JPH08311001A - 光学活性アミンの製造方法 - Google Patents
光学活性アミンの製造方法Info
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- JPH08311001A JPH08311001A JP8035728A JP3572896A JPH08311001A JP H08311001 A JPH08311001 A JP H08311001A JP 8035728 A JP8035728 A JP 8035728A JP 3572896 A JP3572896 A JP 3572896A JP H08311001 A JPH08311001 A JP H08311001A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D211/00—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings
- C07D211/04—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D211/68—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D211/70—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学純度の高い光学活性アミンの製造方法を
提供する 【構成】 アセトフェノンとベンジルアミンとのイミン
のようなイミンを触媒量のイリジウム−光学活性ホスフ
ィン錯体およびベンジルアミン誘導体の存在下に不斉水
素化する。
提供する 【構成】 アセトフェノンとベンジルアミンとのイミン
のようなイミンを触媒量のイリジウム−光学活性ホスフ
ィン錯体およびベンジルアミン誘導体の存在下に不斉水
素化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学活性な医薬品
合成の中間体として或はラセミ体のカルボン酸の光学分
割剤として有用な光学活性アミン化合物の製造方法に関
する。
合成の中間体として或はラセミ体のカルボン酸の光学分
割剤として有用な光学活性アミン化合物の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学活性なアミン化合物を合成す
る場合、天然由来のアミン化合物を用いるか、或はラセ
ミ体のアミン化合物を合成し、光学活性なカルボン酸を
用いて光学分割する等が常法である。近年、触媒的不斉
合成法も盛んに研究がなされ、例えば、総説；sheri.L.
Blystone. Chemical Reviews (1989) pp1663-1679 やR.
Noyori ASYMMETRIC CATALYSIS IN ORGANIC SYNTHESIS
(A Wiley-Intersience Publication, Jone Wiley&Sons,
Inc),James D.Morrison Asymmetric Synthesis Vol.5,
Academic Press Inc. 等に紹介されている方法もあ
る。
る場合、天然由来のアミン化合物を用いるか、或はラセ
ミ体のアミン化合物を合成し、光学活性なカルボン酸を
用いて光学分割する等が常法である。近年、触媒的不斉
合成法も盛んに研究がなされ、例えば、総説；sheri.L.
Blystone. Chemical Reviews (1989) pp1663-1679 やR.
Noyori ASYMMETRIC CATALYSIS IN ORGANIC SYNTHESIS
(A Wiley-Intersience Publication, Jone Wiley&Sons,
Inc),James D.Morrison Asymmetric Synthesis Vol.5,
Academic Press Inc. 等に紹介されている方法もあ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の紹介で述べ
たように、遷移金属錯体を触媒とする不斉合成法による
光学活性アミンの製造方法等も開発されてきているが、
対象とする基質によっては、触媒活性、不斉収率ともに
低い場合がある。従って、さらに新しい光学活性アミン
の合成方法の開発が要望されていた。
たように、遷移金属錯体を触媒とする不斉合成法による
光学活性アミンの製造方法等も開発されてきているが、
対象とする基質によっては、触媒活性、不斉収率ともに
低い場合がある。従って、さらに新しい光学活性アミン
の合成方法の開発が要望されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる現状において、本
発明者らはこのような工業界の要請に答えるべく研究を
重ねた結果、下記一般式（１）
発明者らはこのような工業界の要請に答えるべく研究を
重ねた結果、下記一般式（１）
【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれハロゲン原子、低
級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよい芳香族炭化水素またはハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基若しくは前記いずれかの基で
置換されていてもよい芳香族炭化水素基で置換されてい
てもよい脂肪族炭化水素若しくは脂環式炭化水素を示
し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の内の二つが隣接して５員環ある
いは６員環を形成してもよい）で表されるイミンを触媒
量のイリジウム−光学活性ホスフィン錯体とベンジルア
ミンの存在下に不斉水素化することで光学活性アミンを
与えることを見い出し本発明を完成した。
級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよい芳香族炭化水素またはハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基若しくは前記いずれかの基で
置換されていてもよい芳香族炭化水素基で置換されてい
てもよい脂肪族炭化水素若しくは脂環式炭化水素を示
し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の内の二つが隣接して５員環ある
いは６員環を形成してもよい）で表されるイミンを触媒
量のイリジウム−光学活性ホスフィン錯体とベンジルア
ミンの存在下に不斉水素化することで光学活性アミンを
与えることを見い出し本発明を完成した。
【０００５】すなわち、本発明は下記一般式（１）
【化６】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれハロゲン原子、低
級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよい芳香族炭化水素またはハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基若しくは前記いずれかの基で
置換されていてもよい芳香族炭化水素基で置換されてい
てもよい脂肪族炭化水素若しくは脂環式炭化水素を示
し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の内の二つが隣接して５員環ある
いは６員環を形成してもよい）で表されるイミンをイリ
ジウム−光学活性ホスフィン錯体及びベンジルアミン誘
導体の存在下に不斉水素化することを特徴とする光学活
性アミンの製造方法である。
級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよい芳香族炭化水素またはハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基若しくは前記いずれかの基で
置換されていてもよい芳香族炭化水素基で置換されてい
てもよい脂肪族炭化水素若しくは脂環式炭化水素を示
し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の内の二つが隣接して５員環ある
いは６員環を形成してもよい）で表されるイミンをイリ
ジウム−光学活性ホスフィン錯体及びベンジルアミン誘
導体の存在下に不斉水素化することを特徴とする光学活
性アミンの製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本反応に使用する基質である化合
物の一般式（１）
物の一般式（１）
【化７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じ意味を示す）で
表されるイミン化合物について説明する。
表されるイミン化合物について説明する。
【０００７】これらの化合物の具体例としては、例えば
アセトフェノン、プロピオフェノン、フェニルプロピル
ケトン、フェニルアセトン、クロロアセトン、α−メト
キシアセトン、α−ヒドロキシアセトン、メチルブチル
ケトン、イソプロピルメチルケトン、シクロヘキシルメ
チルケトン、シクロヘキシルエチルケトン、シクロヘキ
シルプロピルケトン、シクロヘキシルブチルケトン、ナ
フチルメチルケトン、ナフチルエチルケトン、ナフチル
プロピルケトン、ナフチルブチルケトン、１−インダノ
ン、２−インダノン、１−テトラロン、２−テトラロン
等と置換されていてもよいベンジルアミンから合成でき
るイミンを挙げることができる。その他、環状イミン化
合物としては、３，４−ジヒドロ−５−メチル−２Ｈ−
ピロール、５−ｎ−ブチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
ピロール、３，４−ジヒドロ−５−エチル−２Ｈ−ピロ
ール、３，４−ジヒドロ−５−フェニル−２Ｈ−ピロー
ル、２−メチル−3,4,5,6 −テトラヒドロピリジン、２
−フェニル−3,4,5,6 −テトラヒドロピリジン等があ
る。
アセトフェノン、プロピオフェノン、フェニルプロピル
ケトン、フェニルアセトン、クロロアセトン、α−メト
キシアセトン、α−ヒドロキシアセトン、メチルブチル
ケトン、イソプロピルメチルケトン、シクロヘキシルメ
チルケトン、シクロヘキシルエチルケトン、シクロヘキ
シルプロピルケトン、シクロヘキシルブチルケトン、ナ
フチルメチルケトン、ナフチルエチルケトン、ナフチル
プロピルケトン、ナフチルブチルケトン、１−インダノ
ン、２−インダノン、１−テトラロン、２−テトラロン
等と置換されていてもよいベンジルアミンから合成でき
るイミンを挙げることができる。その他、環状イミン化
合物としては、３，４−ジヒドロ−５−メチル−２Ｈ−
ピロール、５−ｎ−ブチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
ピロール、３，４−ジヒドロ−５−エチル−２Ｈ−ピロ
ール、３，４−ジヒドロ−５−フェニル−２Ｈ−ピロー
ル、２−メチル−3,4,5,6 −テトラヒドロピリジン、２
−フェニル−3,4,5,6 −テトラヒドロピリジン等があ
る。
【０００８】水素化されるケトンのイミンを合成出来る
アミン化合物としては容易に離脱できる基を有するアミ
ンが好ましく、例えばベンジルアミン、3,4-ジメトキシ
ベンジルアミン、o-ニトロベンジルアミン、ジ(p−メト
キシフェニル) メチルアミン、トリフェニルメチルアミ
ン、p-メトキシフェニルジフェニルメチルアミン、５−
ジベンゾスベリルアミンが挙げられる。
アミン化合物としては容易に離脱できる基を有するアミ
ンが好ましく、例えばベンジルアミン、3,4-ジメトキシ
ベンジルアミン、o-ニトロベンジルアミン、ジ(p−メト
キシフェニル) メチルアミン、トリフェニルメチルアミ
ン、p-メトキシフェニルジフェニルメチルアミン、５−
ジベンゾスベリルアミンが挙げられる。
【０００９】触媒に使用する光学活性ホスフィン化合物
としては、本出願前公知のものを使用できるが、特に好
ましい化合物として、一般式（２）
としては、本出願前公知のものを使用できるが、特に好
ましい化合物として、一般式（２）
【化８】 （式中、Arはパラ位及び／又はメタ位が低級アルキル基
で置換されていてもよいフェニル基を示す）で表される
ものを挙げることができ、具体的には、２，２’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、
２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，
１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−メタトリルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス
（３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−
ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−tert−ブチルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル等がある。
で置換されていてもよいフェニル基を示す）で表される
ものを挙げることができ、具体的には、２，２’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、
２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，
１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−メタトリルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス
（３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−
ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−tert−ブチルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル等がある。
【００１０】また、一般式（２）以外の化合物として
は、一般式（３）
は、一般式（３）
【化９】 ( 式中、Ar1 はp-メトキシフェニル基、フェニル基、p-
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 , 5-キ
シリル基を示す) で表されるホスフィン化合物を挙げる
ことができる。
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 , 5-キ
シリル基を示す) で表されるホスフィン化合物を挙げる
ことができる。
【００１１】一般式（３）で示されるホスフィン類とし
ては、具体的には、2,2'- ビス( ジフェニルホスフィ
ノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'- オクタヒドロナフ
チル)、2,2'- ビス( ジp-トリルホスフィノ)-1,1'- ビ
(5,5',6,6',7,7',8,8'- オクタヒドロビナフチル) 、2,
2'- ビス( ジm-トリルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,
6',7,7',8,8'- オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス(
ジp-クロロフェニルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',
7,7'8,8'-オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス( ジ3,5
-キシリルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'-
オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス( ジp-メチキシ
フェニルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'-
オクタヒドロナフチル) 等がある。
ては、具体的には、2,2'- ビス( ジフェニルホスフィ
ノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'- オクタヒドロナフ
チル)、2,2'- ビス( ジp-トリルホスフィノ)-1,1'- ビ
(5,5',6,6',7,7',8,8'- オクタヒドロビナフチル) 、2,
2'- ビス( ジm-トリルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,
6',7,7',8,8'- オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス(
ジp-クロロフェニルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',
7,7'8,8'-オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス( ジ3,5
-キシリルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'-
オクタヒドロナフチル) 、2,2'- ビス( ジp-メチキシ
フェニルホスフィノ)-1,1'- ビ(5,5',6,6',7,7',8,8'-
オクタヒドロナフチル) 等がある。
【００１２】さらには、下記一般式（４）
【化１０】 ( 式中、Ar2 はp-メトキシフェニル基、フェニル基、p-
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 , 5-キ
シリル基を示す) で表されるホスフィン化合物も同じよ
うに使用することができる。
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 , 5-キ
シリル基を示す) で表されるホスフィン化合物も同じよ
うに使用することができる。
【００１３】一般式（４）で示されるホスフィン類とし
ては、具体的には、Chem. Pharm. Bull. 1991 年 39 巻
1085 頁に示される、(4,4',6,6'- テトラメチル-5, 5'
- ジメトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニ
ルホスフィン) 、(4,4',6,6'- テトラメチル-5,5'-ジメ
トキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジ-p- メトキシ
フェニルホスフィン) を用いることができる。また、Sy
nlett,1991年 827頁に示される、(4,4',6,6'- テトラト
リフルオロメチル-5,5'-ジメチルビフェニル-2,2'-ジイ
ル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(4,6- ジトリフロ
ロメチル-4',6'- ジメチル-5'-メトキシビフェニル-2,
2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) も用いるこ
とができる。さらに、Tetrahedron: Asymmetry, 1992年
3巻 13 頁に示される、2-ジシクロヘキシル-2'-ジフェ
ニルホスフィノ-4,4',6,6'- テトラメチル-5,5'-ジメト
キシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホフィ
ン)も用いることができる。
ては、具体的には、Chem. Pharm. Bull. 1991 年 39 巻
1085 頁に示される、(4,4',6,6'- テトラメチル-5, 5'
- ジメトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニ
ルホスフィン) 、(4,4',6,6'- テトラメチル-5,5'-ジメ
トキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジ-p- メトキシ
フェニルホスフィン) を用いることができる。また、Sy
nlett,1991年 827頁に示される、(4,4',6,6'- テトラト
リフルオロメチル-5,5'-ジメチルビフェニル-2,2'-ジイ
ル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(4,6- ジトリフロ
ロメチル-4',6'- ジメチル-5'-メトキシビフェニル-2,
2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) も用いるこ
とができる。さらに、Tetrahedron: Asymmetry, 1992年
3巻 13 頁に示される、2-ジシクロヘキシル-2'-ジフェ
ニルホスフィノ-4,4',6,6'- テトラメチル-5,5'-ジメト
キシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホフィ
ン)も用いることができる。
【００１４】さらに、用いることのできる他の光学活性
三級ホスフィンとしては、特公平４−１５７９６号公報
に開示されているものを挙げることができる。例えば、
(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジフェニル
ホスフィン) 、(4,4',6,6'-テトラメチル-2,2'-ビフェ
ニレン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(3,3',6,6'-
テトラメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジフェニルホ
スフィン) 、(4,4'-ジフルオロ-6,6'-ジメチル-2,2'-ビ
フェニレン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(4,4'-ビ
ス( ジメチルアミノ)-6,6'- ジメチル-2,2'-ビフェニレ
ン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、6,6'- ジメチル-
2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジ-p- トリルホスフィン)
、(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジ-o-
トリルホスフィン) 、(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレ
ン)-ビス( ジ-m- フルオロフェニルホスフィン) 、1,11
- ビス( ジフェニルホスフィノ)-5,7-ジヒドロジベンゾ
[c,e]オキセピン等である。
三級ホスフィンとしては、特公平４−１５７９６号公報
に開示されているものを挙げることができる。例えば、
(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジフェニル
ホスフィン) 、(4,4',6,6'-テトラメチル-2,2'-ビフェ
ニレン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(3,3',6,6'-
テトラメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジフェニルホ
スフィン) 、(4,4'-ジフルオロ-6,6'-ジメチル-2,2'-ビ
フェニレン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(4,4'-ビ
ス( ジメチルアミノ)-6,6'- ジメチル-2,2'-ビフェニレ
ン)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、6,6'- ジメチル-
2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジ-p- トリルホスフィン)
、(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレン)-ビス( ジ-o-
トリルホスフィン) 、(6,6'-ジメチル-2,2'-ビフェニレ
ン)-ビス( ジ-m- フルオロフェニルホスフィン) 、1,11
- ビス( ジフェニルホスフィノ)-5,7-ジヒドロジベンゾ
[c,e]オキセピン等である。
【００１５】また、特開平３−５４９２号公報に開示さ
れているものも用いることができる。例えば、(6,6'-ジ
メトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホ
スフィン) 、(5,5',6,6'- テトラメトキシビフェニル-
2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(6,6'-
ジメトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジ-p- トリ
ルホスフィン) 、(4,4',5,5',6,6'-ヘキサメトキシビフ
ェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 等
である。
れているものも用いることができる。例えば、(6,6'-ジ
メトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホ
スフィン) 、(5,5',6,6'- テトラメトキシビフェニル-
2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 、(6,6'-
ジメトキシビフェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジ-p- トリ
ルホスフィン) 、(4,4',5,5',6,6'-ヘキサメトキシビフ
ェニル-2,2'-ジイル)-ビス( ジフェニルホスフィン) 等
である。
【００１６】これらの光学活性ホスフィン化合物と錯体
を形成するためのイリジウム化合物について説明する
と、具体的には、J. L. Herde, J. C. Lambert and C.
V. Senoff, Inorg. Synth., 15,(1974) に記載のジ−μ
−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジ
ウム、A.L.Onderdelinden and A.van der Ent., Inorg.
Chim. Acta, 6, 420 (1972) に記載のジ−μ−クロロテ
トラキス（エチレン）二イリジウムや特開平４−１３９
１９２号公報に記載の[Ir(COD)(CH3CN)2]Y（式中、COD
は１, ５−シクロオクタジエンを示し、ＹはBF4,PF6,Cl
O4,BPh4 を示す）がある。
を形成するためのイリジウム化合物について説明する
と、具体的には、J. L. Herde, J. C. Lambert and C.
V. Senoff, Inorg. Synth., 15,(1974) に記載のジ−μ
−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジ
ウム、A.L.Onderdelinden and A.van der Ent., Inorg.
Chim. Acta, 6, 420 (1972) に記載のジ−μ−クロロテ
トラキス（エチレン）二イリジウムや特開平４−１３９
１９２号公報に記載の[Ir(COD)(CH3CN)2]Y（式中、COD
は１, ５−シクロオクタジエンを示し、ＹはBF4,PF6,Cl
O4,BPh4 を示す）がある。
【００１７】これらのイリジウム化合物と上記光学活性
ホスフィン化合物とを予め反応せしめて得られる錯体を
単離せずに触媒としてそのまま使用するか或は単離した
後に触媒として使用してもよい。
ホスフィン化合物とを予め反応せしめて得られる錯体を
単離せずに触媒としてそのまま使用するか或は単離した
後に触媒として使用してもよい。
【００１８】添加物としてのベンジルアミン誘導体とし
てはベンジルアミン、p-メトキシベンジルアミン、3,4-
ジメトキシベンジルアミン、p-トリルベンジルアミン、
p-クロロベンジルアミン、o-クロロベンジルアミン、m-
クロロベンジルアミンが挙げられる。
てはベンジルアミン、p-メトキシベンジルアミン、3,4-
ジメトキシベンジルアミン、p-トリルベンジルアミン、
p-クロロベンジルアミン、o-クロロベンジルアミン、m-
クロロベンジルアミンが挙げられる。
【００１９】次に不斉水素化方法について説明する。水
素化される基質であるイミン化合物をメタノール、エタ
ノール、ブタノールなどのアルコール溶媒やテトラヒド
ロフラン、塩化メチレン、ベンゼン又はこれらの混合溶
媒に溶かし、基質に対して１／１００〜１／１０００モ
ルの触媒を加え、触媒に対して５〜５０倍モルのベンジ
ルアミンを添加して、水素圧１０〜１００Kg/cm2 , 好ま
しくは３０〜７０Kg/cm2、５〜１００℃、好ましくは２
０〜５０℃で５〜３０時間、好ましくは１０〜２０時間
水素化を行なうと光学活性なアミン化合物が得られる。
素化される基質であるイミン化合物をメタノール、エタ
ノール、ブタノールなどのアルコール溶媒やテトラヒド
ロフラン、塩化メチレン、ベンゼン又はこれらの混合溶
媒に溶かし、基質に対して１／１００〜１／１０００モ
ルの触媒を加え、触媒に対して５〜５０倍モルのベンジ
ルアミンを添加して、水素圧１０〜１００Kg/cm2 , 好ま
しくは３０〜７０Kg/cm2、５〜１００℃、好ましくは２
０〜５０℃で５〜３０時間、好ましくは１０〜２０時間
水素化を行なうと光学活性なアミン化合物が得られる。
【００２０】
【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具
体的に説明する。本実施例及び比較例に於用いた分析機
器は次のものである。 1H-NMR：ブルッカー社製、AM-400,(400MHZ) 光学純度：高速液体クロマトグラフィー；島津製作所社製、LC-6A 化学純度：ガスクロマトグラフィー；島津製作所社製、GC-9A カラム；ガスクロ工業（株）社製、シリカキャピラリーOV-101 25m
体的に説明する。本実施例及び比較例に於用いた分析機
器は次のものである。 1H-NMR：ブルッカー社製、AM-400,(400MHZ) 光学純度：高速液体クロマトグラフィー；島津製作所社製、LC-6A 化学純度：ガスクロマトグラフィー；島津製作所社製、GC-9A カラム；ガスクロ工業（株）社製、シリカキャピラリーOV-101 25m
【００２１】〔実施例１〕50mlのオートクレーブに[Ir
(COD)Cl]2を9.3mg(0.0138mmol),(S)-2,2'- ビス（ジ−
ｐ−トリルホスフィノ）−1,1'−ビナフチルを19.9mg
(0.029mmol),アセトフェノンのベンジルイミンを580mg
(2.76mmol) を入れ、アルゴンで置換した後に、メタノ
ールを2.2ml 加えて攪拌した。最後にベンジルアミンを
15μl(0.13mmol)を加えて、水素圧60kg/cm2、20℃で18
時間攪拌した。反応液を減圧下に濃縮し、続いてクーゲ
ル蒸留で450mg の水素化生成物を取り出した。
(COD)Cl]2を9.3mg(0.0138mmol),(S)-2,2'- ビス（ジ−
ｐ−トリルホスフィノ）−1,1'−ビナフチルを19.9mg
(0.029mmol),アセトフェノンのベンジルイミンを580mg
(2.76mmol) を入れ、アルゴンで置換した後に、メタノ
ールを2.2ml 加えて攪拌した。最後にベンジルアミンを
15μl(0.13mmol)を加えて、水素圧60kg/cm2、20℃で18
時間攪拌した。反応液を減圧下に濃縮し、続いてクーゲ
ル蒸留で450mg の水素化生成物を取り出した。
【００２２】このものは1H NMRスペクトルからN-ベンジ
ルフェネチルアミンであった。1 H NMR(CDCl3) ： 7.16-7.38(m,10H), 3.76-3.04(m,1
H), 3.52-3.68(m,2H), 1.56(s,1H), 1.38(d,3H) 水素化で得られたアミンの光学純度は、ダイセル化学社
製CHIRALCEL OD 0.46cm ×25cm、ヘキサン／酢酸エチル
＝98/2、流速 0.3ml/min の条件で測定した結果、77%e
e であった。
ルフェネチルアミンであった。1 H NMR(CDCl3) ： 7.16-7.38(m,10H), 3.76-3.04(m,1
H), 3.52-3.68(m,2H), 1.56(s,1H), 1.38(d,3H) 水素化で得られたアミンの光学純度は、ダイセル化学社
製CHIRALCEL OD 0.46cm ×25cm、ヘキサン／酢酸エチル
＝98/2、流速 0.3ml/min の条件で測定した結果、77%e
e であった。
【００２３】〔比較例１〕ベンジルアミンを加えない以
外は全く実施例１と同じ条件で水素化した結果、得られ
たアミンの光学純度は23%ee であった。
外は全く実施例１と同じ条件で水素化した結果、得られ
たアミンの光学純度は23%ee であった。
【００２４】〔実施例２〕50mlのオートクレーブに[Ir
(COD)Cl]2を9.3mg(0.0138mmol),(S)-２，２’−ビス
（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
を 19.4mg(0.0286mmol),メタノール 2.2ml、ベンジルア
ミン 15 μl(0.137mmol)を加え最後に２−フェニル−3,
4,5,6 −テトラヒドロピリジン 0.41g(2.78mmol)を加
え、水素圧 60kg/cm2,２０℃で２０時間反応した。反応
液を減圧下に濃縮した後、ケーグル蒸留で触媒を除き、
0.344gの水素化物を得た。
(COD)Cl]2を9.3mg(0.0138mmol),(S)-２，２’−ビス
（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
を 19.4mg(0.0286mmol),メタノール 2.2ml、ベンジルア
ミン 15 μl(0.137mmol)を加え最後に２−フェニル−3,
4,5,6 −テトラヒドロピリジン 0.41g(2.78mmol)を加
え、水素圧 60kg/cm2,２０℃で２０時間反応した。反応
液を減圧下に濃縮した後、ケーグル蒸留で触媒を除き、
0.344gの水素化物を得た。
【００２５】このものは、1H NMRスペクトルから２ーフ
ェニルピペリジンであった。1 H NMR(CDCl3) ：7.18-7.42(m, 10H), 3.52-3.64(m, 1
H), 3.15-3.25(m, 1H),2.72-2.88(m, 1H), 1.86-1.96
(m, 1H), 1.72-1.86(m, 1H), 1.58-1.70(m, 2H),1.42-
1.58(M, 3H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、91%ee であった。
ェニルピペリジンであった。1 H NMR(CDCl3) ：7.18-7.42(m, 10H), 3.52-3.64(m, 1
H), 3.15-3.25(m, 1H),2.72-2.88(m, 1H), 1.86-1.96
(m, 1H), 1.72-1.86(m, 1H), 1.58-1.70(m, 2H),1.42-
1.58(M, 3H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、91%ee であった。
【００２６】〔比較例２〕実施例２と同じ条件でベンジ
ルアミンを添加しないで水素化した結果、39%eeであっ
た。
ルアミンを添加しないで水素化した結果、39%eeであっ
た。
【００２７】〔実施例３〕50mlの三方コック付きナスフ
ラスコに[Ir(COD)Cl]2を 9.2mg (0.0137mmol), (S)−2,
2 ′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−1,1 ′−ビ
ナフチルを 19.9mg (0.0293mmol)、メタノール 2.2ml、
ベンジルアミン15μl(0.138mmol)を加え、最後にＮ−
〔１−（２−ナフチル）エチリデン〕ベンジルアミン 7
03mg(2.71mmol)を加え１時間攪拌した。この溶液をオー
トクレーブに移し、水素圧 60kg/cm2,２０℃で１８時間
反応させた。反応液を減圧下に濃縮した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで触媒を除き、680 mgの水素化物を
得た。
ラスコに[Ir(COD)Cl]2を 9.2mg (0.0137mmol), (S)−2,
2 ′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−1,1 ′−ビ
ナフチルを 19.9mg (0.0293mmol)、メタノール 2.2ml、
ベンジルアミン15μl(0.138mmol)を加え、最後にＮ−
〔１−（２−ナフチル）エチリデン〕ベンジルアミン 7
03mg(2.71mmol)を加え１時間攪拌した。この溶液をオー
トクレーブに移し、水素圧 60kg/cm2,２０℃で１８時間
反応させた。反応液を減圧下に濃縮した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで触媒を除き、680 mgの水素化物を
得た。
【００２８】このものは、1H NMRスペクトルからＮ−ベ
ンジル−１−（２−ナフチル）エチルアミンであった。1 H NMR(270MHz, CD3Cl) ：δ7.72-7.88(m, 5H), 7.38-
7.56(m, 3H), 7.15-7.35(m, 5H), 3.92-4.02(q, 1H),
3.59-3.73(dd, 2H), 1.62(s, 1H), 1.44(d,3H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、70%ee であった。
ンジル−１−（２−ナフチル）エチルアミンであった。1 H NMR(270MHz, CD3Cl) ：δ7.72-7.88(m, 5H), 7.38-
7.56(m, 3H), 7.15-7.35(m, 5H), 3.92-4.02(q, 1H),
3.59-3.73(dd, 2H), 1.62(s, 1H), 1.44(d,3H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、70%ee であった。
【００２９】〔実施例４〕50mlの三方コック付きナスフ
ラスコに[Ir(COD)Cl]2を 9.3mg (0.0138mmol), (S)−2,
2 ′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−1,1 ′−ビ
ナフチルを 19.8mg (0.0292mmol)、メタノール 2.2ml、
ベンジルアミン15μl(0.138mmol)を加え、最後にＮ−
〔１−シクロヘキシルエチリデン〕ベンジルアミン 590
μl(2.76mmol) を加え１時間攪拌した。この溶液をオー
トクレーブに移し、水素圧 60kg/cm2、２０℃で１８時
間反応させた。反応液を減圧下に濃縮した後、クーゲル
蒸留で触媒を除き、463 mgの水素化物を得た。
ラスコに[Ir(COD)Cl]2を 9.3mg (0.0138mmol), (S)−2,
2 ′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−1,1 ′−ビ
ナフチルを 19.8mg (0.0292mmol)、メタノール 2.2ml、
ベンジルアミン15μl(0.138mmol)を加え、最後にＮ−
〔１−シクロヘキシルエチリデン〕ベンジルアミン 590
μl(2.76mmol) を加え１時間攪拌した。この溶液をオー
トクレーブに移し、水素圧 60kg/cm2、２０℃で１８時
間反応させた。反応液を減圧下に濃縮した後、クーゲル
蒸留で触媒を除き、463 mgの水素化物を得た。
【００３０】このものは、1H NMRスペクトルからＮ−ベ
ンジル−１−シクロヘキシルエチルアミンであった。1 H NMR(270MHz, CD3Cl) ：δ7.18-7.38(m, 5H), 3.65-
3.90(dd, 2H), 2.44-2.56(m, 1H), 1.60-1.82(m, 5H),
0.93-1.43(m, 10H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、73%ee であった。
ンジル−１−シクロヘキシルエチルアミンであった。1 H NMR(270MHz, CD3Cl) ：δ7.18-7.38(m, 5H), 3.65-
3.90(dd, 2H), 2.44-2.56(m, 1H), 1.60-1.82(m, 5H),
0.93-1.43(m, 10H) このものの光学純度は、ダイセル化学社製、CIRALCEL O
D を用いて測定した結果、73%ee であった。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、光学純度の高い光学活
性アミン化合物を得ることができる。
性アミン化合物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｍ 7:00
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれハロゲン原子、低
級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよい芳香族炭化水素またはハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基若しくは前記いずれかの基で
置換されていてもよい芳香族炭化水素基で置換されてい
てもよい脂肪族炭化水素若しくは脂環式炭化水素を示
し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の内の二つが隣接して５員環ある
いは６員環を形成してもよい）で表されるイミンをイリ
ジウム−光学活性ホスフィン錯体及びベンジルアミン誘
導体の存在下に不斉水素化することを特徴とする光学活
性アミンの製造方法。 - 【請求項２】 イリジウム−光学活性ホスフィン錯体の
光学活性ホスフィンが下記一般式（２） 【化２】 （式中、Arはパラ位及び／又はメタ位が低級アルキル基
で置換されていてもよいフェニル基を示す）で表される
請求項１記載の光学活性アミンの製造方法。 - 【請求項３】 イリジウム−光学活性ホスフィン錯体の
光学活性ホスフィンが下記一般式（３） 【化３】 ( 式中、Ar1 はp-メトキシフェニル基、フェニル基、p-
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 ，5-キ
シリル基を示す)で表されるホスフィン化合物である請
求項１記載の光学活性アミンの製造方法。 - 【請求項４】 イリジウム−光学活性ホスフィン錯体の
光学活性ホスフィンが下記一般式（４） 【化４】 ( 式中、Ar2 はp-メトキシフェニル基、フェニル基、p-
トリル基、m-トリル基、p-クロロフェニル基、3 ，5-キ
シリル基を示す)で表されるホスフィン化合物である請
求項１記載の光学活性アミンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03572896A JP3441284B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-01-31 | 光学活性アミンの製造方法 |
| US08/615,410 US5686616A (en) | 1995-03-14 | 1996-03-14 | Process for preparing an optically active amine |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-80829 | 1995-03-14 | ||
| JP8082995 | 1995-03-14 | ||
| JP03572896A JP3441284B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-01-31 | 光学活性アミンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311001A true JPH08311001A (ja) | 1996-11-26 |
| JP3441284B2 JP3441284B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=26374719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03572896A Expired - Lifetime JP3441284B2 (ja) | 1995-03-14 | 1996-01-31 | 光学活性アミンの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5686616A (ja) |
| JP (1) | JP3441284B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729801B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-06-20 | 한국건설기술연구원 | 바닥용 디퓨져 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HRP960302A2 (en) * | 1995-07-26 | 1998-04-30 | Ciba Geigy Ag | Process for the hydrogenation of imines |
| US6025516A (en) * | 1998-10-14 | 2000-02-15 | Chiragene, Inc. | Resolution of 2-hydroxy-3-amino-3-phenylpropionamide and its conversion to C-13 sidechain of taxanes |
| EP1305278B1 (en) * | 2000-07-24 | 2004-11-03 | Chirotech Technology Limited | Ruthenium complexes and their use in asymmetric hydrogenation |
| US7908080B2 (en) | 2004-12-31 | 2011-03-15 | Google Inc. | Transportation routing |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK350383A (da) * | 1982-08-27 | 1984-02-28 | Hoffmann La Roche | Phosphorforbindelser |
| US4965348A (en) * | 1989-05-19 | 1990-10-23 | Bristol-Myers Company | Dimeric epipodophyllotoxin glucoside derivatives |
| JPH03139192A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電動機制御装置 |
| JPH0768260B2 (ja) * | 1990-03-01 | 1995-07-26 | 高砂香料工業株式会社 | ２，２’―ビス〔ジ―（３，５―ジアルキルフェニル）ホスフィノ〕―１，１’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
| JP3044548B2 (ja) * | 1990-05-01 | 2000-05-22 | 綜合警備保障株式会社 | 建物の警備・管理方法 |
| JP2739254B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1998-04-15 | 高砂香料工業株式会社 | イリジウム―光学活性ホスフィン錯体及びこれを用いた光学活性アルコールの製造方法 |
| JP2681057B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1997-11-19 | 高砂香料工業株式会社 | ２，２’―ビス（ジフェニルホスフィノ）―５，５’，６，６’，７，７’，８，８’―オクタヒドロ―１，１’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
| ATE141278T1 (de) * | 1991-03-15 | 1996-08-15 | Hoffmann La Roche | Diphosphonsaurederivate als zwischenprodukte zur herstellung von diphosphinliganden |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP03572896A patent/JP3441284B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-14 US US08/615,410 patent/US5686616A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729801B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-06-20 | 한국건설기술연구원 | 바닥용 디퓨져 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3441284B2 (ja) | 2003-08-25 |
| US5686616A (en) | 1997-11-11 |
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