CDCl₃,TMS基準,δ)：８.１２(d,J=
8.4Hz,4H)、７.８７(d,J=8.2Hz,2H)、７.８０(s,2H)、
７.６９(d,J=8.5Hz,4H)、７.６６(d,J=8.5Hz,4H)、７.
３１(d,J=8.4Hz,4H)、７.１９(d,J=8.2Hz,2H)、４.３４
(t,J=6.8Hz,4H)、３.９３(s,6H)、２.４９-２.８０(m,4
H)、１.９６-２.３６(m,2H)、１.７１-１.８８(m,6H)、
１.２８-１.５２(m,15H)、１.１９(d,J=6.8Hz,3H)、０.
９０(t,J=6.8Hz,6H) ＩＲ(拡散反射法,KBr,cm^-1)：２９２０、２８４０、１
７６０、１７４０、１７２０、１６０３、１４８８、１
２９０、１２１２ ＭＳ(m/z)：１０４８〔M⁺〕、５８７、５２４、４６１

【００２２】これらの化合物のうち、ａ＝１、ｃ＝０、
ｄ＝０の化合物は、次ぎに示す反応スキームにより合成
することができる。

【数１】

【００２３】すなわち、４-アルカノイルフェノールと
３-メチルアジピン酸とを、４-ジメチルアミノピリジン
等の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド等の脱水剤を用いてエステル化させることにより得ら
れる。ａ＝２、ｃ＝０、ｄ＝０の化合物は、次ぎに示す
反応スキームにより合成することができる。

【数２】

【００２４】すなわち、４-ヒドロキシ-４'-アルカノイ
ルビフェニルと３-メチルアジピン酸とを４-ジメチルア
ミノピリジン等の触媒の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド等の脱水剤を用いてエステル化さ
せることにより得られる。ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ
＝０の化合物は、次ぎに示す反応スキームにより合成す
ることができる。

【数３】

【００２５】すなわち、４-ヒドロキシ安息香酸の水酸
基をクロロギ酸アルキルで保護して、４-アルコキシカ
ルボニルオキシ安息香酸とし、これと４-アルカノイル
フェノールとを、４-ジメチルアミノピリジン等の触媒
の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド
等の脱水剤を用いて縮合反応させた後、脱保護し、これ
を３-メチルアジピン酸とエステル化させることにより
得られる。ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝１、ｄ＝０の化合物
は、次ぎに示す反応スキームにより合成することができ
る。

【数４】

【００２６】すなわち、４-ヒドロキシ-４'-アルカノイ
ルビフェニルと４-アルコキシカルボニルオキシ安息香
酸とを４-ジメチルアミノピリジン等の触媒の存在下
に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水
剤を用いて縮合反応させた後、脱保護し、これを３-メ
チルアジピン酸とエステル化させることにより得られ
る。ａ＝２、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝０の化合物は、次ぎ
に示す反応スキームにより合成することができる。

【数５】

【００２７】すなわち、４-ヒドロキシ-４'-ビフェニル
カルボン酸の水酸基をクロロギ酸アルキルで保護して、
４-アルコキシカルボニルオキシ-４'-ビフェニルカルボ
ン酸とし、これと４-アルカノイルフェノールとを４-ジ
メチルアミノピリジン等の触媒の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤を用いて縮合
反応させた後、脱保護し、これを３-メチルアジピン酸
とエステル化させることにより得られる。ａ＝２、ｂ＝
２、ｃ＝１、ｄ＝０の化合物は、次ぎに示す反応スキー
ムにより合成することができる。

【数６】

【００２８】すなわち、４-ヒドロキシ-４'-アルカノイ
ルビフェニルと４-アルコキシカルボニルオキシ-４'-ビ
フェニルカルボン酸とを４-ジメチルアミノピリジン等
の触媒の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジ
イミド等の脱水剤を用いて縮合反応させた後、脱保護
し、これを３-メチルアジピン酸とエステル化させるこ
とにより得られる。ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１の
化合物は、次ぎに示す反応スキームにより合成すること
ができる。

【数７】

【００２９】４-アルコキシカルボニルオキシ安息香酸
とアルカノールを、トリフェニルホスフィンおよびジエ
チルアゾジカルボキシレート等の存在下に、エステル化
した後、脱保護して４-アルコキシカルボニルフェノー
ルとし、これと４-アルコキシカルボニルオキシ安息香
酸とを４-ジメチルアミノピリジン等の触媒の存在下
に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水
剤を用いて縮合反応させた後、脱保護し、これを３-メ
チルアジピン酸とエステル化させることにより得られ
る。ａ＝１、ｃ＝０、ｄ＝１の化合物は、次ぎに示す反
応スキームにより合成することができる。

【数８】

【００３０】すなわち、４-アルコキシカルボニルフェ
ノールを４-メチルアミノピリジン等の触媒の存在下
に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水
剤を用いて、３-メチルアジピン酸とエステル化するこ
とにより得られる。ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝１、ｄ＝１の
化合物は、次ぎに示す反応スキームにより合成すること
ができる。

【数９】

【００３１】すなわち、４-アルコキシカルボニルオキ
シ安息香酸と４'-ヒドロキシ-４-アルコキシカルボニル
ビフェニルを、４-ジメチルアミノピリジン等の触媒の
存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド等
の脱水剤を用いて縮合反応させ、脱保護した後、３-メ
チルアジピン酸とエステル化させることにより得られ
る。ａ＝２、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１の化合物は、次ぎ
に示す反応スキームにより合成することができる。

【数１０】

【００３２】すなわち、４-アルコキシカルボニルオキ
シ-４'-ビフェニルカルボン酸と４-アルコキシカルボニ
ルフェノールとを、４-ジメチルアミノピリジン等の触
媒の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド等の脱水剤を用いて縮合反応させ、脱保護した後、３
-メチルアジピン酸とエステル化させることにより得ら
れる。ａ＝２、ｂ＝２、ｃ＝１、ｄ＝１の化合物は、次
ぎに示す反応スキームにより合成することができる。

【数１１】

【００３３】すなわち、４-アルコキシカルボニルオキ
シ-４'-ビフェニルカルボン酸と４-ヒドロキシ-４'-ア
ルコキシカルボニルビフェニルを４-ジメチルアミノピ
リジン等の触媒の存在下に、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド等の脱水剤を用いて縮合反応させ、脱保
護した後、３-メチルアジピン酸とエステル化させるこ
とにより得られる。

【００３４】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物はネ
マティック(Ｎ)相またはスメクティックＣ(Sc)相を示す
液晶に、少量、好ましくは、０.５〜２０重量％、特に
好ましくは１〜１０重量％添加することにより、これら
の相に非常に短いピッチ、すなわちねじれの強いらせん
構造を誘起することができ、ピッチキャンセル剤として
優れた液晶組成物とすることができる。また、上記式中
のＲがα位にメチル基をもつアルキル基を有する化合物
の場合、不斉炭素の絶対配置を適切に選択することによ
り、誘起されたコレステリック(Ch)相とカイラルスメク
ティックＣ(S_c ^*)相のらせん構造のねじれの向きを独立
に制御することができる。さらに、これらの化合物は、
単独で、あるいは２種以上混合したり、あるいは他の反
強誘電性液晶材料と混合することにより、安定な反強誘
電性相を有する液晶組成物とすることができる。

【００３５】このように液晶組成物の成分として用いる
場合、これらの化合物中のＲの炭素数は、液晶をとる領
域の温度範囲に若干影響を与えるのみで、液晶組成物に
用いる場合、この炭素数による特別の制限はない。しか
し、合成原料の入手のし易さ等から、直鎖のアルキル基
では炭素数２〜１８、特には３〜１２のものが、または
そのα位にメチル基を有するアルキル基では、炭素数３
〜１９、特には４〜１３のものが、安価となり好まし
い。

【００３６】これらの化合物に含まれる芳香環の数は、
液晶組成物の安定性、融点、液晶相における分子間相互
作用の強さ等に影響を及ぼすので、目的に応じて、選択
されるものである。また、この芳香環への置換基、特に
好ましくは、ハロゲン基、メチル基、メトキシ基の導入
は、分子の幅が広がったり、立体障害が生じて、分子が
剛直になり、液晶の安定性、融点、液晶相における分子
間相互作用の強さに影響を及ぼすので、目的に応じて、
適宜選択して、導入される。

【００３７】さらに、これらの化合物の不斉炭素のいず
れかに光学活性が導入されると、カイラリティーが生じ
る。このカイラリティーは、Ch相やS_c ^*相のねじれ構造
の強さや反強誘電性液晶相の安定性に影響を及ぼすの
で、目的に応じて、光学純度や不斉炭素の絶対配置を選
択すると良い。なお、Ｒがそのα位に光学活性なメチル
基を有している場合には、それらの不斉炭素の絶対配置
の同じものが、容易に合成できるため好ましい。

【００３８】

【実施例】

（実施例１） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス［(Ｓ)-４-(１-メチル
ヘプチルオキシカルボニル)フェニル］エステル

【００３９】（合成）(Ｓ)-４-ヒドロキシ安息香酸 １-
メチルヘプチル４g(０.０１６mol)、(Ｒ)-３-メチルア
ジピン酸１.２８g(０.００８mol)、４-ジメチルアミノ
ピリジン０.０１７gをジクロロメタン５０mlに溶解し、
室温で、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド４.１
２g(０.０２mol)を加えた。一晩撹拌後、生じた固体を
ろ別し、ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジクロロメタン：
ヘキサン＝１０：３）で精製し、高速液体クロマトグラ
フィー〔カラム；Brownlee C１８-１０４x３０mm＋Lich
sorb RP-１８(７μm)４x２５０mm、移動相；メタノール
/水＝９５/５〕による測定での純度が１００％の標記化
合物２.０８g(３.３mmol、収率４２％）を得た。この化
合物は、前述した理化学的性質を有し、比旋光度〔α〕
_D ²⁵は＋４１.０°(C＝5.00,CHCl₃)であった。

【００４０】（液晶性の評価）上記で得られた(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４-(１-メチルヘプチル
オキシカルボニル)フェニル〕エステルは、室温で液体
であり、−２０℃に降温しても液体のままであった。

【００４１】次に、４-ｎ-ヘキシル-４'-シアノビフェ
ニルからなるネマチック液晶に上記化合物を２重量％添
加し、Ch相のらせんピッチの大きさをケーノウェッジ法
(R.Cano., Bull. fr. Mineral. Cristall., 1968, 61,
20 )で、向きをコンタクト法(G.W. Gray et al, Mol. C
ryst. Liq. Cryst., Vol.34(Letters), p211, 1977)で
測定した。この結果、Ch相に２μmの右向きのピッチを
誘起していることがわかった。

【００４２】また、５-オクチル-２-(４-ヘキシルオキ
シフェニル)ピリミジン３０重量％、５-オクチル-２-
(４-デシルオキシフェニル)ピリミジン２５重量％、５-
ノニル-２-(４-ヘキシルオキシフェニル)ピリミジン１
０重量％、５-ノニル-２-(４-ノニルオキシフェニル)ピ
リミジン３５重量％からなるスメクティックＣ(S_C)相を
とる液晶組成物に上記化合物を５重量％添加し、これを
３００μmのセル厚からなるガラスセルに注入して、ガ
ラス基板と平行に配向させ、らせんピッチに対応する線
幅を光学顕微鏡により直接測定したところ、１０μmの
右向きのらせんピッチが観測された。

【００４３】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。
また融点が低いため、添加、混合し易いことがわかる。

【００４４】また、(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス
〔(Ｓ)-４-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル)フェ
ニル〕エステルを反強誘電性液晶をしめす４-オクチル
オキシビフェニルカルボン酸 ４-(１-メチルヘプチルオ
キシカルボニル)フェニルエステルに５重量％になるよ
う添加し、直流電圧印加による傾き角測定〔I. Nishiya
maet al, J. Materials Chemistry, Vol3, p149 (199
3)〕によりしきい値及び傾き角を測定した結果、前者
が、２.５V/3.5μm、後者が２０°であった。この結果
から、本発明の化合物が反強誘電性液晶のしきい値特性
等を調整することができ、反強誘電性液晶組成物を構成
する成分として有用であることが分かる。

【００４５】（実施例２） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４-(１-メチル
ヘプチルオキシカルボニルフェノキシカルボニルフェニ
ル〕エステル

【００４６】（合成） １）４-ヒドロキシ安息香酸５０.００g(０.３６mol)を
水酸化ナトリウム４３.５g(１.０９mol)水溶液に溶解
し、０℃にてクロロギ酸メチル５８.００g(０.６１mol)
を滴下した。同温度にて４時間撹拌し、５規定の塩酸１
００mlを加えて、反応液を酸性に調整した。析出した固
体をろ別した後、水洗し、乾燥した。得られた固体を、
酢酸を用いて再結晶し、４-メトキシカルボニルオキシ
安息香酸を得た。

【００４７】２）次に、この４-メトキシカルボニルオ
キシ安息香酸１９.０６g(０.０９７mol)、(Ｒ)-２-オク
タノール１２.６６g(０.０９７mol)、トリフェニルホス
フィン２５.５g(０.０９７mol)をテトラヒドロフラン２
５０mlに溶解し、室温にてジエチルアゾジカルボキシレ
ート１６.９４g(０.０９７mol)を滴下した。一晩撹拌
し、溶媒を留去し、析出した固体にジクロロメタンを加
え、残留した固体をろ別後、ろ液を濃縮した。得られた
固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒；ヘキサン：トルエン＝１：２)にて精製し、４-メト
キシカルボニルオキシ安息香酸 １-メチルヘプチルエス
テル２１.０３g(０.０６８mol、収率７０%)を得た。

【００４８】３）上記エステル化合物２１.３０g(０.０
６９mol)をエタノール２１０mlに溶解し、室温にて２９
％のアンモニア水３５mlを加えた。３時間、撹拌した
後、エタノールを減圧下に留去し、水２００mlを加え、
ジエチルエーテルで抽出した。有機層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、濃縮し、４-ヒドロキシ安息香酸
１-メチルヘプチルエステル１６.５０g(０.０６６mol、
収率９７％)を得た。

【００４９】４）上記４-ヒドロキシ安息香酸 １-メチ
ルヘプチルエステル１０.００g(０.０４mol)、４-メト
キシカルボニルオキシ安息香酸７.８４g(０.０４mol)、
および４-メチルアミノピリジン２０mgをジクロロメタ
ン２００mlに溶解し、室温にてＮ,Ｎ'-ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド９.０６g(０.０４４mol)を加えた。室
温で４時間撹拌し析出した固体をろ別した後、ろ液を濃
縮した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開溶媒；トルエン）で精製し、４-メトキシ
カルボニルオキシ安息香酸 ４-(１-メチルヘプチル)フ
ェニルエステル６.９５g(収率４０％)を得た。

【００５０】５）上記フェニルエステル化合物６.６５g
(０.０１５mol)をエタノール(６５ml)に溶解し、室温に
て２９％アンモニア水１０.９２gを滴下した。室温で１
時間撹拌後、エタノールを減圧下留去し水１００mlを加
えてエーテルで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、濃縮し、４-ヒドロキシ安息香酸 ４-
(１-メチルヘプチル)フェニルエステルを５.６９g(収率
９９%)得た。

【００５１】６）上記４-ヒドロキシ安息香酸 ４-(１-
メチルヘプチル)フェニルエステル５.００g(０.０１３
５mol)、(Ｒ)-３-メチルアジピン酸０.９８g(０.００６
１mol)、および４-ジメチルアミノピリジン０.０４gを
ジクロロメタン５０mlに溶解し、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド６.９５g(０.０３３７mol)を室温に
て加えた。３日間撹拌し、析出した固体をろ別した。ろ
液を濃縮し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（展開溶媒；トルエン-４％酢酸エチル）で
精製し、次にエタノールで再結晶して、この一部(０.２
１２g)を分取液体クロマトグラフィー（カラム；JAIGEL
-２H-４０＋JAIGEL-１H-４０)を用いて精製して、高速
液体クロマトグラフィー〔カラム；Brownlee C１８-１
０４x３０mm＋Lichsorb RP-１８(７μm)４x２５０mm、
移動相；メタノール/水＝９５/５〕による測定での純度
が９０％の標記化合物０.１４７g(０.１７０mmol）を得
た。この化合物は、前述した理化学的性質を有してい
た。

【００５２】（液晶性の評価）上記で得られた(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸 ビス［(Ｓ)-４-(１-メチルヘプチル
オキシカルボニルフェノキシカルボニルフェニル］エス
テルについて、降温時における相転移温度を測定した結
果、液体から５５℃で反強誘電性スメクティック相にな
り、４７℃で結晶あるいは高次のスメクティック相とな
った。

【００５３】次に、４-ｎ-ヘキシル-４'-シアノビフェ
ニルからなるネマチック液晶に上記化合物を２重量％添
加し、実施例１と同様な方法で、Ch相のらせんピッチを
測定した結果、Ch相に３μmの右向きのピッチを誘起し
ていることがわかった。

【００５４】また、実施例１に記載のS_C相をとる液晶組
成物に上記化合物を１重量％添加し、実施例１と同様な
方法で、らせんピッチを直接測定したところ、２６μm
の右向きのらせんピッチが観測された。

【００５５】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。

【００５６】また、この化合物の反強誘電性スメクティ
ック相の５３℃でのしきい値及び傾き角を、実施例１と
同様な方法で測定した結果、前者が、５２V/3.5μm、後
者が４５°であった。この結果から、本発明の化合物が
反強誘電性液晶のしきい値特性等を調整することがで
き、反強誘電性液晶組成物を構成する成分として有用で
あることが分かる。

【００５７】（実施例３） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス［(Ｒ)-４-(４'-(１-メ
チルヘプチルオキシカルボニル)-４-ビフェニルオキシ
カルボニル)-２-メトキシフェニル］エステル

【００５８】（合成） １）４-ヒドロキシ-２-メトキシ安息香酸３８.８５g
(０.２３mol)を水酸化ナトリウム２７.６g(０.６９mol)
含む水溶液に溶解し、０℃にてクロロギ酸メチル３６.
８１g(０.３８mol)を滴下した。同温度にて４時間撹拌
し、５規定の塩酸１２０mlを加えて、析出した固体をろ
別した後、水洗、乾燥した。得られた固体を酢酸を用い
て再結晶して、４-メトキシカルボニルオキシ-３-メト
キシ安息香酸を得た。

【００５９】２）上記４-メトキシカルボニルオキシ-３
-メトキシ安息香酸２.１１g(９mmol)、(Ｒ)-４'-ヒドロ
キシ-４-ビフェニルカルボン酸 １-メチルヘプチル３.
６６g(１１mmol)、および４-ジメチルアミノピリジン２
０mgをジクロロメタン５０mlに溶解し、室温にてＮ,Ｎ'
-ジシクロヘキシルカルボジイミド２.１６g(１０mmol)
を加えた。室温にて２時間撹拌し、析出した固体をろ別
した後、ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(展開溶媒；トルエン：酢酸エ
チル＝１００：１)およびエタノールによる再結晶によ
り精製し、４-メトキシカルボニルオキシ-３-メトキシ
安息香酸 ４-(４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニ
ル))ビフェニルエステルを３.００g(５.６mmol、収率６
２％)得た。

【００６０】３）上記４-メトキシカルボニルオキシ-３
-メトキシ安息香酸 ４'-(１-メチルヘプチルオキシカル
ボニル)ビフェニルエステル３.００g(５.６mmol)をエタ
ノール３０mlに溶解し、２９％アンモニア水５mlを滴下
した。室温で２時間撹拌した後、エタノールを減圧下留
去し水を加えてエーテルで抽出した。有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し、４-ヒドロ
キシ-３-メトキシ安息香酸 ４-(４'-(１-メチルヘプチ
ルオキシカルボニル))ビフェニルエステル２.５７g(５.
４mmol、収率９６％)を得た。

【００６１】４）上記４-ヒドロキシ-３-メトキシ安息
香酸 ４-(４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル))
ビフェニルエステル２.１３g(４.４７mmol)、(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸０.３３g(２.０３mmol)、および４-ジ
メチルアミノピリジン０.０１gをジクロロメタン５０ml
に溶解し、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシルカルボジイミド１.
０６g(５.１６mmol)を室温にて加えた。一晩撹拌し、生
じた固体をろ別後、ろ液を濃縮した。得られた固体をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジクロ
ロメタン：ヘキサン＝１０：１）および再結晶(エタノ
ール：酢酸エチル＝３：２)により精製し、高速液体ク
ロマトグラフィー〔カラム；Brownlee C１８-１０４x３
０mm＋Lichsorb RP-１８(７μm)４x２５０mm、移動相；
メタノール/水＝９５/５〕による測定での純度が９４.
５％の標記化合物０.４２g(０.３９mmol、収率１９％)
を得た。この化合物は、前述した理化学的性質を有し、
比旋光度〔α〕_D ²⁵は−１２.６°(C=5.0, CHCl₃)であっ
た。

【００６２】（液晶性の評価）上記で得られた(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸 ビス〔(Ｒ)-４-(４'-(１-メチルヘプ
チルオキシカルボニル)-４-ビフェニルオキシカルボニ
ル)-２-メトキシフェニル〕エステルについて、降温時
における相転移温度を測定した結果、液体から９７℃で
反強誘電性スメクティック相になった。

【００６３】次に、４-ｎ-ヘキシル-４'-シアノビフェ
ニルからなるネマチック液晶に上記化合物を２重量％添
加し、実施例１と同様な方法で、Ch相のらせんピッチを
測定した結果、Ch相に４μmの左向きのピッチを誘起し
ていることがわかった。

【００６４】また、実施例１に記載のS_C相をとる液晶組
成物に上記化合物を１重量％添加し、実施例１と同様な
方法で、らせんピッチを直接測定したところ、７μmの
右向きのらせんピッチが観測された。

【００６５】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。

【００６６】また、この化合物の反強誘電性スメクティ
ック相の９０℃でのしきい値及び傾き角を、実施例１と
同様な方法で測定した結果、前者が、１８V/3.4μm、後
者が２０°であった。この結果から、本発明の化合物が
反強誘電性液晶のしきい値特性等を調整することがで
き、反強誘電性液晶組成物を構成する成分として有用で
あることが分かる。

【００６７】（実施例４） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｒ)-４-(４'-(１-メ
チルヘプチルオキシカルボニル)-４-ビフェニルオキシ
カルボニル)フェニル〕エステル

【００６８】（合成） １）実施例２に記載の４-メトキシカルボニルオキシ安
息香酸２.５３g(０.０１３mol)、(Ｒ)-４'-ヒドロキシ-
４-ビフェニルカルボン酸 １-メチルヘプチル４.２２g
(１.３mmol)、４-ジメチルアミノピリジン０.０２gをジ
クロロメタン１５０mlに溶解し、室温にて、Ｎ,Ｎ'-ジ
シクロヘキシルカルボジイミド４.００g(１.９mmol)を
加えた。室温にて２日間撹拌し、析出した固体をろ別し
た後、ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒；塩化メチレン：ヘキ
サン＝１０：１)にて精製し、４-メトキシカルボニルオ
キシ安息香酸４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニ
ル)ビフェニルエステルを３.００g(６.０mmol、収率４
６％)得た。

【００６９】２）上記４-メトキシカルボニルオキシ安
息香酸 ４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニル)ビフ
ェニルエステル３.００g(６.０mmol)をエタノール５０
０mlに溶解し、２９％アンモニア水２０mlを徐々に滴下
した。室温で３日間撹拌した後、エタノールを減圧下留
去し、水を加えてエーテルで抽出した。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し４-ヒドロ
キシ安息香酸４'-(１-メチルヘプチルオキシカルボニ
ル)ビフェニルエステル２.６０g(５.８mmol、収率９８
％)を得た。

【００７０】３）上記４-ヒドロキシ安息香酸４'-(１-
メチルヘプチルオキシカルボニル)ビフェニルエステル
２.５６g(５.７４mmol)、(Ｒ)-３-メチルアジピン酸０.
４６g(２.８７mmol)、４-ジメチルアミノピリジン０.０
７gをジクロロメタン６０mlに溶解し、Ｎ,Ｎ'-ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド１.７７g(８.６１mmol)を室温
にて加えた。室温にて２日間撹拌し、生じた固体をろ別
した後、ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン：酢酸エ
チル＝９５：５）および再結晶(エタノール：酢酸エチ
ル＝３：２)により精製し、高速液体クロマトグラフィ
ー〔カラム；Brownlee C１８-１０４x３０mm＋Lichsorb
RP-１８(７μm)４x２５０mm、移動相；メタノール/水
(グラジェント)〕による測定での純度が９１.６％の標
記化合物２.０６g(２.０３mmol、収率７４％)を得た。
この化合物は、前述した理化学的性質を有し、比旋光度
〔α〕_D ²⁵は−２０.０°(C=5.0, CHCl₃)であった。

【００７１】（液晶性の評価）上記で得られた(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸 ビス〔(Ｒ)-４-(４'-(１-メチルヘプ
チルオキシカルボニル)-４-ビフェニルオキシカルボニ
ル)フェニル〕エステルについて、昇温時における相転
移温度を測定した結果、結晶から８０℃で反強誘電性ス
メクティック相に、１８２℃でS_A相になり、２０２℃で
液体になった。

【００７２】次に、４-ｎ-ヘキシル-４'-シアノビフェ
ニルからなるネマティック液晶に上記化合物を２重量％
添加し、実施例１と同様な方法でCh相のピッチを測定し
た結果、Ch相に６μmの左向きのピッチを誘起している
ことがわかった。

【００７３】また、実施例１に記載のS_C相をとる液晶組
成物に上記化合物を１重量％添加し、実施例１と同様な
方法で、らせんピッチを直接測定したところ、１５μm
の右向きのピッチが観測された。

【００７４】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加でCh相およびS_C ^*相に短いらせんピッチを誘起
し、しかも、ピッチの向きはCh相とS_C ^*相では反対であ
り、らせんピッチの調整に有用であることがわかる。

【００７５】また、この化合物の反強誘電性スメクティ
ック相の１７２℃でのしきい値を、実施例１と同様な方
法で測定した結果、６V／2.7μmであった。この結果か
ら、本発明の化合物が反強誘電性液晶組成物を構成する
成分として有用であることが分かる。

【００７６】（実施例５） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４'-(２-メチル
ヘプタノイル)-４-ビフェニル〕エステル

【００７７】（合成）(Ｓ)-４-ヒドロキシ-４'-(２-メ
チルヘプタノイル)ビフェニル３.４４g(０.０１１mo
l)、(Ｒ)-３-メチルアジピン酸０.７１g(０.００４４mo
l)および４-ジメチルアミノピリジン０.１１gをジクロ
ロメタン(６０ml)に溶解し、室温にてＮ,Ｎ'-ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド２.２８g(０.０１１mol)を加え
た。一晩撹拌し、析出した固体をろ別後、ろ液を濃縮し
た。得られた固体をエタノールで洗浄後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジクロロメタン）
およびエタノールを用いた再結晶により精製し、高速液
体クロマトグラフィー〔カラム；Brownlee C１８-１０
４x３０mm＋Lichsorb RP-１８(７μm)４x２５０mm、移
動相；水/アセトニトリル(グラジェント)〕による測定
での純度が９８.５％の標記化合物１.６６g(２.０mmo
l、収率５０％)を得た。この化合物は、前述した理化学
的性質を有していた。

【００７８】（液晶性の評価）４-ｎ-ヘキシル-４'-シ
アノビフェニルからなるネマチック液晶に上記で得られ
た(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス［(Ｓ)-４'-(２-メチ
ルヘプタノイル)-４-ビフェニル］エステルを５重量％
添加し、実施例１と同様な方法で、Ch相のらせんピッチ
を測定した結果、Ch相に４６μmの右向きのピッチを誘
起していることがわかった。

【００７９】また、実施例1に記載のS_c ^*相をとる液晶組
成物に上記化合物を２重量％添加し、実施例１と同様な
方法で、らせんピッチを直接測定したところ、６２μm
のらせんピッチが観測された。

【００８０】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。

【００８１】（実施例６） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔４'-(２-メチルヘプ
タノイル)-４-ビフェニル〕エステル

【００８２】（合成）実施例５において、(Ｓ)-４-ヒド
ロキシ-４'-(２-メチルヘプタノイル)ビフェニルに代え
て、４-ヒドロキシ-４'-(２-メチルヘプタノイル)ビフ
ェニルを用いた以外は、全く同様の方法で標記化合物を
合成した。この化合物は、前述した理化学的性質を有し
ていた。

【００８３】（液晶性の評価）４-ｎ-ヘキシル-４'-シ
アノビフェニルからなるネマチック液晶に上記で得られ
た(Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス［４'-(２-メチルヘ
プタノイル)-４-ビフェニル］エステルを５重量％添加
し、実施例１と同様な方法で、Ch相のらせんピッチを測
定した結果、Ch相に６μmの右向きのピッチを誘起して
いることがわかった。

【００８４】また、実施例１に記載したS_c ^*相をとる液
晶組成物に上記化合物を２重量％添加し、実施例１と同
様な方法で、らせんピッチを直接測定したところ、３６
μmのらせんピッチが観測された。

【００８５】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。

【００８６】（実施例７） ３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４'-(２-メチルヘプ
タノイル)-４-ビフェニル〕エステル

【００８７】（合成）実施例５において、(Ｒ)-３-メチ
ルアジピン酸に代えて、３-メチルアジピン酸を用いた
以外は、全く同様の方法で合成し、標記化合物を得た。
この化合物は、前述した理化学的性質を有していた。

【００８８】（液晶性の評価）４-ｎ-ヘキシル-４'-シ
アノビフェニルからなるネマチック液晶に上記で得られ
た３-メチルアジピン酸 ビス〔(Ｓ)-４'-(２-メチルヘ
プタノイル)-４-ビフェニル〕エステルを５重量％添加
し、実施例１と同様な方法で、Ch相のらせんピッチを測
定した結果、Ch相に４μmの左向きのピッチを誘起して
いることがわかった。

【００８９】また、実施例１に記載のS_c ^*相をとる液晶
組成物に上記化合物を２重量％添加し、実施例１と同様
な方法で、らせんピッチを直接測定したところらせんピ
ッチに対応するしま模様は観測されず、らせんピッチは
非常に長いことが分かった。

【００９０】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相に選択的に短いらせんピッチを誘起
し、らせんピッチの調整に使用しうることがわかる。

【００９１】（実施例８） (Ｒ)-３-メチルアジピン酸 ビス〔４-(４-ヘプチルカル
ボニル-４'-ビフェニルオキシカルボニル)-２-メトキシ
フェニル〕エステル

【００９２】（合成） １）４-ヒドロキシ-４'-ビフェニルカルボン酸とクロロ
ぎ酸メチルから実施例２に記載した方法と同様の方法に
より、４-メトキシカルボニルオキシ-４'-ビフェニルカ
ルボン酸を得た。

【００９３】２）４-メトキシカルボニルオキシ-４'-ビ
フェニルカルボン酸３.００g(１１.０mmol)と１-ヘプタ
ノール１.２８g(１１.０mmol)とをテトラヒドロフラン
２５０mlに溶解し、室温にてトリフェニルホスフィン
３.１４g(１２.０mmol)のテトラヒドロフラン溶液２０m
lを滴下した。同温度で、一晩撹拌し、溶媒を留去し
た。得られた固体にジクロロメタンを注ぎ、固体をろ別
した後、ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：ジクロ
ロメタン＝２：１）にて精製し、４-ヘプチルオキシカ
ルボニル-４'-メトキシカルボニルオキシビフェニル３.
４８g(９.４mmol、収率８５％)を得た。

【００９４】３）４-ヘプチルオキシカルボニル-４'-メ
トキシカルボニルオキシビフェニル３.２８g(９.４mmo
l)をエタノール１００mlに溶解し、２９％濃度のアンモ
ニア水５mlを加えた。室温にて、一晩撹拌した後、エタ
ノールを留去し、水を加え、エーテルで抽出した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去
し、４-ヘプチルオキシカルボニル-４'-ヒドロキシビフ
ェニル２.８３g(９.１mmol、収率９８％)を得た。

【００９５】４）４-ヘプチルオキシカルボニル-４'-ヒ
ドロキシビフェニル２.６２g(８.４mmol)と３-メトキシ
-４-メトキシカルボニルオキシ安息香酸１.９０g(８.４
mmol)と４-ジメチルアミノピリジン５０mgとをジクロロ
メタンに溶解し、室温にて、Ｎ,Ｎ'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド２.０６g(１０.０mmol)を加えた。室温
で、一晩撹拌した後、析出した固体をろ別し、ろ液を濃
縮した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開溶媒；ヘキサン：ジクロロメタン＝１：
３）で精製し、４-(４-ヘプチルオキシカルボニルビフ
ェニル-４'-オキシカルボニル)-２-メトキシ-１-メトキ
シカルボニルフェニル１.３７g(２.６mmol、収率３０
％)を得た。

【００９６】５）これをエタノール２００mlに溶解し、
２９％濃度のアンモニア水３mlを加えた。室温にて、一
晩撹拌した後、エタノールを留去し、水５０mlを加え、
エーテルで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、溶媒を留去し、４-(４-ヘプチルオキシカ
ルボニルビフェニル-４'-オキシカルボニル)-２-メトキ
シフェノール１.１９g(２.５７mmol、収率９８％)を得
た。

【００９７】６）４-ヒドロキシ-３-メトキシ安息香酸
４-(４-ヘプチルオキシカルボニルビフェニル)１.００g
(２.１６mmol)と(Ｒ)-３-メチルアジピン酸０.１８g
(１.１mmol)と４-ジメチルアミノピリジン２０mgとをジ
クロロメタン５０mlに溶解し、室温にて、Ｎ,Ｎ'-ジシ
クロヘキシルカルボジイミド０.５２g(２.５０mmol)を
加えた。室温で、一晩撹拌し、析出した固体をろ別後、
ろ液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開溶媒；ジクロロメタン〜ジクロロ
メタン：酢酸エチル＝３０：１）および再結晶（エタノ
ール）により精製した。この結果、高速液体クロマトグ
ラフィー〔カラム；Brownlee C１８-１０４x３０mm＋Li
chsorb RP-１８(７μm)４x２５０mm、移動相；メタノー
ル/水＝９５／５〕による測定において、純度が９９.７
％の前述した理化学的性質を有する３-メチルアジピン
酸 ビス[４-(４-ヘプチルオキシカルボニルビフェニル-
４'-オキシカルボニル)-２-メトキシフェニル]エステル
０.５６g(０.５３mmol、収率４７％)を得た。この化合
物の比旋光度〔α〕_D ²⁵は＋１７.８(C=5.0,CHCl₃)であ
った。

【００９８】（液晶性の評価）上記で得られた(Ｒ)-３-
メチルアジピン酸 ビス〔４-(４-ヘプチルオキシカルボ
ニル-４'-ビフェニルオキシカルボニル)-２-メトキシフ
ェニル〕エステルについて、降温時における相転移温度
を測定した結果、液体から１７２℃でCh相に、１２６℃
で、S_c ^*相に、１００℃で、高次のスメクティック相に
なった。

【００９９】次に、４-ｎ-ヘキシル-４'-シアノビフェ
ニルからなるネマティック液晶に上記化合物を２重量％
添加し、実施例１と同様な方法でCh相のらせんピッチの
向きを測定した結果、右向きであった。

【０１００】また、実施例１に記載のピリミジン系液晶
組成物に、上記化合物を１重量％添加し、これを３００
μmのセル厚からなるガラスセルに注入して顕微鏡によ
る組織観察〔松本・角田共著「液晶の基礎と応用」(株)工
業調査会１９９１年発行、第４９頁〕により、６４℃
で、Ch相のらせんピッチを測定した結果、１５μmのピ
ッチが認められた。また、実施例１と同様な方法で、S_c
^*相のらせんピッチを直接測定したところ、９μmの右向
きのピッチが観測された。

【０１０１】この結果から、上記本発明の化合物は、少
量の添加で、Ch相およびS_c ^*相に短いらせんピッチを誘
起し、らせんピッチの調整に有用であることがわかる。

【０１０２】また、この化合物は、単体でCh相およびS_c
^*相を安定して示し、添加した組成物のCh相やS_c ^*相の安
定性に与える影響が少ないという利点がある。

【０１０３】（実施例９）表１に示した３種類のシアノ
ビフェニル化合物を、同表に示した割合で混合し、スメ
クティック液晶構造をとる組成物Ａを調製した。

【０１０４】

【表１】

【０１０５】この組成物Ａに実施例２の化合物を２重量
％添加して液晶組成物Ｂを、組成物Ａに実施例４の化合
物を５重量％添加して液晶組成物Ｃを、それぞれ調製し
た。これらの組成物の降温時の相転移温度は、表２のと
おりであった。

【０１０６】

【表２】

【０１０７】これらの液晶組成物Ａ、Ｂ、Ｃのスメクテ
ィック相の層構造の強さを評価するため、これらの組成
物をＩＴＯ膜、ポリイミド配向膜を有し、ラビング処理
を施した２枚のガラス板からなる厚さ１２μmのセルに
注入し、スメクティックＡ相をホモジニアス配向させ
た。これらのセルに室温でそれぞれ電界を印加し、偏光
顕微鏡下、液晶の配列状態の変化を光の透過量の変化で
観察した。電界を印加しない状態での光の透過量を１０
０％としたときの印加電界(MV/m)に対する透過量(％)の
変化を表３に示す。なお、比較のため、上記液晶組成物
Ａについても全く同様にして透過量の変化を室温で測定
し、その結果を表３に併記した。

【０１０８】

【表３】

【０１０９】この結果から明らかなように、本発明の化
合物を添加することにより液晶の配列状態の変化を起こ
すに必要な印加電界を著しく低下させ、また組成物Ａの
液晶配列状態の変化が１段階であるのに比べて、発明の
化合物を添加した組成物では多段階の変化になってお
り、階調表示が可能な液晶組成物とすることが分かる。

【０１１０】

【発明の効果】以上のように、本発明の化合物は、強誘
電性液晶材料と混合することにより、自発分極等、他の
物性に影響を与えることが少なく、S_C ^*相とCh相のらせ
んピッチの大きさを制御することができ、また、強誘電
性液晶材料開発における相転移温度、しきい値電圧、配
向性、安定性、作動温度範囲、またはしきい値特性等を
調整するための反強誘電性液晶性化合物とすることがで
きるという格別の効果を奏する。これにより、らせんピ
ッチの大きさが適切に制御され、コントラストが良好
で、応答速度が速い液晶組成物あるいは反強誘電性の液
晶組成物が得られ、ディスプレイ、記録素子、ライトバ
ルブあるいはプロジェクター等のオプトエレクトロニク
ス関連素子を構成する液晶材料として極めて有用なもの
となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｍ 7:00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数２〜１８の直鎖のアルキル基または
   そのα位にメチル基を有する炭素数３〜１９のアルキル
   基を示し、ａおよびｂはそれぞれ１または２、ｃおよび
   ｄはそれぞれ１または０で、ａ＝２、ｃ＝０かつｄ＝１
   の化合物は含まれない。尚、式中の芳香環の１以上の水
   素はハロゲン基、メトキシ基またはメチル基で置換され
   ていてもよい。）で表わされる３-メチルアジピン酸ジ
   エステル化合物。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の化合物において、不斉
   炭素の少なくとも１つ以上が光学活性を誘起されている
   ことを特徴とする３-メチルアジピン酸ジエステル化合
   物の光学活性体。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の３-メチルア
   ジピン酸ジエステル化合物またはその光学活性体の少な
   くとも１種以上を含有することを特徴とする液晶組成
   物。