JPH0831029A - 光情報記録媒体、その製造方法および製造装置 - Google Patents
光情報記録媒体、その製造方法および製造装置Info
- Publication number
- JPH0831029A JPH0831029A JP18309694A JP18309694A JPH0831029A JP H0831029 A JPH0831029 A JP H0831029A JP 18309694 A JP18309694 A JP 18309694A JP 18309694 A JP18309694 A JP 18309694A JP H0831029 A JPH0831029 A JP H0831029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical information
- information recording
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 堆積速度が早く、堆積時に基板温度が上昇し
ない、基板表面の不純物の脱離性がよく密着性が高い、
しかも水素脱離効果により屈折率が高い保護層を有する
光情報記録媒体を提供する。 【構成】 基板上に、少なくとも保護層と記録層を有す
る光情報記録媒体において、前記保護層が光アシストプ
ラズマＣＶＤ法により形成された光情報記録媒体。プラ
ズマ発生手段としてマイクロ波又は高周波を用いる。前
記保護層は主として誘電体層より成り、記録層は磁性層
より成る光磁気記録媒体が好適である。
ない、基板表面の不純物の脱離性がよく密着性が高い、
しかも水素脱離効果により屈折率が高い保護層を有する
光情報記録媒体を提供する。 【構成】 基板上に、少なくとも保護層と記録層を有す
る光情報記録媒体において、前記保護層が光アシストプ
ラズマＣＶＤ法により形成された光情報記録媒体。プラ
ズマ発生手段としてマイクロ波又は高周波を用いる。前
記保護層は主として誘電体層より成り、記録層は磁性層
より成る光磁気記録媒体が好適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体、その
製造方法及び製造装置にかかわるもので、特に磁気カー
効果或いはファラデー効果等の磁気光学効果によって記
録された情報を読み出すことの出来る光磁気記録媒体、
および記録薄膜にレーザ光を照射し結晶状態の変化を作
り出すことにより情報を記録再生する相変化型記録媒体
の誘電体に関するものである。
製造方法及び製造装置にかかわるもので、特に磁気カー
効果或いはファラデー効果等の磁気光学効果によって記
録された情報を読み出すことの出来る光磁気記録媒体、
および記録薄膜にレーザ光を照射し結晶状態の変化を作
り出すことにより情報を記録再生する相変化型記録媒体
の誘電体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータメモリや画像情報メ
モリとして大容量、高速記録媒体が求められるようにな
ってきた。これらの要望に答える記録媒体としてレーザ
ー光を用いて記録再生する光ディスクがさかんに開発さ
れてきた。その中でも特に有望なものは光磁気記録媒体
と相変化型記録媒体である。
モリとして大容量、高速記録媒体が求められるようにな
ってきた。これらの要望に答える記録媒体としてレーザ
ー光を用いて記録再生する光ディスクがさかんに開発さ
れてきた。その中でも特に有望なものは光磁気記録媒体
と相変化型記録媒体である。
【０００３】光磁気記録媒体は偏光されたレーザー光を
磁性体表面にあてて、その磁化の向きによって反射され
てくるレーザー光の偏光面の回転方向が異なる性質（磁
気カー効果）を利用して情報を記録再生するものであ
り、このカー回転角が大きいものほど大きなＣ／Ｎ比が
得られる。この磁気カー効果は磁気記録層のみでは十分
大きなものが得られず、一般的には磁気記録層と基板の
間に透明な誘電体層を付加し、光学的な干渉効果によっ
てカー回転角の増加（エンハンス効果）をはかる。
磁性体表面にあてて、その磁化の向きによって反射され
てくるレーザー光の偏光面の回転方向が異なる性質（磁
気カー効果）を利用して情報を記録再生するものであ
り、このカー回転角が大きいものほど大きなＣ／Ｎ比が
得られる。この磁気カー効果は磁気記録層のみでは十分
大きなものが得られず、一般的には磁気記録層と基板の
間に透明な誘電体層を付加し、光学的な干渉効果によっ
てカー回転角の増加（エンハンス効果）をはかる。
【０００４】一方、相変化型記録媒体はレーザー光を記
録薄膜に照射し、加熱、急冷却によって薄膜を非結晶状
態にして記録し、さらにレーザー光により加熱、徐冷す
ることで消去して情報を記録再生するものである。この
相変化型記録媒体においても、光学的なエンハンス効果
をもたせるために、基板と記録膜の間に誘電体層を設け
る。
録薄膜に照射し、加熱、急冷却によって薄膜を非結晶状
態にして記録し、さらにレーザー光により加熱、徐冷す
ることで消去して情報を記録再生するものである。この
相変化型記録媒体においても、光学的なエンハンス効果
をもたせるために、基板と記録膜の間に誘電体層を設け
る。
【０００５】基板材料としてはガラス等の無機材料の
他、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメチルメ
タクリレート等の透明性高分子樹脂材料が使用できる。
ガラス材料はその表面にプレグループ（案内溝）やプレ
ピット等の微細パターン加工を施すのに多大な労力とコ
ストを要する。そのため最近ではグルービング（微細溝
加工）の容易な透明性高分子樹脂材料が主として使用さ
れている。しかし、高分子樹脂材料は安価な反面耐熱性
に乏しいという欠点を有するため光磁気記録媒体の製造
上において、低温で作成する必要があり、特に成膜工程
における低温化が必須条件として望まれている。
他、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメチルメ
タクリレート等の透明性高分子樹脂材料が使用できる。
ガラス材料はその表面にプレグループ（案内溝）やプレ
ピット等の微細パターン加工を施すのに多大な労力とコ
ストを要する。そのため最近ではグルービング（微細溝
加工）の容易な透明性高分子樹脂材料が主として使用さ
れている。しかし、高分子樹脂材料は安価な反面耐熱性
に乏しいという欠点を有するため光磁気記録媒体の製造
上において、低温で作成する必要があり、特に成膜工程
における低温化が必須条件として望まれている。
【０００６】誘電体層の材料としては、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓ
ｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、アモルファスＳｉ、ＡｌＮ、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ等が用いら
れており、誘電体層の屈折率が大きいものほど干渉効果
によるエンハンス効果が大きくなるためできるだけ屈折
率の大きな材料が選ばれる。
ｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、アモルファスＳｉ、ＡｌＮ、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ等が用いら
れており、誘電体層の屈折率が大きいものほど干渉効果
によるエンハンス効果が大きくなるためできるだけ屈折
率の大きな材料が選ばれる。
【０００７】これらの誘電体層は干渉効果によるエンハ
ンス効果の他に、磁性層を保護する保護膜としての役割
も有しており、一般的には磁性層をはさむように設けら
れている。また、更に干渉効果を高めるために最上層に
金属反射層を付加したものも多く見られる。
ンス効果の他に、磁性層を保護する保護膜としての役割
も有しており、一般的には磁性層をはさむように設けら
れている。また、更に干渉効果を高めるために最上層に
金属反射層を付加したものも多く見られる。
【０００８】通常、これらの誘電体層は蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法等で作製される。例えば、特公平２−１５９２９号公
報に開示されているように、ＡｌＮやＳｉＮをＡｌター
ゲット、Ｓｉターゲットを用いてＮ2 ガス雰囲気中で反
応性スパッタリングすることによって作成されたり、特
開平３−６６０４３号公報、特開平３−６９０３３号公
報、特開平４−３０３４３号公報に開示されているよう
に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって誘電体層を形成す
ることが試みられていた。
タリング法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法等で作製される。例えば、特公平２−１５９２９号公
報に開示されているように、ＡｌＮやＳｉＮをＡｌター
ゲット、Ｓｉターゲットを用いてＮ2 ガス雰囲気中で反
応性スパッタリングすることによって作成されたり、特
開平３−６６０４３号公報、特開平３−６９０３３号公
報、特開平４−３０３４３号公報に開示されているよう
に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって誘電体層を形成す
ることが試みられていた。
【０００９】図４は従来のマグネトロンスパッタ装置を
示す概略図である。従来の誘電体層を形成する方法は、
同図に示す様な装置を用いて、基板４１と対向する位置
にターゲット４５を配置し、Ａｒガスを導入しプラズマ
を発生させることによりターゲット４５をスパッタリン
グして所望のレートで膜を形成する。その場合、基板自
体を一定速度に回転させて膜の堆積速度を一定に保つよ
うにしたり、ターゲットの背面で回転可能なマグネット
を配置しターゲットを均一にスパッタできるようにした
りして膜の形成を行なうものである。
示す概略図である。従来の誘電体層を形成する方法は、
同図に示す様な装置を用いて、基板４１と対向する位置
にターゲット４５を配置し、Ａｒガスを導入しプラズマ
を発生させることによりターゲット４５をスパッタリン
グして所望のレートで膜を形成する。その場合、基板自
体を一定速度に回転させて膜の堆積速度を一定に保つよ
うにしたり、ターゲットの背面で回転可能なマグネット
を配置しターゲットを均一にスパッタできるようにした
りして膜の形成を行なうものである。
【００１０】このような光情報記録媒体の特性は、記録
膜そのものの特性によるところが大きいが、誘電体の材
質にも強く依存していることが知られており、現在内外
の研究機関において、誘電体の材料、製法について活発
な研究開発が行われている。
膜そのものの特性によるところが大きいが、誘電体の材
質にも強く依存していることが知られており、現在内外
の研究機関において、誘電体の材料、製法について活発
な研究開発が行われている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光情報
記録媒体に用いられている誘電体膜には、以下のような
問題点があった。
記録媒体に用いられている誘電体膜には、以下のような
問題点があった。
【００１２】誘電体保護膜の堆積速度が遅い。従来の
プラズマＣＶＤ法はプラズマ密度を上げる事が困難であ
り、誘電体保護膜の膜堆積速度が遅く生産性に問題があ
った。また、従来のスパッタ法で膜の体積速度をあげる
ためにはターゲット投入パワーを大幅にあげる必要があ
り、それによってターゲットが割れてしまうという問題
があった。また、次のに示すように、膜堆積速度を上
げようとすると基板の温度も上昇し、基板の機械的特性
を十分満たすものが得られないため成膜速度を上げるこ
とが出来なかった。
プラズマＣＶＤ法はプラズマ密度を上げる事が困難であ
り、誘電体保護膜の膜堆積速度が遅く生産性に問題があ
った。また、従来のスパッタ法で膜の体積速度をあげる
ためにはターゲット投入パワーを大幅にあげる必要があ
り、それによってターゲットが割れてしまうという問題
があった。また、次のに示すように、膜堆積速度を上
げようとすると基板の温度も上昇し、基板の機械的特性
を十分満たすものが得られないため成膜速度を上げるこ
とが出来なかった。
【００１３】基板温度の上昇。スパッタリング法で
は、堆積速度を早めるためターゲット投入パワーを上げ
ると膜堆積時に温度が上昇し、樹脂基板の変形やその表
面が損傷するといったトラブルが発生していた。
は、堆積速度を早めるためターゲット投入パワーを上げ
ると膜堆積時に温度が上昇し、樹脂基板の変形やその表
面が損傷するといったトラブルが発生していた。
【００１４】膜フクレ、膜剥がれが発生する。従来の
プラズマＣＶＤ法やスパッタ法では表面に存在する不純
物を充分に除去、脱離できず、基板と誘電体保護膜の密
着性が不十分で、膜フクレや膜剥がれといった欠陥が発
生しやすかった。
プラズマＣＶＤ法やスパッタ法では表面に存在する不純
物を充分に除去、脱離できず、基板と誘電体保護膜の密
着性が不十分で、膜フクレや膜剥がれといった欠陥が発
生しやすかった。
【００１５】誘電体保護膜の屈折率があげられない。
従来のプラズマＣＶＤ法は膜の堆積速度は従来のスパッ
タ法よりは早くすることはできるが、プラズマ生成段階
および膜形成段階において水素が取り込まれてしまうた
め誘電体の屈折率を上げる事が困難であり、光学的エン
ハンス効果の大きな誘電体保護膜の形成法として大きな
問題があった。
従来のプラズマＣＶＤ法は膜の堆積速度は従来のスパッ
タ法よりは早くすることはできるが、プラズマ生成段階
および膜形成段階において水素が取り込まれてしまうた
め誘電体の屈折率を上げる事が困難であり、光学的エン
ハンス効果の大きな誘電体保護膜の形成法として大きな
問題があった。
【００１６】本発明者らは、上記問題を解決するために
鋭意検討を行った結果、光アシストプラズマＣＶＤ法を
利用した化学的気相堆積法（ＣＶＤ）を用いることによ
り、堆積速度が早い、堆積時に基板温度が上昇しない、
基板表面の不純物の脱離性がよく密着性が高い、しかも
水素脱離効果により屈折率が高いという特徴を有する保
護層を形成することができることを見いだした。本発明
は、この様な保護層を有する光情報記録媒体、その製造
方法及びその製造装置を提供することを目的とするもの
である。
鋭意検討を行った結果、光アシストプラズマＣＶＤ法を
利用した化学的気相堆積法（ＣＶＤ）を用いることによ
り、堆積速度が早い、堆積時に基板温度が上昇しない、
基板表面の不純物の脱離性がよく密着性が高い、しかも
水素脱離効果により屈折率が高いという特徴を有する保
護層を形成することができることを見いだした。本発明
は、この様な保護層を有する光情報記録媒体、その製造
方法及びその製造装置を提供することを目的とするもの
である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、基板上
に、少なくとも保護層と記録層を有する光情報記録媒体
において、前記保護層が光アシストプラズマＣＶＤ法に
より形成されたことを特徴とする光情報記録媒体であ
る。
に、少なくとも保護層と記録層を有する光情報記録媒体
において、前記保護層が光アシストプラズマＣＶＤ法に
より形成されたことを特徴とする光情報記録媒体であ
る。
【００１８】また、本発明は、基板上に、少なくとも保
護層と記録層を有する光情報記録媒体の製造方法におい
て、前記保護層を光アシストプラズマＣＶＤ法により形
成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法であ
る。
護層と記録層を有する光情報記録媒体の製造方法におい
て、前記保護層を光アシストプラズマＣＶＤ法により形
成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法であ
る。
【００１９】さらに、本発明は、基板上に、少なくとも
保護層と記録層を有する光情報記録媒体の製造装置にお
いて、プラズマを発生させるプラズマ発生領域と、発生
したプラズマを導入して光アシストプラズマＣＶＤ法に
より保護層を形成する成膜領域を具備することを特徴と
する光情報記録媒体の製造装置である。
保護層と記録層を有する光情報記録媒体の製造装置にお
いて、プラズマを発生させるプラズマ発生領域と、発生
したプラズマを導入して光アシストプラズマＣＶＤ法に
より保護層を形成する成膜領域を具備することを特徴と
する光情報記録媒体の製造装置である。
【００２０】以下、本発明を詳細に説明する。図３は本
発明の光情報記録媒体の代表的な膜構成を示す概略図で
ある。同図に示す様に、本発明の光情報記録媒体は、基
板３１上に、保護層３２と記録層３３および保護層３２
を順次積層して設け、前記保護層３１が光アシストプラ
ズマＣＶＤ法により形成された層からなることを特徴と
する。
発明の光情報記録媒体の代表的な膜構成を示す概略図で
ある。同図に示す様に、本発明の光情報記録媒体は、基
板３１上に、保護層３２と記録層３３および保護層３２
を順次積層して設け、前記保護層３１が光アシストプラ
ズマＣＶＤ法により形成された層からなることを特徴と
する。
【００２１】すなわち、本発明の光情報記録媒体は、光
アシストプラズマＣＶＤ法を利用した化学的気相堆積法
（ＣＶＤ）を用いることにより、堆積速度が早い、堆積
時に基板温度が上昇しない、基板表面の不純物の脱離性
がよく密着性が高い、しかも水素脱離効果により屈折率
が高い保護層を形成することに特徴を有する。
アシストプラズマＣＶＤ法を利用した化学的気相堆積法
（ＣＶＤ）を用いることにより、堆積速度が早い、堆積
時に基板温度が上昇しない、基板表面の不純物の脱離性
がよく密着性が高い、しかも水素脱離効果により屈折率
が高い保護層を形成することに特徴を有する。
【００２２】本発明における光アシストプラズマＣＶＤ
法には、例えば特願平４−３１９２２３号公報に示すよ
うなスロット付き無終端環状マイクロ波プラズマＣＶＤ
装置を用いることができる。
法には、例えば特願平４−３１９２２３号公報に示すよ
うなスロット付き無終端環状マイクロ波プラズマＣＶＤ
装置を用いることができる。
【００２３】本発明の光情報記録媒体の製造装置は、プ
ラズマチャンバからなるプラズマ発生領域と、発生した
プラズマを導入して光アシストプラズマＣＶＤ法により
保護層を形成する成膜チャンバからなる成膜領域を有す
る。まず、誘電体保護層形成用基板を成膜チャンバ内に
設置し、排気系によりプラズマチャンバおよび成膜チャ
ンバ内を真空排気する。プラズマ発生用の第１の反応ガ
ス（例えばＮ2 ガス）を第１のガス導入手段によりプラ
ズマチャンバ内に導入するとともに、第２の原料ガス
（例えばＳｉＨ4 ガス）を第２のガス導入手段により成
膜チャンバ内に導入する。
ラズマチャンバからなるプラズマ発生領域と、発生した
プラズマを導入して光アシストプラズマＣＶＤ法により
保護層を形成する成膜チャンバからなる成膜領域を有す
る。まず、誘電体保護層形成用基板を成膜チャンバ内に
設置し、排気系によりプラズマチャンバおよび成膜チャ
ンバ内を真空排気する。プラズマ発生用の第１の反応ガ
ス（例えばＮ2 ガス）を第１のガス導入手段によりプラ
ズマチャンバ内に導入するとともに、第２の原料ガス
（例えばＳｉＨ4 ガス）を第２のガス導入手段により成
膜チャンバ内に導入する。
【００２４】次いで、排気系に設けられたコンダクタン
スバルブを調整し、プラズマチャンバおよび成膜チャン
バ内を所望の圧力に調整する。プラズマ生成手段として
は、例えば次の様なマイクロ波を利用することが可能で
ある。成膜装置の外部に設けられたマイクロ波電源より
所望の電力をプラズマチャンバを取り巻くマイクロ波導
波管に供給する。マイクロ波導波管に最適配置されたス
リットを設け、該スリットからマイクロ波エネルギを成
膜チャンバ内に導入することによって、前記第１の反応
ガスを励起、分解し、プラズマチャンバ内に高密度なプ
ラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャンバ内
に引き込むことによって、成膜チャンバに導入された第
２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を効率よく分解、
反応させることにより、気相反応および基板表面での反
応で誘電体保護層（例えばＳｉＮ膜）を該成膜チャンバ
内に配置された基板上に形成する。このとき、基板表面
に可視紫外光を照射する照明系より可視紫外光を照射す
る。
スバルブを調整し、プラズマチャンバおよび成膜チャン
バ内を所望の圧力に調整する。プラズマ生成手段として
は、例えば次の様なマイクロ波を利用することが可能で
ある。成膜装置の外部に設けられたマイクロ波電源より
所望の電力をプラズマチャンバを取り巻くマイクロ波導
波管に供給する。マイクロ波導波管に最適配置されたス
リットを設け、該スリットからマイクロ波エネルギを成
膜チャンバ内に導入することによって、前記第１の反応
ガスを励起、分解し、プラズマチャンバ内に高密度なプ
ラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャンバ内
に引き込むことによって、成膜チャンバに導入された第
２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を効率よく分解、
反応させることにより、気相反応および基板表面での反
応で誘電体保護層（例えばＳｉＮ膜）を該成膜チャンバ
内に配置された基板上に形成する。このとき、基板表面
に可視紫外光を照射する照明系より可視紫外光を照射す
る。
【００２５】本発明において、保護層を形成する際のプ
ラズマ発生手段としてマイクロ波または高周波を用いる
ことができる。また、基板はポリカーボネート、ポリオ
レフィンまたはポリメチルメタクリレートの高分子樹脂
材料からなるものが好ましい。
ラズマ発生手段としてマイクロ波または高周波を用いる
ことができる。また、基板はポリカーボネート、ポリオ
レフィンまたはポリメチルメタクリレートの高分子樹脂
材料からなるものが好ましい。
【００２６】保護層はＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｎの
金属類の窒化物、炭化物、酸化物、硫化物およびアモル
ファスＳｉより選ばれる少なくとも１つの誘電体よりな
るものが好ましい。
金属類の窒化物、炭化物、酸化物、硫化物およびアモル
ファスＳｉより選ばれる少なくとも１つの誘電体よりな
るものが好ましい。
【００２７】また、本発明の光情報記録媒体は、保護層
は主として誘電体層より成り、記録層は磁性層より成る
光磁気記録媒体が好ましい例として挙げられる。その誘
電体層の屈折率が１．７〜３．７、好ましくは２．１〜
２．３で、膜厚が３０〜１２０ｎｍ、好ましくは７０〜
９０ｎｍで、残留応力が±３０Ｋｇ／ｍｍ2 （但し、符
号はプラスが引っ張り応力でマイナスは圧縮応力であ
る）以下、好ましくは−１０〜−２０Ｋｇ／ｍｍ2 であ
るのが望ましい。
は主として誘電体層より成り、記録層は磁性層より成る
光磁気記録媒体が好ましい例として挙げられる。その誘
電体層の屈折率が１．７〜３．７、好ましくは２．１〜
２．３で、膜厚が３０〜１２０ｎｍ、好ましくは７０〜
９０ｎｍで、残留応力が±３０Ｋｇ／ｍｍ2 （但し、符
号はプラスが引っ張り応力でマイナスは圧縮応力であ
る）以下、好ましくは−１０〜−２０Ｋｇ／ｍｍ2 であ
るのが望ましい。
【００２８】また、本発明の光情報記録媒体の製造方法
において、誘電体層の堆積速度が６５０ｎｍ／ｍｉｎ以
上、好ましくは７００〜９００ｎｍ／ｍｉｎで、誘電体
層を成膜する場合、基板温度が６５℃以下、好ましくは
４５〜５５℃であるのが望ましい。
において、誘電体層の堆積速度が６５０ｎｍ／ｍｉｎ以
上、好ましくは７００〜９００ｎｍ／ｍｉｎで、誘電体
層を成膜する場合、基板温度が６５℃以下、好ましくは
４５〜５５℃であるのが望ましい。
【００２９】以下に図面に基づいて本発明を具体的に説
明する。図１に本発明の第１の実施態様である無終端環
状導波管を用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置の概略
図を示す。
明する。図１に本発明の第１の実施態様である無終端環
状導波管を用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置の概略
図を示す。
【００３０】同図１において、１は基板表面に可視紫外
光を照射する照明系で、光源と光源からの光を集光する
ためのリフレクトミラーと、光をミキシングし均一化す
るコリメートレンズで構成されている。２はプラズマを
発生させるプラズマチャンバ、３は成膜チャンバ、４は
照明系１からの可視紫外光をプラズマチャンバ２を通し
て成膜チャンバ３へ導入する光導入窓、５は基板、６は
基板支持台、７は第１のガス導入手段、８は第２のガス
導入手段、９はマイクロ波電源（図示せず）により所望
の電力をプラズマチャンバ内に導入する環状マイクロ波
導波管、１０はプラズマ隔離板である。
光を照射する照明系で、光源と光源からの光を集光する
ためのリフレクトミラーと、光をミキシングし均一化す
るコリメートレンズで構成されている。２はプラズマを
発生させるプラズマチャンバ、３は成膜チャンバ、４は
照明系１からの可視紫外光をプラズマチャンバ２を通し
て成膜チャンバ３へ導入する光導入窓、５は基板、６は
基板支持台、７は第１のガス導入手段、８は第２のガス
導入手段、９はマイクロ波電源（図示せず）により所望
の電力をプラズマチャンバ内に導入する環状マイクロ波
導波管、１０はプラズマ隔離板である。
【００３１】図２に本発明の第２の実施態様である有磁
場ヘリカルコイルを用いた光アシストプラズマＣＶＤ装
置の概略図を示す。同図２において、１ａは基板表面に
可視紫外光を照射する照明系で、光源と光源からの光を
集光するためのリフレクトミラー、１１はベルジャー、
１２はアンテナ、１３は成膜チャンバー、１４は基板、
１５は基板ホルダー、１６はマッチングボックス、１７
はＲＦ電源、１８はコイル、１９はマグネットである。
場ヘリカルコイルを用いた光アシストプラズマＣＶＤ装
置の概略図を示す。同図２において、１ａは基板表面に
可視紫外光を照射する照明系で、光源と光源からの光を
集光するためのリフレクトミラー、１１はベルジャー、
１２はアンテナ、１３は成膜チャンバー、１４は基板、
１５は基板ホルダー、１６はマッチングボックス、１７
はＲＦ電源、１８はコイル、１９はマグネットである。
【００３２】本実施態様ではプラズマ発生手段として、
環状マイクロ波導波管および有磁場ヘリカルコイルを用
いたものを示したが、その他のものでも基板から隔離可
能でイオン入射の少ないプラズマを発生できる手段なら
適用可能である。例えば、直結型矩形導波管、アプリケ
ータ、リジターノコイル、ヘリカルアンテナ等の他のマ
イクロ波導入手段や、誘導コイル、二電極容量結合、円
筒マグネトロン電極等の高周波導入手段等が適用可能で
ある。
環状マイクロ波導波管および有磁場ヘリカルコイルを用
いたものを示したが、その他のものでも基板から隔離可
能でイオン入射の少ないプラズマを発生できる手段なら
適用可能である。例えば、直結型矩形導波管、アプリケ
ータ、リジターノコイル、ヘリカルアンテナ等の他のマ
イクロ波導入手段や、誘導コイル、二電極容量結合、円
筒マグネトロン電極等の高周波導入手段等が適用可能で
ある。
【００３３】ここで述べているマイクロ波とは周波数約
３００ＭＨｚから３００ＧＨｚの範囲の電磁波を指し、
その中でも特に汎用的に用いられる２．４５ＧＨｚの電
磁波が好適である。また、ここで述べている高周波とは
約１ＭＨｚから３００ＭＨｚの電磁波を指し、その中で
も特に汎用的に用いられる１３．５６ＭＨｚの電磁波が
好適である。
３００ＭＨｚから３００ＧＨｚの範囲の電磁波を指し、
その中でも特に汎用的に用いられる２．４５ＧＨｚの電
磁波が好適である。また、ここで述べている高周波とは
約１ＭＨｚから３００ＭＨｚの電磁波を指し、その中で
も特に汎用的に用いられる１３．５６ＭＨｚの電磁波が
好適である。
【００３４】次に、本発明の製造方法について説明す
る。 製造方法例１ 上記第１の実施態様である無終端環状導波管を用いた光
アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、誘電体保護層を
形成するには、誘電体形成用基板５を成膜チャンバ３内
に設置し、排気系によりプラズマチャンバ２および成膜
チャンバ３内を１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空排気する。プ
ラズマ発生用の第１の反応ガス（例えばＮ2 ガス）を第
１のガス導入手段７によりプラズマチャンバ２内に導入
するとともに、第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）
を第２のガス導入手段８により成膜チャンバ３内に導入
する。
る。 製造方法例１ 上記第１の実施態様である無終端環状導波管を用いた光
アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、誘電体保護層を
形成するには、誘電体形成用基板５を成膜チャンバ３内
に設置し、排気系によりプラズマチャンバ２および成膜
チャンバ３内を１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空排気する。プ
ラズマ発生用の第１の反応ガス（例えばＮ2 ガス）を第
１のガス導入手段７によりプラズマチャンバ２内に導入
するとともに、第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）
を第２のガス導入手段８により成膜チャンバ３内に導入
する。
【００３５】次いで、排気系に設けられたコンダクタン
スバルブを調整し、プラズマチャンバ２および成膜チャ
ンバ３内を１０ｍＴｏｒｒ程度に調整する。マイクロ波
電源より１５００Ｗ程度の電力をプラズマチャンバ２を
取り巻くマイクロ波導波管９に供給する。マイクロ波導
波管９のスリットからマイクロ波エネルギをプラズマチ
ャンバ２内に導入することによって、前記第１の反応ガ
スを励起、分解し、プラズマチャンバ２内に高密度なプ
ラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャンバ３
内に引き込むことによって、成膜チャンバに導入された
第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を効率良く分
解、反応させることにより、気相反応および基板表面で
の反応でＳｉＮ膜を該成膜チャンバ３内に配置された基
板５上に形成する。このとき、基板表面に可視紫外光
（例えばＸｅランプ）を照射する照明系より可視紫外光
を照射する。
スバルブを調整し、プラズマチャンバ２および成膜チャ
ンバ３内を１０ｍＴｏｒｒ程度に調整する。マイクロ波
電源より１５００Ｗ程度の電力をプラズマチャンバ２を
取り巻くマイクロ波導波管９に供給する。マイクロ波導
波管９のスリットからマイクロ波エネルギをプラズマチ
ャンバ２内に導入することによって、前記第１の反応ガ
スを励起、分解し、プラズマチャンバ２内に高密度なプ
ラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャンバ３
内に引き込むことによって、成膜チャンバに導入された
第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を効率良く分
解、反応させることにより、気相反応および基板表面で
の反応でＳｉＮ膜を該成膜チャンバ３内に配置された基
板５上に形成する。このとき、基板表面に可視紫外光
（例えばＸｅランプ）を照射する照明系より可視紫外光
を照射する。
【００３６】製造方法例２ 本発明の第２の実施態様である有磁場ヘリカルコイルを
用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、誘電体
保護層を形成するには、誘電体形成用基板１４を成膜チ
ャンバ１３内に設置し、排気系によりプラズマチャンバ
および成膜チャンバ１３内を１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空
排気する。プラズマ発生用の第１の反応ガス（例えばＮ
2 ガス）を第１のガス導入手段によりプラズマチャンバ
内に導入するとともに、第２の原料ガス（例えばＳｉＨ
4 ガス）を第２のガス導入手段により成膜チャンバ１３
内に導入する。次いで排気系に設けられたコンダクタン
スバルブを調整し、プラズマチャンバおよび成膜チャン
バ内を１０ｍＴｏｒｒ程度に調整する。
用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、誘電体
保護層を形成するには、誘電体形成用基板１４を成膜チ
ャンバ１３内に設置し、排気系によりプラズマチャンバ
および成膜チャンバ１３内を１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空
排気する。プラズマ発生用の第１の反応ガス（例えばＮ
2 ガス）を第１のガス導入手段によりプラズマチャンバ
内に導入するとともに、第２の原料ガス（例えばＳｉＨ
4 ガス）を第２のガス導入手段により成膜チャンバ１３
内に導入する。次いで排気系に設けられたコンダクタン
スバルブを調整し、プラズマチャンバおよび成膜チャン
バ内を１０ｍＴｏｒｒ程度に調整する。
【００３７】高周波電源より２５００Ｗ程度の電力をベ
ルジャー１１を取り巻くアンテナ１２に導入し、該アン
テナ１２から導入されるヘリコン波によって、前記第１
の反応ガスを励起、分解し、プラズマチャンバ内に高密
度なプラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャ
ンバ１３内に引き込むことによって、成膜チャンバ１３
に導入された第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を
効率良く分解、反応させることにより、気相反応および
基板表面での反応でＳｉＮ膜を該成膜チャンバ１３内に
配置された基板上に形成する。このとき、基板表面に可
視紫外光（例えばＸｅランプ）を照射する照明系より可
視紫外光を照射する。
ルジャー１１を取り巻くアンテナ１２に導入し、該アン
テナ１２から導入されるヘリコン波によって、前記第１
の反応ガスを励起、分解し、プラズマチャンバ内に高密
度なプラズマを発生させ、該高密度プラズマを成膜チャ
ンバ１３内に引き込むことによって、成膜チャンバ１３
に導入された第２の原料ガス（例えばＳｉＨ4 ガス）を
効率良く分解、反応させることにより、気相反応および
基板表面での反応でＳｉＮ膜を該成膜チャンバ１３内に
配置された基板上に形成する。このとき、基板表面に可
視紫外光（例えばＸｅランプ）を照射する照明系より可
視紫外光を照射する。
【００３８】上記の実施態様に示した本発明の光アシス
トプラズマＣＶＤ装置を用いて形成できる好適な誘電体
層の材料としては、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、アモルファスＳｉ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2
、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳなどである。
トプラズマＣＶＤ装置を用いて形成できる好適な誘電体
層の材料としては、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、アモルファスＳｉ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2
、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳなどである。
【００３９】また、本発明におけるａ−Ｓｉ、ＳｉＣな
どのＳｉ系半導体膜を形成する場合の第２のガス導入手
段から導入するＳｉを含有する原料ガスとしてはＳｉＨ
4 、ＳｉＨ6 などの無機シラン類、テトラエチルシラン
（ＴＥＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ジメチル
シラン（ＤＭＳ）などの有機シラン類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ
2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ
2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃ
ｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラン類、など常温常圧で
ガス状態であるものまたは容易にガス化するものが挙げ
られる。
どのＳｉ系半導体膜を形成する場合の第２のガス導入手
段から導入するＳｉを含有する原料ガスとしてはＳｉＨ
4 、ＳｉＨ6 などの無機シラン類、テトラエチルシラン
（ＴＥＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ジメチル
シラン（ＤＭＳ）などの有機シラン類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ
2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ
2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃ
ｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラン類、など常温常圧で
ガス状態であるものまたは容易にガス化するものが挙げ
られる。
【００４０】ＳｉＮ、ＳｉＯ2 などのＳｉ化合物系薄膜
を形成する場合の第２のガス導入手段より導入するＳｉ
原子を含有する原料ガスとしてはＳｉＨ4 、ＳｉＨ6 な
どの無機シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）などの有機シラン
類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ
2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラ
ン類、など常温常圧でガス状態であるものまたは容易に
ガス化するものが挙げられる。またこの場合の第１のガ
ス導入手段より導入する反応ガスとしてはＮ2、ＮＨ
3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、
Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 などが挙げ
られる。
を形成する場合の第２のガス導入手段より導入するＳｉ
原子を含有する原料ガスとしてはＳｉＨ4 、ＳｉＨ6 な
どの無機シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）などの有機シラン
類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ
2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラ
ン類、など常温常圧でガス状態であるものまたは容易に
ガス化するものが挙げられる。またこの場合の第１のガ
ス導入手段より導入する反応ガスとしてはＮ2、ＮＨ
3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、
Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 などが挙げ
られる。
【００４１】ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 などの金属化合物薄膜を形成する第２のガス導入手段
より導入する金属原子を含有する原料ガスとしてはトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニ
ウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩ
ＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡ
ｌＨ）などの有機金属、ＡｌＣｌ3 、ＴｉＣｌ3 、Ｔａ
Ｃｌ5 などのハロゲン化金属などが挙げられる。この場
合の第１のガス導入手段より導入する反応ガスとしては
Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｎ2 、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 Ｈ4、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
などが挙げられる。
5 などの金属化合物薄膜を形成する第２のガス導入手段
より導入する金属原子を含有する原料ガスとしてはトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニ
ウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩ
ＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡ
ｌＨ）などの有機金属、ＡｌＣｌ3 、ＴｉＣｌ3 、Ｔａ
Ｃｌ5 などのハロゲン化金属などが挙げられる。この場
合の第１のガス導入手段より導入する反応ガスとしては
Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｎ2 、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 Ｈ4、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
などが挙げられる。
【００４２】
【作用】本発明の光アシストプラズマＣＶＤ法は次のよ
うな作用がある。 （１）本発明の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いる
事により、プラズマを局在化させ、プラズマ発生領域と
は離隔して配置された基板に膜を堆積させるため基板へ
のダメージが実質的にない状態で均一にして効率的に膜
形成が可能である。
うな作用がある。 （１）本発明の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いる
事により、プラズマを局在化させ、プラズマ発生領域と
は離隔して配置された基板に膜を堆積させるため基板へ
のダメージが実質的にない状態で均一にして効率的に膜
形成が可能である。
【００４３】（２）本発明の光アシストプラズマＣＶＤ
装置は基板表面に可視紫外光を照射することにより基板
表面に存在する不純物を除去、離脱し、基板表面を活性
化させる作用がある。 （３）本発明の光アシストプラズマＣＶＤ装置は基板表
面に可視紫外光を照射することにより基板表面に堆積す
る誘電体膜中の水素を離脱する作用がある。
装置は基板表面に可視紫外光を照射することにより基板
表面に存在する不純物を除去、離脱し、基板表面を活性
化させる作用がある。 （３）本発明の光アシストプラズマＣＶＤ装置は基板表
面に可視紫外光を照射することにより基板表面に堆積す
る誘電体膜中の水素を離脱する作用がある。
【００４４】
【実施例】以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００４５】実施例１ 本発明の第１の実施態様である無終端環状導波管タイプ
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）を用いた場合の本発明の第１の実施例を示す。
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）を用いた場合の本発明の第１の実施例を示す。
【００４６】光磁気ディスク基板としてはポリカーボネ
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
【００４７】該基板上に前記光アシストプラズマＣＶＤ
装置を用いて第１の誘電体層を７２ｎｍの厚さで形成
し、その上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用
磁性層としてＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層と
してＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにそ
の上に再度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で第２の
誘電体層を３０ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロ
ンスパッタ法により反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎ
ｍ）を順次真空を破る事なく連続して形成した。
装置を用いて第１の誘電体層を７２ｎｍの厚さで形成
し、その上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用
磁性層としてＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層と
してＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにそ
の上に再度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で第２の
誘電体層を３０ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロ
ンスパッタ法により反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎ
ｍ）を順次真空を破る事なく連続して形成した。
【００４８】光アシストプラズマＣＶＤによる誘電体層
の製膜条件は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ａｒ （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
の製膜条件は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ａｒ （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
【００４９】結果 （１）堆積速度は７００ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６０℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．７％ （４）誘電体膜の応力は−３．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は３．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４６ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．７％ （４）誘電体膜の応力は−３．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は３．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４６ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００５０】実施例２ 下地誘電体層の膜厚を５７ｎｍ、記録・再生用磁性層と
してＴｂＦｅＣｏの膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例
１と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
してＴｂＦｅＣｏの膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例
１と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
【００５１】但し、誘電体層の製膜条件のうち、ガス流
量は実施例１と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ２００ ｓｃｃｍ
量は実施例１と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ２００ ｓｃｃｍ
【００５２】結果 （１）堆積速度は７００ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６０℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．７％ （４）誘電体膜の応力は−３．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は３．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４６ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．７％ （４）誘電体膜の応力は−３．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は３．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４６ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００５３】実施例３ 本発明の第１の実施態様である無終端環状導波管タイプ
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 を用いた場合の本発明の
第３の実施例を示す。
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 を用いた場合の本発明の
第３の実施例を示す。
【００５４】光磁気ディスク基板としてはポリカーボネ
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
【００５５】該基板上に前記光アシストプラズマＣＶＤ
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
【００５６】光アシストプラズマＣＶＤ装置の製膜条件
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｎ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｎ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
【００５７】結果 （１）堆積速度は７３０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６０℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−１．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−１．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００５８】実施例４ 下地誘電体層の膜厚を１１０ｎｍ、記録・再生用磁性層
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例３と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例３と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
【００５９】但し、誘電体層の製膜条件のうち、ガス流
量は実施例３と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８００ ｓｃｃｍ
量は実施例３と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８００ ｓｃｃｍ
【００６０】結果 （１）堆積速度は７３０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６０℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−１．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．８ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−１．０ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．８ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００６１】実施例５ 本発明の第１の実施態様である無終端環状導波管タイプ
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉＯ2 を用いた場合の本発明の第
５の実施例を示す。
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉＯ2 を用いた場合の本発明の第
５の実施例を示す。
【００６２】光磁気ディスク基板としてはポリカーボネ
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
【００６３】該基板上に前記光アシストプラズマＣＶＤ
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
【００６４】光アシストプラズマＣＶＤ装置の製膜条件
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｏ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｏ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ５００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
【００６５】結果 （１）堆積速度は７５０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は５５℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−０．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−０．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．０ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００６６】実施例６ 下地誘電体層の膜厚を１１０ｎｍ、記録・再生用磁性層
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例５と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例５と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
【００６７】但し、誘電体層の製膜条件のうち、ガス流
量は実施例５と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ７００ ｓｃｃｍ
量は実施例５と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ７００ ｓｃｃｍ
【００６８】結果 （１）堆積速度は７５０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は５５℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−０．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．５％ （４）誘電体膜の応力は−０．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００６９】実施例７ 本発明の第１の実施態様である無終端環状導波管タイプ
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉＣを用いた場合の本発明の第７
の実施例を示す。
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及び第
２の誘電体層としてＳｉＣを用いた場合の本発明の第７
の実施例を示す。
【００７０】光磁気ディスク基板としてはポリカーボネ
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用いて、射出成形機は住友重機社
製：ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付い
た、直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
【００７１】該基板上に前記光アシストプラズマＣＶＤ
装置を用いて誘電体層を８５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
装置を用いて誘電体層を８５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
【００７２】光アシストプラズマＣＶＤ装置の製膜条件
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｃ2 Ｈ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｃ2 Ｈ2 ２００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｃ2 Ｈ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜１０×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｃ2 Ｈ2 ２００ ｓｃｃｍ （５）投入パワー １．５ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
【００７３】結果 （１）堆積速度は８５０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６５℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．８％ （４）誘電体膜の応力は−１．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．９ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４７ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．８％ （４）誘電体膜の応力は−１．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．９ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４７ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００７４】実施例８ 下地誘電体層の膜厚を１１０ｎｍ、記録・再生用磁性層
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例７と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
としてＴｂＦｅＣｏの膜厚を２０ｎｍとした以外は実施
例７と同様の材料構成の光磁気ディスクを作成した。
【００７５】但し、誘電体層の製膜条件のうち、ガス流
量は実施例７と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ４００ ｓｃｃｍ
量は実施例７と異なる下記の流量とした。 （１）流量 ＳｉＨ4 ２００ ｓｃｃｍ Ｏ2 ４００ ｓｃｃｍ
【００７６】結果 （１）堆積速度は８００ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は６０℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．８％ （４）誘電体膜の応力は−１．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４７ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．８％ （４）誘電体膜の応力は−１．５ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は１．７ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４７ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００７７】実施例９ 本発明の第１の実施態様である無終端環状導波管タイプ
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第９の実施
例として第１の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 （厚さ７０ｎ
ｍ）を形成し、記録層としてＳｅ−Ｔｅ系膜（厚さ３０
ｎｍ）をスパッタリングで形成した。
の光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第９の実施
例として第１の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 （厚さ７０ｎ
ｍ）を形成し、記録層としてＳｅ−Ｔｅ系膜（厚さ３０
ｎｍ）をスパッタリングで形成した。
【００７８】さらに、第２の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4
（厚さ７０ｎｍ）を再び本発明の前記光アシストプラズ
マＣＶＤ装置を用いて形成し、その上に金属反射層（厚
さ２００ｎｍ）をスパッタリングで形成して、その上を
有機保護コート剤で封止した相変化型光ディスクを作成
した。
（厚さ７０ｎｍ）を再び本発明の前記光アシストプラズ
マＣＶＤ装置を用いて形成し、その上に金属反射層（厚
さ２００ｎｍ）をスパッタリングで形成して、その上を
有機保護コート剤で封止した相変化型光ディスクを作成
した。
【００７９】その特性は、第１及び第２の誘電体層をス
パッタリングで形成したものとほとんど有意差のないも
のが、誘電体層の堆積速度が７３０ｎｍ／ｍｉｎの高速
でかつ基板温度が６５℃以下で作成できた。
パッタリングで形成したものとほとんど有意差のないも
のが、誘電体層の堆積速度が７３０ｎｍ／ｍｉｎの高速
でかつ基板温度が６５℃以下で作成できた。
【００８０】実施例１０ 本発明の第２の実施態様である有磁場ヘリカルコイルタ
イプの光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及
び第２の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 を用いた場合の本発
明の第１０の実施例を示す。
イプの光アシストプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１及
び第２の誘電体層としてＳｉ3 Ｎ4 を用いた場合の本発
明の第１０の実施例を示す。
【００８１】光磁気ディスク基板としてはポリカーボネ
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用い、射出成形機は住友重機社製：
ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付いた、
直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
ート樹脂を用いて射出成形法によって作成したものを用
いた。ポリカーボネート樹脂は三菱瓦斯化学社製：ユー
ピロンＨ４０００を用い、射出成形機は住友重機社製：
ＤＩＳＫ５Ｍ３成形機を用いてプリグールプの付いた、
直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍのものを作成した。
【００８２】該基板上に前記光アシストプラズマＣＶＤ
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
装置を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さで形成し、その
上にマグネトロンスパッタ法により書き込み用磁性層と
してＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層としてＴｂ
ＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、さらにその上に再
度前記光アシストプラズマＣＶＤ装置で誘電体層を３０
ｎｍの厚さで形成し、最後にマグネトロンスパッタ法に
より反射層としてＡｌ膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を
破る事なく連続して形成した。
【００８３】光アシストプラズマＣＶＤ装置の製膜条件
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｎ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜５×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ３００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２２０ ｓｃｃｍ （５）投入パワー ２．８ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
は次の通りである。 （１）ガス種類 ＳｉＨ4 Ｎ2 （２）真空排気圧 １０-6 Ｔｏｒｒ （３）ガス圧力 ３×１０-2〜５×１０-2 Ｔｏｒｒ （４）流量 ＳｉＨ4 ３００ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２２０ ｓｃｃｍ （５）投入パワー ２．８ｋｗ （６）Ｘｅランプ照度 ０．６Ｗ／ｃｍ2
【００８４】結果 （１）堆積速度は８５０ｎｍ／ｍｉｎ （２）基板温度は５５℃ （３）膜厚分布は、有効領域半径（Ｒ２４〜Ｒ４０ｍ
ｍ）内で±２．３％ （４）誘電体膜の応力は−５．２ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．１ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
ｍ）内で±２．３％ （４）誘電体膜の応力は−５．２ｋｇ／ｍｍ2 （圧縮応
力状態） （５）屈折率は２．１ （６）光磁気ディスクの記録再生特性は飽和Ｃ／Ｎ比で
４８ｄＢ （７）テープテストの結果、従来のプラズマＣＶＤ法で
形成した保護層と比較すると数段密着性の高い膜が形成
されていた。
【００８５】比較例１ 本発明の比較例として第１及び第２の誘電体層を従来の
マグネトロンスパッタ法によりＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜した
場合について説明する。
マグネトロンスパッタ法によりＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜した
場合について説明する。
【００８６】図４は本比較例におけるマグネトロンスパ
ッタ装置の概略を示したものである。
ッタ装置の概略を示したものである。
【００８７】光磁ディスク基板としては第一の実施例と
同じく三菱瓦斯化学社製：ユーピロンＨ４０００を用
い、プリグループ付きの直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍ
のものを住友重機社製：ＤＩＳＫ５Ｍ３形成機を用いて
作成した。
同じく三菱瓦斯化学社製：ユーピロンＨ４０００を用
い、プリグループ付きの直径８６ｍｍ、板厚１．２ｍｍ
のものを住友重機社製：ＤＩＳＫ５Ｍ３形成機を用いて
作成した。
【００８８】基板上にＳｉターゲットとＮ2 ガスを用い
た反応製スパッタ法を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さ
で成形し、その上にマグネトロンスパッタ法により再生
用磁性層としてＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層
としてＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、反応性
スパッタ法により誘電体層を３０ｎｍの厚さで形成し、
最後にマグネトロンスパッタ法により反射層としてＡｌ
膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を破る事なく連続して形
成した。
た反応製スパッタ法を用いて誘電体層を９５ｎｍの厚さ
で成形し、その上にマグネトロンスパッタ法により再生
用磁性層としてＧｄＦｅＣｏを１０ｎｍ、記録用磁性層
としてＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍの厚さで形成し、反応性
スパッタ法により誘電体層を３０ｎｍの厚さで形成し、
最後にマグネトロンスパッタ法により反射層としてＡｌ
膜（厚さ６０ｎｍ）を順次真空を破る事なく連続して形
成した。
【００８９】ＳｉターゲットとＮ2 ガスを用いた反応性
スパッタ法は実績のある成膜法であり、膜特性としては
ほとんど問題のないレベルのものが作成できたが、誘電
体層の堆積速度が６〜１０ｎｍ／ｍｉｎで生産性の点で
本発明に比べ１ケタ以上劣っている。堆積速度を向上さ
せる為、ターゲット投入パワーを１０／Ｗ／ｃｍ2 以上
入れようとしたが、ターゲットが割れてしまうといった
トラブルのため実現できなかった。また、堆積速度にほ
ぼ比例して基板の温度が上昇し、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上
の堆積速度では、基板が２００μｍ以上にそってしまっ
て光磁気ディスクとしての機械特性を満足できないもの
となってしまった。
スパッタ法は実績のある成膜法であり、膜特性としては
ほとんど問題のないレベルのものが作成できたが、誘電
体層の堆積速度が６〜１０ｎｍ／ｍｉｎで生産性の点で
本発明に比べ１ケタ以上劣っている。堆積速度を向上さ
せる為、ターゲット投入パワーを１０／Ｗ／ｃｍ2 以上
入れようとしたが、ターゲットが割れてしまうといった
トラブルのため実現できなかった。また、堆積速度にほ
ぼ比例して基板の温度が上昇し、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上
の堆積速度では、基板が２００μｍ以上にそってしまっ
て光磁気ディスクとしての機械特性を満足できないもの
となってしまった。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光アシス
トプラズマＣＶＤ法により、下記の効果が得られた。 誘電体の堆積速度が速い 本発明の光アシストプラズマＣＶＤ法は、低温で高屈折
率の誘電体膜を容易に形成できるので、１０11オーダー
の高密度のプラズマＣＶＤを比較的容易に形成し得るマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を誘電体膜形成装置として
用いることが可能となり、通常のプラズマＣＶＤでは得
られることのできない高屈折率の誘電体膜をスパッタリ
ング法の１０倍以上の堆積速度で形成する事が可能とな
った。
トプラズマＣＶＤ法により、下記の効果が得られた。 誘電体の堆積速度が速い 本発明の光アシストプラズマＣＶＤ法は、低温で高屈折
率の誘電体膜を容易に形成できるので、１０11オーダー
の高密度のプラズマＣＶＤを比較的容易に形成し得るマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を誘電体膜形成装置として
用いることが可能となり、通常のプラズマＣＶＤでは得
られることのできない高屈折率の誘電体膜をスパッタリ
ング法の１０倍以上の堆積速度で形成する事が可能とな
った。
【００９１】基板温度が６５℃以下と低温である。
【００９２】本発明の光アシストＣＶＤ法ではプラズマ
発生領域を局在化させ、該プラズマ発生領域とは隔離し
て配置された基板に膜を堆積させるため、基板へのダメ
ージが実質的にない状態で均一にして効率的な膜形成が
可能であり、しかもスパッタ法のようなエネルギの高い
２次電子の放出や大きなエネルギを伴うイオン衝撃がな
いため、基板の損傷が少なく、膜の堆積時の基板温度が
６５℃以下という低温状態で誘電体膜を形成できるよう
になった。
発生領域を局在化させ、該プラズマ発生領域とは隔離し
て配置された基板に膜を堆積させるため、基板へのダメ
ージが実質的にない状態で均一にして効率的な膜形成が
可能であり、しかもスパッタ法のようなエネルギの高い
２次電子の放出や大きなエネルギを伴うイオン衝撃がな
いため、基板の損傷が少なく、膜の堆積時の基板温度が
６５℃以下という低温状態で誘電体膜を形成できるよう
になった。
【００９３】膜フクレ、膜剥がれのない良質な膜が形
成できる。
成できる。
【００９４】本発明の光アシストプラズマＣＶＤ法では
基板表面に可視紫外光を照射することにより、基板表面
に存在する不純物を除去、脱離でき、基板表面を活性化
させられるので基板と誘電体保護層の密着性が向上し、
膜フクレや膜剥がれといった欠陥の発生しない光情報記
録媒体を形成し得る。
基板表面に可視紫外光を照射することにより、基板表面
に存在する不純物を除去、脱離でき、基板表面を活性化
させられるので基板と誘電体保護層の密着性が向上し、
膜フクレや膜剥がれといった欠陥の発生しない光情報記
録媒体を形成し得る。
【００９５】誘電体保護層の屈折率が上げられる。
【００９６】本発明の光アシストプラズマＣＶＤ装置は
基板表面に可視紫外光を照射することにより、基板表面
に堆積する誘電体膜中の水素を離脱する作用があり、従
来のプラズマＣＶＤ法のようにプラズマ生成段階及び膜
形成段階において水素が取り込まれてしまうため誘電体
の屈折率を上げる事ができないといった問題が解決され
た。
基板表面に可視紫外光を照射することにより、基板表面
に堆積する誘電体膜中の水素を離脱する作用があり、従
来のプラズマＣＶＤ法のようにプラズマ生成段階及び膜
形成段階において水素が取り込まれてしまうため誘電体
の屈折率を上げる事ができないといった問題が解決され
た。
【００９７】このように本発明の光アシストプラズマＣ
ＶＤ法によって成膜時間の律速となっていた保護層の低
温高速成膜が可能となり、トータルスループットが大幅
に改善され、従来のスパッタリング法、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ法では得られない高生産性が実現できた。
ＶＤ法によって成膜時間の律速となっていた保護層の低
温高速成膜が可能となり、トータルスループットが大幅
に改善され、従来のスパッタリング法、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ法では得られない高生産性が実現できた。
【００９８】さらに、本発明の光アシストプラズマＣＶ
Ｄ法による保護層は、その膜形成時に基板表面に可視紫
外光を照射することにより基板表面に存在する不純物を
除去、脱離でき、基板表面を活性化させられるので、基
板と保護層の密着性が向上し、膜フクレや膜剥がれとい
った欠陥の発生しない光情報記録媒体を実現できるよう
になった。しかも、従来のプラズマＣＶＤの屈折率が高
くできないといった問題を光アシストという手法によっ
て膜中の水素脱離が可能となり、高屈折率の誘電体膜が
得られるようになった。
Ｄ法による保護層は、その膜形成時に基板表面に可視紫
外光を照射することにより基板表面に存在する不純物を
除去、脱離でき、基板表面を活性化させられるので、基
板と保護層の密着性が向上し、膜フクレや膜剥がれとい
った欠陥の発生しない光情報記録媒体を実現できるよう
になった。しかも、従来のプラズマＣＶＤの屈折率が高
くできないといった問題を光アシストという手法によっ
て膜中の水素脱離が可能となり、高屈折率の誘電体膜が
得られるようになった。
【図１】本発明の第１の実施態様である無終端環状導波
管を用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を示す概略図
である。
管を用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を示す概略図
である。
【図２】本発明の第２の実施態様である有磁場ヘリカル
コイルを用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を示す概
略図である。
コイルを用いた光アシストプラズマＣＶＤ装置を示す概
略図である。
【図３】本発明の光情報記録媒体の代表的な膜構成を示
す概略図である。
す概略図である。
【図４】従来のマグネトロンスパッタ装置を示す概略図
である。
である。
１ 照明系 ２ プラズマチャンバ ３ 成膜チャンバ ４ 光導入窓 ５ 基板 ６ 基板支持台 ７ 第１のガス導入手段 ８ 第２のガス導入手段 ９ 環状マイクロ波導波管 １０ プラズマ隔離板 １１ ベルジャー １２ アンテナ １３ 成膜チャンバー １４ 基板 １５ 基板ホルダー １６ マッチングボックス １７ ＲＦ電源 １８ コイル １９ マグネット ３１ 基板 ３２ 保護層 ３３ 記録層 ４１ 基板 ４２ 基板ホルダー ４３ 回転軸 ４４ シャッター ４５ ターゲット ４６ バッキングプレート ４７ 高周波電源 ４８ 真空ポンプ ４９ 内マスク ５０ 外マスク
Claims (19)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも保護層と記録層を
有する光情報記録媒体において、前記保護層が光アシス
トプラズマＣＶＤ法により形成されたことを特徴とする
光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記保護層を形成する際のプラズマ発生
手段としてマイクロ波を用いる請求項１記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項３】 前記保護層を形成する際のプラズマ発生
手段として高周波を用いる請求項１記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 基板がポリカーボネート、ポリオレフィ
ンまたはポリメチルメタクリレートの高分子樹脂材料か
らなる請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記保護層はＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、
Ｚｎの金属類の窒化物、炭化物、酸化物、硫化物および
アモルファスＳｉより選ばれる少なくとも１つの誘電体
よりなる請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記保護層は主として誘電体層より成
り、記録層は磁性層より成る光磁気記録媒体である請求
項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記誘電体層の屈折率が１．７〜３．７
である請求項６記載の光情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記誘電体層の膜厚が３０ｎｍ〜１２０
ｎｍである請求項６記載の光情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記誘電体層の残留応力が±３０Ｋｇ／
ｍｍ2 （但し、符号はプラスが引っ張り応力でマイナス
は圧縮応力である）以下である請求項６記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項１０】 基板上に、少なくとも保護層と記録層
を有する光情報記録媒体の製造方法において、前記保護
層を光アシストプラズマＣＶＤ法により形成することを
特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記保護層を形成する際のプラズマ発
生手段としてマイクロ波を用いる請求項１０記載の光情
報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記保護層を形成する際のプラズマ発
生手段として高周波を用いる請求項１０記載の光情報記
録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 前記保護層は主として誘電体層より成
り、記録層は磁性層より成る光磁気記録媒体である請求
項１０記載の光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記誘電体層の堆積速度が６５０ｎｍ
／ｍｉｎ以上である請求項１３記載の光情報記録媒体の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記誘電体層を成膜する場合、基板温
度が６５℃以下である請求項１３記載の光情報記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１６】 基板上に、少なくとも保護層と記録層
を有する光情報記録媒体の製造装置において、プラズマ
を発生させるプラズマ発生領域と、発生したプラズマを
導入して光アシストプラズマＣＶＤ法により保護層を形
成する成膜領域を具備することを特徴とする光情報記録
媒体の製造装置。 - 【請求項１７】 前記保護層を形成する際のプラズマ発
生手段としてマイクロ波を用いる請求項１６記載の光情
報記録媒体の製造装置。 - 【請求項１８】 前記保護層を形成する際のプラズマ発
生手段として高周波を用いる請求項１６記載の光情報記
録媒体の製造装置。 - 【請求項１９】 前記保護層は主として誘電体層より成
り、記録層は磁性層より成る光磁気記録媒体である請求
項１６記載の光情報記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18309694A JPH0831029A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 光情報記録媒体、その製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18309694A JPH0831029A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 光情報記録媒体、その製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831029A true JPH0831029A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16129700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18309694A Pending JPH0831029A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 光情報記録媒体、その製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831029A (ja) |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP18309694A patent/JPH0831029A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5468520A (en) | Process for barrier coating of plastic objects | |
| EP0477890B1 (en) | Processing method and apparatus | |
| EP0754777B1 (en) | Process for producing thin film, and thin film formed by the same | |
| JPH07101687B2 (ja) | 絶縁体の堆積方法 | |
| EP0218380B1 (en) | Optical recording medium with pre-groove | |
| US5525379A (en) | Method for manufacturing an optical recording medium | |
| US5589040A (en) | Process for producing optical recording medium sputtering method and sputtering target | |
| US5084355A (en) | Laminar structure comprising organic material and inorganic material | |
| US6007878A (en) | Process for producing an optical recording medium having a protective layer formed using a plasma processing device | |
| US5330852A (en) | Magneto-optical memory and method of producing such a memory | |
| US6177150B1 (en) | Photomagnetic recording medium and film forming method | |
| JPH0831029A (ja) | 光情報記録媒体、その製造方法および製造装置 | |
| JP3219596B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| EP0626683B1 (en) | Microwave processing apparatus and process for producing an inorganic dielectrique film | |
| JPH0259529B2 (ja) | ||
| JPH09190648A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH06342535A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2544436B2 (ja) | 光デイスク基板 | |
| JPH09223338A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH04500879A (ja) | 熱光磁気記録要素の製造方法 | |
| JPH09306900A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH0366049A (ja) | 水素化炭化ケイ素誘電体をもつ磁気光学記録媒体 | |
| JPH1088357A (ja) | プラズマｃｖｄ法 | |
| JPH0216419Y2 (ja) | ||
| JP2000511149A (ja) | 感光性導波路の作製方法及び装置 |