JPH08293011A - メモリカードの製造方法 - Google Patents

メモリカードの製造方法

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JPH08293011A
JPH08293011A JP8060879A JP6087996A JPH08293011A JP H08293011 A JPH08293011 A JP H08293011A JP 8060879 A JP8060879 A JP 8060879A JP 6087996 A JP6087996 A JP 6087996A JP H08293011 A JPH08293011 A JP H08293011A
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optical fiber
fiber cable
card
light
memory card
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Mikio Horiuchi
幹夫 堀内
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録情報の破壊や、カードの偽造や改竄が困
難なメモリカードを提供するにある。 【解決手段】 光フアイバケーブルを必要数並列に並べ
て接着する接着工程(S1)と、接着工程(S1)に続
き当該接着ケーブル列を所定幅に切断する切断工程(S
2)と、切断工程(S2)に続き光フアイバケーブルの
両端面を研磨する研磨工程(S3)と、研磨工程(S
3)に続き光フアイバケーブル列の所定位置の光フアイ
バケーブルの一部を潰し前記光フアイバケーブルの光透
過率を変更する変形工程(S4)と、変形工程(S4)
に続き光フアイバケーブル列をコーテイングするコーテ
イング工程(S5)と、コーテイング工程(S5)に続
き必要に応じて表面の所定領域に磁気ストライプを形成
する磁気ストライプ形成工程(S7)とにより製造する
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数本の光フアイ
バケーブルを並列に並べ透光領域と遮光領域とを形成
し、所定情報を記録するメモリカードの製造方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の銀行カードやクレジツトカード等
においては、プラスチツクスで形成したカード表面に磁
気ストライプを形成し、ここに各種情報を書込んでい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気ストライ
プ上に所定情報を書込んでおいても、カードを強い磁界
中に置くと書込まれた情報が破壊され、使用不能になつ
てしまう。また、磁気記録カードは容易に読取り/書込
みが行なえるため、カードの偽造や改竄がなされる危険
性が高かつた。
【0004】あるいは、以上の欠点に鑑み、実開昭60
ー164065号の様に、磁気ストライプに各種情報を
記憶する磁気カードに、外部から容易に判別できないよ
うに例えば1本の光フアイバを埋設し、この埋設された
光フアイバを光が透過することを検出して偽造カードで
ないことを確認したり、あるいは複数本の特性の異なる
光フアイバを埋設してこの光フアイバの特性の相違によ
る光の透過量の相違を検出してカードの種類の判別など
に使用するものがあった。
【0005】しかしながら、このカードは、いずれの場
合であっても予め用意された光フアイバを単に埋設する
のみであるため、光フアイバを埋設したことに伴う作用
効果は、単にカード中に光を透過する場所があるか否
か、あるいは、透過された光の強度に所定の相違がある
か否かと行った非常に単純且つ硬直的なものにすぎず、
光フアイバを埋設していることが判別されればやはり容
易に偽造されてしまう欠点を有していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の課題を
解決することを目的として成されたもので、容易に情報
の破壊や書換えが行なわれない信頼性の高いカードを提
供するため以下の構成を備える。即ち、光フアイバケー
ブルを必要数並列に並べて接着する接着工程と、前記接
着工程に続き当該接着ケーブル列を所定幅に切断する切
断工程と、前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両
端面を研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続き光フア
イバケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部
を変形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更す
る変形工程と、前記変形工程に続き光フアイバケーブル
列をコーテイングするコーテイング工程とにより製造さ
れるメモリカードであることを特徴とする。
【0007】また、光フアイバケーブルを必要数並列に
並べて接着する接着工程と、前記接着工程に続き当該接
着ケーブル列を所定幅に切断する切断工程と、前記切断
工程に続き光フアイバケーブルの両端面を研磨する研磨
工程と、前記研磨工程に続き光フアイバケーブル列をコ
ーテイングするコーテイング工程と、前記コーテイング
工程によりコーテイングされた光フアイバケーブル列の
所定位置の光フアイバケーブルの一部を変形させ前記光
フアイバケーブルの光透過率を変更する変形工程とによ
り製造されるメモリカードであることを特徴とする。
【0008】
【作用】以上の構成により、光フアイバケーブルを光が
透光するか否かで所定情報を記録しているため、記録情
報の破壊や、カードの偽造や改竄が困難なメモリカード
を提供できる。また、光フアイバそのものを変形等して
透光/遮光状態としているため、外部からはこの設定情
報が容易に判別することができず、また、一旦遮光状態
とした後は再び透光状態に戻すことが困難であることよ
り、メモリカードの改竄される可能性をなくすことが可
能である。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る発明の実施の形態の一例を詳説する。 [第1の実施の形態]図1は本発明に係る発明の実施の
形態の一例のメモリカードの外観斜視図であり、本実施
の形態においては、メモリカードとしてROMカードに
適用した場合を例に説明する。本例のROMカード10
は、カードの厚さ中心部に横方向に並行に複数の光フア
イバケーブルを並べ、プラスチツクでコーテイングして
カード状に形成している。
【0010】そして、表面に従来の磁気カードと同様の
磁気ストライプ15を形成しており、磁気ストライプ部
分には、公知の磁気ヘツドにより所定の情報を書込み/
読出し自在となつている。本実施の形態のROMカード
10は、図示の如く1列に並べた光フアイバケーブル1
1の一部を押圧して押し潰し、この部分で光が透過しな
いようにした光フアイバケーブルと、何らの変形を与え
ず、入射光が反対側に透過する光フアイバケーブルとの
組合せにより”0”、”1”の2値化情報を記録するも
のである。
【0011】そしてカード10の両側面の光フアイバ面
を鏡面仕上げとし、半導体レーザ又は発光ダイオード等
で構成される発光素子21よりの出力光は集束レンズ2
2で集束され、光フアイバケーブル11の直径よりやや
小さい径の光ビームとしてこの光フアイバケーブル11
の1本毎に入射される。この各光フアイバケーブル11
に入射されたビーム光は、フアイバケーブルの一部に潰
された箇所がある場合にはそこで遮光され、反対側まで
達しない。一方、このような箇所のない場合には図示の
如く、反対側まで透光する。
【0012】このため、ビーム光照射部の反対側の光ケ
ーブル面に近接して受光素子31を配設し、受光素子3
1にこのビーム光が到達するか否かを判断することによ
り任意の情報を記録させ、読出すことができる。なお、
本実施の形態では直径0.3mmの光フアイバケーブルを
用いており、通常のカードで8000本以上を並列に配
設することができる。更に大容量の記録容量が必要な場
合には例えば直径0.1mmの光フアイバケーブルを用い
ることにより、 約8万本の光フアイバケーブルをカー
ド内に並べることができ、大容量のROMカードとする
ことができる。
【0013】次にこのROMカードの製造方法を図2の
工程フローチヤートを参照して説明する。まず、工程S
1で所定長さの光フアイバケーブルを記録容量に合せて
カードの長さ以下の必要幅に一列に並べて互いに接着さ
せる。次に工程 S2でこの光フアイバ列をカードの横
幅に合せた所定長さ毎に切断する。この切断状態を図3
に示す。図3図示の如く、多数の光フアイバ列 11
a、11b、・・・・に分離する。そして 工程S3で
この切断した光フアイバケーブルの両端面を研磨し、光
の入射及び出光がスムーズに行なえるよう鏡面仕上げす
る。
【0014】これによりカードベースが出来たことにな
り、この状態のときに製造すべきカードに記録させる情
報に従つて光を透過させない部分の光フアイバケーブル
の一部を押圧して潰し、光が反対側まで到達しないよう
にする。そして工程S5でこの情報を記録した光フアイ
バ列の上下両面をプラスチツクスでコーテイングする。
【0015】なお、上述の工程S4における情報の記録
は、光フアイバ列の片面をプラスチツクでコーテイング
し、他の面のみを露出、又は容易に変形する程度のコー
テイングを施した状態とし、この状態で上面より針状の
押圧部材で等で押圧して所定位置の光フアイバを押し潰
すようにしてもよい。そして、上面にもプラスチツクで
コーテイングすればよい。
【0016】一応この工程S1〜S5まででROMカー
ドの製造は終了することになるが、図1の如く、更にカ
ードに強磁性体の帯を塗布し、磁気ストラ イプを形成
して磁気記録を可能とすることができる。即ち、工程S
6で磁気ストライプを形成するか否かを判別し、磁気ス
トライプを形成しない時には工程S8に進み、磁気スト
ライプを形成する場合には工程S7でROMカードの所
定位置に強磁性体を塗布して磁気ストライプを形成す
る。
【0017】そして、工程S8で必要な他の事項をシル
ク印刷その他の方法で印刷し、更に工程S9で表面に保
護膜を形成して表面を再コーテイングして完成する。工
程S8では記録内容に対応したカードに固有の情報等を
可視表示すればよい。以上の様にして製造されたROM
カードにおいては、通常の環境においては記録内容が破
壊されることもなくなる。
【0018】この記録情報にパリテイコード等を付加し
ておくことにより、記録内容を改竄することはほとんど
不可能となる。また、記録の最初及び最後に固有のスタ
ートコード及びエンドコードを記録しておくことによ
り、磁気記録部との同期等も取り易くなる。 [第2の実施の形態]なお、以上の説明においては、光
フアイバケーブルを記録領域の全域に渡つて一列に並
べ、遮光すべき部分のみ潰すことにより変形させて情報
を記録したが、本発明はこれに限るものではなく、RO
Mカードの光照射面の反対面において所定間隔で光が透
過する部分と光が透過しない部分とが形成されていれば
よい。
【0019】この本発明に係る他の実施の形態を図4を
参照して以下に説明する。図4の(A)に示す如く、プ
ラスチツク等で形成された下部基材18に、光フアイバ
ケーブル径と一致する溝19を記録領域全域に渡つて形
成する。そして図4の(B)に示す如く、光を透過させ
る部分のみに両端面を研磨した光フアイバケーブル17
を置き、接着してこの下部基材18上にプラスチツクス
等で鎖線で示す如くにコーテイングする。
【0020】以上の様に構成することにより、光フアイ
バ ケーブルを配設しない箇所においては、入射光が透
過することはなく、固定データの記録状態とすることが
できる。 [第3の実施の形態]以上の説明においては、光フアイ
バの変形工程はカードの製造工程の一部で行なう例につ
いて説明した。しかし、本発明は以上の例に限定される
ものではなく、光フアイバの変形をカード製造後の任意
の時点で行なってもよいことは勿論である。即ち、カー
ドの実際の使用段階で所定の光フアイバ部分を押しつぶ
すことにより、当該押しつぶし部分の光フアイバを遮光
状態とし、記録内容を一方方向(遮光部分を増やす方向
のみ)へ書き換え可能とする。
【0021】第3の実施の形態においては、この変形工
程は、例えばカードの使用状況に応じて順次所定の光フ
アイバに変形を加えていき、遮光状態の光フアイバを増
やしていくものであり、例えば、プリペイドカード等に
応用すれば、当該カードの使用状況に従って所定割合使
用する毎に予め定められた領域の光フアイバを押圧して
押しつぶしたり、或は諸例位置に孔をあけることにより
光フアイバを変形させて光フアイバ中を光が透過しない
ようにする工程とする。従って、この工程はカードを実
際に使用する使用現場で行なう場合も含むものである。
【0022】以上の様にすることにより、一方方向のみ
の書き換えが可能なメモリカードが提供できることにな
る。このように、一方方向へのみ書き換えが可能なメモ
リカードとすることにより、例えばこのカードをプリペ
イドカードとして利用し、プリペイドカードの使用状況
に応じて順次所定の光フアイバ部分を遮光状態に変更す
ることにより、容易に使用状態の把握が可能となる。し
かも、一旦使用された本例のメモリカードは、光フアイ
バを透光状態に戻すことが困難であることより、使用済
みのカードを改竄して再び使用可能とする事がほとんど
不可能である。
【0023】更に、このカードに磁気記録方式の機能を
合わせ持たせて、カードの詳細な使用状態を磁気部分に
記憶し、大まかな使用状態を光フアイバの透光/遮光で
判別可能に構成しても、やはり使用済みのカードを未使
用のカードに改竄することがほとんど不可能にできる。
なお、このような場合には、例えば光フアイバの本数が
少なくとも目的を達成でき、カード原価を低く抑えるこ
とも可能である。
【0024】なお、以上の説明においては、光フアイバ
ケーブルをカードの横幅方向に平行に多数配設した構成
を例として説明したが、本発明はこれに限るものではな
く、この光フアイバケーブルをカードの長手方向に平行
に多数配設した構成として、縦に発光素子と受光素子を
設けてもよいことはもちろんである。
【0025】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、固定
データを光フアイバケーブルを介して光ビームが透光す
る部分と遮光しない部分とで表わすことができ、容易に
情報の破壊や書換の行なわれない信頼性の高いメモリカ
ードを提供することができる。また、光フアイバそのも
のを変形等して透光/遮光状態としているため、外部か
らはこの設定情報が容易に判別することができず、ま
た、一旦曙光状態とした後は再び透光状態に戻すことが
困難であることより、メモリカードの改竄される可能性
をなくすことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る発明の実施の形態の一例のメモリ
カードの外観斜視図である。
【図2】本実施の形態のメモリカード製造工程を示すフ
ローチヤートである。
【図3】本実施の形態のメモリカードの光フアイバーケ
ーブル列を切断した状態を示す図である。
【図4】本発明に係る発明の実施の形態の第2の例にお
けるメモリカード製造過程を示す図である。
【符号の説明】
10 ROMカード 11,17 フアイバケーブル 11a,11b 光フアイバ ケーブル列 15 磁気ストライプ 18 下部基材 19 溝 21 発光素子 22 集束レンズ 31 受光素子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光フアイバケーブルを必要数並列に並べ
    て接着する接着工程と、 前記接着工程に続き当該接着ケーブル列を所定幅に切断
    する切断工程と、 前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を研磨
    する研磨工程と、 前記研磨工程に続き光フアイバケーブル列の所定位置の
    光フアイバケーブルの一部を変形させ前記光フアイバケ
    ーブルの光透過率を変更する変形工程と、 前記変形工程に続き光フアイバケーブル列をコーテイン
    グするコーテイング工程とより成ることを特徴とするメ
    モリカードの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記変形工程は光フアイバケーブルの一
    部を潰すことにより遮光部を形成することを特徴とする
    請求項1記載のメモリカードの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記コーテイング工程に続き表面の所定
    領域に磁気ストライプを形成する磁気ストライプ形成工
    程を備えることを特徴とする請求項1または請求項2の
    いずれかに記載のメモリカードの製造方法。
  4. 【請求項4】 光フアイバケーブルを必要数並列に並べ
    て接着する接着工程と、 前記接着工程に続き当該接着ケーブル列を所定幅に切断
    する切断工程と、 前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を研磨
    する研磨工程と、 前記研磨工程に続き光フアイバケーブル列をコーテイン
    グするコーテイング工程と、 前記コーテイング工程によりコーテイングされた光フア
    イバケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部
    を変形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更す
    る変形工程とより成ることを特徴とするメモリカードの
    製造方法。
  5. 【請求項5】 前記変形手段は、メモリカードの使用状
    態に応じて所定位置の光フアイバケーブルの一部を変形
    させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更する変形
    工程とより成ることを特徴とする請求項4記載のメモリ
    カードの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記変形工程は光フアイバケーブルの一
    部を潰すことにより遮光部を形成することを特徴とする
    請求項4または請求項5のいずれかに記載のメモリカー
    ドの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記コーテイング工程に続き表面の所定
    領域に磁気ストライプを形成する磁気ストライプ形成工
    程を備えることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか
    に記載のメモリカードの製造方法。
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JPH01124085A (ja) * 1987-11-10 1989-05-16 Empire Airport Service Co Ltd Romカード及びその製造方法

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