JPH08297265A - 波長選択用音響光学導波路 - Google Patents

波長選択用音響光学導波路

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JPH08297265A
JPH08297265A JP8092438A JP9243896A JPH08297265A JP H08297265 A JPH08297265 A JP H08297265A JP 8092438 A JP8092438 A JP 8092438A JP 9243896 A JP9243896 A JP 9243896A JP H08297265 A JPH08297265 A JP H08297265A
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waveguide
optical
acousto
acoustic
polarization
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JP8092438A
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Steffen Schmidt
シュテフェン・シュミット
Bosso Sergio
セルジオ・ボッソ
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Pirelli Cavi SpA
Cavi Pirelli SpA
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複屈折性および光弾性の材料の1つの基板を
含む波長選択のための音響導波装置において、偏光子が
エバネッセント波偏光結合器を含むことにより、製造が
簡単となり、サイズが小さくなり、広い同調間隔が提供
され、時間的に安定したスペクトル特性を提供する。 【解決手段】 複屈折性および光弾性の材料の1つの基
板(30)を含む波長選択のための音響光学的導波装置
において、第1の波長間隔における光信号の偏光面の第
1段および第2段がその上に形成され、各段が信号が移
動する少なくとも1つの光導波路(35、36)と、2
つの段を接続してエバネッセント波偏光結合器(40)
からなる1つの光導波路を担持する少なくとも1つの光
導波路と、第2段の下流側に最後に設けられる1つの偏
光子(37)を担持する少なくとも1つの光導波路とを
含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長選択用の音響
光学的導波装置(acoustoopticalwav
eguide device)に関する。
【0002】
【従来の技術】音響光学的導波装置の動作は、複屈折兼
光弾性材料の基板上に形成された光学的導波路に沿って
伝播する光信号と、適当にトランスジューサにより生成
され基板表面上で伝播する音波との間の相互作用に基く
ものである。
【0003】このような装置は、特に、光ファイバとし
て使用可能である。音波の周波数を制御することによ
り、フィルタのスペクトル応答カーブを同調させること
が可能であり、このことが、例えば、光波長分割多重通
信システムにおけるチャンネル分割、レーザ・キャビテ
ィにおける放出波長の同調、あるいはパルス光通信シス
テムにおけるパルス形状の再生に対してフィルタを適合
化する。
【0004】波長分離多重(wavelength−d
ivision multiplexing;通常は、
WDMと呼ばれる)伝送による光通信システムにおいて
は、幾つかのチャンネル、即ち相互に独立的な幾つかの
伝送信号が、通常は光ファイバからなる同じ線上に光波
長多重によって送出される。伝送されたチャンネルは、
ディジタルまたはアナログの両方でよく、それらの各々
が特定の波長と関連させられる故に、相互に弁別するこ
とが可能である。個々のチャンネルを再び分割するため
には、1つのチャンネルの波長を中心として隣接するチ
ャンネルを止めるに充分に狭い波長帯域を伝送すること
が可能でなければならないフィルタが必要とされる。同
調可能なフィルタは、特に、チャンネルの選択を変更す
ること、従って構成要素のケーブル接続(cablin
g)を変更することなくシステムを再構成することを可
能にする。
【0005】音響光学フィルタは特に、このような用途
に適している。これらのフィルタはまた、幾つかのチャ
ンネルの同時の選択を可能にするもので、基板表面を伝
播する音波が異なる周波数における音波の重畳であるな
らば、フィルタは音波の周波数によって定まる異なる波
長の間隔の和に対応する通過帯域を有する。このような
周波数を適切に選択することにより、フィルタの通過帯
域は、選択されたチャンネルに対応する所望の波長のみ
を伝送するように制御することができる。
【0006】偏光独立型の平面導波路音響光学フィルタ
については、Applied Physics Let
tersの第56巻、第3部、1990年3月15日の
209〜211ページに刊行されたD.A.Smith
等の論文に記載されている。この装置(図1A)は、L
iNbO3の基板上に偏光結合器を含み、これが入射信
号のTE成分とTM成分とを分離し、2つの音響光学偏
光コンバータが並列に前記2つの成分に対して働き、偏
光結合器が信号を再結合する。
【0007】前記装置のスペクトル伝送カーブは、1.
3nmの帯域幅とサイドローブ(side lobe)
を持つ中心ピークを有する。(例えば、H.Herrm
ann等の「Electronics Letters
第28巻、第11部」(1992年11月21日発行9
79〜980ページ)に報告される如き)理論によっ
て、上記論文に記載された種類のフィルタにおいて、第
1のサイドローブが−9.4dBの理論的限度より低く
ないことが示される。
【0008】前記論文に記載されたフィルタは、単一の
音響光学的相互作用段を有する。この種類のフィルタ
は、伝送される帯域外の波長で減衰を生じ、これは上記
の用途に対しては不充分である。
【0009】更に、フィルタを通過すると、2つの偏光
における成分が音波との相互作用により2つの成分では
異なるある波長の変化を受ける。
【0010】複屈折を生じかつ光弾性材料の同一の基板
における第2の濾波段が設けられた音響光学フィルタを
作ることが可能であり、2段の装置は、単一段のフィル
タよりも大きな通過帯域外の減衰を特徴とするスペクト
ル応答カーブを呈し、かつ低減した伝送サイドローブを
有する。2段の装置においては、更に、第2段は、音波
周波数に対応する量だけ第1段に生じる光周波数の変動
を補償することができ、そのため初期周波数を復元す
る。
【0011】2段の平面導波路の集積音響光学フィルタ
(two−stage planar−wavegui
de integrated acoustoopti
cal filter)は、出願人名義の米国特許第
5,381,426号(図1B)に開示され、この装置
は、能動モード・ロッキング・レーザのキャビティ内の
制御された波長選択フィルタとして使用されるため提供
される。
【0012】Cheung等の名義の米国特許第5,0
02,349号は、LiNbO3基板上の平面導波路の
集積音響光学装置を開示している。図2Aに示されるそ
の1つの変更例では、この装置は、2つの偏光独立型音
響光学フィルタを同じ基板上に整合することにより作ら
れ、前記フィルタの各々は、音響光学的相互作用段の前
後でTE成分およびTM成分の2つをそれぞれ分離して
再結合するための2つの導波路偏光スプリッタ(wav
eguide polarization split
ter)を含む。この偏光分離特性を校正するために、
偏光スプリッタはそれぞれ電極が設けられ、各偏光スプ
リッタを毎に1つの独立的な調整が前記電極によって行
われる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】出願人は、偏光スプリ
ッタを介する4回の通過によってこの装置を通過する際
に光信号が受ける減衰が単一段装置の約2倍であること
に注目した。
【0014】出願人はまた、電気的調整回路および制御
回路が必要となるが、前記装置が校正電極の存在の故に
複雑になることを観察した。
【0015】更に、電極がない場合、各スプリッタの伝
送が偏光には依存しない許りでなく構造公差の結果とし
て波長にも僅かに依存し、各スプリッタ毎に、伝送され
た偏光成分の低い減衰に対応する波長間隔が僅かに異な
ることになる。幾つかのスプリッタを直列に配置するこ
とにより、全体的に低い減衰帯域が各個のスプリッタの
低減衰間隔の交差点まで低下する。直列の4つの偏光ス
プリッタの存在のため、この装置は、先に列記した用途
の要件と比較して、過剰の減衰、あるいは少なくとも低
減した同調間隔を呈することになる。
【0016】更にまた、上記装置の全長が単一段装置の
少なくとも2倍となり、これにより最も広く入手可能な
LiNbO3基板の制限された大きさに対して限界的な
嵩に達する。
【0017】2段平面導波路の集積偏光独立型音響光学
フィルタもまた、F.Tian等の「Journal
of Lightwave Technology第1
2巻、第7部」(1994年7月、1192〜1197
ページ)の論文に開示されている。このフィルタは、偏
光が相互に直角をなす並列に動作するLiNbO3基板
上の2つの単一偏光フィルタと、2つの直角の偏光に従
って光信号成分を分離し再結合する2つの偏光結合器/
スプリッタとを含む(図2B)。
【0018】単一偏光フィルタは、それぞれTE通過/
TM通過型偏光子を含む。
【0019】TM通過偏光子(TM pass pol
arizer〕は、特に、2つの1.5mm長さの領域
において両側の導波路に隣接する導波路からなり、異常
屈折率が基板を形成する材料におけるよりも大きい。こ
れは、TM偏光成分は構造体を通過し得るが、案内され
なくなったTE偏光成分を基板に外結合させる(out
ercoupled)。
【0020】異常屈折率の増大は、H+イオンによる基
板中のLi+イオンの一部の置換を行うように、前記領
域を予め定めた期間適切な温度で酸性溶液と接触するよ
う露呈させ、以降の任意の熱的アニーリング工程を実施
することからなる陽子交換手法(proton exc
hange technique)によって獲得され
る。
【0021】上記論文の場合、陽子交換は、15.5時
間の期間にわたり250℃の希釈安息香酸中で実行さ
れ、330℃で4時間の熱的アニーリングが後続した。
【0022】出願人の実験は、特にフォトリトグラフ法
マスクの定置に要求される高精度と陽子交換プロセスを
パラメータ制御するための制限された許容範囲の故に、
上記の種類の陽子交換偏光子の製造が非常に厳しいこと
を示した。
【0023】更に、偏光子のスペクトル特性の時間的不
安定性が注目された。
【0024】更にまた、TMおよびTE通過タイプの偏
光子の製造が、各偏光子タイプに対して異なりかつ装置
の他の構成要素の製造のため要求されるものとは異なる
特定のプロセス工程を要求し、これが装置の生産プロセ
スを長くかつ複雑なものにする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は、製造が簡単
で、大きさが小さく、広い同調間隔が供され、かつ時間
的に安定するスペクトル特性を呈する波長選択のための
音響光学的導波装置を構成する。
【0026】本発明は更に、波長選択のための音響光学
的導波装置を製造する簡単かつ信頼し得るプロセスを構
成する。
【0027】本発明は、一特質によれば、波長選択のた
めの音響光学的導波装置に関するものであり、形成され
る複屈折性および光弾性材料の1つの基板を含み、光信
号がその上を移動する少なくとも1つの導波路を含む第
1の波長間隔における光信号の偏光面の第1の回転段
と、光信号がその上を移動する少なくとも1つの光学的
導波路を含む第2の波長間隔における光信号の偏光面の
第2の回転段と、単一の偏光選択要素を担持する前記第
1と第2の段を接続する少なくとも1つの光学的導波路
と、偏光選択要素を担持する前記第2の段の下流側の少
なくとも1つの光学的導波路とを含む音響光学的導波装
置において、前記単一の偏光選択要素がエバネッセント
波の偏光結合器からなることを特徴とする。
【0028】望ましい解決法において、前記第1段およ
び第2段の少なくとも一方は、表面超音波(surfa
ce acoustic wave;表面弾性波)を生
成する手段を含み、最も望ましくは、前記基板は、前記
第1段および第2段の前記光学的導波路の1つの少なく
とも1つの部分を含む音響光学的導波路からなってい
る。
【0029】特定の実施例においては、当該音響光学装
置は、前記第1段の前記光学的導波路を含む基板部分に
延在する第1の音響導波路と、前記第2段の前記光学的
導波路を含む基板部分に延在する第2の音響導波路とを
含む。
【0030】望ましくは、表面超音波を生成する前記手
段は、前記音響導波路における前記音波の一方向の伝播
を生じるように音響導波路の少なくとも1つの一端部に
近くに配置され、望ましくは、前記音響導波路を横切っ
て配置された一連の相互に組合った電極を含み、前記音
響光学装置は、前記音響導波路の前記端部に配置された
音響吸収部を含む。
【0031】本装置は更に、表面超音波を生成する前記
手段が配置される端部とは反対側の前記音響導波路の端
部に配置された音響吸収部を含む。
【0032】あるいはまた、表面超音波を生成する前記
手段は、それぞれ第1の交番する電圧信号と、前記第1
の電気信号を一方向の音波を生じるように90°にわた
り前記第1の電気信号をオフセットすることにより得ら
れる第2の電気信号とが供給される、相互に予め定めた
距離に配置された2連の相互に組合った電極からなり得
る。
【0033】本装置は、望ましい実施例において、前記
第1段および第2段の各々における2つの並列の光学的
導波路と、前記第1段と第2段間の2つの光学的接続導
波路とを含み、各光学的接続導波路が2つの相互に直角
をなす偏光要素の一方を伝送させるための単一の偏光選
択要素を担持し、前記単一の偏光選択要素の少なくとも
一方がエバネッセント波の偏光結合器からなっている。
【0034】本例において、前記単一の偏光選択要素の
一方は、TE通過偏光子でよく、第1段と第2段間の対
応する光学的接続導波路に重なる金属層を含み得、その
間にバッファ層が存在する。
【0035】あるいはまた、前記単一偏光選択要素の両
方がエバネッセント波偏光結合器からなることができ
る。
【0036】最後に述べた代替的解決法においては、前
記の両方のエバネッセント波偏光結合器は、それぞれの
通過する偏光に対するバー伝送結合器でよく、あるいは
前記エバネッセント波偏光結合器の一方は、通過する各
偏光に対するバー伝送結合器でよいが、前記エバネッセ
ント波偏光結合器の第2のものは、通過する各偏光に対
する交差伝送結合器であり、前記第2のエバネッセント
波偏光結合器は、湾曲した導波路部分によりそれぞれの
光学的接続導波路に接続されることが望ましく、それぞ
れの接続導波路とゼロでない角度を形成する直線状の中
心部分を含む。
【0037】望ましい実施例においては、前記の複屈折
性および光弾性材料がLiNbO3であり、前記実施例
においては、前記光学的導波路およびエバネッセント波
偏光結合器は、フォトリトグラフ法マスキング、金属層
のデポジション、およびその後の基板内の金属の拡散法
によって作られることが望ましく、前記金属はチタニウ
ムであることが望ましい。
【0038】別の特質においては、本発明は、波長選択
のための音響光学的導波装置を製造するためのプロセス
に関するものであり、複屈折性および光弾性材料から作
られた1つの基板上に、第1の金属の前記基板内の拡散
によって少なくとも1つの音響導波路を形成するステッ
プと、フォトリトグラフ・デポジション、および基板自
体の内部における第2の金属のその後の拡散によって前
記基板上に第1および第2のエバネッセント波偏光結合
器を、ならびに前記偏光結合器間の接続のための、前記
音響導波路に少なくとも部分的に含まれる少なくとも1
つの光学的導波路を形成するステップと、前記光学的接
続導波路に沿って1つの単一偏光要素を形成するステッ
プと、前記基板に対して第3の金属のフォトリトグラフ
・デポジション法により前記音響導波路の少なくとも1
つの内部に相互に組合った電極を含む電気音響的トラン
スジューサを形成するステップとを含むプロセスにおい
て、単一の偏光選択要素を形成する前記ステップが、前
記第1および第2の偏光結合器と前記光学的接続導波路
とを形成する前記ステップに含まれ、かつ第3のエバネ
ッセント波偏光結合器の形成ステップを含む。望ましく
は、前記第1、第2および第3のエバネッセント波偏光
結合器は相互に同じものである。
【0039】望ましい変更例においては、このプロセス
は、前記第1および第2の偏光結合器間の第1および第
2の光学的接続導波路の前記第2の金属の前記基板内部
のフォトリトグラフ・デポジションおよびその後の拡散
による前記基板上の形成を含み、前記光学的導波路は、
少なくとも部分的に前記音響導波路に含まれ、かつ前記
光学的接続導波路の各々に沿った1つの単一偏光選択要
素の形成を含む。
【0040】望ましくは、前記偏光選択要素を形成する
前記ステップは、前記第1および第2の偏光結合器およ
び前記光学的接続導波路の前記形成ステップに含まれ、
かつ前記第1および第2の光学的接続導波路に沿って第
3および第4のエバネッセント波偏光結合器をそれぞれ
形成することからなっている。
【0041】最も望ましくは、前記第1、第2、第3お
よび第4のエバネッセント波偏光結合器は相互に同じも
のである。
【0042】添付図面に関する以降の記述から更なる詳
細が明らかになるであろう。
【0043】
【発明の実施の形態】導波路集積音響光学フィルタは、
同じ出願人の名義における米国特許第5,381,42
6号に開示されている。同フィルタについては、前記米
国特許の図3に対応する図2に関して記載される。
【0044】フィルタ16は、x軸に対して直角に裁断
されたLiNbO3結晶を用いる基板18からなり、そ
の上に問題となる波長帯域(1530<λ<1560)
におけるy軸伝播配向の単一モードを持つ光チャンネル
導波路19がチタニウム拡散によって作られ、これによ
り基板中のニオブ酸リチウム(lithium nio
bate)の屈折率が要求される経路内に光信号を閉込
めるように局部的に増加される。
【0045】光導波路19に沿って1対の音響光学的ト
ランスジューサ20が存在し、このトランスジューサ
は、印加される電気的励起後の圧電作用によって結晶中
を伝播する音波を生じるため交互に配置され導波路に対
して重ね合わされた幾つかの櫛形電極(comb el
ectrode)21を持つ金属板からなる。
【0046】中心領域22に音波をガイドするように中
心領域に関して2つの側面領域23を介する音波の伝播
速度を増すために、チタニウムがニオブ酸リチウム基板
中に拡散される前記2つの側面領域によって限定された
音響導波路22が光導波路19の側面に対して画定され
る。
【0047】2つのTE通過偏光子24は、電極21の
上流側および導波路19の終端部に沿って、かつ電極2
1自体の下流側に存在するが、TM通過偏光子25は2
つの偏光子24間の中間位置に存在する。
【0048】TE通過偏光子24は、例えば光導波路1
9に予め定めた厚さで塗布され金属層で被覆されたシリ
カ(silica)で作られた誘電体層により形成さ
れ、これらの偏光子は、基板結晶の表面に偏波された光
信号のTEモード成分のみの通過を可能にする。
【0049】TM通過偏光子25は更に、長さが数ミリ
メートルにわたって導波路の側面に作られた2つの陽子
交換領域で形成され、この偏光子は基板結晶の表面と直
角をなす面内で偏波された光信号のTMモード成分のみ
の通過を可能にする。
【0050】電極21とは反対側にはTM通過偏光子2
5から予め定めた距離に音響吸収部26が存在し、この
吸収部は音波を吸収して、従って音波が光波と更に相互
作用することを防止するために結晶表面に塗布された遮
音材料層で形成される。
【0051】音響光学フィルタを制御するRF(無線周
波)発生器が、所定の範囲(1530<λ<1560)
内の通過帯域中心の波長の選択のため170MHz乃至
180MHz間で選択可能な周波数を有する。
【0052】この装置の動作は、光導波路に沿って伝播
し、適切な帯域内の波長を有する偏波光信号のTE成分
とTM成分(および、その逆)間の変換に基く。この変
換は、光波と同じ方向に音響導波路22に沿って伝播す
る音波と光信号との相互作用によって行われる。導波路
19の上流側に配置された偏光子24に進入する光信号
のTE成分のみが導波路自体へ伝送される。偏光子25
の上流側の第1のガイド部分に沿って、音波パラメータ
により決定される通過帯域に含まれる波長がTE偏波か
らTM偏波へ変換される。対照的に、この帯域外の波長
は変換されず、基板面内にその偏波を保持する。従っ
て、先に述べた波長は偏光子25によって止められ、前
記通過帯域内の波長をもつ信号のTM成分のみを伝送
し、その偏波は音波との相互作用によって変換された。
偏光子25の下流側の導波路部分はフィルタの第2段と
して働き、音波の終端が導波路22内を伝播してTM光
信号と相互作用する。この第2段は第1段と同じ動作を
有するが、相互に交換された偏波を行う。前記通過帯域
内の波長をもつ信号は、TM偏波からTE偏波へ変換さ
れ、導波路19の下流側で偏光子24によって伝送さ
れ、通過帯域外の信号は前記偏光子24によって止めら
れる。
【0053】2段導波路の集積偏波独立型音響光学フィ
ルタは、Journal of Lightwave
Technologyに刊行されたF.Tian等の先
に述べた論文に開示されている。
【0054】図4に示されるように、この装置に対する
入力信号は、基板に形成された導波路偏光結合器により
TEとTMの2つの成分に分離される。偏光結合器から
のこの2つの出力は2つの2段フィルタに接続され、こ
れらフィルタの各々はTM通過とTE通過の2つの段間
にそれぞれ偏光子を有する。前記2つのフィルタは、同
じ音響導波路に沿って基板上に並列に配置され、適切な
相互に組合ったトランスジューサにより生じる音波が光
信号と同じ方向に伝播する。この2つの2段フィルタの
出力は、最後に偏光結合器によって組合わされる。音響
吸収部は、残留する表面超音波を減衰させる目的のため
音響導波路の終端に配置される。
【0055】TM通過偏光子は、特に、両側で光導波路
に隣接して約1.5mm長さの2つの領域における陽子
交換によって作られる。この陽子交換は、異常屈折率を
成長させ、その結果TE成分はもはや案内されずに基板
中で分散されることになる。対照的に、TM成分は小さ
な損失で偏光子を通過する。
【0056】出願人の実験は、この種の陽子交換偏光子
の製造が音響光学装置の全製造過程を特に厳しいものに
することを証明した。
【0057】出願人は、LiNbO3基板上にTM通過
偏光子のサンプルを作り、この基板上で単一モードの光
導波路が1030℃で9時間チタニウムの拡散によって
形成された。偏光子は、2乃至7時間の範囲の期間にわ
たり230℃乃至240℃の範囲内の異なる温度で希釈
しない安息香酸におけるマスキングおよびその後の陽子
交換によって生成された。光導波路の両側に配置された
陽子交換を受ける2つの領域間の距離は、12μm乃至
13.5μmであった。
【0058】得られたサンプルにおける消光率(ext
inction ratio;全出力電力に対する、減
衰した成分、この場合TE成分に対する装置の出力電力
の比)の値は、−25.3dB乃至−3.9dBの間に
あった。対照的に、伝送された偏光(この場合、TM成
分)に対する減衰値は非常に低い値から1.1dBまで
の範囲にわたった。
【0059】一部のサンプルは、15乃至90分の期間
だけ320℃で後の熱的アニーリング工程(annea
ling step)を受け、これにより−25dB乃
至−20dBの間の値までの消光率における低減を略々
達成したが、同時に2dB程度の値までのTM成分に対
する減衰の増加を達成した。
【0060】2段の音響光学フィルタにおいては、第1
段と第2段との間に配置された偏光子に対する消光率の
値が、全体として装置に対する残留する暗騒音値を決定
し、この場合残留暗騒音とは、装置を通過する際の伝送
帯域外の波長を持つ信号が遭遇する最大減衰を意味す
る。
【0061】2段の音響光学フィルタにおいて用いられ
る偏光子は、同時に−20dBより低い消光率と、0.
5dBより低い伝送モードに対する減衰とを持たねばな
らない。
【0062】出願人は、陽子交換を受ける領域の閉込め
のための基板上のフォトリトグラフ・マスクの配置に
は、導波路の製造中のチタニウム拡散の閉込めのため使
用される如き、あるいは相互に組合った電極とTE通過
偏光子に対して用いられる如き音響光学装置の他の製造
工程において必要とされるフォトリトグラフ・マスクに
対して要求されるよりもはるかに高い精度を必要とする
ことを観察し得た。陽子交換プロセスおよび以降のあり
得る熱的アニーリング工程を制御する全てのパラメータ
もまた非常に厳しいことを証明しており、1つのパラメ
ータにおける非常に小さな変動さえも要求される規格を
満たすものではなく従って棄却される偏光子を結果とし
て生じることがある。
【0063】更に、製造されたTM通過偏光子の一部
は、数時間80℃より高い温度に曝され、時間に関する
スペクトル応答における著しい変化を呈した。図5に
は、20時間の間100℃の温度への露呈前(a)と露
呈後(b)に測定された偏光子の1つに対する消光率を
示すグラフが示される。波長が高くなるに伴う約25n
mのスペクトル・カーブの変位と、その後の各波長にお
ける消光率における数dBの変化とが認められる。同じ
熱処理を受けた幾つかの異なる偏光子においてばらつき
を観察することができ、スペクトル応答カーブの変位は
20乃至30nmの範囲内に含まれる。
【0064】陽子交換にょり作られたTM通過偏光子の
スペクトル応答におけるばらつきもまた比較的長い時間
において比較的低い温度で生じ、これらの構成要素の使
用を危うくする一因をなす。
【0065】高温度に対する露呈によるスペクトル応答
カーブにおける恒久的なばらつきに加えて、陽子交換に
よって作られたTM通過偏光子もまた、温度に対するス
ペクトル応答の逆の種類の依存性を呈する。例えば10
℃と30℃の温度における偏光子に対する消光率のスペ
クトル・カーブを再生する図6は、ある波長において1
0dBに達するばらつきを呈する。
【0066】出願人はまた、F.Tian等の先に述べ
た論文に記載された音響光学フィルタの製造のためのプ
ロセスが、光導波路、結合器および偏光結合器、音響導
波路および組合い型トランスジューサの製造に必要なプ
ロセス工程に加えて、当該装置において用いられる偏光
子、即ちTM通過およびTE通過偏光子の各々に対する
特定のプロセス工程を提供する必要により長くなりかつ
複雑になることを見出すことができる。
【0067】本発明による2段導波路の集積音響光学装
置について、図7に関して次に記述する。
【0068】基板30上に、下記の構成要素が形成され
る。即ち、チャンネル光導波路31は基板縁部に一端部
を有し、例えば適当に接続された光ファイバを介して装
置に入力される光信号を受取るようにされ、導波路31
の他端部は偏光結合器32のアクセス・ガイド(acc
ess guide)1に接続され、光導波路28は基
板縁部に一端部を持ち、他端部は結合器32のアクセス
・ガイド4に接続され、結合器32のアクセス・ガイド
3は導波路(waveguide)35に接続されて偏
光結合器40のアクセス・ガイド4と接続し、結合器4
8のアクセス・ガイド3は導波路36に接続されて結合
器37のアクセス・ガイド4と接続し、最後に述べた結
合器のアクセス・ガイド2は導波路38に接続されて基
板縁部で終端をなし、例えば光ファイバとの結合を介し
て光信号出力を可能状態にし、結合器37のアクセス・
ガイド3は最後に導波路29に接続されて基板終端で終
わる。
【0069】基板30上には、光導波路35、36に対
して対称的に配置された2つのストリップ42、43に
より閉込められた光導波路35、36を含む基板部分上
に延在する音響導波路41も形成され、これにおいて
は、音波速度は導波路41におけるよりも高く、音響導
波路41内部に表面超音波を生じるため結合器32に接
続された導波路35の終端に近い音響導波路41に沿っ
て配置された電気音響トランスジューサ44、音響導波
路41に沿って結合器37に接続された導波路36の終
端に近い、残留表面超音波を吸収するための音響吸収手
段45、および音響導波路41に沿って結合器32に接
続された導波路34の終端に近い、光信号の方向とは逆
方向に伝播するトランスジューサ44により生じる音波
を吸収するための音響吸収手段46も形成される。
【0070】出願人により作られた音響光学装置におい
ては、光通信のため特に関心のある略々1550nmを
中心とする少なくとも100nmの光波長帯域において
室温で動作するように製造パラメータが選択された。特
に、光導波路、偏光結合器および音響導波路で伝送され
る音波の適切なパラメータ値を選定することによって、
当業者は、他の温度あるいは他の波長帯域、例えばこれ
もまた光通信に対して関心となる約1300nmの波長
帯域に対して当該装置を適応させることが可能である。
【0071】基板30は、x軸と直角に裁断されたLi
NbO3結晶で形成され、導波路31、35、36、3
8および偏光結合器32、40、37の導波路5が結晶
のy軸に沿って配向される。
【0072】LiNbO3の代わりに、別の複屈折性お
よび光弾性材料も基板に対して用いることができる。可
能な材料は、例えばLiTaO3、TeO2、CaMoO
4である。
【0073】音響導波路を限定する帯域における音波の
速度における増加は、基板中の適切な物質の拡散によっ
て得ることができる。
【0074】出願人により作られた装置においては、約
30mmの全長の音響導波路41が、110nmの距離
だけ相互に分離された基板ストリップ42、43を閉込
めるフォトリトグラフ・マスクの生成、閉込められた面
内で160nmの厚さのチタニウム層のデポジション、
および1060℃の温度の炉内で31時間の期間におけ
るその後のチタニウムの拡散によって作られた。拡散の
効果により、音波の速度は約0.3%だけ増加され、そ
の結果、領域42、43の作用によって、音波が導波路
41に沿って閉込められる。この導波路は、用いられた
音波に対する単一モードの導波路である。音波に対する
減衰係数は約0.1dB/cmである。
【0075】光導波路および偏光結合器は、屈折率を増
加することが可能な物質の基板中の拡散によって作るこ
とができる。
【0076】出願人により作られた装置においては、光
導波路および偏光結合器は、フォトリトグラフ・マス
ク、105nm厚さのチタニウム層のデポジション(d
eposition)、および1030℃の温度で9時
間にわたるその後の拡散によって得られる。
【0077】光導波路においては、フォトリトグラフ・
マスクは約7.0μmの幅の開口を有する。
【0078】多数のこの形式の直線型導波路についての
伝送テストが、TM成分に対して約0.03dB/cm
およびTE成分に対して0.07dB/cmの減衰値を
呈した。
【0079】偏光結合器32、37、40は、平坦基板
上のエバネッセント波結合器(evanescent−
wave coupler)である。
【0080】エバネッセント波結合器とは、2つの導波
路間の放射の結合および相互間の光パワーの伝送を可能
にするように、各導波路が他の導波路で伝播する放射の
エバネッセント波以内である程度まである部分にわたり
相互に接近した2つの光導波路からなる装置を意味す
る。
【0081】偏光スプリッタを作るためニオブ酸リチウ
ム基板上にエバネッセント波結合器を用いることは、例
えば、参考のため本文に援用される「Applied
Physics Letters」第55巻、第10部
のA.Neyerの論文(1989年9月4日、927
〜929ページ)から公知である。
【0082】本発明の装置に使用するため提供されるエ
バネッセント波偏光結合器(evanescent−w
ave polarization coupler)
は、図8に示される図に従って作られる。これら結合器
は、相互に並列でありかつ距離Cだけ相互に分離され、
それぞれ単一モードのアクセス導波路1、2および3、
4に接続された長さLcの2つの単一モード導波路から
なる。導波路5の2つの外縁部間の距離はDにより示さ
れる。導波路1〜5は、導波路31、35、36、38
と同じ幅を有する。同じ角度θが、アクセス導波路1と
4間およびアクセス導波路2と3間に存在する。アクセ
ス導波路1と4の中心線間の最大距離は、Aにより示さ
れる。アクセス導波路2と3の中心線間の最大距離は、
Bによって示される。Eは、結合器の全長を表わす。
【0083】距離Cは、2つの導波路5間の放射の結合
を可能にするのに充分に小さく選定される。特に、C=
0である結合器を作ることが可能であり、この場合2つ
の平行な導波路が、全幅=Dの単一の2モード導波路5
によって置換される。以降の記述においては、この場合
が参照され、C>0なる場合に対する一般化は当業者に
とっては明らかである。
【0084】エバネッセント波偏光結合器の動作は下記
の如くである。即ち、例えばアクセス導波路1からの導
波路5に対する単一モード光信号が、導波路5における
基本的な対称モードと第1次の非対称モードの両方を励
起し、2モードの導波路5に沿って、有効屈折率は2つ
のモードの各々に対して相互に異なり、かつ各モードに
対しては、TEとTM偏波のそれぞれに対して異なり、
この2つのモードが導波路5に沿ってTEおよびTM成
分に対してそれぞれ成長する位相差ΔΦTEおよびΔΦTM
と干渉して、偏光に依存する行程を持つ光パワーにおけ
るうなりを生じ、従って導波路5の出力では、2つの偏
光が長さLcおよび有効屈折率に影響を及ぼすパラメー
タの適切な選定に対する2つの単一モード導波路2と3
に沿って分離することができる。
【0085】製造されたエバネッセント波偏光結合器に
おいては、下記のパラメータ値が選定された。即ち、 C=0μm D=14μm E=5nm 0=0.55° 当装置から出るTE成分とTM成分間の有効な分離のた
めに、距離AおよびBは、上記のパラメータを持つ偏光
結合器に対しては少なくとも30μmでなければならな
い。
【0086】出願人により作られた装置においては、結
合器32、40、37に対する値AおよびBは30μm
である。
【0087】また、音波より高い速度における導波路3
5、36と領域42、43間の距離は、材料の光学的特
徴および導波路の諸元寸法に従って、最小距離より大き
くなければならない。基板と光導波路の双方が出願人に
より作られた装置のそれと類似する場合には、チタニウ
ムの拡散により基板より高い光学的屈折率を持つ領域4
2、43に対して光信号の一部を結合することから結果
として生じる光損失を避けるために、前記距離は少なく
とも35μm、望ましくは少なくとも40μmである。
【0088】結合器32のアクセス導波路2および結合
器40のアクセス導波路2は、他のアクセス導波路より
も大きな長さで作られる。これらの導波路からの放射
は、基板より高い屈折率を持つ音響導波路を閉込めるス
トリップ42を介して伝播し、ストリップ面からの拡散
により、あるいはストリップ自体の終端におけるフレネ
ル損失(Fresnel losses)によりストリ
ップ42から放出する。
【0089】これらのアクセス導波路に沿って伝播する
放射の吸収を改善するため、例えば各導波路上に3また
は4mmの長さにわたって金属層を被着することにより
作られる光吸収部51を用いることができる。この光吸
収部は、電気音響トランスジューサが作られる同じプロ
セス行程の間に作ることができる。
【0090】エバネッセント波偏光結合器32、40、
37に対する光学的値Lcを確立するために、実験テス
トが行われ、その結果が図9に要約される。
【0091】図8に示された図に従って幾つかの異なる
エバネッセント波結合器が作られ、この結合器は上記パ
ラメータ値と、140μm乃至540μmの範囲内の長
さLcとを持つ。
【0092】μm単位で表わされる長さLcに従って図
9のグラフに再現されているのは、下記の如き規定され
る結合器の測定された分離比SRx(dB単位で表わさ
れる)である。即ち、 SRx=log(Px,1/Px,2) 但し、Px,1は出力導波路の1つ(例えば、アクセス導
波路2)からのx(TEまたはTM)偏波の出力パワー
であるが、Px,2は出力導波路の他方(図示された事例
では、アクセス導波路3)からのx偏波の出力パワーで
ある。
【0093】図9のグラフでは、カーブ61はSRTM
関連するが、カーブ62はSRTEと関連する。この2つ
のカーブは、2つの偏波(polarization)
に対する異なる周期を持つLcの変動下のSRxの周期的
挙動を示す。
【0094】所与の偏波に対する絶対値で表わされる高
い分離比は、2つの出力ポートの一方へのこのような偏
波を持つ成分の略々完全な分離と対応している。この分
離比の正の値は、装置を介するバー伝送、即ち、導波路
5の中心線に関して入力導波路と同じ側に配置された出
力導波路(図8に関して、信号入力がアクセス導波路1
から生じるならば、アクセス導波路2)に信号が略々完
全に指向される伝送と対応する。その代わり、分離比の
負の値は、装置を介する交差伝送、即ち、導波路5の中
心線に関して入力導波路から反対側に配置された出力導
波路(図8に関して、信号入力がアクセス導波路1から
生じるならば、アクセス導波路3)に信号が略々完全に
指向される伝送と対応する。
【0095】カーブ61(TM偏波)の場合は、180
μmの大きさにおけるLcの値に対して再現された最大
値がバー伝送と対応する。
【0096】対照的に、カーブ62(TE偏波)の場合
は、200μm程度のLcの値に対して再現された最小
値は交差伝送と対応している。
【0097】一方の偏波に対するバー伝送と他方の偏波
に対する交差伝送の、同時に両方の偏波に対して絶対値
で表わされる高い分離比が存在する時、Lcの最適値が
得られる。
【0098】上記の考察に基いて、本発明の装置におい
て用いられるべきエバネッセント波偏光結合器に対し
て、Lc=180μmの値が選定され、この値がTM成
分に対して約25dBとTE成分に対して約25dBの
測定分離比を保証し、TM成分に対してはバー伝送、T
E成分に対しては交差伝送となる。
【0099】対応する測定減衰は、TM成分に対しては
約0.4dB、TE成分に対しては約0.5dBであっ
た。
【0100】図10および図11は、TM偏波(TM
polarization)に対して(図10)および
TE偏波(TE polarization)に対して
(図11)それぞれLc=140μmであるエバネッセ
ント波偏光結合器に対する波長に応じた分離比を示して
いる。
【0101】図7の音響光学装置において、結合器32
および37は、これらがTE偏波偏光子として動作する
ように交差伝送を利用するように接続され、結合器40
は、TM偏波偏光子として動作するようにバー伝送(b
ar transmission)を利用するように接
続される。
【0102】電気音響トランスジューサ44は、適切な
周波数の電気信号から始動して、音響導波路41内を伝
播する音波を生じる。(LiNbO3の如き)圧電性基
板の場合、このトランスジューサは、基板30上に被着
された組合型電極で作られることが望ましい。非圧電性
材料から作られた基板の場合は、組合型電極を基板に重
なる圧電性材料上に被着することができる。
【0103】前掲の米国特許第5,002,349号に
示されるように、基板がLiNbO3で作られるなら
ば、電気音響トランスジューサをy軸に対して約5°の
傾斜で配置することができる。
【0104】出願人により作られた音響光学装置におい
ては、電気音響トランスジューサは、約1550nmの
光波長におけるTE/TM間変換のため必要である約1
73.5MHzの周波数を持つ表面超音波のLiNbO3
における波長値である21.6μmの周期性を有する5
対の組合型電極からなっている。電極の周期性を変更す
ることによって、他の波長帯域において動作する音響光
学装置に対するものである電気音響トランスジューサを
作ることが可能であることは明らかであろう。
【0105】組合型電極は、金属(例えば、アルミニウ
ム)を例えば500nmの厚さだけ基板上に被着させる
(depositing)ことにより作ることができ
る。中間のY23層の介挿が下側の光導波路における損
失を低減する上で役立つことが観察でき、約100nm
の厚さの中間層により無視し得る損失を得ることができ
る。この中間層に対してSiO2またはAl23の如き
異なる種類の材料を用いることもでき、また厚さは基板
における音波の生成を損なうことなく下側の光ガイドに
おける損失を最小化するように選定されねばならない。
【0106】音響光学装置は、1500nmまたは16
00nm、即ち1550nmの中心波長から50nmだ
け外れた波長に同調することができ、これにより中心波
長における動作のため必要な50mWに対して組合型電
極に約100mWの電力を供給する。
【0107】本発明による音響光学装置を作るため用い
られるプロセスは、公知技術により装置を作るためのプ
ロセスと比較して著しく簡単になる。特に、TM通過偏
光子が導波路偏光結合器からなるので、残る偏光結合器
と光導波路が作られる同じプロセス工程において、この
偏光子を基板上に刻み込むことができる。
【0108】音響光学装置の場合、2.5dB乃至3.
5dB間に含まれる値の挿入損は、TE偏波を有する信
号に対して決定された(減衰は、装置を通過する際に、
TE偏波と通過帯域の中心と対応する波長とを有する光
信号により生じた)。
【0109】もしまた、導波路と、音響光学装置を光回
路の他の構成要素と接続するため必要な2つの光ファイ
バ部分との間の結合から結果として生じる入出力の減衰
が考えられるならば、TE偏波の信号に対する挿入損は
4.0dB乃至5.0dB間に含まれる値の範囲内にあ
る。
【0110】半分の最大通過帯域幅は、1.2nm乃至
2.0nm間に含まれると結論された。
【0111】通過帯域のサイドローブは、中心伝送ピー
クに関して少なくとも20dBの低減を有する。最も望
ましい場合には、サイドローブにおける25dBの低減
が結論された。
【0112】残留暗騒音(通過帯域害の波長を持つ信号
の減衰)は、25dBより小さい。
【0113】上記の音響光学装置は、規定された偏波の
信号に対して波長制御フィルタとして用いられるもので
あり、特に、この装置は、能動型光ファイバ形式のもの
でよいレーザ・キャビティ内の波長選択フィルタとして
用いられるものである。
【0114】上記の音響光学装置に対して特に有利な構
成は、第1段および第2段の長さが約1:1.6の比に
なるように、これら長さを適当に選定することによって
達成される。このため、第1段に関するスペクトル応答
カーブの最小値は、第2段に関してスペクトル応答カー
ブにおけるサイドローブの最大値と一致し、その結果音
響光学装置における全スペクトル応答カーブは著しく減
衰されることになる。
【0115】異なる長さの2段によって完全なTE→T
M→TE変換を実施するためには、第1段における音響
パワーが第2段における音響パワーより約4dBだけ高
いことが必要である。
【0116】以上のことは、例えば、マイクロリトグラ
フ・プロセスによって、第1段と第2段間の音響導波路
に沿って設けられた適切な音響吸収部による第2段にお
ける音響パワーを減衰させることにより達成することが
できる。
【0117】あるいはまた、音響光学装置の上記の構成
は、結合器40と結合された導波路35の終端に近い音
響導波路41に沿って配置され、かつ残留表面超音波を
吸収するための音響吸収手段46と、結合器40と結合
された導波路36の終端に近い音響導波路41に沿って
配置され、かつ音響導波路41内に表面超音波を生じる
ための第2の電気音響トランスジューサ47と、結合器
40と結合された導波路36の終端に近い音響導波路4
1に沿って配置され、かつ光信号と反対方向に伝播する
トランスジューサ47により生成される音波を吸収する
ための音響吸収手段49とを付設することによって修正
することができる。
【0118】このように、第1段および第2段に伝播す
る表面超音波は、相互に独立的に生成される。このた
め、2つの段における音響パワーは、音響光学装置のス
ペクトル特性を最適化するように異なることができる。
【0119】また、2つの段における表面超音波のこの
ような独立的な制御により、装置に対するより広い通過
帯域を得るように相互に僅かに分離された2つの段にお
ける通過帯域の中心を選択することも可能である。
【0120】最後に、2つの段の独立的な駆動は、音響
光学装置の同調のため必要とされる時間を半分にまで低
減することを可能にする。実際には、音波が装置におけ
る2つの段の長い方を移動するのに要する時間は、音響
導波路全体に沿って伝播するのに必要な時間より短く、
同じ長さを有する段の場合にはこの値の半分である。音
響光学装置が波長分離多重通信システムにおいて多重チ
ャンネル選択のためのフィルタとして用いられる時、よ
り短い同調時間はシステムのより迅速な再構成の利点を
もたらす。
【0121】光信号に関して逆に伝播する表面超音波の
吸収のための音響吸収手段46(および、おそらくは4
9)の使用に対する別の解決法は、電気音響トランスジ
ューサ44(および、任意に47)の代わりに、一方向
性の電気音響トランスジューサを用いることを含む。
【0122】この形式のトランスジューサは、J.H.
Collins等の論文「一方向性表面波トランスジュ
ーサ(Unidirectional surface
wave transducer)」(Procee
dings of theIEEE、1969年5月の
Proceedings Letters、833〜8
35ページ)に示される。
【0123】これらのトランスジューサは、図12に示
される如く、相互に(1/4+n)・λAの距離(但
し、λAは音波の長さ、nは整数)で基板30上に被着
され、90°だけオフセットされた電気信号により駆動
される2連の組合型電極44′および44″によって作
ることができる。発生器71により生成されるRF電気
信号は、一連の電極44′へ入力される。同じ信号は、
回路72による90°の位相遅延を生じた後、一連の電
極44″へ入力される。
【0124】この構成は、一連の電極44′から一連の
電極44″への方向に基板表面上に生成される音波の破
壊的な干渉を生じる。反対に、一連の電極44″から一
連の電極44′への方向には、基板表面上の表面超音波
73の生成による建設的な干渉が存在する。
【0125】一方向性の電気音響トランスジューサの使
用は、音響吸収手段46(および、おそらくは49)を
省略することを可能にし、この手段付近で基板の発熱を
避けることを可能にし、この発熱は通過する音響エネル
ギの発散によるもので、更に電気音響変換の効率を2倍
にすることにより、低減したパワーのRF源を用いるこ
とができる。
【0126】導波路集積音響光学装置の別のバージョン
については、図13に関して次に述べることにする。
【0127】このバージョンによれば、図7に関して述
べた形式の、同じ形態で配置された光導波路と導波路に
おけるエバネッセント波偏光結合器とは、基板30上に
設けられる。
【0128】光導波路34、36は、音響導波路81、
83内部に含まれる基板部分に位置している。
【0129】電気音響トランスジューサ(electr
oacoustic transducer)44、4
7は、音響結合器を形成するように、それぞれ導波路8
1、83に対して並列に配置された音響導波路82、8
4を介して伝播する表面超音波を生成する。
【0130】光導波路の結合器と同じように動作するこ
れらの音響導波路の結合器は、音響導波路が相互に接近
して一方の導波路から他方の導波路への表面超音波の通
過が可能である中心部分を有する。
【0131】例えば、H.Herrmann等の論文
(Electronics Letters、第28
巻、第11部、1992年5月21日刊行、979〜9
80ページ)に開示される如き公知技術によれば、これ
ら結合器は、導波路81、83に沿った表面超音波の強
さの特性がこれら導波路の中心部分に1つの最大値を、
またその終端部に2つの最小値を持つように作られ、光
導波路35、36に沿って伝播する光信号が経路の最初
の半分において成長し経路の第2の半分において強さを
減少する強さの音波と相互に作用する。
【0132】音響吸収部は、音響導波路82、84のど
ちらかの終端部に存在して残留表面超音波と、光信号に
関して逆に伝播する表面超音波とを減衰させる。音響エ
ネルギの散逸による基板のあり得る発熱は、この装置に
おいては光導波路により移動されない基板部分に局在化
され、従って、装置自体の動作のための問題となること
はない。
【0133】代替的な当該バージョンによる音響光学装
置のスペクトル応答カーブは、図7に示された装置より
大きいサイドローブの減衰を有する。
【0134】本発明による2段の集積導波路の偏波独立
型音響光学装置(polarization inde
pendent acousto−optical d
evice)については、次に図14に関して記述する
ことにする。
【0135】下記の構成要素は基板30上に存在し、チ
ャンネル光導波路31は基板エッジに一端部を持ち、例
えば、適当に接続された光ファイバを介して装置へ入力
される光信号を受取るようになっており、31の他の端
部は偏光結合器32のアクセス導波路1に接続され、光
導波路28は基板の縁部に一端部を持ち、他端部は結合
器32のアクセス導波路4に接続され、結合器32のア
クセス導波路2は導波路33、TE通過偏光子39およ
び導波路34を介して、偏光結合器37のアクセス導波
路1に接続され、結合器32のアクセス導波路3は導波
路35に接続されて偏光結合器40のアクセス導波路1
と接続し、結合器40のアクセス導波路2は導波路36
と接続されて結合器37のアクセス導波路4と接続し、
結合器37のアクセス導波路2は導波路38と接続され
て基板縁部で終端して、例えば光ファイバとの接続を介
して光信号出力を可能にし、最後に、結合器37のアク
セス導波路3は導波路29に接続されて基板終端で終端
する。
【0136】また基板30上には、光導波路33、3
4、35、36を含む基板部分上に延在して、音波の速
度が導波路41におけるよりも高い2つのストリップ4
2、43により閉込められた音響導波路41と、結合器
32に接続された導波路33、35の終端近くで音響導
波路41に沿って配置され、音響導波路内に表面超音波
を生じるための一方向性の電気音響トランスジューサ4
4′、44″と、結合器37に接続された導波路34、
36の終端近くで音響導波路41に沿って配置され、残
留表面超音波を吸収するための音響吸収手段45とが形
成される。
【0137】出願人により作られた偏波独立がた音響光
学装置においては、同じ材料が用いられ、図7に関して
先に述べた音響光学装置のそれと同じ構造パラメータ値
が選択された。
【0138】公知の複屈折性および光弾性材料(pho
toelastic material)から選択され
た異なる材料および異なるパラメータ値は、異なる動作
条件における、特に通過帯域の中心波長に関する限り、
装置の動作を最適化するように、当業者によって選定す
ることができる。
【0139】出願人により作られた装置においては、基
板30は、x軸と直角に裁断されたLiNbO3結晶か
らなり、導波路31、33、34、35、36、38お
よび偏光結合器32、40、37の導波路5の部分は、
結晶のy軸に沿って配向されている。
【0140】音響導波路、光導波路および偏光結合器
は、基板を介するチタニウムのデポジションおよびその
後のデポジション(deposition)によって作
られる。これらの構成要素に対する寸法および製造の諸
相は、図7に関して述べた装置について記述したものと
同じである。
【0141】更に、導波路自体を伝播する信号のサイド
・テール(side tails;エバネッセント波)
の重なり、およびその結果の導波路間の信号干渉結合を
避けるために、光導波路33、35および34、36は
それぞれ最小距離だけ分離されねばならない。この距離
は、用いられる材料の光学的特性(特に、屈折率)およ
び導波路のサイズに応じて、当業者によって選定され
る。基板および光導波路が出願人により作られた装置の
それと類似する場合は、この最小距離は約40μmであ
る。音響導波路の中心線に近い最大音響強さの領域内に
導波路を保持する要件と一致するように、光導波路間の
距離に対するより大きな値を選定することができる。
【0142】また、導波路33、34および音波のより
大きな速度における領域42との間の距離、またそれぞ
れ導波路35、36と音波のより大きな速度の領域43
との間の距離は、材料の光学的特性および導波路のサイ
ズに従って、最小距離より高くねばならない。基板と光
導波路が出願人により作られた装置と同じである場合、
チタニウムの拡散により基板のそれより高い光学的屈折
率を持つ領域42、43に対する光信号の部分の結合の
結果として生じる光損失を避けるために、この距離は少
なくとも35μm、望ましくは少なくとも40μmであ
る。
【0143】出願人により作られる装置において、結合
器32に対するA、結合器40に対するAおよびB、お
よび結合器37に対するBは、30μmの値を有する。
その代わり、結合器32に対するBおよび結合器37に
対するAの値は30μmである。
【0144】結合器40の導波路3は、他のアクセス導
波路より長く作られる。この導波路からの放射は、基板
より高い屈折率を持つ音響導波路を閉込めるストリップ
43に伝播して、このストリップ表面からの拡散によ
り、あるいはストリップ自体の終端におけるフレネル損
失によりストリップ43から放出する。
【0145】このアクセス導波路に沿って伝播する放射
の吸収を改善するために、例えば導波路に対する3また
は4mmの長さにわたる金属層のデポジションによって
作られる光吸収部51が用いられる。この光吸収部は、
電気音響トランスジューサを作るために提供されるプロ
セス工程において作ることができる。
【0146】公知の原理(例えば、F.Tian等の前
記論文参照)により作られるTE通過偏光子39は、図
15に断面で示される。この偏光子は、他の導波路およ
び偏光結合器と同時に作られる既に述べたと同じ形式の
単一モード光導波路101の長さが約1.5mmの部分
からなり、その上にSiO2から作られた17nmの厚
さのバッファ層102と100nmの厚さのアルミニウ
ム層103とが約30μmの幅にわたって被着される。
偏光子39は、25dBより大きな消光率を持ち、0.
5dBより低い減衰で放射のTE成分を供給する。先に
述べたTE通過偏光子は、1550nm付近の帯域に含
まれる波長の放射による動作のため最適化される。
【0147】当業者は、構造パラメータ、特にバッファ
層の厚さあるいは材料を適合させることにより、異なる
波長に適するTE通過偏光子を作ることができるであろ
う。
【0148】出願人により作られた音響光学装置におい
ては、一方向性の電気音響トランスジューサが、相互に
約5μmだけ隔てられた、約1550nmの光波長にお
けるTE/TM間の変換のため必要である約173.5
MHzの周波数を持つ表面超音波のLiNbO3における
波長値である21.6μmの周期性を有する5対の相互
に組合った電極の2連の44′、44″を含んでいる。
電極の周期性を修正することにより、他の波長帯域にお
いて動作する光フィルタに適する電気音響トランスジュ
ーサを作ることが可能なことは明らかである。相互組合
型電極は、図7の装置に関して既に述べた様相に従って
作られる。
【0149】先に述べた音響光学装置の場合は、2.5
dB乃至3.5dBに含まれる値の挿入損(装置を通過
する際、通過帯域中心と対応する波長の光信号が遭遇す
る減衰)が決められた。
【0150】また、当該装置の光回路の他の構成要素と
の接続のため必要な導波路と2つの光ファイバ部分間の
結合の結果として生じる入出力の減衰が考えられるなら
ば、挿入損は4.0dB乃至5.0dBの値に達する。
【0151】通過帯域の半分の最大幅は、1.2nm乃
至2.0nm間に含まれると決められた。
【0152】通過帯域のサイドローブは、中心伝送ピー
クに関して少なくとも20dBの低減を有する。最も好
ましい場合において、サイドローブにおける25dBの
低減が決められた。
【0153】偏波依存損(polarization
dependent loss)(直角偏波による光信
号の2つの成分間の減衰における差)は、0.5dB乃
至1.0dB間に含まれる値に制限される。
【0154】残留暗騒音(通過帯域害の波長を持つ信号
の減衰)は、−25dBより低い。
【0155】先に述べた偏波独立型音響光学装置は、波
長制御されるフィルタとして使用されるものである。特
に、この音響光学装置は、WDM光通信システムにおけ
るチャンネル選択のためのフィルタとして使用されるも
のである。異なる周波数の幾つかの電気信号の重なりで
ある電気信号による電気音響トランスジューサの駆動に
より、駆動用電気信号の異なる周波数成分と同数の幾つ
かの異なる波長間隔の和からなるフィルタに対する通過
帯域が得られ、この場合前記間隔の各々の中心と対応す
る導波路は駆動用電気信号の前記成分の周波数に依存す
る。このように、音響光学フィルタは、駆動用電気信号
により制御されるべき異なる波長の幾つかのチャンネル
の同時の選択のために使用することができる。
【0156】先に述べた偏波独立型音響光学装置は、パ
ルス光通信システムにおけるパルスの形状を再現するた
めにも使用される。
【0157】また、先に述べた偏波独立型音響光学装置
の場合にも、例えば、偏光子39と結合器40に接続さ
れて音響導波路41内に表面超音波を生じるための導波
路34、36の終端に近く音響導波路41に沿って配置
される図12に関して述べたトランスジューサと同じ方
法で作られる2連の相互組合型電極と、偏光子39と結
合器40とに接続されて、装置の第1段における残留表
面超音波を吸収するための導波路33、35の終端に近
い音響導波路41に沿って配置された音響吸収手段46
(図14には示さない)とからなる、図14には示され
ない第2の一方向性電気音響トランスジューサによる、
装置の2段における表面超音波の独立的な生成の代替的
バージョンを誘導することが可能である。
【0158】本発明による2段の導波路集積音響光学装
置もまた、共に導波路におけるエバネッセント波偏光結
合器からなる第1段および第2段間のTE通過偏光子と
TM通過偏光子を用いて作ることができる。
【0159】図16に示されるこの構成の第1の実施例
は下記の構成要素を含む。即ち、複屈折性および光弾性
の材料製の基板30上の、図8に関して述べたものと同
じ形式の、その長さLcがTM成分に対するバー伝送と
TE成分に対する交差伝送とを可能にするほうに選択さ
れる導波路における3つのエバネッセント波偏光結合器
32、40、37と、図8に関して述べた形式の、その
長さLcがTE成分に対するバー伝送とTM成分に対す
る交差伝送とを可能にするように選択されるエバネッセ
ント波偏光結合器111と、基板の終端で始まり結合器
32のアクセス導波路1に接続されたチャンネル光導波
路31と、基板縁部で始まり結合器32のアクセス導波
路4に接続された光導波路28と、結合器32のアクセ
ス導波路2と結合器111のアクセス導波路4との間に
接続された導波路33と、結合器111のアクセス導波
路3と結合器37のアクセス導波路1との間に接続され
た導波路34と、結合器32のアクセス導波路3と結合
器40のアクセス導波路1との間に接続された導波路3
5と、結合器40のアクセス導波路2と結合器37のア
クセス導波路4との間に接続された導波路36と、結合
器37のアクセス導波路2に接続されて基板縁部で終る
導波路38と、結合器37のアクセス導波路3に接続さ
れて基板縁部で終る導波路29と、音波速度が導波路4
1におけるよりも高い2つのストリップ42、43によ
り閉込められた光導波路33、34、35、36を含む
基板部分にわたり延在した音響導波路41と、導波路3
3、35の終端近くで音響導波路41に沿って配置され
て音響導波路内に表面超音波を生じるための電気音響ト
ランスジューサ44と、結合器37に接続された導波路
34、36の終端近くで音響導波路41に沿って配置さ
れて残留表面超音波を吸収するための音響吸収手段45
とである。
【0160】導波路31、33、34、35、36、3
8、および偏光結合器32、111、40、37の導波
路5の部分は相互に平行である。
【0161】結合器111のアクセス導波路2と結合器
40のアクセス導波路3とは、他のアクセス導波路より
大きな長さで作られる。これらの導波路からの放射は、
基板より高い屈折率を持つ音響導波路を閉込めるストリ
ップ42、43で伝播し、ストリップ表面からの散乱に
より、あるいはストリップ自体の終端におけるフレネル
損失によりストリップ42、43から放出する。
【0162】これらのアクセス導波路の光学系に沿って
伝播する放射の吸収を改善するため、各導波路に対す
る、例えば3または4mmの長さにわたる金属層のデポ
ジションによって作られる吸収部51が用いられる。こ
の光吸収部は、電気音響トランスジューサを作るために
提供される同じプロセス工程において作ることができ
る。
【0163】約1550nmの波長におけるTM成分の
バー伝送とTE成分の交差伝送を可能にするための偏光
結合器111の導波路5の長さLcは、アクセス導波路
間の複屈折角θ=0.55°に対して500μmと10
00μmの間に含まれ、この角度を増加することによ
り、出願人が行った計算によれば、先に述べた値に関し
て長さLcを減じることが可能である。
【0164】基板材料およびその配向、光導波路および
音響導波路、偏光結合器および電気音響トランスジュー
サに対するサイズおよび製造技術の選択は、図14に関
して述べた装置において使用された類似の成分について
述べたものと同じ基準を順守し得る。
【0165】当該実施例は、非常に簡単な方法で製造で
きるという利点を有する。特に、光導波路および偏光結
合器は、基板に同時に刻み込むことができ、これにより
TE通過偏光子を作る工程を除いて、その結果装置の製
造のため必要なプロセス工程数を減じる。
【0166】図17に略図的に示される第2の代替例に
おいては、第1段と第2段間のTM通過偏光子として働
く偏光結合器32、37、40と同じエバネッセント波
偏光結合器121が交差伝送モードを利用する方法で導
波路5の中心線から反対側に配置されたアクセス導波路
1、3によって基板上の光回路の残部に接続される使用
法が判る。
【0167】導波路33の結合器121のアクセス導波
路1との接続は、長さFのチャンネル光導波路の湾曲部
分122により生じる。ストリップ自体に向けて湾曲部
分122に伝播する光信号に対する損失となり得る、こ
の湾曲部分122と音響導波路を閉込めるストリップと
の間の重なりを避けるため、音響導波路および関連する
閉込めストリップは、中心部分では遮断されねばならな
い。このように、それぞれストリップ124、125お
よび127、128により画定される装置の各段毎に1
つずつ、2つの音響導波路123、126が表面超音波
に対する更に大きな速度で形成される。
【0168】光導波路33、35および34、36は、
それぞれ音響導波路123、126が延在する基板部分
に含まれる。
【0169】更に、音響導波路123、126に対応し
ているのは、それぞれ結合器32および結合器121、
40に接続された端部における導波路に沿って配置さ
れ、各音響導波路に表面超音波を生じるための位置方向
性の電気音響トランスジューサ44′、44″および4
7′、47″、およびそれぞれ結合器121、40およ
び結合器37に接続された端部で導波路に沿って配置さ
れた音響吸収手段46、45である。
【0170】この第2の代替例における装置は、その記
述を参照される同じ形態で配置された全解決法において
用いられるものと似た構成要素で完成される。
【0171】一例においては、光導波路の湾曲によるあ
り得る損失を減じるため、湾曲部分122の長さFは約
4mmであり、光導波路の対応する曲率半径は100n
mより小さくなかった。
【0172】当該第2の代替例による装置の製造プロセ
スは、必要な工程数における減少に照らして、第1の実
施例に対して同じ利点を有し、更に、第2の実施例にお
いては、全ての偏光結合器が相互に同じであり、このこ
とは、他の結合器とは異なり、1つの偏光結合器の大き
さを最適化してTE成分のバー伝送およびTM成分の同
時の交差伝送を可能にする必要が無いので、装置のプロ
セスの変化に対する影響を更に少なくし設計工程を簡単
にする。
【0173】図18に略図的に示される第3の代替例
は、1つのエバネッセント波偏光結合器131が導波路
31、33、34、35、36、38の方向に関して回
転された位置に配置されるので、第2の実施例とは異な
る。
【0174】結合器自体のアクセス導波路間の複屈折角
(bifuraction angle)θの半分に対
応する角度にわたる回転は、結合器のアクセス導波路と
装置の光導波路との間の湾曲接続部132の長さを減じ
ることを可能にする。特に、湾曲接続部132の長さは
0.5mmより小さくすることができる。
【0175】基板がLiNbO3材料から形成される場
合には、回転角度θ/2が基板に対する結晶のy軸の配
向を固定することが可能である精度より小さくなるなら
ば、結晶のy軸に沿った放射の伝播によって、回転され
た結合器は他の結合器と略々同じ方法で動作し、この精
度は約0.3°である。
【0176】他の方法で、可能な小さな相違を補償する
ために、フィルタ構造全体を約θ/4だけ反対方向に回
転することができ、装置の第3の実施例に関する利点は
維持される。
【0177】本発明による装置の記述において、表面超
音波および各並列導波路に沿った同じ方向に伝播する光
信号に言及してきた。また、表面超音波が光信号とは反
対の方向に伝播する実施例を提供することも可能であ
る。
【0178】音波の方向品質の改善、および最大音響強
さの領域の光導波路に近くの維持のため、音響導波路の
使用について記述した。しかし、本発明によれば、音響
導波路が存在せずに光導波路の方向に伝播する表面超音
波を生成する方向性トランスジューサを使用することも
可能である。
【0179】同様に、本文に述べた装置の一部に関して
行われる代替例もまた、当業者には明瞭な適切な適合を
実施した後に、本文に述べた他の装置に対しても適用可
能である。
【0180】本発明が装置の2つの音波の相互作用段を
接続する偏光器が1つのエバネッセント波偏光結合器か
らなる場合に関して記載されたとしても、全長および装
置の減衰の僅かな増加が受入れられる時、2段を接続す
る一方あるいは各々の偏光子が2つの(あるいは、おそ
らくはそれ以上の)直列に接続されたエバネッセント波
偏光結合器を接続し、これによりより各偏光子毎に更に
低い消光率と、装置全体により低い暗騒音とを得られる
ことは、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】公知技術による音響光学フィルタを示す図であ
る。
【図2】公知技術による音響光学フィルタを示す図であ
る。
【図3】公知技術による音響光学フィルタを示す図であ
る。
【図4】公知技術による音響光学フィルタを示す図であ
る。
【図5】公知技術によるTM通過偏光子のスペクトル応
答の温度変化に関するグラフである。
【図6】公知技術によるTM通過偏光子のスペクトル応
答の温度変化に関するグラフである。
【図7】本発明による音響光学フィルタを示す図であ
る。
【図8】本発明において用いられるエバネッセント波偏
光結合器を示す図である。
【図9】共通導波路部分の長さに関する導波路における
エバネッセント波偏光結合器の分離比を示すグラフであ
る。
【図10】波長に関する導波路におけるエバネッセント
波偏光結合器の分離比を示すグラフである。
【図11】波長に関する導波路におけるエバネッセント
波偏光結合器の分離比を示すグラフである。
【図12】一方向性電気音響トランスジューサの図であ
る。
【図13】本発明の別の実施例による音響光学フィルタ
の図である。
【図14】本発明による偏光独立型音響光学フィルタの
図である。
【図15】図14に示された装置において用いられる導
波路TE通過偏光子の図である。
【図16】本発明による偏光独立型音響光学フィルタの
図である。
【図17】本発明の別の実施例による偏光独立型音響光
学フィルタの図である。
【図18】本発明の更に別の実施例による偏光独立型音
響光学フィルタの図である。
【符号の説明】
1 アクセス導波路 2 アクセス導波路 3 アクセス導波路 4 アクセス導波路 5 導波路 16 フィルタ 19 光チャンネル導波路 20 音響光学トランスジューサ 21 櫛形電極 22 音響導波路 23 側面領域 24 TE通過偏光子 25 TM通過偏光子 26 音響吸収材 28 光導波路 29 導波路 30 基板 31 チャンネル光導波路 32 偏光結合器 33 光導波路 34 光導波路 35 光導波路 36 光導波路 37 偏光結合器 38 導波路 39 TE通過偏光子 40 偏光結合器 41 音響導波路 42 ストリップ 43 ストリップ 44 電気音響トランスジューサ 45 音響吸収手段 46 音響吸収手段 47 第2の電気音響トランスジューサ 48 結合器 49 音響吸収手段 51 光吸収部 81 音響導波路 82 音響導波路 83 音響導波路 84 音響導波路 101 単一モード光導波路 102 バッファ層 103 アルミニウム層 111 エバネッセント波偏光結合器 121 結合器 122 湾曲部分 123 音響導波路 126 音響導波路 131 エバネッセント波偏光結合器 132 湾曲接続部

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複屈折性および光弾性の材料の1つの基
    板を含む波長選択のための音響光学導波装置であって、 光信号により移動される少なくとも1つの光導波路を含
    む、第1の波長インターバルにおける前記光信号の偏光
    面の第1の回転ステージと、 前記光信号により移動される少なくとも1つの光導波路
    を含む、第2の波長インターバルにおける光信号の偏光
    面の第2の回転ステージと、 偏光子を担持する、前記第1ステージおよび第2ステー
    ジを接続する少なくとも1つの光導波路と、 偏光選択素子を担持する、前記第2ステージの下流側に
    おける少なくとも1つの光導波路とが前記基板上に形成
    された音響光学導波装置において、 前記偏光子がエバネッセント波偏光結合器を含むことを
    特徴とする音響光学導波装置。
  2. 【請求項2】 前記第1ステージおよび第2ステージの
    少なくとも1つが表面超音波を生成する手段を含むこと
    を特徴とする請求項1記載の音響光学導波装置。
  3. 【請求項3】 前記基板が、前記第1ステージおよび第
    2ステージの前記光導波路の1つの少なくとも1つの部
    分を含む音響導波路を含むことを特徴とする請求項2記
    載の音響光学導波装置。
  4. 【請求項4】 前記第1ステージの前記光導波路を含む
    基板部分上に延在する第1の音響導波路と、前記第2ス
    テージの前記光導波路を含む基板部分上に延在する第2
    の音響導波路とを含むことを特徴とする請求項3記載の
    音響光学導波装置。
  5. 【請求項5】 表面超音波を生成する前記手段が、前記
    音響導波路における前記音波の一方向性伝播のため、前
    記音響導波路の少なくとも1つの内部に該導波路の一端
    部付近に配置されることを特徴とする請求項3記載の音
    響光学導波装置。
  6. 【請求項6】 表面超音波を生成する前記手段が、前記
    音響導波路を横切って配置される一連の相互に組合った
    電極を含むことを特徴とする請求項5記載の音響光学導
    波装置。
  7. 【請求項7】 前記音響導波路の前記端部に配置された
    音響吸収部を含むことを特徴とする請求項6記載の音響
    光学導波装置。
  8. 【請求項8】 表面超音波を生成する前記手段が配置さ
    れる端部とは反対側の前記音響導波路の端部に配置され
    た音響吸収部を含むことを特徴とする請求項5記載の音
    響光学導波装置。
  9. 【請求項9】 表面超音波を生成する前記手段が、相互
    に予め定めた距離に配置され、それぞれ第1の交番電圧
    電気信号と、該第1の電気信号を90°だけオフセット
    することにより得られる第2の電気信号とが供給されて
    一方向性の音波を生成する2連の相互に組合った電極か
    らなることを特徴とする請求項5記載の音響光学導波装
    置。
  10. 【請求項10】 前記第1ステージおよび第2ステージ
    の各々における2つの平行な光導波路と、前記第1ステ
    ージおよび第2ステージ間の2つの光接続導波路とを備
    え、各光接続導波路が、2つの相互に直角をなす偏波成
    分の1つを伝送するための1つの偏光子を担持し、前記
    偏光子の少なくとも1つがエバネッセント波偏光結合器
    からなることを特徴とする請求項1記載の音響光学導波
    装置。
  11. 【請求項11】 前記偏光子の1つがTE通過偏光子で
    あり、バッファ層が間に介挿された、第1ステージおよ
    び第2ステージ間の対応する光接続導波路と重なり合う
    金属層を含むことを特徴とする請求項10記載の音響光
    学導波装置。
  12. 【請求項12】 前記偏光子の各々がエバネッセント波
    偏光結合器を含むことを特徴とする請求項10記載の音
    響光学導波装置。
  13. 【請求項13】 前記エバネッセント波偏光結合器の両
    方が、それぞれの通過偏光に対するバー伝送結合器であ
    ることを特徴とする請求項12記載の音響光学導波装
    置。
  14. 【請求項14】 前記エバネッセント波偏光結合器の1
    つが各通過偏光に対するバー伝送結合器であり、前記エ
    バネッセント波偏光結合器の第2の結合器が各通過偏光
    に対する交差伝送結合器であることを特徴とする請求項
    12記載の音響光学導波装置。
  15. 【請求項15】 前記第2のエバネッセント波偏光結合
    器が、湾曲した導波路部分により各光接続導波路に接続
    されることを特徴とする請求項14記載の音響光学導波
    装置。
  16. 【請求項16】 前記第2のエバネッセント波偏光結合
    器が、各接続導波路とゼロでない角度をなす直線状の中
    心部分を含むことを特徴とする請求項14記載の音響光
    学導波装置。
  17. 【請求項17】 前記偏光子の少なくとも1つが2つの
    エバネッセント波偏光結合器を含むことを特徴とする請
    求項12記載の音響光学導波装置。
  18. 【請求項18】 前記偏光子の各々が、2つのエバネッ
    セント波偏光結合器を含むことを特徴とする請求項17
    記載の音響光学導波装置。
  19. 【請求項19】 前記複屈折性および光弾性の材料がL
    iNbO3であることを特徴とする請求項1記載の音響
    光学導波装置。
  20. 【請求項20】 前記光導波路とエバネッセント波偏光
    結合器が、フォトリトグラフ・マスキング、金属層のデ
    ポジション、およびその後の基板内の金属の拡散によっ
    て作られることを特徴とする請求項19記載の音響光学
    導波装置。
  21. 【請求項21】 前記金属がチタニウムであることを特
    徴とする請求項20記載の音響光学導波装置。
  22. 【請求項22】 波長の選択のための音響光学導波装置
    を作る方法において、 基板内の第1の金属の拡散によって、複屈折性および光
    弾性の材料で作られた基板上に少なくとも1つの音響導
    波路を形成するステップと、 前記基板内の第2の金属のフォトリトグラフ・デポジシ
    ョンおよびその後の拡散によって前記基板上に第1およ
    び第2のエバネッセント波偏光結合器、ならびに該偏光
    結合器間の接続のための、前記音響導波路に少なくとも
    部分的に含まれる少なくとも1つの光導波路を形成する
    ステップと、 前記光接続導波路に沿って偏光子を形成するステップ
    と、 第3の金属の前記基板に対するフォトリトグラフ・デポ
    ジションによって、前記音響導波路の少なくとも1つの
    内部に相互に組合った電極を含む電気音響トランスジュ
    ーサを形成するステップとを含む方法において、 偏光子を形成する前記ステップが、前記第1および第2
    の偏光結合器と前記光接続導波路とを形成する前記ステ
    ップに含まれ、かつ第3のエバネッセント波偏光結合器
    を形成するステップを含むことを特徴とする方法。
  23. 【請求項23】 前記第1と第2と第3のエバネッセン
    ト波偏光結合器が相互に同じであることを特徴とする請
    求項22記載の音響光学導波装置を作る方法。
  24. 【請求項24】 前記第1および第2の偏光結合器間の
    音響導波路が前記光導波路に少なくとも部分的に含まれ
    る第1および第2の光接続導波路の、基板自体内部にお
    ける前記第2の金属のフォトリトグラフ・デポジション
    およびその後の拡散による前記基板上での形成と、前記
    光接続導波路の各々に沿った偏光子の形成とを含むこと
    を特徴とする請求項22記載の音響光学導波装置を作る
    方法。
  25. 【請求項25】 前記偏光子を形成する前記ステップ
    が、前記第1および第2の偏光結合器と前記光接続導波
    路とを形成する前記ステップに含まれ前記第1および第
    2の光接続導波路に沿って第3および第4のエバネッセ
    ント波偏光結合器をそれぞれ形成するステップを含むこ
    とを特徴とする請求項24記載の音響光学導波装置を作
    る方法。
  26. 【請求項26】 前記第1と第2と第3と第4のエバネ
    ッセント波偏光結合器が相互に同じであることを特徴と
    する請求項25記載の音響光学導波装置を作る方法。
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