JPH0831449B2 - 閉込められたプラズマエッチングを使用する材料除去装置 - Google Patents
閉込められたプラズマエッチングを使用する材料除去装置Info
- Publication number
- JPH0831449B2 JPH0831449B2 JP4333308A JP33330892A JPH0831449B2 JP H0831449 B2 JPH0831449 B2 JP H0831449B2 JP 4333308 A JP4333308 A JP 4333308A JP 33330892 A JP33330892 A JP 33330892A JP H0831449 B2 JPH0831449 B2 JP H0831449B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma chamber
- substrate
- chamber cavity
- dielectric insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 35
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011797 cavity material Substances 0.000 claims 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線周波数（ＲＦ）で
励起されたプラズマを閉込める方法および装置に関し、
特に基体表面の不均一性が修正されることができるＲＦ
励起プラズマをエッチング可能な基体の局部化された十
分に限定された領域に閉込める方法および装置に関す
る。本発明は非常に正確に基体表面を成形する手段を提
供し、特に薄い均一な基体層を形成するのに適してい
る。
励起されたプラズマを閉込める方法および装置に関し、
特に基体表面の不均一性が修正されることができるＲＦ
励起プラズマをエッチング可能な基体の局部化された十
分に限定された領域に閉込める方法および装置に関す
る。本発明は非常に正確に基体表面を成形する手段を提
供し、特に薄い均一な基体層を形成するのに適してい
る。
【０００２】
【従来の技術】基体の表面を成形する、特に絶縁体上の
シリコン（ＳＯＩ）のような表面および薄膜を薄くし成
形する通常のプロセスはしばしば機械的研磨、スパッタ
リング、砂吹き、およびイオンビーム衝撃のような方法
を用いる。これらの各従来技術は普通本質的な処理制限
を有する。薄化、研磨、および平坦化のような化学機械
プロセスはサブ表面が基体に損傷を与えることができる
汚染物を残す接触方法である。プラズマ補助の化学エッ
チング方法はそのようなプラズマ方法が非接触であるの
でサブ表面の損傷の可能性を減少する点において化学機
械薄化のような従来の方法に対して改良された。さら
に、化学機械方法は薄膜の厚さプロファイルを修正する
能力に制限がある。なぜなら薄膜プロファイルを変化す
る能力は下に位置する表面の平坦化によって定められる
からである。一方、本発明のプラズマ方法は基体と接触
することなく測定された薄膜の厚さに依存して材料を局
部的に取除くことができる。したがってプラズマエッチ
ング方法のような非接触エッチング方法は基体のサブ表
面損傷の可能性を減少する。
シリコン（ＳＯＩ）のような表面および薄膜を薄くし成
形する通常のプロセスはしばしば機械的研磨、スパッタ
リング、砂吹き、およびイオンビーム衝撃のような方法
を用いる。これらの各従来技術は普通本質的な処理制限
を有する。薄化、研磨、および平坦化のような化学機械
プロセスはサブ表面が基体に損傷を与えることができる
汚染物を残す接触方法である。プラズマ補助の化学エッ
チング方法はそのようなプラズマ方法が非接触であるの
でサブ表面の損傷の可能性を減少する点において化学機
械薄化のような従来の方法に対して改良された。さら
に、化学機械方法は薄膜の厚さプロファイルを修正する
能力に制限がある。なぜなら薄膜プロファイルを変化す
る能力は下に位置する表面の平坦化によって定められる
からである。一方、本発明のプラズマ方法は基体と接触
することなく測定された薄膜の厚さに依存して材料を局
部的に取除くことができる。したがってプラズマエッチ
ング方法のような非接触エッチング方法は基体のサブ表
面損傷の可能性を減少する。
【０００３】光学成形に対して、プラズマ補助化学エッ
チング方法は非球面表面が球面表面と同様に容易に成形
されることができる点において通常の機械的方法より優
れている。すなわち、除去速度は速いので、成形並びに
最終成形エラー補正は容易に行われることができ、材料
除去は非接触であり、サブ表面に損傷を与えず、表面の
粗さは材料除去によって滑らかにされる。プラズマ補助
化学エッチングによる形成方法、特に光学素子の成形に
ついては米国特許4,668,366 号明細書に開示されてい
る。
チング方法は非球面表面が球面表面と同様に容易に成形
されることができる点において通常の機械的方法より優
れている。すなわち、除去速度は速いので、成形並びに
最終成形エラー補正は容易に行われることができ、材料
除去は非接触であり、サブ表面に損傷を与えず、表面の
粗さは材料除去によって滑らかにされる。プラズマ補助
化学エッチングによる形成方法、特に光学素子の成形に
ついては米国特許4,668,366 号明細書に開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この特許明細書では平
行板のＲＦ駆動反応装置の電極に対して処理するために
表面に取付けることによってプラズマ補助化学移送によ
って表面を成形する方法および装置が開示されている。
それに開示された方法はＲＦ電界が存在する室を通って
反応性ガスを通過させ、処理されるべき表面上の比較的
小さい表面面積の電極を移動することによって表面の異
なる区域の除去速度を制御する。小さい電極が各領域に
費やす時間はその領域の表面のエッチングに影響を与え
る。しかしながら、後述するように、この明細書に記載
された装置および方法は材料除去フットプリントのプロ
ファイルまたは形状を正確に制御する手段に欠けてい
る。そのような手段は表面の正確なエラー補正が所望な
ときに必要である。本発明は材料除去フットプリントの
プロファイルを制御する手段を提供する。本発明の目的
は、ＲＦ励起プラズマを十分に限定された領域に閉込め
る手段を提供することである。本発明の別の目的は、基
体表面上で正確に走査可能な非接触材料除去ツールを提
供することである。本発明の別の目的は、サブ表面に損
傷を与えないようにエッチング処理方法の特性を制御す
る手段を提供することである。本発明の別の目的は、光
学素子成形に対する手段を提供することである。本発明
の別の目的は、薄膜の厚さプロファイルを薄くして制御
する手段を提供することである。本発明の別の目的は、
基体表面を正確に平滑にする手段を提供することであ
る。
行板のＲＦ駆動反応装置の電極に対して処理するために
表面に取付けることによってプラズマ補助化学移送によ
って表面を成形する方法および装置が開示されている。
それに開示された方法はＲＦ電界が存在する室を通って
反応性ガスを通過させ、処理されるべき表面上の比較的
小さい表面面積の電極を移動することによって表面の異
なる区域の除去速度を制御する。小さい電極が各領域に
費やす時間はその領域の表面のエッチングに影響を与え
る。しかしながら、後述するように、この明細書に記載
された装置および方法は材料除去フットプリントのプロ
ファイルまたは形状を正確に制御する手段に欠けてい
る。そのような手段は表面の正確なエラー補正が所望な
ときに必要である。本発明は材料除去フットプリントの
プロファイルを制御する手段を提供する。本発明の目的
は、ＲＦ励起プラズマを十分に限定された領域に閉込め
る手段を提供することである。本発明の別の目的は、基
体表面上で正確に走査可能な非接触材料除去ツールを提
供することである。本発明の別の目的は、サブ表面に損
傷を与えないようにエッチング処理方法の特性を制御す
る手段を提供することである。本発明の別の目的は、光
学素子成形に対する手段を提供することである。本発明
の別の目的は、薄膜の厚さプロファイルを薄くして制御
する手段を提供することである。本発明の別の目的は、
基体表面を正確に平滑にする手段を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波（Ｒ
Ｆ）励起プラズマを局部的に十分に限定された基体の領
域に正確に閉込めることによって表面を成形し薄くする
プラズマエッチングを利用した材料除去装置に関する。
本発明は、反応装置を具備し、基体の表面上で閉込めら
れたプラズマ補助化学エッチング反応を行う材料除去装
置において、容器と、この容器内に配置され、基体の局
部的な領域に対して局部プラズマエッチング反応を行う
ためにプラズマ室空洞を限定する第１の誘電体絶縁体
と、反応ガス流をプラズマ室空洞に供給する手段と、プ
ラズマをプラズマ室空洞内に発生させるために高周波パ
ワーをプラズマ室空洞内の反応ガスに供給する手段と、
容器内に配置され、第１の誘電体絶縁体の外周を囲んで
いる第２の誘電体絶縁体と、基体を支持する手段と、基
体の表面に対するプラズマ室空洞の位置を調節する手段
とを具備し、第２の誘電体絶縁体は、プラズマ室空洞の
外側におけるプラズマの消滅を促進するように第１の誘
電体絶縁体から外側に基体表面に近接して延在し、局部
プラズマエッチングが行われる位置に隣接する領域にお
いてプラズマ密度が高くなり反応ガス流の伝導が低下す
るように第１の誘電体絶縁体の基体に面した端部は基体
表面に面した第２の誘電体絶縁体の表面より基体の方向
に予め定められた距離だけ突出していることを特徴とす
る。このような構成によって、プラズマ放出手段は基体
と物理的に接触されることがなく、プラズマエッチング
によって基体材料の除去は高速度で行われることがで
き、基体材料除去速度および空間的除去形状は十分に予
測した状態で制御されることが可能であり、閉込められ
たプラズマは基体の表面全体にわたって移動することが
できる。
Ｆ）励起プラズマを局部的に十分に限定された基体の領
域に正確に閉込めることによって表面を成形し薄くする
プラズマエッチングを利用した材料除去装置に関する。
本発明は、反応装置を具備し、基体の表面上で閉込めら
れたプラズマ補助化学エッチング反応を行う材料除去装
置において、容器と、この容器内に配置され、基体の局
部的な領域に対して局部プラズマエッチング反応を行う
ためにプラズマ室空洞を限定する第１の誘電体絶縁体
と、反応ガス流をプラズマ室空洞に供給する手段と、プ
ラズマをプラズマ室空洞内に発生させるために高周波パ
ワーをプラズマ室空洞内の反応ガスに供給する手段と、
容器内に配置され、第１の誘電体絶縁体の外周を囲んで
いる第２の誘電体絶縁体と、基体を支持する手段と、基
体の表面に対するプラズマ室空洞の位置を調節する手段
とを具備し、第２の誘電体絶縁体は、プラズマ室空洞の
外側におけるプラズマの消滅を促進するように第１の誘
電体絶縁体から外側に基体表面に近接して延在し、局部
プラズマエッチングが行われる位置に隣接する領域にお
いてプラズマ密度が高くなり反応ガス流の伝導が低下す
るように第１の誘電体絶縁体の基体に面した端部は基体
表面に面した第２の誘電体絶縁体の表面より基体の方向
に予め定められた距離だけ突出していることを特徴とす
る。このような構成によって、プラズマ放出手段は基体
と物理的に接触されることがなく、プラズマエッチング
によって基体材料の除去は高速度で行われることがで
き、基体材料除去速度および空間的除去形状は十分に予
測した状態で制御されることが可能であり、閉込められ
たプラズマは基体の表面全体にわたって移動することが
できる。
【０００６】ＲＦ励起プラズマの正確な閉込めは、電界
の供給領域を制限し、所定のピークＲＦ電界が局部的に
のみプラズマ絶縁破壊を可能にする領域に対する反応ガ
ス圧力を制限し、放電を支持する電子の拡散が局部的に
制限されるように反応ガスの構成要素を選択して、放電
が固体絶縁体によって所望でない領域を満たすことによ
って行われる。
の供給領域を制限し、所定のピークＲＦ電界が局部的に
のみプラズマ絶縁破壊を可能にする領域に対する反応ガ
ス圧力を制限し、放電を支持する電子の拡散が局部的に
制限されるように反応ガスの構成要素を選択して、放電
が固体絶縁体によって所望でない領域を満たすことによ
って行われる。
【０００７】反復可能なエッチング速度、空間的分布、
および本発明のＲＦ励起プラズマの正確な閉込めの本発
明の特徴の生成は光学成形装置、薄膜の厚さプロファイ
ル加工装置、または正確な平坦または平滑化装置として
使用される有用な非接触材料除去ツールを提供する。本
発明は通常の方法によって製造されることが困難である
非球面表面を含む高品質の光学表面を成形する手段を提
供する。本発明はまた絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）ウ
エハおよび構造を製造する手段および、半導体装置製造
用の均一で、平滑で、且つ損傷のない基体を処理する手
段を提供する。
および本発明のＲＦ励起プラズマの正確な閉込めの本発
明の特徴の生成は光学成形装置、薄膜の厚さプロファイ
ル加工装置、または正確な平坦または平滑化装置として
使用される有用な非接触材料除去ツールを提供する。本
発明は通常の方法によって製造されることが困難である
非球面表面を含む高品質の光学表面を成形する手段を提
供する。本発明はまた絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）ウ
エハおよび構造を製造する手段および、半導体装置製造
用の均一で、平滑で、且つ損傷のない基体を処理する手
段を提供する。
【０００８】
【実施例】本発明はエッチング可能な基体の表面を成形
する非接触エッチング可能な材料除去ツールを提供す
る。図１を参照すると、基体上のプラズマエッチング領
域を閉込める装置は反応ガスを基体の表面上のＲＦ電界
が供給される領域に移送するように設計されている反応
装置10を具備する。所望の結果を得るために、反応装置
10は第１の誘電体絶縁体16によって限定された壁15およ
び反応ガス拡散器20によって限定された天井18を備える
プラズマ室14を有する。プラズマ室14はエッチング反応
の中心であるので、第１の誘電体絶縁体16は汚染されて
いない材料でなければならない。室14の上方において、
ＲＦ駆動電極22が拡散器18と第１の誘電体絶縁体16の間
に固定されている。第１の誘電体絶縁体16の中心を通る
反応ガス供給管24はエッチング動作中にプラズマ室14内
において反応ガスを拡散器20に供給する。ＲＦ入力導電
体26はＲＦ駆動電極22をＲＦ電界電源に接続する。第２
の誘電体絶縁体28は第１の誘電体絶縁体16を包囲し、基
体12を実質上被覆し、室14の外側にプラズマを形成しな
いように十分な寸法で構成されている。反応装置10の構
成素子は基部34から中間天井36に延在する第１の組の壁
32および上部天井フランジ40に延在する第２の組の壁38
から構成されている真空容器30内に収容されている。
する非接触エッチング可能な材料除去ツールを提供す
る。図１を参照すると、基体上のプラズマエッチング領
域を閉込める装置は反応ガスを基体の表面上のＲＦ電界
が供給される領域に移送するように設計されている反応
装置10を具備する。所望の結果を得るために、反応装置
10は第１の誘電体絶縁体16によって限定された壁15およ
び反応ガス拡散器20によって限定された天井18を備える
プラズマ室14を有する。プラズマ室14はエッチング反応
の中心であるので、第１の誘電体絶縁体16は汚染されて
いない材料でなければならない。室14の上方において、
ＲＦ駆動電極22が拡散器18と第１の誘電体絶縁体16の間
に固定されている。第１の誘電体絶縁体16の中心を通る
反応ガス供給管24はエッチング動作中にプラズマ室14内
において反応ガスを拡散器20に供給する。ＲＦ入力導電
体26はＲＦ駆動電極22をＲＦ電界電源に接続する。第２
の誘電体絶縁体28は第１の誘電体絶縁体16を包囲し、基
体12を実質上被覆し、室14の外側にプラズマを形成しな
いように十分な寸法で構成されている。反応装置10の構
成素子は基部34から中間天井36に延在する第１の組の壁
32および上部天井フランジ40に延在する第２の組の壁38
から構成されている真空容器30内に収容されている。
【０００９】動作中、真空は真空容器30の底部における
真空出口42を通って排気することによって得られる。エ
ッチング中プラズマ室14の下方に隣接して位置されたエ
ッチング可能な基体12は好ましくは接地に電位を有する
第２の電極としても作用する基体ホルダ44によって支持
される。
真空出口42を通って排気することによって得られる。エ
ッチング中プラズマ室14の下方に隣接して位置されたエ
ッチング可能な基体12は好ましくは接地に電位を有する
第２の電極としても作用する基体ホルダ44によって支持
される。
【００１０】基体ホルダ44は基体12の表面上での局部化
されたエッチング反応の正確な配置を可能にするＸ−Ｙ
位置設定テーブル46に取付けられる。反応装置10はプラ
ズマ室14と基体12の表面の間の距離を調節する手段48を
有する。反応装置10はまた基体12の表面に関してプラズ
マ室14の終端端部52の角度を調節する手段50を有する。
上述の実施例は基体12の表面に関してプラズマ室14を配
置する手段を設けているが、プラズマ室組立体を永久的
に固定し、基体を多次元に位置させるような他の変形は
容易に置換されることができる。
されたエッチング反応の正確な配置を可能にするＸ−Ｙ
位置設定テーブル46に取付けられる。反応装置10はプラ
ズマ室14と基体12の表面の間の距離を調節する手段48を
有する。反応装置10はまた基体12の表面に関してプラズ
マ室14の終端端部52の角度を調節する手段50を有する。
上述の実施例は基体12の表面に関してプラズマ室14を配
置する手段を設けているが、プラズマ室組立体を永久的
に固定し、基体を多次元に位置させるような他の変形は
容易に置換されることができる。
【００１１】真空容器36の天井フランジ40と第２の誘電
体絶縁体28の間に取付けられたベローズ54は反応装置10
を真空密閉する手段を形成し、プラズマ室14は反応装置
10内の相対的運動を許容する。複数の観測ポート56は反
応装置10の観測のために設けられる。
体絶縁体28の間に取付けられたベローズ54は反応装置10
を真空密閉する手段を形成し、プラズマ室14は反応装置
10内の相対的運動を許容する。複数の観測ポート56は反
応装置10の観測のために設けられる。
【００１２】プラズマ補助化学エッチング反応装置10の
基本エッチング動作はZarowin 氏の上記米国特許4,668,
366 号明細書に記載されている。しかしながら、この特
許明細書では、材料除去のプロファイルが制御されるこ
とのできるプラズマを基体の表面に局部的に閉込める手
段が開示されていない。
基本エッチング動作はZarowin 氏の上記米国特許4,668,
366 号明細書に記載されている。しかしながら、この特
許明細書では、材料除去のプロファイルが制御されるこ
とのできるプラズマを基体の表面に局部的に閉込める手
段が開示されていない。
【００１３】本発明による局部領域へのプラズマエッチ
ングの閉込めは、ＲＦ電界適用の領域を制限し、所定の
ピークＲＦ電界が局部のみのプラズマ絶縁破壊を可能に
する領域に対して反応ガス圧力を制限し、放電を支持す
る電子の拡散が局部的に制限されるように反応ガスの成
分を選択し、放電が所望でないときはいつでも固体絶縁
体によって反応装置容量を満たすことによって行われる
ことができる。図１に示された反応装置10は１つ以上の
これらの異なる閉込め技術を用いるように設計されてい
る。
ングの閉込めは、ＲＦ電界適用の領域を制限し、所定の
ピークＲＦ電界が局部のみのプラズマ絶縁破壊を可能に
する領域に対して反応ガス圧力を制限し、放電を支持す
る電子の拡散が局部的に制限されるように反応ガスの成
分を選択し、放電が所望でないときはいつでも固体絶縁
体によって反応装置容量を満たすことによって行われる
ことができる。図１に示された反応装置10は１つ以上の
これらの異なる閉込め技術を用いるように設計されてい
る。
【００１４】ＲＦ電界制限によるプラズマエッチング領
域の閉込めはＲＦエネルギを絶縁容器によって十分に包
囲された領域に供給することによって確立される。図１
を参照すると、絶縁容器は、基体12に対する“エラー”
補正に必要な閉込められたプラズマ除去ツールの寸法の
エッチング表面特性に接近して配置されるとき開口を有
するように構成されたプラズマ室14である。プラズマを
発生するために、プラズマ室14の深さはデバイ長よりも
かなり長くなければならない。本発明によって調査され
たプラズマ方式は１ｍｍ程度のデバイ長を有する。エッ
チング動作中に、プラズマ室14の終端端部52と基体12の
間にギャップが維持される。プラズマ室14の終端端部52
は基体12と接触しない。実際、ギャップは０．２５乃至
１０ｍｍの間で変化することができる。
域の閉込めはＲＦエネルギを絶縁容器によって十分に包
囲された領域に供給することによって確立される。図１
を参照すると、絶縁容器は、基体12に対する“エラー”
補正に必要な閉込められたプラズマ除去ツールの寸法の
エッチング表面特性に接近して配置されるとき開口を有
するように構成されたプラズマ室14である。プラズマを
発生するために、プラズマ室14の深さはデバイ長よりも
かなり長くなければならない。本発明によって調査され
たプラズマ方式は１ｍｍ程度のデバイ長を有する。エッ
チング動作中に、プラズマ室14の終端端部52と基体12の
間にギャップが維持される。プラズマ室14の終端端部52
は基体12と接触しない。実際、ギャップは０．２５乃至
１０ｍｍの間で変化することができる。
【００１５】電界の別の制限はＲＦ駆動電極22およびＲ
Ｆ駆動拡散器20の寸法を適度に制限することによって行
うことができる。プラズマ室14の直径にほぼ等しい直径
を有する小さい電極の使用はプラズマエッチングが行わ
れる表面において閉込められた強力な局部プラズマを有
効に達成する。電極22の寸法または導電延在部を制限す
ることは重要であるので、電極はプラズマ室壁15を越え
て延在しない。電極22の下方に隣接して位置されたＲＦ
駆動ガス拡散器20はまた壁15の下方に延在しないように
寸法が制限されている。なぜなら、拡散器は導電性で多
孔性である材料から構成されているからであり、拡散器
はＲＦ回路の１部分であるからである。拡散器は２つの
機能を有する。第１は、反応ガスをプラズマ室に拡散す
る機能であり、第２は、ＲＦ電極の延長部としてＲＦ励
起電界をプラズマ室14の内部に与える機能である。特
に、多孔性炭化ケイ素および黒鉛電極は拡散器材料とし
て成功的に用いられる。
Ｆ駆動拡散器20の寸法を適度に制限することによって行
うことができる。プラズマ室14の直径にほぼ等しい直径
を有する小さい電極の使用はプラズマエッチングが行わ
れる表面において閉込められた強力な局部プラズマを有
効に達成する。電極22の寸法または導電延在部を制限す
ることは重要であるので、電極はプラズマ室壁15を越え
て延在しない。電極22の下方に隣接して位置されたＲＦ
駆動ガス拡散器20はまた壁15の下方に延在しないように
寸法が制限されている。なぜなら、拡散器は導電性で多
孔性である材料から構成されているからであり、拡散器
はＲＦ回路の１部分であるからである。拡散器は２つの
機能を有する。第１は、反応ガスをプラズマ室に拡散す
る機能であり、第２は、ＲＦ電極の延長部としてＲＦ励
起電界をプラズマ室14の内部に与える機能である。特
に、多孔性炭化ケイ素および黒鉛電極は拡散器材料とし
て成功的に用いられる。
【００１６】プラズマ室14の寸法を適度に定めて、ＲＦ
電極22および拡散器20の寸法を制限するほかに、ＲＦ電
界は付加的な誘電体材料の使用によって制限されること
ができる。プラズマ室14の壁15として使用された第１の
誘電体絶縁体16に加えて、第２の誘電体絶縁体28は反応
装置10内に配置されるので、第１の誘電体絶縁体16を包
囲し、基体12の表面全体を本質的にカバーする。第２の
誘電体絶縁体28は主としてプラズマ放電が固体絶縁体に
よって望ましくない領域内の反応装置容量を満たす。第
２の絶縁体28によって反応装置10内を満たすこの容量は
２つの効果がある。第１に、絶縁体はプラズマ放電が所
望でない領域、すなわち局部プラズマエッチング領域の
フットプリントに隣接する領域から反応ガスを除去する
ことである。第２に、絶縁体はエッチング通路（ＲＦ駆
動電極22と、局部プラズマ領域における基体12と、基体
保持電極44の間の通路）に関係する全ての導電表面への
非常に高いインピーダンス通路を与えることである。し
たがって、エッチングが所望であるＲＦ電界およびプラ
ズマの適用領域を制限する。この局部的なプラズマ発生
は除去ツールのフットプリントが正確であることを保証
する。
電極22および拡散器20の寸法を制限するほかに、ＲＦ電
界は付加的な誘電体材料の使用によって制限されること
ができる。プラズマ室14の壁15として使用された第１の
誘電体絶縁体16に加えて、第２の誘電体絶縁体28は反応
装置10内に配置されるので、第１の誘電体絶縁体16を包
囲し、基体12の表面全体を本質的にカバーする。第２の
誘電体絶縁体28は主としてプラズマ放電が固体絶縁体に
よって望ましくない領域内の反応装置容量を満たす。第
２の絶縁体28によって反応装置10内を満たすこの容量は
２つの効果がある。第１に、絶縁体はプラズマ放電が所
望でない領域、すなわち局部プラズマエッチング領域の
フットプリントに隣接する領域から反応ガスを除去する
ことである。第２に、絶縁体はエッチング通路（ＲＦ駆
動電極22と、局部プラズマ領域における基体12と、基体
保持電極44の間の通路）に関係する全ての導電表面への
非常に高いインピーダンス通路を与えることである。し
たがって、エッチングが所望であるＲＦ電界およびプラ
ズマの適用領域を制限する。この局部的なプラズマ発生
は除去ツールのフットプリントが正確であることを保証
する。
【００１７】本発明の好ましい実施例においてプラズマ
室は０．５インチの直径を有する。しかしながら、プラ
ズマ室の直径は所望のエラー補正を行うのに必要な除去
ツールのフットプリントに適応するように変化されるこ
とができる。
室は０．５インチの直径を有する。しかしながら、プラ
ズマ室の直径は所望のエラー補正を行うのに必要な除去
ツールのフットプリントに適応するように変化されるこ
とができる。
【００１８】プラズマエッチング領域はまたＲＦ電界が
局部のみのプラズマ破壊を許容する領域に反応ガス圧力
を制限することによって局部的に閉込められることがで
きる。これは反応ガスを反応ガス供給管24に供給するこ
とによって達成されることができる。反応ガス供給管24
は拡散器20によって反応ガスをプラズマ室14の内部に直
接送る。反応ガスはプラズマ室14の終端端部52と基体表
面の間の開口によって限定された高流量インピーダンス
領域を通ってプラズマ室およびエッチング位置を出て、
低流量インピーダンス領域39に流れる。低流量インピー
ダンス領域39は真空ポンプ（図示せず）によって排気さ
れるので、プラズマ室14の外側の圧力は室内の圧力より
もずっと低い。ＲＦ放電が開始された後、プラズマ領域
は低インピーダンス通路が設けられているので、フット
プリントの領域の外側でのエッチング反応が阻止され
る。
局部のみのプラズマ破壊を許容する領域に反応ガス圧力
を制限することによって局部的に閉込められることがで
きる。これは反応ガスを反応ガス供給管24に供給するこ
とによって達成されることができる。反応ガス供給管24
は拡散器20によって反応ガスをプラズマ室14の内部に直
接送る。反応ガスはプラズマ室14の終端端部52と基体表
面の間の開口によって限定された高流量インピーダンス
領域を通ってプラズマ室およびエッチング位置を出て、
低流量インピーダンス領域39に流れる。低流量インピー
ダンス領域39は真空ポンプ（図示せず）によって排気さ
れるので、プラズマ室14の外側の圧力は室内の圧力より
もずっと低い。ＲＦ放電が開始された後、プラズマ領域
は低インピーダンス通路が設けられているので、フット
プリントの領域の外側でのエッチング反応が阻止され
る。
【００１９】反応ガスの成分を注意深く選択することに
よって、放電を支持する電子の拡散は局部的に制限さ
れ、エッチング領域をさらに閉込めることができる。負
電荷の大きいガスは負電荷の少ないガスよりもさらに急
速に自由電子に付着する。負電荷の大きいガスの使用は
エッチングに利用される自由電子の数および移動度を減
少させるので、その平均エネルギを減少させ、プラズマ
室14の外側の反応の可能性を減少させる。
よって、放電を支持する電子の拡散は局部的に制限さ
れ、エッチング領域をさらに閉込めることができる。負
電荷の大きいガスは負電荷の少ないガスよりもさらに急
速に自由電子に付着する。負電荷の大きいガスの使用は
エッチングに利用される自由電子の数および移動度を減
少させるので、その平均エネルギを減少させ、プラズマ
室14の外側の反応の可能性を減少させる。
【００２０】前に述べられたように、プラズマ室14と基
体12の間のギャップは幾つかの手段によって変化される
ことができる。多くの適用に対して、プラズマデバイ
長、すなわちプラズマを室領域の外側に拡散することを
阻止する長さよりも少ないギャップを維持することは不
可能である。したがって、非常に負電荷の大きい反応ガ
スを使用することによって、プラズマは高いエッチング
速度に対して閉込められ、ギャップはデバイ長（約２ｍ
ｍ）よりも長い。ある適用において、少数パーセント
（約５％）の負電荷ガスは十分に閉込められたプラズマ
を与えるのに十分である。６フッ化硫黄および３フッ化
窒素は十分な負電荷を有する既知の負電荷ガスであり、
プラズマエッチング領域を閉込めるのに有用である。
体12の間のギャップは幾つかの手段によって変化される
ことができる。多くの適用に対して、プラズマデバイ
長、すなわちプラズマを室領域の外側に拡散することを
阻止する長さよりも少ないギャップを維持することは不
可能である。したがって、非常に負電荷の大きい反応ガ
スを使用することによって、プラズマは高いエッチング
速度に対して閉込められ、ギャップはデバイ長（約２ｍ
ｍ）よりも長い。ある適用において、少数パーセント
（約５％）の負電荷ガスは十分に閉込められたプラズマ
を与えるのに十分である。６フッ化硫黄および３フッ化
窒素は十分な負電荷を有する既知の負電荷ガスであり、
プラズマエッチング領域を閉込めるのに有用である。
【００２１】したがって、プラズマエッチング領域を閉
込める上述の原理を適用することによって、制御された
局部エッチングを使用することができ、局部化されたプ
ラズマ材料除去によって基体表面に対してプログラムさ
れた補正を行うことができる。プログラムされた補正は
プラズマ室14の下の補正されるべき基体領域の位置を移
動することによって行われる。プラズマ室に関して直交
方向の基体12の移動はそれに応じてＸ−Ｙ位置設定テー
ブル46を移動することによって行われる。図２の（ａ）
乃至（ｃ）を参照すると、プラズマエッチング材料除去
プロファイルはプラズマ室14と基体12の間のギャップを
変化することによって変化されることができる。ギャッ
プが例えば０．５ｍｍのように小さいとき、プロファイ
ルはフロアに垂直方向に延在する縁部を有する傾向があ
る。縁部がフロアに接続される点においてプロファイル
の湾曲の半径はプラズマの物理的制限によりデバイ長程
度よりも少なくすることはできない。ギャップは例えば
３ｍｍのように大きいとき、より大きいガウス状プロフ
ァイルを維持することができる。図３を参照すると、所
定のプラズマパラメータ（反応ＲＦ周波数、ＲＦパワ
ー、圧力、および反応ガス成分）および所定のギャップ
のセットに対して、材料除去プロファイルは制御可能で
あり、反復できる。
込める上述の原理を適用することによって、制御された
局部エッチングを使用することができ、局部化されたプ
ラズマ材料除去によって基体表面に対してプログラムさ
れた補正を行うことができる。プログラムされた補正は
プラズマ室14の下の補正されるべき基体領域の位置を移
動することによって行われる。プラズマ室に関して直交
方向の基体12の移動はそれに応じてＸ−Ｙ位置設定テー
ブル46を移動することによって行われる。図２の（ａ）
乃至（ｃ）を参照すると、プラズマエッチング材料除去
プロファイルはプラズマ室14と基体12の間のギャップを
変化することによって変化されることができる。ギャッ
プが例えば０．５ｍｍのように小さいとき、プロファイ
ルはフロアに垂直方向に延在する縁部を有する傾向があ
る。縁部がフロアに接続される点においてプロファイル
の湾曲の半径はプラズマの物理的制限によりデバイ長程
度よりも少なくすることはできない。ギャップは例えば
３ｍｍのように大きいとき、より大きいガウス状プロフ
ァイルを維持することができる。図３を参照すると、所
定のプラズマパラメータ（反応ＲＦ周波数、ＲＦパワ
ー、圧力、および反応ガス成分）および所定のギャップ
のセットに対して、材料除去プロファイルは制御可能で
あり、反復できる。
【００２２】したがって、本発明は基体を正確に成形す
る手段を提供することが認識されることができる。本発
明は通常の方法によって製造されることが困難である非
球面表面に理想的に適応される。本発明はさらにＳＯＩ
ウエハおよび構造を製造し、種々の型式の半導体装置製
造用の均一の、薄い、平坦な、滑らかな、且つ損傷のな
い結晶基体を処理する新しい手段を提供する。
る手段を提供することが認識されることができる。本発
明は通常の方法によって製造されることが困難である非
球面表面に理想的に適応される。本発明はさらにＳＯＩ
ウエハおよび構造を製造し、種々の型式の半導体装置製
造用の均一の、薄い、平坦な、滑らかな、且つ損傷のな
い結晶基体を処理する新しい手段を提供する。
【図１】プラズマエッチング領域を基体の局部領域に閉
込めることが可能な反応装置の概略図。
込めることが可能な反応装置の概略図。
【図２】基体とプラズマ室の間のギャップがプラズマシ
ース幅より大きいとき、およびそれにほぼ等しいとき、
並びにそれより小さいときにそれぞれ形成されたエッチ
ングのプロファイルを示すグラフ。
ース幅より大きいとき、およびそれにほぼ等しいとき、
並びにそれより小さいときにそれぞれ形成されたエッチ
ングのプロファイルを示すグラフ。
【図３】異なるプラズマエッチング特性が本発明によっ
て使用されるときのエッチングプロファイルの比較を示
すグラフ。
て使用されるときのエッチングプロファイルの比較を示
すグラフ。
10…反応装置、12…基体、14…プラズマ室、16,28 …誘
電体絶縁体、20…拡散器、30…容器、46…Ｘ−Ｙ位置設
定テーブル。
電体絶縁体、20…拡散器、30…容器、46…Ｘ−Ｙ位置設
定テーブル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−212253（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−242924（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】 反応装置を具備し、基体の表面上で閉込
められたプラズマ補助化学エッチング反応を行う材料除
去装置において、容器と、 この容器内に配置され、基体の局部的な領域に対して局
部プラズマエッチング反応を行うために プラズマ室空洞
を限定する第１の誘電体絶縁体と、 反応ガス流をプラズマ室空洞に供給する手段と、 プラズマをプラズマ室空洞内に発生させるために高周波
パワーをプラズマ室空洞内の反応ガスに供給する手段
と、 前記容器内に配置され、前記プラズマ室空洞を限定する
第１の誘電体絶縁体の外周を囲んでいる第２の誘電体絶
縁体と、 基体を支持する手段と、 基体の表面に対する 前記プラズマ室空洞の位置を調節す
る手段とを具備し、 前記第２の誘電体絶縁体は、前記プラズマ室空洞の外側
におけるプラズマの消滅を促進するように前記第１の誘
電体絶縁体から外側に基体表面に近接して延在し、 局部プラズマエッチングが行われる位置に隣接する領域
においてプラズマ密度が高くなり反応ガス流の伝導が低
下するように前記第１の誘電体絶縁体の基体に面した端
部は基体表面に面した前記第２の誘電体絶縁体の表面よ
り基体の方向に予め定められた距離だけ突出している こ
とを特徴とする材料除去装置。 - 【請求項２】 高周波パワーを供給する手段は、プラズ
マ室空洞内に配置された第１の電極と、導電性のガス拡
散器と、プラズマ室空洞の外部に位置された第２の電極
とを含み、基体は高周波パワーをプラズマ室空洞内の反
応ガスに供給する電気回路を完成する第１の電極と第２
の電極との間に配置されている請求項１記載の材料除去
装置。 - 【請求項３】 前記第１の電極の上面は前記プラズマ室
空洞の天井表面と接触し、前記導電性のガス拡散器の上
面は前記第１の電極の下面と接触している請求項２記載
の材料除去装置。 - 【請求項４】 前記第１の電極の上面および下面はほぼ
同じ面積であり、前 記プラズマ室空洞の天井の形状とほ
ぼ同一の平坦な形状を有している請求項３記載の材料除
去装置。 - 【請求項５】 前記導電性のガス拡散器の上面および下
面はほぼ同じ面積であり、前記プラズマ室空洞の天井の
形状とほぼ同一の平面形状である請求項３記載の材料除
去装置。 - 【請求項６】 前記第２の電極は実質上接地電位に保持
されている請求項２記載の材料除去装置。 - 【請求項７】 前記導電性のガス拡散器は多孔性シリコ
ンカーバイドで構成されている請求項２記載の材料除去
装置。 - 【請求項８】 前記導電性のガス拡散器はグラファイト
で構成されている請求項２記載の材料除去装置。 - 【請求項９】 前記基体の表面に対する前記プラズマ室
空洞の位置を調節する手段は直交方向に位置を調節する
Ｘ−Ｙ位置設定テーブルである請求項１記載の材料除去
装置。 - 【請求項１０】 前記容器は反応生成物および過剰な反
応ガスを除去するために容器を排気して真空にする手段
を備えている請求項１記載の材料除去装置。 - 【請求項１１】 反応装置を具備し、基体の表面上で閉
込められたプラズマ補助化学エッチング反応を行う材料
除去装置において、 容器内の環境の温度および圧力を制御する手段を含む局
部プラズマエッチング反応を行う容器手段と、容器内に配置され、 基体の局部化された領域に対して局
部プラズマエッチング反応を行うためのプラズマ室空洞
を限定する第１の誘電体絶縁体と、 ガス拡散器を含み、反応ガス流をプラズマ室空洞に供給
する手段と、プラズマを発生するために高周波 パワーをプラズマ室空
洞内の反応ガスに供給する手段であって、プラズマ室空
洞内に配置された第１の電極と、導電性のガス拡散器
と、およびプラズマ室空洞の外部に配置された第２の電
極とを具備している高周波パワー供給手段と、 前記 容器内に配置され、第１の誘電体絶縁体を囲んで配
置された第２の誘電体絶縁体と、 基体を支持する手段と、 プラズマ室に関して直交方向に前記基体表面の位置を調
節するＸ−Ｙ位置設定テーブル手段とを具備し、 基体は高周波パワーをプラズマ室空洞内の反応ガスに供
給する電気回路を完成する第１の電極と第２の電極の間
に配置され、 前記第２の誘電体絶縁体はプラズマ室空洞の外側のプラ
ズマの消滅を促進にするために第１の誘電体絶縁体の外
側に延在し、プラズマエッチングが生じる領域に隣接す
る周辺位置においてプラズマ密度が高く、かつ反応ガス
流に対するインピーダンスが高い領域を生成してその外
側のプラズマが消滅されるように第１の誘電体絶縁体よ
りも短い距離だけ基体表面に向かって下方に延在してい
ることを特徴とする材料除去装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/807,535 US5336355A (en) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films |
| US807535 | 1991-12-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347277A JPH05347277A (ja) | 1993-12-27 |
| JPH0831449B2 true JPH0831449B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=25196602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333308A Expired - Fee Related JPH0831449B2 (ja) | 1991-12-13 | 1992-12-14 | 閉込められたプラズマエッチングを使用する材料除去装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5336355A (ja) |
| EP (1) | EP0546842B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0831449B2 (ja) |
| KR (1) | KR970000695B1 (ja) |
| DE (1) | DE69211508T2 (ja) |
| IL (1) | IL104029A (ja) |
| TW (1) | TW220012B (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2030811C1 (ru) * | 1991-05-24 | 1995-03-10 | Инженерный центр "Плазмодинамика" | Установка для плазменной обработки твердого тела |
| US5298103A (en) * | 1993-07-15 | 1994-03-29 | Hughes Aircraft Company | Electrode assembly useful in confined plasma assisted chemical etching |
| US5529275A (en) * | 1994-09-08 | 1996-06-25 | Lear Seating Corporation | Vehicle seat track assembly |
| US5891350A (en) | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| JP3612158B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2005-01-19 | スピードファム株式会社 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| US5955383A (en) * | 1997-01-22 | 1999-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching |
| US7569790B2 (en) | 1997-06-26 | 2009-08-04 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
| US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
| US6815633B1 (en) | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
| US7166816B1 (en) | 1997-06-26 | 2007-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Inductively-coupled torodial plasma source |
| US8779322B2 (en) | 1997-06-26 | 2014-07-15 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
| US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
| US6924455B1 (en) | 1997-06-26 | 2005-08-02 | Applied Science & Technology, Inc. | Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source |
| KR100521290B1 (ko) * | 1998-06-24 | 2005-10-17 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 드라이 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6074947A (en) * | 1998-07-10 | 2000-06-13 | Plasma Sil, Llc | Process for improving uniform thickness of semiconductor substrates using plasma assisted chemical etching |
| DE19833257C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-09-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| US6399432B1 (en) | 1998-11-24 | 2002-06-04 | Philips Semiconductors Inc. | Process to control poly silicon profiles in a dual doped poly silicon process |
| US6261406B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Confinement device for use in dry etching of substrate surface and method of dry etching a wafer surface |
| WO2000042632A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Ipec Precision, Inc. | Method and apparatus for generating and confining a reactive gas for etching substrates |
| JP2000256094A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-19 | Speedfam-Ipec Co Ltd | シリコンエピタキシャル成長ウェーハ製造方法およびその装置 |
| US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
| US6200908B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-03-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reducing waviness in semiconductor wafers |
| US6482744B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-11-19 | Promos Technologies, Inc. | Two step plasma etch using variable electrode spacing |
| WO2002033729A2 (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma reactor with reduced reaction chamber |
| US6486072B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-11-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method to facilitate removal of defects from a substrate |
| US7591957B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-09-22 | Rapt Industries, Inc. | Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification |
| US7510664B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
| JP4460788B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2010-05-12 | スピードファム株式会社 | 局所エッチング方法 |
| US6896949B1 (en) | 2001-03-15 | 2005-05-24 | Bookham (Us) Inc. | Wafer scale production of optical elements |
| US20030042227A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for tailoring an etch profile |
| US6660177B2 (en) | 2001-11-07 | 2003-12-09 | Rapt Industries Inc. | Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition |
| US7056416B2 (en) * | 2002-02-15 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus |
| KR20030081742A (ko) * | 2002-04-12 | 2003-10-22 | 우형철 | 플라즈마를 이용한 에칭처리장치 |
| US6943350B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-09-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for electron beam inspection of samples |
| JP4134741B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2008-08-20 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| US20040173316A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Carr Jeffrey W. | Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing |
| US7371992B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-05-13 | Rapt Industries, Inc. | Method for non-contact cleaning of a surface |
| US7297892B2 (en) | 2003-08-14 | 2007-11-20 | Rapt Industries, Inc. | Systems and methods for laser-assisted plasma processing |
| US7304263B2 (en) | 2003-08-14 | 2007-12-04 | Rapt Industries, Inc. | Systems and methods utilizing an aperture with a reactive atom plasma torch |
| KR100553713B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 및 이 장치를 이용한 포토 마스크의제조 방법 |
| US20070063654A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Mehan Vijay K | Method and apparatus for ionization treatment of gases |
| EP1772901B1 (en) * | 2005-10-07 | 2012-07-25 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Wafer holding article and method for semiconductor processing |
| WO2008040154A1 (en) * | 2006-09-05 | 2008-04-10 | Alphatech International Limited | Diffusive plasma treatment and material procession |
| JPWO2009041214A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| KR101384655B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2014-04-14 | (주)지엔티 | 디스플레이 패널 에칭 장치 및 이를 이용한 에칭 방법 |
| EP3221750A1 (en) * | 2014-11-23 | 2017-09-27 | M Cubed Technologies | Wafer pin chuck fabrication and repair |
| KR102194817B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2020-12-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 이동하는 기판의 완전한 플라즈마 커버리지를 위한 동적 단계적 어레이 플라즈마 소스 |
| CN112309807B (zh) * | 2019-08-02 | 2022-12-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体刻蚀设备 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4088926A (en) * | 1976-05-10 | 1978-05-09 | Nasa | Plasma cleaning device |
| JPS57174467A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Inoue Japax Res Inc | Ion working device |
| US4668366A (en) * | 1984-08-02 | 1987-05-26 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical figuring by plasma assisted chemical transport and etching apparatus therefor |
| JPS61139029A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンイオンビ−ムによる加工方法 |
| US4859908A (en) * | 1986-09-24 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing apparatus for large area ion irradiation |
| EP0284436B1 (en) * | 1987-03-27 | 1993-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-treating apparatus |
| US4853250A (en) * | 1988-05-11 | 1989-08-01 | Universite De Sherbrooke | Process of depositing particulate material on a substrate |
| US5000771A (en) * | 1989-12-29 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Method for manufacturing an article comprising a refractory dielectric body |
| JPH0817171B2 (ja) * | 1990-12-31 | 1996-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 |
| JP2657850B2 (ja) * | 1990-10-23 | 1997-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 |
| DE4119362A1 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren |
-
1991
- 1991-12-13 US US07/807,535 patent/US5336355A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-08 IL IL10402992A patent/IL104029A/en not_active IP Right Cessation
- 1992-12-10 EP EP92311317A patent/EP0546842B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-10 DE DE69211508T patent/DE69211508T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-12 KR KR1019920024056A patent/KR970000695B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-12-14 JP JP4333308A patent/JPH0831449B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 TW TW081110252A patent/TW220012B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0546842A1 (en) | 1993-06-16 |
| US5336355A (en) | 1994-08-09 |
| EP0546842B1 (en) | 1996-06-12 |
| TW220012B (ja) | 1994-02-01 |
| DE69211508D1 (de) | 1996-07-18 |
| IL104029A0 (en) | 1993-05-13 |
| DE69211508T2 (de) | 1996-10-24 |
| KR930014812A (ko) | 1993-07-23 |
| JPH05347277A (ja) | 1993-12-27 |
| IL104029A (en) | 1995-12-08 |
| KR970000695B1 (ko) | 1997-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0831449B2 (ja) | 閉込められたプラズマエッチングを使用する材料除去装置 | |
| KR101164829B1 (ko) | 일 세트의 플라즈마 처리 단계를 튜닝하는 방법 및 장치 | |
| US5238532A (en) | Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching | |
| US5404079A (en) | Plasma generating apparatus | |
| KR100757347B1 (ko) | 이온 주입 장치 | |
| KR100234661B1 (ko) | 이방성 에칭장치 | |
| KR100342014B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| EP1108263B1 (en) | Elevated stationary uniformity ring | |
| JPH065571A (ja) | 均一に薄くした基体の非接触プラズマ研磨および平滑のための方法および装置 | |
| JPH08264515A (ja) | プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置 | |
| US5292400A (en) | Method and apparatus for producing variable spatial frequency control in plasma assisted chemical etching | |
| JP2004165460A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20010024504A (ko) | 플라즈마의 밀도분포를 조정하기 위한 장치 및 방법 | |
| JPS6136589B2 (ja) | ||
| US7578945B2 (en) | Method and apparatus for tuning a set of plasma processing steps | |
| JP3276023B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
| JP3042208B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| US7189653B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP7329131B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR970010266B1 (ko) | 플라즈마 발생방법 및 그 장치 | |
| JPH08162444A (ja) | プラズマ処理装置及びその制御方法 | |
| JPH0578171B2 (ja) | ||
| JPH06112138A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| KR20230092672A (ko) | 포커스 링 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |