JPH08290238A - 鋼の連続鋳造用鋳型および連続鋳造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】鋼の連続鋳造用鋳型の提供。 【構成】鋳型とその上部に直結されたタンディッシュ、
この鋳型内壁に引抜方向入り側端部まで延設された段差
部、及びこの段差部に内挿セラミックスを備えた鋼の連
続鋳造装置において、鋳型は複数のスリットと複数のセ
グメントと高周波誘導加熱コイルとを備え、スリット位
置がセラミックス内挿段差部の長さより短い範囲、セグ
メントが水冷構造、高周波誘導加熱コイルの巻き位置が
スリット設置範囲内の外周である鋼の連続鋳造用鋳型。 【効果】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、鋳型とタンディッシュ
とが直結された、鋼の連続鋳造用鋳型に関する。

【０００２】

【従来の技術】タンディッシュと鋳型とが直結された構
造の連続鋳造装置（以下、直結式ＣＣという）を用いる
方法は、浸漬ノズルを用いて鋳型内へ溶鋼の供給（以
下、給湯という）を行う構造の連続鋳造装置（以下、通
常ＣＣという）を用いる方法に比較し、操業面および製
品面で優れた点を有している。

【０００３】例えば、小断面の鋳型で連続鋳造を行う場
合、図３に模式的に示すような浸漬ノズル９を用いて給
湯を行う通常ＣＣにおいては、鋳型２内の溶鋼８の表面
（以下、湯面という）をパウダー１０で保温することが
必須である。しかし、湯面のみの保温ではその効果が十
分でなく、浸漬ノズル９の詰まりが生じて鋳造不可能と
なり易い。また、保温用のパウダー１０が鋳片１９内に
取り込まれるなどの現象により、鋳片の清浄性にも影響
を及ぼす。図３において、符号１１は凝固シェル、１８
はピンチロールである。

【０００４】一方、図４(a) に示すような直結式ＣＣに
おいては、タンディッシュ１と鋳型２とはタンディッシ
ュ押さえ治具１６と連結されたタンディッシュノズル１
５および接続耐火物（ブレークリング）１２を介装して
直結されている。図示するように、タンディッシュノズ
ル１５、すなわち給湯口の形状が鋳型２の内面形状とほ
ぼ同等である。したがって、鋳型２内には湯面は存在し
ないため、ノズル詰まりの問題は解消される。

【０００５】さらに、パウダーレス鋳造であること、か
つ給湯口が通常ＣＣに比較し大きいことにより給湯線流
速が低減でき、介在物浮上に有利となる結果、清浄な鋳
片１９の製造が達成される。他に、最終製品に近い形状
（小断面）の鋳片を製造することも可能であり、省行程
にもつながる。

【０００６】直結式ＣＣはこのような優れた点を持って
はいるものの、依然として課題が存在する。これを図４
(b) により説明する。

【０００７】直結式ＣＣの場合、凝固シェル１１の起点
は、水冷銅製の鋳型２と、タンディッシュ１−鋳型２の
間を接続させるための接続耐火物１２との接点Ａであ
る。直結式ＣＣでは間欠引き抜きを採用しており、引き
抜き停止時間中には、この接点Ａの凝固シェル１１が過
凝固し、引き抜き後に浸入してくる溶鋼８との溶着性が
悪化して凝固シェル１１の表皮下まで引き抜きマークＭ
として残存する。この引き抜きマークＭは、はなはだし
い場合には鋳片表面の割れとして現れる。また、これら
のマークＭとマークＭとの中間には、シェル強度の最弱
部に起因するホットティアＨと呼ばれる表面横割れも存
在する。

【０００８】これらの表面欠陥は製品において疵などの
欠陥となるため、鋳片段階での研削除去が必要となる。
直結式ＣＣでは小ロット品の高合金鋼を対象とする場合
が多く、歩留まり向上のため、この研削量を減らす必要
がある。

【０００９】直結式ＣＣの引き抜きマークの低減対策と
して、セラミックスを水冷銅製鋳型内に内挿する方法が
採用されている。例えば、特開昭５２−５０９２９号公
報には、耐火物と黒鉛管を内挿した鋳型を用いて引き抜
きマークの低減を図る方法が示されている。耐火物を内
挿する例として図５に模式的に示すように、セラミック
ス４により溶鋼８の冷却を緩和し、セラミックス４上に
凝固シェル１１の起点Ａを生成させることで、上記の表
面欠陥は解消される。

【００１０】しかし、長時間にわたって引き抜きマーク
のない鋳片を製造する場合、内挿セラミックス４の寿命
が問題となる。

【００１１】図６に模式的に示すように、内挿セラミッ
クス４の摩耗の度合いは、凝固シェル１１が或る程度成
長した段階では凝固収縮により鋳片がセラミックス４の
内面から若干離れるため、それほど大きくない。しか
し、特に凝固シェル１１の起点Ａではシェル強度も出現
し始め、内挿セラミックス４との接触も十分なされてい
るため、起点Ａ部が最も摩耗の激しい箇所となる。従っ
て長時間にわたり鋳造を行った場合、起点Ａ付近でセラ
ミックス４の摩耗および破損が起こり、破損したセラミ
ックス４が鋳片に取り込まれたり、鋳片の形状が変化し
たりする。さらに、はなはだしい場合には、摩耗破損し
たセラミックス４の部分に凝固シェル１１が引っかかっ
て鋳片の拘束が生じ、鋳造の停止に至ることがある。

【００１２】図６に示すようなセラミックスの局所的な
摩耗および破損を避けるには、セラミックスが存在する
範囲内で凝固シェルの起点Ａが移動するように制御する
必要がある。例えば本出願人は特開平４−２８８９４６
号公報において、図７に示すようにセラミックス４を内
挿した鋳型２の上部に水平方向に移動可能な可動鋳型１
３を複数段設置した直結式ＣＣを開示した。この装置で
は、セラミックス４の摩耗を低減させるため、鋳込み初
期と後期において可動鋳型１３をセラミックス４の外面
から離すことによってセラミックス４面の冷却を制御す
ることで、凝固シェル１１の起点Ａを移動制御する。し
かしこの方法は、セラミックス４の外面と可動鋳型１３
との距離を１ｍｍ以下の位置制御精度で行う必要があ
り、かなりの機械的精度が必要とされ、冷却制御が困難
となる。また、この装置ではその構造も複雑である。

【００１３】上記のように機械的な制御ではなく、電磁
的に制御を行う方法が特開昭６０−１４５２４９号公報
に示されている。この方法では図８に示すように、タン
ディッシュノズル１５と水冷銅製の鋳型２の入り側との
間に、鋳型内径と同じ径の耐火物４′を内挿し、かつ、
この耐火物４′内に加熱装置（通電コイル）１４を埋設
して用いる。これにより、凝固シェル１１の起点Ａを所
望の位置に制御するというものである。

【００１４】しかし、図８のような水平型直結式ＣＣで
は、特に溶鋼静圧が高いため、耐火物４′の破損が起こ
りやすい。この破損により溶鋼が外部に噴出した場合、
加熱装置１４と溶鋼８が接触してスパークに至り、危険
な状態となりやすい。また、導電性の大きな水冷銅製の
鋳型２近傍で加熱装置（通電コイル）１４に通電するこ
とは、電源効率を悪くし、さらには加熱装置（通電コイ
ル）１４近傍の鋳型２に大きな熱負荷を生じさせる。ま
た、冷却機能を持たない耐火物４′の面上で凝固シェル
１１は元々生成しにくいため、電流値の調整はできるも
のの、その制御範囲はかなり狭くなる。

【００１５】特公平３−６９６１５号公報には、誘導加
熱コイル全面および水冷銅製鋳型の内壁すべてに耐火物
製のスリーブを挿入して凝固シェルの起点を制御する方
法が示されている。しかしこの方法も、上記のような問
題が存在し、特に水冷銅製鋳型に誘導加熱コイルを近づ
けると電源効率が低下し、さらに鋳型に熱負荷が生じ
る。そこで、水冷銅製鋳型から誘導加熱コイルを離すこ
とになるが、離しすぎると逆に凝固シェル起点の制御性
が悪化するため、特開平５−３０９４５３号公報に示さ
れる耐火物製鋳型の誘導加熱制御法のように、誘導加熱
コイルと水冷銅製鋳型の中間に導電性リングを挿入する
方法がある。しかし、この方法でも導電性リングの発熱
が大きく、電源効率に問題がある。

【００１６】以上のように、誘導加熱法は効果的である
が、さらに効率よく安全に凝固起点を制御することがで
きる装置や方法が望まれる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するためになされたものであり、本発明の目的は、鋳
型寿命を延命し、長時間にわたって表面欠陥のない鋼鋳
片の鋳造が可能となる直結式ＣＣ用鋳型を提供すること
にある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、次の鋼
の連続鋳造用鋳型にある。

【００１９】水冷銅製の鋳型、その上部に直結されたタ
ンディッシュ、この鋳型の内壁に引き抜き方向の入り側
端部まで延設された段差部およびこの段差部に内挿され
たセラミックスを備えた鋼の連続鋳造装置において、鋳
型は複数のスリットと複数のセグメントと高周波誘導加
熱コイルとを備え、スリット設置位置がセラミックス内
挿の段差部の引き抜き方向の長さより短い範囲であり、
セグメントが水冷構造であり、高周波誘導加熱コイルの
巻き位置が鋳型のスリット設置範囲内の外周であること
を特徴とする鋼の連続鋳造用鋳型。

【００２０】上記鋳型を用いる好ましい鋳造方法は、鋳
型にタンディッシュから溶湯を連続的に供給し、鋳造
中、鋳型外周に巻かれた高周波誘導加熱コイルに交流電
流を通電し、かつ凝固起点の位置を内挿セラミックス内
の範囲内に移動制御するために、その電流値を制御しな
がら鋳造することである。

【００２１】

【作用】図１および図２に基づいて、本発明の直結式Ｃ
Ｃ用鋳型およびこれを用いる鋳造方法を詳述する。

【００２２】図１(a) は、本発明の直結式ＣＣ用鋳型を
用いる直結式ＣＣの構成例を示す正面縦断面を示す図で
ある。図１(b) は、図１(a) の鋳型上部における一部破
断斜視図である。

【００２３】図１(a) に示すように、本発明の鋳型を適
用する直結式ＣＣは、タンディッシュ１と鋳型２とがタ
ンディッシュ押さえ治具１６と連結されたタンディッシ
ュノズル１５および接続耐火物（ブレークリング）１２
を介装して直結されている装置である。

【００２４】本発明の鋳型は、このような直結式ＣＣに
おいて用いる鋳型である。図１(a)および図１(b) に示
すように、この鋳型は、水冷銅製の鋳型２、この内壁に
引き抜き方向の入り側端部まで延設された段差部３、こ
の段差部３に鋳型２の内壁と同じ内径で内挿されたセラ
ミックス４、この段差部３に設けた複数のスリット５、
このスリット５を挟む複数の水冷構造のセグメント６、
およびセラミックス４とスリット５とが存在する上下方
向範囲内の外周に巻かれた高周波誘導加熱コイル７、セ
ラミックス４の内挿段差部３のスリット５の下端位置よ
り下方の範囲内でセラミックス４の内壁に設置した熱電
対１７から構成される。

【００２５】セラミックス４は難導電性のセラミックス
を用いる。材質としては、引き抜きマーク軽減に効果的
な潤滑性がよく、かつ難導電性のＢＮ、サイアロン（成
分はＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、Ｓｉ₃ Ｎ₄ などが望まし
い。段差部３の望ましい長さは、鋳型２の全長に対して
上部から５０％以内程度、セラミックス４の望ましい厚
さの範囲は５〜２０ｍｍ程度である。５ｍｍ未満では強
度を確保することができない。一方、２０ｍｍを超える
と鋳型からの必要な冷却能を確保することができなくな
る。

【００２６】スリット５は、鋳型２の段差３の部分のセ
ラミックス４の内挿範囲より短い範囲で鋳型２の内壁と
外壁を貫通して設けてあり、鋳型２の一部は水冷構造を
持つセグメント６を有する形状となっている。スリット
５が鋳型２の上端または下端まで存在しないのは、セグ
メント６を備えた鋳型２の部分が鋳込み時の熱応力によ
り開いてしまうこと（鋳型変形）を防止するためであ
る。

【００２７】高周波誘導加熱コイル７は、鋳型２の上記
範囲内の外周に交流電流を通電するための装置である。
前述のように鋳型２に複数のスリット５が存在するた
め、この誘導加熱コイル７による磁場が鋳型２のスリッ
ト５部を周回し、鋳型２に大きな熱負荷をかけずに間接
的にスリット５の範囲内のみの溶鋼８を加熱することが
できる。加熱効果を高めるには、高周波誘導加熱コイル
７に流す電流の周波数をできるだけ高くする必要があ
り、スリット５が存在しないと、このような高い周波数
の磁場は、導電性の大きな銅製の鋳型２にはほとんど侵
入せず、鋳型２の外周のみの加熱作用を与えることにな
ってしまう。

【００２８】すなわち、スリット５を銅製の鋳型２に存
在させることにより、磁場および誘導電流がスリット５
部に侵入し、二次的に内部の溶鋼８を誘導加熱すること
が可能となる。望ましいスリット５の形状は幅で０．１
〜０．５ｍｍ程度、上下方向の長さで、鋳型径および長
さにもよるが１００〜２００ｍｍ程度である。望ましい
スリット５の本数は１０本以上であり、多ければ多いほ
どよい。しかし、各セグメント６に冷却能を持たせる必
要があることから、セグメント６の周方向長さに依存す
る。

【００２９】高周波誘導コイル７の巻き（ターン）高さ
は、電源効率の観点からスリット５の設置範囲の１／３
程度であることが望ましい。

【００３０】本発明者らは、上記のようなスリット５と
高周波誘導コイル７との設置条件においては、溶鋼８に
付与される誘導加熱量は電源出力に対して２５〜３０％
の高い効率を示すことを確認している。また、高周波誘
導加熱では溶鋼８の表層１０数ｍｍ以内（電流周波数が
１ｋＨz 以上の場合）のみの加熱が可能となるため、凝
固シェルの起点Ａの制御にのみ有効となり、溶鋼８全体
の昇温により過熱度ΔＴが高くなって逆に品質劣化を引
き起こすような現象は起こらない。この加熱作用を利用
して凝固シェルの起点Ａを制御することが可能となるの
である。

【００３１】次に、図１および図２により、本発明の鋳
型を用いる好ましい鋳造方法を説明する。この方法で
は、前述の図１に示す鋳型および装置を用いて鋳型にタ
ンディッシュから溶湯を連続的に供給し、鋳造に伴い鋳
型外周に巻かれた高周波誘導加熱コイルに交流電流を通
電し、かつ凝固起点Ａの位置を内挿セラミックス内の範
囲内に制御するために、その電流値を制御しながら鋳造
する。

【００３２】図２は、本発明鋳型を用いる鋳造方法を説
明する鋳型および鋳型内の要部の縦断面図である。図２
(a) に示すように、鋳造初期には内挿されたセラミック
ス４のタンディッシュに近い側に凝固起点Ａが存在す
る。この時点では高周波誘導加熱コイル７の交流電流値
は０である。次いで、図２(b) に示すように、凝固起点
Ａ部のセラミックス４が摩耗する前に高周波誘導加熱コ
イル７に例えば５０００Ａ・T 電流を通電し、凝固起点
Ａ部を或る範囲降下させる。この単位に示されるT は高
周波誘導加熱コイル７のターン数、Ａは１ターン当たり
に流れる電流値（アンペア）を意味する。次いで、図２
(c) に示すように、その位置でのセラミックス４の摩耗
が進まない内に通電するコイル電流値を、例えば１００
００Ａ・Tに増加させ、さらに凝固起点Ａを降下させ
る。

【００３３】しかし、凝固起点Ａを降下させすぎて内挿
セラミックス４と水冷銅製鋳型２の接続部の点Ｂ近傍に
起点Ａが存在すると、鋳片表面に点Ｂでのつなぎ跡が残
って表面欠陥となる。さらに、凝固シェル１１の凝固起
点Ａが鋳型２の内挿セラミックス４が存在しない部分ま
で降下した場合、上記接続部（点Ｂ）に溶鋼が差し込む
可能性がでてくる。

【００３４】一方、本発明鋳型を用いる好ましい鋳造方
法では、誘導加熱部（スリット５部に対応）以降までセ
ラミックス４が内挿されているため、スリット５下端以
降のセラミックス４部での冷却能力が大きく、凝固起点
Ａが上記接続部の位置（点Ｂ）より下がることはない。
しかし、凝固起点Ａが降下限界（点Ｂ）を確実に超えな
いようにするには、例えば図１(a) に示すように、熱電
対１７をセラミックス４の内挿段差部３のスリット５の
下端位置より下方の範囲内でセラミックス４の内壁に設
置しておき、その場所の溶鋼温度が液相線を超える前に
高周波誘導加熱コイル７の電流値を低下させるのがよ
い。

【００３５】このような方法で、図２(c) に示す位置ま
で凝固起点Ａが降下させた後、徐々に電流値を低下させ
ていき、逆に図２(b) 、図２(a) の順序で徐々に凝固シ
ェルの起点Ａを上昇させる。そして、この方法を繰り返
しながら鋳造を継続するのである。

【００３６】このような方法により、セラミックス４の
局所摩耗を抑制し、長時間にわたり摩耗量を低く抑制す
ることが可能となる。また、もしセラミックス４が破損
した場合でも、セラミックス４の外面には水冷銅製の鋳
型２または水冷のセグメント６が存在するため、高周波
誘導加熱コイル７との接触によるスパークの発生は防止
できる。さらに、セラミックス４の外面に水冷の鋳型２
やセグメント６が存在することのメリットは、セラミッ
クス４の内表面にも冷却能があるため、凝固シェル１１
が生成しやすく、広い範囲において高周波誘導加熱コイ
ル７の電流値を調整することで、凝固シェル１１の凝固
起点Ａを推移させることが可能となることである。

【００３７】高周波誘導加熱コイル７に通電する最適な
電流値は、水冷銅製の鋳型２の肉厚、セラミックス４の
肉厚、内挿長さおよび材質に依存するため、事前に伝熱
解析も含めて調査を必要とする。コイル電流値の望まし
い制御可能範囲は、０〜２０k Ａ・T 程度である。

【００３８】図１および図２においては竪型の直結式Ｃ
Ｃの場合について示したが、本発明装置およびこれを用
いる好ましい方法は、水平方向に引き抜く水平型直結式
ＣＣにおいても適用可能である。また、鋳型の断面形状
は丸断面、矩形断面のどちらでも差し支えない。

【００３９】

【実施例】

（本発明例）図１に示す本発明鋳型および図２に示す方
法を用いて連続鋳造試験を実施し、鋳造状況と鋳片表面
性状を調査した。装置全体の諸元、対象鋼種および鋳造
条件は次のとおりである。

【００４０】 鋳型：水冷却銅製 内径 ２１０ｍｍφ（段差部）、１８０ｍｍφ（段差無し部） 外径 ２６０ｍｍφ 長さ 全長８００ｍｍ、 段差部２００ｍｍ スリット長さ 鋳型上端５ｍｍ下から１２５ｍｍ長さ スリット幅 ０．２ｍｍ スリット本数 周方向均一間隔で２５本 セラミックス ＢＮ（熱伝導率２５Ｗ／ｍ² ・Ｋ） または サイアロン（熱伝導率５Ｗ／ｍ² ・Ｋ） セラミックス厚さ １５ｍｍ 高周波電源仕様：周波数３ｋＨz 、最高出力１５０ｋＷ コイル形状：４ターン（１ターン断面形状１０ｍｍ×１０ｍｍ） 最高コイル電流値１２０００Ａ・T 鋳造鋼種：ＳＵＳ３０４、Ｓ４５Ｃ（Ｃ含有量は０．４５％） 鋳込温度（タンディッシュ内）：液相線温度よりも４０〜５０℃高 鋳造量：５０トン 鋳造速度：０．５〜１．２ｍ／ｍｉｎ 間欠サイクル数 １００ｃｐｍ 表１に試験条件と上記鋳造結果を示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】鋳造はいずれも、途中でブレークアウト等
の問題はなく完鋳できた。鋳片の表面性状も引き抜きマ
ークおよびホットティアの割れは存在せず、良好であっ
た。

【００４３】セラミックスの破損もほとんどなかったこ
とから、鋳片にもセラミックスが取り込まれた箇所は見
あたらなかった。

【００４４】（比較例１）次に、下記装置と条件でスリ
ットと高周波誘導加熱コイルとを備えず、図５に示すよ
うなセラミックスを鋳型入り側段差部に内挿したのみの
鋳型と、さらに図４に示すようなセラミックスも内挿し
ない水冷銅製鋳型（段差部無し）とを使用して鋳造試験
を実施した。

【００４５】 鋳型：水冷却銅製 内径 ２１０ｍｍφ（段差部）、１８０ｍｍφ（段差無し部） 外径 ２６０ｍｍφ 長さ 全長８００ｍｍ、 段差部２００ｍｍ セラミックスありの場合、ＢＮ（熱伝導率２５Ｗ／ｍ² ・Ｋ） またはサイアロン（熱伝導率５Ｗ／ｍ² ・Ｋ） （外径２１０ｍｍφ、内径１８０ｍｍφ、長さ２００ｍｍ） 鋳造鋼種：ＳＵＳ３０４、Ｓ４５Ｃ（Ｃ含有量は０．４５％） 鋳込温度（タンディッシュ内）：液相線温度よりも４０〜５０℃高 鋳造量：５０トン 鋳造速度：０．５〜１．２ｍ／ｍｉｎ 間欠サイクル数：１００ｃｐｍ 表２に試験条件と上記鋳造結果を示す。

【００４６】

【表２】

【００４７】表２に示すように、いずれも或る長さまで
の鋳込みは可能であったが、完鋳前にセラミックスが破
損し、鋳造停止に至った。完鋳したものについても鋳片
にはセラミックスが噛み込んだ箇所が多数あり、表面欠
陥として残存していた。しかし、鋳込み初期のの鋳片表
面には引き抜きマークが存在せず、良好であった。この
ことからセラミックスの耐久性が重要になることがわか
った。

【００４８】（比較例２）図７に示す装置と方法を用い
て連続鋳造試験を実施し、鋳造状況と鋳片表面性状を調
査した。装置全体の諸元、対象鋼種および鋳造条件は次
のとおりである。

【００４９】 鋳型：水冷却銅製 内径 １８０ｍｍφ 外径 ２５０ｍｍφ 長さ 全長８００ｍｍ セラミックス ＢＮ（熱伝導率２５Ｗ／ｍ² ・Ｋ） セラミックス厚さ １５ｍｍ セラミックス長さ ８００ｍｍ（鋳型長と同じ） 可動鋳型：個数 引き抜き方向４個 円周方向 ４個 長さ 各５０ｍｍ 鋳造鋼種：ＳＵＳ３０４ 鋳込温度（タンディッシュ内）：液相線温度よりも４０〜５０℃高 鋳造量：５０トン 鋳造速度：０．５〜１．２ｍ／ｍｉｎ 間欠サイクル数：１００ｃｐｍ 表３に試験条件と上記鋳造結果を示す。

【００５０】

【表３】

【００５１】鋳片表面は表１の本発明例で得られた性状
と略々同等であったが、表３に示すように、いずれも完
鋳前にブレークアウトに到った。この原因は、周方向で
可動鋳型の移動位置が若干異なり、結果的に周方向でシ
ェル起点が異なったため、引き抜き不安定によって発生
したシェル破断であると推定された。

【００５２】以上のように、本発明鋳型を用いて望まし
い方法で鋳造を行うと、高周波電磁場による誘導加熱作
用が周方向で均一であるため、安定した引き抜きを達成
することが可能となる。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、引き抜きマークなどの
表面欠陥のない鋼鋳片の製造、歩留まり向上とともに、
鋳片変形、鋳片拘束による鋳造停止の抑制を達成するこ
とができる。さらに、鋳型の内挿セラミックスの寿命が
延命し、長時間にわたって表面欠陥のない鋳片が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の直結式ＣＣ用鋳型を用いる直結式ＣＣ
の構成例を示す図である。(a)は正面縦断面図、(b) は
(a) の鋳型上部における一部破断斜視図である。

【図２】本発明の鋳造方法を説明する鋳型および鋳型内
の要部の縦断面図である。(a)は鋳造初期、(b) は凝固
起点Ａ部を或る範囲降下させる図、(c) はさらに降下さ
せる図である。

【図３】浸漬ノズルを用いる通常の竪型式連続鋳造装置
を示す縦断面図である。

【図４】従来の直結式連続鋳造装置を示す縦断面図であ
る。

【図５】従来の直結式連続鋳造装置においてセラミック
スが内挿された例を示す縦断面図である。

【図６】図５の装置におけるセラミックスの摩耗を説明
する要部の縦断面図である。

【図７】特開平４−288946号公報に示される連続鋳造装
置を示す縦断面図である。

【図８】特開昭60−145249号公報に示される連続鋳造装
置を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１：タンディッシュ、 ２：水冷銅製鋳型、
３：段差部、４：セラミックス、 ４′：耐火
物、 ５：スリット、６：セグメント、
７：高周波誘導加熱コイル、 ８：溶鋼、
９：浸漬ノズル １０：パウダー、 １１：凝固シェ
ル、１２：接続耐火物（ブレークリング）、１３：可動
鋳型、１４：加熱装置、１５：タンディッシュノズル、
１６：タンディッシュ押さえ治具、１７：熱電
対、 １８：ピンチロール、１
９：鋳片、 Ａ：凝固シェル起
点、Ｂ：鋳型２の段差部３の内面におけるセラミックス
４と鋳型２の接続部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水冷銅製の鋳型、その上部に直結されたタ
   ンディッシュ、この鋳型の内壁に引き抜き方向の入り側
   端部まで延設された段差部およびこの段差部に内挿され
   たセラミックスを備えた鋼の連続鋳造装置において、 鋳型は複数のスリットと複数のセグメントと高周波誘導
   加熱コイルとを備え、スリット設置位置がセラミックス
   内挿の段差部の引き抜き方向の長さより短い範囲であ
   り、セグメントが水冷構造であり、高周波誘導加熱コイ
   ルの巻き位置が鋳型のスリット設置範囲内の外周である
   ことを特徴とする鋼の連続鋳造用鋳型。