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318298 A7 B7 五、發明説咏(1 ) 發明背景 本發明關於接收機的位準控制電路。 圖1顯示超外差系統接收機電路的一例。經由天線電 路1 1接收廣播波信號，接收的信號經由自動增益控制（ 下文簡稱爲)的衰減電路1 2和髙頻放大器 1 3送到混頻電路1 4。此外，對應於接收頻率之頻率的 局部振盪信號從局部'振邊電路1 5取出。此局部振盪信號 送到混頻電路1 4。 依此方式，靶頻的接收信號轉換成預定頻率的中頻信 號。中頻信號經由帶通濾波器16和中頻放大器17送到 偵測電路1 8，因此解調音頻信號，然後取出解調的音頻 信號。 偵測電路18的部分解調输出送到電壓形成電路19 ，因此形成AGC電壓VAGC。此AGC電壓V A(JC送到衰 減電路12和中頻放大器17以進行AGC。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裂 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此情形，射極接地電晶體之髙頻放大器1 3的構造 可增加增益並減小雜訊。输入一輸出特性（輸出電流相對 於输入電壓的特性）爲指數式，因而能以低失眞放大的输 入信號位準爲幾十mV以下。 衰減電路1 2中，進行AGC以使信號位準衰減，因 此，即使接收信號位準髙，也控制不超過髙頻放大器1 3 或混頻電路14的動態範園。 詳言之，衰減鼇路12中，天線電路11的接收信號 依據天線電路11的输出阻抗及電晶體Q15和Q18的 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部辛央搮準局貝工消费合作社印箪 A7 _B7_ 五、發明説咏(2 ) '* 射極阻抗而分壓，分壓的接收信號送到高頻放大器1 3 ° 此時，A G C電壓V ACC經由電晶體Ql 1送到電晶 體Q1 2，電晶體Q1 2和Q13形成電流鏡電路。就直 流的觀點，電晶體Q1 4和Q1 5經由線圈LI 1形成另 —電流鏡電路。 再者，A G C電壓V AGC經由電晶體Q1 6送到«晶 體Q1 7。電晶體Q1 7和Q1 8經由線圈LI 1形成另 一電流鏡電路。 所以，A G C電壓V ACC造成電晶體Q 1 4和Q 1 7 的集極電流改變，導致電晶體Q 1 5和Q 1 8的射極阻抗 改變，然後依據天線電路1 1的输出阻抗及電晶體Q 1 5 和Q1 8的射極阻抗造成分壓比改變。送到高頻放大器 13的接收信號位準受限而不超過高頻放大器13或混頻 電路14的動態範圍。易言之，進行位準衰減的AGC。 依據衰減電路1 2，即使電晶體Q1 5和Q1 8 .的特 性不同且具有不同射極電流，對應於其差異的電流也經由 線圏L 1 1流入電壓供應器VREC或從電壓供應器V REC流 出。因此髙頻放大器13的输入DC電壓保持在恆定値。 所以，衰減電路1 2可連接髙頻放大器1 3。因此衰減電 路適於形成I C。 但圖1的衰減電路12中，電壓供應器VREC的電壓 變成髙頻放大器13之第一級電晶體的偏壓。當高頻放大 器1 3由射極接地的電晶體形成時，電壓供應器VREC的

電壓位準無可避免地限爲稍高於基極-射極電壓的位準。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4此格（210X297公釐） I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 __B7____ 五、發明説明▲3) 然後因爲比電壓供應器VREC之電壓低了電晶體Q 1 7之射極一基極電壓的電壓是電晶體Q16的集極一射極 電壓，故電晶體Q16的集極-射極電壓顯著變低。然後 電晶體Q1 6容易飽和。若電晶體Q1 6飽和，則電晶體 Q 1 8關閉，導致送到髙頻放大器1 3之接收信號的失眞 增加或AGC控制範圍變窄。 衰減電路1 2中，須使大集極電流流到電晶體Q 1 5 和Q 1 8以增寬控制範，圍。若電晶體有橫向結構，則因較 差高頻特性而不能得到充分衰減特性。 再者，當電晶體Q15和Q18的集極電流增加時， 在電晶體Q15與電晶體Q18之間出現大直流特性差異 ，導致電晶體Q15的集極電流與電晶體Q18的集極電 流之間的差異增加。所以，因吸收此大電流差異的需要並 保持穩壓，電壓供應器V REC有複雜結構。 發明概要 因此本發明的目標是提供接收機的位準控制電路。 因此本發明提供位準控制電路，包括： 第一電晶體，其集極供應電源電壓，基極供應位準控 制信號： 第二電晶體，其集極在供應输入信號的接點接到第一 電晶體的射極，第二電晶體的射極接地； 第三電晶體，其基極接到接點，輸出該輸出信號的集 極回應於輸入信號，射極接地： 本紙乐尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） --------- (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 订 經濟部中央揉準局貝工消费合作社. 318298 A7 _B7_ 五、發明説明i 4 )"； 第四電晶體，其基極耦合到第三電晶體的基極，因而 第四電晶體的基極和第三電晶體的基極有相同電位，射極 接地，集極供應恆流： 第五電晶體，其基極接到第四電晶髋的集極，射極供 應預定電壓，集極接到第二電晶體的基極。 輸入信號依據輸入信號源的输出阻抗及第一和第二電 晶體的阻抗而分壓，因此進行位準控制。位準控制的信號 送到下一級電路。 圖式簡述 圖1顯示一般接收機的電路。 圖2顯示本發明之實施例的位準控制電路。 較佳實施例詳述 圓2中，天線電路11經由髙頻信號線21接到電晶 體Q2 1的基極。電晶體.Q2 1形成高頻放大器1 3。詳 言之，電晶體Q21的射極經由電阻器R21接地，其集 極經由負載（在此例爲調諧電路2 2 )接到電源端T2 1 和混頻電路1 4，因此髙頻放大器1 3由此射極接地的電 晶體Q 2 1形成。 此外，設置電晶體Q2 2和Q2 3。電晶體Q2 2的 集極一射極電路接在電源端T 2 1與高頻信號線2 1之間 ，而電晶體Q 2 3的集極一射極電路接在高頻信號線2 1 也之間。 1用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

A 訂 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 318298 A7 ___B7__ 五、發明説明▲5)— 再者，電容器C21接在高頻信號線21與電晶髖 Q2 3的基極之間。當加入高頻信號時，電晶體Q2 3做 爲二極體。電阻器R 2 2接在電晶體Q 2 3的基極與地之 間。因此，衰減電路1 2.主要由電晶體Q2 2和Q2 3形 成。 再者，設置電晶體Q2 4，其射極經由線圈L2 1.接 到髙頻信號線21。旁通電容器C 2 2接在電晶體Q 2 4 的射極與地之間，電晶髏Q 2 4的基極和集極接到電晶體 Q 2 2的基極。 所以，在此情形，電晶體Q2 2和Q2 4的射極共同 接到高頻信號線2 1，因而電流鏡電路2 3由電晶體 Q2 2和Q2 4形成。所以，此時，電晶體Q2 4做爲输 入側的電晶體，而電晶體Q 2 2做爲输出側的電晶體。 AGC電壓形成電路1 9的AGC電壓VACC經由電 阻器R 2 3轉換成AGC電流IACC。此AGC電流IACC 經由電流鏡電路2 4和2 5送到電晶體Q 2 4。在此情形 ，當接收信號在低位準時，控制AGC電流I ACC向較小 値改變，當接收信號在不髙於預定値的位準時，變成0。 電阻器R 2 4接在電晶體Q 2 5的射極與地之間，電 晶體Q 2 5的基極接到電晶體Q 2 4的射極。電晶體 Q 2 5的集極接到做爲二極體之電晶《IQ 2 6的射極。 此外，設置電晶體Q2 7。電晶體Q2 7的基極接到 電晶體Q 2 6的基極和集極，射極接到電晶體Q 2 5的基 極，集極接到電源端T2 1。 本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印裝 A7 _£7__ 五、發明説明4 6 ) 一 在此情形，電晶體Q 2 1和Q 2 5的基極經由線圈 L 2 1互連。電流鏡電路2 8的输出電流1〇 —部分經由 電晶體Q2 7送到電晶體Q 2 1和Q2 5的基極，因而以 直流操作時，電流鏡電路2 6由電晶體Q2 5、Q2 1、 Q 2 7形成。 此時，電晶體Q 2 5做爲输入側的電晶體，電晶髏 Q21做爲输出側的電晶體，使得電晶體Q21之基極與 射極間的接面面積設爲電晶體Q25的η倍（η>1)， 例如6倍。 電壓供應器V REG的稞壓（例如1 . 3 V電壓）送到 電阻器R2 5，在該處轉換成有參考位準的電流I。，電 流I。經由電流鏡電路2 7和2 8及電晶體Q2 6送到電 晶體Q 2 5。 電晶體Q 2 8的基極接到電晶體Q 2 5的集極，射極 接到電壓供應器VREe，集極接到電晶體Q 2 3的基極。 另一電路未顯示，但有類似圖2之電路的構造。 此構造中，當接收信號不髙於預定接收位準時， I ACC變成0，所以電晶體Q 2 4關閉。當以直流操作時 ，電晶體Q2 4和Q 2 2形成電流鏡電路2 3，因而當電 晶體Q2 4關閉時，電晶體Q2 2也關閉。 電流I。經由電晶體Q2 6流在電晶體Q2 5的集極 。假設此時之電晶體Q25的集極一射極電壓爲0.9V ，則由於VREC爲1 . 3V，故電晶體Q2 8的射極一基 極電壓變成0 . 4V (=1 . 3V— 0 . 9V〉，電晶體 本纸張尺度適用中國國家橾率（CNS > A4规格（210X297公釐) ~ ---------?| (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 f 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 _ 五、發明説明▲ 7 ) — Q2 8關閉。當m晶體Q2 8關閉時，電晶體Q2 3關閉 〇 放大後，送到混頻電路1 4。 此時，當以直流操作時，電晶«Q2 5和Q2 1形成 電流鏡電路。再者，電晶體Q21之基極和射極間的接面 面積設爲電晶體Q2 5的η倍大，使得電流η I。通過電 晶體Q 2 1。易言之，有預定參考位準的集極電流流經電 晶體Q21。所以，從電晶體Q21可得到預定增益。 接收信號位準愈大，則A G C重流I ACC愈大。結果 ，電晶體Q2 4開啓，集極電流變大，電晶體Q2 2的集 極電流也變大。 隨著電晶體Q 2 4和Q 2 2的集極電流增加，髙頻信 號線21的DC電位傾向上升。這意味電晶體Q25的基 極電位增加，因而電晶體Q 2 5的集極電流傾向大於電流 I 〇 « 然後電晶體Q2 8開啓，使電晶體Q2 3開啓。電晶 體Q2 4和Q2 2的集極電流增加通過電晶體Q2 3。結 果，髙頻信號線21的DC電位不增加。 易言之，當AGC電流I ACC鼸接收信號位準增加而 變大時，電晶體Q 2 2的集極電流增加，接著電晶體 Q 2 5的集極電流增加。電晶體Q 2 8偵測此增加（與電 流I。的差異），此偵測输出提升電晶《Q2 3的集極電 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本霣)

-10 - 318298 A7 B7 五、發明説明‘ 8 ) 一 流0 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 所以，即使接收信號位準改變，也不改變髙頻信號線 21的DC電位，電晶體Q21的偏壓保持在幾乎恆定的 値0 當接收信號位準變大時，電晶體Q 2 2和Q 2 3的集 極電流增加如上述。此時，電容器C 2 1將電晶體Q 2 3 的集極一射極短路，因而當以髙頻操作時，電晶體Q 2 3 做爲二極體。 所以，從天線電路1 1送到高頻信號線2 1的接收信 號依據天線電路1 1的输出阻抗及電晶體Q 2 2和Q 2 3 的阻抗而分壓。簡言之，進行衰減位準控制。 依據本發明的電路，根據此衰減位準控制可進行 AGC。即使下一級高頻放大器1 3之輸入信號電壓的容 許範圔窄，也可進行正常操作，可令電晶體Q 2 1成爲射 極接地的電晶體。再者，AGC不造成電晶體Q2 1之基 極偏壓的重大改變。易言之，電晶體Q21的啓動點幾乎 不變。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 爲加寬位準控制範画，須增加m晶體Q 2 2和Q 2 3 的集極電流。電晶體Q2 2和Q2 3爲相同極性，因而即 使集極電流大，也可具有類似特性，再者，有利形成I C 0 圖1的衰減電路1 2中，當電晶體Q1 5的集極電流 與電晶體Q 1 8的集極電流之間有差異時，可使對應於差 異的電流流動，與極性無關》因此須形成雙向型的電屋供 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 A7 B7 _丨 1 ； ..............丨· — 五、發明説明▲ 9) 應器VREC 。另一方面，依據本發明的上述衰減竜路，不 需此雙向電壓供應器，因此可結構性簡化電壓供應器 V R E G 0 依據本發明，可進行衰減位準控制，在此情形，下~ 級放大器的電晶體可形成射極接地的電晶體。此外，位準 控制不造成下一級電晶體的基極偏壓改變。再者，位準控 制的電晶體爲相同極性，因而可具有類似特性，有利形成 1C。 ^^-- (請先閑讀背面之注亲項再填寫本頁) 订 經濟部中央標準局β：工消费合作社印裂 本纸張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） -12 -

Claims (1)

1. 318298

   第85 1 050 1 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國86年4月修正 1. 一種位準控制電路，包括： 第一電晶體，其集極供應電源電壓，基極供應 制信號； 第二電晶體，其集極在供應输入信號的接點接到第_ 電晶體的射極，第二電晶體的射極接地； 第三電晶體，其基極接到接點，输出該輸出信號的集 極回應於输入信號，射極接地； 第四電晶體，其基極耦合到第三電晶體的基極，因而 第四電晶體的基極和第三電晶體的基極有相同電位，射極 接地•集極供應恆流： 第五電晶體，其基極接到第四電晶體的集極，射極供 應預定電壓，集極接到第二電晶體的基極， 經濟部中央梯準局負工消费合作社印裝 -----1--,I--- (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 其中輸入信號依據輸入信號源的輸出阻抗及第一和第 二電晶體的阻抗而分壓，以進行位準控制· 2. —種接收機，包括： 接收傳输信號的天線電路； 產生位準控制信號並解調输出信號的解調電路； 位準電路，包括： 第一電晶體，其集極供應電源電壓，基極供應位準控 制信號： 本紙張尺度適用中國國家揉隼（CNS > Α4現格（210X297公釐） 318298 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第二電晶體，其集極在從天線電路供應輸入信號的接 點接到第一電晶體的射極，第二電晶體的射極接地； 第三電晶體，其基極接到接點，輸出該輸出信號的集 極回應於輸入信號，射極接地； 第四電晶體，其基極耦合到第三電晶體的基極，因而 第四電晶體的基極和第三電晶體的基極有相同電位，射極 接地，集極供應恆流； 第五電晶體，其基極接到第四電晶體的集極，射極供 應預定竜壓，集極接到第二電晶體的基極， 其中輸入信號依據輸入信號源的輸出阻抗及第一和第 二電晶體的阻抗而分壓，以進行位準控制。 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ”装· 訂 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印装 I張 一紙 本 準 標 家 I釐 公 7 9 2