JPH08311049A - Ｌ−スレオ−βーヒドロキシアスパラギン酸誘導体および製造法 - Google Patents
Ｌ−スレオ−βーヒドロキシアスパラギン酸誘導体および製造法Info
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- JPH08311049A JPH08311049A JP8030150A JP3015096A JPH08311049A JP H08311049 A JPH08311049 A JP H08311049A JP 8030150 A JP8030150 A JP 8030150A JP 3015096 A JP3015096 A JP 3015096A JP H08311049 A JPH08311049 A JP H08311049A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘
導体及び当該化合物を容易にかつ高収率で得る製造法を
提供すること。 【構成】下記一般式（１） 【化１】 （式中Ｒ1 およびＲ2 は水素原子又はカルボキシル基の
保護基を表す。）で示されるＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸誘導体およびその製造法
導体及び当該化合物を容易にかつ高収率で得る製造法を
提供すること。 【構成】下記一般式（１） 【化１】 （式中Ｒ1 およびＲ2 は水素原子又はカルボキシル基の
保護基を表す。）で示されるＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸誘導体およびその製造法
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、白血病治療薬ベス
タチン等の医薬品合成中間体である（２Ｓ，３Ｒ）−３
−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸の原料と
して、また試薬として有用なＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸誘導体特に、Ｌ−スレオ−β−ヒドロ
キシアスパラギン酸のオキサゾリドン誘導体およびその
製造法に関する。
タチン等の医薬品合成中間体である（２Ｓ，３Ｒ）−３
−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸の原料と
して、また試薬として有用なＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸誘導体特に、Ｌ−スレオ−β−ヒドロ
キシアスパラギン酸のオキサゾリドン誘導体およびその
製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＬ−セリンを出発原料としてＤＬ−ス
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドン誘
導体およびそのジメチルエステルが得られること〔Bul
l.Chem.Soc.Japan,41,2148(1968) 〕、またＤＬ−スレ
オ−β−ヒドロキシアスパラギン酸にホスゲンを作用せ
しめてＤＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オ
キサゾリドン誘導体が得られること〔Bull.Chem, Soc.J
apan, 46,3308(1973) 〕が知られている。
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドン誘
導体およびそのジメチルエステルが得られること〔Bul
l.Chem.Soc.Japan,41,2148(1968) 〕、またＤＬ−スレ
オ−β−ヒドロキシアスパラギン酸にホスゲンを作用せ
しめてＤＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オ
キサゾリドン誘導体が得られること〔Bull.Chem, Soc.J
apan, 46,3308(1973) 〕が知られている。
【０００３】また現在白血病の治療薬として上市されて
いるベスタチンは〔（２Ｓ，３Ｒ）−３−アミノ−２−
ヒドロキシ−４−フェニルブタノイル〕−Ｌ−ロイシン
の化学構造を有し、微生物の醗酵生産物として最初に見
い出された〔J.Antibiot.,29,100(1976)〕〔特公昭５４
−３９４７７〕。
いるベスタチンは〔（２Ｓ，３Ｒ）−３−アミノ−２−
ヒドロキシ−４−フェニルブタノイル〕−Ｌ−ロイシン
の化学構造を有し、微生物の醗酵生産物として最初に見
い出された〔J.Antibiot.,29,100(1976)〕〔特公昭５４
−３９４７７〕。
【０００４】またベスタチンは有機合成的には（２Ｓ，
３Ｒ）−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪
酸（以下（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡと称す）とＬ−ロイ
シンより得られることが知られている〔J.Antibiot.,2
9,600(1976)〕。
３Ｒ）−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪
酸（以下（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡと称す）とＬ−ロイ
シンより得られることが知られている〔J.Antibiot.,2
9,600(1976)〕。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ベスタチン等の医薬品
合成中間体である（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡは光学活性
体であるため、光学分割を必要とし従来法では満足すべ
き収率で得ることができない。そのため効率のよい合成
法の開発が望まれている。本発明は（２Ｓ，３Ｒ）−Ａ
ＨＰＡの新規な合成原料として有用であり、また試薬な
どとしても有用な光学活性な後記一般式（１）で示され
るオキサゾリドン誘導体およびその製造法を提供しよう
とするものである。
合成中間体である（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡは光学活性
体であるため、光学分割を必要とし従来法では満足すべ
き収率で得ることができない。そのため効率のよい合成
法の開発が望まれている。本発明は（２Ｓ，３Ｒ）−Ａ
ＨＰＡの新規な合成原料として有用であり、また試薬な
どとしても有用な光学活性な後記一般式（１）で示され
るオキサゾリドン誘導体およびその製造法を提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々検討
した結果、本発明を完成したもので、すなわち、本発明
は次の（１）〜（９）に関する。 （１）下記一般式（１）
した結果、本発明を完成したもので、すなわち、本発明
は次の（１）〜（９）に関する。 （１）下記一般式（１）
【０００７】
【化３】 （式中Ｒ1 およびＲ2 は水素原子またはカルボキシル基
の保護基を表わす。）で示されるＬ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパラギン酸誘導体
の保護基を表わす。）で示されるＬ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパラギン酸誘導体
【０００８】（２）一般式（１）においてＲ1 およびＲ
2 が水素、低級アルキル基およびベンジル型保護基のい
ずれかである上記（１）のＬ−スレオ−β−ヒドロキシ
アスパラギン酸誘導体 （３）一般式（１）においてＲ1 が炭素数１〜４の低級
アルキル基、Ｒ2 が水素原子である上記（１）のＬ−ス
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘導体
2 が水素、低級アルキル基およびベンジル型保護基のい
ずれかである上記（１）のＬ−スレオ−β−ヒドロキシ
アスパラギン酸誘導体 （３）一般式（１）においてＲ1 が炭素数１〜４の低級
アルキル基、Ｒ2 が水素原子である上記（１）のＬ−ス
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘導体
【０００９】（４）Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパ
ラギン酸ジエステルに不活性溶媒中でホスゲンあるいは
ホスゲンダイマーを作用せしめ、Ｌ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパラギン酸オキサゾリドン誘導体のジエステ
ルを得るか、または次いでカルボキシル基の保護基を脱
保護することを特徴とする一般式（１）で示されるＬ−
スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘導体の製造
法。
ラギン酸ジエステルに不活性溶媒中でホスゲンあるいは
ホスゲンダイマーを作用せしめ、Ｌ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパラギン酸オキサゾリドン誘導体のジエステ
ルを得るか、または次いでカルボキシル基の保護基を脱
保護することを特徴とする一般式（１）で示されるＬ−
スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘導体の製造
法。
【００１０】（５）一般式（１）においてＲ1 が低級ア
ルキル基、Ｒ2 がベンジル基である化合物を接触還元す
ることによって、β位のカルボキシル基が低級アルキル
基で保護されたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギ
ン酸オキサゾリドンを得る製造法。
ルキル基、Ｒ2 がベンジル基である化合物を接触還元す
ることによって、β位のカルボキシル基が低級アルキル
基で保護されたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギ
ン酸オキサゾリドンを得る製造法。
【００１１】（６）下記一般式（５）
【化４】 （式中Ｒ1 は前記と同じ意味を表わす。）で示されるＬ
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドン
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドン
【００１２】（７）請求項６記載の一般式（５）におけ
るＲ1 がメチル基である（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイ
ル−５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２
るＲ1 がメチル基である（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイ
ル−５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２
【００１３】（８）（６）の一般式（５）で示されるＬ
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドンを接触還元することを特徴とする５
−低級アルコキシカルボニル−４−ベンジルオキサゾリ
ドン、または必要に応じて次いで脱保護することを特徴
とする２Ｓ，３Ｒ−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−
フェニル酪酸の製造法
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドンを接触還元することを特徴とする５
−低級アルコキシカルボニル−４−ベンジルオキサゾリ
ドン、または必要に応じて次いで脱保護することを特徴
とする２Ｓ，３Ｒ−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−
フェニル酪酸の製造法
【００１４】（９）（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイル−
５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２を出発原
料とする（８）の製造法
５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２を出発原
料とする（８）の製造法
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を更に詳しく説明する。一
般式（１）又は一般式（５）において、Ｒ1 およびＲ2
におけるカルボキシル基の保護基としては、例えば、低
級アルキル基好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェナシル型保護基、即ち置換または非置換フェナ
シル基、またはベンジル型保護基即ち置換または非置換
ベンジル基があげられる。低級アルキル基としては炭素
数１〜６のアルキル基があげられ、好ましくは炭素数１
〜４の低級アルキル基であり、具体的にはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基が挙げられる。ベンジル型保護基である置換ま
たは非置換ベンジル基としては、ベンジル基および置換
基としてハロゲン原子、低級アルキル基、ニトロ基また
はヒドロキシ基を有するベンジル基が挙げられる。また
置換フェナシル基の場合も、置換ベンジル基の場合と同
様な基で置換されたフェナシル基があげられる。
般式（１）又は一般式（５）において、Ｒ1 およびＲ2
におけるカルボキシル基の保護基としては、例えば、低
級アルキル基好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェナシル型保護基、即ち置換または非置換フェナ
シル基、またはベンジル型保護基即ち置換または非置換
ベンジル基があげられる。低級アルキル基としては炭素
数１〜６のアルキル基があげられ、好ましくは炭素数１
〜４の低級アルキル基であり、具体的にはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基が挙げられる。ベンジル型保護基である置換ま
たは非置換ベンジル基としては、ベンジル基および置換
基としてハロゲン原子、低級アルキル基、ニトロ基また
はヒドロキシ基を有するベンジル基が挙げられる。また
置換フェナシル基の場合も、置換ベンジル基の場合と同
様な基で置換されたフェナシル基があげられる。
【００１６】本発明の一般式（１）で表わされる代表的
化合物を例示すると下記の通りである。 Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドン Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドンジメチルエステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドンジエチルエステル （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−エトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−ブトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−ベンジ
ルオキシカルボニルオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−ｐ−ク
ロロベンジルオキシカルボニルオキサゾリドン
化合物を例示すると下記の通りである。 Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドン Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドンジメチルエステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリ
ドンジエチルエステル （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−エトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−ブトキシカルボニル−４−カルボ
キシオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−ベンジ
ルオキシカルボニルオキサゾリドン （４Ｓ，５Ｓ）−５−メトキシカルボニル−４−ｐ−ク
ロロベンジルオキシカルボニルオキサゾリドン
【００１７】本発明のＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸オキサゾリドンおよびそのエステル類は通常
次の（１）ないし（３）の工程によって製造することが
できる。
パラギン酸オキサゾリドンおよびそのエステル類は通常
次の（１）ないし（３）の工程によって製造することが
できる。
【００１８】（１）Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパ
ラギン酸ジエステルの製造 下記式（２）
ラギン酸ジエステルの製造 下記式（２）
【００１９】
【化５】
【００２０】で示される市販のＬ−スレオ−β−ヒドロ
キシアスパラギン酸に例えば１０℃〜低級アルコールの
沸点の温度で、メタノールあるいはエタノール等の低級
アルコール中で塩酸ガスを通ずる通常のエステル化法に
よりジ低級アルキルエステルが得られる。またβ位のカ
ルボキシル基が低級アルキルエステル、α位のカルボキ
シル基がベンジル型エステルとなったジエステルの場合
には、最初にパラトルエンスルホン酸などの存在下にベ
ンジルアルコールまたは置換ベンジルアルコール等のベ
ンジルアルコール類と反応させて、対応するジベンジル
エステルとし、次いで塩酸などの酸の存在下もしくは不
存在下に通常４０℃以下、好ましくは３０℃以下、更に
好ましくは２０℃以下で、低級アルコールと反応させる
ことにより得ることができる。このようにして得られた
該ジエステルは下記式（３）で表される
キシアスパラギン酸に例えば１０℃〜低級アルコールの
沸点の温度で、メタノールあるいはエタノール等の低級
アルコール中で塩酸ガスを通ずる通常のエステル化法に
よりジ低級アルキルエステルが得られる。またβ位のカ
ルボキシル基が低級アルキルエステル、α位のカルボキ
シル基がベンジル型エステルとなったジエステルの場合
には、最初にパラトルエンスルホン酸などの存在下にベ
ンジルアルコールまたは置換ベンジルアルコール等のベ
ンジルアルコール類と反応させて、対応するジベンジル
エステルとし、次いで塩酸などの酸の存在下もしくは不
存在下に通常４０℃以下、好ましくは３０℃以下、更に
好ましくは２０℃以下で、低級アルコールと反応させる
ことにより得ることができる。このようにして得られた
該ジエステルは下記式（３）で表される
【００２１】
【化６】 （式中、Ｒ'1およびＲ'2低級アルキル基または、置換ま
たは非置換のベンジル基を表わす）。
たは非置換のベンジル基を表わす）。
【００２２】上記式（３）の化合物としては例えば下記
のものをあげることができる。 Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジメチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジエチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジブチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸モノメチル
モノベンジルエステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸モノメチル
モノｐ−クロロベンジルエステル
のものをあげることができる。 Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジメチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジエチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸ジブチルエ
ステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸モノメチル
モノベンジルエステル Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸モノメチル
モノｐ−クロロベンジルエステル
【００２３】（２）Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパ
ラギン酸オキサゾリドンのジエステルの製造 上記（１）で得られたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸ジエステルにホスゲン類を適当な溶媒中作用
せしめることにより対応するＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸オキサゾリドン誘導体のジエステルを
高収率にて得ることができる。
ラギン酸オキサゾリドンのジエステルの製造 上記（１）で得られたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸ジエステルにホスゲン類を適当な溶媒中作用
せしめることにより対応するＬ−スレオ−β−ヒドロキ
シアスパラギン酸オキサゾリドン誘導体のジエステルを
高収率にて得ることができる。
【００２４】この反応において、ホスゲン類としては、
ホスゲン、ホスゲンダイマー、ホスゲントリマー等を用
いることができる。収率等を考慮すると特に好ましくは
ホスゲンダイマーである。溶媒としては、トルエン、ア
セトニトリル環状エーテル類、脂肪酸エステル類等の不
活性有機溶媒があげられ、好ましくはジオキサンがあげ
られる。
ホスゲン、ホスゲンダイマー、ホスゲントリマー等を用
いることができる。収率等を考慮すると特に好ましくは
ホスゲンダイマーである。溶媒としては、トルエン、ア
セトニトリル環状エーテル類、脂肪酸エステル類等の不
活性有機溶媒があげられ、好ましくはジオキサンがあげ
られる。
【００２５】反応温度は特に制限はないが通常２０〜１
００℃、好ましくは７０〜８０℃であり、反応時間は、
反応条件により異なるが通常３０分間〜数時間である。
００℃、好ましくは７０〜８０℃であり、反応時間は、
反応条件により異なるが通常３０分間〜数時間である。
【００２６】（３）Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパ
ラギン酸オキサゾリドンまたはそのモノエステルの製造 上記（２）で得られたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸オキサゾリドンのジエステルを、加水分解好
ましくはアルカリ加水分解、あるいは接触還元すること
によってカルボキシル基の保護基を脱保護し、Ｌ−スレ
オ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンある
いはそのモノエステルを高収率にて容易に得ることがで
きる。即ち、該ジエステルがジ低級アルキルエステルの
とき、アルカリ加水分解することにより、Ｌ−スレオ−
β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサドリンが得られ、
該ジエステルの片方が低級アルキルエステル、他方がベ
ンジル型エステルのジエステルのときは、アルカリ加水
分解すると、Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン
酸オキサゾリドンモノベンジル型エステルが得られ、加
水分解の代りに接触還元を用いるとＬ−スレオ−β−ヒ
ドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンモノ低級アルキ
ルエステルが得られる。
ラギン酸オキサゾリドンまたはそのモノエステルの製造 上記（２）で得られたＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸オキサゾリドンのジエステルを、加水分解好
ましくはアルカリ加水分解、あるいは接触還元すること
によってカルボキシル基の保護基を脱保護し、Ｌ−スレ
オ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンある
いはそのモノエステルを高収率にて容易に得ることがで
きる。即ち、該ジエステルがジ低級アルキルエステルの
とき、アルカリ加水分解することにより、Ｌ−スレオ−
β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサドリンが得られ、
該ジエステルの片方が低級アルキルエステル、他方がベ
ンジル型エステルのジエステルのときは、アルカリ加水
分解すると、Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン
酸オキサゾリドンモノベンジル型エステルが得られ、加
水分解の代りに接触還元を用いるとＬ−スレオ−β−ヒ
ドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンモノ低級アルキ
ルエステルが得られる。
【００２７】具体的にＬ−スレオ−β−ヒドロキシアス
パラギン酸オキサゾリドンのモノ低級アルキルエステル
を得る方法の１例を次に説明する。Ｌ−スレオ−β−ヒ
ドロキシアスパラギン酸をベンゼンあるいはトルエン中
でｐ−トルエンスルホン酸の存在下にベンジルアルコー
ルとともに還流脱水するとジベンジルエステルになる。
このジエステルを塩化水素を含むアルコール、例えばメ
タノール中に２０℃以下に１０数時間放置するとβ位の
ベンジルエステルがメチルエステルになる。この得られ
たα−ベンジル、β−メチルジエステルをジオキサンあ
るいはアセトニトリル中で７５〜８５℃、３０分間から
数時間、ホスゲンダイマーを作用せしめると該ジエステ
ルに対応するオキサゾリドン誘導体が得られる。このベ
ンジルメチルジエステルをメタノールのようなアルコー
ル溶媒中でパラジウムのような通常接触還元に用いられ
る触媒を用いて接触還元すると目的とする５−メトキシ
カルボニル−４−ヒドロキシカルボニルオキサゾリドン
に導くことができる。
パラギン酸オキサゾリドンのモノ低級アルキルエステル
を得る方法の１例を次に説明する。Ｌ−スレオ−β−ヒ
ドロキシアスパラギン酸をベンゼンあるいはトルエン中
でｐ−トルエンスルホン酸の存在下にベンジルアルコー
ルとともに還流脱水するとジベンジルエステルになる。
このジエステルを塩化水素を含むアルコール、例えばメ
タノール中に２０℃以下に１０数時間放置するとβ位の
ベンジルエステルがメチルエステルになる。この得られ
たα−ベンジル、β−メチルジエステルをジオキサンあ
るいはアセトニトリル中で７５〜８５℃、３０分間から
数時間、ホスゲンダイマーを作用せしめると該ジエステ
ルに対応するオキサゾリドン誘導体が得られる。このベ
ンジルメチルジエステルをメタノールのようなアルコー
ル溶媒中でパラジウムのような通常接触還元に用いられ
る触媒を用いて接触還元すると目的とする５−メトキシ
カルボニル−４−ヒドロキシカルボニルオキサゾリドン
に導くことができる。
【００２８】上記アルカリ加水分解反応において、通常
用いられる溶媒および試薬を使用することができる。具
体的には、水あるいは水を含むアセトンあるいはメタノ
ール中で水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等のような水酸化アルカリで−１０℃〜８０℃で
反応を行なう。塩酸、硫酸等の強酸で反応液を酸性に
し、中和するか、あるいは、ダウエックス５０Ｗ
（Ｈ+ ）（商品名）のようなイオン交換樹脂を用いるこ
とによって、脱塩を行ない、目的物を得る。
用いられる溶媒および試薬を使用することができる。具
体的には、水あるいは水を含むアセトンあるいはメタノ
ール中で水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等のような水酸化アルカリで−１０℃〜８０℃で
反応を行なう。塩酸、硫酸等の強酸で反応液を酸性に
し、中和するか、あるいは、ダウエックス５０Ｗ
（Ｈ+ ）（商品名）のようなイオン交換樹脂を用いるこ
とによって、脱塩を行ない、目的物を得る。
【００２９】上記接触還元において、通常用いられる溶
媒および試薬を使用することができる。具体的には、メ
タノールのようなアルコール溶媒中でパラジウム、白金
触媒、ラネーニッケル等の通常接触還元に用いられる触
媒を用い接触還元する。
媒および試薬を使用することができる。具体的には、メ
タノールのようなアルコール溶媒中でパラジウム、白金
触媒、ラネーニッケル等の通常接触還元に用いられる触
媒を用い接触還元する。
【００３０】本発明の一般式（１）の化合物からの（２
Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡの合成は次のようにして行うこと
ができる。上記のようにして得られたＬ−スレオ−β−
ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンのモノエステ
ル体（β位のカルボン酸の例えば低級アルコールとのエ
ステル）を５塩化リンあるいはチオニルクロリドを用い
て酸塩化物としたのち、塩化アルミニウムのような酸触
媒の存在下にベンゼンと縮合すると一般式（５）で示さ
れるアミノケトン体に導くことができる。
Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡの合成は次のようにして行うこと
ができる。上記のようにして得られたＬ−スレオ−β−
ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンのモノエステ
ル体（β位のカルボン酸の例えば低級アルコールとのエ
ステル）を５塩化リンあるいはチオニルクロリドを用い
て酸塩化物としたのち、塩化アルミニウムのような酸触
媒の存在下にベンゼンと縮合すると一般式（５）で示さ
れるアミノケトン体に導くことができる。
【００３１】一般式（５）で示されるアミノケトン体と
しては次のものが例えばあげられる。 Ｌ−スレオ−５−メトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン Ｌ−スレオ−５−エトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン Ｌ−スレオ−５−ブトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン
しては次のものが例えばあげられる。 Ｌ−スレオ−５−メトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン Ｌ−スレオ−５−エトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン Ｌ−スレオ−５−ブトキシカルボニル−４−ベンソイル
−オキサゾリドン
【００３２】上記のアミノケトン体をパラジウム等のよ
うな接触還元に用いられる触媒を用いて接触還元すると
（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡのオキサゾリドンのモノ低級
アルキルエステルが得られる。次いで、このモノ低級ア
ルキルエステルを溶媒中、好ましくはエタノールなどの
低級アルコール溶媒中、水酸化ナトリウムのような苛性
アルカリ又は塩酸、硫酸等の強酸等を用いて、通常０℃
ないし溶媒の沸点の温度で加水分解によりこのモノ低級
アルキルエステルから脱保護基を行うと（２Ｓ，３Ｒ）
−ＡＨＰＡが得られる。
うな接触還元に用いられる触媒を用いて接触還元すると
（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡのオキサゾリドンのモノ低級
アルキルエステルが得られる。次いで、このモノ低級ア
ルキルエステルを溶媒中、好ましくはエタノールなどの
低級アルコール溶媒中、水酸化ナトリウムのような苛性
アルカリ又は塩酸、硫酸等の強酸等を用いて、通常０℃
ないし溶媒の沸点の温度で加水分解によりこのモノ低級
アルキルエステルから脱保護基を行うと（２Ｓ，３Ｒ）
−ＡＨＰＡが得られる。
【００３３】
【実施例】以下に実施例をあげて、本発明を詳しく説明
するが、これのみに限定されない。
するが、これのみに限定されない。
【００３４】実施例１．ジメチルＬ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパルテート塩酸塩５．２ｇをジオキサン５０
ｍｌに溶解しホスゲンダイマー３．４ｇを加える。この
混合物を７０〜８０℃に１．５時間攪拌したのち、減圧
乾固する。得られた結晶をエーテルでロ集するとＬ−ス
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンの
ジメチルエステルである（４Ｓ，５Ｓ）−ジメトキシカ
ルボニル−オキサゾリドン−２が４．５ｇ（収率、９
０．８％）得られた。酢酸エチルより再結すると、無色
柱状となる。物性は以下のとおりである。
ロキシアスパルテート塩酸塩５．２ｇをジオキサン５０
ｍｌに溶解しホスゲンダイマー３．４ｇを加える。この
混合物を７０〜８０℃に１．５時間攪拌したのち、減圧
乾固する。得られた結晶をエーテルでロ集するとＬ−ス
レオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンの
ジメチルエステルである（４Ｓ，５Ｓ）−ジメトキシカ
ルボニル−オキサゾリドン−２が４．５ｇ（収率、９
０．８％）得られた。酢酸エチルより再結すると、無色
柱状となる。物性は以下のとおりである。
【００３５】m.p. ： 124 〜5 ℃ [α] 20 D ：＋99.0° (c 1,メタノール） FAB-MS(m/z)：204 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,D6 -DMSO) δ(ppm) ： 8.59(1H,s), 5.24(1H,d,J=3Hz), 4.57(1H,
d,J=3Hz)3.74(3H,s), 3.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 170.3, 168.7, 157.1, 73.6, 56.1, 52.9
d,J=3Hz)3.74(3H,s), 3.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 170.3, 168.7, 157.1, 73.6, 56.1, 52.9
【００３６】実施例２ 実施例１で得られたジメチルエステル１．０２ｇをアセ
トン５０ｍｌ−水１２．５ｍｌに溶解し、−１０°〜−
５℃で１Ｎ水酸化リチウム水溶液１１ｍｌを３０分間を
要して滴下する。反応液をさらにこの温度で３０分間攪
拌をつづけたのち、ダウエックス５０Ｗ（Ｈ+ ) １５ｍ
ｌで処理する。得られた酸性を示す反応液を３０℃以下
で減圧濃縮し、さらに凍結乾燥を行うと、Ｌ−スレオ−
β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンである
（４Ｓ、５Ｓ）−ジヒドロキシカルボニル−オキサゾリ
ドン−２が無色粉末として０．８５ｇ（収率＝９７．８
％）得られる。物性は以下のとおりである。
トン５０ｍｌ−水１２．５ｍｌに溶解し、−１０°〜−
５℃で１Ｎ水酸化リチウム水溶液１１ｍｌを３０分間を
要して滴下する。反応液をさらにこの温度で３０分間攪
拌をつづけたのち、ダウエックス５０Ｗ（Ｈ+ ) １５ｍ
ｌで処理する。得られた酸性を示す反応液を３０℃以下
で減圧濃縮し、さらに凍結乾燥を行うと、Ｌ−スレオ−
β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサゾリドンである
（４Ｓ、５Ｓ）−ジヒドロキシカルボニル−オキサゾリ
ドン−２が無色粉末として０．８５ｇ（収率＝９７．８
％）得られる。物性は以下のとおりである。
【００３７】m.p. ： 169 〜170 ℃(decomp.) [α]20 D ：＋86.2°（c 1,メタノール） FAB-MS(m/z)：174 (M−H)- 1 HNMRスペクトル（300MHz,D6-DMSO) δ(ppm) ： 8.38(1H,s), 5.01(1H,d,J=3Hz), 4.32(1H,
d,J=3Hz)13 CNMRスペクトル(300MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 171.6, 170.0, 157.5, 74.2, 56.6
d,J=3Hz)13 CNMRスペクトル(300MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 171.6, 170.0, 157.5, 74.2, 56.6
【００３８】実施例３ Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸３．０ｇに
ベンジルアルコール４０ｍｌ、ｐ−トルエンスルホン酸
５．０ｇおよびベンゼン１００ｍｌを加え、８時間還流
脱水する。ベンゼンを留去後、エーテル８０ｍｌおよび
ｎ−ヘキサン８０ｍｌを加え冷所に１夜放置すると、ジ
ベンジルＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパルテートｐ
−トルエンスルホン酸塩９．１ｇ（収率＝９６．８％）
の無色結晶が析出する。
ベンジルアルコール４０ｍｌ、ｐ−トルエンスルホン酸
５．０ｇおよびベンゼン１００ｍｌを加え、８時間還流
脱水する。ベンゼンを留去後、エーテル８０ｍｌおよび
ｎ−ヘキサン８０ｍｌを加え冷所に１夜放置すると、ジ
ベンジルＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパルテートｐ
−トルエンスルホン酸塩９．１ｇ（収率＝９６．８％）
の無色結晶が析出する。
【００３９】このジベンジルエステル４．０ｇに６％塩
化水素メタノール溶液６０ｍｌを加え室温で１２時間攪
拌する。この反応液を減圧乾固後、残渣をエーテル２０
ｍｌで２回洗浄し、再び減圧乾固するとα−ベンジル−
β−メチル−Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパルテー
トｐ−トルエンスルホン酸塩が無色シラップ状として定
量的に得られる。このシラップをジオキサン４０ｍｌに
溶解し、ホスゲンダイマー２．８ｇを加え、７５〜８５
℃に１時間攪拌する。ジオキサンを減圧下に留去したの
ち、酢酸エチル１２０ｍｌに溶解し、水、食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで処理し、減圧乾固すると２．
７ｇの固形物が得られる。この固形物２．３ｇを水−メ
タノールより結晶化すると（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンジ
ルオキシカルボニル−５−メトキシカルボニル−オキサ
ゾリドン−２の無色結晶が１．５２ｇ（収率＝７８．３
％）得られる。酢酸エチル−エーテルより再結晶すると
無色柱状晶になる。物性は以下の通りである。
化水素メタノール溶液６０ｍｌを加え室温で１２時間攪
拌する。この反応液を減圧乾固後、残渣をエーテル２０
ｍｌで２回洗浄し、再び減圧乾固するとα−ベンジル−
β−メチル−Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパルテー
トｐ−トルエンスルホン酸塩が無色シラップ状として定
量的に得られる。このシラップをジオキサン４０ｍｌに
溶解し、ホスゲンダイマー２．８ｇを加え、７５〜８５
℃に１時間攪拌する。ジオキサンを減圧下に留去したの
ち、酢酸エチル１２０ｍｌに溶解し、水、食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで処理し、減圧乾固すると２．
７ｇの固形物が得られる。この固形物２．３ｇを水−メ
タノールより結晶化すると（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンジ
ルオキシカルボニル−５−メトキシカルボニル−オキサ
ゾリドン−２の無色結晶が１．５２ｇ（収率＝７８．３
％）得られる。酢酸エチル−エーテルより再結晶すると
無色柱状晶になる。物性は以下の通りである。
【００４０】m.p. ： 128 〜129 ℃ [α]20 D ：＋86.0°（c 1,メタノール） FAB-MS(m/z)：280 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,D6-DMSO)) δ(ppm) ： 8.64(1H,s), 7.39(5H,m),5.27(1H,d,J=3H
z),5.22(2H,m),4.64(1H,d,J=3Hz),3.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 169.6, 168.6, 157.0, 135.3, 128.5, 128.
3, 128.1,73.7, 67.1, 56.2, 52.9
z),5.22(2H,m),4.64(1H,d,J=3Hz),3.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 169.6, 168.6, 157.0, 135.3, 128.5, 128.
3, 128.1,73.7, 67.1, 56.2, 52.9
【００４１】実施例４ 実施例３で得られたオキサゾリドンジエステル０．６ｇ
をメタノール４０ｍｌに溶解し、５％パラジウム−炭素
１００ｍｇを加え、攪拌下常圧で水素ガスを２時間通ず
る。触媒をろ別後、ろ液を減圧乾固すると（４Ｓ，５
Ｓ）−４−ヒドロキシカルボニル−５−メトキシカルボ
ニル−オキサゾリドン−２が無色シラップ状として定量
的に得られる。物性は以下の通りである。
をメタノール４０ｍｌに溶解し、５％パラジウム−炭素
１００ｍｇを加え、攪拌下常圧で水素ガスを２時間通ず
る。触媒をろ別後、ろ液を減圧乾固すると（４Ｓ，５
Ｓ）−４−ヒドロキシカルボニル−５−メトキシカルボ
ニル−オキサゾリドン−２が無色シラップ状として定量
的に得られる。物性は以下の通りである。
【００４２】[α]20 D：＋92.3°（c 1,メタノール） FAB-MS(m/z)：190 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,D6-DMSO)) δ(ppm) ： 8.48(1H,s), 5.17(1H,d,J=3Hz), 4.40(1H,
d,J=3Hz)37.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 171.3, 168.9, 157.2, 74.0, 56.3, 52.8
d,J=3Hz)37.73(3H,s)13 CNMRスペクトル(75MHz, D6-DMSO) δ(ppm) ： 171.3, 168.9, 157.2, 74.0, 56.3, 52.8
【００４３】実施例５ 実施例４で得られた（４Ｓ，５Ｓ）−４−ヒドロキシカ
ルボニル−５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−
２ １．３ｇにジエチルエーテル２０ｍｌを加え攪拌下
５℃以下でチオニルクロリド１．３２ｇを滴下する。そ
の後室温で３０分間攪拌を続けたのち減圧にて室温以下
で濃縮する。得られた濃縮物にベンゼン１０ｍｌを加え
攪拌下５℃以下で塩化アルミニウム２．６ｇを加える。
室温で３時間攪拌を続けたのち反応液に希塩酸ついで酢
酸エチルを加え攪拌する。酢酸エチル層を食塩水で洗浄
さらに無水硫酸ナトリウムで処理したのち減圧にて乾固
すると（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイル−５−メトキシ
カルボニル−オキサゾリドン−２を主成分とするシラッ
プ７００ｍｇ（粗収率３９．７％）が得られる。このシ
ラップをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル＝２：１）により精製す
ると以下の物性となる。
ルボニル−５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−
２ １．３ｇにジエチルエーテル２０ｍｌを加え攪拌下
５℃以下でチオニルクロリド１．３２ｇを滴下する。そ
の後室温で３０分間攪拌を続けたのち減圧にて室温以下
で濃縮する。得られた濃縮物にベンゼン１０ｍｌを加え
攪拌下５℃以下で塩化アルミニウム２．６ｇを加える。
室温で３時間攪拌を続けたのち反応液に希塩酸ついで酢
酸エチルを加え攪拌する。酢酸エチル層を食塩水で洗浄
さらに無水硫酸ナトリウムで処理したのち減圧にて乾固
すると（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイル−５−メトキシ
カルボニル−オキサゾリドン−２を主成分とするシラッ
プ７００ｍｇ（粗収率３９．７％）が得られる。このシ
ラップをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル＝２：１）により精製す
ると以下の物性となる。
【００４４】[α]20 D : ＋68.3°（c 1.0,メタノー
ル） FAB-MS ： 190 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,CDCl3) δ(ppm) ： 3.93(3H,s), 5.15(1H,d,J=2.9Hz), 5.39(1
H,d,J=3.0Hz)6.40(1H,s), 7.54(2H,t,J=7.7Hz), 7.67(1
H,t,J=7.4Hz)8.03(2H,d,J=7.4Hz)
ル） FAB-MS ： 190 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,CDCl3) δ(ppm) ： 3.93(3H,s), 5.15(1H,d,J=2.9Hz), 5.39(1
H,d,J=3.0Hz)6.40(1H,s), 7.54(2H,t,J=7.7Hz), 7.67(1
H,t,J=7.4Hz)8.03(2H,d,J=7.4Hz)
【００４５】実施例６ 実施例５で得られたヘンゾイル体３００ｍｇを酢酸２５
ｍｌに溶解し、１０％パラジウム−炭素１００ｍｇを加
え、水素２〜３ｋｇ／ｃｍ2 ，５５〜６５℃で６時間攪
拌を続ける。反応ろ液を減圧乾固しシリカゲルクロマト
グラフィー（展開溶媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル＝
３：２）で精製すると（４Ｒ，５Ｓ）−４−ベンジル−
５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２−の無色
結晶が９０ｍｇ得られる。物性は以下の通りである。
ｍｌに溶解し、１０％パラジウム−炭素１００ｍｇを加
え、水素２〜３ｋｇ／ｃｍ2 ，５５〜６５℃で６時間攪
拌を続ける。反応ろ液を減圧乾固しシリカゲルクロマト
グラフィー（展開溶媒：ｎ−ヘキサン−酢酸エチル＝
３：２）で精製すると（４Ｒ，５Ｓ）−４−ベンジル−
５−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２−の無色
結晶が９０ｍｇ得られる。物性は以下の通りである。
【００４６】m.p. :83〜88℃ [α]20 D：＋60.7°（c 1.0,メタノール） FAB-MS(m/z)：236 (M＋H)+ 1 HNMRスペクトル（300MHz,CDCl3) δ(ppm) ： 2.93(1H,dd,J=7.6,13.7Hz) 3.05(1H,dd,J=
5.6,13.7Hz),3.79(3H,s) 4.14(1H,dd,J=5.2,12.5Hz)4.7
0(1H,d,J=4.7Hz) 6.16(1H,bs)7.20 〜7.37(5H,m)
5.6,13.7Hz),3.79(3H,s) 4.14(1H,dd,J=5.2,12.5Hz)4.7
0(1H,d,J=4.7Hz) 6.16(1H,bs)7.20 〜7.37(5H,m)
【００４７】実施例７ （４Ｒ，５Ｓ）−４−ベンジル−５−メトキシカルボニ
ル−オキサゾリドン−２２５ｍｇにエタノール０．５ｍ
ｌ，１Ｎ ＮａＯＨ ０．５ｍｌを加え１時間加熱還流
する。反応液をＤｏｗｅｘ５０Ｗ（Ｈ+ ）に吸着させ
２．８％アンモニア水で溶出する。この溶出液を濃縮
後、凍結乾燥すると無色結晶｛ [α]22 D :28.0°(c 0.
5,1NHC1) ｝の（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡが５ｍｇ得ら
れる。
ル−オキサゾリドン−２２５ｍｇにエタノール０．５ｍ
ｌ，１Ｎ ＮａＯＨ ０．５ｍｌを加え１時間加熱還流
する。反応液をＤｏｗｅｘ５０Ｗ（Ｈ+ ）に吸着させ
２．８％アンモニア水で溶出する。この溶出液を濃縮
後、凍結乾燥すると無色結晶｛ [α]22 D :28.0°(c 0.
5,1NHC1) ｝の（２Ｓ，３Ｒ）−ＡＨＰＡが５ｍｇ得ら
れる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、医薬品合成中間体とし
て有用なＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オ
キサゾリドンまたはそのエステル類を、容易にかつ収率
よく得ることができる。
て有用なＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オ
キサゾリドンまたはそのエステル類を、容易にかつ収率
よく得ることができる。
Claims (9)
- 【請求項１】下記一般式（１） 【化１】 （式中Ｒ1 およびＲ2 は水素原子またはカルボキシル基
の保護基を表わす。）で示されるＬ−スレオ−β−ヒド
ロキシアスパラギン酸誘導体 - 【請求項２】一般式（１）においてＲ1 およびＲ2 が水
素、低級アルキル基およびベンジル型保護基のいずれか
である請求項１のＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラ
ギン酸誘導体 - 【請求項３】一般式（１）においてＲ1 が炭素数１〜４
の低級アルキル基、Ｒ2が水素原子である請求項１のＬ
−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸誘導体 - 【請求項４】Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン
酸ジエステルに不活性溶媒中でホスゲン類を作用せし
め、Ｌ−スレオ−β−ヒドロキシアスパラギン酸オキサ
ゾリドン誘導体のジエステルを得るかまたは次いでカル
ボキシル基の保護基を脱保護することを特徴とする一般
式（１）で示されるＬ−スレオ−β−ヒドロキシアスパ
ラギン酸誘導体の製造法。 - 【請求項５】一般式（１）においてＲ1 が低級アルキル
基、Ｒ2 がベンジル基である化合物を接触還元すること
によって、β位のカルボキシル基が低級アルキル基で保
護されたＬ−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−
４−カルボキシルオキサゾリドンを得る製造法 - 【請求項６】下記一般式（５） 【化２】 （式中Ｒ1 は前記と同じ意味を表わす。）で示されるＬ
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドン - 【請求項７】請求項６記載の一般式（５）におけるＲ1
がメチル基である（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイル−５
−メトキシカルボニル−オキサゾリドン−２ - 【請求項８】請求項６記載の一般式（５）で示されるＬ
−スレオ−５−低級アルコキシカルボニル−４−ベンゾ
イルオキサゾリドンを接触還元することを特徴とする５
−低級アルコキシカルボニル−４−ベンジルオキサゾリ
ドン、または必要に応じて次いで脱保護することを特徴
とする２Ｓ，３Ｒ−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−
フェニル酪酸の製造法 - 【請求項９】（４Ｓ，５Ｓ）−４−ベンゾイル−５−メ
トキシカルボニル−オキサゾリドン−２を出発原料とす
る請求項８記載の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030150A JPH08311049A (ja) | 1995-01-26 | 1996-01-25 | Ｌ−スレオ−βーヒドロキシアスパラギン酸誘導体および製造法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2891395 | 1995-01-26 | ||
| JP7-82093 | 1995-03-15 | ||
| JP8209395 | 1995-03-15 | ||
| JP7-28913 | 1995-03-15 | ||
| JP8030150A JPH08311049A (ja) | 1995-01-26 | 1996-01-25 | Ｌ−スレオ−βーヒドロキシアスパラギン酸誘導体および製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311049A true JPH08311049A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=27286364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030150A Pending JPH08311049A (ja) | 1995-01-26 | 1996-01-25 | Ｌ−スレオ−βーヒドロキシアスパラギン酸誘導体および製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08311049A (ja) |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP8030150A patent/JPH08311049A/ja active Pending
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