JPH08276164A - ロジン系フラックスの洗浄方法 - Google Patents
ロジン系フラックスの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH08276164A JPH08276164A JP8110695A JP8110695A JPH08276164A JP H08276164 A JPH08276164 A JP H08276164A JP 8110695 A JP8110695 A JP 8110695A JP 8110695 A JP8110695 A JP 8110695A JP H08276164 A JPH08276164 A JP H08276164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- rosin
- flux
- isopropyl alcohol
- toluene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロジン系フラックスの洗浄方法に関し、自然
環境を損なうことなくフロン系を使用する場合と同様な
洗浄効果を得ることを目的とする。 【構成】 はんだ付け処理後に残留しているロジン系フ
ラックスをトルエン単液或いはトルエンとイソプロピル
アルコールの混合液を用いて洗浄した後、引き続いてイ
ソプロピルアルコールで洗浄して乾燥することを特徴と
してロジン系フラックスの洗浄方法を構成する。
環境を損なうことなくフロン系を使用する場合と同様な
洗浄効果を得ることを目的とする。 【構成】 はんだ付け処理後に残留しているロジン系フ
ラックスをトルエン単液或いはトルエンとイソプロピル
アルコールの混合液を用いて洗浄した後、引き続いてイ
ソプロピルアルコールで洗浄して乾燥することを特徴と
してロジン系フラックスの洗浄方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はロジン系フラックスの洗
浄方法に関する。フラックスははんだ接合部を大気から
遮断して酸化の進行を防ぎ、また、はんだ表面の酸化物
を溶解して濡れ性を良くするもので、多くのフラックス
は活性剤を含んでおり、また、フリップチップタイプの
半導体集積回路など端子間距離が極めて狭い場合は、フ
ラックスとはんだとの反応生成物により絶縁が低下する
場合があり、また、フラックス中に存在するイオン性物
質によって腐食が発生することから、フラックスを洗浄
除去して電子部品の信頼性を向上する処理が行われてい
る。
浄方法に関する。フラックスははんだ接合部を大気から
遮断して酸化の進行を防ぎ、また、はんだ表面の酸化物
を溶解して濡れ性を良くするもので、多くのフラックス
は活性剤を含んでおり、また、フリップチップタイプの
半導体集積回路など端子間距離が極めて狭い場合は、フ
ラックスとはんだとの反応生成物により絶縁が低下する
場合があり、また、フラックス中に存在するイオン性物
質によって腐食が発生することから、フラックスを洗浄
除去して電子部品の信頼性を向上する処理が行われてい
る。
【０００２】
【従来の技術】フラックスには樹脂分としてポリグリコ
ールを使用する水溶性フラックスと、樹脂分としてロジ
ン( Rosin ，松脂）を使用するロジン系フラックスとが
あるが、性能の面から殆どの場合、ロジン系フラックス
が使用されている。
ールを使用する水溶性フラックスと、樹脂分としてロジ
ン( Rosin ，松脂）を使用するロジン系フラックスとが
あるが、性能の面から殆どの場合、ロジン系フラックス
が使用されている。
【０００３】こゝで、ロジン系フラックスはロジンをア
ルコール系溶媒に溶して形成されているが、ロジンはア
ビエチン酸（Abietic acid) を主成分とする樹脂酸から
なり、 はんだ付け処理においてはんだ表面に存在する
酸化皮膜と反応することから、処理後においては、アビ
エチン酸以外にアビエチン酸鉛やアビエチン酸錫が存在
している。
ルコール系溶媒に溶して形成されているが、ロジンはア
ビエチン酸（Abietic acid) を主成分とする樹脂酸から
なり、 はんだ付け処理においてはんだ表面に存在する
酸化皮膜と反応することから、処理後においては、アビ
エチン酸以外にアビエチン酸鉛やアビエチン酸錫が存在
している。
【０００４】従来、ロジン系フラックスの除去方法とし
てはトリクロルエタン, トリクロロエチレン, テトラク
ロロエチレンなどの塩素系の溶剤や、ＣＣl n Ｆ4-n や
Ｃ2Ｃl n Ｆ6-n の一般式で表され、フロンと略称され
るクロロフルオロカーボンなど化学的に安定な溶剤が使
用されていた。然し、これらの溶剤は発癌性があった
り、地球を太陽の紫外線から守るオゾン層を破壊したり
することから、使用が規制されており、そのため、これ
に代わる洗浄剤の使用が必要となった。
てはトリクロルエタン, トリクロロエチレン, テトラク
ロロエチレンなどの塩素系の溶剤や、ＣＣl n Ｆ4-n や
Ｃ2Ｃl n Ｆ6-n の一般式で表され、フロンと略称され
るクロロフルオロカーボンなど化学的に安定な溶剤が使
用されていた。然し、これらの溶剤は発癌性があった
り、地球を太陽の紫外線から守るオゾン層を破壊したり
することから、使用が規制されており、そのため、これ
に代わる洗浄剤の使用が必要となった。
【０００５】すなわち、イソプロピルアルコール〔（Ｃ
Ｈ3)2 ＣＨＯＨ〕ははんだ付けに当たってフラックスと
反応して生ずるアビエチン酸鉛やアビエチン酸錫に対す
る溶解作用が優れていることから、フロンに代わるフラ
ックス洗浄剤として注目されており、フラックスを含む
イソプロピルアルコールでフラックス洗浄剤を形成し、
この洗浄剤に浸漬した後、更に、イソプロピルアルコー
ルでリンスし、この蒸気で乾燥する方法が提案さてい
る。( 特開平5-59397) 一方、高融点はんだを使用してはんだ付けを行う場合
は、フラックスの炭化を生じ、この場合はイソプロピル
アルコールでは洗浄されにくゝ、残渣を生じてフラック
スが完全には除去されない。そこで、フラックスの洗浄
剤としてフェノールやＯ−ジクロロベンゼンを含むレジ
スト剥離液（商品名ＯＭＲ剥離液）を使用する方法も提
案されている。（特開平5-37136) このように、各種のフラックス洗浄方法が提案されてい
るが、それぞれ一長一短があって従来の塩素系またはフ
ロン系のように洗浄力の優れたものは見出されていな
い。
Ｈ3)2 ＣＨＯＨ〕ははんだ付けに当たってフラックスと
反応して生ずるアビエチン酸鉛やアビエチン酸錫に対す
る溶解作用が優れていることから、フロンに代わるフラ
ックス洗浄剤として注目されており、フラックスを含む
イソプロピルアルコールでフラックス洗浄剤を形成し、
この洗浄剤に浸漬した後、更に、イソプロピルアルコー
ルでリンスし、この蒸気で乾燥する方法が提案さてい
る。( 特開平5-59397) 一方、高融点はんだを使用してはんだ付けを行う場合
は、フラックスの炭化を生じ、この場合はイソプロピル
アルコールでは洗浄されにくゝ、残渣を生じてフラック
スが完全には除去されない。そこで、フラックスの洗浄
剤としてフェノールやＯ−ジクロロベンゼンを含むレジ
スト剥離液（商品名ＯＭＲ剥離液）を使用する方法も提
案されている。（特開平5-37136) このように、各種のフラックス洗浄方法が提案されてい
るが、それぞれ一長一短があって従来の塩素系またはフ
ロン系のように洗浄力の優れたものは見出されていな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】人体または自然環境に
悪影響を及ぼすことなくロジン系フラックスを充分に洗
浄できる洗浄方法を実用化することが課題である。
悪影響を及ぼすことなくロジン系フラックスを充分に洗
浄できる洗浄方法を実用化することが課題である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、はんだ付
け処理後に残留しているロジン系フラックスをトルエン
単液或いはトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
を用いて洗浄した後、引き続いてイソプロピルアルコー
ルで洗浄して乾燥することにより解決することができ
る。
け処理後に残留しているロジン系フラックスをトルエン
単液或いはトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
を用いて洗浄した後、引き続いてイソプロピルアルコー
ルで洗浄して乾燥することにより解決することができ
る。
【０００８】
【作用】本発明はイソプロピルアルコール単独だけでは
フラックス洗浄力が弱いことから、許容濃度が比較的高
いフラックス溶剤を選択し、これとイソプロピルアルコ
ールとを組み合わせて使用することによりフラックスの
洗浄力を向上するものである。
フラックス洗浄力が弱いことから、許容濃度が比較的高
いフラックス溶剤を選択し、これとイソプロピルアルコ
ールとを組み合わせて使用することによりフラックスの
洗浄力を向上するものである。
【０００９】すなわち、ベンゼン，トルエン，キシレン
は芳香族化合物の代表的な溶剤であるが、発明者は沸点
が比較的高くて取扱い性がよく、また、安全許容濃度が
高いトルエン（Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ3)を選び、これとイソプロ
ピルアルコールを組合せて使用することによフラックス
洗浄力を向上させた。
は芳香族化合物の代表的な溶剤であるが、発明者は沸点
が比較的高くて取扱い性がよく、また、安全許容濃度が
高いトルエン（Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ3)を選び、これとイソプロ
ピルアルコールを組合せて使用することによフラックス
洗浄力を向上させた。
【００１０】こゝで、溶剤の許容濃度, 沸点および蒸気
圧の関係は次のようである。 溶剤名 許容濃度 沸点 蒸気圧(20 ℃) ベンゼン 25 ppm 80.1 ℃ 10108 Pa トルエン 200 110.8 3192 キシレン 100 139 798 イソプロピルアルコール 400 82.4 4256 1,1,1 トリクロロエタン 350 74.0 13300 すなわち、トルエンは沸点が100 ℃を越しているため蒸
発による消耗が少なく、また、許容濃度も高い。そこ
で、トルエンとイソプロピルアルコールを組合せ、トル
エンによりフラックス特にアビエチン酸を溶解し、ま
た、イソプロピルアルコールによりアビエチン酸鉛やア
ビエチン酸錫のような反応により生じた金属石鹸を溶解
することにより残渣を無くするものである。
圧の関係は次のようである。 溶剤名 許容濃度 沸点 蒸気圧(20 ℃) ベンゼン 25 ppm 80.1 ℃ 10108 Pa トルエン 200 110.8 3192 キシレン 100 139 798 イソプロピルアルコール 400 82.4 4256 1,1,1 トリクロロエタン 350 74.0 13300 すなわち、トルエンは沸点が100 ℃を越しているため蒸
発による消耗が少なく、また、許容濃度も高い。そこ
で、トルエンとイソプロピルアルコールを組合せ、トル
エンによりフラックス特にアビエチン酸を溶解し、ま
た、イソプロピルアルコールによりアビエチン酸鉛やア
ビエチン酸錫のような反応により生じた金属石鹸を溶解
することにより残渣を無くするものである。
【００１１】このように、本発明は先ずトルエン単液ま
たはトルエン・イソプロピルアルコールの混合溶液を用
いて残留フラックスと残渣を洗浄し、次に、イソプロピ
ルアルコールのみを用いて仕上げの洗浄を行い、そのま
ゝ乾燥させるものである。
たはトルエン・イソプロピルアルコールの混合溶液を用
いて残留フラックスと残渣を洗浄し、次に、イソプロピ
ルアルコールのみを用いて仕上げの洗浄を行い、そのま
ゝ乾燥させるものである。
【００１２】なお、洗浄方法としては一般的な浸漬洗
浄, バブリング洗浄, 超音波洗浄など各種の方法がある
が、窒素ガス（Ｎ2 ）などの不活性ガスを使用してバブ
リング洗浄を行うと効果的である。
浄, バブリング洗浄, 超音波洗浄など各種の方法がある
が、窒素ガス（Ｎ2 ）などの不活性ガスを使用してバブ
リング洗浄を行うと効果的である。
【００１３】
実施例１：トルエンを第１の洗浄槽に入れ、また、第２
の洗浄槽にはイソプロピルアルコールを入れた。こゝ
で、両槽ともにバブラーが備えてあり、Ｎ2 ガスを50ml
／分の速度で供給してバブリングさせた。
の洗浄槽にはイソプロピルアルコールを入れた。こゝ
で、両槽ともにバブラーが備えてあり、Ｎ2 ガスを50ml
／分の速度で供給してバブリングさせた。
【００１４】次に、試料には転写法により形成したフリ
ップチップタイプの半導体集積回路を使用し、第１の洗
浄槽に５分間に亙って浸漬した後、試料を引上げて第２
の洗浄槽に３分間浸漬し、引上げた後、Ｎ2 ガスを吹き
つけて乾燥させた。
ップチップタイプの半導体集積回路を使用し、第１の洗
浄槽に５分間に亙って浸漬した後、試料を引上げて第２
の洗浄槽に３分間浸漬し、引上げた後、Ｎ2 ガスを吹き
つけて乾燥させた。
【００１５】かゝる試料について顕微鏡観察によりフラ
ックスと残渣の有無を調べた結果、従来のトリクロロエ
タンによる洗浄結果と同様であり、何らの遜色も認めら
れなかった。 実施例２：トルエンとイソプロピルアルコールの混合溶
液として混合比が９：１の溶液を作って第１の洗浄槽に
入れ、また、第２の洗浄槽にはイソプロピルアルコール
のみを入れた。こゝで、両槽ともにバブラーが備えてあ
り、Ｎ2 ガスを50ml／分の速度で供給してバブリングさ
せた。
ックスと残渣の有無を調べた結果、従来のトリクロロエ
タンによる洗浄結果と同様であり、何らの遜色も認めら
れなかった。 実施例２：トルエンとイソプロピルアルコールの混合溶
液として混合比が９：１の溶液を作って第１の洗浄槽に
入れ、また、第２の洗浄槽にはイソプロピルアルコール
のみを入れた。こゝで、両槽ともにバブラーが備えてあ
り、Ｎ2 ガスを50ml／分の速度で供給してバブリングさ
せた。
【００１６】次に、試料には転写法により形成したフリ
ップチップタイプの半導体集積回路を使用し、第１の洗
浄槽に５分間に亙って浸漬した後、試料を引上げて第２
の洗浄槽に３分間浸漬し、引上げた後、Ｎ2 ガスを吹き
つけて乾燥させた。
ップチップタイプの半導体集積回路を使用し、第１の洗
浄槽に５分間に亙って浸漬した後、試料を引上げて第２
の洗浄槽に３分間浸漬し、引上げた後、Ｎ2 ガスを吹き
つけて乾燥させた。
【００１７】かゝる試料について顕微鏡観察によりフラ
ックスと残渣の有無を調べた結果、従来のトリクロロエ
タンによる洗浄結果と同様であり、何らの遜色も認めら
れなかった。
ックスと残渣の有無を調べた結果、従来のトリクロロエ
タンによる洗浄結果と同様であり、何らの遜色も認めら
れなかった。
【００１８】
【発明の効果】本発明の実施により、自然環境に悪影響
を与えることなく従来の溶剤と同等の洗浄能力ではんだ
付け処理後のフラックス洗浄を行うことができる。
を与えることなく従来の溶剤と同等の洗浄能力ではんだ
付け処理後のフラックス洗浄を行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｋ 3/26 7511−4Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/26
Claims (2)
- 【請求項１】 はんだ付け処理後に残留しているロジン
系フラックスをトルエン単液或いはトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液を用いて洗浄した後、引き続い
てイソプロピルアルコールで洗浄して乾燥することを特
徴とするロジン系フラックスの洗浄方法。 - 【請求項２】 前記洗浄を不活性ガスによる洗浄液のバ
ブリングにより行うことを特徴とするロジン系フラック
スの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8110695A JPH08276164A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | ロジン系フラックスの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8110695A JPH08276164A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | ロジン系フラックスの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08276164A true JPH08276164A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13737138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8110695A Withdrawn JPH08276164A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | ロジン系フラックスの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08276164A (ja) |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP8110695A patent/JPH08276164A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |