JPH08300253A - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置Info
- Publication number
- JPH08300253A JPH08300253A JP13285395A JP13285395A JPH08300253A JP H08300253 A JPH08300253 A JP H08300253A JP 13285395 A JP13285395 A JP 13285395A JP 13285395 A JP13285395 A JP 13285395A JP H08300253 A JPH08300253 A JP H08300253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- top ring
- polishing
- ring body
- liquid
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 12
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 For example Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 トップリング下面およびポリッシング対象物
裏面が砥液によってエッチングされることを防止するポ
リッシング装置を提供することを目的とする。 【構成】 トップリング本体３にその先端がトップリン
グ本体下面に開口する複数の開口３ー２ａを設け、開口
部は、半導体ウエハ６をトップリング本体下面に真空吸
着可能にするための真空ポンプ３１と、半導体ウエハ６
を前記トップリング本体下面から液体供給により離脱可
能なように加圧流体源３２と、砥液による半導体ウエハ
６の裏面の過度なエッチングを防止するための砥液の中
和剤供給源３３と、さらに該開口に残留する液体を排出
するための加圧気体源３４とに連通されている。
裏面が砥液によってエッチングされることを防止するポ
リッシング装置を提供することを目的とする。 【構成】 トップリング本体３にその先端がトップリン
グ本体下面に開口する複数の開口３ー２ａを設け、開口
部は、半導体ウエハ６をトップリング本体下面に真空吸
着可能にするための真空ポンプ３１と、半導体ウエハ６
を前記トップリング本体下面から液体供給により離脱可
能なように加圧流体源３２と、砥液による半導体ウエハ
６の裏面の過度なエッチングを防止するための砥液の中
和剤供給源３３と、さらに該開口に残留する液体を排出
するための加圧気体源３４とに連通されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に係
り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦且
つ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関する。
り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦且
つ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦
化することが必要となるが、この平坦化法の１手段とし
てポリッシング装置により研磨することが行われてい
る。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦
化することが必要となるが、この平坦化法の１手段とし
てポリッシング装置により研磨することが行われてい
る。
【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、各々
独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリン
グとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブ
ルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間にポリ
ッシング対象物を介在させて、砥液を供給しつつ該ポリ
ッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリン
グとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブ
ルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間にポリ
ッシング対象物を介在させて、砥液を供給しつつ該ポリ
ッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
【０００４】ポリッシング装置に用いる砥液は微粒子、
例えばコロイダルシリカ（ＳｉＯ2）、酸化セリウム
（ＣｅＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等をアルカリ溶
液、例えばＫＯＨ、ＮａＯＨ等に懸濁させたものを用い
る。また、ポリッシングする対象物がタングステン
（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）といった金
属配線を研磨する場合には、特殊な砥液を用いる場合が
あり、強酸や強アルカリ系の砥液を用いる場合もある。
このように、ポリッシング対象物は砥液中に含まれる微
粒子による機械的な研磨作用と、アルカリ溶液または酸
溶液による化学的なエッチング作用の複合的な研磨作用
によって研磨される。
例えばコロイダルシリカ（ＳｉＯ2）、酸化セリウム
（ＣｅＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等をアルカリ溶
液、例えばＫＯＨ、ＮａＯＨ等に懸濁させたものを用い
る。また、ポリッシングする対象物がタングステン
（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）といった金
属配線を研磨する場合には、特殊な砥液を用いる場合が
あり、強酸や強アルカリ系の砥液を用いる場合もある。
このように、ポリッシング対象物は砥液中に含まれる微
粒子による機械的な研磨作用と、アルカリ溶液または酸
溶液による化学的なエッチング作用の複合的な研磨作用
によって研磨される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、砥液に
アルカリ溶液または酸溶液を用いているため、砥液がト
ップリング下面とポリッシング対象物の裏面との間に侵
入し、トップリング下面およびポリッシング対象物の裏
面がアルカリまたは酸によってエッチングされてしまう
という問題点がある。
アルカリ溶液または酸溶液を用いているため、砥液がト
ップリング下面とポリッシング対象物の裏面との間に侵
入し、トップリング下面およびポリッシング対象物の裏
面がアルカリまたは酸によってエッチングされてしまう
という問題点がある。
【０００６】本発明は、上述の事情に鑑みなされたもの
で、トップリング下面およびポリッシング対象物裏面が
砥液によってエッチングされることを防止するポリッシ
ング装置を提供することを目的とする。
で、トップリング下面およびポリッシング対象物裏面が
砥液によってエッチングされることを防止するポリッシ
ング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のポリッシング装置は、各々独立した回転
数で回転する上面に研磨布を貼ったターンテーブルとト
ップリング本体とを有し、前記ターンテーブルとトップ
リングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の
圧力で押圧することによって該ポリッシング対象物を研
磨し平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、前
記トップリング本体にその先端が該トップリング本体下
面に開口する複数の開口を設け、該開口部は、ポリッシ
ング対象物を前記トップリング本体下面に真空吸着可能
にするための真空原と、ポリッシング対象物を前記トッ
プリング本体下面から液体供給により離脱可能なように
加圧流体源と、砥液によるポリッシング対象物の裏面の
過度なエッチングを防止するための砥液の中和剤供給源
と、さらに該開口に残留する液体を排出するための加圧
気体源とに連通されていることを特徴とするものであ
る。
ため、本発明のポリッシング装置は、各々独立した回転
数で回転する上面に研磨布を貼ったターンテーブルとト
ップリング本体とを有し、前記ターンテーブルとトップ
リングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の
圧力で押圧することによって該ポリッシング対象物を研
磨し平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、前
記トップリング本体にその先端が該トップリング本体下
面に開口する複数の開口を設け、該開口部は、ポリッシ
ング対象物を前記トップリング本体下面に真空吸着可能
にするための真空原と、ポリッシング対象物を前記トッ
プリング本体下面から液体供給により離脱可能なように
加圧流体源と、砥液によるポリッシング対象物の裏面の
過度なエッチングを防止するための砥液の中和剤供給源
と、さらに該開口に残留する液体を排出するための加圧
気体源とに連通されていることを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、トップ
リング本体下面の開口を真空源に連通してポリッシング
対象物を真空吸着することができ、ポリッシング後には
開口から流体を供給してポリッシング対象物を確実に離
脱させることができる。また、ポリッシング中に、砥液
中のアルカリ成分を中和する中和剤を供給することによ
りポリッシング対象物裏面およびトップリング下面のエ
ッチングを防止することができ、さらに加圧空気によっ
て開口に残留する液体を排出することができる。
リング本体下面の開口を真空源に連通してポリッシング
対象物を真空吸着することができ、ポリッシング後には
開口から流体を供給してポリッシング対象物を確実に離
脱させることができる。また、ポリッシング中に、砥液
中のアルカリ成分を中和する中和剤を供給することによ
りポリッシング対象物裏面およびトップリング下面のエ
ッチングを防止することができ、さらに加圧空気によっ
て開口に残留する液体を排出することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置の一実
施例を図１乃至図４に基づいて説明する。図１及び図２
は本発明のポリッシング装置のポリッシング部を示す図
で、図１は縦断面図、図２は平面図である。ポリッシン
グ装置のトップリング部は、トップリング駆動軸１と、
トップリング本体３と、これらトップリング駆動軸１と
トップリング本体３との間に介装された球ベアリング２
とから構成されている。
施例を図１乃至図４に基づいて説明する。図１及び図２
は本発明のポリッシング装置のポリッシング部を示す図
で、図１は縦断面図、図２は平面図である。ポリッシン
グ装置のトップリング部は、トップリング駆動軸１と、
トップリング本体３と、これらトップリング駆動軸１と
トップリング本体３との間に介装された球ベアリング２
とから構成されている。
【００１０】前記トップリング駆動軸１の下端面中央部
には球ベアリング２が摺接する凹状球面１ａが形成され
ている。トップリング本体３はトップリング本体上部３
−１とトップリング本体下部３−２とで構成されてい
る。トップリング本体上部３−１の上面中心部には球ベ
アリング２が摺接する凹状球面３−１ａが形成され、ト
ップリング本体下部３−２の外周部にはウエハ外れ止リ
ング５が取付けられている。
には球ベアリング２が摺接する凹状球面１ａが形成され
ている。トップリング本体３はトップリング本体上部３
−１とトップリング本体下部３−２とで構成されてい
る。トップリング本体上部３−１の上面中心部には球ベ
アリング２が摺接する凹状球面３−１ａが形成され、ト
ップリング本体下部３−２の外周部にはウエハ外れ止リ
ング５が取付けられている。
【００１１】トップリング本体下部３−２には下面に開
口する多数の開口３−２ａが形成されている。トップリ
ング本体上部３−１には該開口３−２ａに連通する連絡
溝３−１ｂが形成されており、連絡溝３−１ｂはトップ
リング本体上部３−１に形成された４本の連絡孔３−１
ｃに連通している。この連絡孔３−１ｃはチューブ１０
とチューブ継手９及びチューブ継手１１でトップリング
駆動軸１の中心に設けられた連通孔１ｂに連通されてい
る。前記連通孔１ｂは、配管３０によって、バルブＶ１
を介して真空ポンプ３１に連通され、バルブＶ２を介し
て加圧流体源３２に連通され、バルブＶ３を介して中和
剤供給源３３に連通され、さらにバルブＶ４を介して加
圧気体源３４に連通されている。
口する多数の開口３−２ａが形成されている。トップリ
ング本体上部３−１には該開口３−２ａに連通する連絡
溝３−１ｂが形成されており、連絡溝３−１ｂはトップ
リング本体上部３−１に形成された４本の連絡孔３−１
ｃに連通している。この連絡孔３−１ｃはチューブ１０
とチューブ継手９及びチューブ継手１１でトップリング
駆動軸１の中心に設けられた連通孔１ｂに連通されてい
る。前記連通孔１ｂは、配管３０によって、バルブＶ１
を介して真空ポンプ３１に連通され、バルブＶ２を介し
て加圧流体源３２に連通され、バルブＶ３を介して中和
剤供給源３３に連通され、さらにバルブＶ４を介して加
圧気体源３４に連通されている。
【００１２】前記トップリング駆動軸１にはフランジ部
１ｃが一体に設けられており、フランジ部１ｃの外周に
は４本のトルク伝達ピン７が設けられている。また、ト
ップリング本体３のトップリング本体上部３−１の上面
にはトルク伝達ピン７に対応して、４本のトルク伝達ピ
ン８が設けられている。トップリング本体下部３−２の
下面とウエハ外れ止リング５の内周とターンテーブル
（図示せず）上面とに囲まれた空間に半導体ウエハ６を
収容し、ターンテーブルを回転させるとともに、トップ
リング駆動軸１を回転させ、その回転トルクをトルク伝
達ピン７とトルク伝達ピン８の係合によりトップリング
本体３に伝達させてトップリング本体３を回転させ、且
つトップリング本体３を摺動させながら半導体ウエハ６
の表面を平坦且つ鏡面に研磨する。
１ｃが一体に設けられており、フランジ部１ｃの外周に
は４本のトルク伝達ピン７が設けられている。また、ト
ップリング本体３のトップリング本体上部３−１の上面
にはトルク伝達ピン７に対応して、４本のトルク伝達ピ
ン８が設けられている。トップリング本体下部３−２の
下面とウエハ外れ止リング５の内周とターンテーブル
（図示せず）上面とに囲まれた空間に半導体ウエハ６を
収容し、ターンテーブルを回転させるとともに、トップ
リング駆動軸１を回転させ、その回転トルクをトルク伝
達ピン７とトルク伝達ピン８の係合によりトップリング
本体３に伝達させてトップリング本体３を回転させ、且
つトップリング本体３を摺動させながら半導体ウエハ６
の表面を平坦且つ鏡面に研磨する。
【００１３】トップリング駆動軸１のフランジ部１ｃの
上部にはトップリングホルダー４が設けられており、こ
のトップリングホルダー４はボルト４１によりトップリ
ング本体３と連結されている。またボルト４１とトップ
リングホルダー４との間にはスプリング４２が介装され
ている。トップリング駆動軸１を上昇させるとトップリ
ングホルダー４はトップリング３とともに上昇する。こ
の上昇させた状態時にスプリング４２は柔らかくトップ
リング本体３を水平に保つ機能を奏する。このトップリ
ング本体３を柔らかく水平に保つ機能は半導体ウエハ６
を受け渡しするときに有効に機能する。
上部にはトップリングホルダー４が設けられており、こ
のトップリングホルダー４はボルト４１によりトップリ
ング本体３と連結されている。またボルト４１とトップ
リングホルダー４との間にはスプリング４２が介装され
ている。トップリング駆動軸１を上昇させるとトップリ
ングホルダー４はトップリング３とともに上昇する。こ
の上昇させた状態時にスプリング４２は柔らかくトップ
リング本体３を水平に保つ機能を奏する。このトップリ
ング本体３を柔らかく水平に保つ機能は半導体ウエハ６
を受け渡しするときに有効に機能する。
【００１４】図３は図１及び図２に示すポリッシング部
を用いたポリッシング装置の全体構成を示す図である。
図３において、符号２０はターンテーブルであり、ター
ンテーブル２０は軸２１を中心に回転できるようになっ
ている。ターンテーブル２０の外周部には研磨砥液等の
飛散を防ぐためのターンテーブルリング２２が設けられ
ている。また、ターンテーブル２０の上面には研磨布２
３が張られている。
を用いたポリッシング装置の全体構成を示す図である。
図３において、符号２０はターンテーブルであり、ター
ンテーブル２０は軸２１を中心に回転できるようになっ
ている。ターンテーブル２０の外周部には研磨砥液等の
飛散を防ぐためのターンテーブルリング２２が設けられ
ている。また、ターンテーブル２０の上面には研磨布２
３が張られている。
【００１５】ターンテーブル２０の上部には前述のよう
に構成されたトップリング部が配置されている。トップ
リング駆動軸１の上部にはトップリングシリンダ１２が
設けられており、トップリング本体３はトップリングシ
リンダ１２により、ターンテーブル２０に対して一定の
圧力で押圧されている。符号１３はトップリング駆動モ
ータで、歯車１４、歯車１５、歯車１６を介してトップ
リング駆動軸１に回転トルクを与えている。またターン
テーブル２０の上方には研磨砥液ノズル１７が設置され
ており、研磨砥液ノズル１７によってターンテーブル２
０の研磨布２３上に研磨砥液Ｑを供給できるようになっ
ている。
に構成されたトップリング部が配置されている。トップ
リング駆動軸１の上部にはトップリングシリンダ１２が
設けられており、トップリング本体３はトップリングシ
リンダ１２により、ターンテーブル２０に対して一定の
圧力で押圧されている。符号１３はトップリング駆動モ
ータで、歯車１４、歯車１５、歯車１６を介してトップ
リング駆動軸１に回転トルクを与えている。またターン
テーブル２０の上方には研磨砥液ノズル１７が設置され
ており、研磨砥液ノズル１７によってターンテーブル２
０の研磨布２３上に研磨砥液Ｑを供給できるようになっ
ている。
【００１６】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング本体下部３−２の下面に半導体ウエハ６を保
持し、トップリング本体３とターンテーブル２０が回転
している状態で、ターンテーブル２０の研磨布２３上に
トップリングシリンダ１２により圧力を加えて加圧す
る。この時研磨砥液ノズル１７から研磨布２３上に研磨
砥液Ｑを流しており、研磨布２３に研磨砥液Ｑが保持さ
れ、半導体ウエハ６の研磨される面（下面）に砥液Ｑが
有る状態でポリッシングが行われる。
ップリング本体下部３−２の下面に半導体ウエハ６を保
持し、トップリング本体３とターンテーブル２０が回転
している状態で、ターンテーブル２０の研磨布２３上に
トップリングシリンダ１２により圧力を加えて加圧す
る。この時研磨砥液ノズル１７から研磨布２３上に研磨
砥液Ｑを流しており、研磨布２３に研磨砥液Ｑが保持さ
れ、半導体ウエハ６の研磨される面（下面）に砥液Ｑが
有る状態でポリッシングが行われる。
【００１７】この時、ターンテーブル２０の上面に僅か
な傾きがあったとしてもトップリング本体３は球ベアリ
ング２によりトップリング駆動軸１に対してトップリン
グ本体３が速やかに傾動する。トップリング本体３が傾
いても、トップリング駆動軸１側のトルク伝達ピン７と
トップリング本体３側のトルク伝達ピン８は点接触のた
めにそれぞれの場合で接触点をずらしてトップリング駆
動軸１の回転トルクを確実にトップリング本体３に伝達
する。
な傾きがあったとしてもトップリング本体３は球ベアリ
ング２によりトップリング駆動軸１に対してトップリン
グ本体３が速やかに傾動する。トップリング本体３が傾
いても、トップリング駆動軸１側のトルク伝達ピン７と
トップリング本体３側のトルク伝達ピン８は点接触のた
めにそれぞれの場合で接触点をずらしてトップリング駆
動軸１の回転トルクを確実にトップリング本体３に伝達
する。
【００１８】しかして、半導体ウエハ６をトップリング
本体３の下面に真空吸着するときには、バルブＶ１を開
いて真空ポンプ３１を稼動させ、配管３０、連通孔１ｂ
等の真空ラインを介して開口３−２ａからの吸引力によ
り半導体ウエハ６を吸着する。そして、ポリッシング中
には、中和剤供給源３３から配管３０、連通孔１ｂ等の
液体供給ラインを介して開口３−２ａより少量の中和剤
を半導体ウエハ６の裏面とトップリング本体３の下面と
の間に供給する。これにより、少量の中和剤が半導体ウ
エハ６の裏面に流れ、半導体ウエハ６の裏面がポリッシ
ング中の研磨砥液によってエッチングされることがな
い。なお、半導体ウエハ６の裏面に流れる液体はごく少
量であるため、研磨砥液への影響、すなわち砥液の研磨
作用に及ぼす影響は全くない。
本体３の下面に真空吸着するときには、バルブＶ１を開
いて真空ポンプ３１を稼動させ、配管３０、連通孔１ｂ
等の真空ラインを介して開口３−２ａからの吸引力によ
り半導体ウエハ６を吸着する。そして、ポリッシング中
には、中和剤供給源３３から配管３０、連通孔１ｂ等の
液体供給ラインを介して開口３−２ａより少量の中和剤
を半導体ウエハ６の裏面とトップリング本体３の下面と
の間に供給する。これにより、少量の中和剤が半導体ウ
エハ６の裏面に流れ、半導体ウエハ６の裏面がポリッシ
ング中の研磨砥液によってエッチングされることがな
い。なお、半導体ウエハ６の裏面に流れる液体はごく少
量であるため、研磨砥液への影響、すなわち砥液の研磨
作用に及ぼす影響は全くない。
【００１９】また、従来行われているポリッシング方法
で、トップリングと半導体ウエハとの間に弾性マットを
介在させ、研磨圧力を半導体ウエハ全面で均一にする場
合がある。本発明の中和剤を供給することはこのような
弾性マットを介在させる場合にも、弾性マットおよび半
導体ウエハの裏面をエッチングされることがなく同様の
効果がある。
で、トップリングと半導体ウエハとの間に弾性マットを
介在させ、研磨圧力を半導体ウエハ全面で均一にする場
合がある。本発明の中和剤を供給することはこのような
弾性マットを介在させる場合にも、弾性マットおよび半
導体ウエハの裏面をエッチングされることがなく同様の
効果がある。
【００２０】ポリッシング終了後には、半導体ウエハ６
を再びトップリング本体３に真空吸着した後、トップリ
ング本体３を上昇させ、所定場所にて半導体ウエハ６を
トップリング本体３から離脱させる。半導体ウエハ６の
真空吸着時に、砥液を同時に吸い込むため、または、ポ
リッシング中に砥液がトップリング本体３と半導体ウエ
ハ６との間に入り込むため、半導体ウエハ６がトップリ
ング本体３に密着している場合が多く、真空を解除した
だけでは半導体ウエハ６をトップリング本体３から離脱
させることができない。
を再びトップリング本体３に真空吸着した後、トップリ
ング本体３を上昇させ、所定場所にて半導体ウエハ６を
トップリング本体３から離脱させる。半導体ウエハ６の
真空吸着時に、砥液を同時に吸い込むため、または、ポ
リッシング中に砥液がトップリング本体３と半導体ウエ
ハ６との間に入り込むため、半導体ウエハ６がトップリ
ング本体３に密着している場合が多く、真空を解除した
だけでは半導体ウエハ６をトップリング本体３から離脱
させることができない。
【００２１】そこで、ある一定の流量及び圧力に設定さ
れた液体（例えば純水）を、加圧液体源３２から、配管
３０、連通孔１ｂ等の供給ラインを介して開口３−２ａ
よりトップリング本体３の下面と半導体ウエハ６の裏面
との間に供給し、液体の噴出力により半導体ウエハ６を
トップリング本体３から離脱させる。
れた液体（例えば純水）を、加圧液体源３２から、配管
３０、連通孔１ｂ等の供給ラインを介して開口３−２ａ
よりトップリング本体３の下面と半導体ウエハ６の裏面
との間に供給し、液体の噴出力により半導体ウエハ６を
トップリング本体３から離脱させる。
【００２２】次に、研磨後にトップリング本体３を図示
しないトップリング洗浄部まで移動させ、トップリング
本体３の下面をブラシおよび外部から供給する洗浄液に
より洗浄した後に、加圧気体源３３から加圧気体を配管
３０、連通孔１ｂ等の液体供給ライン（加圧ラインも兼
用）および開口３−２ａに供給する。これにより、液体
供給ラインに残留した液体や洗浄液を排出することがで
き、次の半導体ウエハ６を研磨するために、半導体ウエ
ハ６を真空吸着する際に液体が真空ポンプ系に吸引され
ることを防止できる。なお、トップリング下面洗浄の
際、開口に連通する加圧液体源に洗浄液を混合させて、
トップリング下面の開口から洗浄液を供給するようにし
てもよい。
しないトップリング洗浄部まで移動させ、トップリング
本体３の下面をブラシおよび外部から供給する洗浄液に
より洗浄した後に、加圧気体源３３から加圧気体を配管
３０、連通孔１ｂ等の液体供給ライン（加圧ラインも兼
用）および開口３−２ａに供給する。これにより、液体
供給ラインに残留した液体や洗浄液を排出することがで
き、次の半導体ウエハ６を研磨するために、半導体ウエ
ハ６を真空吸着する際に液体が真空ポンプ系に吸引され
ることを防止できる。なお、トップリング下面洗浄の
際、開口に連通する加圧液体源に洗浄液を混合させて、
トップリング下面の開口から洗浄液を供給するようにし
てもよい。
【００２３】なお、ポリッシング中に半導体ウエハ６と
トップリング本体３の下面との間に供給する中和剤は、
砥液がアルカリ溶液を主成分とする場合には、次亜塩素
酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）またはクエン酸を含む溶液
等が適当である。次亜塩素酸ナトリウムを用いた場合、
開口、チューブ、配管系等を含む液体供給ライン中での
バクテリアの発生を防止する効果もある。
トップリング本体３の下面との間に供給する中和剤は、
砥液がアルカリ溶液を主成分とする場合には、次亜塩素
酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）またはクエン酸を含む溶液
等が適当である。次亜塩素酸ナトリウムを用いた場合、
開口、チューブ、配管系等を含む液体供給ライン中での
バクテリアの発生を防止する効果もある。
【００２４】次に、ポリッシング装置に設置され、ポリ
ッシング装置のトップリングに又はトップリングから半
導体ウエハを受け渡しするポリッシング対象物受け渡し
機構を図４を参照して説明する。図４は本発明のポリッ
シング対象物受け渡し機構５０の構造を示す図である。
図４において、符号５１は円板状のベースであり、ベー
ス５１の周端上部には複数の吸着コマ５２が取付けら
れ、さらに吸着コマ５２の上部には吸着パッド５３が取
付けられている。そして、吸着コマ５２と吸着パッド５
３のそれぞれの中央部には互いに連通する真空孔が形成
されており、真空孔は真空継手５４を介して真空ライン
チューブ５５に連通されている。
ッシング装置のトップリングに又はトップリングから半
導体ウエハを受け渡しするポリッシング対象物受け渡し
機構を図４を参照して説明する。図４は本発明のポリッ
シング対象物受け渡し機構５０の構造を示す図である。
図４において、符号５１は円板状のベースであり、ベー
ス５１の周端上部には複数の吸着コマ５２が取付けら
れ、さらに吸着コマ５２の上部には吸着パッド５３が取
付けられている。そして、吸着コマ５２と吸着パッド５
３のそれぞれの中央部には互いに連通する真空孔が形成
されており、真空孔は真空継手５４を介して真空ライン
チューブ５５に連通されている。
【００２５】前記ベース５１は軸５６の上端に固定され
ており、軸５６は軸受５８にフランジ付き軸受スリーブ
５７を介し上下に摺動自在に支持されている。符号６０
はスプリングであり、スプリング６０は軸５６に形成さ
れた段部とスプリング押え部５９の間に挟まれ、軸５６
を上方に押し上げる弾発力を与える。なお、スプリング
押え部５９はその外周に雄ネジが形成されており、軸受
５８の中央部に形成された雌ネジに螺合されている。符
号６２は軸５６の先端部に螺合されたナットであり、こ
のナット６２がストッパー６１に当接することにより、
スプリング６０による軸５６の押し上げをこの位置で止
めている。
ており、軸５６は軸受５８にフランジ付き軸受スリーブ
５７を介し上下に摺動自在に支持されている。符号６０
はスプリングであり、スプリング６０は軸５６に形成さ
れた段部とスプリング押え部５９の間に挟まれ、軸５６
を上方に押し上げる弾発力を与える。なお、スプリング
押え部５９はその外周に雄ネジが形成されており、軸受
５８の中央部に形成された雌ネジに螺合されている。符
号６２は軸５６の先端部に螺合されたナットであり、こ
のナット６２がストッパー６１に当接することにより、
スプリング６０による軸５６の押し上げをこの位置で止
めている。
【００２６】前記軸受５８はアーム６３の先端に固定さ
れており、アーム６３はエレベータにより矢印Ｚに示す
ように上下動できるようになっている。上記構成のポリ
ッシング対象物受け渡し機構５０において、吸着パッド
５３の上部に半導体ウエハ６が載置されるようになって
おり、真空ラインチューブ５５を真空源に接続すると半
導体ウエハ６は吸着パッド５３上に真空吸着される。ま
た、吸着パッド５３及び吸着コマ５２を介してベース５
１に衝撃等の圧力が加わると軸５６はスプリング６０の
弾発力に抗して下降する。即ち、軸受スリーブ５７、軸
受５８、スプリング押え部５９及びスプリング６０はベ
ースに加わる衝撃等の圧力を緩衝する緩衝機構を構成し
ている。
れており、アーム６３はエレベータにより矢印Ｚに示す
ように上下動できるようになっている。上記構成のポリ
ッシング対象物受け渡し機構５０において、吸着パッド
５３の上部に半導体ウエハ６が載置されるようになって
おり、真空ラインチューブ５５を真空源に接続すると半
導体ウエハ６は吸着パッド５３上に真空吸着される。ま
た、吸着パッド５３及び吸着コマ５２を介してベース５
１に衝撃等の圧力が加わると軸５６はスプリング６０の
弾発力に抗して下降する。即ち、軸受スリーブ５７、軸
受５８、スプリング押え部５９及びスプリング６０はベ
ースに加わる衝撃等の圧力を緩衝する緩衝機構を構成し
ている。
【００２７】受け渡し機構は５０は、ポリッシングが終
了し、研磨した半導体ウエハ６をトップリング３から離
脱し、半導体ウエハ６を受け渡し機構に載せた状態で、
トップリング下面と半導体ウエハ裏面との距離が僅かに
離れた位置で停止するようになっている。トップリング
下面と半導体ウエハ裏面との距離は数ｍｍ程度であり、
この間隔を保った状態で、トップリング下面に形成した
開口３ー２ａから加圧流体を噴出する。トップリング下
面と半導体ウエハ裏面との間が狭いため、噴出された流
体は半導体ウエハ６の裏面を洗浄すると同時に、そのす
ぐ上方にあるトップリング下面を洗浄することができ
る。
了し、研磨した半導体ウエハ６をトップリング３から離
脱し、半導体ウエハ６を受け渡し機構に載せた状態で、
トップリング下面と半導体ウエハ裏面との距離が僅かに
離れた位置で停止するようになっている。トップリング
下面と半導体ウエハ裏面との距離は数ｍｍ程度であり、
この間隔を保った状態で、トップリング下面に形成した
開口３ー２ａから加圧流体を噴出する。トップリング下
面と半導体ウエハ裏面との間が狭いため、噴出された流
体は半導体ウエハ６の裏面を洗浄すると同時に、そのす
ぐ上方にあるトップリング下面を洗浄することができ
る。
【００２８】洗浄を所定時間行った後に、ポリッシング
対象物受け渡し機構５０は、研磨されたウエハを次工程
へと搬送し、下面が洗浄されたトップリングは次のポリ
ッシングを行うために新たな半導体ウエハを保持する。
ここで、液体噴射中に、トップリングを回転させること
で効果的に洗浄を行うことができる。トップリング下面
及び半導体ウエハ裏面を洗浄している時に、研磨した半
導体ウエハの研磨面側（下面）に下方から水を供給する
ようにして乾燥させないようにするのが望ましい。これ
は砥液が乾燥して半導体ウエハの研磨面に固着すること
を防止するためである。
対象物受け渡し機構５０は、研磨されたウエハを次工程
へと搬送し、下面が洗浄されたトップリングは次のポリ
ッシングを行うために新たな半導体ウエハを保持する。
ここで、液体噴射中に、トップリングを回転させること
で効果的に洗浄を行うことができる。トップリング下面
及び半導体ウエハ裏面を洗浄している時に、研磨した半
導体ウエハの研磨面側（下面）に下方から水を供給する
ようにして乾燥させないようにするのが望ましい。これ
は砥液が乾燥して半導体ウエハの研磨面に固着すること
を防止するためである。
【００２９】本実施例においては、ポリッシング対象物
として半導体ウエハを説明したが、ポリッシング対象物
はこれに限るものではない。また、ここで対象物として
いる半導体ウエハは、金属回路を表面に有するウエハ、
さらにその上に酸化シリコン等の絶縁膜を有するウエハ
のみならず、生ウエハ、及びその上に酸化シリコン等の
絶縁膜を有するウエハも含むものである。
として半導体ウエハを説明したが、ポリッシング対象物
はこれに限るものではない。また、ここで対象物として
いる半導体ウエハは、金属回路を表面に有するウエハ、
さらにその上に酸化シリコン等の絶縁膜を有するウエハ
のみならず、生ウエハ、及びその上に酸化シリコン等の
絶縁膜を有するウエハも含むものである。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ップリング本体下面の開口を真空源に連通してポリッシ
ング対象物を真空吸着することができ、ポリッシング後
には開口から流体を供給してポリッシング対象物を確実
に離脱させることができる。また、砥液中のアルカリ成
分を中和する中和剤を供給することにより、ポリッシン
グ対象物裏面およびトップリング下面のエッチングを防
止することができ、さらに加圧空気によって開口に残留
する液体を排出することができる。
ップリング本体下面の開口を真空源に連通してポリッシ
ング対象物を真空吸着することができ、ポリッシング後
には開口から流体を供給してポリッシング対象物を確実
に離脱させることができる。また、砥液中のアルカリ成
分を中和する中和剤を供給することにより、ポリッシン
グ対象物裏面およびトップリング下面のエッチングを防
止することができ、さらに加圧空気によって開口に残留
する液体を排出することができる。
【図１】本発明のポリッシング装置の一実施例における
要部を示す縦断面図である。
要部を示す縦断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明のポリッシング装置の全体構成を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明のポリッシング装置におけるポリッシン
グ対象物受け渡し機構を示す縦断面図である。
グ対象物受け渡し機構を示す縦断面図である。
１ トップリング駆動軸 ２ 球ベアリング ３ トップリング本体 ４ トップリングホルダー ５ ウエハ外れ止リング ６ 半導体ウエハ ７，８ トルク伝達ピン １０ 真空ライン用チューブ １２ トップリングシリンダ １３ トップリング駆動モータ ２０ ターンテーブル ２３ 研磨布 ３１ 真空ポンプ ３２ 加圧液体源 ３３ 中和剤供給源 ３４ 加圧気体源
Claims (2)
- 【請求項１】 各々独立した回転数で回転する上面に研
磨布を貼ったターンテーブルとトップリング本体とを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することに
よって該ポリッシング対象物を研磨し平坦且つ鏡面化す
るポリッシング装置において、前記トップリング本体に
その先端が該トップリング本体下面に開口する複数の開
口を設け、該開口部は、ポリッシング対象物を前記トッ
プリング本体下面に真空吸着可能にするための真空源
と、ポリッシング対象物を前記トップリング本体下面か
ら液体供給により離脱可能なように加圧流体源と、砥液
によるポリッシング対象物の裏面の過度なエッチングを
防止するための砥液の中和剤供給源と、さらに該開口に
残留する液体を排出するための加圧気体源とに連通され
ていることを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項２】 各々独立した回転数で回転する上面に研
磨布を貼ったターンテーブルとトップリング本体とを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の圧力で押圧することに
よって該ポリッシング対象物を研磨し平坦且つ鏡面化す
るポリッシング装置において、前記トップリング本体に
その先端が該トップリング本体下面に開口するとともに
液体供給源に連通された複数の開口を設け、ポリッシン
グ対象物をトップリング本体から受け渡しするポリッシ
ング対象物受け渡し機構を設け、該受け渡し機構はポリ
ッシング対象物とトップリング下面との間の所定距離だ
け離隔して停止する機構を備えていることを特徴とする
ポリッシング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13285395A JP3690837B2 (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | ポリッシング装置及び方法 |
| US08/643,099 US5670011A (en) | 1995-05-02 | 1996-05-02 | Apparatus and method for polishing workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13285395A JP3690837B2 (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | ポリッシング装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08300253A true JPH08300253A (ja) | 1996-11-19 |
| JP3690837B2 JP3690837B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=15091057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13285395A Expired - Lifetime JP3690837B2 (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | ポリッシング装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5670011A (ja) |
| JP (1) | JP3690837B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8430716B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-04-30 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09225819A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 被加工物の保持機構 |
| USRE38854E1 (en) * | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
| US5762539A (en) * | 1996-02-27 | 1998-06-09 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
| US6050884A (en) * | 1996-02-28 | 2000-04-18 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP3663728B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の研磨機 |
| JP3183388B2 (ja) * | 1996-07-12 | 2001-07-09 | 株式会社東京精密 | 半導体ウェーハ研磨装置 |
| US5747386A (en) * | 1996-10-03 | 1998-05-05 | Micron Technology, Inc. | Rotary coupling |
| DE69815738T2 (de) * | 1997-02-04 | 2004-04-29 | Ebara Corp. | Werkstückhalterung und Poliervorrichtung mit derselben |
| JP3705670B2 (ja) | 1997-02-19 | 2005-10-12 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
| KR100253083B1 (ko) * | 1997-03-15 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 |
| US6077385A (en) * | 1997-04-08 | 2000-06-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| TW375550B (en) * | 1997-06-19 | 1999-12-01 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Polishing apparatus for semiconductor wafer |
| JP3795198B2 (ja) * | 1997-09-10 | 2006-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置 |
| US6293849B1 (en) * | 1997-10-31 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Polishing solution supply system |
| US6007406A (en) * | 1997-12-04 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Polishing systems, methods of polishing substrates, and method of preparing liquids for semiconductor fabrication process |
| US6264851B1 (en) * | 1998-03-17 | 2001-07-24 | International Business Machines Corporation | Selective seed and plate using permanent resist |
| US6572462B1 (en) * | 1998-05-04 | 2003-06-03 | Motorola, Inc. | Carrier assembly for chemical mechanical planarization systems and method |
| US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
| US6106379A (en) * | 1998-05-12 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension |
| JP2000080350A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
| US6276998B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Padless substrate carrier |
| US6645050B1 (en) * | 1999-02-25 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Multimode substrate carrier |
| JP2000301441A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Nippon Micro Coating Kk | 化学的機械的テクスチャ加工方法 |
| DE60138343D1 (de) * | 2000-07-31 | 2009-05-28 | Ebara Corp | Substrathalter und Poliervorrichtung |
| TW202035355A (zh) * | 2019-02-13 | 2020-10-01 | 日商德山股份有限公司 | 含有鎓鹽的半導體晶圓之處理液 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4193226A (en) * | 1977-09-21 | 1980-03-18 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
| US4680893A (en) * | 1985-09-23 | 1987-07-21 | Motorola, Inc. | Apparatus for polishing semiconductor wafers |
| DE69333322T2 (de) * | 1992-09-24 | 2004-09-30 | Ebara Corp. | Poliergerät |
-
1995
- 1995-05-02 JP JP13285395A patent/JP3690837B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-02 US US08/643,099 patent/US5670011A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8430716B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-04-30 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3690837B2 (ja) | 2005-08-31 |
| US5670011A (en) | 1997-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08300253A (ja) | ポリッシング装置 | |
| US6328629B1 (en) | Method and apparatus for polishing workpiece | |
| KR100332718B1 (ko) | 고평탄도로기판을연마할수있는자동연마장치 | |
| US7942725B2 (en) | Polishing apparatus | |
| US7988537B2 (en) | Substrate holding apparatus and polishing apparatus | |
| KR100316712B1 (ko) | 화학기계적 연마장치에 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 로드컵의 페디스탈 | |
| JPH09171980A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6780088B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and a method of chemical mechanical polishing using the same | |
| JP5197644B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| JP3507794B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100413493B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 장치의 연마 플래튼 및 그를 이용한평탄화방법 | |
| US20020002028A1 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
| JPH08267357A (ja) | 基板の研磨装置及びその研磨方法 | |
| US6648734B2 (en) | Polishing head for pressurized delivery of slurry | |
| JP4180068B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
| JP2002184732A (ja) | 受け渡し装置 | |
| JP3575944B2 (ja) | 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH11333677A (ja) | 基板の研磨装置 | |
| JP3378036B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| KR200257887Y1 (ko) | 화학기계연마장치 | |
| US20030111176A1 (en) | Apparatus for polishing semiconductor wafer | |
| JP2004071667A (ja) | 研磨装置 | |
| KR100588242B1 (ko) | 평탄화 장치의 컨디셔너 | |
| KR20050095918A (ko) | 웨이퍼 로딩 에러를 방지하는 화학기계적 연마 장치의로드컵 | |
| TW202337628A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050614 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050614 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |