JPH08307181A - レベル制御回路 - Google Patents
レベル制御回路Info
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- JPH08307181A JPH08307181A JP7135971A JP13597195A JPH08307181A JP H08307181 A JPH08307181 A JP H08307181A JP 7135971 A JP7135971 A JP 7135971A JP 13597195 A JP13597195 A JP 13597195A JP H08307181 A JPH08307181 A JP H08307181A
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- Japan
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- circuit
- collector
- current
- emitter
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers without distortion of the input signal
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
- H03G3/3068—Circuits generating control signals for both R.F. and I.F. stages
Abstract
(57)【要約】
【目的】 次段の回路構成を制限しないレベル制御回路
を提供する。 【構成】 互いに同極性のトランジスタＱ22、Ｑ23のコ
レクタ・エミッタ間が直列接続される。トランジスタＱ
23は、交流的にダイオード接続される。トランジスタＱ
22のエミッタと、トランジスタＱ23のコレクタとの接続
点に、入力信号源１１が接続されるとともに、次段の回
路１３が接続される。次段の回路１３の初段のトランジ
スタＱ21と等しい接地形式のトランジスタＱ25が設けら
れる。トランジスタＱ25には、トランジスタＱ21と等し
いバイアス電圧が供給される。トランジスタＱ25のコレ
クタ電流と、基準となる大きさの電流との差を検出する
トランジスタＱ28が設けられる。トランジスタＱ22のコ
レクタ電流の大きさがレベルの制御信号により制御され
る。トランジスタＱ28の検出出力がトランジスタＱ23
に、そのコレクタ電流の制御信号として供給される。
を提供する。 【構成】 互いに同極性のトランジスタＱ22、Ｑ23のコ
レクタ・エミッタ間が直列接続される。トランジスタＱ
23は、交流的にダイオード接続される。トランジスタＱ
22のエミッタと、トランジスタＱ23のコレクタとの接続
点に、入力信号源１１が接続されるとともに、次段の回
路１３が接続される。次段の回路１３の初段のトランジ
スタＱ21と等しい接地形式のトランジスタＱ25が設けら
れる。トランジスタＱ25には、トランジスタＱ21と等し
いバイアス電圧が供給される。トランジスタＱ25のコレ
クタ電流と、基準となる大きさの電流との差を検出する
トランジスタＱ28が設けられる。トランジスタＱ22のコ
レクタ電流の大きさがレベルの制御信号により制御され
る。トランジスタＱ28の検出出力がトランジスタＱ23
に、そのコレクタ電流の制御信号として供給される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レベル制御回路に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、スーパーヘテロダイン方式の受
信機の回路例を示すもので、放送波信号がアンテナ回路
１１により受信され、この受信信号がＡＧＣ用のアッテ
ネータ回路１２および高周波アンプ１３を通じてミキサ
回路１４に供給される。また、局部発振回路１５から受
信周波数に対応した周波数の局部発振信号が取り出さ
れ、この局部発振信号がミキサ回路１４に供給される。
信機の回路例を示すもので、放送波信号がアンテナ回路
１１により受信され、この受信信号がＡＧＣ用のアッテ
ネータ回路１２および高周波アンプ１３を通じてミキサ
回路１４に供給される。また、局部発振回路１５から受
信周波数に対応した周波数の局部発振信号が取り出さ
れ、この局部発振信号がミキサ回路１４に供給される。
【０００３】こうして、目的とする周波数の受信信号
が、所定の周波数の中間周波信号に変換され、この中間
周波信号が、バンドパスフィルタ１６および中間周波用
アンプ１７を通じて検波回路１８に供給されて音声信号
が復調され、この音声信号が取り出される。
が、所定の周波数の中間周波信号に変換され、この中間
周波信号が、バンドパスフィルタ１６および中間周波用
アンプ１７を通じて検波回路１８に供給されて音声信号
が復調され、この音声信号が取り出される。
【０００４】また、このとき、検波回路１８の復調出力
の一部がＡＧＣ電圧形成回路１９に供給されてＡＧＣ電
圧ＶAGCが形成され、このＡＧＣ電圧ＶAGCがアッテネー
タ回路１２および中間周波用アンプ１７に供給されてＡ
ＧＣが行われる。
の一部がＡＧＣ電圧形成回路１９に供給されてＡＧＣ電
圧ＶAGCが形成され、このＡＧＣ電圧ＶAGCがアッテネー
タ回路１２および中間周波用アンプ１７に供給されてＡ
ＧＣが行われる。
【０００５】この場合、高周波アンプ１３を、エミッタ
接地のトランジスタにより構成すれば、利得を大きくで
きるとともに、雑音を少なくすることができる。しか
し、エミッタ接地のトランジスタの入出力特性（入力電
圧対出力電流特性）は指数関数特性なので、低歪みで増
幅のできる入力信号レベルは数十mＶ以下である。
接地のトランジスタにより構成すれば、利得を大きくで
きるとともに、雑音を少なくすることができる。しか
し、エミッタ接地のトランジスタの入出力特性（入力電
圧対出力電流特性）は指数関数特性なので、低歪みで増
幅のできる入力信号レベルは数十mＶ以下である。
【０００６】このため、アッテネータ回路１２において
は、信号レベルを減衰させる形式のＡＧＣが行われ、受
信信号のレベルが大きいときでも、その信号レベルが高
周波アンプ１３やミキサ回路１４のダイナミックレンジ
を越えることがないようにされる。
は、信号レベルを減衰させる形式のＡＧＣが行われ、受
信信号のレベルが大きいときでも、その信号レベルが高
周波アンプ１３やミキサ回路１４のダイナミックレンジ
を越えることがないようにされる。
【０００７】すなわち、このアッテネータ回路１２にお
いては、アンテナ回路１１からの受信信号は、アンテナ
回路１１の出力インピーダンスと、トランジスタＱ15、
Ｑ18のエミッタのインピーダンスとにより分圧され、そ
の分圧された受信信号が高周波アンプ１３に供給され
る。
いては、アンテナ回路１１からの受信信号は、アンテナ
回路１１の出力インピーダンスと、トランジスタＱ15、
Ｑ18のエミッタのインピーダンスとにより分圧され、そ
の分圧された受信信号が高周波アンプ１３に供給され
る。
【０００８】そして、このとき、ＡＧＣ電圧ＶAGCが、
トランジスタＱ11を通じてトランジスタＱ12に供給され
るとともに、トランジスタＱ12、Ｑ13がカレントミラー
回路を構成している。また、直流的には、トランジスタ
Ｑ14、Ｑ15が、コイルＬ11を通じてカレントミラー回路
を構成している。
トランジスタＱ11を通じてトランジスタＱ12に供給され
るとともに、トランジスタＱ12、Ｑ13がカレントミラー
回路を構成している。また、直流的には、トランジスタ
Ｑ14、Ｑ15が、コイルＬ11を通じてカレントミラー回路
を構成している。
【０００９】さらに、ＡＧＣ電圧ＶAGCが、トランジス
タＱ16を通じてトランジスタＱ17に供給されるととも
に、トランジスタＱ17、Ｑ18も、コイルＬ11を通じてカ
レントミラー回路を構成している。
タＱ16を通じてトランジスタＱ17に供給されるととも
に、トランジスタＱ17、Ｑ18も、コイルＬ11を通じてカ
レントミラー回路を構成している。
【００１０】したがって、ＡＧＣ電圧ＶAGCにより、ト
ランジスタＱ14、Ｑ17のコレクタ電流が変化してトラン
ジスタＱ15、Ｑ18のエミッタのインピーダンスが変化す
るので、アンテナ回路１１の出力インピーダンスと、ト
ランジスタＱ15、Ｑ18のエミッタのインピーダンスとに
よる分圧比が変化し、高周波アンプ１３に供給される受
信信号のレベルは、高周波アンプ１３やミキサ回路１４
のダイナミックレンジを越えないように制限される。す
なわち、レベル減衰形のＡＧＣが行われる。
ランジスタＱ14、Ｑ17のコレクタ電流が変化してトラン
ジスタＱ15、Ｑ18のエミッタのインピーダンスが変化す
るので、アンテナ回路１１の出力インピーダンスと、ト
ランジスタＱ15、Ｑ18のエミッタのインピーダンスとに
よる分圧比が変化し、高周波アンプ１３に供給される受
信信号のレベルは、高周波アンプ１３やミキサ回路１４
のダイナミックレンジを越えないように制限される。す
なわち、レベル減衰形のＡＧＣが行われる。
【００１１】しかも、このアッテネータ回路１２によれ
ば、トランジスタＱ15と、トランジスタＱ18との特性が
そろわず、それらのエミッタ電流の大きさが違っていて
も、その差分の電流は、コイルＬ11を通じて電圧源ＶRE
Gに流れ込む、あるいは電圧源ＶREGから流れ出るので、
高周波アンプ１３の入力直流電圧は一定値ＶREGに保持
される。したがって、アッテネータ回路１２と、高周波
アンプ１３とを直流直結接続することができ、ＩＣ化に
適している。
ば、トランジスタＱ15と、トランジスタＱ18との特性が
そろわず、それらのエミッタ電流の大きさが違っていて
も、その差分の電流は、コイルＬ11を通じて電圧源ＶRE
Gに流れ込む、あるいは電圧源ＶREGから流れ出るので、
高周波アンプ１３の入力直流電圧は一定値ＶREGに保持
される。したがって、アッテネータ回路１２と、高周波
アンプ１３とを直流直結接続することができ、ＩＣ化に
適している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２のアッ
テネータ回路１２においては、電圧源ＶREGの電圧が、
そのまま高周波アンプ１３の初段のトランジスタのバイ
アス電圧となるので、高周波アンプ１３をエミッタ接地
のトランジスタにより構成する場合には、電圧源ＶREG
の電圧の大きさが、ベース・エミッタ間電圧よりもやや
高い程度に制限されてしまう。
テネータ回路１２においては、電圧源ＶREGの電圧が、
そのまま高周波アンプ１３の初段のトランジスタのバイ
アス電圧となるので、高周波アンプ１３をエミッタ接地
のトランジスタにより構成する場合には、電圧源ＶREG
の電圧の大きさが、ベース・エミッタ間電圧よりもやや
高い程度に制限されてしまう。
【００１３】すると、電圧源ＶREGの電圧よりも、トラ
ンジスタＱ17のエミッタ・ベース間電圧だけ低い電圧
が、トランジスタＱ16のコレクタ・エミッタ間電圧であ
るから、このトランジスタＱ16のコレクタ・エミッタ間
電圧はかなり低くなってしまう。すると、トランジスタ
Ｑ16は飽和しやすくなり、トランジスタＱ16が飽和すれ
ば、トランジスタＱ18がオフとなるので、高周波アンプ
１３に供給される受信信号の歪みが増加したり、ＡＧＣ
の制御範囲が狭くなったりしてしまう。
ンジスタＱ17のエミッタ・ベース間電圧だけ低い電圧
が、トランジスタＱ16のコレクタ・エミッタ間電圧であ
るから、このトランジスタＱ16のコレクタ・エミッタ間
電圧はかなり低くなってしまう。すると、トランジスタ
Ｑ16は飽和しやすくなり、トランジスタＱ16が飽和すれ
ば、トランジスタＱ18がオフとなるので、高周波アンプ
１３に供給される受信信号の歪みが増加したり、ＡＧＣ
の制御範囲が狭くなったりしてしまう。
【００１４】また、このアッテネータ回路１２におい
て、制御範囲を広くするには、トランジスタＱ15、Ｑ18
に大きなコレクタ電流を流す必要があるが、ラテラル構
造のトランジスタのときには、高周波特性が悪いので、
十分な減衰特性を得ることができない。
て、制御範囲を広くするには、トランジスタＱ15、Ｑ18
に大きなコレクタ電流を流す必要があるが、ラテラル構
造のトランジスタのときには、高周波特性が悪いので、
十分な減衰特性を得ることができない。
【００１５】さらに、トランジスタＱ15、Ｑ18のコレク
タ電流を大きくすると、トランジスタＱ15とトランジス
タＱ18との直流電流特性に大きな差が出るようになるの
で、トランジスタＱ15のコレクタ電流と、トランジスタ
Ｑ18のコレクタ電流との差分は、かなり大きな値となっ
てしまう。この結果、電圧源ＶREGは、そのような大き
な差電流を吸収しつつ安定な電圧を保持する必要がある
ので、構成が複雑化してしまう。
タ電流を大きくすると、トランジスタＱ15とトランジス
タＱ18との直流電流特性に大きな差が出るようになるの
で、トランジスタＱ15のコレクタ電流と、トランジスタ
Ｑ18のコレクタ電流との差分は、かなり大きな値となっ
てしまう。この結果、電圧源ＶREGは、そのような大き
な差電流を吸収しつつ安定な電圧を保持する必要がある
ので、構成が複雑化してしまう。
【００１６】この発明は、以上のような問題点を解決し
ようとするものである。
ようとするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】このため、この発明にお
いては、互いに同極性の第１および第２のトランジスタ
のコレクタ・エミッタ間が直列接続され、上記第２のト
ランジスタは、交流的にダイオード接続され、上記第１
のトランジスタのエミッタと、上記第２のトランジスタ
のコレクタとの接続点に、入力信号源が接続されるとと
もに、次段の回路が接続され、この次段の回路の初段の
トランジスタと等しい接地形式の第３のトランジスタが
設けられるとともに、この第３のトランジスタには、上
記初段のトランジスタと等しいバイアス電圧が供給さ
れ、上記第３のトランジスタのコレクタ電流と、基準と
なる大きさの電流との差を検出する第４のトランジスタ
が設けられ、上記第１のトランジスタのコレクタ電流の
大きさがレベルの制御信号により制御され、上記第４の
トランジスタの検出出力が上記第２のトランジスタに、
そのコレクタ電流の制御信号として供給され、上記第１
および第２のトランジスタのコレクタ電流の制御によ
り、上記入力信号源からの信号のレベルを制御して上記
次段の回路に供給するようにしたレベル制御回路とする
ものである。
いては、互いに同極性の第１および第２のトランジスタ
のコレクタ・エミッタ間が直列接続され、上記第２のト
ランジスタは、交流的にダイオード接続され、上記第１
のトランジスタのエミッタと、上記第２のトランジスタ
のコレクタとの接続点に、入力信号源が接続されるとと
もに、次段の回路が接続され、この次段の回路の初段の
トランジスタと等しい接地形式の第３のトランジスタが
設けられるとともに、この第３のトランジスタには、上
記初段のトランジスタと等しいバイアス電圧が供給さ
れ、上記第３のトランジスタのコレクタ電流と、基準と
なる大きさの電流との差を検出する第４のトランジスタ
が設けられ、上記第１のトランジスタのコレクタ電流の
大きさがレベルの制御信号により制御され、上記第４の
トランジスタの検出出力が上記第２のトランジスタに、
そのコレクタ電流の制御信号として供給され、上記第１
および第２のトランジスタのコレクタ電流の制御によ
り、上記入力信号源からの信号のレベルを制御して上記
次段の回路に供給するようにしたレベル制御回路とする
ものである。
【００１８】
【作用】入力信号源の出力インピーダンスと、第１およ
び第２のトランジスタのインピーダンスとにより、入力
信号が分圧されてレベル制御が行われ、このレベル制御
された信号が次段の回路に供給される。また、このと
き、第１のトランジスタのコレクタ電流の基準値からの
増加分は、第２のトランジスタに流れる。
び第２のトランジスタのインピーダンスとにより、入力
信号が分圧されてレベル制御が行われ、このレベル制御
された信号が次段の回路に供給される。また、このと
き、第１のトランジスタのコレクタ電流の基準値からの
増加分は、第２のトランジスタに流れる。
【００１９】
【実施例】図１において、アンテナ回路１１が高周波信
号ライン２１を通じてトランジスタＱ21のベースに接続
される。このトランジスタＱ21は、高周波アンプ１３を
構成するもので、そのエミッタが抵抗器Ｒ21を通じて接
地され、そのコレクタが、負荷、この例においては、同
調回路２２を通じて電源端子Ｔ21に接続されるととも
に、ミキサ回路１４に接続される。こうして、高周波ア
ンプ１３は、エミッタ接地のトランジスタＱ21により構
成される。
号ライン２１を通じてトランジスタＱ21のベースに接続
される。このトランジスタＱ21は、高周波アンプ１３を
構成するもので、そのエミッタが抵抗器Ｒ21を通じて接
地され、そのコレクタが、負荷、この例においては、同
調回路２２を通じて電源端子Ｔ21に接続されるととも
に、ミキサ回路１４に接続される。こうして、高周波ア
ンプ１３は、エミッタ接地のトランジスタＱ21により構
成される。
【００２０】また、トランジスタＱ22、Ｑ23が設けら
れ、電源端子Ｔ21と、高周波信号ライン２１との間にト
ランジスタＱ22のコレクタ・エミッタ間が接続され、高
周波信号ライン２１と接地との間にトランジスタＱ23の
コレクタ・エミッタ間が接続される。
れ、電源端子Ｔ21と、高周波信号ライン２１との間にト
ランジスタＱ22のコレクタ・エミッタ間が接続され、高
周波信号ライン２１と接地との間にトランジスタＱ23の
コレクタ・エミッタ間が接続される。
【００２１】さらに、高周波信号ライン２１とトランジ
スタＱ23のベースとの間に、コンデンサＣ21が接続さ
れ、トランジスタＱ23は高周波的にはダイオード接続と
されるとともに、そのベースと接地との間に、抵抗器Ｒ
22が接続される。こうして、主として、トランジスタＱ
22、Ｑ23によりアッテネータ回路１２が構成される。
スタＱ23のベースとの間に、コンデンサＣ21が接続さ
れ、トランジスタＱ23は高周波的にはダイオード接続と
されるとともに、そのベースと接地との間に、抵抗器Ｒ
22が接続される。こうして、主として、トランジスタＱ
22、Ｑ23によりアッテネータ回路１２が構成される。
【００２２】さらに、トランジスタＱ24が設けられ、そ
のエミッタがコイルＬ21を通じて高周波信号ライン２１
に接続されるとともに、そのエミッタと接地との間に、
バイパス用のコンデンサＣ22が接続され、そのベースお
よびコレクタがトランジスタＱ22のベースに接続され
る。
のエミッタがコイルＬ21を通じて高周波信号ライン２１
に接続されるとともに、そのエミッタと接地との間に、
バイパス用のコンデンサＣ22が接続され、そのベースお
よびコレクタがトランジスタＱ22のベースに接続され
る。
【００２３】この場合、トランジスタＱ22、Ｑ24のエミ
ッタは、直流的には高周波信号ライン２１に共通に接続
されていることになるので、トランジスタＱ22、Ｑ24に
より、カレントミラー回路２３が構成されていることに
なる。また、そのとき、トランジスタＱ24が入力側、ト
ランジスタＱ22が出力側として作用することになる。
ッタは、直流的には高周波信号ライン２１に共通に接続
されていることになるので、トランジスタＱ22、Ｑ24に
より、カレントミラー回路２３が構成されていることに
なる。また、そのとき、トランジスタＱ24が入力側、ト
ランジスタＱ22が出力側として作用することになる。
【００２４】そこで、ＡＧＣ電圧形成回路１９からのＡ
ＧＣ電圧ＶAGCが、抵抗器Ｒ23によりＡＧＣ電流ＩAGCに
変換され、このＡＧＣ電流ＩAGCがカレントミラー回路
２４、２５を通じてトランジスタＱ24に供給される。な
お、この場合、ＡＧＣ電流ＩAGCは、受信信号のレベル
が低いとき、小さな値となる方向に変化し、受信信号の
レベルが所定値以下のときには、ＩAGC＝０になるもの
とする。
ＧＣ電圧ＶAGCが、抵抗器Ｒ23によりＡＧＣ電流ＩAGCに
変換され、このＡＧＣ電流ＩAGCがカレントミラー回路
２４、２５を通じてトランジスタＱ24に供給される。な
お、この場合、ＡＧＣ電流ＩAGCは、受信信号のレベル
が低いとき、小さな値となる方向に変化し、受信信号の
レベルが所定値以下のときには、ＩAGC＝０になるもの
とする。
【００２５】また、トランジスタＱ25が設けられ、その
エミッタと接地との間に、抵抗器Ｒ24が接続され、その
ベースがトランジスタＱ24のエミッタに接続され、その
コレクタがダイオード接続されたトランジスタＱ26のエ
ミッタに接続される。
エミッタと接地との間に、抵抗器Ｒ24が接続され、その
ベースがトランジスタＱ24のエミッタに接続され、その
コレクタがダイオード接続されたトランジスタＱ26のエ
ミッタに接続される。
【００２６】さらに、トランジスタＱ27が設けられ、そ
のベースがトランジスタＱ26のベースおよびコレクタに
接続され、そのエミッタがトランジスタＱ25のベースに
接続され、そのコレクタが電源端子Ｔ21に接続される。
のベースがトランジスタＱ26のベースおよびコレクタに
接続され、そのエミッタがトランジスタＱ25のベースに
接続され、そのコレクタが電源端子Ｔ21に接続される。
【００２７】この場合、トランジスタＱ21、Ｑ25のベー
スは、直流的にはコイルＬ21を通じて互いに接続されて
いるとともに、トランジスタＱ26を通じてトランジスタ
Ｑ25のコレクタに流れるコレクタ電流の一部が、トラン
ジスタＱ27を通じてトランジスタＱ21、Ｑ25にベースに
供給されるので、トランジスタＱ25、Ｑ21、Ｑ27により
カレントミラー回路２６が構成されていることになる。
スは、直流的にはコイルＬ21を通じて互いに接続されて
いるとともに、トランジスタＱ26を通じてトランジスタ
Ｑ25のコレクタに流れるコレクタ電流の一部が、トラン
ジスタＱ27を通じてトランジスタＱ21、Ｑ25にベースに
供給されるので、トランジスタＱ25、Ｑ21、Ｑ27により
カレントミラー回路２６が構成されていることになる。
【００２８】また、このとき、トランジスタＱ25が入力
側、トランジスタＱ21が出力側として動作することにな
るが、トランジスタＱ21のベース・エミッタ間の接合面
積は、トランジスタＱ25のそれのｎ倍（ｎ＞１）、例え
ば６倍とされる。
側、トランジスタＱ21が出力側として動作することにな
るが、トランジスタＱ21のベース・エミッタ間の接合面
積は、トランジスタＱ25のそれのｎ倍（ｎ＞１）、例え
ば６倍とされる。
【００２９】そして、電圧源ＶREGからの安定化された
電圧、例えば1.3Ｖの電圧が、抵抗器Ｒ25に供給されて
基準の大きさの電流Ｉ0に変換され、この電流Ｉ0が、カ
レントミラー回路２７、２８およびトランジスタＱ26を
通じてトランジスタＱ25に供給される。
電圧、例えば1.3Ｖの電圧が、抵抗器Ｒ25に供給されて
基準の大きさの電流Ｉ0に変換され、この電流Ｉ0が、カ
レントミラー回路２７、２８およびトランジスタＱ26を
通じてトランジスタＱ25に供給される。
【００３０】さらに、トランジスタＱ28が設けられ、そ
のベースがトランジスタＱ25のコレクタに接続され、そ
のエミッタが電圧源ＶREGに接続され、そのコレクタが
トランジスタＱ23のベースに接続される。
のベースがトランジスタＱ25のコレクタに接続され、そ
のエミッタが電圧源ＶREGに接続され、そのコレクタが
トランジスタＱ23のベースに接続される。
【００３１】また、他の回路については、図示はしない
が、図２と同様に構成される。
が、図２と同様に構成される。
【００３２】このような構成において、受信信号が所定
の受信レベル以下のときには、ＩAGC＝０となるので、
トランジスタＱ24はオフとなる。そして、トランジスタ
Ｑ24、Ｑ22は、直流的にはカレントミラー回路２３を構
成しているので、トランジスタＱ24がオフのときには、
トランジスタＱ22もオフとなる。
の受信レベル以下のときには、ＩAGC＝０となるので、
トランジスタＱ24はオフとなる。そして、トランジスタ
Ｑ24、Ｑ22は、直流的にはカレントミラー回路２３を構
成しているので、トランジスタＱ24がオフのときには、
トランジスタＱ22もオフとなる。
【００３３】また、電流Ｉ0が、トランジスタＱ26を通
じてトランジスタＱ25のコレクタを流れるが、このとき
のトランジスタＱ25のコレクタ・エミッタ間電圧が0.9
Ｖであるとすれば、ＶREG＝1.3Ｖなので、トランジスタ
Ｑ28のベース・エミッタ間電圧は0.4Ｖ（＝1.3Ｖ−0.9
Ｖ）となり、トランジスタＱ28はオフとなる。そして、
トランジスタＱ28がオフであれば、トランジスタＱ23も
オフである。
じてトランジスタＱ25のコレクタを流れるが、このとき
のトランジスタＱ25のコレクタ・エミッタ間電圧が0.9
Ｖであるとすれば、ＶREG＝1.3Ｖなので、トランジスタ
Ｑ28のベース・エミッタ間電圧は0.4Ｖ（＝1.3Ｖ−0.9
Ｖ）となり、トランジスタＱ28はオフとなる。そして、
トランジスタＱ28がオフであれば、トランジスタＱ23も
オフである。
【００３４】したがって、受信信号が所定の受信レベル
以下のときには、アンテナ回路１１からの受信信号は、
アッテネータ回路１２において減衰されることなくトラ
ンジスタＱ21に供給され、増幅されてからミキサ回路１
４に供給される。
以下のときには、アンテナ回路１１からの受信信号は、
アッテネータ回路１２において減衰されることなくトラ
ンジスタＱ21に供給され、増幅されてからミキサ回路１
４に供給される。
【００３５】なお、このとき、トランジスタＱ25、Ｑ21
が直流的にはカレントミラー回路２６を構成していると
ともに、トランジスタＱ21のベース・エミッタ間の接合
面積は、トランジスタＱ25のそれのｎ倍とされているの
で、トランジスタＱ21には、電流ｎＩ0が流れ、すなわ
ち、トランジスタＱ21には、所定の基準となる大きさの
コレクタ電流が流れる。したがって、トランジスタＱ21
により所定の利得を得ることができる。
が直流的にはカレントミラー回路２６を構成していると
ともに、トランジスタＱ21のベース・エミッタ間の接合
面積は、トランジスタＱ25のそれのｎ倍とされているの
で、トランジスタＱ21には、電流ｎＩ0が流れ、すなわ
ち、トランジスタＱ21には、所定の基準となる大きさの
コレクタ電流が流れる。したがって、トランジスタＱ21
により所定の利得を得ることができる。
【００３６】しかし、受信信号のレベルが大きくなる
と、ＡＧＣ電流ＩAGCが大きくなり、これによりトラン
ジスタＱ24がオンとなるとともに、そのコレクタ電流が
大きくなり、トランジスタＱ22のコレクタ電流も大きく
なる。
と、ＡＧＣ電流ＩAGCが大きくなり、これによりトラン
ジスタＱ24がオンとなるとともに、そのコレクタ電流が
大きくなり、トランジスタＱ22のコレクタ電流も大きく
なる。
【００３７】そして、このトランジスタＱ24、Ｑ22のコ
レクタ電流の増加により、高周波信号ライン２１の直流
電位が上昇しようとするが、これはトランジスタＱ25の
ベース電位の上昇でもあるから、トランジスタＱ25のコ
レクタ電流が、電流Ｉ0よりも大きくなろうとする。
レクタ電流の増加により、高周波信号ライン２１の直流
電位が上昇しようとするが、これはトランジスタＱ25の
ベース電位の上昇でもあるから、トランジスタＱ25のコ
レクタ電流が、電流Ｉ0よりも大きくなろうとする。
【００３８】すると、トランジスタＱ28がオンとなるの
で、トランジスタＱ23もオンとなり、トランジスタＱ2
4、Ｑ22のコレクタ電流の増加分は、トランジスタＱ23
を流れるようになり、結果として、高周波信号ライン２
１の直流電位は上昇しない。
で、トランジスタＱ23もオンとなり、トランジスタＱ2
4、Ｑ22のコレクタ電流の増加分は、トランジスタＱ23
を流れるようになり、結果として、高周波信号ライン２
１の直流電位は上昇しない。
【００３９】すなわち、受信信号のレベルが大きくなっ
てＡＧＣ電流ＩAGCが大きくなると、トランジスタＱ22
のコレクタ電流が増加するが、トランジスタＱ25のコレ
クタ電流が増加するとともに、その増加分（電流Ｉ0と
の差分）がトランジスタＱ28により検出され、この検出
出力によりトランジスタＱ23のコレクタ電流が増加す
る。
てＡＧＣ電流ＩAGCが大きくなると、トランジスタＱ22
のコレクタ電流が増加するが、トランジスタＱ25のコレ
クタ電流が増加するとともに、その増加分（電流Ｉ0と
の差分）がトランジスタＱ28により検出され、この検出
出力によりトランジスタＱ23のコレクタ電流が増加す
る。
【００４０】したがって、受信信号のレベルが変化して
も、高周波信号ライン２１の直流電位はほとんど変化せ
ず、トランジスタＱ21のベースバイアス電圧は、ほぼ一
定値に保持される。
も、高周波信号ライン２１の直流電位はほとんど変化せ
ず、トランジスタＱ21のベースバイアス電圧は、ほぼ一
定値に保持される。
【００４１】しかし、受信信号のレベルが大きくなった
ときには、上記のように、トランジスタＱ22、Ｑ23のコ
レクタ電流が増加している。また、このとき、トランジ
スタＱ23のコレクタ・ベース間は、コンデンサＣ21によ
り高周波的にはショートされているので、トランジスタ
Ｑ23は高周波的にはダイオードとして動作する。
ときには、上記のように、トランジスタＱ22、Ｑ23のコ
レクタ電流が増加している。また、このとき、トランジ
スタＱ23のコレクタ・ベース間は、コンデンサＣ21によ
り高周波的にはショートされているので、トランジスタ
Ｑ23は高周波的にはダイオードとして動作する。
【００４２】したがって、アンテナ回路１１から高周波
信号ライン２１に供給された受信信号は、アンテナ回路
１１の出力インピーダンスと、トランジスタＱ22、Ｑ23
のインピーダンスとにより分圧されることになり、すな
わち、減衰形のレベル制御が行われる。
信号ライン２１に供給された受信信号は、アンテナ回路
１１の出力インピーダンスと、トランジスタＱ22、Ｑ23
のインピーダンスとにより分圧されることになり、すな
わち、減衰形のレベル制御が行われる。
【００４３】こうして、この回路によれば、減衰形のレ
ベル制御によりＡＧＣを行うことができる。したがっ
て、次段の高周波アンプ１３の入力信号電圧の許容範囲
が狭くても、正常に動作させることができるので、トラ
ンジスタＱ21をエミッタ接地とすることができる。ま
た、ＡＧＣを行っても、トランジスタＱ21のベースバイ
アス電圧は、ほとんど変化することがなく、すなわち、
トランジスタＱ21の動作点はほとんど変化しない。
ベル制御によりＡＧＣを行うことができる。したがっ
て、次段の高周波アンプ１３の入力信号電圧の許容範囲
が狭くても、正常に動作させることができるので、トラ
ンジスタＱ21をエミッタ接地とすることができる。ま
た、ＡＧＣを行っても、トランジスタＱ21のベースバイ
アス電圧は、ほとんど変化することがなく、すなわち、
トランジスタＱ21の動作点はほとんど変化しない。
【００４４】さらに、レベル制御範囲を広くするために
は、トランジスタＱ22、Ｑ23のコレクタ電流を大きくす
る必要があるが、トランジスタＱ22、Ｑ23は同極性なの
で、大きなコレクタ電流であっても、特性をそろえるこ
とができるとともに、ＩＣ化に有利である。
は、トランジスタＱ22、Ｑ23のコレクタ電流を大きくす
る必要があるが、トランジスタＱ22、Ｑ23は同極性なの
で、大きなコレクタ電流であっても、特性をそろえるこ
とができるとともに、ＩＣ化に有利である。
【００４５】また、図２のアッテネータ回路１２におい
ては、トランジスタＱ15のコレクタ電流と、トランジス
タＱ18のコレクタ電流とに差があるとき、その差電流の
極性がどちらであっても、その差電流を流すことができ
るように、電圧源ＶREGを双方向形に構成する必要があ
るが、上述のアッテネータ回路１２によれば、そのよう
な必要がなく、電圧源ＶREGを簡略化することができ
る。
ては、トランジスタＱ15のコレクタ電流と、トランジス
タＱ18のコレクタ電流とに差があるとき、その差電流の
極性がどちらであっても、その差電流を流すことができ
るように、電圧源ＶREGを双方向形に構成する必要があ
るが、上述のアッテネータ回路１２によれば、そのよう
な必要がなく、電圧源ＶREGを簡略化することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】この発明によれば、減衰形のレベル制御
を行うことができる。そして、その場合、次段のアンプ
のトランジスタをエミッタ接地とすることができる。ま
た、レベル制御を行っても、次段のトランジスタのベー
スバイアス電圧の変化することがない。さらに、レベル
制御用のトランジスタは同極性なので、特性をそろえる
ことができ、ＩＣ化にとって有利である。
を行うことができる。そして、その場合、次段のアンプ
のトランジスタをエミッタ接地とすることができる。ま
た、レベル制御を行っても、次段のトランジスタのベー
スバイアス電圧の変化することがない。さらに、レベル
制御用のトランジスタは同極性なので、特性をそろえる
ことができ、ＩＣ化にとって有利である。
【図１】この発明の一例を示す接続図である。
【図２】この発明を説明するための接続図である。
１１ アンテナ回路 １２ アッテネータ回路 １３ 高周波アンプ １４ ミキサ回路 １５ 局部発振回路 １６ バンドパスフィルタ １７ 中間周波用アンプ １８ 検波回路 １９ ＡＧＣ電圧形成回路 ２１ 高周波信号ライン ２２ 同調回路 ２３〜２８ カレントミラー回路
Claims (3)
- 【請求項１】互いに同極性の第１および第２のトランジ
スタのコレクタ・エミッタ間が直列接続され、 上記第２のトランジスタは、交流的にダイオード接続さ
れ、 上記第１のトランジスタのエミッタと、上記第２のトラ
ンジスタのコレクタとの接続点に、入力信号源が接続さ
れるとともに、次段の回路が接続され、 この次段の回路の初段のトランジスタと等しい接地形式
の第３のトランジスタが設けられるとともに、 この第３のトランジスタには、上記初段のトランジスタ
と等しいバイアス電圧が供給され、 上記第３のトランジスタのコレクタ電流と、基準となる
大きさの電流との差を検出する第４のトランジスタが設
けられ、 上記第１のトランジスタのコレクタ電流の大きさがレベ
ルの制御信号により制御され、 上記第４のトランジスタの検出出力が上記第２のトラン
ジスタに、そのコレクタ電流の制御信号として供給さ
れ、 上記第１および第２のトランジスタのコレクタ電流の制
御により、上記入力信号源からの信号のレベルを制御し
て上記次段の回路に供給するようにしたレベル制御回
路。 - 【請求項２】請求項１に記載のレベル制御回路におい
て、 上記初段のトランジスタおよび上記第３のトランジスタ
がエミッタ接地とされるようにしたレベル制御回路。 - 【請求項３】請求項１に記載のレベル制御回路におい
て、 受信機に設けられ、 上記入力信号源がアンテナ回路とされ、 上記次段の回路が高周波アンプとされるようにしたレベ
ル制御回路。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135971A JPH08307181A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | レベル制御回路 |
| US08/638,161 US5758270A (en) | 1995-05-09 | 1996-04-26 | Level control circuit for receiver |
| TW085105019A TW318298B (ja) | 1995-05-09 | 1996-04-26 | |
| DE69616418T DE69616418T2 (de) | 1995-05-09 | 1996-05-01 | Pegelregelungsschaltung für Empfänger |
| EP96303070A EP0742642B1 (en) | 1995-05-09 | 1996-05-01 | Level control circuit for receiver |
| KR1019960014472A KR960042879A (ko) | 1995-05-09 | 1996-05-03 | 수신기용 레벨제어회로 및 수신기 |
| CN96106234A CN1064796C (zh) | 1995-05-09 | 1996-05-09 | 接收机电平控制电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135971A JPH08307181A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | レベル制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307181A true JPH08307181A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15164151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7135971A Pending JPH08307181A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | レベル制御回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5758270A (ja) |
| EP (1) | EP0742642B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08307181A (ja) |
| KR (1) | KR960042879A (ja) |
| CN (1) | CN1064796C (ja) |
| DE (1) | DE69616418T2 (ja) |
| TW (1) | TW318298B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09261102A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 振幅補正回路 |
| US7416879B2 (en) * | 2006-01-11 | 2008-08-26 | Luca Technologies, Inc. | Thermacetogenium phaeum consortium for the production of materials with enhanced hydrogen content |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1239061A (ja) * | 1968-10-30 | 1971-07-14 | ||
| GB1350142A (en) * | 1970-11-27 | 1974-04-18 | Ericsson Telefon Ab L M | Controllable attenuator |
| IT995990B (it) * | 1973-10-19 | 1975-11-20 | Ates Componenti Elettron | Attenuatore attivo a minima distorsione armonica totale per amplificatori in alternata con controllo automatico del livello d uscita |
| US4249137A (en) * | 1978-12-11 | 1981-02-03 | Rca Corporation | Amplifier system with AGC, as for an AM radio |
| IT1212776B (it) * | 1983-09-29 | 1989-11-30 | Ates Componenti Elettron | Stadio d'ingresso amplificatore e miscelatore a transistori per un radioricevitore. |
| JPS60261208A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変インピ−ダンス回路 |
| GB2195505B (en) * | 1986-09-17 | 1990-08-15 | Motorola Inc | Gain control cell |
| US4736166A (en) * | 1987-01-16 | 1988-04-05 | Motorola, Inc. | Attenuation circuit |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7135971A patent/JPH08307181A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-26 TW TW085105019A patent/TW318298B/zh active
- 1996-04-26 US US08/638,161 patent/US5758270A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-01 DE DE69616418T patent/DE69616418T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-01 EP EP96303070A patent/EP0742642B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-03 KR KR1019960014472A patent/KR960042879A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-05-09 CN CN96106234A patent/CN1064796C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69616418D1 (de) | 2001-12-06 |
| KR960042879A (ko) | 1996-12-21 |
| CN1064796C (zh) | 2001-04-18 |
| EP0742642A3 (en) | 1997-11-05 |
| CN1141534A (zh) | 1997-01-29 |
| EP0742642A2 (en) | 1996-11-13 |
| US5758270A (en) | 1998-05-26 |
| DE69616418T2 (de) | 2002-07-11 |
| EP0742642B1 (en) | 2001-10-31 |
| TW318298B (ja) | 1997-10-21 |
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