JPH08282000A - イオンフロー静電記録ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 長時間の放電下でも絶縁体層が劣化せず、第
３電極の開口部の開口径を変化させない、高耐久性で高
精細な画像形成が可能なイオンフロー静電記録ヘッドを
提供する。 【構成】 絶縁基板11上に複数の第１電極12を設け、そ
の上に誘電体層13を設ける。そして誘電体層13上に第２
電極14を第１電極12とマトリクスを構成するように設
け、誘電体層13の第２電極14の配置面側に、第２電極14
を埋設するように開口部15ａをもつアクリル樹脂からな
る絶縁体層下部層15−１を形成し、該絶縁体層下部層15
−１の表面を覆うようにシリコーン樹脂からなる絶縁体
層表層15−２を設け、下部層15−１と表層15−２とから
なる絶縁体層15の表面に第３電極16を接着し、第２電極
14の開口部14ａと絶縁体層15の開口部15ａと第３電極16
の開口部16ａとを連通してイオン流通過口17を形成し、
イオンフロー静電記録ヘッドを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、静電式の印刷や複写
に利用されるイオンフロー静電記録ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えば静電印刷などにおいて、
高電流密度のイオンを発生させ、これを抽出して選択的
に被帯電部材に付与して、この被帯電部材を画像状に帯
電させる静電記録装置が知られている。

【０００３】この静電記録装置に用いられるイオンフロ
ー静電記録ヘッドには、図４の（Ａ），（Ｂ）に示すよ
うな構成のものが知られている。図において、１は絶縁
基板で、該絶縁基板１上には同方向に略直線状に延設さ
れ、略平行に並設された複数の第１電極２が設けられて
いる。これらの第１電極２は、誘電体層３の一方の面に
固着されている。また、誘電体層３の他方の面には、第
１電極２の延設方向と異なる方向に延設された複数の第
２電極４が接着剤８で固着されている。そして、複数の
第１電極２・・・と複数の第２電極４・・・とでマトリ
クスを構成している。更に、この第２電極４のマトリク
スと対応する部分には、イオン発生用の開口部４ａが形
成されている。また、第２電極４の第１電極２と反対側
には、絶縁体層５を介して第３電極６が配設されてい
る。これらの絶縁体層５及び第３電極６には、第２電極
４の開口部４ａと対応する開口部５ａ，６ａが形成され
ており、これらの開口部５ａ，６ａによってイオン流通
過口７が構成されている。

【０００４】このように構成されたイオンフロー静電記
録ヘッドにおいては、第１電極２と第２電極４との間の
マトリクスの、選択された部分に対応する第１電極２と
第２電極４との間に、交互に高電圧を印加することによ
り、その部分に対向する第２電極４の開口部４ａ近傍
に、正・負のイオンが発生する。また、第２電極４と第
３電極６との間にはバイアス電圧が印加され、その極性
によって決まるイオンのみが発生したイオンから選択的
に抽出され、イオン流通過口７を通過し、第３電極６と
対向して配置される被帯電部材を部分的に帯電させるこ
とができる。したがって、マトリクス構造の第１及び第
２の電極を選択的に駆動することにより、ドットによる
静電記録を行うことができる。

【０００５】このような構成のイオンフロー静電記録ヘ
ッドで使用される誘電体層３を形成する誘電物質は、イ
オン発生のために印加される高電圧でも絶縁破壊しない
ことが要求される。また、この誘電体層３はイオンを効
率良く発生させ、絶縁破壊にも耐えられる程度の厚さを
必要とするため、高誘電率を有するものが適している。
例えば、特開平２−１５３７６０号公報開示のものでは
誘電体層３の材料として、シリコーン変性ポリエステル
アルキド樹脂中に酸化チタン粉を混在させたものが用い
られている。また、同公報開示のものでは第２電極４を
形成する材料としては、ステンレス鋼のシートが用いら
れると共に、その第２電極４を誘電体層３に固着する接
着剤８には、シリコーン系の感圧接着剤が用いられてい
る。更に、絶縁体層５の材料としては、ドライフィルム
ソルダマスクが用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、イオンフロ
ー静電記録ヘッドの駆動時には、第１電極２と第２電極
４との間の高電圧下での放電により、この周辺の部材、
特に第２電極４と第３電極６の間に存在する絶縁体層５
は、活性化した多量のイオンに曝される。特開平２−１
５３７６０号公報に開示されているように、この絶縁体
層５としてドライフィルムソルダマスクを用いた場合に
は、ソルダマスクの素材がアクリル樹脂である為に、比
較的短時間で絶縁体層５を構成する樹脂が活性イオンに
侵されて、高分子鎖がバラバラに切断され、絶縁体層５
の開口部５ａ表面から次第に粉を吹く現象が見られる。
この粉は、経時的に第３電極６の開口部６ａの周辺に付
着し、開口部６ａを徐々に塞いでいく。また、第２電極
４が配置されておらず、第１電極２と第３電極６とが誘
電体層３と絶縁体層５を挟んで相対している非イオン発
生部では、誘電体層３と絶縁体層５の界面や、第３電極
６の端面近傍の絶縁体層５の表面においても放電が起き
やすくなっており、絶縁体層５として特開平２−１５３
７６０号公報に開示されているようなドライフィルムソ
ルダマスクを用いている場合には、素材のアクリル樹脂
が第１電極２と第３電極６の間に印加される高電圧に耐
えられず、徐々に放電が発生して侵食され、ついには絶
縁破壊に到る現象が見られる。

【０００７】したがって、第３電極６の開口部６ａの開
口径が経時的に縮小し、発生したイオンが制御されにく
くなると同時に、イオン発生部以外の場所で放電が発生
することによって、経時的には第２電極４の各開口部４
ａ内での電気特性が変化し、均一にイオンを発生できな
い部分が存在したり、漏電及び短絡現象が起きることに
より、静電記録される画像の画質も劣化し、高精細な画
像が得られなくなるという問題点がある。

【０００８】本発明は、従来のイオンフロー静電記録ヘ
ッドにおける上記問題点を解消するためになされたもの
で、請求項１記載の発明は、厚膜で絶縁体層を成膜で
き、且つ長時間の放電下でも絶縁体層が劣化せず、それ
により第３電極の開口部の開口径を変化させず、しかも
イオン発生部以外の場所での放電による漏電や短絡現象
を発生させることなく、高耐久性で高精細な画像形成が
可能なイオンフロー静電記録ヘッドを提供することを目
的とする。

【０００９】また請求項２〜６記載の各発明は、最もダ
メージの大きい表層を耐コロナ放電性の高い樹脂で形成
した絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッドを提
供することを目的とする。また請求項７記載の発明は、
絶縁体層表層をそのパターニングをフォトエッチング工
程を用いて行える材料を用いて構成したイオンフロー静
電記録ヘッドを提供することを目的とする。また請求項
８，９記載の各発明は、絶縁体層表層を、硬化時に収縮
して変形を起こしたり、他の樹脂材料にダメージを与え
たりすることがないような、低温度域で硬化・成膜でき
る材料を用いて構成したイオンフロー静電記録ヘッドを
提供することを目的とする。また請求項10記載の発明
は、誘電体層との界面に隣接した最下部層を、耐コロナ
放電性の高い樹脂を用いて構成した絶縁体層を備えたイ
オンフロー静電記録ヘッドを提供することを目的とす
る。また請求項11記載の発明は、誘電体層との界面に隣
接した最下部層を、フォトエッチングでのパターニング
が可能で、耐コロナ放電性の高い樹脂を用いて構成した
絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッドを提供す
ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、請求項１記載の発明は、絶縁基板上に一方
向に且つ平行に延設された複数の第１電極と、該第１電
極と交差する方向に延設され、前記第１電極と共にマト
リクスを形成し、該マトリクスと対応する部分に開口部
が形成されている第２電極と、該第２電極に対し前記第
１電極とは反対側に配置され、前記マトリクスと対応す
る部分に開口部が形成されている第３電極と、前記第１
電極と第２電極との間に設けられた誘電体層と、前記第
２電極と第３電極との間に設けられ、前記マトリクスに
対応する部分に開口部が形成されている絶縁体層とを備
えたイオンフロー静電記録ヘッドにおいて、前記絶縁体
層を、厚さ30μｍ以上50μｍ以下の樹脂材料で構成し、
且つ下部層とは特性の異なる耐コロナ放電性の樹脂材料
からなる厚さ0.5 μｍ以上の表層を有する２層以上の積
層構造で構成するものである。

【００１１】このように絶縁体層を構成することによ
り、厚膜で構成できると共に、耐コロナ放電性の樹脂材
料からなる表層を備えているので、長時間の放電下でも
絶縁体層が劣化せず、したがって第３電極の開口部の開
口径を変化させず、またイオン発生部以外の部分での放
電や短絡現象を発生させることがなく、高耐久性で高精
細な画像形成が可能なイオンフロー静電記録ヘッドを実
現することができる。

【００１２】また請求項２〜６記載の各発明は、絶縁体
層の表層を、それぞれポリイミド樹脂，シリコーン樹
脂，ポリイミドシリコーン樹脂，カルド型アクリル樹
脂，、ポリフォスファゼン樹脂で形成するものである。
これにより、最もダメージの大きい絶縁体層の表面に、
容易に耐コロナ放電性をもたせることが可能となる。

【００１３】また請求項７記載の発明は、絶縁体層の表
層を、紫外線硬化性を有するネガ型の樹脂で形成するも
のである。これにより、フォトエッチング工程で容易に
形成できる耐コロナ放電性の表層を有する絶縁体層を備
えたイオンフロー静電記録ヘッドを実現することができ
る。

【００１４】また請求項８及び９記載の発明は、絶縁体
層の表層を、溶剤可溶型ポリイミド樹脂又は200 ℃以下
で硬化可能な低温硬化型ポリイミド樹脂で形成するもの
である。これにより、絶縁体層の表層は低温度域で硬化
・成膜できるので、表層形成時に収縮して変形を起こし
たり、他の樹脂材料にダメージを与えたりすることのな
い、耐コロナ放電性の表層を有する絶縁体層を容易に実
現することができる。

【００１５】また請求項10記載の発明は、絶縁体層の最
下部層を、カルド型アクリル樹脂で形成するものであ
る。これにより、耐コロナ放電性をもつ最下部層を有す
る絶縁体層を容易に実現することができる。また請求項
11記載の発明は、絶縁体層の最下部層を、感光性ポリイ
ミド樹脂で形成するものである。これにより、耐コロナ
放電性をもつと共にフォトエッチング工程で容易に形成
できる最下部層を有する絶縁体層を実現することができ
る。

【００１６】

【実施例】次に、実施例について説明する。図１は本発
明に係るイオンフロー静電記録ヘッドの第１実施例を示
す概略断面図である。図１において、11はイオンフロー
静電記録ヘッドの絶縁基板である。この絶縁基板11上に
は、イオン発生用の誘導電極である複数の第１電極12・
・・が設けられている。これらの複数の第１電極12・・
・は、一方向に向けて略平行に並設されている。そして
絶縁基板11及び第１電極12・・・上には誘電体層13が設
けられている。この誘電体層13の表面、すなわち誘電体
層13における絶縁基板11とは反対側の面には、放電電極
である複数の第２電極14・・・が第１電極12・・・と交
差する方向に並設されており、第１電極12・・・と第２
電極14・・・とによってマトリクスを構成している。そ
して、第２電極14・・・には、このマトリクスと対応す
る部分に、それぞれイオン発生用の開口部14ａ・・・が
形成されている。

【００１７】また誘電体層13における第２電極14・・・
の並設面側には、第２電極14・・・を埋設する状態で絶
縁体層15が設けられている。この絶縁体層15は、第２電
極14・・・の各開口部14ａと連通する開口部15ａを設け
た下部層15−１と、該下部層15−１の表面を覆うように
形成された表層15−２とで構成されている。更に、絶縁
体層15の表面には帯状の第３電極16が接着されている。
この第３電極16には、第１電極12・・・と第２電極14・
・・とのマトリクスと対応する部分に、開口部16ａ・・
・が形成されている。そして、第３電極16の開口部16ａ
・・・は、絶縁体層15の開口部15ａ・・・を介して第２
電極14・・・の開口部14ａ・・・と連通されていて、イ
オンフロー静電記録ヘッドのイオン流通過口17・・・を
構成している。

【００１８】次に、このように構成されたイオンフロー
静電記録ヘッドの動作について説明する。イオンフロー
静電記録ヘッドの動作時には、印字信号に基づいて第１
電極12・・・と第２電極14・・・との間のマトリクスが
適宜選択され、選択されたマトリクス部分に対応する第
１電極12・・・と第２電極14・・・との間に、交流電圧
が印加される。これにより、選択されたマトリクス部分
に対応する第２電極14・・・の開口部14ａ・・・内の近
傍部分に、正・負イオンが発生する。このとき、第２電
極14・・・と第３電極16との間にはバイアス電圧が印加
され、その極性によって決まるイオンのみが、第２電極
14・・・の開口部14ａ・・・内の近傍部分に発生したイ
オンから抽出される。そして、抽出されたイオンは絶縁
体層15の開口部15ａ・・・及び第３電極16の開口部16ａ
・・・を通過し、イオン流通過口17に対向して設けられ
ている図示しない誘電体ドラムを局部的に帯電させる。
これにより、第１電極12・・・及び第２電極14・・・の
選択的駆動によって、誘電体ドラム上にドット潜像を形
成することができる。

【００１９】次に、上記イオンフロー静電記録ヘッドの
製造方法の第１実施例について、図２の（Ａ）〜（Ｆ）
に示す製造工程図を参照しながら具体的に説明する。本
実施例では、絶縁基板11として、厚さ0.6 mmで表面を研
磨処理した石英基板を用いる。そして、この絶縁基板11
の板面には、その表面を洗浄した後、スパッタリングに
よって厚さ１μｍのチタン薄膜を全面に成膜し、続い
て、絶縁基板11上のチタン薄膜層をフォトエッチング処
理することにより、図２の（Ａ）に示すように、絶縁基
板11上に第１電極12を形成する。

【００２０】次に、図２の（Ｂ）に示すように、絶縁基
板11における第１電極12のパターン形成面側にプラズマ
ＣＶＤ法により窒化珪素を４μｍ厚に成膜し、誘電体層
13を形成する。更に成膜した誘電体層13上に、スパッタ
リングによりモリブデン膜を厚さ１μｍ成膜し、図２の
（Ｃ）に示すように、フォトエッチングで第２電極14を
積層形成する。この第２電極14には、複数の第２電極14
の開口部14ａ・・・のパターンが形成されている。

【００２１】続いて、誘電体層13と第２電極14の表面
に、厚さ58μｍの感光性アクリル樹脂からなるドライフ
ィルムソルダーレジストフィルム「Comformask2523」
（商品名、エレクトロマテリアルズ社製）を真空ラミネ
ートし、フォトエッチングにより絶縁体層の下層部のパ
ターンにパターニングしポストキュアを行って、図２の
（Ｄ）に示すように、絶縁体層下部層15−１を形成す
る。更に、この上に、図２の（Ｅ）に示すように、紫外
線硬化型湿気硬化併用型シリコーン樹脂「Ｘ−31−105
6」（商品名、信越化学工業製）を50wt％溶解させたト
ルエン溶液を均一にスプレーし、溶剤乾燥後、フォトエ
ッチングにより絶縁体層の表層のパターンにパターニン
グしポストキュアを行って、厚さ３μｍの絶縁体層表層
15−２を形成し、絶縁体層下部層15−１と表層15−２か
らなる合計厚さ約60μｍの絶縁体層15及び開口部15ａを
形成する。

【００２２】絶縁体層15は、イオンフロー静電記録ヘッ
ドのイオン発生及び制御の電気的仕様から、その厚さは
30μｍ以上150 μｍ以下が適する。その厚さが30μｍ未
満であると、発生したイオンが漏れ易くなって制御でき
なくなり、一方150 μｍを超えると、発生したイオンが
第３電極16の開口部16ａから外に出難くなる。また、絶
縁体層表層15−２は第３電極16と第１電極12との間や、
第３電極16と第２電極14との間で起きる放電により最も
ダメージを受けやすい。このため、絶縁体層表層15−２
は、その放電に十分耐えられる厚さとして0.5 μｍ以上
が必要とされる。

【００２３】次に、第２電極14・・・の開口部14ａ・・
・と対応した開口部16ａ・・・を予め形成した第３電極
16を、絶縁体層15の開口部15ａと第３電極16の開口部16
ａとを位置合わせさせた状態で、絶縁体層15上に重ね合
わせて、図２の（Ｆ）に示したイオンフロー静電記録ヘ
ッドが完成する。なお、第３電極16はニッケル箔を電鋳
により作製し、絶縁体層15と第３電極16とは、粘着剤や
両面テープで貼り合わせる他、第３電極16上から片面テ
ープで絶縁体層15に貼り付けてもよい。

【００２４】上記のように構成されたイオンフロー静電
記録ヘッドによれば、次のような効果が得られる。すな
わち、イオンフロー静電記録ヘッドの絶縁体層15を、誘
電体層13及び第２電極14の上に形成された厚さ58μｍの
ドライフィルムソルダーレジストフィルムからなる絶縁
体層下部層15−１と、その表面に成膜した紫外線硬化型
湿気硬化併用型シリコーン樹脂からなる厚さ３μｍの絶
縁体層表層15−２とで構成しているので、液状の紫外線
硬化型湿気硬化併用型シリコーン樹脂のみでは形成が困
難な、30μｍ以上150 μｍ以下の厚膜の絶縁体層15を反
り等の変形を伴わずに形成でき、また、厚膜層とした絶
縁体層の残留応力を十分に緩和できる程柔軟性が高く、
且つ耐コロナ放電性も高いので、開口部15ａが活性化さ
れたイオンにより劣化し難く、また非イオン発生部でも
放電により劣化し難く、初期の電気特性を長時間維持で
きる。その結果、初期の高画質を長時間維持できる高耐
久性のイオンフロー静電記録ヘッドを実現することがで
きる。

【００２５】なお、上記実施例では、絶縁体層表層15−
２に紫外線硬化型湿気硬化併用型シリコーン樹脂を用い
たものを示したが、シリコーン樹脂よりも耐コロナ放電
性の高い、ポリイミドに構造や特性がより近いネガ型感
光性ポリイミドシリコーン樹脂，例えば、「ＫＩＳ−21
01」（商品名、信越化学工業製）を用いても同等の効果
が得られ、更に、膜質としては堅めではあるが耐コロナ
放電性は非常に高いネガ型感光性ポリイミド樹脂，例え
ば、「ＴＢｂ−1150Ｎ（ｓ）」（商品名、日東電工製）
を用いると、更に耐久性が向上できる。

【００２６】また、上記シリコーン樹脂，ポリイミドシ
リコーン樹脂あるいはポリイミド樹脂よりは若干耐久性
は劣るが、ネガ型感光性ポリフォスファゼン樹脂，例え
ば、「ＰＰＺ」（商品名、出光石油化学製）は、燐を骨
格に持つ無機高分子に近い性質を有する樹脂で、そのた
め、耐熱性や耐コロナ放電性も高く、更に、ポリフォス
ファゼン樹脂とアクリル樹脂との中間的な特性を有する
ネガ型感光性カルド型アクリル樹脂，例えば、「Ｖ−25
50Ｐ」（商品名、新日本製鉄製）も従来のアクリル樹脂
系に比べると非常に耐コロナ放電性が向上した特性を有
しており、いずれも絶縁体層表層15−２の材料として用
いることが有効である。

【００２７】次に、本発明に係るイオンフロー静電記録
ヘッドの第２実施例について説明する。この実施例は、
第１実施例において、絶縁体層表層15−２に紫外線硬化
型湿気硬化併用型シリコーン樹脂を用いた代わりに、溶
剤可溶型ポリイミド樹脂を用いる以外は、第１実施例と
同様な構成とするものである。本実施例で用いる溶剤可
溶型ポリイミド樹脂としては、例えば「ＣＲＩ−100 」
（商品名、新日本製鉄製）を用い、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン中に12wt％溶解させたものを、第１実施例と同
様の工程で形成した絶縁体層下部層上にスプレーで塗布
し、溶剤を揮発除去して厚さ４μｍの絶縁体層表層を形
成する。以下第１実施例と同様な工程で、イオンフロー
静電記録ヘッドを作成する。

【００２８】本実施例によれば、第１実施例と同様に、
液状の樹脂のみでは形成が困難な30μｍ以上150 μｍ以
下の厚膜の絶縁体層を、反り等の変形を伴わずに形成で
き、且つ耐コロナ放電性も高いので、開口部15ａが活性
化されたイオンにより劣化し難く、また非イオン発生部
でも放電により劣化し難く、初期の電気特性を長時間維
持できる。したがって、初期の高画質を長時間維持でき
る高耐久性のイオンフロー静電記録ヘッドを実現するこ
とができる。

【００２９】また、この実施例においては、常温付近の
かなり低温下で絶縁体層表層を成膜できるため、短時間
での成膜が実現できる上、絶縁体層下部層に対する熱的
ダメージが全くなく、高温硬化しなくてはならない通常
のポリイミド樹脂を用いた場合では、高温硬化したもの
を常温付近まで冷却することによって生じる、絶縁体層
表層及び絶縁体層全体の歪みや変形といった不具合が回
避できる。更に、絶縁体層の周辺の他の部材の構成材料
の制約も少なくなり、より安価な材料や製造工程を採用
することができる。

【００３０】なお、本実施例では、溶剤可溶型ポリイミ
ド樹脂のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液を塗布し乾燥
することにより、絶縁体層表層を形成するものを示した
が、その代わりに、低温硬化型ポリイミド樹脂，例え
ば、「ＣＴ−4112」（商品名、東芝ケミカル製）を用い
て絶縁体層表層を成膜してもよい。この商品は、不揮発
分14wt％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶液になって
おり、これをスプレー塗布後、100 ℃30分，150 ℃30
分，180 ℃２時間というステップ硬化により、最高温度
180 ℃という低温域で硬化することができる。これによ
り、溶剤可溶型ポリイミド樹脂を用いた場合と同様の効
果が得られる。

【００３１】次に、本発明に係るイオンフロー静電記録
ヘッドの第３実施例について説明する。この実施例は、
第１実施例で、絶縁体層下部層15−１にドライフィルム
ソルダーレジストフィルムを用いた代わりに、図３に示
すように、カルド型アクリル樹脂で最下部層15−３を形
成し、その上に第１実施例と同様のドライフィルムソル
ダーレジストフィルムをラミネートして形成した下部層
15−１を設けた以外の構成は、第１実施例と同様な構成
とするものである。本実施例において最下部層15−３に
用いるカルド型アクリル樹脂は、例えばネガ型感光性を
有する「Ｖ−2550Ｐ」（商品名、新日本製鉄製）であ
り、アセトン中に50wt％溶解させたものを誘電体層13及
び第２電極14上にスプレーで塗布し、溶剤を揮発除去し
てフォトエッチング処理を行い、絶縁体層下部層15−１
のパターンを形成して、厚さ５μｍの絶縁体層最下部層
15−３を形成する。この最下部層15−３の上に、第１実
施例と同様にドライフィルムソルダーレジストフィルム
からなる下部層15−１と紫外線硬化型湿気硬化併用型シ
リコーン樹脂からなる表層15−２を設けて、フォトエッ
チングにより合計厚さ約65μｍの絶縁体層15を構成す
る。

【００３２】本実施例によれば、第１実施例と同様に、
液状の樹脂のみでは形成が困難な30μｍ以上150 μｍ以
下の厚膜の絶縁体層を、反り等の変形を伴わずに形成で
き、且つ耐コロナ放電性も高いので、開口部15ａが活性
化されたイオンにより劣化し難く、また非イオン発生部
でも放電により劣化し難く、初期の電気特性を長時間維
持できる。したがって、初期の高画質を長時間維持でき
る高耐久性のイオンフロー静電記録ヘッドを実現するこ
とができる。

【００３３】また、この実施例においても、常温付近の
かなり低温下で絶縁体層表層15−２を成膜できるため、
短時間での成膜が実現できる上、絶縁体層下部層15−１
に対する熱的ダメージが全くなく、高温硬化しなくては
ならない通常のポリイミド樹脂を用いた場合では、高温
硬化したものを常温付近まで冷却することによって生じ
る、絶縁体層表層15−２及び絶縁体層全体の歪みや変形
といった不具合が回避でき、絶縁体層15の周辺の他の部
材の構成材料の制約も少なくなり、より安価な材料や製
造工程を採用することができる。

【００３４】更に、本実施例においては、絶縁体層の最
下部層15−３をも耐コロナ放電性の材料で構成したこと
によって、誘電体層13と絶縁体層15の界面で発生し易い
放電と、それによる絶縁体層15の劣化進行を防止するこ
とができる。なお、最下部層15−３の形成材料として
は、本実施例で用いたカルド型アクリル樹脂以外にも、
感光性ポリイミド樹脂，例えば、「ＰＩＭＥＬ Ｍ−90
0 」（商品名、旭化成工業製）、「ＰＳＩ−Ｐ−8011−
002 」（商品名、チッソ製）、「フォトニースＵＲ5100
ＦＸ」（商品名、東レ製）、「ＰＬ−2215Ｃ56」（商品
名、日立化成工業製）、「サーミッドＩＰ−6010」（商
品名、カネボウ・エヌエスシー製）等も用いることがで
きる。この場合、ポリイミド樹脂の接着性向上のため、
誘電体層13の表面をカップリング処理することが好まし
い。

【００３５】

【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
請求項１記載の発明によれば、厚膜の絶縁体層を形成で
き、長時間の放電下でも絶縁体層が劣化せず、したがっ
て第３電極の開口部の開口径を変化させず、且つイオン
発生部以外の場所での放電による漏電や短絡現象を発生
させることなく、高耐久性で高精細な画像形成が可能な
イオンフロー静電記録ヘッドを実現することができる。
請求項２〜６記載の各発明によれば、最もダメージの大
きい表層に耐コロナ放電性の高い樹脂を用いて形成した
絶縁体層を有するイオンフロー静電記録ヘッドを実現す
ることができる。請求項７記載の発明によれば、フォト
エッチング工程で容易に形成できる耐コロナ放電性の表
層を有する絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッ
ドを実現することができる。請求項８，９記載の発明に
よれば、高温硬化時に収縮して変形を起こしたり、他の
樹脂材料にダメージを与えたりすることがないような、
低温度域で硬化・成膜できる耐コロナ放電性の表層を有
する絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッドを提
供することができる。請求項10記載の発明によれば、誘
電体層との界面隣接部に耐コロナ放電性をもつ最下部層
を有する絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッド
を提供することができる。請求項11記載の発明によれ
ば、誘電体層との界面隣接部に耐コロナ放電性をもつと
共にフォトエッチング工程で容易に形成できる最下部層
を有する絶縁体層を備えたイオンフロー静電記録ヘッド
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るイオンフロー静電記録ヘッドの第
１実施例を示す断面図である。

【図２】図１に示した第１実施例の製造方法を説明する
ための製造工程を示す図である。

【図３】本発明の第２実施例を示す断面図である。

【図４】従来のイオンフロー静電記録ヘッドの構成例を
示す断面図及び破断斜視図である。

【符号の説明】

11 絶縁基板 12 第１電極 13 誘電体層 14 第２電極 14ａ 開口部 15 絶縁体層 15−１ 絶縁体層下部層 15−２ 絶縁体層表層 15−３ 絶縁体層最下部層 15ａ 開口部 16 第３電極 16ａ 開口部 17 イオン流通過口

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に一方向に且つ平行に延設さ
   れた複数の第１電極と、該第１電極と交差する方向に延
   設され、前記第１電極と共にマトリクスを形成し、該マ
   トリクスと対応する部分に開口部が形成されている第２
   電極と、該第２電極に対し前記第１電極とは反対側に配
   置され、前記マトリクスと対応する部分に開口部が形成
   されている第３電極と、前記第１電極と第２電極との間
   に設けられた誘電体層と、前記第２電極と第３電極との
   間に設けられ、前記マトリクスに対応する部分に開口部
   が形成されている絶縁体層とを備えたイオンフロー静電
   記録ヘッドにおいて、前記絶縁体層は、厚さ30μｍ以上
   50μｍ以下の樹脂材料で構成され、且つ下部層とは特性
   の異なる耐コロナ放電性の樹脂材料からなる厚さ0.5 μ
   ｍ以上の表層を有する２層以上の積層構造を備えている
   ことを特徴とするイオンフロー静電記録ヘッド。
2. 【請求項２】 前記絶縁体層の表層は、ポリイミド樹脂
   で形成されていることを特徴とする請求項１記載のイオ
   ンフロー静電記録ヘッド。
3. 【請求項３】 前記絶縁体層の表層は、シリコーン樹脂
   で形成されていることを特徴とする請求項１記載のイオ
   ンフロー静電記録ヘッド。
4. 【請求項４】 前記絶縁体層の表層は、ポリイミドシリ
   コーン樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１
   記載のイオンフロー静電記録ヘッド。
5. 【請求項５】 前記絶縁体層の表層は、カルド型アクリ
   ル樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１記載
   のイオンフロー静電記録ヘッド。
6. 【請求項６】 前記絶縁体層の表層は、ポリフォスファ
   ゼン樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１記
   載のイオンフロー静電記録ヘッド。
7. 【請求項７】 前記絶縁体層の表層は、紫外線硬化性を
   有するネガ型の樹脂で形成されていることを特徴とする
   請求項１〜６のいずれか１項に記載のイオンフロー静電
   記録ヘッド。
8. 【請求項８】 前記絶縁体層の表層は、溶剤可溶型ポリ
   イミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項２
   記載のイオンフロー静電記録ヘッド。
9. 【請求項９】 前記絶縁体層の表層は、200 ℃以下で硬
   化可能な低温硬化型ポリイミド樹脂で形成されているこ
   とを特徴とする請求項２記載のイオンフロー静電記録ヘ
   ッド。
10. 【請求項10】 前記絶縁体層の最下部層が、カルド型ア
    クリル樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１
    〜４，６〜９のいずれか１項に記載のイオンフロー静電
    記録ヘッド。
11. 【請求項11】 前記絶縁体層の最下部層が、感光性ポリ
    イミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１
    又は３〜９のいずれか１項に記載のイオンフロー静電記
    録ヘッド。