JPH08279513A - バンプ電極製造方法 - Google Patents
バンプ電極製造方法Info
- Publication number
- JPH08279513A JPH08279513A JP7102988A JP10298895A JPH08279513A JP H08279513 A JPH08279513 A JP H08279513A JP 7102988 A JP7102988 A JP 7102988A JP 10298895 A JP10298895 A JP 10298895A JP H08279513 A JPH08279513 A JP H08279513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- base metal
- bump
- bump electrode
- bumps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 バンプ２６からはみ出す各下地金属層２０、
２２を、それぞれの下地金属層２０、２２を侵食するが
バンプ２６を侵食しない性質の互いに異なるエッチング
液に取り替えて、各下地金属層２０、２２毎にエッチン
グ処理する。 【効果】 各下地金属層２０、２２毎のエッチング液の
選択により、バンプ２６を侵食することなく下地金属層
２０、２２の不要な部分を効果的に除去することができ
る。従って、バンプ電極２８の仕上がり寸法にバラツキ
を生じることなく、バンプ電極２８の品質および歩留ま
りの向上を図ることができ、またこのバンプ電極２８の
組立て工程での品質の向上を図ることができる。
２２を、それぞれの下地金属層２０、２２を侵食するが
バンプ２６を侵食しない性質の互いに異なるエッチング
液に取り替えて、各下地金属層２０、２２毎にエッチン
グ処理する。 【効果】 各下地金属層２０、２２毎のエッチング液の
選択により、バンプ２６を侵食することなく下地金属層
２０、２２の不要な部分を効果的に除去することができ
る。従って、バンプ電極２８の仕上がり寸法にバラツキ
を生じることなく、バンプ電極２８の品質および歩留ま
りの向上を図ることができ、またこのバンプ電極２８の
組立て工程での品質の向上を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の実装
に用いられるバンプ電極の製造方法に関する。
に用いられるバンプ電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路が形成されたＩＣチップを外部
配線に接続する技術の一つに、テープボンディング法が
ある。これによれば、ＩＣチップの電極にバンプ電極が
形成される。バンプ電極が形成されたＩＣチップは、各
バンプ電極で、基板であるポリイミドフィルム上に形成
されたそれぞれのリードパターンに熱圧着により一括的
に接続される。フィルム上に連続して接続されたＩＣチ
ップは、個々に切断された後、各フィルム片のリードパ
ターンを経て、外部回路に接続される。
配線に接続する技術の一つに、テープボンディング法が
ある。これによれば、ＩＣチップの電極にバンプ電極が
形成される。バンプ電極が形成されたＩＣチップは、各
バンプ電極で、基板であるポリイミドフィルム上に形成
されたそれぞれのリードパターンに熱圧着により一括的
に接続される。フィルム上に連続して接続されたＩＣチ
ップは、個々に切断された後、各フィルム片のリードパ
ターンを経て、外部回路に接続される。
【０００３】ところで、このようなバンプ電極は、ＩＣ
チップの電極上に直接にバンプを構成する金属を形成す
ると、この電極を構成する金属との相性の相違から、両
者の強固な結合に問題が生じることがある。その場合、
電極上に、例えばこの電極との密着性を高めるための密
着金属層を形成し、さらにその上に拡散防止金属層を形
成し、この２層の金属層を下地金属層として、その上
に、所定形状のバンプが形成されている。その後、この
バンプからはみ出す余分な下地金属層は、これらを一括
的に侵食するエッチング液を用いて除去されている。
チップの電極上に直接にバンプを構成する金属を形成す
ると、この電極を構成する金属との相性の相違から、両
者の強固な結合に問題が生じることがある。その場合、
電極上に、例えばこの電極との密着性を高めるための密
着金属層を形成し、さらにその上に拡散防止金属層を形
成し、この２層の金属層を下地金属層として、その上
に、所定形状のバンプが形成されている。その後、この
バンプからはみ出す余分な下地金属層は、これらを一括
的に侵食するエッチング液を用いて除去されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、性質の
異なる複数の下地金属層を一括的に侵食するエッチング
液は、化学的に強力であり、しばしばバンプそのものを
も侵食する。そのため、バンプ電極の仕上がり寸法にバ
ラツキを生じることがあり、バンプ電極の最終寸法の正
確な管理が困難となり、またはＩＣチップの組立て工程
にも不都合を及ぼす虞れがある。
異なる複数の下地金属層を一括的に侵食するエッチング
液は、化学的に強力であり、しばしばバンプそのものを
も侵食する。そのため、バンプ電極の仕上がり寸法にバ
ラツキを生じることがあり、バンプ電極の最終寸法の正
確な管理が困難となり、またはＩＣチップの組立て工程
にも不都合を及ぼす虞れがある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するために、半導体装置の電極を外部配線に接続
するためのバンプ電極製造方法において、電極上に材料
を互いに異にする複数の下地金属層を積層して形成する
こと、この下地金属層の表面に位置する下地金属層上に
これら下地金属層の何れとも材料を異にする金属材で所
定形状にバンプを形成すること、このバンプからはみ出
す各下地金属層を、各下地金属層毎にそれぞれの下地金
属層を侵食するがバンプを侵食しないエッチング液で各
下地金属層毎にエッチング処理することを特徴とする。
を解決するために、半導体装置の電極を外部配線に接続
するためのバンプ電極製造方法において、電極上に材料
を互いに異にする複数の下地金属層を積層して形成する
こと、この下地金属層の表面に位置する下地金属層上に
これら下地金属層の何れとも材料を異にする金属材で所
定形状にバンプを形成すること、このバンプからはみ出
す各下地金属層を、各下地金属層毎にそれぞれの下地金
属層を侵食するがバンプを侵食しないエッチング液で各
下地金属層毎にエッチング処理することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明では、下地金属層が例えば第１および第
２の下地金属層からなる場合、表面層の第２の下地金属
層のエッチング液として、バンプを侵食することなく第
２の下地金属層を効果的に侵食するエッチング液が選択
される。続いて、その下にあった第１の下地金属層のエ
ッチング処理に際しては、バンプを侵食することなく第
１の下地金属層を効果的に侵食するエッチング液が選択
される。この各下地金属層毎のエッチング液の選択によ
り、バンプを侵食することなく下地金属層の不要な部分
が効果的に除去される。
２の下地金属層からなる場合、表面層の第２の下地金属
層のエッチング液として、バンプを侵食することなく第
２の下地金属層を効果的に侵食するエッチング液が選択
される。続いて、その下にあった第１の下地金属層のエ
ッチング処理に際しては、バンプを侵食することなく第
１の下地金属層を効果的に侵食するエッチング液が選択
される。この各下地金属層毎のエッチング液の選択によ
り、バンプを侵食することなく下地金属層の不要な部分
が効果的に除去される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に沿って詳細に
説明する。図１は、本発明に係るバンプ電極の製造工程
を示す縦断面図である。図１（Ａ）に示されているよう
に、例えばＩＣチップのような半導体基板からなる半導
体装置１０上には、絶縁のための酸化シリコン膜１２を
介して、従来におけると同様なＩＣ内部回路の一部とし
てアルミニウム金属からなるアルミニウム電極１４が形
成されている。
説明する。図１は、本発明に係るバンプ電極の製造工程
を示す縦断面図である。図１（Ａ）に示されているよう
に、例えばＩＣチップのような半導体基板からなる半導
体装置１０上には、絶縁のための酸化シリコン膜１２を
介して、従来におけると同様なＩＣ内部回路の一部とし
てアルミニウム金属からなるアルミニウム電極１４が形
成されている。
【０００８】このアルミニウム電極１４を、例えばポリ
イミドフィルム上に形成されたそれぞれのリードパター
ンに一括的に接続するために、各アルミニウム電極１４
上にバンプ電極が形成されるが、それに先立ち、アルミ
ニウム電極１４が不必要に露出しないように、このアル
ミニウム電極１４を覆う酸化シリコン膜のような絶縁保
護膜１６が形成され、この絶縁保護膜１６にはアルミニ
ウム電極１４に開口するコンタクトホール１８が形成さ
れる。
イミドフィルム上に形成されたそれぞれのリードパター
ンに一括的に接続するために、各アルミニウム電極１４
上にバンプ電極が形成されるが、それに先立ち、アルミ
ニウム電極１４が不必要に露出しないように、このアル
ミニウム電極１４を覆う酸化シリコン膜のような絶縁保
護膜１６が形成され、この絶縁保護膜１６にはアルミニ
ウム電極１４に開口するコンタクトホール１８が形成さ
れる。
【０００９】図１（Ｂ）に示されているように、絶縁保
護膜１６上には、例えばスパッタ法により、コンタクト
ホール１８を経てアルミニウム電極１４に接続される第
１の下地金属層２０が形成される。第１の下地金属層２
０は、アルミニウム電極１４に強固に結合する密着金属
層である。この第１の下地金属層２０として、例えば従
来と同様なチタンを用いることができる。
護膜１６上には、例えばスパッタ法により、コンタクト
ホール１８を経てアルミニウム電極１４に接続される第
１の下地金属層２０が形成される。第１の下地金属層２
０は、アルミニウム電極１４に強固に結合する密着金属
層である。この第１の下地金属層２０として、例えば従
来と同様なチタンを用いることができる。
【００１０】第１の下地金属層２０上には、例えばこれ
と同様なスパッタ法により、第２の下地金属層２２が形
成される。第２の下地金属層２２は、第１の下地金属層
２０の表面を覆うことによりその酸化を防止すると共
に、第２の下地金属層２２上に形成されるバンプの構成
金属が熱拡散によってアルミニウム電極１４との間で脆
弱な合金層を作ることを防止する拡散防止金属層であ
る。この第２の下地金属層２２として、例えば従来と同
様なパラジュウムを用いることができる。
と同様なスパッタ法により、第２の下地金属層２２が形
成される。第２の下地金属層２２は、第１の下地金属層
２０の表面を覆うことによりその酸化を防止すると共
に、第２の下地金属層２２上に形成されるバンプの構成
金属が熱拡散によってアルミニウム電極１４との間で脆
弱な合金層を作ることを防止する拡散防止金属層であ
る。この第２の下地金属層２２として、例えば従来と同
様なパラジュウムを用いることができる。
【００１１】両下地金属層２０および２２の形成後、図
１（Ｃ）に示されているように、例えばホト・リソグラ
フィ法により、バンプを形成すべき下地金属層２２上に
開口する感光性樹脂膜２４が形成される。この第２の下
地金属層２２上には、例えば、金（Ａｕ）がメッキ法に
よって成長され、この金によってバンプ２６が形成され
る。
１（Ｃ）に示されているように、例えばホト・リソグラ
フィ法により、バンプを形成すべき下地金属層２２上に
開口する感光性樹脂膜２４が形成される。この第２の下
地金属層２２上には、例えば、金（Ａｕ）がメッキ法に
よって成長され、この金によってバンプ２６が形成され
る。
【００１２】バンプ２６の形成後、除去溶剤等を用い
て、感光性樹脂膜２４が除去される。その後、バンプ２
６からはみ出す両下地金属層２０および２２の不要な部
分が除去されることにより、図１（Ｄ）に示されるよう
なバンプ電極２８が形成される。この両下地金属層２０
および２２の不要な部分の除去には、下地金属層の層の
数に応じた種類のエッチング液が用いられる。
て、感光性樹脂膜２４が除去される。その後、バンプ２
６からはみ出す両下地金属層２０および２２の不要な部
分が除去されることにより、図１（Ｄ）に示されるよう
なバンプ電極２８が形成される。この両下地金属層２０
および２２の不要な部分の除去には、下地金属層の層の
数に応じた種類のエッチング液が用いられる。
【００１３】バンプ２６が金からなり、また両下地金属
層２０および２２がそれぞれチタンおよびパラジュウム
からなる場合、第２のエッチング液として、硝酸および
硫酸の混合液を用い、第１のエッチング液として過酸化
水素水を用いることができる。
層２０および２２がそれぞれチタンおよびパラジュウム
からなる場合、第２のエッチング液として、硝酸および
硫酸の混合液を用い、第１のエッチング液として過酸化
水素水を用いることができる。
【００１４】第２のエッチング液である硝酸および硫酸
の混合液は、金を侵食することなくパラジュウムのみを
効果的に侵食する。従って、図１（Ｃ）に示されている
ような感光性樹脂膜の除去後、この第２のエッチング液
にバンプ２６から露出する第２の下地金属層２２を浸す
ことにより、バンプ２６を侵すことなく第２の下地金属
層２２の不要な部分のみを除去することができる。
の混合液は、金を侵食することなくパラジュウムのみを
効果的に侵食する。従って、図１（Ｃ）に示されている
ような感光性樹脂膜の除去後、この第２のエッチング液
にバンプ２６から露出する第２の下地金属層２２を浸す
ことにより、バンプ２６を侵すことなく第２の下地金属
層２２の不要な部分のみを除去することができる。
【００１５】続いて、第２のエッチング液に替えて、第
１のエッチング液である過酸化水素水が用いられる。過
酸化水素水は、バンプ２６を侵食することはなく、この
バンプ２６からはみ出した第２の下地金属２２の不要な
部分の除去により表面に現れた第１の下地金属層２０の
みを効果的に侵食する。
１のエッチング液である過酸化水素水が用いられる。過
酸化水素水は、バンプ２６を侵食することはなく、この
バンプ２６からはみ出した第２の下地金属２２の不要な
部分の除去により表面に現れた第１の下地金属層２０の
みを効果的に侵食する。
【００１６】その結果、バンプ２６はこれらのエッチン
グ液による侵食を受けることはなく、従って、バンプ２
６のための保護マスクのような格別な保護手段を設ける
ことなく、このバンプ２６からはみ出す両下地金属層２
０および２２の不要な部分のみを効果的に除去すること
ができ、これにより図１（Ｄ）に示したようなバンプ電
極２８が形成される。
グ液による侵食を受けることはなく、従って、バンプ２
６のための保護マスクのような格別な保護手段を設ける
ことなく、このバンプ２６からはみ出す両下地金属層２
０および２２の不要な部分のみを効果的に除去すること
ができ、これにより図１（Ｄ）に示したようなバンプ電
極２８が形成される。
【００１７】このようなエッチング液は、その組成割合
あるいは温度等に応じてエッチング速度を異にするが、
これら各エッチング液について、組成等に基づく侵食速
度に関するデータを予め求めておくことにより、各エッ
チング処理を正確かつ容易に制御することができる。
あるいは温度等に応じてエッチング速度を異にするが、
これら各エッチング液について、組成等に基づく侵食速
度に関するデータを予め求めておくことにより、各エッ
チング処理を正確かつ容易に制御することができる。
【００１８】図２は、第２のエッチング液である硝酸お
よび硫酸の混合液の混合割合に対するパラジュウムの侵
食速度を示すグラフである。横軸には、硝酸および硫酸
の容積比が示されている。この容積比の和のうち１００
に満たない分は水の容積を示す。また、縦軸はパラジュ
ウムが受けるエッチング速度（Ａ゜／分）を示す。この
グラフに表されているように、硫酸８５％−硝酸９％
（水６％）ないし硫酸９０％−硝酸６％（水４％）の割
合のエッチング液がパラジュウムに対して１２００Ａ゜
／分という最も高いエッチング速度を示す。
よび硫酸の混合液の混合割合に対するパラジュウムの侵
食速度を示すグラフである。横軸には、硝酸および硫酸
の容積比が示されている。この容積比の和のうち１００
に満たない分は水の容積を示す。また、縦軸はパラジュ
ウムが受けるエッチング速度（Ａ゜／分）を示す。この
グラフに表されているように、硫酸８５％−硝酸９％
（水６％）ないし硫酸９０％−硝酸６％（水４％）の割
合のエッチング液がパラジュウムに対して１２００Ａ゜
／分という最も高いエッチング速度を示す。
【００１９】従って、この組成比のエッチング液を第２
のエッチング液として用い、かつグラフのデータを得た
と同一の液量および液温に維持した状態で第２の下地金
属層２２をエッチング処理することにより、能率的にし
かも高い再現性で以てエッチング処理を行うことができ
る。もちろん、第１のエッチング液についてもその濃度
に対するチタンの侵食速度を示すグラフを予め求め、こ
れに基づいて第１の下地金属層２０をエッチング処理す
ることが、能率的かつ正確な制御下でのエッチング処理
を可能とする上で、望ましい。
のエッチング液として用い、かつグラフのデータを得た
と同一の液量および液温に維持した状態で第２の下地金
属層２２をエッチング処理することにより、能率的にし
かも高い再現性で以てエッチング処理を行うことができ
る。もちろん、第１のエッチング液についてもその濃度
に対するチタンの侵食速度を示すグラフを予め求め、こ
れに基づいて第１の下地金属層２０をエッチング処理す
ることが、能率的かつ正確な制御下でのエッチング処理
を可能とする上で、望ましい。
【００２０】パラジュウムからなる第２の下地金属層２
２のための第２のエッチング液として、硝酸および過酸
化水素水の混合液、硫酸および過酸化水素水の混合液あ
るいは硝酸、硫酸および酢酸の混合液を用いることがで
きる。しかしながら、安定した高い再現性を得て、正確
な制御下でのエッチング処理を可能とする上で、第２の
エッチング液として硝酸および硫酸の混合液を用いるこ
とが望ましい。また、チタンに対する第１のエッチング
液として、過酸化水素水に代えて、フッ素系のエッチン
グ液を用いることができる。
２のための第２のエッチング液として、硝酸および過酸
化水素水の混合液、硫酸および過酸化水素水の混合液あ
るいは硝酸、硫酸および酢酸の混合液を用いることがで
きる。しかしながら、安定した高い再現性を得て、正確
な制御下でのエッチング処理を可能とする上で、第２の
エッチング液として硝酸および硫酸の混合液を用いるこ
とが望ましい。また、チタンに対する第１のエッチング
液として、過酸化水素水に代えて、フッ素系のエッチン
グ液を用いることができる。
【００２１】本発明は以上の実施例に限定されない。第
１の下地金属層２０−第２の下地金属層２２の組合せ例
として、例えばクロム−銅、チタン−金、チタン−白
金、チタンタングステン合金−パラジュウム、チタンタ
ングステン合金−金を用いることができ、また三層の下
地金属層として、クロム−銅−金を用いることができ
る。また、このような下地金属層の構成に応じて、バン
プの材料として金以外にも銅あるいは鉛錫合金等を適宜
選択することができ、また各エッチング液をも適宜選択
して組み合わせることができる。また、本発明のバンプ
電極を基板であるポリイミドフィルム上に形成されたそ
れぞれのリードパターンへの熱圧着に用いる例について
説明したが、本発明のバンプ電極は、これに限らず、種
々のワイヤレスボンディングに適用できる。
１の下地金属層２０−第２の下地金属層２２の組合せ例
として、例えばクロム−銅、チタン−金、チタン−白
金、チタンタングステン合金−パラジュウム、チタンタ
ングステン合金−金を用いることができ、また三層の下
地金属層として、クロム−銅−金を用いることができ
る。また、このような下地金属層の構成に応じて、バン
プの材料として金以外にも銅あるいは鉛錫合金等を適宜
選択することができ、また各エッチング液をも適宜選択
して組み合わせることができる。また、本発明のバンプ
電極を基板であるポリイミドフィルム上に形成されたそ
れぞれのリードパターンへの熱圧着に用いる例について
説明したが、本発明のバンプ電極は、これに限らず、種
々のワイヤレスボンディングに適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した本発明のバンプ電極製造方
法では、各下地金属層毎にそれぞれの下地金属層を侵食
するがバンプを侵食しないエッチング液に取り替えて、
各下地金属層毎にエッチング処理することから、この各
下地金属層毎のエッチング液の選択により、格別なバン
プ保護手段を用いることなくしかもバンプを侵食させる
ことなく、下地金属層の不要な部分を効果的に除去する
ことができる。従って、本発明によれば、バンプそのも
のを侵食することなくバンプ電極を形成することがで
き、バンプ電極の仕上がり寸法にバラツキを生じること
なく、バンプ電極の品質および歩留まりの向上および製
造コストの低減を図ることができ、またこのバンプ電極
の組立て工程での品質の向上を図ることができる。
法では、各下地金属層毎にそれぞれの下地金属層を侵食
するがバンプを侵食しないエッチング液に取り替えて、
各下地金属層毎にエッチング処理することから、この各
下地金属層毎のエッチング液の選択により、格別なバン
プ保護手段を用いることなくしかもバンプを侵食させる
ことなく、下地金属層の不要な部分を効果的に除去する
ことができる。従って、本発明によれば、バンプそのも
のを侵食することなくバンプ電極を形成することがで
き、バンプ電極の仕上がり寸法にバラツキを生じること
なく、バンプ電極の品質および歩留まりの向上および製
造コストの低減を図ることができ、またこのバンプ電極
の組立て工程での品質の向上を図ることができる。
【図１】本発明に係るバンプ電極の製造工程を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係るエッチング液の組成とエッチング
速度との関係を示すグラフである。
速度との関係を示すグラフである。
１０ 半導体基板 １４ アルミニウム電極 ２０ 第１の下地金属層 ２２ 第２の下地金属層 ２６ バンプ ２８ バンプ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の電極を外部配線に接続する
ためのバンプ電極を前記半導体装置に形成するバンプ電
極製造方法であって、 前記電極上に材料を互いに異にする複数の下地金属層を
積層して形成すること、 該下地金属層の表面に位置する下地金属層上に前記下地
金属層の何れとも材料を異にする金属材で所定形状にバ
ンプを形成すること、 該バンプからはみ出す各下地金属層を、それぞれの下地
金属層を侵食するがバンプを侵食しない性質の互いに異
なるエッチング液で各下地金属層毎にエッチング処理す
ることを含むバンプ電極製造方法。 - 【請求項２】 各下地金属層用エッチング液について、
予め組成あるいは濃度等に基づく侵食速度に関するデー
タを求め、このデータに基づいてエッチング処理を施す
請求項１記載のバンプ電極製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298895A JP3546317B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | バンプ電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298895A JP3546317B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | バンプ電極製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279513A true JPH08279513A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3546317B2 JP3546317B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=14342093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10298895A Expired - Fee Related JP3546317B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | バンプ電極製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3546317B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP10298895A patent/JP3546317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3546317B2 (ja) | 2004-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100219806B1 (ko) | 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법 | |
| US6015505A (en) | Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's | |
| US4087314A (en) | Bonding pedestals for semiconductor devices | |
| EP0687751B1 (en) | Selective etching of TiW for C4 fabrication | |
| US5492235A (en) | Process for single mask C4 solder bump fabrication | |
| US4182781A (en) | Low cost method for forming elevated metal bumps on integrated circuit bodies employing an aluminum/palladium metallization base for electroless plating | |
| US4922322A (en) | Bump structure for reflow bonding of IC devices | |
| US5631499A (en) | Semiconductor device comprising fine bump electrode having small side etch portion and stable characteristics | |
| US7795128B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having an enhanced electrode pad structure | |
| US5208186A (en) | Process for reflow bonding of bumps in IC devices | |
| US7572726B2 (en) | Method of forming a bond pad on an I/C chip and resulting structure | |
| US20030116845A1 (en) | Waferlevel method for direct bumping on copper pads in integrated circuits | |
| TWI438852B (zh) | 形成遠後端製程(fbeol)半導體元件之方法 | |
| KR20040018248A (ko) | 집적 회로 구조체와 그 마련 공정 | |
| US5800726A (en) | Selective chemical etching in microelectronics fabrication | |
| JPH08279513A (ja) | バンプ電極製造方法 | |
| JPS6112047A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09199505A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3147698B2 (ja) | バンプ電極及びその製造方法 | |
| JP4045007B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04217323A (ja) | 半導体装置用バンプ電極の製造方法 | |
| JP2002076046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09213700A (ja) | バンプ電極の製造方法 | |
| CN1319129C (zh) | 焊锡凸块的形成方法 | |
| JPH0864633A (ja) | 半導体素子及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040316 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040330 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |