JPH08295525A - 光ファイバ線引炉及び線引方法 - Google Patents
光ファイバ線引炉及び線引方法Info
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- JPH08295525A JPH08295525A JP10086995A JP10086995A JPH08295525A JP H08295525 A JPH08295525 A JP H08295525A JP 10086995 A JP10086995 A JP 10086995A JP 10086995 A JP10086995 A JP 10086995A JP H08295525 A JPH08295525 A JP H08295525A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2205/00—Fibre drawing or extruding details
- C03B2205/60—Optical fibre draw furnaces
- C03B2205/62—Heating means for drawing
- C03B2205/63—Ohmic resistance heaters, e.g. carbon or graphite resistance heaters
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2205/00—Fibre drawing or extruding details
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光ファイバの線引炉及び線引方法を提供する。
【構成】炉心管及びその外周に３以上の加熱手段を有す
る光ファイバ母材の線引炉であって、上記炉心管または
上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数位置
の温度測定手段及び該測定温度により各加熱手段を互い
に独立して制御する手段とを有する炉、あるいはさらに
線引されるファイバの非円率測定手段と非円率データを
温度制御手段にフィードバックするように構成した炉、
並びにこれらの炉を用いて非円率の小さいファイバを線
引する方法。 【効果】線引炉自体の対称性が向上していること、複数
個のヒータを独立に制御することにより、炉体構造以外
の非対称性の影響をより小さくできるため、非円率の小
さな光ファイバを線引できる。
る光ファイバ母材の線引炉であって、上記炉心管または
上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数位置
の温度測定手段及び該測定温度により各加熱手段を互い
に独立して制御する手段とを有する炉、あるいはさらに
線引されるファイバの非円率測定手段と非円率データを
温度制御手段にフィードバックするように構成した炉、
並びにこれらの炉を用いて非円率の小さいファイバを線
引する方法。 【効果】線引炉自体の対称性が向上していること、複数
個のヒータを独立に制御することにより、炉体構造以外
の非対称性の影響をより小さくできるため、非円率の小
さな光ファイバを線引できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ線引炉及び線
引方法に関する。より詳細には、非円率の小さい光ファ
イバを低コストで製造できる線引炉及び線引炉に関す
る。
引方法に関する。より詳細には、非円率の小さい光ファ
イバを低コストで製造できる線引炉及び線引炉に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ファイバ母材を加熱、溶融する
線引炉としては主にカーボン製のヒータを用いた抵抗加
熱炉が用いられている。例えば図７に示すように、１ケ
のヒータ２に２個の電極３をとりつけ電源５からの電力
を供給して光ファイバ母材１を加熱溶融している。図７
において４は断熱材、６はケース、７は温度計、８は電
力ケーブル、９は温度測定孔を意味する。ところで、光
ファイバ構造パラメータのひとつとして非円率がある。
これは〔非円率＝（長径−短径）／平均径〕の式で定義
されるものであり、光ファイバ断面の長径と短径を測定
して求められるが、非円率が小さいほどファイバ断面は
真円に近い。従来法は光ファイバ母材の中心軸を線引炉
中心に合わせることにより周方向に均一に光ファイバ母
材が加熱され、光ファイバの非円率も比較的小さく抑え
ることができていた。しかし、近年光ファイバの低コス
ト化を目指し光ファイバ母材が大型化された影響によ
り、非円率は線引炉の温度の均一性に大きく影響を受け
るようになってきた。例えば図７に示されるヒータで線
引した場合、２ケ所ある電極３からの放熱により影響を
受け、線引前の光ファイバ母材の非円状況と線引後の光
ファイバの非円状況が異なっていまい、たとえ線引前の
光ファイバ母材断面が真円であったとしても、線引後の
光ファイバは電極の方向が長軸となる断面長円形になる
といった問題である。図７中の矢印は電極３からの放熱
を示す。これに対し、実開平１−１５７１３１号公報に
は図９に示すようにスリットを設けたヒータに２ケ所の
電極を有するものを用い、線引炉そのものを回転させる
ことにより、炉体周方向の温度不均一性をキャンセルす
る方法が提案されている。
線引炉としては主にカーボン製のヒータを用いた抵抗加
熱炉が用いられている。例えば図７に示すように、１ケ
のヒータ２に２個の電極３をとりつけ電源５からの電力
を供給して光ファイバ母材１を加熱溶融している。図７
において４は断熱材、６はケース、７は温度計、８は電
力ケーブル、９は温度測定孔を意味する。ところで、光
ファイバ構造パラメータのひとつとして非円率がある。
これは〔非円率＝（長径−短径）／平均径〕の式で定義
されるものであり、光ファイバ断面の長径と短径を測定
して求められるが、非円率が小さいほどファイバ断面は
真円に近い。従来法は光ファイバ母材の中心軸を線引炉
中心に合わせることにより周方向に均一に光ファイバ母
材が加熱され、光ファイバの非円率も比較的小さく抑え
ることができていた。しかし、近年光ファイバの低コス
ト化を目指し光ファイバ母材が大型化された影響によ
り、非円率は線引炉の温度の均一性に大きく影響を受け
るようになってきた。例えば図７に示されるヒータで線
引した場合、２ケ所ある電極３からの放熱により影響を
受け、線引前の光ファイバ母材の非円状況と線引後の光
ファイバの非円状況が異なっていまい、たとえ線引前の
光ファイバ母材断面が真円であったとしても、線引後の
光ファイバは電極の方向が長軸となる断面長円形になる
といった問題である。図７中の矢印は電極３からの放熱
を示す。これに対し、実開平１−１５７１３１号公報に
は図９に示すようにスリットを設けたヒータに２ケ所の
電極を有するものを用い、線引炉そのものを回転させる
ことにより、炉体周方向の温度不均一性をキャンセルす
る方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記公報記載の方法で
は炉体が回転する際の振動やガスの乱れにより光ファイ
バの線径に変動が生じる危険性が考えられる。また、炉
体の回転はせいぜい９０度程度でありその効果にも限度
があると考えられる。本発明はこのような現状と従来法
の問題点に鑑み、炉体を動作させることなく、しかも光
ファイバ母材を均一に加熱できて非円率の小さな光ファ
イバを線径変動なく製造できる装置及び方法を提供しよ
うと意図するものである。
は炉体が回転する際の振動やガスの乱れにより光ファイ
バの線径に変動が生じる危険性が考えられる。また、炉
体の回転はせいぜい９０度程度でありその効果にも限度
があると考えられる。本発明はこのような現状と従来法
の問題点に鑑み、炉体を動作させることなく、しかも光
ファイバ母材を均一に加熱できて非円率の小さな光ファ
イバを線径変動なく製造できる装置及び方法を提供しよ
うと意図するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明は炉心管及び該炉心管外周を囲ん
で設けられた３以上の加熱手段を有してなり該炉心管と
同軸に挿入した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉
であって、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面におけ
る複数の位置の温度を測定する手段及び各位置での測定
温度により各加熱手段を互いに独立して制御する手段と
を有することを特徴とする光ファイバ線引炉を提供す
る。また本発明は、炉心管及び該炉心管外周を囲んで設
けられた３以上の加熱手段を有してなり炉心管と同軸に
挿入した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉であっ
て、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数
の位置の温度を測定する手段、線引されたファイバの非
円率を測定する手段、各位置での測定温度またはファイ
バの非円率測定値により各加熱手段を互いに独立して制
御する手段、とを有することを特徴とする光ファイバ線
引炉を提供する。さらに本発明は、炉心管および該炉心
管外周を囲んで設けられた加熱手段とを有する線引炉の
炉心管に光ファイバ母材を挿入し、加熱・溶融して光フ
ァイバに線引きする方法において、上記加熱手段の炉心
管軸に垂直な断面における複数の位置の温度を測定し、
該測定温度により各加熱手段を互いに独立して制御しな
がら線引きされる光ファイバの非円率を最小にすること
を特徴とする線引方法を提供する。本発明における特に
好ましい実施態様として、上記複数の位置における温度
差と線引された非円率の関係を予め調べておき、得られ
る光ファイバの非円率が最小になる温度差に制御しなが
ら線引きすることが挙げられる。また、本発明における
特に好ましい実施態様として、上記光ファイバ母材の径
および線引残長にしたがい温度差を変化させながら線引
きすることが挙げられる。
の手段として、本発明は炉心管及び該炉心管外周を囲ん
で設けられた３以上の加熱手段を有してなり該炉心管と
同軸に挿入した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉
であって、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面におけ
る複数の位置の温度を測定する手段及び各位置での測定
温度により各加熱手段を互いに独立して制御する手段と
を有することを特徴とする光ファイバ線引炉を提供す
る。また本発明は、炉心管及び該炉心管外周を囲んで設
けられた３以上の加熱手段を有してなり炉心管と同軸に
挿入した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉であっ
て、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数
の位置の温度を測定する手段、線引されたファイバの非
円率を測定する手段、各位置での測定温度またはファイ
バの非円率測定値により各加熱手段を互いに独立して制
御する手段、とを有することを特徴とする光ファイバ線
引炉を提供する。さらに本発明は、炉心管および該炉心
管外周を囲んで設けられた加熱手段とを有する線引炉の
炉心管に光ファイバ母材を挿入し、加熱・溶融して光フ
ァイバに線引きする方法において、上記加熱手段の炉心
管軸に垂直な断面における複数の位置の温度を測定し、
該測定温度により各加熱手段を互いに独立して制御しな
がら線引きされる光ファイバの非円率を最小にすること
を特徴とする線引方法を提供する。本発明における特に
好ましい実施態様として、上記複数の位置における温度
差と線引された非円率の関係を予め調べておき、得られ
る光ファイバの非円率が最小になる温度差に制御しなが
ら線引きすることが挙げられる。また、本発明における
特に好ましい実施態様として、上記光ファイバ母材の径
および線引残長にしたがい温度差を変化させながら線引
きすることが挙げられる。
【０００５】
【作用】本発明においては線引炉内に３つ以上の複数の
ヒータを設け、それぞれのヒータを個別に制御する構造
を採用し、線引される光ファイバの非円率を測定し、そ
の測定値に対応して個別にヒータを温度制御する。ヒー
タを３以上とした理由は、図８に示すように２個のヒー
タ２の場合にはやはり図中の矢印で示すように２つの電
極３からの放熱を受けて電極方向を長軸とする断面長円
形となり好ましくないからである。図８中において図７
と共通の符号は同じ意味を示す。これにより、光ファイ
バ母材のネックダウン部での温度、粘度等の溶融状態は
その周方向において均一となり、該線引炉にセットされ
た当初の光ファイバ母材と相似形となるので、該ネック
ダウン部における母材の非円率はごく小さく、母材の材
質も軸対称で均一である。また、本発明では機械的に動
作する部分を無くしているので、炉体を動作させるタイ
プの公知技術における光ファイバの線径変動の問題は解
消される。従って、本発明によれば非円率の小さい、す
なわち、非常に断面が真円に近い光ファイバを線径変動
なく製造できる。
ヒータを設け、それぞれのヒータを個別に制御する構造
を採用し、線引される光ファイバの非円率を測定し、そ
の測定値に対応して個別にヒータを温度制御する。ヒー
タを３以上とした理由は、図８に示すように２個のヒー
タ２の場合にはやはり図中の矢印で示すように２つの電
極３からの放熱を受けて電極方向を長軸とする断面長円
形となり好ましくないからである。図８中において図７
と共通の符号は同じ意味を示す。これにより、光ファイ
バ母材のネックダウン部での温度、粘度等の溶融状態は
その周方向において均一となり、該線引炉にセットされ
た当初の光ファイバ母材と相似形となるので、該ネック
ダウン部における母材の非円率はごく小さく、母材の材
質も軸対称で均一である。また、本発明では機械的に動
作する部分を無くしているので、炉体を動作させるタイ
プの公知技術における光ファイバの線径変動の問題は解
消される。従って、本発明によれば非円率の小さい、す
なわち、非常に断面が真円に近い光ファイバを線径変動
なく製造できる。
【０００６】図１は本発明の線引炉の一具体例の光ファ
イバ母材軸方向に垂直な断面図であり、図１において１
〜６および９は図７と同じを意味し、７は温度計、８は
電力ケーブル、１０は炉心管である。図１の例では４個
のヒータ２がそれぞれ電源５に接続され、光ファイバ母
材１の周りにリング状に配置されている。個々のヒータ
２は、それぞれケース６並びに断熱材４に設けられた測
定孔９により放射されるヒータの熱を温度計７で測定で
きるようになっていて、この測定値は図示は省略したが
信号として制御系に送られ、該制御系は個々のヒータの
温度を独立して制御できる。図１の例ではヒータが４個
の例を示したが、本発明ではヒータは３個以上の複数個
であればよく、炉心管外周を等分割することが好まし
い。
イバ母材軸方向に垂直な断面図であり、図１において１
〜６および９は図７と同じを意味し、７は温度計、８は
電力ケーブル、１０は炉心管である。図１の例では４個
のヒータ２がそれぞれ電源５に接続され、光ファイバ母
材１の周りにリング状に配置されている。個々のヒータ
２は、それぞれケース６並びに断熱材４に設けられた測
定孔９により放射されるヒータの熱を温度計７で測定で
きるようになっていて、この測定値は図示は省略したが
信号として制御系に送られ、該制御系は個々のヒータの
温度を独立して制御できる。図１の例ではヒータが４個
の例を示したが、本発明ではヒータは３個以上の複数個
であればよく、炉心管外周を等分割することが好まし
い。
【０００７】図２は本発明の線引炉から線引される光フ
ァイバの非円率を測定する手段、該非円率測定値を各加
熱手段の温度制御にフィードバックして非円率を可能な
かぎり小さくする方法を模式的に示した図である。線引
炉の下部にはレーザ式外径測定器１２がヒータの数に対
応して取り付けられており、線引された光ファイバ１１
の外径を測定して得られたファイバの非円率を測定す
る。この測定値の変化は変換部１６において電力の変化
に変換することにより、外径変化をフィードバックして
オンラインで電力を変更して母材の非円率を調整する。
図２において１３は樹脂被覆用ダイス、１４は樹脂硬化
装置、１５は巻取機、１６は外径測定装置１２からの信
号の変換部を意味する。
ァイバの非円率を測定する手段、該非円率測定値を各加
熱手段の温度制御にフィードバックして非円率を可能な
かぎり小さくする方法を模式的に示した図である。線引
炉の下部にはレーザ式外径測定器１２がヒータの数に対
応して取り付けられており、線引された光ファイバ１１
の外径を測定して得られたファイバの非円率を測定す
る。この測定値の変化は変換部１６において電力の変化
に変換することにより、外径変化をフィードバックして
オンラインで電力を変更して母材の非円率を調整する。
図２において１３は樹脂被覆用ダイス、１４は樹脂硬化
装置、１５は巻取機、１６は外径測定装置１２からの信
号の変換部を意味する。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるところはない。 〔実施例１〕図１の構成の本発明に係る線引炉を用い、
４個のヒータ（カーボンヒータ）をそれぞれの制御装置
によりすべて２１４０℃に制御し、外径５０mmφの光フ
ァイバ母材を外径１２５μｍの光ファイバに線引した。
このときの非円率は図３のグラフ図に示すように、０．
１〜０．５％であった。後述する従来法による比較例の
場合より炉体構造の対称性がよいため、非円率は半減す
ることを確認した。
るが、本発明はこれに限定されるところはない。 〔実施例１〕図１の構成の本発明に係る線引炉を用い、
４個のヒータ（カーボンヒータ）をそれぞれの制御装置
によりすべて２１４０℃に制御し、外径５０mmφの光フ
ァイバ母材を外径１２５μｍの光ファイバに線引した。
このときの非円率は図３のグラフ図に示すように、０．
１〜０．５％であった。後述する従来法による比較例の
場合より炉体構造の対称性がよいため、非円率は半減す
ることを確認した。
【０００９】〔実施例２〕実施例１で用いたものと同様
の線引炉および外径５０ｍｍφの光ファイバ母材を用
い、実施例１における光ファイバ外径の断面の非円率の
測定結果に鑑み、この非円と長軸側になる２つのヒータ
の温度を２１５０℃とし、短軸側になる２つのヒータの
温度を２１３０℃にして、外径１２５μｍの光ファイバ
に線引した。得られた光ファイバの非円率は図４のグラ
フ図に示すように０〜０．２％と、実施例１のものより
さらに小さな値であった。
の線引炉および外径５０ｍｍφの光ファイバ母材を用
い、実施例１における光ファイバ外径の断面の非円率の
測定結果に鑑み、この非円と長軸側になる２つのヒータ
の温度を２１５０℃とし、短軸側になる２つのヒータの
温度を２１３０℃にして、外径１２５μｍの光ファイバ
に線引した。得られた光ファイバの非円率は図４のグラ
フ図に示すように０〜０．２％と、実施例１のものより
さらに小さな値であった。
【００１０】〔実施例３〕実施例１と同様の光ファイバ
母材について、実施例２で得られたデータに基き、非円
率が大きい変化する部分、すなわちファイバ長が線引開
始〜４０ｋｍの部分と同８０ｋｍ〜１００ｋｍの部分に
おいて、隣りあうヒータの温度差（℃）を非円の変化に
応じて図５のグラフ図に示すように大きくなるようにし
て線引きした。その結果、得られた光ファイバの非円率
は図６のグラフ図に示されるように、線引された光ファ
イバの全長に対して非円率０．１％以下と非常に小さか
った。
母材について、実施例２で得られたデータに基き、非円
率が大きい変化する部分、すなわちファイバ長が線引開
始〜４０ｋｍの部分と同８０ｋｍ〜１００ｋｍの部分に
おいて、隣りあうヒータの温度差（℃）を非円の変化に
応じて図５のグラフ図に示すように大きくなるようにし
て線引きした。その結果、得られた光ファイバの非円率
は図６のグラフ図に示されるように、線引された光ファ
イバの全長に対して非円率０．１％以下と非常に小さか
った。
【００１１】〔比較例１〕図７に示すヒータ（カーボン
ヒータ）が分割されておらず電極を２ケ所に有する従来
構造の線引炉を用いて、実施例１と同様の５０ｍｍφの
光ファイバ母材を１２５μｍの光ファイバに線引きし
た。得られた光ファイバの非円率は０．３〜１．０％と
本発明の実施例にくらべ大きなものであった。
ヒータ）が分割されておらず電極を２ケ所に有する従来
構造の線引炉を用いて、実施例１と同様の５０ｍｍφの
光ファイバ母材を１２５μｍの光ファイバに線引きし
た。得られた光ファイバの非円率は０．３〜１．０％と
本発明の実施例にくらべ大きなものであった。
【００１２】〔実施例４〕実施例１と同様の光ファイバ
母材について、図２の装置を用いて外径測定器の測定値
からオンラインで温度を制御して線引する方法によって
も実施例３の場合と同様に線引された光ファイバの全長
に対して非円率０．１％以下の良好な光ファイバが得ら
れた。
母材について、図２の装置を用いて外径測定器の測定値
からオンラインで温度を制御して線引する方法によって
も実施例３の場合と同様に線引された光ファイバの全長
に対して非円率０．１％以下の良好な光ファイバが得ら
れた。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ファイ
バ線引炉は炉自体の対称性が向上していることにより、
また、複数個のヒータを夫々独立に制御することによ
り、ガス流れや加熱手段の素材の異方性等の炉体構造以
外の非対称性の影響をより小さくできることにより、非
円率の小さな光ファイバを線引することができる。
バ線引炉は炉自体の対称性が向上していることにより、
また、複数個のヒータを夫々独立に制御することによ
り、ガス流れや加熱手段の素材の異方性等の炉体構造以
外の非対称性の影響をより小さくできることにより、非
円率の小さな光ファイバを線引することができる。
【００１４】
【図１】は本発明の線引炉の一具体例を示す概略断面図
である。
である。
【図２】は本発明の一実施態様を示す概略説明図であ
る。
る。
【図３】は本発明の実施例１で得られた光ファイバの非
円率を示すグラフ図である。
円率を示すグラフ図である。
【図４】は本発明の実施例２で得られた光ファイバの非
円率を示すグラフ図である。
円率を示すグラフ図である。
【図５】は本発明の実施例３において隣りあうヒータの
温度差を非円の変化に応じて制御した状態を示すグラフ
図である。
温度差を非円の変化に応じて制御した状態を示すグラフ
図である。
【図６】は本発明の実施例３で得られた光ファイバの非
円率を示すグラフ図である。
円率を示すグラフ図である。
【図７】は従来の線引炉の一例を概略説明する断面図で
ある。
ある。
【図８】は従来の線引炉の他の一例を概略説明する断面
図である。
図である。
【図９】は従来の線引炉の他の一例の概略説明図であ
る。
る。
１ 光ファイバ母材 ２ ヒータ ３ 電極 ４ 断熱材 ５ 電源 ６ ケース ７ 温度計 ８ 電力ケーブル ９ 測定孔 １０ 炉心管 １１ 光ファイバ １２ 外径測定器 １３ 樹脂被覆用ダイス １４ 樹脂硬化装置 １５ 巻取機 １６ 変換部
Claims (5)
- 【請求項１】 炉心管及び該炉心管外周を囲んで設けら
れた３以上の加熱手段を有してなり該炉心管と同軸に挿
入した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉であっ
て、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数
の位置の温度を測定する手段及び各位置での測定温度に
より各加熱手段を互いに独立して制御する手段とを有す
ることを特徴とする光ファイバ線引炉。 - 【請求項２】 炉心管及び該炉心管外周を囲んで設けら
れた３以上の加熱手段を有してなり炉心管と同軸に挿入
した光ファイバ母材を加熱・溶融線引する炉であって、
上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面における複数の位
置の温度を測定する手段、線引されたファイバの非円率
を測定する手段、各位置での測定温度またはファイバの
非円率測定値により各加熱手段を互いに独立して制御す
る手段、とを有することを特徴とする光ファイバ線引
炉。 - 【請求項３】 炉心管および該炉心管外周を囲んで設け
られた加熱手段とを有する線引炉の炉心管に光ファイバ
母材を挿入し、加熱・溶融して光ファイバに線引きする
方法において、上記加熱手段の炉心管軸に垂直な断面に
おける複数の位置の温度を測定し、該測定温度により各
加熱手段を互いに独立して制御しながら線引きされる光
ファイバの非円率を最小にすることを特徴とする線引方
法。 - 【請求項４】 上記複数の位置における温度差と線引さ
れた非円率の関係を予め調べておき、得られる光ファイ
バの非円率が最小になる温度差に制御しながら線引きす
ることを特徴とする請求項３記載の線引方法。 - 【請求項５】 上記光ファイバ母材の径および線引残長
にしたがい温度差を変化させながら線引きすることを特
徴とする請求項３または請求項４記載の線引方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086995A JPH08295525A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 光ファイバ線引炉及び線引方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086995A JPH08295525A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 光ファイバ線引炉及び線引方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08295525A true JPH08295525A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14285330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10086995A Pending JPH08295525A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 光ファイバ線引炉及び線引方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08295525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396264B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 광섬유 인출 설비의 베어 파이버 진원도 측정 방법 |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP10086995A patent/JPH08295525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396264B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 광섬유 인출 설비의 베어 파이버 진원도 측정 방법 |
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