JPH08278250A - 光熱信号検出方法及び装置 - Google Patents
光熱信号検出方法及び装置Info
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- JPH08278250A JPH08278250A JP8226195A JP8226195A JPH08278250A JP H08278250 A JPH08278250 A JP H08278250A JP 8226195 A JP8226195 A JP 8226195A JP 8226195 A JP8226195 A JP 8226195A JP H08278250 A JPH08278250 A JP H08278250A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光熱信号検出装置に関し、単純構成に
して、試料の2次元表面及び内部情報の高速検出を可能
とする方法及びその装置を提供することにある。 【構成】ストライプ状の励起ビーム101により、試料
の複数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反
射率変化を並列に同時に検出する構成201、202と
することにより、試料の複数測定点の光熱信号を並列に
同時に検出することができ、上記目的が達成される。 【効果】試料の複数測定点の光熱信号を並列に同時に検
出することが可能となるため、試料の2次元表面及び内
部情報の高速検出が可能になるという効果を有する。ま
た、光熱効果に基づく熱拡散長が検査対象である内部界
面の深さと同じか、もしくはそれを越える長さとなるよ
うに、励起ビームの強度変調周波数を設定することによ
り、内部界面の検査が可能になるという効果を有する。
して、試料の2次元表面及び内部情報の高速検出を可能
とする方法及びその装置を提供することにある。 【構成】ストライプ状の励起ビーム101により、試料
の複数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反
射率変化を並列に同時に検出する構成201、202と
することにより、試料の複数測定点の光熱信号を並列に
同時に検出することができ、上記目的が達成される。 【効果】試料の複数測定点の光熱信号を並列に同時に検
出することが可能となるため、試料の2次元表面及び内
部情報の高速検出が可能になるという効果を有する。ま
た、光熱効果に基づく熱拡散長が検査対象である内部界
面の深さと同じか、もしくはそれを越える長さとなるよ
うに、励起ビームの強度変調周波数を設定することによ
り、内部界面の検査が可能になるという効果を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光音響効果あるいは光
熱効果を利用して、試料の表面及び内部情報を検出する
光熱信号検出方法及びその装置に関するものである。
熱効果を利用して、試料の表面及び内部情報を検出する
光熱信号検出方法及びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光音響効果(Photoacoustic Effect)あ
るいは光熱効果は、1881年チンダル(Tyndall)、
ベル(Bell)、レントゲン(Rentogen)らによって発見
された。
るいは光熱効果は、1881年チンダル(Tyndall)、
ベル(Bell)、レントゲン(Rentogen)らによって発見
された。
【0003】即ち、図14に示すように、強度変調した
光(断続光)19を励起光として、レンズ5により試料
7上に集光して照射すると、光吸収領域Vop21におい
て熱が発生し、熱拡散長μs22で与えられる熱拡散領
域Vth23を熱波として周期的に拡散し、さらに熱弾性
波(超音波)が発生する現象である。上記熱弾性波をマ
イクロホン(音響電気変換器)や圧電素子を用いて検出
し、励起光の変調周波数と同期した信号成分を光音響信
号として求めることにより、試料の表面及び表面近傍の
情報を得ることができる。
光(断続光)19を励起光として、レンズ5により試料
7上に集光して照射すると、光吸収領域Vop21におい
て熱が発生し、熱拡散長μs22で与えられる熱拡散領
域Vth23を熱波として周期的に拡散し、さらに熱弾性
波(超音波)が発生する現象である。上記熱弾性波をマ
イクロホン(音響電気変換器)や圧電素子を用いて検出
し、励起光の変調周波数と同期した信号成分を光音響信
号として求めることにより、試料の表面及び表面近傍の
情報を得ることができる。
【0004】また、発生した熱による試料表面の周期的
な熱膨張変位を検出する方法や、同じく発生した熱によ
る周期的な屈折率変化を試料表面の反射率変化として検
出し(光熱信号)、これより試料の表面及び表面近傍の
情報を得る方法も提案されている。尚、熱拡散長μs2
2は、励起光の変調周波数をfEとして、試料7の熱伝
導率k、密度ρ、及び比熱cより、次式(数1)で与え
られる。
な熱膨張変位を検出する方法や、同じく発生した熱によ
る周期的な屈折率変化を試料表面の反射率変化として検
出し(光熱信号)、これより試料の表面及び表面近傍の
情報を得る方法も提案されている。尚、熱拡散長μs2
2は、励起光の変調周波数をfEとして、試料7の熱伝
導率k、密度ρ、及び比熱cより、次式(数1)で与え
られる。
【0005】
【数1】
【0006】特に、試料の周期的な屈折率変化を試料表
面の反射率変化として検出する方法は、例えば、特公平
3−47703号公報において論じられている。
面の反射率変化として検出する方法は、例えば、特公平
3−47703号公報において論じられている。
【0007】その一例を、図13に基づいて説明する。
レーザ1から出射した平行光を、発振器15からの変調
信号に基づき音響光学変調素子(AO変調器)2により
強度変調し、その断続光、即ち励起光をビームエキスパ
ンダ3により所望のビーム径の平行光19とした後、ダ
イクロイックミラー4で反射させ、レンズ5によりXY
ステージ6上の試料7の表面に集光させる。光熱効果に
より、集光部21で光の一部が試料に吸収されて熱に変
わり、集光部21から強度変調周波数と同期した熱波及
び熱弾性波が試料7の内部を伝搬していく。
レーザ1から出射した平行光を、発振器15からの変調
信号に基づき音響光学変調素子(AO変調器)2により
強度変調し、その断続光、即ち励起光をビームエキスパ
ンダ3により所望のビーム径の平行光19とした後、ダ
イクロイックミラー4で反射させ、レンズ5によりXY
ステージ6上の試料7の表面に集光させる。光熱効果に
より、集光部21で光の一部が試料に吸収されて熱に変
わり、集光部21から強度変調周波数と同期した熱波及
び熱弾性波が試料7の内部を伝搬していく。
【0008】また、同時に、集光部21での周期的な温
度変化に伴い、試料の屈折率、換言すれば反射率が周期
的に変化する。この反射率の変化量は、試料表面及び表
面近傍の構造や物性に応じて変化する。この反射率変化
をプローブ光の反射強度変化として検出する。即ち、レ
ーザ1と波長の異なるレーザ8から出射した平行光をビ
ームエキスパンダ9により所望のビーム径に拡大した
後、ハーフミラー10で反射させ、ダイクロイックミラ
ー4を透過させ、レンズ5により試料7上の集光部21
に集光させる。試料7からの反射光をホトダイオード等
の光電変換素子13で検出する。反射光強度信号はプリ
アンプ14で増幅された後、ロックインアンプ16に送
られる。
度変化に伴い、試料の屈折率、換言すれば反射率が周期
的に変化する。この反射率の変化量は、試料表面及び表
面近傍の構造や物性に応じて変化する。この反射率変化
をプローブ光の反射強度変化として検出する。即ち、レ
ーザ1と波長の異なるレーザ8から出射した平行光をビ
ームエキスパンダ9により所望のビーム径に拡大した
後、ハーフミラー10で反射させ、ダイクロイックミラ
ー4を透過させ、レンズ5により試料7上の集光部21
に集光させる。試料7からの反射光をホトダイオード等
の光電変換素子13で検出する。反射光強度信号はプリ
アンプ14で増幅された後、ロックインアンプ16に送
られる。
【0009】ロックインアンプ16では、発振器15か
らの変調信号を参照信号として、反射光強度信号に含ま
れる変調周波数と同期した成分、即ち周期的反射率変化
に対応した信号成分が抽出される。この周波数成分が試
料7の表面あるいは表面近傍の情報を持つ。熱拡散領域
Vth23内にクラック等の欠陥があれば、表面反射率の
変化量が変化するので、反射光強度信号中の変調周波数
成分の振幅と、変調信号に対する位相が変化する。XY
ステージにより試料7を移動させれば、2次画像情報を
得ることができる。
らの変調信号を参照信号として、反射光強度信号に含ま
れる変調周波数と同期した成分、即ち周期的反射率変化
に対応した信号成分が抽出される。この周波数成分が試
料7の表面あるいは表面近傍の情報を持つ。熱拡散領域
Vth23内にクラック等の欠陥があれば、表面反射率の
変化量が変化するので、反射光強度信号中の変調周波数
成分の振幅と、変調信号に対する位相が変化する。XY
ステージにより試料7を移動させれば、2次画像情報を
得ることができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、非接
触・非破壊で光音響信号あるいは光熱信号を検出できる
極めて有効な手段であるが、以下に示すような課題をも
っている。
触・非破壊で光音響信号あるいは光熱信号を検出できる
極めて有効な手段であるが、以下に示すような課題をも
っている。
【0011】即ち、図13に示す従来の光熱検出光学系
では、試料の2次元内部情報を得ようとする場合、光熱
効果を発生させるための励起光と、光熱効果によって生
じた試料表面の反射率変化を検出するためのプローブ光
とを、各々相対的に試料上を2次元走査する必要があ
る。この2次元走査は1点ずつ情報を検出していくいわ
ゆるポイント走査であるため、試料の全面にわたって走
査しようとすると、莫大な検出時間を要してしまう。こ
の莫大な検出時間を要する点が、これまで光熱検出技術
が生産ラインにおける試料の内部欠陥検査へ適用できな
いでいた最大の理由である。
では、試料の2次元内部情報を得ようとする場合、光熱
効果を発生させるための励起光と、光熱効果によって生
じた試料表面の反射率変化を検出するためのプローブ光
とを、各々相対的に試料上を2次元走査する必要があ
る。この2次元走査は1点ずつ情報を検出していくいわ
ゆるポイント走査であるため、試料の全面にわたって走
査しようとすると、莫大な検出時間を要してしまう。こ
の莫大な検出時間を要する点が、これまで光熱検出技術
が生産ラインにおける試料の内部欠陥検査へ適用できな
いでいた最大の理由である。
【0012】本発明の目的は、単純構成にして、試料の
表面とその近傍の内部情報が2次元的に高速に検出され
得る光熱信号検出方法及びその装置を提供することにあ
る。
表面とその近傍の内部情報が2次元的に高速に検出され
得る光熱信号検出方法及びその装置を提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、変更可として設定された周波数fEで強
度変調した光を試料表面の複数の測定点に照射して、該
複数の測定点の表面において上記周波数fEと同期した
周期的な反射率変化を発生させ、該複数の測定点に他の
光を照射してその反射光を、各測定点に対応した複数個
の光電変換素子から成る検出器で検出し、該検出した反
射光強度信号の中から、上記複数の測定点において生じ
た上記反射率変化に基づく上記強度変調周波数fEと同
期した反射光強度変化を光熱信号として検出する。これ
により、試料の複数の測定点の表面及び内部情報をほぼ
同時に抽出することを可能とし、従来方式に比べ格段に
高速な光熱信号の検出を可能としたものである。
に、本発明は、変更可として設定された周波数fEで強
度変調した光を試料表面の複数の測定点に照射して、該
複数の測定点の表面において上記周波数fEと同期した
周期的な反射率変化を発生させ、該複数の測定点に他の
光を照射してその反射光を、各測定点に対応した複数個
の光電変換素子から成る検出器で検出し、該検出した反
射光強度信号の中から、上記複数の測定点において生じ
た上記反射率変化に基づく上記強度変調周波数fEと同
期した反射光強度変化を光熱信号として検出する。これ
により、試料の複数の測定点の表面及び内部情報をほぼ
同時に抽出することを可能とし、従来方式に比べ格段に
高速な光熱信号の検出を可能としたものである。
【0014】また、上記目的を達成するために、本発明
は、試料上に照射する強度変調光を試料上で連続的な直
線形状を成すビームとすることにより、試料上の複数の
測定点を同時に励起することを可能とし、従来方式に比
べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものであ
る。
は、試料上に照射する強度変調光を試料上で連続的な直
線形状を成すビームとすることにより、試料上の複数の
測定点を同時に励起することを可能とし、従来方式に比
べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものであ
る。
【0015】また、上記目的を達成するために、本発明
は、試料上に照射する強度変調光を、試料上で直線状に
配列されたポイントビーム列とすることにより、試料上
の複数の測定点を同時に励起することを可能とし、従来
方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたも
のである。
は、試料上に照射する強度変調光を、試料上で直線状に
配列されたポイントビーム列とすることにより、試料上
の複数の測定点を同時に励起することを可能とし、従来
方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたも
のである。
【0016】また、上記目的を達成するために、本発明
は、上記ポイントビーム列の間隔を各ポイントビームに
よる熱拡散領域が重複しない間隔とすることにより、光
熱画像の検出分解能を向上させたものである。
は、上記ポイントビーム列の間隔を各ポイントビームに
よる熱拡散領域が重複しない間隔とすることにより、光
熱画像の検出分解能を向上させたものである。
【0017】また、上記目的を達成するために、本発明
は、試料上に照射する強度変調光を、試料上を直線状に
高速に移動するポイントビームとすることにより、試料
上の複数の測定点をほぼ同時に励起することを可能と
し、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能
としたものである。
は、試料上に照射する強度変調光を、試料上を直線状に
高速に移動するポイントビームとすることにより、試料
上の複数の測定点をほぼ同時に励起することを可能と
し、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能
としたものである。
【0018】また、上記目的を達成するために、本発明
は、反射光を検出するために複数個の蓄積形光電変換素
子から成る検出器を用いることにより、従来方式に比べ
格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものである。
は、反射光を検出するために複数個の蓄積形光電変換素
子から成る検出器を用いることにより、従来方式に比べ
格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものである。
【0019】また、上記目的を達成するために、本発明
は、反射光を検出するために複数個の非蓄積形光電変換
素子から成る検出器を用いることにより、従来方式に比
べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものであ
る。
は、反射光を検出するために複数個の非蓄積形光電変換
素子から成る検出器を用いることにより、従来方式に比
べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたものであ
る。
【0020】また、上記目的を達成するために、本発明
は、反射光強度信号が複数個の光電変換素子から時系列
的に1次元信号として出力される検出器を用いることに
より、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可
能としたものである。
は、反射光強度信号が複数個の光電変換素子から時系列
的に1次元信号として出力される検出器を用いることに
より、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可
能としたものである。
【0021】また、上記目的を達成するために、本発明
は、反射光強度信号が複数個の光電変換素子から並列的
に同時に出力される検出器を用いることにより、従来方
式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたもの
である。
は、反射光強度信号が複数個の光電変換素子から並列的
に同時に出力される検出器を用いることにより、従来方
式に比べ格段に高速な光熱信号の検出を可能としたもの
である。
【0022】また、上記目的を達成するために、本発明
は、反射光を検出するために複数個の蓄積形光電変換素
子から成る検出器を用い、周波数fSとfEが、4p:4
pm±1(p、m:0以外の任意整数)の一定整数比に
制御された状態として、検出器の各蓄積形光電変換素子
ごとに1/fSの時間周期で複数回に亘って積分検出さ
れた複数個の積分検出データに基づいて、上記強度変調
周波数fEと同期した反射光強度変化を光熱信号として
検出することにより、高速に高感度かつ高精度な光熱信
号の検出を可能としたものである。
は、反射光を検出するために複数個の蓄積形光電変換素
子から成る検出器を用い、周波数fSとfEが、4p:4
pm±1(p、m:0以外の任意整数)の一定整数比に
制御された状態として、検出器の各蓄積形光電変換素子
ごとに1/fSの時間周期で複数回に亘って積分検出さ
れた複数個の積分検出データに基づいて、上記強度変調
周波数fEと同期した反射光強度変化を光熱信号として
検出することにより、高速に高感度かつ高精度な光熱信
号の検出を可能としたものである。
【0023】また、上記目的を達成するために、本発明
は、検出器から並列的に同時に出力された反射光強度信
号から、強度変調周波数fEと同期した反射光強度変化
を複数個の光電変換素子について並列に同時に検出する
ことにより、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検
出を可能としたものである。
は、検出器から並列的に同時に出力された反射光強度信
号から、強度変調周波数fEと同期した反射光強度変化
を複数個の光電変換素子について並列に同時に検出する
ことにより、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検
出を可能としたものである。
【0024】また、上記目的を達成するために、本発明
は、強度変調周波数fEを、光熱効果もしくは光音響効
果に基づく熱拡散長が上記試料の被測定内部界面の深さ
と同じか、もしくはそれを越える長さとなるように設定
することにより、内部界面の検査を可能としたものであ
る。
は、強度変調周波数fEを、光熱効果もしくは光音響効
果に基づく熱拡散長が上記試料の被測定内部界面の深さ
と同じか、もしくはそれを越える長さとなるように設定
することにより、内部界面の検査を可能としたものであ
る。
【0025】
【作用】光熱信号検出装置において、変更可として設定
された周波数fEで強度変調した光を試料表面の複数の
測定点に照射することにより、複数の測定点の表面にお
いて上記周波数fEと同期した周期的な反射率変化を発
生させることができると共に、複数の測定点に他の光を
照射しその反射光を、各測定点に対応した複数個の光電
変換素子から成る検出器で検出し、検出した反射光強度
信号の中から、複数の測定点において生じた上記反射率
変化に基づく上記強度変調周波数fEと同期した反射光
強度変化を光熱信号として検出することにより、試料の
複数の測定点の表面及び内部情報をほぼ同時に抽出する
ことが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信
号の検出が可能となる。
された周波数fEで強度変調した光を試料表面の複数の
測定点に照射することにより、複数の測定点の表面にお
いて上記周波数fEと同期した周期的な反射率変化を発
生させることができると共に、複数の測定点に他の光を
照射しその反射光を、各測定点に対応した複数個の光電
変換素子から成る検出器で検出し、検出した反射光強度
信号の中から、複数の測定点において生じた上記反射率
変化に基づく上記強度変調周波数fEと同期した反射光
強度変化を光熱信号として検出することにより、試料の
複数の測定点の表面及び内部情報をほぼ同時に抽出する
ことが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信
号の検出が可能となる。
【0026】また、試料上に照射する強度変調光を、試
料上で連続的な直線形状を成すビームとすることによ
り、試料上の複数の測定点を同時に励起することが可能
となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出が
可能となる。
料上で連続的な直線形状を成すビームとすることによ
り、試料上の複数の測定点を同時に励起することが可能
となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検出が
可能となる。
【0027】また、試料上に照射する強度変調光を、試
料上で直線状に配列されたポイントビーム列とすること
により、試料上の複数の測定点を同時に励起することが
可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検
出が可能となる。
料上で直線状に配列されたポイントビーム列とすること
により、試料上の複数の測定点を同時に励起することが
可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号の検
出が可能となる。
【0028】また、上記ポイントビーム列の間隔を各ポ
イントビームによる熱拡散領域が重複しない間隔とする
ことにより、各測定点における光熱信号を独立に検出す
ることが可能になり、光熱画像の検出分解能が向上す
る。
イントビームによる熱拡散領域が重複しない間隔とする
ことにより、各測定点における光熱信号を独立に検出す
ることが可能になり、光熱画像の検出分解能が向上す
る。
【0029】また、試料上に照射する強度変調光を、試
料上を直線状に高速に移動するポイントビームとするこ
とにより、試料上の複数の測定点をほぼ同時に励起する
ことが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信
号の検出が可能となる。
料上を直線状に高速に移動するポイントビームとするこ
とにより、試料上の複数の測定点をほぼ同時に励起する
ことが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信
号の検出が可能となる。
【0030】また、反射光を検出するために複数個の蓄
積形光電変換素子から成る検出器を用いることにより、
複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽出するこ
とが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号
の検出が可能となる。
積形光電変換素子から成る検出器を用いることにより、
複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽出するこ
とが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱信号
の検出が可能となる。
【0031】また、反射光を検出するために複数個の非
蓄積形光電変換素子から成る検出器を用いることによ
り、複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽出す
ることが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱
信号の検出が可能となる。
蓄積形光電変換素子から成る検出器を用いることによ
り、複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽出す
ることが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な光熱
信号の検出が可能となる。
【0032】また、反射光強度信号が複数個の光電変換
素子から時系列的に1次元信号として出力される検出器
を用いることにより、複数の測定点における光熱信号を
ほぼ同時に抽出することが可能となり、従来方式に比べ
格段に高速な光熱信号の検出が可能となる。
素子から時系列的に1次元信号として出力される検出器
を用いることにより、複数の測定点における光熱信号を
ほぼ同時に抽出することが可能となり、従来方式に比べ
格段に高速な光熱信号の検出が可能となる。
【0033】また、反射光強度信号が複数個の光電変換
素子から並列的に同時に出力される検出器を用いること
により、複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽
出することが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な
光熱信号の検出が可能となる。
素子から並列的に同時に出力される検出器を用いること
により、複数の測定点における光熱信号をほぼ同時に抽
出することが可能となり、従来方式に比べ格段に高速な
光熱信号の検出が可能となる。
【0034】また、反射光を検出するために複数個の蓄
積形光電変換素子から成る検出器を用い、周波数fSと
fEが、4p:4pm±1(p、m:0以外の任意整
数)の一定整数比に制御された状態として、検出器の各
蓄積形光電変換素子ごとに1/fSの時間周期で複数回
に亘って積分検出された複数個の積分検出データに基づ
いて、上記強度変調周波数fEと同期した反射光強度変
化を光熱信号として検出することにより、高速に高感度
かつ高精度な光熱信号の検出が可能となる。
積形光電変換素子から成る検出器を用い、周波数fSと
fEが、4p:4pm±1(p、m:0以外の任意整
数)の一定整数比に制御された状態として、検出器の各
蓄積形光電変換素子ごとに1/fSの時間周期で複数回
に亘って積分検出された複数個の積分検出データに基づ
いて、上記強度変調周波数fEと同期した反射光強度変
化を光熱信号として検出することにより、高速に高感度
かつ高精度な光熱信号の検出が可能となる。
【0035】また、検出器から並列的に同時に出力され
た反射光強度信号から、上記強度変調周波数fEと同期
した反射光強度変化を複数個の光電変換素子について並
列に同時に検出することにより、従来方式に比べ格段に
高速な光熱信号の検出が可能となる。
た反射光強度信号から、上記強度変調周波数fEと同期
した反射光強度変化を複数個の光電変換素子について並
列に同時に検出することにより、従来方式に比べ格段に
高速な光熱信号の検出が可能となる。
【0036】また、強度変調周波数fEを、光熱効果も
しくは光音響効果に基づく熱拡散長が上記試料の被測定
内部界面の深さと同じか、もしくはそれを越える長さと
なるように設定することにより、内部界面の検査が可能
となる。
しくは光音響効果に基づく熱拡散長が上記試料の被測定
内部界面の深さと同じか、もしくはそれを越える長さと
なるように設定することにより、内部界面の検査が可能
となる。
【0037】
【実施例】本発明の実施例を図1〜図12に基づいて説
明する。
明する。
【0038】まず、本発明の第1の実施例を図1〜図5
に基づいて説明する。図1は第1の実施例における光熱
検出光学系を示すものである。本光学系は、励起光学系
201、周期的な反射率変化を検出するための反射光検
出光学系202、及び信号処理系203から成る。
に基づいて説明する。図1は第1の実施例における光熱
検出光学系を示すものである。本光学系は、励起光学系
201、周期的な反射率変化を検出するための反射光検
出光学系202、及び信号処理系203から成る。
【0039】励起光学系201のArレーザ31(波長
515nm)から出射した平行ビーム32を音響光学変
調素子33に入射する。今、図1において、発振器86
から周波数fRの正弦波を、また、制御信号発生回路9
0から周波数fE(fE<fR)の矩形波を各々信号合成
器88に入力し、両波形の積をとることにより励起用の
強度変調信号を作り、音響光学変調素子33に入力す
る。その結果、音響光学変調素子33からはfRだけ周
波数シフトした1次回折光35が周波数fEで断続的に
出力される。
515nm)から出射した平行ビーム32を音響光学変
調素子33に入射する。今、図1において、発振器86
から周波数fRの正弦波を、また、制御信号発生回路9
0から周波数fE(fE<fR)の矩形波を各々信号合成
器88に入力し、両波形の積をとることにより励起用の
強度変調信号を作り、音響光学変調素子33に入力す
る。その結果、音響光学変調素子33からはfRだけ周
波数シフトした1次回折光35が周波数fEで断続的に
出力される。
【0040】即ち、励起光として、fRだけ周波数シフ
トした変調周波数fEの強度変調ビームが得られる。
尚、0次光34は絞り36で遮光される。強度変調ビー
ム35をビームエキスパンダ38により所望のビーム径
に拡大し、更にシリンドリカルレンズ(円筒レンズ)3
9により楕円ビーム40にし、ダイクロイックプリズム
41(波長600nm以下は反射、600nm以上は透
過)で反射させた後対物レンズ42の瞳43即ち後側焦
点位置44にx方向のみ集光させる。一方、y方向(紙
面に垂直方向)に関してはシリンドリカルレンズ39は
曲率を持たない板ガラスとみなせるので、対物レンズの
後側焦点位置44には平行光のままで入射する。その結
果、図2に示すように、対物レンズの前側焦点位置、即
ち試料47の表面上には、励起ビームとして、x方向に
幅を持ちy方向に集束した、1本のストライプビーム1
01が得られる。
トした変調周波数fEの強度変調ビームが得られる。
尚、0次光34は絞り36で遮光される。強度変調ビー
ム35をビームエキスパンダ38により所望のビーム径
に拡大し、更にシリンドリカルレンズ(円筒レンズ)3
9により楕円ビーム40にし、ダイクロイックプリズム
41(波長600nm以下は反射、600nm以上は透
過)で反射させた後対物レンズ42の瞳43即ち後側焦
点位置44にx方向のみ集光させる。一方、y方向(紙
面に垂直方向)に関してはシリンドリカルレンズ39は
曲率を持たない板ガラスとみなせるので、対物レンズの
後側焦点位置44には平行光のままで入射する。その結
果、図2に示すように、対物レンズの前側焦点位置、即
ち試料47の表面上には、励起ビームとして、x方向に
幅を持ちy方向に集束した、1本のストライプビーム1
01が得られる。
【0041】制御信号発生回路90はPLL(Phas
e Locked Loop)回路等で構成され、1次
元CCDセンサ駆動用のクロック信号(周波数fC)を
基準信号として、周波数fSの蓄積時間制御信号及び励
起用の周波数fEの強度変調信号を生成し、各ユニット
に送る。
e Locked Loop)回路等で構成され、1次
元CCDセンサ駆動用のクロック信号(周波数fC)を
基準信号として、周波数fSの蓄積時間制御信号及び励
起用の周波数fEの強度変調信号を生成し、各ユニット
に送る。
【0042】今、試料として、図2に示すようにポリイ
ミドのような有機高分子材料104を絶縁体として形成
したCu配線パターン102、103を考える。図3
は、試料の内部構造と、励起ビームによって生じた熱拡
散領域を示す断面図である。試料47は、セラミック基
板109上に厚さ15μmのポリイミド104を絶縁体
として厚さ15μmのCuパターン102、103が配
線パターンとして形成された構造となっている。Cu配
線パターン中の内部クラック107や下地基板とCuパ
ターン界面の剥離108が検出すべき内部欠陥である。
ミドのような有機高分子材料104を絶縁体として形成
したCu配線パターン102、103を考える。図3
は、試料の内部構造と、励起ビームによって生じた熱拡
散領域を示す断面図である。試料47は、セラミック基
板109上に厚さ15μmのポリイミド104を絶縁体
として厚さ15μmのCuパターン102、103が配
線パターンとして形成された構造となっている。Cu配
線パターン中の内部クラック107や下地基板とCuパ
ターン界面の剥離108が検出すべき内部欠陥である。
【0043】ここで、重要な点はCuパターン102、
103とその周辺のポリイミド104との熱的性質の違
いである。即ち、Cuの熱伝導率kは403〔J・m~1
・k~1・s~1〕、密度ρは8.93〔×106g・m
~3〕、比熱cは0.38〔J・g~1・k~1〕であるのに
対し、ポリイミドの熱伝導率kは0.288〔J・m~1
・k~1・s~1〕、密度ρは1.36〔×106g・m
~3〕、比熱cは1.13〔J・g~1・k~1〕であり、特
にCuの熱伝導率kはポリイミドのそれの1400倍で
ある。
103とその周辺のポリイミド104との熱的性質の違
いである。即ち、Cuの熱伝導率kは403〔J・m~1
・k~1・s~1〕、密度ρは8.93〔×106g・m
~3〕、比熱cは0.38〔J・g~1・k~1〕であるのに
対し、ポリイミドの熱伝導率kは0.288〔J・m~1
・k~1・s~1〕、密度ρは1.36〔×106g・m
~3〕、比熱cは1.13〔J・g~1・k~1〕であり、特
にCuの熱伝導率kはポリイミドのそれの1400倍で
ある。
【0044】そこで、励起光の強度変調周波数fEを1
00kHzとして、(数1)に上記の値を代入すると、
Cuパターン部102、103における熱拡散長μsは
約19μm、ポリイミド部104における熱拡散長は約
0.77μmとなる。その結果、図3に示すように、ス
トライプ状の励起ビーム101によって形成されたスト
ライプ状の光吸収領域105において与えられた熱が、
検査対象であるCuパターン部102、103では大き
く拡散し、下地基板との界面を含めてCuパターンの断
面を覆うように熱拡散領域106が形成される。一方、
検査対象外のポリイミド部104では、熱は小さく拡散
し熱拡散領域は表面部分のみに形成される。
00kHzとして、(数1)に上記の値を代入すると、
Cuパターン部102、103における熱拡散長μsは
約19μm、ポリイミド部104における熱拡散長は約
0.77μmとなる。その結果、図3に示すように、ス
トライプ状の励起ビーム101によって形成されたスト
ライプ状の光吸収領域105において与えられた熱が、
検査対象であるCuパターン部102、103では大き
く拡散し、下地基板との界面を含めてCuパターンの断
面を覆うように熱拡散領域106が形成される。一方、
検査対象外のポリイミド部104では、熱は小さく拡散
し熱拡散領域は表面部分のみに形成される。
【0045】その結果、図2及び図3に示すように、ス
トライプ状の励起ビーム101を複数のCu配線パター
ン102、103を覆うように照射すると、光吸収領域
105に沿って、光熱効果に基づいて強度変調周波数f
Eと同期した周期的な屈折率の変化、すなわち、周期的
な反射率変化の1次元分布110(破線)が生じる。各
点での周期的反射率変化の大きさは、表面温度によっ
て、すなわち、試料内部の熱的性質、例えば欠陥の有無
によって変わる。つまり、この周期的反射率変化の1次
元分布110には、各々のCu配線パターン102、1
03の内部情報(内部クラック107、剥離欠陥10
8)及びポリイミド部104の内部情報が各々融合され
ることなく、独立に反映されている。
トライプ状の励起ビーム101を複数のCu配線パター
ン102、103を覆うように照射すると、光吸収領域
105に沿って、光熱効果に基づいて強度変調周波数f
Eと同期した周期的な屈折率の変化、すなわち、周期的
な反射率変化の1次元分布110(破線)が生じる。各
点での周期的反射率変化の大きさは、表面温度によっ
て、すなわち、試料内部の熱的性質、例えば欠陥の有無
によって変わる。つまり、この周期的反射率変化の1次
元分布110には、各々のCu配線パターン102、1
03の内部情報(内部クラック107、剥離欠陥10
8)及びポリイミド部104の内部情報が各々融合され
ることなく、独立に反映されている。
【0046】従って、ストライプ状の励起ビーム101
を用いれば、熱的コントラストの高い複数の検査対象を
同時に励起でき、同時にストライプ状のプローブビーム
を直線状の励起部に照射し、その反射光の強度分布を検
出しつつ、試料をストライプビームと直交する方向に移
動すれば、試料の2次元表面及び内部情報を高速に検出
することが可能となる。
を用いれば、熱的コントラストの高い複数の検査対象を
同時に励起でき、同時にストライプ状のプローブビーム
を直線状の励起部に照射し、その反射光の強度分布を検
出しつつ、試料をストライプビームと直交する方向に移
動すれば、試料の2次元表面及び内部情報を高速に検出
することが可能となる。
【0047】次に、周期的反射率変化の1次元分布11
0(破線)を光熱信号として検出するための反射光検出
光学系202の構成とその機能について説明する。図1
において、He−Neレーザ51(波長633nm)か
ら出射したp偏光ビーム69を、ビームエキスパンダ7
0により所望のビーム径に拡大し、更にシリンドリカル
レンズ(円筒レンズ)71により楕円ビームにする。こ
の楕円ビームは、偏光ビームスプリッタ73及びダイク
ロイックプリズム41を通過した後、対物レンズ42の
瞳43即ち後側焦点位置44にx方向のみ集光する。
0(破線)を光熱信号として検出するための反射光検出
光学系202の構成とその機能について説明する。図1
において、He−Neレーザ51(波長633nm)か
ら出射したp偏光ビーム69を、ビームエキスパンダ7
0により所望のビーム径に拡大し、更にシリンドリカル
レンズ(円筒レンズ)71により楕円ビームにする。こ
の楕円ビームは、偏光ビームスプリッタ73及びダイク
ロイックプリズム41を通過した後、対物レンズ42の
瞳43即ち後側焦点位置44にx方向のみ集光する。
【0048】一方、y方向(紙面に垂直方向)に関して
はシリンドリカルレンズ71は曲率を持たない板ガラス
とみなせるので、対物レンズ42の後側焦点位置44に
は平行光のままで入射する。対物レンズ42から出射し
たビームはλ/4板45通過後円偏光ビーム145とな
り、図2に示すように、対物レンズの前側焦点位置、即
ち試料47の表面上、励起ビーム101と同じ位置に、
プローブビームとしてx方向に幅を持ちy方向に集束し
た、1本のストライプビーム190が得られる。
はシリンドリカルレンズ71は曲率を持たない板ガラス
とみなせるので、対物レンズ42の後側焦点位置44に
は平行光のままで入射する。対物レンズ42から出射し
たビームはλ/4板45通過後円偏光ビーム145とな
り、図2に示すように、対物レンズの前側焦点位置、即
ち試料47の表面上、励起ビーム101と同じ位置に、
プローブビームとしてx方向に幅を持ちy方向に集束し
た、1本のストライプビーム190が得られる。
【0049】図3に示すように、試料47からの反射光
は、光熱効果に基づく周期的反射率変化の1次元分布1
10(破線)に応じて、周期的に変化する反射強度分布
をもつ。図1において、試料47からの反射光はλ/4
板45通過後、入射光と直交するs偏光ビームとなり、
対物レンズ42を通過後再び同じ光路を経て偏光ビーム
スプリッタ73で反射される。
は、光熱効果に基づく周期的反射率変化の1次元分布1
10(破線)に応じて、周期的に変化する反射強度分布
をもつ。図1において、試料47からの反射光はλ/4
板45通過後、入射光と直交するs偏光ビームとなり、
対物レンズ42を通過後再び同じ光路を経て偏光ビーム
スプリッタ73で反射される。
【0050】この反射光77は、結像レンズ78によ
り、1次元CCDセンサ等の蓄積形固体撮像素子82上
に結像する。尚、中心波長633nmの干渉フィルタ8
1を通して迷光を除去する構成としている。1次元CC
Dセンサ82の撮像面と試料47の表面とは結像関係に
あるので、当然ながら、撮像面には試料47の表面に形
成されたプローブビームと同様ストライプ状の反射光が
結像する。
り、1次元CCDセンサ等の蓄積形固体撮像素子82上
に結像する。尚、中心波長633nmの干渉フィルタ8
1を通して迷光を除去する構成としている。1次元CC
Dセンサ82の撮像面と試料47の表面とは結像関係に
あるので、当然ながら、撮像面には試料47の表面に形
成されたプローブビームと同様ストライプ状の反射光が
結像する。
【0051】以下では、信号処理系203によって、1
次元CCDセンサ82の出力信号から、試料47表面の
周期的反射率変化に対応した周期的反射光強度変化の振
幅及び位相を、各画素ごとに抽出する方法について説明
する。今、試料47表面に入射するプローブビーム光7
2の強度を1、試料47表面の反射率をR、光熱効果に
よる反射率変化の振幅をD、また強度変調信号に対する
位相変化量をθとすると、1次元CCDセンサ82の1
画素に入射する反射光I(t)は次式(数2)で表され
る。
次元CCDセンサ82の出力信号から、試料47表面の
周期的反射率変化に対応した周期的反射光強度変化の振
幅及び位相を、各画素ごとに抽出する方法について説明
する。今、試料47表面に入射するプローブビーム光7
2の強度を1、試料47表面の反射率をR、光熱効果に
よる反射率変化の振幅をD、また強度変調信号に対する
位相変化量をθとすると、1次元CCDセンサ82の1
画素に入射する反射光I(t)は次式(数2)で表され
る。
【0052】
【数2】
【0053】ここで、D・cos(2πfEt+θ)
が、光熱効果に基づいて生じた試料47表面の周期的反
射率変化を表す項である。今、1次元CCDセンサ82
の蓄積周波数をfS、即ち蓄積時間をTS=1/fSとす
ると、i番目のライン走査、即ち蓄積・サンプリングに
おける特定の1画素からの反射光強度信号S(i)は、
次式(数3)で与えられる。
が、光熱効果に基づいて生じた試料47表面の周期的反
射率変化を表す項である。今、1次元CCDセンサ82
の蓄積周波数をfS、即ち蓄積時間をTS=1/fSとす
ると、i番目のライン走査、即ち蓄積・サンプリングに
おける特定の1画素からの反射光強度信号S(i)は、
次式(数3)で与えられる。
【0054】
【数3】
【0055】ここで、センサ82の蓄積周波数fSと強
度変調周波数fEとの関係を次式のように選ぶ。
度変調周波数fEとの関係を次式のように選ぶ。
【0056】
【数4】
【0057】但し、p、mは0以外の任意整数である。
例えば、p=2、m=2とすると、fS:fE=8:17
となり、fE=100kHzとして、fS=47.059
kHzとなる。この関係のもとで、(数3)は、次式
(数5)で表される。
例えば、p=2、m=2とすると、fS:fE=8:17
となり、fE=100kHzとして、fS=47.059
kHzとなる。この関係のもとで、(数3)は、次式
(数5)で表される。
【0058】
【数5】
【0059】(数5)の第2項、即ち周期的反射光強度
変化と蓄積時間TS=1/fSとの関係を、模式的に図4
に示す。8回の蓄積・サンプリングで、1周期分の波形
が再生できることが判る。つまり、周期的反射光強度変
化は、iについて1/8の周波数になっている。今、i
についてN個(Nは8の倍数とする)のデータS(0)
〜S(N−1)が得られたとして、このデータをフーリ
エ級数展開すれば、(数6)となる。
変化と蓄積時間TS=1/fSとの関係を、模式的に図4
に示す。8回の蓄積・サンプリングで、1周期分の波形
が再生できることが判る。つまり、周期的反射光強度変
化は、iについて1/8の周波数になっている。今、i
についてN個(Nは8の倍数とする)のデータS(0)
〜S(N−1)が得られたとして、このデータをフーリ
エ級数展開すれば、(数6)となる。
【0060】
【数6】
【0061】但し、フーリエ係数an、bnは以下の通り
である。
である。
【0062】
【数7】
【0063】
【数8】
【0064】(数5)における周波数1/8のフーリエ
係数は、(数7)、(数8)において、それぞれn=N
/8として、次式(数9)、(数10)で与えられる。
係数は、(数7)、(数8)において、それぞれn=N
/8として、次式(数9)、(数10)で与えられる。
【0065】
【数9】
【0066】
【数10】
【0067】このように、周期的反射光強度変化成分の
フーリエ係数は、1次元CCDセンサ82の各光電変換
素子、即ち各画素ごとに、出力信号に対して、一定デー
タ間隔で交互に加減算を行うことによって計算し得る。
最終的に、反射率変化の振幅Dと位相θは、(数5)と
(数6)を比較することにより、以下のように求められ
る。
フーリエ係数は、1次元CCDセンサ82の各光電変換
素子、即ち各画素ごとに、出力信号に対して、一定デー
タ間隔で交互に加減算を行うことによって計算し得る。
最終的に、反射率変化の振幅Dと位相θは、(数5)と
(数6)を比較することにより、以下のように求められ
る。
【0068】
【数11】
【0069】
【数12】
【0070】尚、以上の説明では、周波数関係の一例を
与えたが、(数4)に基づいて、他の様々な整数比の周
波数関係に設定し、同様の処理を行うことができる。
与えたが、(数4)に基づいて、他の様々な整数比の周
波数関係に設定し、同様の処理を行うことができる。
【0071】第1の実施例では、以上の周波数関係の設
定や、計算処理を以下の方法で実行する。
定や、計算処理を以下の方法で実行する。
【0072】周波数fS=47.059kHzの蓄積時
間制御信号、及びfE=100kHzの強度変調信号
は、1次元CCDセンサの各画素の値を読み出すための
クロック信号(周波数fC)を基準信号として、計算機
96からの設定信号に基づき、制御信号発生回路90で
生成され、各ユニットに送られる。
間制御信号、及びfE=100kHzの強度変調信号
は、1次元CCDセンサの各画素の値を読み出すための
クロック信号(周波数fC)を基準信号として、計算機
96からの設定信号に基づき、制御信号発生回路90で
生成され、各ユニットに送られる。
【0073】1次元CCDセンサ82からの出力信号S
(i)は、前処理回路94で増幅され、AD変換された
後、(数5)及び図4に基づいてiに関して8個のデー
タが、信号のSN比等を考慮して、例えば10セット、
計80個のデータが2次元メモリ95に格納される。図
10に示すように、1次元CCDセンサ82の画素数を
256とすると、256×80個のデータが格納される
ことになる。今、i回目の蓄積・出力時におけるw画素
目のデータを(i,w)で表すとすると、2次元メモリ
95に格納していく順序は、 (0,1)、(0,2)、(0,3)、…、(0,256)、 (1,1)、(1,2)、(1,3)、…、(1,256)、 (2,1)、(2,2)、(2,3)、…、(2,256)、 : : (79,1)、(79,2)、(79,3)、…、(79,256) である。
(i)は、前処理回路94で増幅され、AD変換された
後、(数5)及び図4に基づいてiに関して8個のデー
タが、信号のSN比等を考慮して、例えば10セット、
計80個のデータが2次元メモリ95に格納される。図
10に示すように、1次元CCDセンサ82の画素数を
256とすると、256×80個のデータが格納される
ことになる。今、i回目の蓄積・出力時におけるw画素
目のデータを(i,w)で表すとすると、2次元メモリ
95に格納していく順序は、 (0,1)、(0,2)、(0,3)、…、(0,256)、 (1,1)、(1,2)、(1,3)、…、(1,256)、 (2,1)、(2,2)、(2,3)、…、(2,256)、 : : (79,1)、(79,2)、(79,3)、…、(79,256) である。
【0074】一方、2次元メモリ95から読み出す際
は、以下のように1画素ごとに80個の蓄積・出力デー
タセットを順次読み出し、計算機96に送っていく。
は、以下のように1画素ごとに80個の蓄積・出力デー
タセットを順次読み出し、計算機96に送っていく。
【0075】 (0,1)、(1,1)、(2,1)、…、(79,1)、 (0,2)、(1,2)、(2,2)、…、(79,2)、 (0,3)、(1,3)、(2,3)、…、(79,3)、 : : (0,256)、(1,256)、(2,256)、…、(79,256) 計算機96では、1画素ごとに80個の蓄積・出力デー
タセットを用いて、(数9)及び(数10)の計算処理
を行いフーリエ係数を求めた後、(数11)及び(数1
2)に基づき反射率変化の振幅Dと位相θを計算する。
これにより、1ライン分、即ち256画素に対応した1
次元光熱分布が得られる。
タセットを用いて、(数9)及び(数10)の計算処理
を行いフーリエ係数を求めた後、(数11)及び(数1
2)に基づき反射率変化の振幅Dと位相θを計算する。
これにより、1ライン分、即ち256画素に対応した1
次元光熱分布が得られる。
【0076】xyステージ48により、試料47をスト
ライプ状ビームと直交するy方向に逐次走査しながら、
上記1次元CCDセンサ82からの出力信号を計算機9
6で処理していくことにより、試料47全面のDとθに
関する2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に表
示される。
ライプ状ビームと直交するy方向に逐次走査しながら、
上記1次元CCDセンサ82からの出力信号を計算機9
6で処理していくことにより、試料47全面のDとθに
関する2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に表
示される。
【0077】以上述べたように、本実施例によれば、従
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、ストライプ状の励起ビームを用い複
数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反射率
変化を並列に同時に検出することにより、試料の複数測
定点の光熱信号を並列に同時に検出することができ、試
料の2次元表面及び内部情報を高速に検出することが可
能となる。
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、ストライプ状の励起ビームを用い複
数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反射率
変化を並列に同時に検出することにより、試料の複数測
定点の光熱信号を並列に同時に検出することができ、試
料の2次元表面及び内部情報を高速に検出することが可
能となる。
【0078】更に、本実施例によれば、光熱効果に基づ
く熱拡散長が検査対象であるCu配線パターンとセラミ
ック基板との界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能となる。
く熱拡散長が検査対象であるCu配線パターンとセラミ
ック基板との界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能となる。
【0079】尚、本実施例では、熱的コントラストの高
い複数の検査対象を有する試料に対する本発明の適用例
を述べたが、内部クラック等を含む均一材料からなる試
料への適用も十分可能である。この場合でも、試料上の
複数の測定点の同時励起が可能であるので、上記の効果
が期待できる。
い複数の検査対象を有する試料に対する本発明の適用例
を述べたが、内部クラック等を含む均一材料からなる試
料への適用も十分可能である。この場合でも、試料上の
複数の測定点の同時励起が可能であるので、上記の効果
が期待できる。
【0080】また、本実施例では、1次元CCDセンサ
82からの出力信号を一旦2次元メモリ95に格納した
後、計算機96でソフトウェアにより(数9)及び(数
10)の計算処理と、(数11)及び(数12)の処理
を行っているが、(数9)及び(数10)の処理は、出
力信号に対して、一定データ間隔で交互に加減算を行う
極めて単純な処理であるため、メモリに格納することな
く、ディジタル演算回路を用いて、1次元CCDセンサ
の読み出しのタイミングと同期して、各画素ごとに逐次
処理を実行した後、(数11)及び(数12)の処理の
み計算機96、あるいは専用処理回路で実行する方法を
採用することも可能である。これによれば、さらに高速
に2次元光熱画像を得ることができる。
82からの出力信号を一旦2次元メモリ95に格納した
後、計算機96でソフトウェアにより(数9)及び(数
10)の計算処理と、(数11)及び(数12)の処理
を行っているが、(数9)及び(数10)の処理は、出
力信号に対して、一定データ間隔で交互に加減算を行う
極めて単純な処理であるため、メモリに格納することな
く、ディジタル演算回路を用いて、1次元CCDセンサ
の読み出しのタイミングと同期して、各画素ごとに逐次
処理を実行した後、(数11)及び(数12)の処理の
み計算機96、あるいは専用処理回路で実行する方法を
採用することも可能である。これによれば、さらに高速
に2次元光熱画像を得ることができる。
【0081】また、本実施例では、試料の複数点の同時
励起、検出にストライプ状のビームを用いているが、ポ
イントビームを強度変調周波数よりもはるかに早く、具
体的には光熱効果の反応速度よりも早く、例えば数十M
Hz程度の周波数で高速に走査することにより、実効的
にストライプ状のビームを得ることも可能である。
励起、検出にストライプ状のビームを用いているが、ポ
イントビームを強度変調周波数よりもはるかに早く、具
体的には光熱効果の反応速度よりも早く、例えば数十M
Hz程度の周波数で高速に走査することにより、実効的
にストライプ状のビームを得ることも可能である。
【0082】また、本実施例では、蓄積形の1次元CC
Dセンサを用いているが、非蓄積形の光電変換素子アレ
イを用いて、サンプリング周波数をfSとして、(数
4)の周波数関係を保って、(数9)〜(数12)の処
理を実行し、光熱画像を得ることも可能である。
Dセンサを用いているが、非蓄積形の光電変換素子アレ
イを用いて、サンプリング周波数をfSとして、(数
4)の周波数関係を保って、(数9)〜(数12)の処
理を実行し、光熱画像を得ることも可能である。
【0083】本発明の第2の実施例を図6〜図7に基づ
いて説明する。図6は第2の実施例における光熱検出光
学系を示すものである。本光学系は、励起光学系20
1、周期的な反射率変化を検出するための反射光検出光
学系302、及び信号処理系303から成る。
いて説明する。図6は第2の実施例における光熱検出光
学系を示すものである。本光学系は、励起光学系20
1、周期的な反射率変化を検出するための反射光検出光
学系302、及び信号処理系303から成る。
【0084】励起光学系201の構成とその機能は第1
の実施例と全く同様であるので説明を省略する。反射光
検出光学系302の構成は、第1の実施例における反射
光検出光学系202において、蓄積形1次元CCDセン
サ82の代わりに並列出力形光電変換素子アレイ191
を用いた点が異なる他は総て第1の実施例と同様の構成
であるので、説明を省略する。
の実施例と全く同様であるので説明を省略する。反射光
検出光学系302の構成は、第1の実施例における反射
光検出光学系202において、蓄積形1次元CCDセン
サ82の代わりに並列出力形光電変換素子アレイ191
を用いた点が異なる他は総て第1の実施例と同様の構成
であるので、説明を省略する。
【0085】図7に示すように、並列出力形光電変換素
子アレイ191の各画素から出力された反射光検出信号
は、画素数と同じ数だけ配置されたプリアンプ群192
で各画素ごとに増幅された後、同じく画素数と同じ数だ
け配置されたロックインアンプ群193にて、発振器8
7から出力された励起用強度変調信号を参照信号とし
て、反射光検出信号に含まれる変調周波数成分の振幅と
位相、即ち、反射率変化の振幅Dと位相θが光熱信号と
して、全画素について同時に検出される。これにより、
1ライン分、即ち256画素に対応した1次元光熱分布
が得られる。検出された光熱信号は、AD変換器群19
4にてディジタルデータに変換された後、パラレル・イ
ン、シリアル・アウトタイプのシフトレジスタ195に
送られ1次元信号に変換される。
子アレイ191の各画素から出力された反射光検出信号
は、画素数と同じ数だけ配置されたプリアンプ群192
で各画素ごとに増幅された後、同じく画素数と同じ数だ
け配置されたロックインアンプ群193にて、発振器8
7から出力された励起用強度変調信号を参照信号とし
て、反射光検出信号に含まれる変調周波数成分の振幅と
位相、即ち、反射率変化の振幅Dと位相θが光熱信号と
して、全画素について同時に検出される。これにより、
1ライン分、即ち256画素に対応した1次元光熱分布
が得られる。検出された光熱信号は、AD変換器群19
4にてディジタルデータに変換された後、パラレル・イ
ン、シリアル・アウトタイプのシフトレジスタ195に
送られ1次元信号に変換される。
【0086】xyステージ48により試料47をストラ
イプ状ビームと直交するy方向に逐次走査しながら、シ
フトレジスタ195から出力される1次元信号を計算機
96で処理していくことにより、試料47全面のDとθ
に関する2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に
表示される。
イプ状ビームと直交するy方向に逐次走査しながら、シ
フトレジスタ195から出力される1次元信号を計算機
96で処理していくことにより、試料47全面のDとθ
に関する2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に
表示される。
【0087】尚、変調周波数成分の振幅と位相の抽出手
段はロックインアンプ群193に限定されるものでな
く、他の周波数フィルタリング手段、例えば、バンドパ
スフィルタのようなものも適用可能である。
段はロックインアンプ群193に限定されるものでな
く、他の周波数フィルタリング手段、例えば、バンドパ
スフィルタのようなものも適用可能である。
【0088】また、本実施例では、反射光検出用に非蓄
積形の並列出力形光電変換素子アレイ191を用いてい
るが、蓄積形のものも適用可能である。その場合、信号
処理系303をそのまま使用することもできるし、ある
いは信号処理系303において、ロックインアンプ群1
93を撤去し、第1の実施例と同様に光電変換素子アレ
イの蓄積周波数fSと強度変調周波数fEとの関係を(数
4)のように選び、(数9)〜(数10)に基づいてフ
ーリエ係数を求め、(数11)〜(数12)に基づいて
反射率変化の振幅Dと位相θを計算することも可能であ
る。
積形の並列出力形光電変換素子アレイ191を用いてい
るが、蓄積形のものも適用可能である。その場合、信号
処理系303をそのまま使用することもできるし、ある
いは信号処理系303において、ロックインアンプ群1
93を撤去し、第1の実施例と同様に光電変換素子アレ
イの蓄積周波数fSと強度変調周波数fEとの関係を(数
4)のように選び、(数9)〜(数10)に基づいてフ
ーリエ係数を求め、(数11)〜(数12)に基づいて
反射率変化の振幅Dと位相θを計算することも可能であ
る。
【0089】尚、本実施例は、図2及び図3に示すよう
な熱的コントラストの高い複数の検査対象を有する試料
に対しても、また内部クラック等を含む均一材料からな
る試料に対しても十分適用可能である。
な熱的コントラストの高い複数の検査対象を有する試料
に対しても、また内部クラック等を含む均一材料からな
る試料に対しても十分適用可能である。
【0090】以上述べたように、本実施例によれば、従
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、ストライプ状の励起ビームを用い複
数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反射率
変化を並列に同時に検出することにより、試料の複数測
定点の光熱信号を並列に同時に検出することができ、試
料の2次元表面及び内部情報を高速に検出することが可
能となる。
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、ストライプ状の励起ビームを用い複
数の測定点を並列に同時に励起し、各点で生じた反射率
変化を並列に同時に検出することにより、試料の複数測
定点の光熱信号を並列に同時に検出することができ、試
料の2次元表面及び内部情報を高速に検出することが可
能となる。
【0091】更に、本実施例によれば、光熱効果に基づ
く熱拡散長が検査対象であるCu配線パターンとセラミ
ック基板との界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能となる。
く熱拡散長が検査対象であるCu配線パターンとセラミ
ック基板との界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能となる。
【0092】尚、非蓄積形の光電変換素子アレイ191
の各画素から出力された反射光検出信号を2次元メモリ
に格納した後、1画素毎読出し1次元信号として1個の
ロックインアンプで光熱信号を検出することも可能であ
る。
の各画素から出力された反射光検出信号を2次元メモリ
に格納した後、1画素毎読出し1次元信号として1個の
ロックインアンプで光熱信号を検出することも可能であ
る。
【0093】また、本実施例では、試料の複数点の同時
励起、検出にストライプ状のビームを用いているが、第
1の実施例におけると同様、ポイントビームを強度変調
周波数よりもはるかに早く、具体的には光熱効果の反応
速度よりも早く、例えば数十MHz程度の周波数で高速
に走査することにより、実効的にストライプ状のビーム
を得ることも可能である。
励起、検出にストライプ状のビームを用いているが、第
1の実施例におけると同様、ポイントビームを強度変調
周波数よりもはるかに早く、具体的には光熱効果の反応
速度よりも早く、例えば数十MHz程度の周波数で高速
に走査することにより、実効的にストライプ状のビーム
を得ることも可能である。
【0094】本発明の第3の実施例を図8〜図12に基
づいて説明する。図8は第3の実施例における光熱検出
光学系を示すものである。本光学系は、励起光学系30
1、周期的な反射率変化を検出するための反射光検出光
学系202、及び信号処理系203から成る。
づいて説明する。図8は第3の実施例における光熱検出
光学系を示すものである。本光学系は、励起光学系30
1、周期的な反射率変化を検出するための反射光検出光
学系202、及び信号処理系203から成る。
【0095】第1及び第2の実施例ではストライプ状の
励起ビームとプローブビームを用いているのに対し、本
実施例は、励起光学系301に複数ポイントビーム並列
照射光学系197を採用している点が大きく異なる。他
の部分は第1の実施例と同様である。
励起ビームとプローブビームを用いているのに対し、本
実施例は、励起光学系301に複数ポイントビーム並列
照射光学系197を採用している点が大きく異なる。他
の部分は第1の実施例と同様である。
【0096】図9に基づき、複数ポイントビーム並列照
射光学系197を説明する。ビームエキスパンダ38か
らの拡大平行光は図10に示すストライプ状の開口21
0aを有すマスク210を通過した後ストライプビーム
となり、1次元微小レンズアレイ210に入射する。各
微小レンズの後側焦点位置はリレーレンズ213の前側
焦点位置212と、リレーレンズ213の後側焦点位置
は対物レンズ42の後側焦点位置214と、更に、対物
レンズ42の前側焦点位置は試料47表面と各々一致し
ている。1次元微小レンズアレイ210からの各ビーム
はリレーレンズ213の前側焦点位置212で各々集光
した後、リレーレンズ213通過後平行光となり、更
に、対物レンズ42通過後集束光215として、試料4
7の表面上216に集光する。尚、各ポイントビームの
主光線は互いに平行になっている。
射光学系197を説明する。ビームエキスパンダ38か
らの拡大平行光は図10に示すストライプ状の開口21
0aを有すマスク210を通過した後ストライプビーム
となり、1次元微小レンズアレイ210に入射する。各
微小レンズの後側焦点位置はリレーレンズ213の前側
焦点位置212と、リレーレンズ213の後側焦点位置
は対物レンズ42の後側焦点位置214と、更に、対物
レンズ42の前側焦点位置は試料47表面と各々一致し
ている。1次元微小レンズアレイ210からの各ビーム
はリレーレンズ213の前側焦点位置212で各々集光
した後、リレーレンズ213通過後平行光となり、更
に、対物レンズ42通過後集束光215として、試料4
7の表面上216に集光する。尚、各ポイントビームの
主光線は互いに平行になっている。
【0097】図11は各ポイントビームが同時に試料を
照射する様子を示したものである。尚、ポイントビーム
の数は、反射光検出用のCCD1次元センサ82の画素
数と一致させ、かつその間隔は図12に示すように各ポ
イントビームにより生じた熱拡散領域217が重複しな
いようにしている。各点の周期的反射率変化を検出する
ためのプローブビームは、第1及び第2の実施例と同様
ストライプ状のビームを用いている。信号処理系203
の構成とその機能は、第1の実施例におけるそれと全く
同じであり、第1の実施例と同様、1次元CCDセンサ
82の出力信号から、光熱効果により生じた試料47表
面の周期的反射率変化の振幅及び位相を抽出する。
照射する様子を示したものである。尚、ポイントビーム
の数は、反射光検出用のCCD1次元センサ82の画素
数と一致させ、かつその間隔は図12に示すように各ポ
イントビームにより生じた熱拡散領域217が重複しな
いようにしている。各点の周期的反射率変化を検出する
ためのプローブビームは、第1及び第2の実施例と同様
ストライプ状のビームを用いている。信号処理系203
の構成とその機能は、第1の実施例におけるそれと全く
同じであり、第1の実施例と同様、1次元CCDセンサ
82の出力信号から、光熱効果により生じた試料47表
面の周期的反射率変化の振幅及び位相を抽出する。
【0098】xyステージ48により試料47を複数ポ
イントビーム列と直交するy方向に逐次走査しながら、
上記1次元CCDセンサからの検出信号を計算機96で
処理していくことにより、試料47全面のDとθに関す
る2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に表示さ
れる。。
イントビーム列と直交するy方向に逐次走査しながら、
上記1次元CCDセンサからの検出信号を計算機96で
処理していくことにより、試料47全面のDとθに関す
る2次元光熱画像が得られ、ディスプレイ97に表示さ
れる。。
【0099】尚、本実施例は、図2及び図3に示すよう
な熱的コントラストの高い複数の検査対象を有する試料
に対しても、また内部クラック等を含む均一材料からな
る試料に対しても十分適用可能である。
な熱的コントラストの高い複数の検査対象を有する試料
に対しても、また内部クラック等を含む均一材料からな
る試料に対しても十分適用可能である。
【0100】以上述べたように、本実施例によれば、従
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、複数のポイントビームを並列に同時
に照射することにより複数の測定点を並列に同時に励起
し、各点で生じた反射率変化を並列に同時に検出するこ
とにより、試料の複数測定点の光熱信号を並列に同時に
検出することができ、試料の2次元表面及び内部情報を
高速に検出することが可能となる。
来のように1点ずつ情報を検出していくいわゆるポイン
ト走査方式でなく、複数のポイントビームを並列に同時
に照射することにより複数の測定点を並列に同時に励起
し、各点で生じた反射率変化を並列に同時に検出するこ
とにより、試料の複数測定点の光熱信号を並列に同時に
検出することができ、試料の2次元表面及び内部情報を
高速に検出することが可能となる。
【0101】更に、本実施例によれば、第1の実施例と
同様、光熱効果に基づく熱拡散長が検査対象であるCu
配線パターンとセラミック基板との界面の深さと同じ
か、もしくはそれを越える長さとなるように、励起ビー
ムの強度変調周波数を設定することにより、内部界面の
検査が可能となる。
同様、光熱効果に基づく熱拡散長が検査対象であるCu
配線パターンとセラミック基板との界面の深さと同じ
か、もしくはそれを越える長さとなるように、励起ビー
ムの強度変調周波数を設定することにより、内部界面の
検査が可能となる。
【0102】更に、本実施例によれば、各励起ビームの
熱拡散領域が重複していないため、光熱画像の検出分解
能が向上するという効果を有している。
熱拡散領域が重複していないため、光熱画像の検出分解
能が向上するという効果を有している。
【0103】尚、本実施例では、反射光検出用に蓄積形
CCD1次元センサを用いているが第2の実施例のよう
に非蓄積形の並列出力形光電変換素子アレイも適用可能
である。その場合は、第2の実施例における信号処理系
303を用いればよい。
CCD1次元センサを用いているが第2の実施例のよう
に非蓄積形の並列出力形光電変換素子アレイも適用可能
である。その場合は、第2の実施例における信号処理系
303を用いればよい。
【0104】また、以上述べた第1及び第2の実施例で
は、1次元のストライプ状の励起ビームとプローブビー
ムを用いているが、ある一定の面積を持った2次元形状
のビームを用いることも可能である。その場合には、当
然ながら反射光検出用に2次元センサを用いる。同様
に、第3の実施例においても、複数のポイントビームを
2次元形状に配置し、2次元のセンサを用いることも可
能である。
は、1次元のストライプ状の励起ビームとプローブビー
ムを用いているが、ある一定の面積を持った2次元形状
のビームを用いることも可能である。その場合には、当
然ながら反射光検出用に2次元センサを用いる。同様
に、第3の実施例においても、複数のポイントビームを
2次元形状に配置し、2次元のセンサを用いることも可
能である。
【0105】
【発明の効果】本発明によれば、複数の測定点を並列に
同時に励起し、各点で生じた反射率変化を並列に同時に
検出することにより、試料の複数測定点の光熱信号を並
列に同時に検出することができ、試料の2次元表面及び
内部情報を高速に検出することが可能になるという大き
な効果を有する。
同時に励起し、各点で生じた反射率変化を並列に同時に
検出することにより、試料の複数測定点の光熱信号を並
列に同時に検出することができ、試料の2次元表面及び
内部情報を高速に検出することが可能になるという大き
な効果を有する。
【0106】また、光熱効果に基づく熱拡散長が検査対
象である内部界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能になるという
効果を有する。
象である内部界面の深さと同じか、もしくはそれを越え
る長さとなるように、励起ビームの強度変調周波数を設
定することにより、内部界面の検査が可能になるという
効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例における光熱検出光学系
を示す図である。
を示す図である。
【図2】第1の実施例における試料の平面構造と、励起
ビームとプローブビームを示す斜視図である。
ビームとプローブビームを示す斜視図である。
【図3】第1の実施例における試料の断面構造と、スト
ライプ状の励起ビームによる光熱効果の発生の様子を示
す図である。
ライプ状の励起ビームによる光熱効果の発生の様子を示
す図である。
【図4】周期的反射光強度変化と1次元CCDセンサの
蓄積時間TS=1/fSとの関係を示す模式図である。
蓄積時間TS=1/fSとの関係を示す模式図である。
【図5】2次元メモリにおけるデータの構成を示す図で
ある。
ある。
【図6】本発明の第2の実施例における光熱検出光学系
を示す図である。
を示す図である。
【図7】第2の実施例における信号処理系の構成を示す
図である。
図である。
【図8】本発明の第3の実施例における光熱検出光学系
を示す図である。
を示す図である。
【図9】第3の実施例における複数ポイントビーム並列
照射光学系の構成を示す図である。
照射光学系の構成を示す図である。
【図10】第3の実施例におけるストライプ状の開口を
示す図である。
示す図である。
【図11】第3の実施例における複数ポイントビームが
同時に試料を照射する様子を示す図である。
同時に試料を照射する様子を示す図である。
【図12】第3の実施例における各ポイントビームによ
り生じた熱拡散領域を示す図である。
り生じた熱拡散領域を示す図である。
【図13】従来の光熱検出光学系を説明するための図で
ある。
ある。
【図14】光音響効果及び光熱効果の原理図である。
1、8…レーザ、31…Arレーザ、51…He−Ne
レーザ、33…音響光学変調素子、39、71…シリン
ドリカルレンズ、42…対物レンズ、82…1次元CC
Dセンサ、13…光電変換素子、95…2次元メモリ、
96…計算機、47…試料、102、103、131、
132…Cu配線パターン、191…並列出力形光電変
換素子アレイ、193…ロックインアンプ群、197…
複数ポイントビーム並列照射光学系。
レーザ、33…音響光学変調素子、39、71…シリン
ドリカルレンズ、42…対物レンズ、82…1次元CC
Dセンサ、13…光電変換素子、95…2次元メモリ、
96…計算機、47…試料、102、103、131、
132…Cu配線パターン、191…並列出力形光電変
換素子アレイ、193…ロックインアンプ群、197…
複数ポイントビーム並列照射光学系。
Claims (19)
- 【請求項1】変更可として設定された周波数fEで強度
変調した光を試料表面の複数の測定点に照射して、該複
数の測定点の表面において上記周波数fEと同期した周
期的な反射率変化を発生させ、該複数の測定点に他の光
を照射してその反射光を、各測定点に対応した複数個の
光電変換素子からなる検出器で検出し、該検出した反射
光強度信号の中から、上記反射率変化に基づく上記強度
変調周波数fEと同期した反射光強度変化を光熱信号と
して上記複数の測定点ごとに検出し、該光熱信号より試
料の複数の測定点の表面及び内部情報を検出することを
特徴とする光熱信号検出方法。 - 【請求項2】上記複数の測定点に照射される強度変調光
は、試料上で連続的な直線形状を成すビームであること
を特徴とする請求項1記載の光熱信号検出方法。 - 【請求項3】上記複数の測定点に照射される強度変調光
は、試料上に直線状に配列されたポイントビーム列であ
ることを特徴とする請求項1記載の光熱信号検出方法。 - 【請求項4】上記ポイントビーム列の間隔は、各ポイン
トビームによる熱拡散領域が重複しない間隔であること
を特徴とする請求項3記載の光熱信号検出方法。 - 【請求項5】上記複数の測定点に照射される強度変調光
は、試料上を直線状に高速に移動するポイントビームで
あることを特徴とする請求項1記載の光熱信号検出方
法。 - 【請求項6】上記反射光を上記検出器により積分して検
出することを特徴とする請求項1記載の光熱信号検出方
法。 - 【請求項7】上記検出器からの反射光強度信号を、複数
個の光電変換素子から時系列的に1次元信号として出力
することを特徴とする請求項1記載の光熱信号検出方
法。 - 【請求項8】上記検出器からの反射光強度信号を、複数
個の光電変換素子から並列的に出力することを特徴とす
る請求項1記載の光熱信号検出方法。 - 【請求項9】周波数fSとfEが、4p:4pm±1
(p、m:0以外の任意整数)の一定整数比に制御され
た状態で、上記検出器の各光電変換素子ごとに、1/f
Sの時間周期で複数回に亘って積分検出された複数個の
積分検出データに基づいて、上記強度変調周波数fEと
同期した反射光強度変化を、光熱信号として検出するこ
とを特徴とする請求項6記載の光熱信号検出方法。 - 【請求項10】上記複数個の光電変換素子から並列的に
出力された反射光強度信号から、上記強度変調周波数f
Eと同期した反射光強度変化を、光熱信号として並列的
に検出することを特徴とする請求項8記載の光熱信号検
出方法。 - 【請求項11】上記強度変調周波数は、光熱効果もしく
は光音響効果に基づく熱拡散長が上記試料の被測定内部
界面の深さとほぼ同じか、もしくはそれを越える長さと
なるように設定することを特徴とする請求項1記載の光
熱信号検出方法。 - 【請求項12】光源と、該光源からの光を変更可として
設定された周波数fEで強度変調する強度変調手段と、
該強度変調した光を試料表面の複数の測定点に照射し
て、該複数の測定点の表面において上記周波数fEと同
期した周期的な反射率変化を発生させる励起手段と、上
記複数の測定点に他の光を照射する光照射手段と、その
反射光を試料表面と共役の関係にあり、且つ上記各測定
点に対応した複数個の光電変換素子から成る検出器で検
出する反射光検出手段と、該検出した反射光強度信号の
中から、上記複数の測定点において生じた上記反射率変
化に基づく上記強度変調周波数fEと同期した反射光強
度変化を光熱信号として検出し、該光熱信号より試料の
複数の測定点の表面及び内部情報を検出する情報検出手
段とを備えたことを特徴とする光熱信号検出装置。 - 【請求項13】上記励起手段として、強度変調光を、試
料上で連続的な直線形状を成すビームで形成することを
特徴とする請求項12記載の光熱信号検出装置。 - 【請求項14】上記励起手段として、強度変調光を、試
料上に直線状に配列されたポイントビーム列で形成した
ことを特徴とする請求項12記載の光熱信号検出装置。 - 【請求項15】上記励起手段として、ポイントビーム列
の間隔を、各ポイントビームによる熱拡散領域が重複し
ない間隔で形成したことを特徴とする請求項14記載の
光熱信号検出装置。 - 【請求項16】上記励起手段として、強度変調光を、試
料上を直線状に高速に移動するポイントビームで形成し
たことを特徴とする請求項12記載の光熱信号検出装
置。 - 【請求項17】上記反射光検出手段の検出器を、蓄積形
光電変換素子で形成したことを特徴とする請求項12記
載の光熱信号検出装置。 - 【請求項18】上記反射光検出手段の検出器を、非蓄積
形光電変換素子で形成したことを特徴とする請求項12
記載の光熱信号検出装置。 - 【請求項19】上記反射光検出手段の検出器を、蓄積形
光電変換素子で形成し、周波数fSとfEが、4p:4p
m±1(p、m:0以外の任意整数)の一定整数比に制
御された状態として発生した上、必要部位に供給する制
御信号発生手段と、上記検出器の各光電変換素子ごと
に、1/fSの時間周期で複数回に亘って積分検出され
た複数個の積分検出データに基づいて、上記強度変調周
波数fEと同期した反射光強度変化を光熱信号として検
出し、該光熱信号より試料の複数の測定点の表面及び内
部情報を検出する情報検出手段とを備えたことを特徴と
する請求項17記載の光熱信号検出装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8226195A JPH08278250A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 光熱信号検出方法及び装置 |
PCT/JP1996/000957 WO1996031772A1 (fr) | 1995-04-07 | 1996-04-08 | Procede et dispositif de detection de signaux photothermiques |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8226195A JPH08278250A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 光熱信号検出方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08278250A true JPH08278250A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13769529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8226195A Pending JPH08278250A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 光熱信号検出方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08278250A (ja) |
WO (1) | WO1996031772A1 (ja) |
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- 1995-04-07 JP JP8226195A patent/JPH08278250A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1996031772A1 (fr) | 1996-10-10 |
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