JPH0831364A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents

走査電子顕微鏡

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JPH0831364A
JPH0831364A JP15872594A JP15872594A JPH0831364A JP H0831364 A JPH0831364 A JP H0831364A JP 15872594 A JP15872594 A JP 15872594A JP 15872594 A JP15872594 A JP 15872594A JP H0831364 A JPH0831364 A JP H0831364A
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JP
Japan
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signal
scanning
sample
electron beam
ratio
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JP15872594A
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English (en)
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Atsushi Yamada
篤 山田
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Jeol Ltd
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 オートフォーカスなどの動作を観察条件や試
料の種類に左右されず、常に精度高く行うことができる
走査電子顕微鏡を実現する。 【構成】 走査速度設定ユニット30は信号強度分布メ
モリー19に記憶された信号から、補正された走査速度
を求める。この処理により求められた走査速度は走査速
度設定データメモリー31に設定される。このデータメ
モリー31に設定された走査速度は走査速度切換部33
に供給され、切換部33は供給された信号に応じて垂直
走査信号発生回路7と垂直走査信号発生回路9を制御
し、電子ビームの走査速度を変化させる。この結果、電
子ビームはより走査速度が遅くされ、検出信号のSN比
は向上することになる。このSN比が向上した状態でオ
ートフォーカス動作が実行されることから、精度の高い
フォーカス合わせが行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自動的にフォーカス合
わせを行うためのオートフォーカス機能を有した走査電
子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】図1は、オートフォーカス機能を有した
従来の走査電子顕微鏡の一例を示している。1は電子銃
(図示せず)から発生し加速された電子ビームである。
2,3は2段偏向コイルであり、2段偏向コイル2,3
の夫々には、水平と垂直方向の偏向コイルが含まれてい
る。4は対物レンズであり、対物レンズ4によって細く
集束された電子ビームは試料5に照射される。6は試料
5への電子ビームの照射によって発生した、例えば、2
次電子を検出するための検出器である。
【0003】2段偏向コイル2,3の水平方向の偏向コ
イルには、水平走査信号発生回路7から駆動回路8を介
して水平走査信号が供給され、垂直方向偏向コイルに
は、垂直走査信号発生回路9から駆動回路10を介して
垂直走査信号が供給される。水平走査信号発生回路7と
垂直走査信号発生回路9からの走査信号の速度(周期)
は、コンピュータの如き制御回路11によって制御され
る。前記検出器6によって検出された信号は、増幅器1
2を介して水平,垂直走査信号が供給されている陰極線
管13とフィルター回路14に供給される。フィルター
回路14の出力信号は絶対値回路15を介して積分回路
16に供給され、積分回路16によって積分される。積
分回路16の積分値は、AD変換器17によってデジタ
ル信号に変換され、制御回路11内の信号強度分布メモ
リー19に記憶される。
【0004】制御回路11内には信号強度分布メモリー
19に記憶された多数の積分値の最大値を検出する最大
値検出ユニット20を有している。更に、制御回路11
は対物レンズ値設定データメモリー21,補助コイル値
設定データメモリー22を有している。対物レンズ値設
定データメモリー21の値は、DA変換器23を介して
対物レンズ駆動回路24に供給される。また、補助コイ
ル値設定データメモリー22の値はDA変換器25を介
して補助コイル26の駆動回路27に供給される。な
お、28は対物レンズ値変換ユニット,29はオートフ
ォーカスユニットである。このような構成の動作は次の
通りである。
【0005】通常の2次電子像を観察する場合、所望の
走査速度となるよう制御回路11は水平走査信号発生回
路7と垂直走査信号発生回路9を制御し、その結果、所
望の偏向信号が偏向コイル2,3に供給され、電子ビー
ム1は、偏向コイル2,3により偏向を受け、試料5の
所望領域を走査する。電子ビームの試料5への照射に伴
って発生した2次電子は、検出器6によって検出され、
その検出信号は、増幅器12によって増幅された後、走
査信号が供給されている陰極線管13に供給されること
から、陰極線管13には試料の2次電子像が表示され
る。
【0006】次にオートフォーカス動作について図2
(a)の補助コイル26の動作曲線、図2(b)の対物
レンズ4の動作曲線を参照しながら説明する。なお、図
2(a),(b)の横軸は時間であり、縦軸は励磁強度
(試料表面とレンズとの間の距離に等しい)である。ま
ず、対物レンズ値設定データメモリー21に図2(b)
に示す初期値ΔZを設定し、この初期値に基づいて対物
レンズ駆動回路24を動作させ、対物レンズ4を励磁す
る。次にオートフォーカススタートユニット29を動作
させ、補助コイル値設定データメモリー22の値を図2
(a)に示すように変化させる。図2(a)では設定値
の変化を便宜上直線状に示したが、具体的には図3
(a)に示すようにステップ状に変化させる。
【0007】このステップ状の変化の都度、偏向コイル
2,3には試料5上の所望領域を1回走査するための走
査信号が供給される。試料5への電子ビームの照射に基
づいて発生した2次電子は検出器6によって検出され
る。検出信号は増幅器12によって増幅され、フィルタ
ー回路14によって特定の周波数成分をカットした後、
絶対値回路15において負信号が反転される。
【0008】絶対値回路15の出力は積分回路16に供
給されて信号の積分が行われる。この積分は試料上の所
望領域の1回の2次元走査の期間実行され、その走査が
終了した後、積分値はAD変換器17を介して制御回路
11内の信号強度分布メモリー19に送られて記憶され
る。このような積分動作を補助コイル26のステップ状
の励磁変化ごとに、そして、+Aから−Aまで行うと、
図3(b)に示す分布がメモリー19に記憶されること
になる。
【0009】制御回路11内の最大値検出ユニット20
は、図3(b)の分布の最大値を検出し、その時の補助
コイル26への励磁強度を対物レンズ値変換ユニット2
8に供給する。なお、この最大値の励磁の時に電子ビー
ムのフォーカスが合っている。この結果、対物レンズ値
設定データメモリー21の値は初期設定値ΔZにフォー
カスが合っているときの補助コイルの励磁強度分(初期
値ΔZと合焦点位置とのずれ量)ΔZ1が加算された値
となる。対物レンズ4の励磁をΔZ+ΔZ1に設定した
後、再度上記したオートフォーカス動作を実行し、その
時のΔZ+ΔZ1と合焦点値とのずれ量ΔZ2について
は、補助コイル値設定データメモリー29にセットされ
る。このセットされる対物レンズの励磁値ΔZ1と補助
コイルの励磁値ΔZ2とは、図2(a),(b)に示さ
れている。このΔZ1とΔZ2との設定完了によってオ
ートフォーカス動作は終了する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したオートフォー
カスにおいては、試料に電子ビームを照射した結果発生
した2次電子を検出している。この検出された2次電子
のSN比は、観察条件、試料の種類などによって変化す
る。このため、SN比の良い条件下では図4(a)に示
すような信号が得られ。逆にSN比の悪い条件下では図
4(b)に示す信号が得られる。図4(a)のSN比の
良い場合には、フォーカスステップ変化時の信号強度変
化が明瞭に現れ、正確な合焦点位置検出を行うことがで
きる。しかし、図4(b)のSN比の悪い場合にはフォ
ーカスステップ変化時の信号強度変化が現れにくく、正
確な合焦点位置検出が困難となる。
【0011】従来のオートフォーカス動作時のスキャン
スピードは、信号のSN比に関係なく一定の走査速度で
試料上を電子ビームで走査している。従って、オートフ
ォーカス動作の精度は、検出信号のSN比によって大き
く左右されることになる。
【0012】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、オートフォーカスなどの動作を観
察条件や試料の種類に左右されず、常に精度高く行うこ
とができる走査電子顕微鏡を実現するにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく走査電子
顕微鏡は、電子ビームを試料上に細く集束するとともに
試料上で電子ビームを2次元的に走査し、試料から得ら
れた信号を検出し、検出信号に基づいて試料の走査像を
得るようにした走査電子顕微鏡において、ステップ状に
電子ビームの焦点を変化させる手段と、ステップ状の焦
点の変化に応じて試料から得られた信号を記憶する手段
とを備えており、該記憶手段に記憶された信号に基づい
て得られたSN比に応じた信号により、試料上の電子ビ
ームの走査速度を制御するように構成したことを特徴と
している。
【0014】
【作用】本発明に基づく走査電子顕微鏡は、対物レンズ
などの励磁をステップ状に変化させ、そのステップ状の
変化の都度試料から得られた信号を検出し、その信号に
基づいてSN比を求め、このSN比が向上するように試
料上の電子ビームの走査速度を制御する。
【0015】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図5は、本発明の一実施例である走査電子
顕微鏡を示しており、図1の従来装置と同一ないしは類
似部分には同一番号を付し、その詳細な説明は省略す
る。制御回路11には信号強度分布メモリー19に記憶
された信号に基づいて、電子ビームの走査速度を設定す
る走査速度設定ユニット30が設けられている。この走
査速度設定ユニット30で得られた走査速度に応じた信
号は、制御回路11内の走査速度設定データメモリー3
1とコンデンサレンズ設定データメモリー32に供給さ
れる。
【0016】走査速度設定データメモリー31の値は走
査速度切換部33に供給される。走査速度切換部33は
垂直走査信号発生回路7と水平走査信号発生回路9とを
制御し、各走査信号の走査速度を切り換える。コンデン
サレンズ設定データメモリー32の値はDA変換器34
を介してコンデンサレンズ駆動回路35に供給される。
コンデンサレンズ駆動回路35は、コンデンサレンズ3
6,37に励磁電流を供給する。このような構成の動作
は次の通りである。
【0017】通常の2次電子像を観察する場合も、対物
レンズ4のフォーカス合わせを行う場合も図1の従来装
置と同様にして行われる。ここで、信号強度分布メモリ
ー19に記憶された信号に基づいて、走査速度設定ユニ
ット30は電子ビームの走査速度の演算を行う。図6は
信号強度分布メモリー19に記憶された信号分布を示し
ており、横軸がフォーカスの変化、縦軸が信号強度であ
る。
【0018】この信号強度分布の内、斜線を施した信号
変化曲線のベース部分Nがノイズ成分であり、検出器と
してのフォトマルチプライアーのショットノイズ、検出
系のノイズなどである。そしてこのノイズ成分Nに乗っ
ている部分が信号成分Sで、試料の凹凸情報である。こ
の信号強度分布は、SN比の良い場合にはノイズ成分N
が小さく、信号部分Sの占める割合が高い。逆に、SN
比の悪い場合は信号部分Sが小さく、ノイズ部分Nの占
める割合が高くなる。
【0019】この時、信号強度分布の信号部分Sに対し
てノイズ部分Nの割合が大きい場合、走査速度設定ユニ
ット30は信号強度分布メモリー19に記憶された信号
から、信号部分Sとノイズ部分Nを求め、この信号から
走査速度変更係数A(=N/S)を求める。更に、ユニ
ット30は係数Aと最初の信号強度分布取得時の走査速
度V1と、走査速度補正係数Hs(走査速度の変化量の
補正)から、補正された走査速度V2(=V1×A×H
s)を求める。
【0020】上記した処理により求められた走査速度V
2は走査速度設定データメモリー31に設定される。こ
のデータメモリー31に設定された走査速度V2は走査
速度切換部33に供給され、切換部33は供給された信
号に応じて垂直走査信号発生回路7と水平走査信号発生
回路9を制御し、電子ビームの走査速度をV2とする。
この結果、電子ビームはより走査速度が遅くされ、検出
信号のSN比は向上することになる。このSN比が向上
した状態で2回目のオートフォーカス動作が実行される
ことから、精度の高いフォーカス合わせが行われる。
【0021】なお、SN比が極めて悪く、信号部分の変
化がないような場合には、まず、自動的に走査速度をM
倍遅くする処理が実行され、その後、前記したSN比を
向上させる走査速度の切り換え処理が実行される。この
ように、SN比の悪い場合には、電子ビームの走査速度
を遅くしたので、再度オートフォーカス動作を行って得
られた信号強度分布は、信号部分に対してノイズ部分が
小さくなり、合焦点位置検出がしやすい分布となる。
【0022】更に、図5の実施例では、最初のオートフ
ォーカス動作によって信号強度分布メモリー19に記憶
された図6に示した信号強度分布より、信号部分とノイ
ズ部分の割合から、オートフォーカスと同時に、照射電
流調整による画像のSN比を向上させ、よりノイズ成分
の少ない観察条件とすることができる。すなわち、走査
速度設定ユニット30は信号強度分布メモリー19に記
憶された信号から、信号部分Sとノイズ部分Nを求め、
この信号からコンデンサレンズ変更係数K(=N/S)
を求める。更に、ユニット30は係数Cと最初の信号強
度分布取得時のコンデンサレンズ値C1と、コンデンサ
レンズ補正係数Hc(コンデンサレンズの変化量の補
正)から、補正されたコンデンサレンズ値C2(=C1
×K×Hc)を求める。
【0023】上記した処理により求められたコンデンサ
レンズ値C2はコンデンサレンズ設定データメモリー3
2に設定される。このデータメモリー32に設定された
コンデンサレンズ値C2は、DA変換器34を介して駆
動回路35に供給される。駆動回路35からコンデンサ
レンズ36,37には、SN比を向上させるように、照
射電流調整がなされた励磁電流が供給される。
【0024】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、2次電子を検
出したが、反射電子を検出してもよい。また、オートフ
ォーカス動作を例に説明したが、本発明はオートフォー
カス動作だけでなく、オート非点動作やオートコントラ
スト動作,オートブライトネス動作の時にも用いること
ができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく走
査電子顕微鏡は、対物レンズなどの励磁をステップ状に
変化させ、そのステップ状の変化の都度試料から得られ
た信号を検出し、その信号に基づいてSN比を求め、こ
のSN比が向上するように試料上の電子ビームの走査速
度を制御するように構成したので、オートフォーカスな
どの動作を観察条件や試料の種類に左右されず、常に精
度高く行うことができる。また、SN比が極端に悪く画
面上で像が観察できないような試料でも、フォーカス合
わせを行うことができる。更に、第1回目の走査速度を
試料がチャージアップしにくい速度から始め、その後、
フォーカス合わせできる走査速度とすることができるた
め、試料のダメージを最小限にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】オートフォーカス機能を有した従来の走査電子
顕微鏡を示す図である。
【図2】図1の走査電子顕微鏡によるオートフォーカス
動作を説明するために用いた信号波系図である。
【図3】図1の走査電子顕微鏡によるオートフォーカス
動作を説明するために用いた信号波系図である。
【図4】SN比の良い時の信号変化とSN比の悪い時の
信号変化を示す図である。
【図5】本発明の一実施例である走査電子顕微鏡を示す
図である。
【図6】検出信号の内の信号部分とノイズ部分を示す図
である。
【符号の説明】
1 電子ビーム 2,3 偏向コイル 4 対物レンズ 5 試料 6 検出器 7 水平走査信号発生回路 8,10,24,27,35 駆動回路 9 垂直走査信号発生回路 11 制御回路 14 フィルタ回路 15 絶対値回路 16 積分回路 17 AD変換器 20 最大値検出ユニット 21 対物レンズ値設定データメモリー 22 補助コイル値設定データメモリー 23,25,34 DA変換器 26 補助コイル 28 対物レンズ値変換ユニット 29 オートフォーカスユニット 30 走査速度設定ユニット 31 走査速度設定データメモリー 32 コンデンサレンズ設定データメモリー 33 走査速度切換部 36,37 コンデンサレンズ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームを試料上に細く集束するとと
    もに試料上で電子ビームを2次元的に走査し、試料から
    得られた信号を検出し、検出信号に基づいて試料の走査
    像を得るようにした走査電子顕微鏡において、ステップ
    状に電子ビームの焦点を変化させる手段と、ステップ状
    の焦点の変化に応じて試料から得られた信号を記憶する
    手段とを備えており、該記憶手段に記憶された信号に基
    づいて得られたSN比に応じた信号により、試料上の電
    子ビームの走査速度を制御するように構成した走査電子
    顕微鏡。
  2. 【請求項2】 該記憶手段に記憶された信号に基づいて
    得られたSN比に応じた信号により、電子ビームを集束
    するコンデンサレンズの励磁強度を制御するように構成
    した請求項1記載の走査電子顕微鏡。
JP15872594A 1994-07-11 1994-07-11 走査電子顕微鏡 Withdrawn JPH0831364A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010082477A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電ビーム装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010082477A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電ビーム装置
US8478021B2 (en) 2009-01-15 2013-07-02 Hitachi High-Technologies Corporation Charged beam device
JP5506699B2 (ja) * 2009-01-15 2014-05-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電ビーム装置

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