JPH08321568A - ソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法 - Google Patents

ソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法

Info

Publication number
JPH08321568A
JPH08321568A JP8126301A JP12630196A JPH08321568A JP H08321568 A JPH08321568 A JP H08321568A JP 8126301 A JP8126301 A JP 8126301A JP 12630196 A JP12630196 A JP 12630196A JP H08321568 A JPH08321568 A JP H08321568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder ball
semiconductor package
substrate
flat plate
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8126301A
Other languages
English (en)
Inventor
Yon Uku Ho
ヨン ウク ホ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ANAMU IND KK
Legrand Korea Co Ltd
Original Assignee
ANAMU IND KK
Anam Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ANAMU IND KK, Anam Industrial Co Ltd filed Critical ANAMU IND KK
Publication of JPH08321568A publication Critical patent/JPH08321568A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の製造工程中の高温工程による基
板の曲がりで起こるソルダボールの高さの不均一を改善
することである。 【解決手段】 ソルダボールを入出力端子として使用す
る半導体パッケージにおいて、ソルダボール3が付着し
た基板2を、熱変形のない平板4と接触するように平板
4上に配置し、加熱手段5により所定温度で一定時間加
熱してソルダボール3を一定レベルに溶融させてから冷
却させた後、基板2と平板4を分離させることによりソ
ルダボール3の一側を変形させて基板2上のソルダボー
ルアレイを平坦化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はソルダボール(So
lder Ball)を入出力端子として使用する半導
体パッケージの平坦化方法に関するもので、特に、半導
体装置の製造工程中の高温工程による基板の曲がりによ
り引き起こされる不良を防止し、ソルダボールの偏平度
を向上させる方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、次世代半導体パッケージとして注
目を浴びているBGA(Ball Grid Arra
y)、SuperBGA及びTapeBGA等のように
ソルダボールを入出力端子として使用する半導体装置
は、大部分基板材料としてPCB類又はポリイミドテー
プ等を使用している。従って、製造工程中で高温(15
0℃以上)の工程を経る間、資材が熱的ストレスを受
け、各資材、例えば、図6のプラスチックボディ1とP
CB基板2の熱膨張係数が相違するため、図6のギャッ
プ(G)だけの曲がりが発生する。
【0003】BGAパッケージの場合は、基板の一側だ
けモルディングされるワンサイド(one−side)
モルディング方式を採択しているため、前記曲がり現象
はさらに大きくなる。この時、基板の一面に付着された
ソルダボール3のアレイは基板2の曲がりとともに曲が
るため、ソルダボールアレイの偏平度(Coplana
rity)が悪化する。
【0004】このようにソルダボールアレイの偏平度が
悪化してその程度を越えると、半導体装置をマザーボー
ド(Mother Board)に実装する時、図7の
ように特定位置に配置されたソルダボール、例えば、図
7(A)の場合は基板の外郭側に配置されたソルダボー
ルが、図7(B)の場合は基板の内側に配置されたソル
ダボールがマザーボードの接点に接触せず、このため、
製品の機能を喪失する場合が発生することになる。
【0005】従来技術では、プラスチックボディ及び基
板の曲がりを防止することに主力を注いでいた。即ち、
図8に示すように、半導体パッケージのプラスチックボ
ディ1の形状を正四角形又は直四角形の形状から、熱に
対する応力に強い他の形状、例えば、ボディの端形状を
丸やかなラウンド形状に変形させるか、図9に示すよう
に、前記ボディ1の端角(θ)を一般に7〜12°から
25〜35°にしてボディ1及び基板2の曲がりを最小
化しようとしていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな曲がりの防止のための方法は、ボディ内部のチップ
を保護し資材間の亀裂を防止するためのものであって、
半導体装置をマザーボードに実装する時の接触度向上を
考慮したものでなかった。従って、図6及び図7の場
合、プラスチックボディの曲がりは改善されるが基板の
曲がりの改善は期待しにくい。本発明は上記した点に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、プ
ラスチックボディ及び基板の曲がりにかかわらず、マザ
ーボードに接触する全体のソルダボールの端部位置を均
一にして、その付着性、接触性を向上させることを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するた
め、本発明に係るソルダボールを入出力端子として使用
する半導体パッケージの平坦化方法は、ソルダボールを
入出力端子として使用する半導体パッケージにおいて、
ソルダボールが付着した基板を、ソルダボールとの熱に
よる接着がなく、且つ、熱変形のない平板と接触するよ
うに平板を配置し、加熱手段により所定温度で一定時間
加熱してソルダボールを一定レベルに溶融させてから冷
却させた後、前記基板と前記平板を分離させることによ
りソルダボールの一側を変形させて基板上のソルダボー
ルアレイを平坦化させることを特徴とする。
【0008】また、前記加熱手段内で加熱される半導体
パッケージと平板の配列は、ソルダボールが上向きにな
るように配置された基板上に前記平板が置かれて、ソル
ダボールの溶融時、平板の重量によりソルダボールが変
形することを特徴とする。
【0009】また、前記加熱手段内で加熱される半導体
パッケージと平板の配列は、前記平板上にソルダボール
が下向きになるように基板が配置されて、ソルダボール
の溶融時、半導体パッケージの重量によりソルダボール
が変形することを特徴とする。
【0010】また、前記平板はガラス板、石英板、シリ
コン板及びポリイミドフィルムでなる群から選択される
ことを特徴とする。
【0011】また、前記加熱手段は炉であることを特徴
とする。
【0012】また、前記加熱手段で基板、ソルダボール
及び平板を加熱する温度は175〜235℃であること
を特徴とする。
【0013】また、前記加熱手段で基板、ソルダボール
及び平板を加熱する時間は30秒〜60秒であることを
特徴とする。
【0014】また、加熱手段による加熱後のソルダボー
ルの形状は、基板内側のソルダボールの変形が最も大き
く、基板の外郭部に行くほどに変形が減少する形状であ
ることを特徴とする。
【0015】また、加熱手段による加熱後のソルダボー
ルの形状は、基板内側のソルダボールの変形が最も小さ
く、基板の外郭部に行くほどに変形が大きい形状である
ことを特徴とする。
【0016】また、ソルダボールが付着された基板とソ
ルダボールに接触してソルダボールを平坦化させる平板
との間に所定高さのストッパーを挿入することにより、
ソルダボールの変形が前記ストッパー高さ以下に制限さ
れることを特徴とする。
【0017】また、前記ストッパーは熱変形がない材質
であることを特徴とする。
【0018】また、前記ストッパーの高さはソルダボー
ルの直径より小さいことを特徴とする。
【0019】上述の方法によれば、所定温度の炉内で、
上側にソルダボールが置かれた基板上にソルダボールと
の熱による接着がなく熱変形のない平板を置くことによ
り、ソルダボールが適切に溶融された時、平板の重量に
よりソルダボールの相対的高さが均一になる。又、前記
炉内で平板上にソルダボールが下向するように基板を置
くことにより、ソルダボールが適切に溶融された時、基
板及びボディの重量によりソルダボールの相対的高さが
均一になる。
【0020】また、本発明のソルダボールを入出力端子
として使用する半導体パッケージの平坦化方法は、ソル
ダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージ
において、固い平板上に前記半導体パッケージを置き、
上側から硬質の平板で所定圧力で加圧することにより基
板上のソルダボールアレイを平坦化させることを特徴と
する。
【0021】また、前記半導体パッケージはソルダボー
ルアレイが上向きになるように固い平板上に置かれ、上
側から硬質の平板がソルダボールと直接接触して加圧さ
れることを特徴とする。
【0022】また、前記半導体パッケージはソルダボー
ルアレイが下向きになるように固い平板上に置かれ、上
側に硬質の平板が置かれることにより、ソルダボールア
レイが下部平板と接触して加圧されることを特徴とす
る。
【0023】また、前記硬質の平板により加圧された後
のソルダボールは、基板内側のソルダボールの変形が最
も大きく、基板外郭部に行くほどに変形が減少する形状
であることを特徴とする。
【0024】また、前記硬質の平板により加圧された後
のソルダボールは、基板内側のソルダボールの変形が最
も小さく、基板外郭部に行くほどに変形が大きい形状で
あることを特徴とする。
【0025】また、ソルダボールが付着された基板とソ
ルダボールに接触してソルダボールを平坦化させる平板
との間に所定高さのストッパーを挿入することにより、
ソルダボールの変形が前記ストッパー高さ以下に制限さ
れることを特徴とする。
【0026】また、前記ストッパーの高さはソルダボー
ルの直径より小さいことを特徴とする。
【0027】上記した第二の方法は、固い平板上にソル
ダボールが上向するように基板を置き、上側から硬質の
平板で所定圧力で加圧するか、固い平板上にソルダボー
ルが下向するように基板を置き、機械的方法で上側から
平板で所定圧力で加圧することによりソルダボールの相
対的高さを均一になるようにするものである。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づいて本
発明の実施の形態を説明する。図1は本発明によるソル
ダボールの平坦化のための一例を示す図である。即ち、
図1(A)に示すように、プラスチックボディ1と基板
2とからなるBGAパッケージを、ソルダボール3が下
向きになるように、熱変形がなく、且つ、非溶融性の平
板4上に置く。前記平板4としては、ガラス板、石英
板、シリコン板、ガリウム砒素(GaAs)板、ポリイ
ミドフィルム(Polyimide Film)等が使
用できる。
【0029】その後、平板4上に置かれたBGAパッケ
ージを加熱手段5で所定時間加熱する。加熱手段5とし
ては、炉を使用するか、オーブンを使用する。この際、
加熱手段5の加熱温度は175〜235℃に維持し、加
熱時間は30秒〜1分程度にする。
【0030】パッケージが加熱手段5で加熱されると、
ソルダボール3が少し溶融しながらパッケージ自体の重
量により高さが均一に平坦化される(図1(B))。平
坦化されたソルダボール3の形状を見ると、基板2の曲
がりはそのまま維持された状態で、基板2の位置によっ
てソルダボール3の形状が変形されたことがわかる。
【0031】即ち、図1(B)で、基板2の内側に置か
れたソルダボール3はパッケージからより大きい荷重を
受けて大きく変形するのでソルダボール3の高さが低く
なる。従って、基板2の左右側の外郭部に置かれたソル
ダボール3の高さは高く、内側のソルダボールほど高さ
が低くなり、このため、変形が殆どない状況で下側の平
板と接触することになる。このように、ソルダボール3
の変形は基板2の内側に行くほどに大きくなり、基板2
の外郭に行くほどに変形が小さくなる。
【0032】その後、溶融されたソルダボールは大気中
で冷却され、溶融時の形状を維持することになる。図1
(C)はソルダボールが完全に冷却された状態で下側の
非溶融性平板4を除去した形状を示す。
【0033】図2は図1の実施例に類似した方式である
が、加熱手段内でBGAを加熱する方式に少しの変化を
与えたものである。即ち、図2(A)に示すように、ソ
ルダボール3が上向きになるように、ボールグリッドア
レイパッケージを配置し、ソルダボール3上に非溶融性
平板4を置く。このような状態で加熱手段5で加熱す
る。前述した加熱温度及び時間で加熱すると、ソルダボ
ール3の形状は、図2(B)に示すように、ソルダボー
ル3の溶融により基板2の内側のソルダボール3は変形
が大となり、ソルダボール3の高さが低くなり、左右外
郭のボール3は殆ど変形しない状態で、全体のボールの
相対的高さが平坦化されることがわかる。
【0034】この場合にも、ソルダボール3の上部に置
かれる非溶融性平板4はソルダボール3全体に接触し得
る程度の大きさ及び重さを有するようにする。図2
(C)はソルダボール3が溶融されて全体のボールアレ
イが平坦化された状態を示している。このような状態
で、大気中で冷却させ非溶融性平板4を取り外すと、図
2(C)のように、ソルダボール3の相対高さが平坦化
されたパッケージが得られる。
【0035】図3は本発明のさらに他の実施例を示すも
ので、機械的方法によりBGAパッケージのソルダボー
ルアレイを平坦化させる方法を示す。第一の方法による
と、図3(A)に示すように、固い平板4上に、ソルダ
ボール3が上向きになるように、曲がっている基板を置
く。その後、上側から加圧手段である硬質の平板6を所
定圧力でソルダボール3を加圧することにより、ソルダ
ボールアレイの相対高さを平坦化させる。
【0036】第二の方法によると、図3(B)に示すよ
うに、固い平板4上に、ソルダボールが下向きになるよ
うに、基板を置き、上側から内部が陥没した加圧手段6
1を用い所定圧力で加圧することにより、ソルダボール
アレイの相対高さを一致させて全体的に平坦化させる。
【0037】この際、前記加圧手段61は、プラスチッ
クボディに損傷を与えないため、前記ボディより広くか
つ少し深く形成して使用する。図4(A)は本発明を実
施することにより平坦化されたソルダボールアレイの形
状を示す。
【0038】このように、本発明によると、加熱手段に
よる方法、又は、機械的方法により、ボールアレイは基
板の内側と左右外郭部での相対高さが等しくなる。
【0039】即ち、基板2が図4(A)のように曲が
り、内側が盛り上がっており左右外郭部が反対側に曲が
っている場合、盛り上がった内側のソルダボール3は平
坦化作業により大きく変形され、ソルダボール3の高さ
がかなり低くなる。一方、基板2の左右外郭部のソルダ
ボール3はあまり変形せず、原形が略維持される。
【0040】図4(B)は変形した各ソルダボール3を
拡大した図で、基板2に付着したソルダボール3の下部
が変形したことが示されている。
【0041】ところで、加熱手段の加熱温度が高すぎる
場合、又は、加熱時間を過度に延長させた場合、ソルダ
ボール3が過度に溶融するので、ソルダボール間でショ
ートが発生したり、マザーボードとの接続時にもショー
トする可能性がある。
【0042】又、機械的方法でソルダボールアレイを平
坦化させる場合にも、上部の加圧手段でパッケージに過
度な力を加えると、ソルダボール3が過度な変形を起こ
し、マザーボードに実装する際、誤動作を起こすことが
ある。
【0043】これを防止するためには、図5に示すよう
に、ソルダボール3が付着した基板2とソルダボール3
に接触してソルダボール3を平坦化させる平板4との間
に、ソルダボールの直径より小さい高さのストッパー7
を挿入することにより、ソルダボール3の変形が一定範
囲以上にならないように、即ち、ストッパー7の高さ以
下に制限されるように構成している。
【0044】前記ストッパーもやはり熱変形のない物質
を使用する。前記ストッパーは、図5に示すように、基
板の左右側に二つ使用するか、四つのコーナー部に使用
する。又、中央部のソルダボール間に十字形のストッパ
ーを使用することもできる。
【0045】上記説明では、基板2の内側のソルダボー
ルの変形が外郭部のソルダボールに較べ大きい場合を例
にして説明したが、基板の曲がり方によっては、上記と
反対になることが起ることは当然である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のBGAパ
ッケージ平坦化方法によると、パッケージの基板の曲が
りによる半導体パッケージとマザーボード間の接触不良
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるソルダボールの平坦化方法の一実
施例を示す断面図である。
【図2】本発明によるソルダボールの平坦化方法の他の
実施例を示す断面図である。
【図3】本発明のさらに他の実施例である機械的方法に
よりソルダボールアレイを平坦化させることを示す断面
図である。
【図4】本発明により平坦化されたソルダボールの形状
を示す断面図及び部分拡大図である。
【図5】本発明によるストッパーを使用する状態を示す
断面図である。
【図6】従来技術を示す図であり、ボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの曲がりによるソルダボールの偏平
度不良状態を示す断面図である。
【図7】図6のパッケージがマザーボードに実装される
時の接触不良を示す断面図である。
【図8】従来の半導体パッケージの曲がりを改善するた
めの方法を示す平面図である。
【図9】図8の側面図である。
【符号の説明】
1 プラスチックボディ 2 基板 3 ソルダボール 4 平板 5 加熱手段 7 ストッパー

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ソルダボールを入出力端子として使用す
    る半導体パッケージにおいて、ソルダボールが付着した
    基板を、ソルダボールとの熱による接着がなく、且つ、
    熱変形のない平板と接触するように平板を配置し、加熱
    手段により所定温度で一定時間加熱してソルダボールを
    一定レベルに溶融させてから冷却させた後、前記基板と
    前記平板を分離させることによりソルダボールの一側を
    変形させて基板上のソルダボールアレイを平坦化させる
    ことを特徴とするソルダボールを入出力端子として使用
    する半導体パッケージの平坦化方法。
  2. 【請求項2】 前記加熱手段内で加熱される半導体パッ
    ケージと平板の配列は、ソルダボールが上向きになるよ
    うに配置された基板上に前記平板が置かれて、ソルダボ
    ールの溶融時、平板の重量によりソルダボールが変形す
    ることを特徴とする請求項1記載のソルダボールを入出
    力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法。
  3. 【請求項3】 前記加熱手段内で加熱される半導体パッ
    ケージと平板の配列は、前記平板上にソルダボールが下
    向きになるように基板が配置されて、ソルダボールの溶
    融時、半導体パッケージの重量によりソルダボールが変
    形することを特徴とする請求項1記載のソルダボールを
    入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方
    法。
  4. 【請求項4】 前記平板はガラス板、石英板、シリコン
    板及びポリイミドフィルムでなる群から選択されること
    を特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のソルダボ
    ールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平
    坦化方法。
  5. 【請求項5】 前記加熱手段は炉であることを特徴とす
    る請求項1乃至3のいずれか記載のソルダボールを入出
    力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法。
  6. 【請求項6】 前記加熱手段で基板、ソルダボール及び
    平板を加熱する温度は175〜235℃であることを特
    徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のソルダボール
    を入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化
    方法。
  7. 【請求項7】 前記加熱手段で基板、ソルダボール及び
    平板を加熱する時間は30秒〜60秒であることを特徴
    とする請求項6記載のソルダボールを入出力端子として
    使用する半導体パッケージの平坦化方法。
  8. 【請求項8】 加熱手段による加熱後のソルダボールの
    形状は、基板内側のソルダボールの変形が最も大きく、
    基板の外郭部に行くほどに変形が減少する形状であるこ
    とを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のソルダ
    ボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの
    平坦化方法。
  9. 【請求項9】 加熱手段による加熱後のソルダボールの
    形状は、基板内側のソルダボールの変形が最も小さく、
    基板の外郭部に行くほどに変形が大きい形状であること
    を特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のソルダボ
    ールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平
    坦化方法。
  10. 【請求項10】 ソルダボールが付着された基板とソル
    ダボールに接触してソルダボールを平坦化させる平板と
    の間に所定高さのストッパーを挿入することにより、ソ
    ルダボールの変形が前記ストッパー高さ以下に制限され
    ることを特徴とする請求項1又は3記載のソルダボール
    を入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化
    方法。
  11. 【請求項11】 前記ストッパーは熱変形がない材質で
    あることを特徴とする請求項10記載のソルダボールを
    入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方
    法。
  12. 【請求項12】 前記ストッパーの高さはソルダボール
    の直径より小さいことを特徴とする請求項10記載のソ
    ルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケー
    ジの平坦化方法。
  13. 【請求項13】 ソルダボールを入出力端子として使用
    する半導体パッケージにおいて、固い平板上に前記半導
    体パッケージを置き、上側から硬質の平板で所定圧力で
    加圧することにより基板上のソルダボールアレイを平坦
    化させることを特徴とするソルダボールを入出力端子と
    して使用する半導体パッケージの平坦化方法。
  14. 【請求項14】 前記半導体パッケージはソルダボール
    アレイが上向きになるように固い平板上に置かれ、上側
    から硬質の平板がソルダボールと直接接触して加圧され
    ることを特徴とする請求項13記載のソルダボールを入
    出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方
    法。
  15. 【請求項15】 前記半導体パッケージはソルダボール
    アレイが下向きになるように固い平板上に置かれ、上側
    に硬質の平板が置かれることにより、ソルダボールアレ
    イが下部平板と接触して加圧されることを特徴とする請
    求項13記載のソルダボールを入出力端子として使用す
    る半導体パッケージの平坦化方法。
  16. 【請求項16】 前記硬質の平板により加圧された後の
    ソルダボールは、基板内側のソルダボールの変形が最も
    大きく、基板外郭部に行くほどに変形が減少する形状で
    あることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか記
    載のソルダボールを入出力端子として使用する半導体パ
    ッケージの平坦化方法。
  17. 【請求項17】 前記硬質の平板により加圧された後の
    ソルダボールは、基板内側のソルダボールの変形が最も
    小さく、基板外郭部に行くほどに変形が大きい形状であ
    ることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか記載
    のソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッ
    ケージの平坦化方法。
  18. 【請求項18】 ソルダボールが付着された基板とソル
    ダボールに接触してソルダボールを平坦化させる平板と
    の間に所定高さのストッパーを挿入することにより、ソ
    ルダボールの変形が前記ストッパー高さ以下に制限され
    ることを特徴とする請求項13又は15記載のソルダボ
    ールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平
    坦化方法。
  19. 【請求項19】 前記ストッパーの高さはソルダボール
    の直径より小さいことを特徴とする請求項18記載のソ
    ルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケー
    ジの平坦化方法。
JP8126301A 1995-04-29 1996-04-24 ソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法 Pending JPH08321568A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1995P10418 1995-04-29
KR1019950010418A KR0179473B1 (ko) 1995-04-29 1995-04-29 솔더볼을 입출력 단자로 사용하는 반도체 패키지의 평탄화 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08321568A true JPH08321568A (ja) 1996-12-03

Family

ID=19413320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8126301A Pending JPH08321568A (ja) 1995-04-29 1996-04-24 ソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH08321568A (ja)
KR (1) KR0179473B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2845521A1 (fr) * 2002-10-04 2004-04-09 Wavecom Procede et dispositif de remise en forme, notamment de remise en etat de la planeite, des elements d'interconnexion d'un module electronique, par refusion sous contrainte

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210656A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Toshiba Corp バンプ電極型半導体装置の製造方法
JPS63117450A (ja) * 1986-11-06 1988-05-21 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210656A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Toshiba Corp バンプ電極型半導体装置の製造方法
JPS63117450A (ja) * 1986-11-06 1988-05-21 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2845521A1 (fr) * 2002-10-04 2004-04-09 Wavecom Procede et dispositif de remise en forme, notamment de remise en etat de la planeite, des elements d'interconnexion d'un module electronique, par refusion sous contrainte
WO2004032585A1 (fr) * 2002-10-04 2004-04-15 Wavecom Procede et dispositif de remise en forme, notamment de remise en etat de la planeite, des elements d'interconnexion d'un module electronique, par refusion sous contrainte.

Also Published As

Publication number Publication date
KR0179473B1 (ko) 1999-03-20
KR960039299A (ko) 1996-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1329953B1 (en) Carbon nanotube thermal interface structures
US7439101B2 (en) Resin encapsulation molding method for semiconductor device
US6498051B1 (en) Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive
US20050156309A1 (en) Semiconductor sensor
US20050142691A1 (en) Mounting structure of semiconductor chip, semiconductor device and method of making the semiconductor device
US8067835B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor module
US8603860B2 (en) Process for forming packages
JPH11186326A (ja) 半導体装置
CN101071777A (zh) 半导体器件的制造方法
EP0898305A2 (en) Structure and method for packaging semiconductor chip
JP2002141444A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH08321568A (ja) ソルダボールを入出力端子として使用する半導体パッケージの平坦化方法
JPS6349900B2 (ja)
JPH02146757A (ja) 半導体装置
US20020079578A1 (en) Semiconductor device having exposed adhesive sheet and method for manufacturing the same
JPH10125734A (ja) 半導体ユニットおよびその製造方法
JP4075323B2 (ja) 回路基板の接合方法
US6008072A (en) Tape automated bonding method
US20210358885A1 (en) Laser bonding method and a semiconductor package including a bonding part and a bonding target
US7284686B2 (en) Mounting method of bump-equipped electronic component and mounting structure of the same
JP2751427B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20070114266A1 (en) Method and device to elongate a solder joint
US6194780B1 (en) Tape automated bonding method and bonded structure
JP2597244B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20070194457A1 (en) Semiconductor package featuring thin semiconductor substrate and liquid crystal polymer sheet, and method for manufacturing such semiconductor package