KR100253083B1 - 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 - Google Patents
반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100253083B1 KR100253083B1 KR1019970008893A KR19970008893A KR100253083B1 KR 100253083 B1 KR100253083 B1 KR 100253083B1 KR 1019970008893 A KR1019970008893 A KR 1019970008893A KR 19970008893 A KR19970008893 A KR 19970008893A KR 100253083 B1 KR100253083 B1 KR 100253083B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wax
- cleaning composition
- sample
- electron
- weight
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241001044053 Mimas Species 0.000 description 1
- 235000018734 Sambucus australis Nutrition 0.000 description 1
- 244000180577 Sambucus australis Species 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/20—Water-insoluble oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 일렉트론왁스의 제거를 위한 왁스세정조성물 및 이를 이용한 일렉트론왁스 제거방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 왁스세정조성물은 2 내지 6 중량%의 수산화암모늄, 10 내지 22 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어지며, 상기 왁스세정조성물을 이용한 일렉트론왁스 제거방법은 상기 왁스세정조성물 내에 왁스가 표면에 잔류하는 시료를 투입하고, 왁스세정조성물을 70 내지 110℃에서 1 내지 20분간 가열한 후, 탈이온수로 세척하는 것으로 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 일렉트론왁스에 의한 시료의 오염을 줄이고, 반도체장치의 수율을 향상시키는 효과를 제공한다.
Description
본 발명은 폴리싱 후의 일렉트론왁스의 제거를 위한 왁스세정조성물에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하기 위한 여러 설비들 중에는 가공중이거나 또는 가공후의 웨이퍼의 도펀트의 농도측정을 위한 작업이나, 또는 스텝 커버리지를 개선하기 위한 작업의 하나로 웨이퍼 표면을 화학적 및/또는 물리적인 방법으로 평탄화시키는 작업이 있으며, 주로 씨엠피(Chemical Mechanical Polishing)장치가 사용된다. 이와 유사하게 시료를 화학적 및/또는 물리적인 방법으로 일종의 절삭가공을 수행하는 장치로서 앵글 폴리싱 장치가 있으며, 이는 시료의 모서리 부분을 베벨타입으로 연마하는 장치로서, 예를 들어, 일본국 소재 미마스(Mimasu)사의 앵글폴리셔(Angle Polisher)와 같은 장치들이 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지되어 있다.
이러한 장치들은 반도체 장치를 직접 제조하기 위한 장치라기 보다는 오히려 반도체 장치의 제조 중간 또는 제조 후에 있어 반도체 장치로의 제조 중에 있어서의 적절한 검사를 위한 검사 전처리 장치로서 이해될 수 있는 것으로서, 적절한 반도체 장치의 제조를 위하여는 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼 중의 여러 불순물들의 동태를 정확하게 측정할 것이 요구되는 바, 이를 위한 시료처리공정은 시료를 커팅하고, 사전 연마 및 앵글 폴리싱한 후, 왁스를 제거하고, 표면 분석을 하는 순서가 순서적으로 거의 일시에 이루어져야 하며, 이를 세분하여 설명하면 적절한 앵글 폴리싱을 위하여는, 도1에 나타낸 순서에 따라, 우선 웨이퍼로부터 일정면적의 시료를 커팅(cutting)하는 시료 커팅단계(cutting step), 커팅된 시료를 송진과 같은 일렉트론왁스(electron wax)를 사용하여 앵글 폴리싱 장치의 앵글스테이지(angle stage)에 부착시키는 시료 부착단계(attaching step), 부착된 시료의 주변에 잔류하는 일렉트론왁스를 제거하는 클리닝단계(cleaning step), 폴리싱시간을 줄이기 위하여 개략적으로 시료의 표면을 연마해내기 위하여 일본국 소재 후지미(Fujimi)사의 상품명 에프오-1200(FO-1200)과 같은 파우더가 공급되는 글래스플레이트(glass plate)의 표면과 접촉시켜 약 2mm 정도의 두께로 연마해내는 사전연마단계(pre grinding step), 및 앵글 폴리싱용 슬러리를 표면플레이트(surface plate)에 공급하면서 시료의 모서리를 연마해내는 앵글 폴리싱 단계(angle polishing step)로 이루어지며, 최종적으로 시료를 앵글스테이지로부터 떼어내고, 시료의 표면에 잔류하는 일렉트론왁스를 제거하는 왁스제거단계 및 필요에 따라 세코 에칭(SECCO etching)과 같은 에칭단계(etching step)을 거쳐 소정의 분석작업으로 연결된다.
시료를 앵글 폴리셔의 앵글 스테이지에 부착시키는데 사용되었던 일렉트론왁스를 제거함에 있어서도 종래의 경우에서는 시료를 거즈나 면포 등에 올려놓고, 아세톤을 묻힌 면봉으로 일렉트론왁스가 묻은 부위를 닦아내어 제거하였으나, 이러한 방법은 시료의 처리에 시간이 많이 걸리고, 또 시료의 처리시간이 길어질수록 대기중에 그만큼 많이 노출되어 오염의 위험성이 보다 증대되어 분석의 결과에 대한 신뢰성이 저하되는 등의 문제점을 나타내었다.
따라서, 일렉트론왁스가 묻은 시료에서 일렉트론왁스를 효과적으로 제거하여 시료의 분석결과에 대한 신뢰도를 높일 수 있는 새로운 왁스세정조성물의 개발이 필요하였다.
본 발명의 목적은 폴리싱 후의 일렉트론왁스의 제거를 위한 왁스세정조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 폴리싱 후의 일렉트론왁스의 제거를 위한 왁스세정조성물을 이용한 일렉트론왁스제거방법을 제공하는데 있다.
도1은 통상의 시료처리공정을 나타내는 흐름도이다.
도2는 종래의 방법에 따라 아세톤으로 일렉트론왁스를 제거한 시료의 표면을 도시한 평면도이다.
도3은 본 발명에 따른 왁스세정조성물로 일렉트론왁스를 제거한 시료의 표면을 도시한 평면도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
본 발명에 따른 왁스세정조성물은, 2 내지 6 중량%의 수산화암모늄, 10 내지 22 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
특히, 상기 왁스세정조성물은 3 내지 5 중량%의 수산화암모늄, 14 내지 18 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 왁스세정조성물을 이용한 일렉트론왁스의 제거방법은, 상기 왁스세정조성물내에 왁스가 표면에 잔류하는 시료를 투입하고, 왁스세정조성물을 70 내지 110℃에서 1 내지 20분간 가열한 후, 탈이온수로 세척하는 것으로 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 왁스세정조성물은, 반도체 장치를 제조하는데 사용되는 웨이퍼로부터 취한 시료를 앵글 폴리셔의 앵글 스테이지에 부착시키는데 사용되는 송진과 같은 일렉트론왁스를 제거하는데 사용되는 것으로서, 2 내지 6 중량%의 수산화암모늄, 10 내지 22 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
이러한 왁스세정조성물은 종래의 반도체용 세정용액 중 유기오염물을 제거하는데 사용되던 수산화암모늄 27 중량부와 과산화수소 30 중량부 및 탈이온수 150 중량부로 이루어진 유기세정액과는 그 조성비가 전혀 다른 것이다. 즉, 상기한 종래 유기세정액이 표면에 잔류하는 유기 오염물을 세정해내는데 사용되는 것과는 달리 본 발명에서의 왁스세정조성물은 시료의 표면에 들러붙어 시료를 고착시키는데 사용되었던 일렉트론왁스를 완전히 제거해내는 것으로 사용의 목적이나 기타 효과의 면에서도 전혀 다른 것으로 인식될 수 있음은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 용이하게 이해될 수 있음은 자명한 것이다.
특히, 상기 왁스세정조성물은 3 내지 5 중량%의 수산화암모늄, 14 내지 18 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
상기에서 수산화암모늄은 특히 금속이온들과 착물을 형성하여 용해도를 증대시키는 역할을 하며, 과산화수소는 특히 유기물의 산화를 촉진하여 유기물의 분해 및 세정 등에 효과적인 것으로 밝혀지고 있다.
상기한 왁스세정조성물을 사용하여 시료의 표면에 잔류하는 왁스를 제거하고자 하는 경우에는 왁스세정조성물내에 왁스가 표면에 잔류하는 시료를 투입하고, 왁스세정조성물을 70 내지 110℃에서 1 내지 20분간 가열함으로써 일렉트론왁스를 완전히 제거할 수 있다.
왁스세정조성물에 시료를 투입하는 것만으로는 일렉트론왁스의 제거효과가 충분히 나타나지 않을 뿐 아니라 기계적으로 닦아내는 동작 등이 요구되어야 하며, 이러한 기계적으로 닦아내는 동작을 수반하는 경우, 아세톤을 사용하여 닦아내는 종래의 방법과 대차가 없게 되며, 본 발명에 따른 왁스세정조성물을 사용하여 시료의 표면에 잔류하는 일렉트론왁스를 제거하는 경우에서는 상기한 바와 같은 기계적인 작업에 비하여 단순한 가열에 의한 일렉트론왁스의 제거를 가능하게 할 수 있으므로 시료의 단시간내의 다량의 처리가 가능하게 될 수 있는 것이다.
특히, 상기 왁스세정조성물의 가열온도가 70℃ 미만인 경우에는 일렉트론왁스의 세정효과가 떨어지는 문제점이 일어날 수 있으며, 110℃를 초과하는 경우에도 세정효과가 급감하는 문제점이 일어날 수 있다.
실시예1
수산화암모늄 10g, 과산화수소 40g 및 탈이온수 200g을 혼합하여 본 발명에 따른 왁스세정조성물을 제조하고, 이 왁스세정조성물에 일렉트론왁스로서 송진이 잔류하는 웨이퍼 조각을 넣고, 90℃에서 10분간 가열하였으며, 그 결과의 세정된 표면을 현미경사진촬영하였으며, 그 결과의 사진을 육안으로 관찰하여 도3에 도시하여 나타내었으며, 종래의 방법에 따라 상용적으로 구입이 가능한 아세톤을 묻힌 면봉으로 송진이 잔류하는 웨이퍼 조각을 물리적으로 닦아낸 표면을 현미경사진촬영하고 육안으로 관찰하여 도시한 도2와 비교하여 보았다.
그 결과, 본 발명에 따른 왁스세정조성물을 사용하여 본 발명에 따른 가열에 의한 방법으로 세정한 시료의 표면에서는 송진에 의한 잔류오염 현상이 육안으로 파악되지 않았으나, 종래의 방법에 의하여 세정한 시료의 표면에서는 도2에서 검게 도시된 바와 같이 일부 송진에 의한 잔류오염 현상이 육안으로 파악될 수 있음이 밝혀졌다.
따라서, 본 발명에 의하면 앵글 폴리싱 시에 필수적인 시료의 부착에 사용되는 일렉트론왁스를 단지 가열에 의하여 효과적으로 제거할 수 있는 새로운 왁스세정조성물을 제공하는 효과가 있다.
따라서, 본 발명은 전체적으로 앵글 폴리싱에 있어서, 스크래치의 발생이나 잔류하는 일렉트론왁스에 의한 시료의 오염 및 슬러리조성물의 응고에 따른 부적절한 슬러리조성물의 공급으로 인한 스크래치의 발생 등을 예방하여 보다 정확한 시료의 분석을 가능하게 하는 효과를 제공한다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (3)
- 2 내지 6 중량%의 수산화암모늄, 10 내지 22 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 왁스세정조성물.
- 제 1 항에 있어서,특히, 상기 왁스세정조성물이 3 내지 5 중량%의 수산화암모늄, 14 내지 18 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 왁스세정조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 왁스세정조성물내에 왁스가 표면에 잔류하는 시료를 투입하고, 왁스세정조성물을 70 내지 110℃에서 1 내지 20분간 가열한 후, 탈이온수로 세척하는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 왁스세정조성물을 이용한 일렉트론왁스의 제거방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970008893A KR100253083B1 (ko) | 1997-03-15 | 1997-03-15 | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 |
| JP4531298A JP2902623B2 (ja) | 1997-03-15 | 1998-02-26 | 半導体用ウェーハのアングルポリシング用スラリー組成物、スラリー組成物供給装置、ワックス洗浄組成物、及びエレクトロンワックスの除去方法 |
| US09/041,274 US5972863A (en) | 1997-03-15 | 1998-03-12 | Slurry compositions for polishing wafers used in integrated circuit devices and cleaning compositions for removing electron wax after polishing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970008893A KR100253083B1 (ko) | 1997-03-15 | 1997-03-15 | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980073555A KR19980073555A (ko) | 1998-11-05 |
| KR100253083B1 true KR100253083B1 (ko) | 2000-04-15 |
Family
ID=19499880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970008893A KR100253083B1 (ko) | 1997-03-15 | 1997-03-15 | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972863A (ko) |
| JP (1) | JP2902623B2 (ko) |
| KR (1) | KR100253083B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3523107B2 (ja) | 1999-03-17 | 2004-04-26 | 株式会社東芝 | Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 |
| KR100611064B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-10 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 공정용 슬러리 조성물, 상기 슬러리조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법 및 상기 방법을이용한 게이트 패턴의 형성 방법 |
| KR100853797B1 (ko) | 2007-06-22 | 2008-08-25 | 주식회사 동부하이텍 | 화학기계적 연마공정의 슬러리 제조방법 및 제조장치 |
| JP7431038B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2024-02-14 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨用スラリー |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4057939A (en) * | 1975-12-05 | 1977-11-15 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer polishing |
| JPS5474810A (en) * | 1977-11-28 | 1979-06-15 | Kao Corp | Liquid cleanser composition |
| US4491478A (en) * | 1982-08-10 | 1985-01-01 | United States Borax & Chemical Corporation | Compositions and methods for polishing metal surfaces |
| US4710232A (en) * | 1984-06-01 | 1987-12-01 | Tahbaz John A | Process for cleaning metal articles |
| DE3786430T2 (de) * | 1986-09-03 | 1993-10-28 | Kao Corp | Flüssigreiniger-Zusammensetzung. |
| JPH01187930A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 研磨剤及び研磨方法 |
| US4954459A (en) * | 1988-05-12 | 1990-09-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of planarization of topologies in integrated circuit structures |
| JP3690837B2 (ja) * | 1995-05-02 | 2005-08-31 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
-
1997
- 1997-03-15 KR KR1019970008893A patent/KR100253083B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-02-26 JP JP4531298A patent/JP2902623B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-12 US US09/041,274 patent/US5972863A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980073555A (ko) | 1998-11-05 |
| JP2902623B2 (ja) | 1999-06-07 |
| US5972863A (en) | 1999-10-26 |
| JPH10261603A (ja) | 1998-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7632357B2 (en) | Silicon wafer cleaning method | |
| US5320706A (en) | Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization | |
| US4116714A (en) | Post-polishing semiconductor surface cleaning process | |
| US20020086537A1 (en) | Removal of CMP residue from semiconductor substrate using supercritical carbon dioxide process | |
| CN102825028B (zh) | 一种ycob晶体抛光表面的清洗方法 | |
| CN109326501B (zh) | 一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 | |
| CN101022082A (zh) | 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法 | |
| CN103072073A (zh) | 一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺 | |
| US6100198A (en) | Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment | |
| CN107652900A (zh) | 一种氮化镓晶片光电化学机械抛光液及抛光方法 | |
| JP2005093869A (ja) | シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ | |
| KR100253083B1 (ko) | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 | |
| CN109226044B (zh) | 光学元件的处理方法 | |
| JP2002517090A (ja) | エッチング後のアルカリ処理法 | |
| KR20080075508A (ko) | 반도체 웨이퍼의 평면연삭방법 및 제조방법 | |
| JPH01155628A (ja) | 超精密装置の超精密洗浄方法 | |
| CN113690128A (zh) | 一种磷化铟晶片的清洗方法 | |
| KR100329115B1 (ko) | 반도체웨이퍼의연마직후연마반도체웨이퍼의처리방법 | |
| WO2014055752A1 (en) | Uv treatment of polished wafers | |
| KR100200742B1 (ko) | 세정방법 | |
| JP2845329B2 (ja) | 半導体基板の突起除去方法 | |
| JP3315273B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の洗浄方法 | |
| KR100679008B1 (ko) | 반도체 소자의 세정 조성물 | |
| CN117862112A (zh) | 一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺 | |
| CN118360109A (zh) | 一种去除碳化硅表面残留的清洁剂及其应用和清洁方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080102 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |