JPH08276284A

JPH08276284A - マスク式レーザマーカ

Info

Publication number: JPH08276284A
Application number: JP8033127A
Authority: JP
Inventors: Akira Mori; 彰森; Yukihiro Tsuda; 幸宏津田
Original assignee: Komatsu Ltd
Current assignee: Komatsu Ltd
Priority date: 1996-01-29
Filing date: 1996-01-29
Publication date: 1996-10-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ワーク上に、複雑かつ任意なパターンを適宜
かつ瞬時に可変でき、かつ、小さなレーザ発振器で、印
字中にワークを移動させることなく、大面積で、ばらつ
きなく、しかも明瞭かつ高速に印字する。【解決手段】パルスレーザ発振器と、パルスレーザ発
振器から発せられたレーザ光を集光する第１集光光学系
と、該レーザ発振器からの出射レーザ光をＸＹ方向に偏
向する第１偏向器と、該第１偏向器からのレーザ光によ
りラスタ走査されるマスクと、該マスクを透過したラス
タ走査光が照射されて照射面上に前記パターンをワーク
上に印字するマスク式レーザマーカにおいて、前記集光
光学系が前記パルスレーザ発振器から発せられたレーザ
光を集光する点位置近傍に前記偏向器を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属、樹脂、セラ
ミック、ペーパ、布等のワーク上に、複雑かつ任意な文
字、記号、図形、模様等でなるパターンを適宜かつ瞬時
に可変でき、かつ、小さなレーザ発振器で、印字中にワ
ークを移動させることなく、大面積で、ばらつきなく、
しかも明瞭かつ高速に印字できるＹＡＧレーザマスクマ
ーカに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のレーザマスクマーカに類
似するものを挙げれば、次のものが知られる。

【０００３】(1) 面上に複数の互いに異なる固定パター
ンを備えた固定マスクを備え、該固定マスクのレーザ光
の入射側と出射側とにそれぞれＸＹ偏向器を備え、入射
側ＸＹ偏向器でレーザ光を所望の固定パターンに照射さ
せ、出射側ＸＹ偏向器で該パターンからの透過レーザ光
をワーク上の所望位置に照射させることにより、ワーク
を移動させることなく、各固定パターンを適宜組み合わ
せてワーク上に大面積の合成印字を行なう（特開平２年
第１５８８７号参照）。

【０００４】(2) 全体パターンを複数の分割パターンに
細分割し、各分割パターンを液晶マスクに時分割表示
し、該液晶マスクへのレーザ照射毎にワークを一方向へ
ずらせ、全体として大きな合成印字を行なう（特開平２
年第１８７２８７号参照）。その他、特開平２年第２６
８９８８号がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで近時、レーザ
マスクマーカは、金属、樹脂、セラミック、ペーパ、布
等のワーク上に、複雑かつ任意な文字、記号、図形、模
様等でなるパターンを適宜かつ瞬時に可変でき、かつ、
小さなレーザ発振器で、印字中にワークを移動させるこ
となく、大面積で、ばらつきなく、しかも明瞭かつ高速
に印字できることが要求される。かかる要求に対し、上
記従来のレーザマスクマーカの不都合を次に述べる。

【０００６】(1) 特開平２年第１５８８７号のレーザマ
スクマーカは、固定マスクであるため、該固定マスク上
の複数の固定パターン以外のパターンを印字する場合に
は、該固定マスクを交換しなければならないという不都
合がある。また入射側ＸＹ偏向器は固定パターンを選択
照射させるためだけの偏向器と考えられ、ラスタ走査さ
せる趣旨まで含まれないと考えられる。即ち、各固定パ
ターンに対してレーザビームを拡大させてなる一括レー
ザ照射であると考えられる。従って本構成では、印字中
にワークを移動させることなく、大面積で合成印字でき
る利点はあるが、複雑かつ任意なパターンを適宜かつ瞬
時に可変でき、かつ、小さなレーザ発振器で、ばらつき
なく、しかも明瞭かつ高速に印字できるとは言えない。

【０００７】(2) 特開平２年第１８７２８７号のレーザ
マスクマーカは、液晶マスクに全体パターンを時分割表
示する点で画期的である。しかるにレーザ照射の都度、
ワークを同期移動させるため、本構成では、複雑なパタ
ーンを適宜かつ瞬時に変更でき、かつ、大面積に合成印
字できる利点はあるが、小さなレーザ発振器で、印字中
にワークを移動させることなく、ばらつきなく、しかも
明瞭かつ高速に印字できるとは言えない。その他の特開
平２年第２６８９８８号についても同様の不都合があ
る。

【０００８】本発明は、上記要求及び従来技術の問題点
に着目し、各種ワーク上に、複雑かつ任意な文字、記
号、図形、模様等でなるパターンを適宜かつ瞬時に可変
でき、かつ、小さなレーザ発振器で、印字中にワークを
移動させることなく、大面積で、ばらつきなく、しかも
明瞭かつ高速に印字できるＹＡＧレーザマスクマーカを
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係わるＹＡＧレーザマスクマーカは、ＹＡ
Ｇレーザ発振器と、該ＹＡＧレーザ発振器からのレーザ
光をＸＹ方向に偏向する第１偏向器と、該第１偏向器か
らのレーザ光によりラスタ走査される所定のパターンを
表示する液晶マスクと、該液晶マスクを透過したラスタ
走査光をさらに所定のＸＹ方向に偏向する第２偏向器
と、該第２偏向器からのラスタ走査光が照射されて照射
面上に前記パターンが印字されるワークと、制御器とを
備えてなるＹＡＧレーザマスクマーカにおいて、前記Ｙ
ＡＧレーザ発振器はＱスイッチ付きとすると共に、前記
制御器は、 (1) ワーク上に印字すべき全体パターンを０又は１のド
ット情報として入力し、記憶すると共に、該記憶された
全体パターン情報を複数個のブロック状の分割パターン
情報に細分割し、 (2) ワーク上への印字時、イ．Ｑスイッチでレーザ発振強度を落とし、ロ．次に、前記複数個の分割パターン情報の中から、一
の分割パターン情報をそのアドレス情報と共に抽出し、ハ．次に、当該分割パターン情報を液晶マスク上に分割
パターンとして表示させ、ニ．次に、第１偏向器をラスタ開始位置に駆動させて停
止させ、ホ．次に、第２偏向器を当該分割パターン情報
のアドレス情報に基づき、ワーク上の当該印字領域方向
へ駆動させて停止させ、へ．次に、ＱスイッチでＹＡＧレーザ発振器をパルス発
振させると共に、前記第１偏向器で前記液晶マスク上の
表示分割パターンをラスタ走査させ、以上により、ワー
ク上に当該分割パターンを印字させ、以上の工程イ乃至
工程ヘを、ワーク上に全体パターンが合成されて印字さ
れるまで、次の他の分割パターン情報に対し、次々と実
行させる構成とした（請求項１）。

【００１０】さらに上記構成において、工程ニは、工程
イ前、工程イと工程ロとの間、工程ロと工程ハとの間又
は工程ホと工程ヘとの間で実施させてもよい（請求項
２）。

【００１１】さらにまた、上記請求項１と請求項２との
それぞれのＹＡＧレーザマスクマーカの制御器には、次
の制御を少なくとも一つ加味して備えてもよい。抽出し
た分割パターン情報の総てのドット情報に印字情報がな
いとき、液晶マスクに対して該分割パターンの表示を省
略させると共に、次の分割パターン情報を抽出すること
（請求項３）、抽出した分割パターン情報の上下左右辺
に相当する少なくとも１行列の総てのドット情報に印字
情報がないとき、第１偏向器に対し、該印字情報がない
ドット情報の行列へのラスタ走査を省略させること（請
求項４）、抽出した分割パターン情報の上下左右辺に相
当する少なくとも１行列の総てのドット情報に印字情報
がないとき、ラスタ走査時、Ｑスイッチで、該印字情報
がないドット情報の行列へのレーザ光の発振強度を落と
させること（請求項５）、互いに隣接する分割パターン
情報の該隣接辺に相当するドット情報が少なくとも１行
列分だけ重複するように、全体パターン情報を複数個の
ブロック状の分割パターン情報に細分割すること（請求
項６）、全体パターン情報を細分割することなく、該全
体パターン情報をそのまま液晶マスクに表示させること
（請求項７）及び／又はラスタ走査時の改行時、Ｑスイ
ッチでレーザ発振強度を落とさせること（請求項８）。

【００１２】さらにまた、上記各構成のＹＡＧレーザマ
スクマーカにおいて、第２偏向器は、液晶マスク側のＸ
方向偏向用ガルバノメータスキャナと、ワーク側のＹ方
向偏向用レンズと、これらの間に配置された対物レンズ
とからなり、前記Ｙ方向偏向用レンズは、ワーク印字面
に沿って平行移動させる機構に備えられた構成としても
よい（請求項９）。

【００１３】

【作用】請求項１は前段の外観上の構成と後段の制御器
の制御上の構成とからなる。尚、前段構成はあたかも従
来技術の構成でもあるように、「・・・・おいて、」と記載
したが、この前段構成は飽くまで後段構成を実施させる
ための前提構成であって、従来技術の有無を指すもので
はない。以下各構成要素の作用を詳説する。

【００１４】ＹＡＧレーザ発振器は、いわゆるレーザマ
スクマーカで使用される液晶マスク、レンズ及びミラー
等（以下、ガラス系とする）に対し、波長的に吸収が少
なく、該ガラス系の熱負荷を軽減する。またＱスイッチ
により、深掘り刻印（本発明では刻印も印字とする）に
好適な高尖頭値のレーザ光をパルス発振する。

【００１５】第１偏向器は、レーザ光をＸＹ方向に偏向
して液晶マスク上に表示された分割パターンをラスタ走
査する。ラスタ走査は、図２に示すように、液晶マスク
６上を、Ｘ方向偏向器によって図示左上端から右端へ、
次にＹ方向偏向器によって次行の左端へ改行され、再度
前記Ｘ方向偏向器によって左端から右端へ至る走査を、
最後のＸ行が終了するまで繰り返す走査である。このラ
スタ走査は、従来技術のレーザビームを拡大させてなる
一括照射と異なり、レーザビーム自体によるピンポイン
ト照射であるため、液晶マスク面での照射レーザ強度を
均一化し、かつ、高強度化する。

【００１６】液晶マスクは、表示パターンを適宜、か
つ、瞬時に切り換える。

【００１７】第２偏向器は、液晶マスクからの透過レー
ザ光をＸＹ方向に偏向する。この第２偏向器は、ラスタ
走査中、当該分割パターンのワーク上での印字方向へ向
き、停止しているが、分割パターンの変更時は、次のラ
スタ走査用分割パターンのワーク上での印字方向へ向く
ように駆動される。

【００１８】ワークは、全体パターンの合成印字が完了
するまで定位置で停止する。

【００１９】以上のＹＡＧレーザ発振器のＱスイッチ、
第１偏向器、液晶マスク及び第２偏向器は扱い易い電気
信号によって駆動し、これら駆動は、制御器によって制
御される。

【００２０】制御器は、先ずワーク上に印字すべき全体
パターンを０又は１のドット情報として入力し、記憶す
ると共に、該記憶された全体パターン情報を複数個のブ
ロック状の分割パターン情報に細分割する。即ち、図３
に示すように、例えばメインメモリ内において、縦横各
７２ドットでなるアドレス内に全体パターンを、例えば
１を印字部、０を無印字部のドット情報として入力して
記憶する。その後、該記憶された全体パターン情報を、
同図に示すように、縦横各２４ドットでなる合計９個の
アドレス群（即ち、分割パターン情報）Ａ〜Ｉに細分割
する。この全体パターン情報及び各分割パターン情報の
情報とは、パターン情報は勿論のこと、当初から定めら
れた当該アドレス情報を指す。そして制御器は、これら
パターン情報とアドレス情報とを元に、上記ＹＡＧレー
ザ発振器のＱスイッチ、第１偏向器、液晶マスク及び第
２偏向器に対し、印字中、次のタイミング制御を行い、
全体パターンをワーク上に合成印字する。

【００２１】先ず制御器は、Ｑスイッチでレーザ光の発
振強度を落とす（工程イ）。液晶マスクで第１分割パタ
ーン表示までの間及び分割パターンの表示変更時（第２
偏向器の駆動から停止時間を含むものとする、以下同
じ）、レーザ光は何らワークの印字に寄与しないばかり
か、寧ろこの間及びこの時のレーザ光照射は、レーザビ
ームの歪み、他所へレーザビームの反射、ガラス系への
熱負荷増大等の弊害をもたらす。そこで制御器は、この
間及びこの時、Ｑスイッチでレーザ光の発振強度を落と
すようにしている。

【００２２】次に制御器は、前記複数個の分割パターン
情報の中から、一の分割パターン情報をそのアドレス情
報と共に抽出する（工程ロ）。例えば図３において、分
割パターン情報Ａを抽出する場合、１番地から２４番地
までを一時メモリに入力し、次に７３番地から９６番地
まで入力し、次々と１６５７番地から１６８０番地まで
入力することにより、該分割パターン情報Ａの抽出を完
了する。各分割パターン情報Ａ〜Ｉの抽出順序は、合成
印字完了時点における全体パターンの、いわゆる左上か
ら左に向けてラスタ印字すべく抽出するのが自然である
が、ワーク形状や全体パターンの内容や印字速度等を考
慮して適宜設定されることになる。

【００２３】次に制御器は、当該分割パターン情報を液
晶マスク上に分割パターンとして表示させる（工程
ハ）。

【００２４】次に制御器は、第１偏向器をラスタ開始位
置に駆動させたのち、停止させる（工程ニ）。

【００２５】次に制御器は、第２偏向器を当該先に抽出
された分割パターン情報のアドレス情報に基づき、ワー
ク上の当該分割パターンの印字領域方向へ駆動させたの
ち、停止させる（工程ホ）。

【００２６】最後に制御器は、ＱスイッチでＹＡＧレー
ザ発振器をパルス発振させると共に、第１偏向器で液晶
マスク上の表示パターンをラスタ走査させる（工程
へ）。

【００２７】以上の工程イ〜工程へにより、ワーク上に
は当該分割パターンが印字されることになる。但し、全
体パターンの合成印字が完了していないときは、ワーク
上に全体パターンが合成印字されるまで、次の他の分割
パターン情報に対し、上記工程イ〜工程へを、次々と実
行させるようにして、全体パターンの合成印字を達成す
るようにしている。

【００２８】請求項２の構成は、上記請求項１の工程ニ
が請求項１の順位に限らず、ラスタ走査開始前の位置で
あるならば、何処であってもよいことを示す。

【００２９】請求項３〜請求項９の構成は、上記請求項
１と請求項２との構成に対する代表的オプション構成を
列記したものである。

【００３０】請求項３の構成は、全体パターン情報を細
分割したときにドット情報の総てに印字情報がない分割
パターン情報が成立する場合が多々あるが、このような
場合に対処するものである。例えば１を印字情報のある
ドット情報とすれば、０は印字情報のないドット情報と
なり、この場合の本請求項３は、分割パターン情報の総
てのドット情報が０の場合の付加制御構成となる。かか
る分割パターン情報は、たとえこれを液晶マスクに表示
したとしても、入射レーザ光の総ては散乱するだけであ
り、印字に寄与しないばかりか、ガラス系への熱負荷増
大、全体パターンの高速印字化阻害、偏向器の駆動損失
等の弊害を誘う。そこで請求項３では、請求項１と請求
項２との各制御器がかかる総てのドット情報に印字情報
がない分割パターン情報を抽出したとき、該制御器は、
印字情報があるドット情報が一つでも含まれる分割パタ
ーン情報が現れるまで、該各分割パターン情報による液
晶マスクへの表示を省略させ、印字情報があるドット情
報が一つでも含まれる分割パターン情報を抽出し次第、
直ちに液晶マスクに該分割パターン情報による分割パタ
ーンを表示させることとした。尚、請求項１の構成から
分かるように、かかる総てのドット情報に印字情報がな
い分割パターンは、これが液晶マスクに表示されなけれ
ば、第２偏向器も当該分割パターン情報のアドレス情報
が省略され、作動しない。このため、上記弊害の発生が
阻止される。また印字情報がある他の分割パターンは、
それぞれ自己のアドレス情報を記憶しているため、本請
求項３の構成により、全体パターンの合成印字に影響が
出ることはない。

【００３１】請求項４の構成は、上記請求項３の方式を
さらに一歩進めたものである。即ち、各分割パターンに
は印字情報のないドット情報がランダムに多数存在する
のが常であるが、本請求項４では、殊に液晶マスク上で
上下左右辺に相当する行列において、少なくとも１行列
の総てのドット情報に印字情報がないとき、制御器は、
第１偏向器に対して該行列へのラスタ走査を省略させる
ようにしている。

【００３２】請求項５は、上記請求項４の代用構成であ
って、制御器は、第１偏向器に対して該印字情報のない
上下左右辺の行列に対しても、従前どおり、ラスタ走査
を実行させるが、Ｑスイッチで該行列へのレーザ光の発
振強度を落とすようにしている。

【００３３】請求項６の構成は、全体パターンの印字完
了時、隣接する分割パターン同士の隣接印字辺が、第２
偏向器のがたつき、光学系素子の位置変動、外部ノイズ
による制御信号の変動等によって分割パターン同士間の
線を引いたような印字隙間をなくすための対応構成であ
る。即ち、制御器は、全体パターン上において、互いに
隣接する分割パターン情報の双方の該隣接辺に相当する
ドット情報を少なくとも１行列分だけ重複するように、
全体パターン情報を複数個のブロック状の分割パターン
情報に細分割する。

【００３４】請求項７の構成による作用は次のとおりで
ある。他の請求項の構成によれば、例えばワーク上の微
小領域に微小かつ単純なる全体パターンを印字したい場
合、かかる全体パターン情報までもが細分割されてしま
う。そこで請求項７の制御器では、かかる細分割するま
でもないような印字条件の全体パターンに対し、これを
細分割することなく、そのまま液晶マスクに表示させる
こととし、第２偏向器へは該全体パターンの印字位置方
向への駆動指令を発振する。

【００３５】請求項８の構成による作用は次のとおりで
ある。上記請求項１の液晶マスクへの第１分割パターン
を表示するまでの間及び表示パターン変更時と同様、ラ
スタ走査時における改行時もまた、レーザ光は何らワー
クの印字に寄与しないばかりか、寧ろこの間の照射レー
ザ光はレーザビームの歪み、他所へレーザビームの反
射、ガラス系への熱負荷増大等の弊害をもたらす。そこ
で請求項８の制御器は、かかるラスタ走査時の改行時に
も、Ｑスイッチでレーザ光の発振強度を落とすようにし
ている。

【００３６】請求項９は、本発明に係わるＹＡＧレーザ
マスクマーカに最も好適かつ新規なる第２偏向器を記載
したものである。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下本発明に係わるＹＡＧレーザ
マスクマーカの最も好適な実施例を図を参照して説明す
る。

【００３８】図１は、請求項１のＹＡＧレーザマスクマ
ーカとして最も好適な第１実施例の構成図である。同図
において、ＹＡＧレーザマスクマーカは、Ｑスイッチ付
きＹＡＧレーザ発振器１と、該ＹＡＧレーザ発振器１か
らのレーザ光Ｐ１を光学レンズ２で集光Ｐ２させたのち
ＸＹ方向に偏向してラスタ走査させる第１偏向器３Ｘ、
３Ｙと、該第１偏向器の３Ｙにて反射されたレーザ光Ｐ
３を該第１偏向器の３Ｘの偏向面内の１点に集光Ｐ４さ
せる光学系４と、該第１偏向器３Ｘ、３Ｙからのラスタ
走査光Ｐ５を電気的に透過又は散乱させるパターンを表
示する液晶マスク６と、該液晶マスク６を透過したラス
タ走査光Ｐ６をさらにＸＹ方向に偏させる第２偏向器７
Ｘ、７Ｙと、前記ラスタ走査光Ｐ５を該第２偏向器７Ｘ
の反射面内の１点に到達するようにレーザ光Ｐ６の方向
を変える光学系５と、前記第２偏向器７Ｘ、７Ｙからの
ラスタ走査光Ｐ９が照射されて該照射部に前記パターン
が印字されるワーク１０と、制御器１１とを備えてい
る。詳しくは、以下のとおりである。

【００３９】第１偏向器３Ｘ、３Ｙは、回転軸と回動軸
とが直交し、かつ、離間して備えられたＸ方向偏向器な
るポリゴンミラー３Ｘと、Ｙ方向偏向器なるガルバノメ
ータスキャナ３Ｙとからなる。本実施例のポリゴンミラ
ー３Ｘは３６面体であり、その回転は数段階の定速回転
モードとしてあり（本実施例では、６０、１２０、２０
０ｒｐｍの３段階で試してある）、ワーク毎に最適なモ
ードが選択される。つまり、ポリゴンミラー３Ｘの一面
は液晶マスク上でのＸ方向の１行に相当し、該ポリゴン
ミラー３Ｘの１回転でＸ方向の３６行分に相当する。他
方、ガルバノメータスキャナ３Ｙは、レーザＰ４の受光
点が前記ポリゴンミラー３Ｘの回転によって一面から次
の面へ変わる間に、一微小偏角だけ回転したのち停止す
るようになっている（この一微小角の回転から停止まで
の所要時間は約３ｍｓである）。本実施例では、ガルバ
ノメータスキャナ３Ｙは４３段の微小等偏向角で作動す
る。最後の４３段目からは一挙に初め１段目の位置に戻
るという逆回転をする（中立位置を２２段目とする方法
もあるが、ラスタ走査開始位置に合わせて、本実施例で
は１段目を中立位置としてある）。つまり、ガルバノメ
ータスキャナ３Ｙの一微小偏向角は液晶マスクでのＹ方
向への改行に相当し、該ガルバノメータスキャナ３Ｙ
は、前記ポリゴンミラー３Ｘの一面が終了する毎に一微
小偏向角分だけ回転し、前記ポリゴンミラー３Ｘの一面
が終了するまではその位置で停止している。

【００４０】液晶マスクは、いわゆる透過分散形液晶マ
スクと呼ばれるものであり、例えば旭硝子の「液晶と樹
脂とからなる液晶樹脂複合体（特開平２年第９６７１４
号参照）」がこれに相当する。この液晶マスクは、無数
の平行電極線が液晶表裏に、かつ、該表裏間で互いに交
差するように設けられており、電圧無印加部の液晶はレ
ーザ光散乱状態であるが、電圧印加部の液晶はレーザ光
透過状態となる液晶マスクである。そこでかかる電気的
特性を利用し、該電極に選択的に電圧を印加し、所望の
パターンを瞬時に画像化する。この液晶マスクは、従来
の液晶マスクと異なり、偏光板が不要である。この結
果、該液晶マスクを透過したレーザ光の強度は従来の液
晶マスクと比較して２倍以上となる。本実施例ではこの
液晶マスク６を縦横２４ドットでなるドットマトリクス
で各分割パターンを表示している。尚、この液晶マスク
は、例えば７２ドット×３６ドットのほか、各種準備す
ることができる。

【００４１】第２偏向器は、回転軸と平行移動軸とが直
交し、かつ、離間して備えられたＸ方向偏向器なるガル
バノメータスキャナ７Ｘと、Ｙ方向偏向器なるレンズ系
７Ｙとからなる。この第２偏向器は、液晶マスクの分割
パターンのラスタ走査が完了するまで、当該分割パター
ンの印字領域に向かって停止している。そして液晶マス
クの分割パターンが変化する間に、該新たな分割パター
ンの印字位置領域に向かって駆動され、該位置に至った
後、該分割パターンのラスタ走査が完了するまで、該位
置で停止している。

【００４２】ところで図１の第２偏向器は、請求項９の
一実施例でもある。そこで該構成について詳説する。液
晶マスク６を透過したラスタ走査光Ｐ６は、Ｘ方向偏向
用ガルバノメータスキャナ７Ｘと、対物レンズ８と、Ｙ
方向偏向用レンズ７Ｙとを経てワーク１０に至り、液晶
マスク６のパターンを該ワーク１０の表面９に印字す
る。このＹ方向偏向用レンズ７Ｙは、ワーク１０の印字
面に沿って該レンズ７Ｙを平行移動させる機構７２、７
３に固設されている。７２は制御器１の作動タイミング
指定によって回動するＡＣモータであり、このＡＣモー
タ７２によって出力軸に連結されたリンク機構を経て、
該レンズ７Ｙを孔内に固設したテーブル７３をワーク１
０の印字面に沿って平行往復移動させる。

【００４３】この第２偏向器としては、従来から、例え
ば互いに回動軸が直交し、かつ、離間して備えられた２
個のガルバノメータスキャナ７Ｘ、７Ｙでなる構成が知
られる。また互いに回動軸と揺動軸とが直交し、かつ、
離間して備えられたガルバノメータスキャナ７Ｘと、対
物レンズを兼ね備えた揺動レンズ７Ｙとでなる構成、そ
の他が知られる。

【００４４】しかるに、前者の場合、２個のガルバノメ
ータスキャナ７Ｘ、７Ｙで２回偏向させるため、結像画
像の歪みが著しく、その補正手段として、ガルバノメー
タスキャナ７Ｙとワーク１０との間に備えた通常の対物
レンズのほか、ガルバノメータスキャナ７Ｘ、７Ｙ間に
Ｆーθレンズを備える必要があり、レンズ系が大きくな
るという不都合がある。

【００４５】他方後者の場合、仮に揺動レンズ７Ｙの縮
小比が、例えば１／２５以下にすると（即ち、揺動レン
ズ７Ｙの焦点距離が短くすると）、揺動に伴い収差の変
化が大きく現れるため、印字の位置ずれや照射レーザ光
強度の密度低下等が生ずる不都合がある。

【００４６】図１の第２偏向器は、後者形式を改良した
のものと言えるが、後者形式のように対物レンズとＹ方
向偏向を兼備させる構成ではなく、対物レンズは対物レ
ンズ８として独立させ、その代わり、揺動機構ではな
く、ワーク１０の印字面に沿って該Ｙ方向偏向用レンズ
７Ｙを平行移動させる機構７２、７３に備えた構成とし
た。この結果、上記レンズ系を大形化することなく、印
字の位置ずれや照射レーザ光強度の密度低下等の不都合
を阻止することができる。

【００４７】さて、説明を請求項１の第１実施例に戻
す。上記第１実施例のＹＡＧレーザ発振器本体はＣＷ発
振をＱスイッチによってパルス発振させる形式である。
該Ｑスイッチは音響光学効果を利用する方法（Ａ／Ｏ）
によっている。尚、このＱスイッチでレーザ光の発振強
度を落としたとき、その低下強度は、低ければ低い程よ
いが、該ＹＡＧレーザ発振器１のレーザ発振能力、ガラ
ス系の耐熱負荷性、ワーク１０の材質、ポリゴンミラー
３Ｘの回転数、その他の諸条件を横睨みして決定するの
がよい。一目安として、ワーク毎に定まるスレッシュホ
ウルド未満の値とすると、汎用性がある（スレッシュホ
ールドとはワークの材質によって決定される該ワークへ
の印字が可能なレーザ光の閾値である）。尚、Ｑスイッ
チでのレーザ光強度をこのスレッシュホウルド以上の値
として、ラスタ走査中、全体パターンの内、ある部位を
深掘り印字し、他の部位を該Ｑスイッチで浅掘りするこ
とも自在である。

【００４８】集光光学系は、第１偏向器及び第２偏向器
のレーザ光の入射路内に設置される。これは、各偏向器
への入射レーザ光が大径ビームであったり、偏向角を有
するとき、これらを集光させて印字の変形、ばらつき、
レーザ損失等を軽減させる。尚、この集光光学系によ
り、レーザ光は各偏向器へは極小の点照射となるため、
各偏向器を小型化でき、その結果、該偏向器の駆動慣性
を低減させる。またこの結果、制御器は、ばらつきのな
い高速制御ができ、かつ、微動制御ができるようにな
る。

【００４９】第１偏向器の集光光学系は、ＹＡＧレーザ
発振器１とガルバノメータスキャナ３Ｙとの間のリレー
レンズ（いわゆるビームスプリッタ）２と、該ガルバノ
メータスキャナ３Ｙとポリゴンミラー３Ｘとの間のリレ
ーレンズ４とでなる。前者リレーレンズ２はなくても構
わないが、レーザ発振器１からのレーザ光Ｐ１のビーム
径が大きい場合、ガルバノメータスキャナ３Ｙ面への入
射角及び反射角が、該ガルバノメータスキャナ３Ｙの偏
向角により、差が生ずるのを防ぐために配置したもので
ある（従ってかかる視点によれば、前者リレーレンズ２
は必需品と言えなくもない）。上記理由のほか、本実施
例では、レーザ光Ｐ１のビーム直径は２ｍｍである点及
び液晶マスクが縦横７０ｍｍ×７０ｍｍ（但しドットマ
トリクスは縦横２４ドット）においてＹ方向に４３列走
査する点等を考慮し、レーザ光Ｐ１をリレーレンズ２で
心持ち集光させ、略３０％重ね照射ができるビーム径と
なるようにしたものである。これに対し、リレーレンズ
４は不可欠である。このリレーレンズ４により、ガルバ
ノメータスキャナ３Ｙの全偏向角のレーザ光Ｐ３を受光
できるような非常に大きいポリゴンミラー３Ｘが不要と
なる。即ち、ポリゴンミラー３Ｘが小型で済み、軽量化
できる。本発明では、このリレーレンズ４を配置してポ
リゴンミラー３Ｘの各面の一点にレーザ光Ｐ４が到達す
るように集光Ｐ４し、これにより、該ポリゴンミラー３
Ｘから液晶マスク６へのラスタ走査用のレーザ光Ｐ５を
均一化でき、該ポリゴンミラー３Ｘの面の数も増やすこ
とができ、その分、該ポリゴンミラー３Ｘの回転速度を
低く押さえることもできるため、制御器１１による第１
偏向器に対する制御が容易となる等の効果がある。尚、
ガルバノメータスキャナ３Ｙとポリゴンミラー３Ｘとを
極近接させれば、見た目には、また、理論上も、かかる
リレーレンズ４は不要と考えられがちであるが、実用
上、該リレーレンズ４を装着するのがよい。

【００５０】第２偏向器の集光光学系は、第１偏向器の
ポリゴンミラー３Ｘと第２偏向器のガルバノメータスキ
ャナ７Ｘとの間で、液晶マスク６に近接配置したリレー
レンズ（いわゆるフィールドレンズ）５である。このリ
レーレンズ５はポリゴンミラー３Ｘからのラスタ走査光
Ｐ５を一旦平行光に直し、次に第２偏向器のガルバノメ
ータスキャナ７Ｘに屈折Ｐ６させる。

【００５１】制御器１１は、液晶マスク６（Ｓ１）、ポ
リゴンミラー３Ｘの駆動部３２（Ｓ２）、ＹＡＧレーザ
１のＱスイッチ（Ｓ３）、ガルバノメータスキャナ３Ｙ
の駆動部３１（Ｓ４）、ガルバノメータスキャナ７Ｘの
駆動部７１（Ｓ５）、レンズ系７Ｙの駆動部７２（Ｓ
６）と接続されてこれを制御する。

【００５２】この制御器１１の制御を、図４の制御フロ
ーチャートを参照し、以下説明する。先ず、ワーク上に
印字すべき全体パターンを、０又は１のドット情報とし
て、制御器内のメインメモリの予め定められたアドレス
群内に入力して記憶する（ステップ(1) ）。次に、該記
憶した全体パターン情報を複数のアドレス群でなるパタ
ーン情報に細分割する（ステップ(2) ）。次に、ＹＡＧ
レーザ発振器を駆動させるが、このとき、Ｑスイッチで
該ＹＡＧレーザ発振器の発振レーザ光を低強度化させる
（ステップ(3) ）。次に、一の分割パターン情報をメイ
ンメモリから該制御器内の一時メモリに抽出する（ステ
ップ(4) ）。次に、この抽出した分割パターン情報を元
に液晶マスク６上に該分割パターンを表示させる（ステ
ップ(5)）。次に、第１偏向器をラスタ走査開始位置へ
駆動させたのち、停止させる（ステップ(6) ）。次に、
第２偏向器を該分割パターンのアドレス情報に従ってワ
ーク上の該印字方向へ駆動させたのち、停止させる（ス
テップ(7) ）。次に、Ｑスイッチでパルス発振させつつ
（ステップ(8) ）、当該分割パターンのラスタ走査が完
了するまで（ステップ(10)）、第１偏向器で液晶マスク
上をラスタ走査させる（ステップ(9) ）。ラスタ走査終
了後、Ｑスイッチでレーザ発振を低強度化させる（ステ
ップ(11)）。以上の工程（ステップ(4) 〜(11)）を、総
ての分割パターン情報の抽出が完了するまで（即ち、全
体パターンのワーク上での合成印字が完了するまで）繰
り返す（ステップ(12)）。次に、次のワークがなければ
（ステップ(13)）、ＹＡＧレーザ発振器のレーザ発振を
を停止させる（ステップ(14)）。逆に、次のワークがあ
れば（ステップ(13)）、該ワークが印字位置まで搬送さ
れ、かつ、安定するのを待ち（ステップ(15)）、また前
回印字と同一であれば、予め決められた最初のアドレス
である分割パターン情報の抽出なるステップ(4)に戻
り、以後前述と同一の制御を繰り返す。以上の如くし
て、ワーク上に所定の全体パターンの合成印字を完了す
る。尚、前回のワークへの印字と異なる印字をするので
あれば、制御器内のメインメモリに新規の全体パターン
をドット情報とて入力して記憶し（ステップ(1) ）、以
後前述の制御を繰り返すことになる。

【００５３】図５は上記制御器における制御のタイミン
グチャートである。簡単に説明すれば、図６に示す図形
９１とアルファベット９２とからなる全体パターン９
を、制御器内のメインメモリの横９６ドット×縦７２ド
ット分に、印字部を１、無印字部を０とする印字情報と
して、入力して記憶する。さらにこれを横４分割かつ縦
３分割の計１２個の分割パターン情報Ａ〜Ｌに細分割し
た。かかる全体パターン情報及び分割パターン情報に対
して、制御器の制御タイミングは、図５において、液晶
マスクの表示パターン順序は図、第２偏向器のＸＹ偏
向タイミングは図、第１偏向器のＸＹ偏向タイミン
グは図、レーザ発振器の駆動又は停止及びＱスイッ
チの駆動タイミングは図に示される。同図における特
徴的な制御タイミングは、第２偏向器の駆動に際し、Ｘ
Ｙ方向偏向器は何れか（Ｘ方向又はＹ方向）を先に駆動
させ、該駆動完了の後、他（Ｙ方向又はＸ方向）の偏向
器を駆動させる点であり、この順次駆動制御により、第
２偏向器の駆動時間のロスを低減している（図参
照）。他の説明は省略する。

【００５４】ところで図１を参照して付記すれば、上記
制御器１１は、多数の同一ワーク１０が順に設置された
テーブル１４の駆動モータ１３と、該モータ１３の回転
及びその停止によって該ワーク１０が所定の印字位置に
停止したことを検出する位置センサ１４１、１５とに接
続されている。制御器は１１は、これらとの作動タイミ
ングをも図りながら、各ワーク１０の表面に同一の全体
パターンを合成印字しているのは当然である。

【００５５】請求項１の他の代表的実施例を以下項目列
挙する。 (1) 第１実施例で説明のとおり、リレーレンズ２を省い
てもよい。 (2) 第１偏向器は、ＸＹ方向偏向共に、ガルバノメータ
スキャナとしてもよい。但し、一方のガルバノメータス
キャナは上記第１実施例のポリゴンミラーのように、定
速回動させる必要がある。 (3) 第１偏向器のポリゴンミラーとガルバノメータスキ
ャナとのＸＹ方向偏向は上記第１実施例の配置ではな
く、その逆配置であってもよい。 (4) その他第１偏向器は、ポリゴンミラー、ガルバノメ
ータスキャナ、揺動するレンズやシリンドリカルレンズ
やプリズム等の各種公知の組合せでもよい。 (5) 第１実施例ではリレーレンズ８は液晶マスク６の入
射光側に配置したが、出射光側に配置してもよく又は両
側に配置してもよい。尚、両側とした場合、液晶マスク
での透過光を偏向光でなく平行光とすることができる利
点があるが、レンズ系がその分だけ増加し、レーザ光の
レンズ損失を考慮すると、この両側配置は得策と言いが
たい。 (6) 第２偏向器は、ＸＹ方向偏向共に、ガルバノメータ
スキャナとしてもよく又は対物側を揺動レンズとしても
よく、その他シリンドリカルレンズ、プリズム等の各種
公知の組合せでもよい。

【００５６】本請求項１の実施例の効果を述べれば、Ｙ
ＡＧレーザは光学系に対して熱負荷が少ない利点があ
る。第１偏向器のラスタ走査は、従来技術におけるレー
ザビームを拡大する一括照射と異なり、レーザビーム自
体のいわゆるピンポイント照射であるため、液晶マスク
へのレーザ照射を均一化し、かつ、高強度化する。しか
もＱスイッチ付きであるため、ラスタ走査における照射
レーザ強度の尖頭値が高くなる。さらに液晶マスクが偏
光板不要であるため、透過レーザ強度が２倍以上とな
る。以上の結果、ＹＡＧレーザ発振器を小型化できるば
かりでなく、印字の深掘りができ、この結果、鮮明な印
字を実施することができる。第２偏向器は、ワークを移
動させることなく、大面積で全体パターンを合成印字で
きる効果を備えている。尚、集光光学系は大径、かつ、
偏向した偏向器面への入射レーザ光を極小に集光させる
ため、印字の変形、ばらつき、レーザ損失等を軽減させ
ると共に、各偏向器の小型化を達成する。このため、各
偏向器の駆動慣性を低減でき、ばらつきのない高速制御
や微動制御を達成できる。制御器は、印字中、第１偏向
器の駆動、液晶マスクの表示変更、第２偏向器の駆動及
びＱスイッチの駆動タイミングを最適制御する。殊にＱ
スイッチ制御は、印字が不要なレーザ光の発振強度を押
さえてレーザビームの歪み、他所へのビーム散乱、ガラ
ス径の熱負荷増大等の弊害を阻止する。従って、金属や
セラミック等に対しても有効な合成印字をすることがで
きる。しかも、該高強度レーザ光による該ＹＡＧレーザ
マスクマーカの自損をも阻止できる。

【００５７】請求項２の実施例は、上記請求項１の第１
実施例における制御工程のステップ(6) をステップ(7)
の後としたものである。そのほか、ステップ(6) は、ス
テップ(3) とステップ(4) との間（この間には、ステッ
プ(10)とステップ(11)との間、ステップ(11)とステップ
(12)との間、及び、ステップ(12)とステップ(4) との間
を含む）、ステップ(4) とステップ(5) との間、又は、
ステップ(8) とステップ(9) との間でもあってもよい。
即ち、ステップ(6) は、印字開始前及び印字中におい
て、ラスタ走査時（ステップ(9)(10) ）以外であるなら
ば、どの工程間で行ってもよい。

【００５８】請求項３における「抽出した分割パターン
情報の総てのドット情報に印字情報がないとき」とは、
図６を参照して述べれば、分割パターンＩに相当する。
かかる全面に印字情報がない分割パターン情報Ｉは、液
晶マスクでの表示時、総ての電極対間での電圧印加がな
い。従って制御器は、かかる情報（ドット情報又は電圧
印加情報等）を元に、液晶マスクに対して該分割パター
ンの表示を省略させる。この判断は、図３において、ス
テップ(4) で行われる。

【００５９】他の実施例として、上記制御器自身による
判断機能と異なり、全体パターン又は各分割パターンを
オペレータが画面を通して視認し、該印字情報のない分
割パターンの有無を見定め、該印字情報のない分割パタ
ーンをキー入力で指定するようにしてもよい。

【００６０】上記請求項３の実施例によれば、制御器
は、液晶マスクに対し、全面に印字情報のない分割パタ
ーンの表示を省略させるため、散乱レーザ光の多量発
生、ガラス系の熱負荷増大、高速印字化阻害、偏向器の
駆動損失等を阻止することができる。

【００６１】請求項４における「抽出した分割パターン
情報の上下左右辺に相当する少なくとも１行列の総ての
ドット情報に印字情報がないとき」とは、図６を参照し
て述べれば、分割パターンＡ〜Ｅ、Ｈ、Ｊ〜Ｌに相当す
る。かかる上下左右端の少なくとも１つのラスタ走査行
列がレーザ光散乱状態（即ち、印字情報のない行列）で
あれば、液晶マスクで表示した時、当該印字情報がない
行列の電極対間での電圧印加がない。従って制御器は、
かかる情報（ドット情報又は電圧印加情報等）を元に、
液晶マスクに対し、当該印字情報がない行列のラスタ走
査を省略するように、第１偏向器に指令を出す。

【００６２】上記請求項４の実施例によれば、制御器
は、第１偏向器に対し、分割パターンの印字情報のない
行列のラスタ走査を止めてレーザ照射を省略させるた
め、散乱レーザ光の多量発生、ガラス系の熱負荷増大、
高速印字化阻害、偏向器の駆動損失等を阻止することが
できる。

【００６３】請求項５の実施例は、上記請求項３の変形
でもある。即ち、第１偏向器による液晶マスクへのラス
タ走査は、従前通り、全面に渡り実行するが、Ｑスイッ
チを０．５ｍｓ程度で作動させ、該印字情報のない行列
に対するレーザ照射の強度を低くした。

【００６４】上記請求項５の実施例によれば、制御器
は、全面ラスタ走査は実行させるが、該印字情報がない
行列の間、Ｑスイッチでレーザ光を低強度化するため、
散乱レーザ光の多量発生、ガラス系の熱負荷増大等を阻
止することができる。

【００６５】請求項６の実施例は、全体パターンの印字
が完了した時、隣接する分割パターン同士の隣接印字部
が、第２偏向器のガタ付きや光学系素子の位置変動や外
部ノイズによる制御信号変動等により、分割パターン同
士の隣接域が、線を引いたように、印字隙間が生ずる場
合、該隣接する分割パターン同士の該隣接領域を１ドッ
ト分だけラップさせた分割パターン情報に編成したもの
である。尚、本実施例の作動又は解除はマニアル入力で
もよい。

【００６６】上記本請求項６の実施例によれば、制御器
は、互いに隣接する分割パターンの隣接部領域を僅かに
重複するように分割するため、該ラップ部分は２度掘り
となる可能性もあるが、見苦しい印字隙間の発生を阻止
でき、鮮明な印字を保持できる。

【００６７】請求項７の実施例は、全体パターンを分割
することなく、そのまま液晶マスクに表示させ、かつ、
第２偏向器へは該全体パターンの単なる印字位置変更駆
動指令のみを発振する。尚、本実施例の作動又は解除も
またマニアル入力でもよい。

【００６８】本請求項７の実施例によれば、他の請求項
によれば、分割するまでもない単純な全体パターンまで
も分割されてしまうことになるが、上記実施例における
制御器は、全体パターンを分割することなく、液晶マス
クに表示することもできる。本構成は、単純かつ小さな
全体パターンをワーク上の微小領域に印字する際に好適
である。

【００６９】請求項８の実施例は、ラスタ走査時の改行
時にも、Ｑスイッチでレーザ発振強度を落とすようにし
ている。図３のフローチャートでは、ステップ(91)の制
御となる。

【００７０】本請求項７の効果を述べれば、上記請求項
１の液晶マスクの表示パターン変更時と同様、ラスタ走
査時の改行時でも、レーザ光は何らワークの印字に寄与
しないばかりか、寧ろこの間のレーザ光照射はレーザビ
ームの歪み、他所へレーザビームの反射、ガラス系への
熱負荷増大等の弊害をもたらす。本請求項７の実施例に
よれば、かかる弊害を阻止することができる。

【００７１】尚、上記実施例では、図１に示すように、
請求項２〜請求項８のオプション（機能増加）への切替
えは図１に示される外部端末器１２からの入力Ｓ８によ
って行ったが、制御器１１内に該入力装置を組込んでも
同様である。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したとおり、請求項１又は請求
項２に係わるＹＡＧレーザマスクマーカによれば、ＹＡ
Ｇレーザ発振器と、第１偏向器と、液晶マスクと、第２
偏向器とを単に羅列するのではなく、制御器を備え、該
制御器は、全体パターンを０又は１のドット情報として
入力し、さらに複数の分割パターン情報として細分割し
て記憶し、その上で上記要素を時系列的にタイミング制
御させるため、複雑なパターンを適宜かつ自在に可変で
き、小さなレーザ出力で、印字中にワークを移動させる
ことなく、ばらつきなく、大面積で、しかも明瞭かつ高
速なる合成印字を達成できる。詳しくは、本構成によれ
ば、高強度レーザ光を発振するので金属やセラミック等
に対しても深掘り印字が可能であり、この結果、鮮明な
合成印字ができる。またＱスイッチによる高強度レーザ
光でありながら、該Ｑスイッチを制御することにより、
該ＹＡＧレーザマスクマーカ自体の該高強度レーザ光に
よる自損という不都合も阻止できる等の長所を備えるた
め、実用上、最適最高のＹＡＧレーザマスクマーカとな
り得る。

【００７３】請求項３によれば、制御器は、液晶マスク
に対し、印字情報のないパターンの表示を省略させるた
め、散乱レーザ光の多量発生、ガラス系の熱負荷増大、
高速印字化の阻害、偏向器の駆動損失等を阻止できる。

【００７４】請求項４の構成によれば、制御器は、第１
偏向器に対して分割パターンの印字情報のない行列のラ
スタ走査を省略させるので、散乱レーザ光の多量発生、
ガラス系の熱負荷増大、高速印字化の阻害、偏向器の駆
動損失等を阻止できる。

【００７５】請求項５の構成によれば、制御器は、Ｑス
イッチで、分割パターンの印字情報のない行列のラスタ
走査用レーザ光強度を低くするので、散乱レーザ光の多
量発生、ガラス系の熱負荷増大を阻止できる。

【００７６】請求項６の構成によれば、制御器は、互い
に隣接する分割パターンの隣接部領域を僅かに重複する
ように分割するため、該ラップ部分は２度掘りとなる場
合もあるが、見苦しい印字隙間の発生を阻止できる。従
って、鮮明な印字を行なうことができる。

【００７７】請求項７の構成によれば、制御器は、全体
パターンを分割することなく、液晶マスクに表示するた
め、微小かつ単純な全体パターンをワーク上の微小領域
内へ印字するときには好適である。

【００７８】請求項８の構成によれば、制御器は、ラス
タ走査時における改行時にもＱスイッチでレーザ光強度
を低くするので、レーザビームの歪み、他所へレーザビ
ームの反射、ガラス系の熱負荷増大を阻止できる。

【００７９】請求項９のＹＡＧレーザマスクマーカの第
２偏向器によれば、Ｆーθレンズを用いることなく、か
つ、収差を極小にでき、適性な印字を行なえるため、印
字面積が大きくても、全体面に深掘りができる、鮮明な
印字ができる

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１のＹＡＧレーザマスクマーカの第１実
施例の構成図である。

【図２】本発明におけるラスタ走査を説明する図であ
る。

【図３】本発明における制御器のメインメモリにおける
全体パターン情報の格納を説明する図である。

【図４】請求項１のＹＡＧレーザマスクマーカの制御フ
ローチャートである。

【図５】請求項１のＹＡＧレーザマスクマーカの制御タ
イミングチャートである。

【図６】本発明に係わる実施例の全体パターン及びその
分割パターンの例を示す図である。

【符号の説明】

１ＹＡＧレーザ発振器２、４、５集光光学系３Ｘ、３Ｙ第１偏向器６液晶マスク７Ｘ、７Ｙ第２偏向器８対物レンズ９全体パターン１０ワーク１１制御器Ｐ１〜Ｐ９レーザ光Ｓ１〜Ｓ８制御接続

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パルスレーザ発振器と、パルスレーザ発
振器から発せられたレーザ光を集光する第１集光光学系
と、該レーザ発振器からの出射レーザ光をＸＹ方向に偏
向する第１偏向器と、該第１偏向器からのレーザ光によ
りラスタ走査されるマスクと、該マスクを透過したラス
タ走査光が照射されて照射面上に前記パターンをワーク
上に印字するマスク式レーザマーカにおいて、前記集光
光学系が前記パルスレーザ発振器から発せられたレーザ
光を集光する点位置近傍に前記偏向器を配置したことを
特徴とするマスク式レーザマーカ。
【請求項２】パルスレーザ発振器と、該第１偏向器か
らのレーザ光によりラスタ走査されるマスクと、該マス
クを透過したラスタ走査光をさらに所定のＸＹ方向に偏
向する第２偏向器と、制御器とを有し、前記第２偏向器
からのラスタ走査光が照射されて照射面上に前記パター
ンをワーク上に印字するマスク式レーザマーカにおい
て、前記第１偏向器及び第２偏向器へのレーザ光入射経
路上にそれぞれ第１、第２の集光光学系を設置させ、該
第１集光光学系の集光点位置近傍に前記第１偏向器を配
置し、該第２集光光学系の集光点位置近傍に前記第２偏
向器を配置したことを特徴とするマスク式レーザマー
カ。
【請求項３】前記集光光学系はレンズであることを特
徴とする請求項１、２記載のマスク式レーザマーカ。