JPH08311665A - プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH08311665A JPH08311665A JP7137323A JP13732395A JPH08311665A JP H08311665 A JPH08311665 A JP H08311665A JP 7137323 A JP7137323 A JP 7137323A JP 13732395 A JP13732395 A JP 13732395A JP H08311665 A JPH08311665 A JP H08311665A
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- plasma
- deposit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマプロセス装置の反応室を大気開放す
ることなく、反応ガスを導入してプラズマを発生させ、
反応室内壁に付着した堆積物を高速にしかも安全に除去
する。 【構成】 反応室１の内壁に付着した堆積物をガス化可
能な反応性ガス５を反応室１内に導入して減圧状態にす
る。各電極１２、１３にほぼ平行となるように磁界８を
印加し、周波数が同一で位相が略同一の２交流電力Ｐｈ
1、Ｐｈ2を各電極１２、１３に供給してプラズマを発生
させる。 【効果】 このプラズマ中に発生した反応ガス正イオン
が反応室１の内壁に衝突し、反応室１の内壁に付着した
堆積物と化学反応してガス化して、排気ガス６として反
応室１の外へ排出する。
ることなく、反応ガスを導入してプラズマを発生させ、
反応室内壁に付着した堆積物を高速にしかも安全に除去
する。 【構成】 反応室１の内壁に付着した堆積物をガス化可
能な反応性ガス５を反応室１内に導入して減圧状態にす
る。各電極１２、１３にほぼ平行となるように磁界８を
印加し、周波数が同一で位相が略同一の２交流電力Ｐｈ
1、Ｐｈ2を各電極１２、１３に供給してプラズマを発生
させる。 【効果】 このプラズマ中に発生した反応ガス正イオン
が反応室１の内壁に衝突し、反応室１の内壁に付着した
堆積物と化学反応してガス化して、排気ガス６として反
応室１の外へ排出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング又はＣＶＤ
又はスパッタリングを目的とするマグネトロン放電利用
のプラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法に
関し、特に、相向かい合わせて配置した電極表面を含め
て、反応室内壁全面をクリーニングできるようにしたプ
ラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法に関す
る。
又はスパッタリングを目的とするマグネトロン放電利用
のプラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法に
関し、特に、相向かい合わせて配置した電極表面を含め
て、反応室内壁全面をクリーニングできるようにしたプ
ラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の反応室クリーニング法を説明する
ために、従来用いられていたマグネトロン放電型プラズ
マプロセス装置の構造を図３に示す。図３中、１は反応
室、２及び３はこの反応室１の下面及び上面に絶縁体４
で絶縁されて設けられたカソード電極及びアノード電極
である。反応室１内には反応ガス５が導入され、真空ポ
ンプにより排気ガス６が排出される。一対のソレノイド
コイル７ａ、７ｂを用いて、各電極２、３にほぼ平行と
なるように磁界８が印加される。高周波電源９から例え
ば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力Ｐｈを取り出
し、ブロッキングキャパシタ１０を経由してカソード電
極２に供給する。この高周波電力Ｐｈのカソード電極２
への供給により、カソード電極２の表面上にマグネトロ
ンプラズマが発生する。このマグネトロンプラズマはカ
ソード電極２の表面上にのみ発生するため、プラズマは
カソード電極２の表面上に付着した堆積物とのみ反応
し、堆積物をガス化してカソード電極２の表面をクリー
ニングする。アノード電極３の表面上に付着した堆積物
は、別途、高周波電力Ｐｈをアノード電極３に供給して
マグネトロンプラズマを発生させてクリーニングする。
反応室１のその他の内壁はマグネトロンプラズマを発生
させてもクリーニングできないため、反応室１を大気開
放し、手作業によりクリーニングする。
ために、従来用いられていたマグネトロン放電型プラズ
マプロセス装置の構造を図３に示す。図３中、１は反応
室、２及び３はこの反応室１の下面及び上面に絶縁体４
で絶縁されて設けられたカソード電極及びアノード電極
である。反応室１内には反応ガス５が導入され、真空ポ
ンプにより排気ガス６が排出される。一対のソレノイド
コイル７ａ、７ｂを用いて、各電極２、３にほぼ平行と
なるように磁界８が印加される。高周波電源９から例え
ば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力Ｐｈを取り出
し、ブロッキングキャパシタ１０を経由してカソード電
極２に供給する。この高周波電力Ｐｈのカソード電極２
への供給により、カソード電極２の表面上にマグネトロ
ンプラズマが発生する。このマグネトロンプラズマはカ
ソード電極２の表面上にのみ発生するため、プラズマは
カソード電極２の表面上に付着した堆積物とのみ反応
し、堆積物をガス化してカソード電極２の表面をクリー
ニングする。アノード電極３の表面上に付着した堆積物
は、別途、高周波電力Ｐｈをアノード電極３に供給して
マグネトロンプラズマを発生させてクリーニングする。
反応室１のその他の内壁はマグネトロンプラズマを発生
させてもクリーニングできないため、反応室１を大気開
放し、手作業によりクリーニングする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の反応室クリーニング法では、反応室１を大気
開放して１〜３日がかりでクリーニングするため、生産
ラインを長期間止めなければならなかった。又、反応室
内壁に付着した堆積物は有毒物質が多いため、防毒マス
ク等の使用が不可欠となり、作業上の危険性が無視でき
なかった。
うな従来の反応室クリーニング法では、反応室１を大気
開放して１〜３日がかりでクリーニングするため、生産
ラインを長期間止めなければならなかった。又、反応室
内壁に付着した堆積物は有毒物質が多いため、防毒マス
ク等の使用が不可欠となり、作業上の危険性が無視でき
なかった。
【０００４】本発明の目的は、カソード及びアノード電
極以外の反応室の内壁を、大気開放して手作業によりク
リーニングする以外に方法がないという課題を解決し、
反応室を大気開放することなく反応ガスを導入してプラ
ズマを発生させ、反応室内壁に付着した堆積物を高速に
しかも安全に除去できるプラズマプロセス装置の反応室
のクリーニング方法を提供することである。
極以外の反応室の内壁を、大気開放して手作業によりク
リーニングする以外に方法がないという課題を解決し、
反応室を大気開放することなく反応ガスを導入してプラ
ズマを発生させ、反応室内壁に付着した堆積物を高速に
しかも安全に除去できるプラズマプロセス装置の反応室
のクリーニング方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のクリーニング法
は上記の課題を解決し、上記の目的を達成するため、次
のような方法でプラズマプロセス装置の反応室１の内壁
をクリーニングする。すなわち、 a)反応室の内壁に付着した堆積物をガス化可能な反応性
ガスを反応室内に導入して減圧状態にし、 b)各電極にほぼ平行となるように磁界を印加し、 c)周波数が同一で位相が略同一の２交流電力を各電極に
供給してプラズマを発生させ、 このプラズマ中に発生した反応ガス正イオンを反応室の
内壁に衝突させ、反応室の内壁に付着した堆積物をその
正イオンと化学反応させてガス化し排気ガスとして反応
室の外へ排出させる。
は上記の課題を解決し、上記の目的を達成するため、次
のような方法でプラズマプロセス装置の反応室１の内壁
をクリーニングする。すなわち、 a)反応室の内壁に付着した堆積物をガス化可能な反応性
ガスを反応室内に導入して減圧状態にし、 b)各電極にほぼ平行となるように磁界を印加し、 c)周波数が同一で位相が略同一の２交流電力を各電極に
供給してプラズマを発生させ、 このプラズマ中に発生した反応ガス正イオンを反応室の
内壁に衝突させ、反応室の内壁に付着した堆積物をその
正イオンと化学反応させてガス化し排気ガスとして反応
室の外へ排出させる。
【０００６】
【作用】図１は本発明に係るプラズマプロセス装置の反
応室のクリーニング方法を説明するためのプラズマプロ
セス装置の構成の概要を示す説明図で、図３に示した従
来用いられていたマグネトロン放電型プラズマプロセス
装置と同様な構成部分については同一の符号を付してあ
る。
応室のクリーニング方法を説明するためのプラズマプロ
セス装置の構成の概要を示す説明図で、図３に示した従
来用いられていたマグネトロン放電型プラズマプロセス
装置と同様な構成部分については同一の符号を付してあ
る。
【０００７】反応室１内を十分に排気した後、反応ガス
５を反応室１内に導入する。反応ガス５としては、反応
室１の内壁に付着した堆積物をガス化可能なガスを使用
する。そして、ほぼ同期する高周波電源１４、１５によ
り、各電極１２、１３上に電界を形成する。この電界に
よって発生する電気力線は各電極１２、１３に垂直とな
り、その延長線上の端はアノードとなる反応室１に結ば
れている。各電極１２、１３にほぼ垂直となるように発
生する電界とそれに直交する磁界８の作用によって、各
電極１２、１３間の空間にマグネトロンプラズマが発生
する。このマグネトロンプラズマ中には多量の電子が含
まれ、電子は軽いため磁力線に沿って容易に移動し、反
応室１の内壁に到達する。この電子の動きに引きづられ
てプラズマ中の重い正イオンが移動し、反応室１の内壁
に衝突して堆積物をクリーニングする。
５を反応室１内に導入する。反応ガス５としては、反応
室１の内壁に付着した堆積物をガス化可能なガスを使用
する。そして、ほぼ同期する高周波電源１４、１５によ
り、各電極１２、１３上に電界を形成する。この電界に
よって発生する電気力線は各電極１２、１３に垂直とな
り、その延長線上の端はアノードとなる反応室１に結ば
れている。各電極１２、１３にほぼ垂直となるように発
生する電界とそれに直交する磁界８の作用によって、各
電極１２、１３間の空間にマグネトロンプラズマが発生
する。このマグネトロンプラズマ中には多量の電子が含
まれ、電子は軽いため磁力線に沿って容易に移動し、反
応室１の内壁に到達する。この電子の動きに引きづられ
てプラズマ中の重い正イオンが移動し、反応室１の内壁
に衝突して堆積物をクリーニングする。
【０００８】なお、磁界８の発生手段としては、一対の
ソレノイドコイル７ａ、７ｂ又は永久磁石を用いること
ができる。電極１２、１３の枚数は３枚以上でもよい
が、それらは平行に、かつ、極性が交互になるように配
置しておく必要がある。
ソレノイドコイル７ａ、７ｂ又は永久磁石を用いること
ができる。電極１２、１３の枚数は３枚以上でもよい
が、それらは平行に、かつ、極性が交互になるように配
置しておく必要がある。
【０００９】
【実施例】以下、図１及び図２に基づいて本発明の一実
施例を説明する。反応室１内を十分に排気した後、反応
ガス５を反応室１内に導入する。導入する反応ガス５の
圧力は約１〜５０ｍＴｏｒｒとする。そして、フェーズ
シフタ１６によって位相差が０゜±６０゜程度となるよ
うに制御しつつ、同一周波数で発振する高周波電源１
４、１５により高周波電力Ｐｈ1、Ｐｈ2をブロッキング
キャパシタ１０、１１を経由して各電極１２、１３に供
給する。また、約５０〜５００ガウス程度の強度を有す
る磁界８を各電極１２、１３にほぼ平行となるように印
加する。これにより、相隣り合わせた各電極１２、１３
間及び接地した反応室１の間の空間にマグネトロンプラ
ズマが発生する。このマグネトロンプラズマは反応室１
をアノードとして発生しているため、反応室１の内壁と
接触している。そして、このマグネトロンプラズマ中の
電子の一部が各電極１２、１３に捕獲され、ブロッキン
グキャパシタ１０、１１に蓄積される。このプラズマ中
の電子の捕獲により、各電極１２、１３の電位はプラズ
マ自体の電位よりも負となる。
施例を説明する。反応室１内を十分に排気した後、反応
ガス５を反応室１内に導入する。導入する反応ガス５の
圧力は約１〜５０ｍＴｏｒｒとする。そして、フェーズ
シフタ１６によって位相差が０゜±６０゜程度となるよ
うに制御しつつ、同一周波数で発振する高周波電源１
４、１５により高周波電力Ｐｈ1、Ｐｈ2をブロッキング
キャパシタ１０、１１を経由して各電極１２、１３に供
給する。また、約５０〜５００ガウス程度の強度を有す
る磁界８を各電極１２、１３にほぼ平行となるように印
加する。これにより、相隣り合わせた各電極１２、１３
間及び接地した反応室１の間の空間にマグネトロンプラ
ズマが発生する。このマグネトロンプラズマは反応室１
をアノードとして発生しているため、反応室１の内壁と
接触している。そして、このマグネトロンプラズマ中の
電子の一部が各電極１２、１３に捕獲され、ブロッキン
グキャパシタ１０、１１に蓄積される。このプラズマ中
の電子の捕獲により、各電極１２、１３の電位はプラズ
マ自体の電位よりも負となる。
【００１０】導入する反応ガスをＯ2とし、同一周波数
１３．５６ＭＨｚで位相差０゜の同一電力の高周波電力
を各電極１２、１３に供給した時に観測された電圧波形
を図２に示す。Ｏ2のガス圧は６ｍＴｏｒｒとし、電圧
波形はオシロスコープによって観察した。上下電極１
３、１２の波形は同一であったため（位相差０°）、１
つの図にして示してある。電圧の振幅は５０Ｖで、点線
は直流電圧成分を示し、＋３０Ｖであった。この直流電
圧成分を直流自己バイアス電圧と呼ぶ。プラズマ自体の
電位又は電圧をプラズマ電位と呼ぶが、プラズマ電位は
直流自己バイアス電圧よりも一般的に２０Ｖ程度以上高
くなっている。
１３．５６ＭＨｚで位相差０゜の同一電力の高周波電力
を各電極１２、１３に供給した時に観測された電圧波形
を図２に示す。Ｏ2のガス圧は６ｍＴｏｒｒとし、電圧
波形はオシロスコープによって観察した。上下電極１
３、１２の波形は同一であったため（位相差０°）、１
つの図にして示してある。電圧の振幅は５０Ｖで、点線
は直流電圧成分を示し、＋３０Ｖであった。この直流電
圧成分を直流自己バイアス電圧と呼ぶ。プラズマ自体の
電位又は電圧をプラズマ電位と呼ぶが、プラズマ電位は
直流自己バイアス電圧よりも一般的に２０Ｖ程度以上高
くなっている。
【００１１】反応室１は接地されているため＋５０Ｖ以
上の電位を持つプラズマが反応室１の内壁に向かって拡
散してくる。このようにしてプラズマと反応室１の内壁
は絶えず接触することになる。接地電位の反応室１とプ
ラズマの界面にイオンシースが形成され強い電界が発生
する。このイオンシース内の強い電界によってプラズマ
中の正イオンが加速され、反応室内壁に衝突する。又、
プラズマ中の中性反応種（ラジカル）も拡散して反応室
内壁に付着する。この中性反応種の化学的作用と正イオ
ンの物理的作用の相乗効果によって反応室内壁に付着し
た堆積物をガス化して除去できる。
上の電位を持つプラズマが反応室１の内壁に向かって拡
散してくる。このようにしてプラズマと反応室１の内壁
は絶えず接触することになる。接地電位の反応室１とプ
ラズマの界面にイオンシースが形成され強い電界が発生
する。このイオンシース内の強い電界によってプラズマ
中の正イオンが加速され、反応室内壁に衝突する。又、
プラズマ中の中性反応種（ラジカル）も拡散して反応室
内壁に付着する。この中性反応種の化学的作用と正イオ
ンの物理的作用の相乗効果によって反応室内壁に付着し
た堆積物をガス化して除去できる。
【００１２】この除去速度は反応室内壁に接触するプラ
ズマの密度とプラズマ電位の高さ、そして形成されるイ
オンシース内の電界強度の大きさに比例して速くなる。
このようにして発生するプラズマの密度は、磁界の無い
時に発生するプラズマ密度より約１０倍濃いため、クリ
ーニング速度が速くなる。又、一般的に図３に示したよ
うな磁界が存在する時に発生するプラズマのプラズマ電
位は＋２０Ｖ程度と低いが、図１に示したようなプラズ
マプロセス装置を用いて発生したマグネトロンプラズマ
のプラズマ電位は＋５０Ｖ以上と高いため、クリーニン
グ速度が著しく速くなる。又、このようにして発生した
プラズマは反応室１のかなり狭い空間にも入り込めるた
め、反応室の隅々までクリーニングすることができる。
用いる反応ガスは堆積物と反応して容易にガス化できる
ものでなくてはならない。
ズマの密度とプラズマ電位の高さ、そして形成されるイ
オンシース内の電界強度の大きさに比例して速くなる。
このようにして発生するプラズマの密度は、磁界の無い
時に発生するプラズマ密度より約１０倍濃いため、クリ
ーニング速度が速くなる。又、一般的に図３に示したよ
うな磁界が存在する時に発生するプラズマのプラズマ電
位は＋２０Ｖ程度と低いが、図１に示したようなプラズ
マプロセス装置を用いて発生したマグネトロンプラズマ
のプラズマ電位は＋５０Ｖ以上と高いため、クリーニン
グ速度が著しく速くなる。又、このようにして発生した
プラズマは反応室１のかなり狭い空間にも入り込めるた
め、反応室の隅々までクリーニングすることができる。
用いる反応ガスは堆積物と反応して容易にガス化できる
ものでなくてはならない。
【００１３】なお、プラズマは磁力線に沿った方向とそ
れに垂直な方向とで分布が異なるので、磁界８を各電極
１２、１３と平行となるような方向で回転させるのが好
ましい。上下部電極１２、１３はプラズマ発生中、絶え
ずプラズマに晒され、正イオンの衝撃を受けているので
容易にクリーニングすることができる。プラズマ発生用
電源として高周波電源を用いたが、周波数は問題ではな
く、低周波電源を用いてもよい。
れに垂直な方向とで分布が異なるので、磁界８を各電極
１２、１３と平行となるような方向で回転させるのが好
ましい。上下部電極１２、１３はプラズマ発生中、絶え
ずプラズマに晒され、正イオンの衝撃を受けているので
容易にクリーニングすることができる。プラズマ発生用
電源として高周波電源を用いたが、周波数は問題ではな
く、低周波電源を用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】上述の説明から明かなように、本発明の
プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法を用
いれば、発生するプラズマのプラズマ電位が図３に示し
たような磁界の有る場合の一般的なマグネトロンプラズ
マのプラズマ電位と比較してかなり高いため、反応室１
の内壁に運動エネルギーの大きな正イオンを衝突させる
ことができる。このようにして発生したマグネトロンプ
ラズマは、密度が通常の磁場の無い時のプラズマと比較
して１０倍以上濃いため、反応室内壁に中性反応種を多
量に付着させることができる。この多量に付着した中性
反応種の化学的作用と多量に入射する正イオンの物理的
作用の相乗効果により、反応室内壁に付着した堆積物を
ガス化して除去することができる。クリーニング速度は
上下電極に供給する高周波電力量を増大させたり、反応
室１内に導入する反応ガスの流量を増大させたり、反応
室１を加熱したりすることにより速くすることができ
る。
プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法を用
いれば、発生するプラズマのプラズマ電位が図３に示し
たような磁界の有る場合の一般的なマグネトロンプラズ
マのプラズマ電位と比較してかなり高いため、反応室１
の内壁に運動エネルギーの大きな正イオンを衝突させる
ことができる。このようにして発生したマグネトロンプ
ラズマは、密度が通常の磁場の無い時のプラズマと比較
して１０倍以上濃いため、反応室内壁に中性反応種を多
量に付着させることができる。この多量に付着した中性
反応種の化学的作用と多量に入射する正イオンの物理的
作用の相乗効果により、反応室内壁に付着した堆積物を
ガス化して除去することができる。クリーニング速度は
上下電極に供給する高周波電力量を増大させたり、反応
室１内に導入する反応ガスの流量を増大させたり、反応
室１を加熱したりすることにより速くすることができ
る。
【図１】 本発明のプラズマプロセス装置の反応室のク
リーニング方法の実施例において用いたプラズマプロセ
ス装置の構成の概要を示す説明図。
リーニング方法の実施例において用いたプラズマプロセ
ス装置の構成の概要を示す説明図。
【図２】 本発明のプラズマプロセス装置の反応室のク
リーニング方法の実施例において用いたプラズマプロセ
ス装置を動作中に上下電極に観察される電圧の波形を示
す説明図。
リーニング方法の実施例において用いたプラズマプロセ
ス装置を動作中に上下電極に観察される電圧の波形を示
す説明図。
【図３】 従来のクリーニング法を説明するために用い
たマグネトロン放電型プラズマプロセス装置の一例の構
成の概要を示す説明図。
たマグネトロン放電型プラズマプロセス装置の一例の構
成の概要を示す説明図。
１…反応室 ２、１２…下部（カソード）電極 ３、１３…上部（アノード）電極 ５…反応ガス ７ａ、７ｂ…ソレノイドコイル ８…磁界 ９、１４、１５…交流（高周波）電源 Ｐｈ、Ｐｈ1、Ｐｈ2…交流（高周波）電力 １０、１１…ブロッキングキャパシタ １６…フェーズシフタ
Claims (6)
- 【請求項１】 ２種類の極性の電極を相向かい合わせて
配置したプラズマプロセス装置の反応室内をクリーニン
グする方法において、 a)反応室の内壁に付着した堆積物をガス化可能な反応性
ガスを反応室内に導入して減圧状態にし、 b)各電極にほぼ平行となるように磁界を印加し、 c)周波数が同一で位相が略同一の２交流電力を各電極に
供給してプラズマを発生させ、 このプラズマ中に発生した反応ガス正イオンを反応室の
内壁に衝突させ、反応室の内壁に付着した堆積物をその
正イオンと化学反応させてガス化し排気ガスとして反応
室の外へ排出させることを特徴とするプラズマプロセス
装置の反応室のクリーニング方法。 - 【請求項２】 相向かい合わせて配置した電極の合計枚
数が２枚であることを特徴とする請求項１に記載のプラ
ズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法。 - 【請求項３】 相向かい合わせて配置した電極の合計枚
数が３枚以上であり、逆極性の電極が交互に配置されて
いることを特徴とする請求項１に記載のプラズマプロセ
ス装置の反応室のクリーニング方法。 - 【請求項４】 各電極に供給される２交流電力の位相差
が０゜±６０゜の範囲にあることを特徴とする請求項２
又は３のいずれかに記載のプラズマプロセス装置の反応
室のクリーニング方法。 - 【請求項５】 各電極に供給される２交流電力の位相差
が０゜であることを特徴とする請求項４に記載のプラズ
マプロセス装置の反応室のクリーニング方法。 - 【請求項６】 各電極にほぼ平行となるように印加した
磁界を、各電極にほぼ平行としたまま回転させることを
特徴とする請求項４又は５のいずれかに記載のプラズマ
プロセス装置の反応室のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137323A JP2978940B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137323A JP2978940B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311665A true JPH08311665A (ja) | 1996-11-26 |
| JP2978940B2 JP2978940B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=15195997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7137323A Expired - Lifetime JP2978940B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | プラズマプロセス装置の反応室のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978940B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100254034B1 (ko) * | 1997-11-19 | 2000-04-15 | 고희석 | 코로나 방전 플라즈마에 의한 공해가스처리장치 |
| JP2001271170A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置とそのドライクリーニング方法 |
| JP2003264152A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | シリコン堆積膜除去方法 |
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