JPH0693402B2 - レ−ザ・トリミング方法及び同トリミング装置 - Google Patents

レ−ザ・トリミング方法及び同トリミング装置

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JPH0693402B2
JPH0693402B2 JP62138155A JP13815587A JPH0693402B2 JP H0693402 B2 JPH0693402 B2 JP H0693402B2 JP 62138155 A JP62138155 A JP 62138155A JP 13815587 A JP13815587 A JP 13815587A JP H0693402 B2 JPH0693402 B2 JP H0693402B2
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laser
trimming
acousto
power
light
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JP62138155A
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実 藤本
章 橋本
清栄 岩木
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いてワーク(例えばハイブリツド
IC等)をトリミングするレーザトリミング装置に関する
ものである。
〔従来技術〕
レーザ光を用いてトリミングする装置において、レーザ
光を偏向させる方法としては、ガルバノメータ型ビーム
ポジシヨナを用いる方法が知られている。この具体的公
知例としては、特開昭58−123702がある。これを第4図
に示す。
第4図において、レーザ発振器10から出たレーザ光は、
ビームを拡大するビームエキスパンダ11を介して、光を
偏向させるガルバノメータ型ビームポジシヨナ12A,12B
へ送られる。ビームポジシヨナより出たレーザ光は、ス
キヤンレンズ13,ミラー14を介してハイブリツドIC16上
の印刷抵抗体17Aへ照射される。
ビームポジシヨナ12A,12Bに所要の信号を送ることによ
り光路を操作して、抵抗体17Aを切断してトリミングす
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のように従来技術には、以下に示すような欠点があ
る。その第1は、ガルバノメータ型ビームポジシヨナ12
A,12Bは、その原理がコイルに電流を流しその電磁力に
より回転させるものであるため、制御信号に対しての応
答性が悪いことである。第5図に示したように、ビーム
ポジシヨナにステツプ状の制御信号(回転指令)Ssを与
えると、ポジシヨナの位置はカーブSiで示したような減
衰振動をする。このため、ポジシヨナへ回転指令を与え
た後、T時間遅れた後にレーザ照射するような制御方法
をとらないと所定の箇所にレーザ照射できない。この遅
れ時間T20〜100msがあるため、従来装置では、高速のト
リミング作動が不可能である。
第2の欠点は、抵抗体の切断線幅、あるいは、加工孔径
を変える場合に、従来装置ではレーザ発振器の出力自体
を変えることが必要なことである。すなわち、トリミン
グ装置ではよく使われているYAGレーザの従来例におい
ては、レーザ発振器内の励起ランプ電流値を変えてレー
ザ出力を変更する。ところがランプ電流を変えると出力
が安定するまでに時間がかかるため、この点において
も、高速でレーザ出力可変とすることは不可能である。
本発明は上記のような従来技術のもつ欠点を除去し、高
速でレーザ光の偏向及び出力変更を可能ならしめたレー
ザ・トリミング方法、及びレーザトリミング装置を提供
することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の目的を達成するために創作した本発明に係るレー
ザ・トリミング方法は、レーザ光をワーク上に集光せし
めてトリミングを行う方法において、上記レーザ光の光
路中に音響光学光偏向素子を配置し、該音響光学光偏向
素子に与える駆動信号の周波数を変更して回折角を変化
さえてトリミングラインを制御するとともに、該音響光
学光偏向素子に与える駆動信号のパワーを変更してワー
ク上に照射されるレーザパワーを制御するものである。
また、上記の方法を実施するための創作した本発明のレ
ーザ・トリミング装置は、 (a)レーザ光の光路上に少なくとも2個の音響光学光
偏向素子、及び、上記音響光学光偏向素子のそれぞれに
駆動パワーを与えるドライバを設け、 (b)前記少なくとも2個の音響光学光偏向素子は互い
に偏向方向を直交せしめるように配置し、かつ、 (c)前記のドライバは、駆動信号の周波数およびパワ
ーを調節し得る構造のものとした。
〔作用〕
音響光学光偏向素子の応答性は、ガルバノメータ型ポジ
シヨナ等に比して著しく速い。その理由は従来技術にお
けるが如く、質量を有する部材を運動させるものではな
く、媒体内を超音波信号が進行することによる媒体の屈
折率変化を利用して、回折格子として作用せしめるもの
であるから、文字通り音速のオーダーで応答するためで
ある。
このため、レーザ・トリミングの高速作動が可能とな
る。
〔実施例〕
第1図は本発明方法を実施するために構成した本発明装
置の1例を模式的に描いた斜視図である。
本第1図において、1はレーザ発振器であり、2はレー
ザ光路を変更するためのミラーである。3及び4はレー
ザ光をX軸,Y軸に偏向させるための音響光学光偏向素子
(以下、省略して、AODと称す。)である。このAODには
例えば、二酸化テルル等の単結晶異方ブラツク回折現象
を利用したものがある。5はミラー、6はスキヤンレン
ズである。AOD4から出た回折光はミラー5及びスキヤン
レンズ6を介してワーク(印刷抵抗体)7へ集光、照射
される。8A,8BはAOD3,4を駆動するためのドライバであ
る。
このような構成の装置において、AODにドライバから所
定の周波数をもつ駆動信号が与えられると、第2図に
示したようにAODの1次回折光は偏向し、回折角をθと
するとθ∝となる。この駆動信号の周波数を変えるこ
とにより、ワークである印刷抵抗体7上の所定の位置へ
レーザ光を照射できる。
次に、ワーク上へ照射されるレーザパワーを変えるには
AODへドライバーから与えられる駆動パワーを変えれば
良い。この原理を第3図を用いて説明する。
第3図はAODの駆動パワーと回折効率(1次回折光パワ
ー/入力パワー)を示した図表である。駆動パワーP1
P3(P1>P2>P3)により回折効率が変わり、この原理を
用いてワーク上へ照射レーザパワーを増減調節できる。
AODは音響光学媒体内を超音波信号が進行することによ
り、媒体の屈折率を周期的に変化させ光に対して回折格
子となることを利用したものであるから、媒体中を超音
波が伝搬する時間で応答性が決まり、前述の二酸化テル
ルを用いた素子では、10μs程度の高速応答が可能であ
る。故にこの種のAODを用いて本発明を実施することに
より、従来装置においては、10ms程度の応答で偏向させ
ていたものが、その1/1000の高応答性をもつて高速偏
向、パワー変更が可能となり、超高速のトリミング可能
となつた。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明のレーザトリミング方法に
よれば、レーザ光を高速で偏向させたり高速で出力を変
えたりすることができ、レーザ・トリミング作動を高速
で行い得る。また、本発明のレーザ・トリミング装置に
よれば、上記の方法を容易に実施してその効果を充分に
発揮させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るレーザトリミング装置の1実施例
を模式的に描いた斜視図、第2図及び第3図は上記実施
例の作用を説明するための図表である。 第4図は従来例のレーザ・トリミング装置を示す模式的
な斜視図、第5図は上記従来例の不具合を説明するため
の図表である。 1…レーザ発振器、2…ミラー、3,4…音響光学光偏向
素子、5…ミラー、6…スキヤンレンズ、7…ワークで
ある印刷抵抗体。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光をワーク上に集光せしめてトリミ
    ングを行う方法において、上記レーザ光の光路中に音響
    光学光偏光素子を配置し、該音響光学光偏向素子に与え
    る駆動信号の周波数を変更して回折角を変化さえてトリ
    ミングラインを制御するとともに、該音響光学光偏向素
    子に与える駆動信号のパワーを変更してワーク上に照射
    されるレーザパワーを制御することを特徴とするレーザ
    ・トリミング方法。
  2. 【請求項2】レーザ光をワーク上に集光せしめてトリミ
    ングを行う装置において、 (a)レーザ光の光路上に少なくとも2個の音響光学光
    偏向素子、及び、上記音響光学光偏向素子のそれぞれに
    駆動パワーを与えるドライバを設け、 (b)前記少なくとも2個の音響光学光偏向素子は互い
    に偏向方向を直交せしめるように配置し、かつ、 (c)前記のドライバは、駆動信号の周波数およびパワ
    ーを調節し得る構造のものとしたこと、を特徴とするレ
    ーザ・トリミング装置。
JP62138155A 1987-06-03 1987-06-03 レ−ザ・トリミング方法及び同トリミング装置 Expired - Lifetime JPH0693402B2 (ja)

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JPS63302503A JPS63302503A (ja) 1988-12-09
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7245412B2 (en) 2001-02-16 2007-07-17 Electro Scientific Industries, Inc. On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing
US8497450B2 (en) 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
US6639177B2 (en) 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US8148211B2 (en) 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US7435927B2 (en) 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US8383982B2 (en) 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures

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