JPH0832036A - ゲートアレイ - Google Patents
ゲートアレイInfo
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- JPH0832036A JPH0832036A JP6162426A JP16242694A JPH0832036A JP H0832036 A JPH0832036 A JP H0832036A JP 6162426 A JP6162426 A JP 6162426A JP 16242694 A JP16242694 A JP 16242694A JP H0832036 A JPH0832036 A JP H0832036A
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
チップ面積の縮小を図り得るゲートアレイを提供するこ
とを目的とする。 【構成】論理ゲートを構成する第一の基本セル1と、論
理ゲート間に介在されるトランスファーゲートを構成す
る第二の基本セル11とが多数配列されてゲートアレイ
が構成される。第一の基本セル1間に第二の基本セル1
1が配置され、第二の基本セル11には、その両側に配
置される第一の基本セル1のトランジスタ数の和の半分
の数のトランジスタが形成される。
Description
列して構成されるゲートアレイのセルレイアウトに関す
るものである。
積化が要請され、かつコストの低減を図るためにチップ
面積の縮小を図ることが必要となっている。多数の基本
セルを配列して構成されるゲートアレイでは、基本セル
を効率よくレイアウトして面積の縮小を図ることが必要
となっている。
の基本セルの一例を図4に示す。基本セル1aは、P型
拡散領域2aと、N型拡散領域3aと、各拡散領域に跨
がる2本のゲート電極4とで、PチャネルMOSトラン
ジスタ及びNチャネルMOSトランジスタが二つずつ形
成される。
型拡散領域3bと、各拡散領域2b,3bに跨がる2本
のゲート電極4とで、PチャネルMOSトランジスタ及
びNチャネルMOSトランジスタが2個ずつ形成され
る。
本セル1cは、4つのN型拡散領域3c〜3fと、各拡
散領域3c〜3fに跨がる2本のゲート電極4とで、前
記基本セル1a,1bで構成されるトランジスタより小
さなディメンジョンで8個のNチャネルMOSトランジ
スタが形成される。
1は83.2μm、基本セル1cの長辺側の寸法L2は
24.4μm、前記拡散領域3c〜3fの長辺側の寸法
L3は9.1μm、前記拡散領域3c〜3fの短辺側の
寸法L4は5.2μm、各拡散領域3c〜3f間の最小
寸法L5は0.8μm、ゲート電極4の幅寸法L6は
0.8μmとして形成される。
cを一組として、基板上に多数の基本セルがレイアウト
される。前記基本セル1a〜1cで図5に示すシングル
ポート型のSRAMの記憶セルが構成される。すなわ
ち、基本セル1aを構成するトランジスタが所定の配線
(図示しない)で接続されて、二つのインバータ回路5
a,5bが構成され、両インバータ回路5a,5bに接
続される二つのトランスファーゲート6a,6bは、基
本セル1c内の二つのトランジスタで構成される。
二つのトランジスタとを使用して、同様な記憶セルが構
成される。従って、基本セル1a〜1cで二つの記憶セ
ルが構成される。
SRAMの二つの記憶セルが形成されるとき、その二つ
の記憶セルに必要なトランスファーゲートは4個であ
る。従って、基本セル1c内の8個のトランジスタのう
ち、図4に破線で示す4個のトランジスタ6が二つの記
憶セルのトランスファーゲートとして使用され、他の4
個のトランジスタは使用されない。
は、前記シングルポート型の記憶セルに加えて、図5に
破線で示す2個のトランスファーゲート6c,6dが必
要となる。
SRAMの二つの記憶セルが形成されるとき、その二つ
の記憶セルに必要なトランスファーゲートは8個とな
る。従って、基本セル1c内のトランジスタがすべて使
用される。
OSゲートアレイに基づいて、配線を変えることによ
り、シングルポート型あるいはデュアルポート型のSR
AMのメモリセルアレイが形成される。
ゲートアレイでは、シングルポート型のSRAMの記憶
セルを形成すると、基本セル1cにおいて使用されない
トランジスタが発生する。
が増大し、上記CMOSゲートアレイでシングルポート
型のSRAMを形成することが多くなっている。従っ
て、小ディメンジョンのトランジスタが形成される多数
の基本セル1cにおいて、使用されない領域がそれぞれ
存在するため、セルレイアウトの効率が悪いという問題
点がある。
イアウトして、チップ面積の縮小を図り得るCMOSゲ
ートアレイを提供することにある。
図である。すなわち、論理ゲートを構成する第一の基本
セル1と、前記論理ゲート間に介在されるトランスファ
ーゲートを構成する第二の基本セル11とが多数配列さ
れてゲートアレイが構成される。前記第一の基本セル1
間に前記第二の基本セル11が配置され、前記第二の基
本セル11にはその両側に配置される第一の基本セル1
のトランジスタ数の和の半分の数のトランジスタが形成
される。
ル1a,1b間に前記第二の基本セル11aがそれぞれ
配置され、前記第二の基本セル11aには第一の基本セ
ル1a,1bのトランジスタ数の半分の数のトランジス
タが形成される。
は、第一の基本セル1a,1bを構成するトランジスタ
よりトランジスタ幅の小さいトランジスタで構成され
る。
成する各論理ゲート間に介在されるトランスファーゲー
トとして必要な数のトランジスタが形成されるので、第
二の基本セル11の面積が縮小され、各基本セル1,1
1が効率よくレイアウトされる。
a,1bでそれぞれ構成されるCMOSラッチ回路と、
第一の基本セル1a,1b間にそれぞれ配設される第二
の基本セル11aで構成される全トランジスタとで、シ
ングルポート型SRAMの記憶セルが構成される。
するトランジスタは小さいトランジスタ幅で構成され
て、第二の基本セル11,11aの面積が縮小される。
す。なお、前記従来例と同一構成部分は同一符号を付し
て詳細な説明を省略する。
ンのNチャネルMOSトランジスタを4個形成した基本
セル11が形成される。前記基本セル11は、素子分離
された4つのN型拡散領域12a〜12d上にそれぞれ
ゲート電極13a〜13dが形成されて、4個のNチャ
ネルMOSトランジスタが形成される。
12.4μm、短辺側の寸法L12は10.6μm、各
N型拡散領域12a〜12dの短辺側の寸法L13は
2.6μm、各N型拡散領域12a〜12d間の最小寸
法L14は0.8μm、ゲート13a〜13d間の最小
寸法L15は0.8μm、ゲート電極13a〜13dの
幅寸法L16は0.8μmである。
イで、シングルポート型のSRAMの記憶セルを形成す
る場合には、基本セル1aで形成される二つのインバー
タ回路と、基本セル11内の二つのトランジスタを使用
して形成される。
ンバータ回路と、基本セル11内の残る二つのトランジ
スタを使用して、もう一つの記憶セルが形成される。従
って、シングルポート型SRAMの記憶セルを形成する
場合には、基本セル11内のトランジスタをすべて使用
して記憶セルを形成することができる。また、基本セル
11は前記従来例の基本セル1cより小さな寸法で形成
可能である。
憶セルを構成する場合には、各基本セル1a,1b,1
1を効率よく使用することができるとともに、各基本セ
ル1a,1b,11のセルレイアウトを効率よく行っ
て、チップ面積の縮小を図ることができる。
して、デュアルポート型SRAMの記憶セルを構成する
場合には、一つずつの基本セル1a,1bに対し、二つ
の基本セル11を使用することにより、対応可能であ
る。この場合には、基本セル1a,1bのうち使用され
ないセルが生じる。
に、4個のトランジスタからなる基本セル11を形成し
たが、図3に示すようにCMOSインバータ回路を構成
する各基本セル1a,1b間に、素子分離された2個ず
つのトランジスタを形成した基本セル11aを配設する
ようにしてもよい。
術思想について、以下にその効果とともに記載する。 (1)二つずつのPチャネルMOSトランジスタ及びN
チャネルMOSトランジスタでCMOSラッチ回路を構
成する第一の基本セルと、前記CMOSラッチ回路間に
トランスファーゲートとして一つずつ介在されるNチャ
ネルMOSトランジスタを構成する第二の基本セルとを
基板上に多数配列し、前記一つのCMOSラッチ回路
と、二つのトランスファーゲートとでシングルポート型
SRAMの一つの記憶セルを構成するCMOSゲートア
レイであって、前記第一の基本セル間に前記第二の基本
セルを配置し、前記第二の基本セルには4つのNチャネ
ルMOSトランジスタを形成した。第一の基本セルのC
MOSラッチ回路と、第二の基本セルのすべてのNチャ
ネルMOSトランジスタとで、シングルポート型SRA
Mの記憶セルが構成される。
ゲートを構成する第一の基本セルと、前記論理ゲート間
に介在されるトランスファーゲートを構成する第二の基
本セルとを効率よくレイアウトして、チップ面積の縮小
を図り得るCMOSゲートアレイを提供することができ
る。また、シングルポート型SRAMの記憶セルを構成
する第一の基本セル及び第二の基本セルを効率よくレイ
アウトすることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 論理ゲートを構成する第一の基本セル
と、前記論理ゲート間に介在されるトランスファーゲー
トを構成する第二の基本セルとを多数配列するゲートア
レイであって、 前記第一の基本セル間に前記第二の基本セルを配置し、
前記第二の基本セルにはその両側に配置される第一の基
本セルのトランジスタ数の和の半分の数のトランジスタ
を形成したことを特徴とするゲートアレイ。 - 【請求項2】 前記第一の基本セル間に前記第二の基本
セルをそれぞれ配置し、前記第二の基本セルには第一の
基本セルのトランジスタ数の半分の数のトランジスタを
形成したことを特徴とする請求項1記載のゲートアレ
イ。 - 【請求項3】 前記第二の基本セルは、第一の基本セル
を構成するトランジスタよりトランジスタ幅の小さいト
ランジスタで構成したことを特徴とする請求項1乃至2
のいずれかに記載のゲートアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16242694A JP3474266B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | シングルポート型sram |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16242694A JP3474266B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | シングルポート型sram |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0832036A true JPH0832036A (ja) | 1996-02-02 |
JP3474266B2 JP3474266B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=15754387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16242694A Expired - Lifetime JP3474266B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | シングルポート型sram |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3474266B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027473A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Denso Corp | 半導体装置 |
US9455024B1 (en) | 2015-04-02 | 2016-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16242694A patent/JP3474266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027473A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Denso Corp | 半導体装置 |
US9455024B1 (en) | 2015-04-02 | 2016-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3474266B2 (ja) | 2003-12-08 |
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