JPH083171A - 付加物、該付加物の製造方法及び薄膜の製造方法 - Google Patents
付加物、該付加物の製造方法及び薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH083171A JPH083171A JP7151083A JP15108395A JPH083171A JP H083171 A JPH083171 A JP H083171A JP 7151083 A JP7151083 A JP 7151083A JP 15108395 A JP15108395 A JP 15108395A JP H083171 A JPH083171 A JP H083171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crown
- adduct
- thd
- precursor
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 20
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 28
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 40
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002028 premature Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 19
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 12-crown-4 Chemical compound C1COCCOCCOCCO1 XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 15-crown-5 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCO1 VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 150000003990 18-crown-6 derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical group CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- NZEXBCLLEJJKOM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane Chemical compound FC(F)(F)CCCC(F)(F)F NZEXBCLLEJJKOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSAIZHQSHMORM-UHFFFAOYSA-N FC(CCCC(F)(F)F)(F)F.[Ba] Chemical compound FC(CCCC(F)(F)F)(F)F.[Ba] HWSAIZHQSHMORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJNGJIPPQOFCSK-UHFFFAOYSA-N [H][Sr][H] Chemical compound [H][Sr][H] KJNGJIPPQOFCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 alkali metal cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
- C07F1/005—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
- C07F13/005—Compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/04—Nickel compounds
- C07F15/045—Nickel compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/06—Cobalt compounds
- C07F15/065—Cobalt compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜を蒸着により製造する方法と、該方法に
使用する安定化した前駆物質を提供する。 【構成】 前駆物質は、Ｍ（Ｄ）Ｅ（Ｍはアルカリ金
属、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｎから選ばれる元素の
カチオン；Ｅはクラウンエーテル；Ｄはジケトンのアニ
オン）で表される付加物である。該付加物は、金属Ｍと
溶媒中のＤ，Ｅとの混合物の生成ステップ；該混合物の
還流ステップ；溶媒の除去ステップ；により製造され
る。薄膜ＭＢＯｘ（Ｍは第１の金属、Ｂは第２の金属、
ｘは０より大きい整数）は、Ｍ（Ｄ）Ｅ（Ｅはエーテ
ル、Ｄはジケトン）で表される付加物を含む固体のＭＯ
ＣＶＤ装置への導入ステップ；ＢＤ′（Ｂはニオブ、タ
ンタルから選ばれ、Ｄ′はジケトン）の該装置への導入
ステップ；該固体と該ＢＤ′との該装置での昇華による
蒸気混合物の生成ステップ；該蒸気混合物の極高温のサ
セプタへの搬送による上記薄膜の付着ステップ；により
製造される。
使用する安定化した前駆物質を提供する。 【構成】 前駆物質は、Ｍ（Ｄ）Ｅ（Ｍはアルカリ金
属、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｎから選ばれる元素の
カチオン；Ｅはクラウンエーテル；Ｄはジケトンのアニ
オン）で表される付加物である。該付加物は、金属Ｍと
溶媒中のＤ，Ｅとの混合物の生成ステップ；該混合物の
還流ステップ；溶媒の除去ステップ；により製造され
る。薄膜ＭＢＯｘ（Ｍは第１の金属、Ｂは第２の金属、
ｘは０より大きい整数）は、Ｍ（Ｄ）Ｅ（Ｅはエーテ
ル、Ｄはジケトン）で表される付加物を含む固体のＭＯ
ＣＶＤ装置への導入ステップ；ＢＤ′（Ｂはニオブ、タ
ンタルから選ばれ、Ｄ′はジケトン）の該装置への導入
ステップ；該固体と該ＢＤ′との該装置での昇華による
蒸気混合物の生成ステップ；該蒸気混合物の極高温のサ
セプタへの搬送による上記薄膜の付着ステップ；により
製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、薄膜の付
着（デポジション《ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ》）のための
技術に関し、より詳細には、薄膜を製造する前駆物質を
安定化する技術に関する。
着（デポジション《ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ》）のための
技術に関し、より詳細には、薄膜を製造する前駆物質を
安定化する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＭＯＣ
ＶＤ（金属有機化学蒸着法−ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉ
ｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）を使用する薄膜付着法は、種々の電気及び電子光
学材料、例えば、超伝導材料及び光導波路、の重要な製
造法の一つである。ＭＯＣＶＤ反応器では、１つ以上の
固体前駆物質を昇華させ、得られる蒸気を不活性キャリ
ヤーガスで加熱基板へ運び、その板上で一定の化学反応
を起こさせ薄膜生成物を付着させるものもある。
ＶＤ（金属有機化学蒸着法−ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉ
ｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）を使用する薄膜付着法は、種々の電気及び電子光
学材料、例えば、超伝導材料及び光導波路、の重要な製
造法の一つである。ＭＯＣＶＤ反応器では、１つ以上の
固体前駆物質を昇華させ、得られる蒸気を不活性キャリ
ヤーガスで加熱基板へ運び、その板上で一定の化学反応
を起こさせ薄膜生成物を付着させるものもある。
【０００３】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）は、Ｗ
ｅｒｎｂｅｒｇ，Ａ．Ａ．とＧｙｓｌｉｎｇ，Ｈ．Ｈ．
による“ＭＯＣＶＤ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｅ
ｐｉｔａｘｉａｌ ＬｉＮｂＯ３ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
ｓ Ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｓｉｎｇｌｅ−Ｓｏｕｒｃｅ
Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ＬｉＮｂ（ＯＥｔ）６”で説明
されているように、ＭＯＣＶＤを含む多様な方法の一つ
を使用して生成できる電子光学セラミックである。その
参考文献には、ＭＯＣＶＤ法を含む多くのＬｉＮｂＯ３
製造法が列挙されている。例えば、ＬｉＮｂＯ３は、従
来、リチウム２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオナト（Ｌｉ（ｔｈｄ））とＮｂ（ＯＭｅ）
５を使用する２−蒸発源のＭＯＣＶＤプロセスで製造さ
れてきた。ＬｉＮｂＯ３のＭＯＣＶＤ製造はまた、Ｃｕ
ｒｔｉｓ等に対する米国特許第３，９１１，１７６号
（名称“Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｖａｐｏｒ−ｐｈａｓ
ｅＧｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ｏｆ
Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ”）にも記述されてお
り、そこではタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）の基
板がＬｉ（ｔｈｄ）とＮｂ（ＯＭｅ）５の前駆物質から
得られるＬｉＮｂＯ３の薄膜で被覆される。
ｅｒｎｂｅｒｇ，Ａ．Ａ．とＧｙｓｌｉｎｇ，Ｈ．Ｈ．
による“ＭＯＣＶＤ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｅ
ｐｉｔａｘｉａｌ ＬｉＮｂＯ３ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
ｓ Ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｓｉｎｇｌｅ−Ｓｏｕｒｃｅ
Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ＬｉＮｂ（ＯＥｔ）６”で説明
されているように、ＭＯＣＶＤを含む多様な方法の一つ
を使用して生成できる電子光学セラミックである。その
参考文献には、ＭＯＣＶＤ法を含む多くのＬｉＮｂＯ３
製造法が列挙されている。例えば、ＬｉＮｂＯ３は、従
来、リチウム２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオナト（Ｌｉ（ｔｈｄ））とＮｂ（ＯＭｅ）
５を使用する２−蒸発源のＭＯＣＶＤプロセスで製造さ
れてきた。ＬｉＮｂＯ３のＭＯＣＶＤ製造はまた、Ｃｕ
ｒｔｉｓ等に対する米国特許第３，９１１，１７６号
（名称“Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｖａｐｏｒ−ｐｈａｓ
ｅＧｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ｏｆ
Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ”）にも記述されてお
り、そこではタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）の基
板がＬｉ（ｔｈｄ）とＮｂ（ＯＭｅ）５の前駆物質から
得られるＬｉＮｂＯ３の薄膜で被覆される。
【０００４】加えて、ＬｉＮｂＯ３は、Ｎｂ（ＯＥｔ）
５とＬｉ（ｔｈｄ）の反応によって、その状態で（ｉｎ
ｓｉｔｕｅ）生ずる単一蒸発源の前駆物質のトルエン
溶液を使用するＭＯＣＶＤプロセスで製造されてきた。
５とＬｉ（ｔｈｄ）の反応によって、その状態で（ｉｎ
ｓｉｔｕｅ）生ずる単一蒸発源の前駆物質のトルエン
溶液を使用するＭＯＣＶＤプロセスで製造されてきた。
【０００５】ＬｉＮｂＯ３製造の第三の方法は、Ｗｅｒ
ｎｂｅｒｇとＧｙｓｌｉｎｇによって報告されたもの
で、噴霧式ＭＯＣＶＤプロセスにおいて、単一蒸発源の
薬剤、ＬｉＮｂ（ＯＥｔ）６を用いるものである。
ｎｂｅｒｇとＧｙｓｌｉｎｇによって報告されたもの
で、噴霧式ＭＯＣＶＤプロセスにおいて、単一蒸発源の
薬剤、ＬｉＮｂ（ＯＥｔ）６を用いるものである。
【０００６】ＬｉＮｂＯ３製造の第四の方法は、Ｌｉ
（ｔｈｄ）とＮｂ（ｔｈｄ）４の前駆物質を使用する２
つの蒸発源固体前駆物質のＭＯＣＶＤプロセスである。
（ｔｈｄ）とＮｂ（ｔｈｄ）４の前駆物質を使用する２
つの蒸発源固体前駆物質のＭＯＣＶＤプロセスである。
【０００７】ＬｉＮｂＯ３を製造するこれらの方法に
は、多くの難点がある。第一の方法の場合、多結晶で黒
色の膜が生じ、従って光学的用途には不適当であり；第
二の方法では、表面が粗く；第三の方法では、前駆物質
の気相分解に起因して薄膜表面に幾らかの欠陥が生じ；
そして第四の方法では、Ｌｉ（ｔｈｄ）の早期酸化（ｐ
ｒｅｍａｔｕｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）が問題とな
る。この早期酸化によって炭酸リチウムのスート（ｓｏ
ｏｔ）が生じ、これが薄膜中に付着して、光学特性を低
下させるのみならず、膜の成長速度を落とすことにな
る。さらに、化学量論的にはＬｉ（ｔｈｄ）対Ｎｂ（ｔ
ｈｄ）の比率は１対１であるにもかかわらず、この方法
では７対３の比率が要求されることが分かっている。
は、多くの難点がある。第一の方法の場合、多結晶で黒
色の膜が生じ、従って光学的用途には不適当であり；第
二の方法では、表面が粗く；第三の方法では、前駆物質
の気相分解に起因して薄膜表面に幾らかの欠陥が生じ；
そして第四の方法では、Ｌｉ（ｔｈｄ）の早期酸化（ｐ
ｒｅｍａｔｕｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）が問題とな
る。この早期酸化によって炭酸リチウムのスート（ｓｏ
ｏｔ）が生じ、これが薄膜中に付着して、光学特性を低
下させるのみならず、膜の成長速度を落とすことにな
る。さらに、化学量論的にはＬｉ（ｔｈｄ）対Ｎｂ（ｔ
ｈｄ）の比率は１対１であるにもかかわらず、この方法
では７対３の比率が要求されることが分かっている。
【０００８】前駆物質について２種類の熱安定性がＭＯ
ＣＶＤ反応において係わってくる。第一の種類は、前駆
物質が昇華され、キャリヤーガスで基板に運ばれる際の
熱安定性である。第二の熱安定性は、非常に高温の基板
近辺の前駆物質の安定性である。
ＣＶＤ反応において係わってくる。第一の種類は、前駆
物質が昇華され、キャリヤーガスで基板に運ばれる際の
熱安定性である。第二の熱安定性は、非常に高温の基板
近辺の前駆物質の安定性である。
【０００９】ＬｉＮｂＯ３を製造するＭＯＣＶＤ反応器
における基板は、ほぼ７００℃である。Ｌｉ（ｔｈｄ）
は、約４００℃までは熱的に安定している。炭酸リチウ
ムのスートは、熱い基板近辺での一定量のＬｉ（ｔｈ
ｄ）の酸化で生ずる。その後、炭酸リチウムは基板上へ
付着して薄膜中に吸収される。
における基板は、ほぼ７００℃である。Ｌｉ（ｔｈｄ）
は、約４００℃までは熱的に安定している。炭酸リチウ
ムのスートは、熱い基板近辺での一定量のＬｉ（ｔｈ
ｄ）の酸化で生ずる。その後、炭酸リチウムは基板上へ
付着して薄膜中に吸収される。
【００１０】この問題を解決するための従来の対応は、
Ｈａｍｍｏｎｄ，Ｇ．Ｓ．，Ｎｏｎｈｅｂｅｌ，Ｄ．
Ｃ．，及びＷｕ，Ｃ−Ｗ．Ｓ．による“Ｉｎｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．”２，７３（１９６３）に記載された方法で生
成した市販のＬｉ（ｔｈｄ）を使用することである。ス
ートの量は、基板上への膜の付着温度を下げることによ
り、よって反応器全体の温度を下げることにより、極め
て少なくなる。しかし、それでもなお許容できない量の
スートがＬｉＮｂＯ３の膜中に吸収される。さらに、付
着温度が低いため、膜の最適結晶特性は低下することに
なる。
Ｈａｍｍｏｎｄ，Ｇ．Ｓ．，Ｎｏｎｈｅｂｅｌ，Ｄ．
Ｃ．，及びＷｕ，Ｃ−Ｗ．Ｓ．による“Ｉｎｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．”２，７３（１９６３）に記載された方法で生
成した市販のＬｉ（ｔｈｄ）を使用することである。ス
ートの量は、基板上への膜の付着温度を下げることによ
り、よって反応器全体の温度を下げることにより、極め
て少なくなる。しかし、それでもなお許容できない量の
スートがＬｉＮｂＯ３の膜中に吸収される。さらに、付
着温度が低いため、膜の最適結晶特性は低下することに
なる。
【００１１】前記を照らしてみれば、無欠陥の、スート
粒子の無い、且つ化学量論的に予想された比率に近似す
る前駆物質量の所要比率を有する高品質薄膜ＬｉＮｂＯ
３を生成するための固体源ＭＯＣＶＤプロセスが望まれ
るところである。
粒子の無い、且つ化学量論的に予想された比率に近似す
る前駆物質量の所要比率を有する高品質薄膜ＬｉＮｂＯ
３を生成するための固体源ＭＯＣＶＤプロセスが望まれ
るところである。
【００１２】従来の技術において、種々のＭＯＣＶＤ反
応に用いる前駆物質を、化学的に安定化させる幾つかの
試みがなされている。しかし、これらの従来技術の試み
は、第一の種類の前駆物質の安定化（即ち、昇華中の安
定化）に集中している。
応に用いる前駆物質を、化学的に安定化させる幾つかの
試みがなされている。しかし、これらの従来技術の試み
は、第一の種類の前駆物質の安定化（即ち、昇華中の安
定化）に集中している。
【００１３】Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
及びＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕの酸化物のような、幾つか
の超伝導酸化物の化学蒸着法に用いられるアルカリ土類
金属化合物についての多くの安定化前駆物質複合体は、
Ｔｉｍｍｅｒ，Ｋ．とＭｅｉｎｅｍａ，Ｈ．Ａ．による
“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉ
ｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＢａＸ２１８−ｃｒｏｗｎ−６
ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ．Ｂａｒｉｕｍ ｂｉｓ（１，１，
１，５，５，５−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｎｅ
−２，４−ｄｉｏｎａｔｅ）１８−ｃｒｏｗｎ−６，ａ
ｎｏｎ−ｈｙｇｒｏｓｃｏｐｉｃ，ｔｈｅｒｍａｌｌ
ｙ ｓｔａｂｌｅ，ｖｏｌａｔｉｌｅｂａｒｉｕｍ ｃ
ｏｍｐｏｕｎｄ”，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ａｃｔａ，
Ｖｏｌ．１８７，ｐｐ．９９−１０６（１９９１）に記
述されている。ここでは、例えば、Ｂａ（ｔｈｄ）１８
−クラウン−６の合成が記述されている。文献では、薄
膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの合成用前駆物質として用い
られるバリウム−β−ジケトナトは、ＭＯＣＶＤプロセ
スに必要な揮発度を得るのに要する温度で、低重合化及
び分解し易いと、指摘された。しかし、文献は、１８−
クラウン−６の配位子を含むバリウム・ヘキサフルオロ
ペンタン・ジオナトの間の複合体は、より低い温度で揮
発性があり、それらの温度で熱的に安定であることに触
れている。Ｎｏｒｍａｎ，Ｊ．Ａ．とＰｅｚ，Ｇ．Ｐ．
による“Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｂａｒｉｕｍ，Ｓｔｒｏｎ
ｔｉｕｍ ａｎｄ Ｃａｌｃｉｕｍ Ｂｉｓ（ｈｅｘａ
ｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｅｎａｔｅ）（ｃｒ
ｏｗｎ ｅｔｈｅｒ）Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ”、Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．による“Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．”ｐ
ｐ．９７１−９７２（１９９１）では、クラウンエーテ
ルとのアルカリ土類金属ジケトナト複合体についても、
同様の性質が観察されている。しかし、文献は、基板近
くの前駆物質の熱特性は議論しておらず、またＭＯＣＶ
Ｄ反応に用いられる非アルカリ土類金属化合物の安定化
は議論していない。
及びＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕの酸化物のような、幾つか
の超伝導酸化物の化学蒸着法に用いられるアルカリ土類
金属化合物についての多くの安定化前駆物質複合体は、
Ｔｉｍｍｅｒ，Ｋ．とＭｅｉｎｅｍａ，Ｈ．Ａ．による
“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉ
ｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＢａＸ２１８−ｃｒｏｗｎ−６
ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ．Ｂａｒｉｕｍ ｂｉｓ（１，１，
１，５，５，５−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｎｅ
−２，４−ｄｉｏｎａｔｅ）１８−ｃｒｏｗｎ−６，ａ
ｎｏｎ−ｈｙｇｒｏｓｃｏｐｉｃ，ｔｈｅｒｍａｌｌ
ｙ ｓｔａｂｌｅ，ｖｏｌａｔｉｌｅｂａｒｉｕｍ ｃ
ｏｍｐｏｕｎｄ”，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ａｃｔａ，
Ｖｏｌ．１８７，ｐｐ．９９−１０６（１９９１）に記
述されている。ここでは、例えば、Ｂａ（ｔｈｄ）１８
−クラウン−６の合成が記述されている。文献では、薄
膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの合成用前駆物質として用い
られるバリウム−β−ジケトナトは、ＭＯＣＶＤプロセ
スに必要な揮発度を得るのに要する温度で、低重合化及
び分解し易いと、指摘された。しかし、文献は、１８−
クラウン−６の配位子を含むバリウム・ヘキサフルオロ
ペンタン・ジオナトの間の複合体は、より低い温度で揮
発性があり、それらの温度で熱的に安定であることに触
れている。Ｎｏｒｍａｎ，Ｊ．Ａ．とＰｅｚ，Ｇ．Ｐ．
による“Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｂａｒｉｕｍ，Ｓｔｒｏｎ
ｔｉｕｍ ａｎｄ Ｃａｌｃｉｕｍ Ｂｉｓ（ｈｅｘａ
ｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｅｎａｔｅ）（ｃｒ
ｏｗｎ ｅｔｈｅｒ）Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ”、Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．による“Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．”ｐ
ｐ．９７１−９７２（１９９１）では、クラウンエーテ
ルとのアルカリ土類金属ジケトナト複合体についても、
同様の性質が観察されている。しかし、文献は、基板近
くの前駆物質の熱特性は議論しておらず、またＭＯＣＶ
Ｄ反応に用いられる非アルカリ土類金属化合物の安定化
は議論していない。
【００１４】不安定な前駆物質を用いる時に見られる別
の問題は、基板より上流での反応器壁上への材料の付着
である。
の問題は、基板より上流での反応器壁上への材料の付着
である。
【００１５】従って、アルカリ金属含有酸化物の製造用
前駆物質を安定化させて、早期酸化、気相核形成、及び
前駆物質の分解を避け、かくしてＭＯＣＶＤプロセスで
製造される薄膜の品質を改善することは望ましいことで
あろう。
前駆物質を安定化させて、早期酸化、気相核形成、及び
前駆物質の分解を避け、かくしてＭＯＣＶＤプロセスで
製造される薄膜の品質を改善することは望ましいことで
あろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】一般的に、本発明の１つ
の形態では、酸化ＭＯＣＶＤ反応器で用いる前駆物質
は、そこへ中性安定化配位子を導入することによって安
定化される。その配位子は、前駆物質の合成中に導入さ
れ、前駆物質中の金属カチオンと配位結合する。複合体
全体がより安定になり、従って早期酸化、核形成、及び
分解を殆ど起こさない。
の形態では、酸化ＭＯＣＶＤ反応器で用いる前駆物質
は、そこへ中性安定化配位子を導入することによって安
定化される。その配位子は、前駆物質の合成中に導入さ
れ、前駆物質中の金属カチオンと配位結合する。複合体
全体がより安定になり、従って早期酸化、核形成、及び
分解を殆ど起こさない。
【００１７】一具体例では、本発明は、そこへ１８−ク
ラウン−６を組込むことにより、リチウム２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト（Ｌｉ
（ｔｈｄ））を安定化するのに用いる。得られる複合体
は、薄膜ＬｉＮｂＯ３を生成するために、ＭＯＣＶＤ反
応器で、ニオブ２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオナト（Ｎｂ（ｔｈｄ））と共に用いる。
ラウン−６を組込むことにより、リチウム２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト（Ｌｉ
（ｔｈｄ））を安定化するのに用いる。得られる複合体
は、薄膜ＬｉＮｂＯ３を生成するために、ＭＯＣＶＤ反
応器で、ニオブ２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオナト（Ｎｂ（ｔｈｄ））と共に用いる。
【００１８】本発明の第二の具体例では、同じやり方で
Ｋ（ｔｈｄ）を安定化する。
Ｋ（ｔｈｄ）を安定化する。
【００１９】前駆物質の早期酸化、気相核形成、及び分
解を避けるために、中性の安定化配位子を前駆物質に導
入することにより、ＭＯＣＶＤ酸化反応器に用いる前駆
物質を安定化することは、本発明の目的とするところで
ある。
解を避けるために、中性の安定化配位子を前駆物質に導
入することにより、ＭＯＣＶＤ酸化反応器に用いる前駆
物質を安定化することは、本発明の目的とするところで
ある。
【００２０】種々の化合物の薄膜形成に用いる前駆物質
を改善することも、本発明の目的とするところである。
を改善することも、本発明の目的とするところである。
【００２１】
【実施例】本発明を以下に詳細に説明する。
【００２２】１．〔安定化されたアルカリ金属ＭＯＣＶ
Ｄ前駆物質に関する一般式〕 ＭＯＣＶＤ反応を用いる種々の化合物の高品質薄膜形成
のための、本発明による前駆物質の化学組成の例には、
下記のものが含まれる：
Ｄ前駆物質に関する一般式〕 ＭＯＣＶＤ反応を用いる種々の化合物の高品質薄膜形成
のための、本発明による前駆物質の化学組成の例には、
下記のものが含まれる：
【００２３】
【化１】Ｍ−Ｅ−Ｔ
【００２４】ここで：Ｍは、アルカリ金属を含む群から
選択される金属カチオンであり、
選択される金属カチオンであり、
【００２５】Ｅは、例えば、１８−クラウン−６、１２
−クラウン−４、及び１５−クラウン−５の群から選択
されるクラウン−エーテルであり、そして
−クラウン−４、及び１５−クラウン−５の群から選択
されるクラウン−エーテルであり、そして
【００２６】Ｔは、ジピバロイルメタン、例えば、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト
（ｔｈｄ）である。
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト
（ｔｈｄ）である。
【００２７】このＭ−Ｅ−Ｔ複合体は、酸化ＭＯＣＶＤ
反応器において、第一の前駆物質として、式Ｍ′−Ｔ′
（ここで、Ｍ′は別の金属カチオンであり、Ｔ′はＴと
同じジピバロイルメタンか又は他のジケトンの何れかで
ある）を有する第二の前駆物質と一緒に用いられる。Ｍ
の例はＬｉ及びＫであり、Ｅの例は１８−クラウン−
６、１５−クラウン−５、及び１２−クラウン−４であ
る。
反応器において、第一の前駆物質として、式Ｍ′−Ｔ′
（ここで、Ｍ′は別の金属カチオンであり、Ｔ′はＴと
同じジピバロイルメタンか又は他のジケトンの何れかで
ある）を有する第二の前駆物質と一緒に用いられる。Ｍ
の例はＬｉ及びＫであり、Ｅの例は１８−クラウン−
６、１５−クラウン−５、及び１２−クラウン−４であ
る。
【００２８】２．〔ＬｉＮｂＯ３及び他のアルカリ金属
酸化物の生成〕 ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）及び他のアルカリ金
属酸化物は、例えば、Ｈｉｓｋｅｓ，Ｒ．，ＤｉＣａｒ
ｏｌｉｓ，Ｓ．Ａ．，Ｆｏｕｑｕｅｔ，Ｊ．，Ｌｕ，
Ｚ．，Ｆｅｉｇｅｌｓｏｎ，Ｒ．Ｓ．，Ｒｏｕｔｅ，
Ｒ．Ｋ．，Ｌｅｐｌｉｎｇａｒｄ，Ｆ．及びＣ．Ｍ．Ｆ
ｏｓｔｅｒによる“Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈ
ｅ ＭＲＳ Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ”Ｄｅｃ．１９
９３において記述された装置に類似の装置で、金属有機
化学蒸着法を使用して生成してもよい。
酸化物の生成〕 ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）及び他のアルカリ金
属酸化物は、例えば、Ｈｉｓｋｅｓ，Ｒ．，ＤｉＣａｒ
ｏｌｉｓ，Ｓ．Ａ．，Ｆｏｕｑｕｅｔ，Ｊ．，Ｌｕ，
Ｚ．，Ｆｅｉｇｅｌｓｏｎ，Ｒ．Ｓ．，Ｒｏｕｔｅ，
Ｒ．Ｋ．，Ｌｅｐｌｉｎｇａｒｄ，Ｆ．及びＣ．Ｍ．Ｆ
ｏｓｔｅｒによる“Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈ
ｅ ＭＲＳ Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ”Ｄｅｃ．１９
９３において記述された装置に類似の装置で、金属有機
化学蒸着法を使用して生成してもよい。
【００２９】本発明の一具体例では、アルカリ金属酸化
物、例えば、ＬｉＮｂＯ３、のＭＯＣＶＤ生成におい
て、アルカリ金属ジピバロイルメタナト（テトラメチル
ヘプタンジオナト（ｔｈｄ）としても知られている）
は、前駆物質として使用される。例えば、ＬｉＮｂＯ３
の生成において、Ｌｉ（ｔｈｄ）とＮｂ（ｔｈｄ）が前
駆物質として使用される。
物、例えば、ＬｉＮｂＯ３、のＭＯＣＶＤ生成におい
て、アルカリ金属ジピバロイルメタナト（テトラメチル
ヘプタンジオナト（ｔｈｄ）としても知られている）
は、前駆物質として使用される。例えば、ＬｉＮｂＯ３
の生成において、Ｌｉ（ｔｈｄ）とＮｂ（ｔｈｄ）が前
駆物質として使用される。
【００３０】アルカリ金属ｔｈｄ前駆物質は、さらに中
性配位子、クラウンエーテル、を化合物に組入れること
により、熱的に安定化される。ＬｉＮｂＯ３の生成に際
し、Ｌｉ（ｔｈｄ）前駆物質は、１８−クラウン−６、
１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、又は他のク
ラウン−エーテルを化合物に導入することにより、安定
化される。
性配位子、クラウンエーテル、を化合物に組入れること
により、熱的に安定化される。ＬｉＮｂＯ３の生成に際
し、Ｌｉ（ｔｈｄ）前駆物質は、１８−クラウン−６、
１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、又は他のク
ラウン−エーテルを化合物に導入することにより、安定
化される。
【００３１】クラウン−エーテル配位子はアルカリ金属
カチオンに強く結合し、それによって、化合物が基板付
着温度に加熱されている間、その化合物は全体として早
期気相酸化に対しさらに抵抗力を持つことになる。
カチオンに強く結合し、それによって、化合物が基板付
着温度に加熱されている間、その化合物は全体として早
期気相酸化に対しさらに抵抗力を持つことになる。
【００３２】３．〔アルカリ金属ジピバロイルメタナト
・クラウン−エーテル付加物の生成〕 クラウン−エーテル配位子は、その生成中に、アルカリ
金属ジピバロイルメタナトに導入される。リチウムｔｈ
ｄを作るために、トルエンに溶解させた５％過剰モルの
ｔｈｄと５％過剰モルの１８−クラウン−６との金属リ
チウムの混合物を、２４時間還流する。この還流によっ
て約９５％のリチウム金属が溶解される。
・クラウン−エーテル付加物の生成〕 クラウン−エーテル配位子は、その生成中に、アルカリ
金属ジピバロイルメタナトに導入される。リチウムｔｈ
ｄを作るために、トルエンに溶解させた５％過剰モルの
ｔｈｄと５％過剰モルの１８−クラウン−６との金属リ
チウムの混合物を、２４時間還流する。この還流によっ
て約９５％のリチウム金属が溶解される。
【００３３】次いで、その混合物を冷却し、溶媒、即ち
トルエンを乾燥窒素を流しながら取り除き、白色ワック
ス状の固形物を得る。この白色ワックス状固形物は、Ｌ
ｉ（ｔｈｄ）、１８−クラウン−６、及び付加物Ｌｉ
（ｔｈｄ）１８−クラウン−６の混合物である。白色ワ
ックス状固形物は、ＬｉＮｂＯ３生成のためには、それ
以上精製することなく、Ｎｂ（ｔｈｄ）と共にＭＯＣＶ
Ｄ反応器に用いてよい。
トルエンを乾燥窒素を流しながら取り除き、白色ワック
ス状の固形物を得る。この白色ワックス状固形物は、Ｌ
ｉ（ｔｈｄ）、１８−クラウン−６、及び付加物Ｌｉ
（ｔｈｄ）１８−クラウン−６の混合物である。白色ワ
ックス状固形物は、ＬｉＮｂＯ３生成のためには、それ
以上精製することなく、Ｎｂ（ｔｈｄ）と共にＭＯＣＶ
Ｄ反応器に用いてよい。
【００３４】４．〔アルカリ金属ジピバロイルメタナト
・クラウン−エーテル付加物生成のための反応式〕 反応は下記一般式に従う：
・クラウン−エーテル付加物生成のための反応式〕 反応は下記一般式に従う：
【００３５】
【化２】
【００３６】ここで、Ｍは固体金属で、Ｍ＋はその対応
するカチオン；
するカチオン；
【００３７】Ｒ、Ｒ′、及びＲ″は炭化水素ラジカル；
及び
及び
【００３８】ＣＥはクラウン−エーテルである。
【００３９】特に、Ｌｉ（ｔｈｄ）１８−クラウン−６
を生成する反応を下に示す。
を生成する反応を下に示す。
【００４０】
【化３】
【００４１】１８−クラウン−６配位子は、金属カチオ
ンと配位結合し、これにより構造全体を安定化し且つ早
期気相酸化及び気相核形成を防ぐ。
ンと配位結合し、これにより構造全体を安定化し且つ早
期気相酸化及び気相核形成を防ぐ。
【００４２】上述の処理は、ＭＯＣＶＤプロセスの前駆
物質として他の安定化付加物を生成するのに利用してよ
い。例えば、リチウムよりはむしろカリウムを使用する
こと以外に、カリウム２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオナト１８−クラウン−６を生成す
るプロセスは、上述のリチウム（ｔｈｄ）１８−クラウ
ン−６を生成するプロセスと同一である。ニオブ酸カリ
ウム（ＫＮｂＯ３）を製造するＭＯＣＶＤプロセスに用
いられる時、Ｋ（ｔｈｄ）１８−クラウン−６付加物
は、Ｋ（ｔｈｄ）よりはるかに優れている。後者はカリ
ウムをわずかしか反応ゾーンへ運ばないが、上述の手順
に従って作られたＫ（ｔｈｄ）１８−クラウン−６付加
物を用いる際は、カリウムの反応ゾーンへの輸送が目視
で観察できる。
物質として他の安定化付加物を生成するのに利用してよ
い。例えば、リチウムよりはむしろカリウムを使用する
こと以外に、カリウム２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオナト１８−クラウン−６を生成す
るプロセスは、上述のリチウム（ｔｈｄ）１８−クラウ
ン−６を生成するプロセスと同一である。ニオブ酸カリ
ウム（ＫＮｂＯ３）を製造するＭＯＣＶＤプロセスに用
いられる時、Ｋ（ｔｈｄ）１８−クラウン−６付加物
は、Ｋ（ｔｈｄ）よりはるかに優れている。後者はカリ
ウムをわずかしか反応ゾーンへ運ばないが、上述の手順
に従って作られたＫ（ｔｈｄ）１８−クラウン−６付加
物を用いる際は、カリウムの反応ゾーンへの輸送が目視
で観察できる。
【００４３】アルカリ金属ジピバロイルメタナトの１８
−クラウン−６付加物を酸化ＭＯＣＶＤ反応の蒸発源と
して用いる時、クラウン−エーテル配位子無しでアルカ
リ金属ジピバロイルメタナトの前駆物質から得られるも
のより高品質のアルカリ金属含有膜が得られる。得られ
る膜は、欠陥及び粒子状物質が比較的無い。さらに、反
応器上流側の壁には、付着物が無い。その膜は、気相酸
化、核形成、及び分解が避けられるため、より高品質で
ある。
−クラウン−６付加物を酸化ＭＯＣＶＤ反応の蒸発源と
して用いる時、クラウン−エーテル配位子無しでアルカ
リ金属ジピバロイルメタナトの前駆物質から得られるも
のより高品質のアルカリ金属含有膜が得られる。得られ
る膜は、欠陥及び粒子状物質が比較的無い。さらに、反
応器上流側の壁には、付着物が無い。その膜は、気相酸
化、核形成、及び分解が避けられるため、より高品質で
ある。
【００４４】本発明の好ましい具体例についてのこれま
での記述では、Ｌｉ（ｔｈｄ）を安定化するための配位
子として１８−クラウン−６を用いている。Ｌｉ、１８
−クラウン−６、及びｔｈｄは全て、類似の元素及び化
合物と置き換えてよい。例えば、上述の技術は、タンタ
ル（ｔｈｄ）で用いてよく、且つどのようなクラウン−
エーテル、例えば、１５−クラウン−５及び１２−クラ
ウン−４、を用いてよい。
での記述では、Ｌｉ（ｔｈｄ）を安定化するための配位
子として１８−クラウン−６を用いている。Ｌｉ、１８
−クラウン−６、及びｔｈｄは全て、類似の元素及び化
合物と置き換えてよい。例えば、上述の技術は、タンタ
ル（ｔｈｄ）で用いてよく、且つどのようなクラウン−
エーテル、例えば、１５−クラウン−５及び１２−クラ
ウン−４、を用いてよい。
【００４５】以上のように、本発明は、〔１〕式：Ｍ
（Ｄ）Ｅ（式中、Ｍはアルカリ金属、銅、ニッケル、コ
バルト、マンガン、及び亜鉛から成る群から選択される
元素のカチオン；Ｅはクラウン−エーテル；及びＤはジ
ケトンのアニオンである）で表されることを特徴とする
付加物であって、次のような好ましい実施態様を有す
る。
（Ｄ）Ｅ（式中、Ｍはアルカリ金属、銅、ニッケル、コ
バルト、マンガン、及び亜鉛から成る群から選択される
元素のカチオン；Ｅはクラウン−エーテル；及びＤはジ
ケトンのアニオンである）で表されることを特徴とする
付加物であって、次のような好ましい実施態様を有す
る。
【００４６】〔２〕Ｄが、式：Ｒ（ＣＯ）Ｒ′（ＣＯ）
Ｒ″（式中、Ｒ、Ｒ′、及びＲ″は炭化水素のラジカル
である）を有する群から選択される〔１〕記載の付加
物。
Ｒ″（式中、Ｒ、Ｒ′、及びＲ″は炭化水素のラジカル
である）を有する群から選択される〔１〕記載の付加
物。
【００４７】〔３〕Ｒ及びＲ″が、同一のラジカルであ
る〔２〕記載の付加物。
る〔２〕記載の付加物。
【００４８】〔４〕Ｄが、２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−ヘプタンジオナトである〔１〕記載の付加
物。
ル−３，５−ヘプタンジオナトである〔１〕記載の付加
物。
【００４９】〔５〕Ｅが、１８−クラウン−６、１５−
クラウン−５及び１２−クラウン−４から成る群から選
択される〔１〕記載の付加物。
クラウン−５及び１２−クラウン−４から成る群から選
択される〔１〕記載の付加物。
【００５０】〔６〕Ｍが、リチウムである〔１〕記載の
付加物。
付加物。
【００５１】〔７〕Ｍが、カリウムである〔１〕記載の
付加物。
付加物。
【００５２】また、本発明は、〔８〕式：Ｍ（Ｄ）Ｅ
（式中、Ｍはアルカリ金属、銅、ニッケル、コバルト、
マンガン、及び亜鉛から成る群から選択される元素のカ
チオン；Ｅはクラウン−エーテル；及びＤはジケトンの
アニオンである）で表される付加物を製造する方法であ
って： Ａ．金属Ｍと溶媒に溶かしたＤ及びＥとの混合物を生成
するステップ； Ｂ．その混合物を還流するステップ；及び Ｃ．溶媒を除去するステップ； から成ることを特徴とし、次のような好ましい実施態様
を有する。
（式中、Ｍはアルカリ金属、銅、ニッケル、コバルト、
マンガン、及び亜鉛から成る群から選択される元素のカ
チオン；Ｅはクラウン−エーテル；及びＤはジケトンの
アニオンである）で表される付加物を製造する方法であ
って： Ａ．金属Ｍと溶媒に溶かしたＤ及びＥとの混合物を生成
するステップ； Ｂ．その混合物を還流するステップ；及び Ｃ．溶媒を除去するステップ； から成ることを特徴とし、次のような好ましい実施態様
を有する。
【００５３】
〔９〕前記の還流ステップが、１８時間を
越える〔８〕記載の付加物の製造方法。
越える〔８〕記載の付加物の製造方法。
【００５４】〔１０〕前記の還流ステップが、約２４時
間継続される
間継続される
〔９〕記載の付加物の製造方法。
【００５５】さらに、本発明は、〔１１〕薄膜ＭＢＯｘ
（式中、Ｍは第１の金属、Ｂは第２の金属、及びｘは０
より大きい整数）を製造する方法であって： Ａ．式：Ｍ（Ｄ）Ｅ（式中、Ｅはエーテル、Ｄはジケト
ンである）で表される付加物を含む固体を、ＭＯＣＶＤ
装置に導入するステップ； Ｂ．ＢＤ′（式中、Ｂはニオブ及びタンタルから成る群
から選択され、Ｄ′はジケトンである）を、前記ＭＯＣ
ＶＤ装置に導入するステップ； Ｃ．前記固体と前記ＢＤ′とを前記ＭＯＣＶＤ装置で昇
華させ、それにより蒸気混合物を生成するステップ；及
び Ｄ．前記蒸気混合物を極高温のサセプタ（ｓｕｓｃｅｐ
ｔｏｒ）に搬送し、そこでＭＢＯｘの薄膜を付着させる
ステップ； から成ることを特徴とし、次のような好ましい実施態様
を有する。
（式中、Ｍは第１の金属、Ｂは第２の金属、及びｘは０
より大きい整数）を製造する方法であって： Ａ．式：Ｍ（Ｄ）Ｅ（式中、Ｅはエーテル、Ｄはジケト
ンである）で表される付加物を含む固体を、ＭＯＣＶＤ
装置に導入するステップ； Ｂ．ＢＤ′（式中、Ｂはニオブ及びタンタルから成る群
から選択され、Ｄ′はジケトンである）を、前記ＭＯＣ
ＶＤ装置に導入するステップ； Ｃ．前記固体と前記ＢＤ′とを前記ＭＯＣＶＤ装置で昇
華させ、それにより蒸気混合物を生成するステップ；及
び Ｄ．前記蒸気混合物を極高温のサセプタ（ｓｕｓｃｅｐ
ｔｏｒ）に搬送し、そこでＭＢＯｘの薄膜を付着させる
ステップ； から成ることを特徴とし、次のような好ましい実施態様
を有する。
【００５６】〔１２〕さらに、 Ａ．１ 金属Ｍと溶媒に溶かしたＤ及びＥとを混合する
ステップ： Ａ．２ その混合物を還流するステップ；及び Ａ．３ 溶媒を除去し、それにより式：Ｍ（Ｅ）Ｄで表
される付加物を含む固形残留物を生成することから成る
〔１１〕記載の薄膜ＭＢＯｘの製造方法。
ステップ： Ａ．２ その混合物を還流するステップ；及び Ａ．３ 溶媒を除去し、それにより式：Ｍ（Ｅ）Ｄで表
される付加物を含む固形残留物を生成することから成る
〔１１〕記載の薄膜ＭＢＯｘの製造方法。
【００５７】〔１３〕Ｄ及びＤ′が、同じジケトンであ
る〔１１〕記載の薄膜ＭＢＯｘの製造方法。
る〔１１〕記載の薄膜ＭＢＯｘの製造方法。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、化学蒸着により薄膜を
製造する際に使用する該薄膜の前駆物質を安定化するこ
とができ、この結果、早期酸化、気相核形成、及び前駆
物質の分解を避け、かくしてＭＯＣＶＤプロセスで製造
される薄膜の品質を改善することができる。
製造する際に使用する該薄膜の前駆物質を安定化するこ
とができ、この結果、早期酸化、気相核形成、及び前駆
物質の分解を避け、かくしてＭＯＣＶＤプロセスで製造
される薄膜の品質を改善することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｆ 15/04 9155−4Ｈ 15/06 9155−4Ｈ Ｃ２３Ｃ 16/40
Claims (3)
- 【請求項１】 式：Ｍ（Ｄ）Ｅ（式中、Ｍはアルカリ金
属、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、及び亜鉛から
成る群から選択される元素のカチオン；Ｅはクラウン−
エーテル；及びＤはジケトンのアニオンである）で表さ
れることを特徴とする付加物。 - 【請求項２】 式：Ｍ（Ｄ）Ｅ（式中、Ｍはアルカリ金
属、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、及び亜鉛から
成る群から選択される元素のカチオン；Ｅはクラウン−
エーテル；及びＤはジケトンのアニオンである）で表さ
れる付加物を製造する方法であって： Ａ．金属Ｍと溶媒に溶かしたＤ及びＥとの混合物を生成
するステップ； Ｂ．その混合物を還流するステップ；及び Ｃ．溶媒を除去するステップ； から成ることを特徴とする前記付加物の製造方法。 - 【請求項３】 薄膜ＭＢＯｘ（式中、Ｍは第１の金属、
Ｂは第２の金属、及びｘは０より大きい整数）を製造す
る方法であって： Ａ．式：Ｍ（Ｄ）Ｅ（式中、Ｅはエーテル、Ｄはジケト
ンである）で表される付加物を含む固体を、ＭＯＣＶＤ
装置に導入するステップ； Ｂ．ＢＤ′（式中、Ｂはニオブ及びタンタルから成る群
から選択され、Ｄ′はジケトンである）を、前記ＭＯＣ
ＶＤ装置に導入するステップ； Ｃ．前記固体と前記ＢＤ′とを前記ＭＯＣＶＤ装置で昇
華させ、それにより蒸気混合物を生成するステップ；及
び Ｄ．前記蒸気混合物を極高温のサセプタ（ｓｕｓｃｅｐ
ｔｏｒ）に搬送し、そこでＭＢＯｘの薄膜を付着させる
ステップ；から成ることを特徴とする前記薄膜の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/261,572 US5412129A (en) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Stabilization of precursors for thin film deposition |
| US261572 | 1994-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH083171A true JPH083171A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=22993913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7151083A Pending JPH083171A (ja) | 1994-06-17 | 1995-05-25 | 付加物、該付加物の製造方法及び薄膜の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5412129A (ja) |
| EP (1) | EP0687677A1 (ja) |
| JP (1) | JPH083171A (ja) |
| FI (1) | FI952995A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335783B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-02-26 | Adeka Corporation | Thin film-forming material and method for producing thin film |
| KR20170107093A (ko) * | 2015-07-14 | 2017-09-22 | 엘지 나노에이치투오, 인코포레이티드 | 수분 플럭스 향상을 위한 화학 첨가제들 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323581B1 (en) | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
| US6110529A (en) * | 1990-07-06 | 2000-08-29 | Advanced Tech Materials | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| US5679815A (en) * | 1994-09-16 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum and niobium reagents useful in chemical vapor deposition processes, and process for depositing coatings using the same |
| US5916359A (en) * | 1995-03-31 | 1999-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| KR100266965B1 (ko) * | 1997-12-02 | 2000-09-15 | 김충섭 | 리튬과 13 족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물을 사용한 리튬과 13 족 금속의 복합 산화물의 제조방법 |
| US6133051A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphously deposited metal oxide ceramic films |
| US6015917A (en) * | 1998-01-23 | 2000-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate |
| US7012292B1 (en) * | 1998-11-25 | 2006-03-14 | Advanced Technology Materials, Inc | Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure |
| WO2000067300A1 (en) * | 1999-04-29 | 2000-11-09 | President And Fellows Of Harvard College | Liquid precursors for formation of materials containing alkali metals |
| US6994800B1 (en) | 1999-04-29 | 2006-02-07 | President And Fellows Of Harvard College | Liquid precursors for formation of materials containing alkali metals |
| KR100381388B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2003-04-23 | (주)유피케미칼 | 산화금속 박막 증착용 전구체 화합물 및 그를 이용한 박막증착 방법 |
| US7166732B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-01-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| US20060102895A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Hendrix Bryan C | Precursor compositions for forming tantalum-containing films, and tantalum-containing barrier films and copper-metallized semiconductor device structures |
| US9312557B2 (en) * | 2005-05-11 | 2016-04-12 | Schlumberger Technology Corporation | Fuel cell apparatus and method for downhole power systems |
| US20110060165A1 (en) * | 2006-12-05 | 2011-03-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates |
| US7750173B2 (en) * | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911176A (en) * | 1974-01-02 | 1975-10-07 | Rca Corp | Method for vapor-phase growth of thin films of lithium niobate |
| US5098516A (en) * | 1990-12-31 | 1992-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processes for the chemical vapor deposition of copper and etching of copper |
-
1994
- 1994-06-17 US US08/261,572 patent/US5412129A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-25 JP JP7151083A patent/JPH083171A/ja active Pending
- 1995-06-14 EP EP95304105A patent/EP0687677A1/en not_active Withdrawn
- 1995-06-16 FI FI952995A patent/FI952995A/fi unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335783B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-02-26 | Adeka Corporation | Thin film-forming material and method for producing thin film |
| KR20170107093A (ko) * | 2015-07-14 | 2017-09-22 | 엘지 나노에이치투오, 인코포레이티드 | 수분 플럭스 향상을 위한 화학 첨가제들 |
| JP2018516848A (ja) * | 2015-07-14 | 2018-06-28 | エルジー・ナノエイチツーオー・インコーポレイテッド | 水分流量を向上させるための化学添加剤｛ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｄｄｉｔｉｖｅｓ ｆｏｒ ｗａｔｅｒ ｆｌｕｘ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ｝ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI952995A (fi) | 1995-12-18 |
| FI952995A0 (fi) | 1995-06-16 |
| EP0687677A1 (en) | 1995-12-20 |
| US5412129A (en) | 1995-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH083171A (ja) | 付加物、該付加物の製造方法及び薄膜の製造方法 | |
| KR100343822B1 (ko) | 화학적증착법에유용한탄탈륨및니오븀시약,및상기시약을이용하여피막을침착하는방법 | |
| Valet et al. | Synthesis of homoleptic gallium alkoxide complexes and the chemical vapor deposition of gallium oxide films | |
| Hatanpää et al. | Properties of [Mg2 (thd) 4] as a precursor for atomic layer deposition of MgO thin films and crystal structures of [Mg2 (thd) 4] and [Mg (thd) 2 (EtOH) 2] | |
| US5258204A (en) | Chemical vapor deposition of metal oxide films from reaction product precursors | |
| EP1068214B1 (en) | Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same | |
| JPH03115245A (ja) | 揮発性有機バリウム、ストロンチウム及びカルシウム化合物、及びこれらの化合物からのバリウム、ストロンチウムもしくはカルシウム酸化物もしくはフッ化物を用いる層状物質の製造方法 | |
| Crosbie et al. | MOCVD of strontium tantalate thin films using novel bimetallic alkoxide precursors | |
| KR20010072098A (ko) | 화학증착을 위한 원시료로써 첨가생성된테트라하이드로퓨란 그룹 ⅱ 베타-디케토네이트 복합체 | |
| KR100807947B1 (ko) | 비대칭형 β-케토이미네이트 리간드 화합물의 제조방법 | |
| Chunggaze et al. | Deposition of cadmium sulphide thin films from the single‐source precursor bis (diethylmonothiocarbamato) cadmium (II) by low‐pressure metalorganic chemical vapour deposition | |
| JP5214191B2 (ja) | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| JP2002145836A (ja) | 新規なｉｖ族金属前駆体及びこれを使用した化学蒸着法 | |
| JP2822946B2 (ja) | 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 | |
| US5952047A (en) | CVD precursors and film preparation method using the same | |
| US4885188A (en) | Process for forming thin film of metal sulfides | |
| Milanov et al. | Mixed amide–malonate compound of hafnium as a novel monomeric precursor for MOCVD of HfO 2 thin films | |
| JP2551860B2 (ja) | 薄膜形成用金属錯体 | |
| DE4214224C2 (ja) | ||
| JPH11147888A (ja) | ２価金属および１３族金属を含む揮発性有機金属化合物、その製造方法およびそれを用いた異種金属酸化物膜の製造方法 | |
| USH1170H (en) | Volatile divalent double metal alkoxides | |
| EP0574807A1 (en) | Chemical vapor deposition of metal oxide films | |
| JP3919930B2 (ja) | β−ジケトン系アルカリ土類金属錯体の合成法 | |
| Malandrino et al. | An MOCVD Route to Barium Borate Thin Films from a Barium Hydro‐tri (1‐pyrazolyl) borate Single‐Source Precursor | |
| US6409830B1 (en) | Process for preparing a limo2 type heterometallic oxide film |