JPH08292414A - 広い視野角を有する液晶スクリーン - Google Patents
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Abstract
晶スクリーンにおいて、特別な構造を有する電気−光学
セル即ち画素を提示する。 【解決手段】 画素は二つの基板層により形成され、該
基板層の一方の上には画素電極があり、他方の上には対
抗電極があり、更にこれらの電極の間には液晶分子があ
り、対抗電極は溝により二つの部分に分割されており、
画素がアドレスされない時ゼロでない偏光電圧が電極と
対抗電極の間に加えられていることを特徴としている。
Description
ンに比較して広い視野角を与える液晶スクリーン内の特
別な構造の電気−光学セル(画素)に関する。
般にライン(選択ライン)と列(データライン)から構
成されている。各交点にはトランジスタを経由してライ
ンに接続されている画素電極がある。これらのトランジ
スタのゲートは選択ラインを形成しており、ラインを走
査し更にデータラインを使用することにより各トランジ
スタを導通状態にする周囲の制御回路により制御されて
おり、該周囲の制御回路は他の周囲の制御回路に接続さ
れ電極の極性を変え該電極と対抗電極(即ち基準電極)
の間にある液晶の光学特性を変え、これによりスクリー
ンの上に画像を形成する。
つは、光学特性が可視角度、即ち特に灰色の幾つかのレ
ベルを有する画像に対し、画素を通し光の伝播方向に左
右されることである。図1は2つの視野平面、即ち水平
面2と垂直面3を備えたねじれネマチック液晶のセル1
を示している。偏光子が交差している場合、電極端子に
おける電圧により分子を配列している液晶に電界が生ず
る:画素は非導通状態により、黒く見える。光の光学的
透過率の角度分布は水平面2について対称であり、垂直
面3内で非対称である。これにより、暗領域Sと、水平
面の向かい合った面に明領域Cが生ずる。最小の透過率
に対応するコントラストの最大方向Dは垂直面3内にあ
る;該方向は画素の電極に加えた電圧、言い換えれば明
るさにより定まる。従って、スクリーンの上に表示され
た画像の品質は視野角により変化する;角度が非常に大
きければコントラストが反転する。
により定められる。図2は電極5及び6に電圧Uがある
ねじれネマチック液晶の場合の分子4のアラインメント
を示している。液晶方向の面の上で、該電極は液晶分子
4の上で特別な方向をとる(ポリイミドである)アライ
ンメント層7で覆われている。前述の暗領域8及び明領
域9の方向は電界がある場合液晶の分子が取る傾斜によ
り定まる。ある方法でポリイミドコーティングを行うこ
とにより、液晶分子は電界がある場合基板に一番近い分
子と基板自体の間の角度で、ある傾斜位置を取る。
角度を得るため、K.H.Yangは1991年開催の
“第11回国際ディスプレイ研究会議”の論文のページ
68の中で図3に示す解決策を提案している。この解決
策は各画素を2つの領域に分割し、それぞれの領域は電
圧Uが電極に加えられた時反対の傾斜を有している。こ
れらの半分の画素のそれぞれのアラインメント層は反対
の傾斜を有するように彫られている。これはポリイミド
のアラインメント層を非平行にこするマスク段階、即ち
真空状態で酸化シリコンSiOを堆積させることにより
分離される二つの段階に分けられる。この場合、影響は
打ち消し合い、視野角の角度に拘らず対称の視野が得ら
れる。
なるアラインメント層を彫ることが必要なので技術的に
実現が難しく、大量生産を行う場合実施が難しい。
スクリーン構造を使用することによりこれらの問題を解
決している。
気−光学セル、即ち画素に関しており、該基板層の一方
の上には画素電極があり他方の上には対抗電極があり、
更にこれらの電極の間には液晶分子の層があり、対抗電
極は溝により二つの部分に分割されており、画素がアド
レスされない時ゼロでない偏光電圧が電極と対抗電極の
間に加えられることを特徴としている。
対抗電極内の前記溝により該電極は中央が切断されてい
ることが好ましい。
液晶の閾値偏光電圧の0.8倍から1.3倍の間にする
ことが好ましい。
ラインメント層を有していることである。領域内で分子
が異なる傾斜を有している二つの領域に各画素を分割す
ることは、前記画素電極と前記対抗電極の間の電界の影
響のみにより行われる。
の一方に対するあらゆる片寄りを避けるため、該アライ
ンメント層により液晶分子は、基板に厳密に平行なアラ
インメントか、又はアラインメント層に固有な傾斜があ
る場合、非平行なアラインメントのいずれかを取る。
加させ、画素がアドレスされない時前記偏光電圧の光学
特性を保つことにある。この厚さはバイフリンジェンス
との積を光の波長で割った値が一定値√(3/2)より
若干大きく、典型的には1.1倍から1.5倍の間にな
るようにすることが好ましい。
の一方の上に堆積され対抗電極の溝をマスクすることで
ある;更に、該不透明な材料は記憶容量として使用され
る。
される液晶スクリーンにも関している。
る場合実効的な予めの傾斜を生ずることなく液晶分子の
アラインメントを利用していることである。図4aに示
すように、アラインメント層7はアラインメントが“平
行”と呼ばれる、言い換えれば傾斜が0°である液晶分
子4を得るように製造することができる。これはポリイ
ミドを静かに磨くこと、又は圧力をかけることにより、
又は酸化シリコンSiOを不透明に堆積させることによ
り得られる。この他に、0°と異なる傾斜を作るアライ
ンメント層を使用することにより、“非平行”と呼ばれ
るアラインメントを選択することができる。この場合、
画素の上下の層は二つの異なる傾斜の影響が互いに反対
になっており互いに打ち消すように配置されている。
の断面を示している。該液晶スクリーンは内側の表面に
透明な電極14と透明な対抗電極15を取り付けた二つ
の透明な基板層11を備えている。これらの電極14と
15の内側の表面の上にはアラインメント層13が堆積
され処理されている。これらのアラインメント層は平行
なアラインメントを与えるタイプか、二つの層の間にあ
る液晶分子4に傾斜を与えるタイプかのいずれかであ
る。後者の場合、画素の上下にある層は非平行な形で配
置されている。前記液晶はねじれネマチックか、又は電
気−光学効果が電界Eにより変化するあらゆる他のタイ
プである。更に、これらの画素は二つの偏光子7により
支えられている。
により画素は中央部分が切断されている。この溝は液晶
分子4の層の厚さの0.5倍から2倍の幅、典型的には
3ミクロンから10ミクロンであることが好ましい。電
位差Uが画素電極14及び対抗電極15に加えられる
と、該溝により電界E内に横成分が生ずる。従って、電
界Eは図5に示すように、電極が互いに向き合う領域で
は電極に直角であり、画素電極14の端の領域及び溝1
8と電極14の間の領域では傾斜している。このよう
に、それぞれが種々の傾斜角を有する二つの光学領域は
本発明による画素の構造から生ずる電界Eの不均一分布
により形成される。
る光学的な乱れを取り除くため、例えば電極14の外部
表面の上に不透明な材料16を堆積することにより溝1
8の回りの部分をマスクする必要がある。該材料は、例
えば能動的なマトリクスのアドレスを定める金属とし、
記憶容量として使用することができる。
られるスクリーンの場合、対抗電極は一般にスクリーン
全体を覆っている。この場合、該対抗電極を彫り溝18
を形成する必要がある:これは非常に簡単な追加操作で
ある。この操作に使用されるマスクは不透明なマスク1
6を堆積するため使用されるマスクと同じにすることが
できる。
定されないことが明らかである。
液晶スクリーンの断面図を示している。該液晶スクリー
ンは選択ライン(即ちデータライン)24により分離さ
れる電極21、22及び23と、溝26のある対抗電極
25から構成されている。液晶分子4は図4aを参照し
て記載したように、“平行”アラインメントを有してい
る。
が1°の角度を有したスクリーンの構造を示しており、
分子は図4bを参照して記載したように“非平行”アラ
インメントを有している。
長い遅れがあるため、画素がアドレスを受けない時(O
FF状態)、偏光がゼロでなく領域の構造が保たれる。
偏光電位Uの大きさは不均一な電界がある場合、液晶の
閾値電圧の値の0.8倍から1.3倍の間にあることが
好ましい。
め、液晶の部分の厚さを若干変えることが好ましく、そ
の理由は該厚さdを実効的なバイフリンジェンスにより
OFF状態で最大の伝達と更に良好な角度特性を与える
ように選ぶためである。これはΔnがバイフリンジェン
スでλが光の波長の時積dΔn/λがある値、好ましく
は√(3/2)を取ることを意味している。OFF状態
での偏光の場合、液晶分子は若干傾斜しているので、d
Δnの実効値は若干小さくなる。このため、液晶の厚さ
を増加させ該効果を補償することが好ましい。この修正
は積dΔnを含む全ての場合好ましい。
いるといないとに拘らず、投影又は直視用のあらゆるタ
イプの液晶スクリーンに適用できる。
るねじれネマチック液晶の画素の例である。
めの図1の画素の断面図である。
された従来の解決策である。
行アラインメントを有するねじれネマチック液晶分子で
ある。
平行アラインメントを有するねじれネマチック液晶分子
である。
る。
得られる方向である。
して得られる方向である。
Claims (10)
- 【請求項1】 二つの基板層により形成されており、該
基板層の一方の上には画素電極があり他方の上には対抗
電極があり、更にこれらの電極の間には液晶分子の層が
あり、対抗電極は二つの部分に分割されており、画素が
アドレスされない時ゼロでない偏光電圧が電極と対抗電
極の間に加えられていることを特徴とする電気−光学セ
ル即ち画素。 - 【請求項2】 前記の予め加えられた偏光電圧が、均一
な電界がある場合前記液晶分子の閾値偏光電圧の値の
0.8倍から1.3倍の間にあることを特徴とする請求
項1に記載の電気−光学セル。 - 【請求項3】 バイフリンジェンスと層の厚さの積を光
の波長で割った値が一定値√(3/2)より若干大きい
ような厚さを前記液晶分子の層が有することを特徴とす
る請求項1に記載の電気−光学セル。 - 【請求項4】 バイフリンジェンスと層の厚さの積を光
の波長で割った値が一定値√(3/2)の1.1倍から
1.5倍の間にあるように液晶分子の前記層の前記厚さ
を定めることを特徴とする請求項3に記載の電気−光学
セル。 - 【請求項5】 対抗電極の前記二つの部分の一方の中の
分子の傾斜が、前記画素電極と前記対抗電極の間の電界
の影響により、他の部分の中の分子の傾斜と反対になっ
ていることを特徴とする請求項1に記載の電気−光学セ
ル。 - 【請求項6】 前記液晶分子が、電界の無い時平行のア
ラインメントを有していることを特徴とする請求項5に
記載の電気−光学セル。 - 【請求項7】 前記液晶分子が、電界の無い時非平行の
アラインメントを有していることを特徴とする請求項5
に記載の電気−光学セル。 - 【請求項8】 不透明な材料が基板の一方の上に堆積さ
れ前記溝をマスクしていることを特徴とする請求項1に
記載の電気−光学セル。 - 【請求項9】 前記不透明な材料が記憶容量を使用した
金属であることを特徴とする請求項8に記載の電気−光
学セル。 - 【請求項10】 請求項1に記載した電気−光学セルを
含む液晶スクリーン。
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