JPH08274459A - 不活性ガス雰囲気炉 - Google Patents
不活性ガス雰囲気炉Info
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- JPH08274459A JPH08274459A JP7345195A JP7345195A JPH08274459A JP H08274459 A JPH08274459 A JP H08274459A JP 7345195 A JP7345195 A JP 7345195A JP 7345195 A JP7345195 A JP 7345195A JP H08274459 A JPH08274459 A JP H08274459A
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- Japan
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- inert gas
- furnace
- outlet
- flux
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- Furnace Details (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シール板に付着したフラックスを簡単に排除
することができる不活性ガス雰囲気炉を提供する。 【構成】 ヒーターを備えた加熱室13と、加熱室13
に被加熱物を導入する入口通路37を設けた導入部31
と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路39を
設けた導出部33と、被加熱物を搬送するコンベア35
を備え、炉内に不活性ガスを吹き込み、炉内を不活性ガ
ス雰囲気に保持し、導入部31及び導出部33の通路3
7、37の上下には複数のシール板49が設けられ、こ
の入口通路37及び出口通路39の少なくとも一方の下
側のシール板49の下部にはフラックス受け皿51が抜
き差し可能に設けられている。
することができる不活性ガス雰囲気炉を提供する。 【構成】 ヒーターを備えた加熱室13と、加熱室13
に被加熱物を導入する入口通路37を設けた導入部31
と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路39を
設けた導出部33と、被加熱物を搬送するコンベア35
を備え、炉内に不活性ガスを吹き込み、炉内を不活性ガ
ス雰囲気に保持し、導入部31及び導出部33の通路3
7、37の上下には複数のシール板49が設けられ、こ
の入口通路37及び出口通路39の少なくとも一方の下
側のシール板49の下部にはフラックス受け皿51が抜
き差し可能に設けられている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を回路基板に
半田付けなどに用いる不活性ガス雰囲気炉に関するもの
である。
半田付けなどに用いる不活性ガス雰囲気炉に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】電子部品を回路基板に半田付けにより実
装する場合には、電子部品を所定の位置に搭載した回路
基板を加熱炉に通し、半田を溶融させて半田付けを行
う。この場合、加熱炉内には窒素ガスなどの不活性ガス
を充満させ、回路基板や電子部品の酸化を防止してい
る。
装する場合には、電子部品を所定の位置に搭載した回路
基板を加熱炉に通し、半田を溶融させて半田付けを行
う。この場合、加熱炉内には窒素ガスなどの不活性ガス
を充満させ、回路基板や電子部品の酸化を防止してい
る。
【0003】従来のこの種の加熱炉の一例を図6に示
す。加熱炉は、内部にヒーター11が設置された加熱室
13と、加熱室13の入口側に設けられた前室15と、
加熱室13の出口側に設けられた後室17とから構成さ
れている。前室15と外部は第一のシャッター19Aに
より仕切られ、前室15と加熱室13は第二のシャッタ
ー19Bにより仕切られ、加熱室13と後室17は第三
のシャッター19Cにより仕切られ、後室17と外部は
第四のシャッター19Dにより仕切られている。
す。加熱炉は、内部にヒーター11が設置された加熱室
13と、加熱室13の入口側に設けられた前室15と、
加熱室13の出口側に設けられた後室17とから構成さ
れている。前室15と外部は第一のシャッター19Aに
より仕切られ、前室15と加熱室13は第二のシャッタ
ー19Bにより仕切られ、加熱室13と後室17は第三
のシャッター19Cにより仕切られ、後室17と外部は
第四のシャッター19Dにより仕切られている。
【0004】また各室13、15、17 にはそれぞれ
酸化防止のため窒素ガスなどの不活性ガスを供給し、内
部に充満させてある。また各室がシャッターにより仕切
られているため、回路基板21を搬送するチェーンコン
ベアは、各室毎に分割して設けられている。すなわち2
3Aは入口側コンベア、23Bは前室コンベア、23C
は加熱室コンベア、23Dは後室コンベア、23Eは出
口側コンベアである。
酸化防止のため窒素ガスなどの不活性ガスを供給し、内
部に充満させてある。また各室がシャッターにより仕切
られているため、回路基板21を搬送するチェーンコン
ベアは、各室毎に分割して設けられている。すなわち2
3Aは入口側コンベア、23Bは前室コンベア、23C
は加熱室コンベア、23Dは後室コンベア、23Eは出
口側コンベアである。
【0005】外部から前室15に回路基板21を送り込
むときは、第二のシャッター19Bを閉じたまま第一の
シャッター19Aを開き、入口側コンベア23Aと前室
コンベア23Bを運転して、回路基板21が前室15に
入ったところで第一のシャッター19Aを閉じる。次に
前室15から加熱室13へ回路基板21を送り込むとき
は、第一のシャッター19Aを閉じたまま第二のシャッ
ター19Bを開き、前室コンベア23Aと加熱室コンベ
ア23Cを運転して、回路基板21が加熱室15に入っ
たところで第二のシャッター19Aを閉じる。このよう
に第一と第二のシャッター19A、19Bはどちらか一
方が必ず閉じるように開閉制御が行われる。回路基板2
1が加熱室13から後室17へ、後室17から外部へ移
動するするときも同様の制御が行われる。
むときは、第二のシャッター19Bを閉じたまま第一の
シャッター19Aを開き、入口側コンベア23Aと前室
コンベア23Bを運転して、回路基板21が前室15に
入ったところで第一のシャッター19Aを閉じる。次に
前室15から加熱室13へ回路基板21を送り込むとき
は、第一のシャッター19Aを閉じたまま第二のシャッ
ター19Bを開き、前室コンベア23Aと加熱室コンベ
ア23Cを運転して、回路基板21が加熱室15に入っ
たところで第二のシャッター19Aを閉じる。このよう
に第一と第二のシャッター19A、19Bはどちらか一
方が必ず閉じるように開閉制御が行われる。回路基板2
1が加熱室13から後室17へ、後室17から外部へ移
動するするときも同様の制御が行われる。
【0006】電子部品を搭載した回路基板21は加熱室
13を通るときに半田溶融温度に加熱され、電子部品の
半田付けが行われる。また半田付けを終えた回路基板2
1は大気中へ出たときに酸化されないようにするため、
後室17を通るときに窒素ガスで冷却される。この例の
加熱炉は、各室をシャッターで仕切った構造であるた
め、前室および後室の二つのシャッターはどちらか一方
を必ず閉じておく必要がある。このため回路基板の送り
間隔が規制され、生産性を上げることが困難である。
13を通るときに半田溶融温度に加熱され、電子部品の
半田付けが行われる。また半田付けを終えた回路基板2
1は大気中へ出たときに酸化されないようにするため、
後室17を通るときに窒素ガスで冷却される。この例の
加熱炉は、各室をシャッターで仕切った構造であるた
め、前室および後室の二つのシャッターはどちらか一方
を必ず閉じておく必要がある。このため回路基板の送り
間隔が規制され、生産性を上げることが困難である。
【0007】そこで、シャッターをなくした図7に示す
ような不活性ガス雰囲気炉が提案されている。図7の不
活性ガス雰囲気炉によれば、加熱室13の前後に、入口
通路37を設けた導入部31および出口通路39を設け
た導出部33を備え、加熱室13、導入部31および導
出部33のいずれかより炉内に不活性ガスを吹き込み、
その不活性ガスを回路基板の入口および出口から外部に
流出させることで炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、こ
れによってシャッターを省略したものである。
ような不活性ガス雰囲気炉が提案されている。図7の不
活性ガス雰囲気炉によれば、加熱室13の前後に、入口
通路37を設けた導入部31および出口通路39を設け
た導出部33を備え、加熱室13、導入部31および導
出部33のいずれかより炉内に不活性ガスを吹き込み、
その不活性ガスを回路基板の入口および出口から外部に
流出させることで炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、こ
れによってシャッターを省略したものである。
【0008】更に、導入部31及び導出部33の上下に
は回路基板の走行方向に所定の間隔をおいて複数のシー
ル板49を設けて、入口通路37および出口通路36の
開口面積を小さくして、不活性ガスの外部への流出量を
減らすようにしている。
は回路基板の走行方向に所定の間隔をおいて複数のシー
ル板49を設けて、入口通路37および出口通路36の
開口面積を小さくして、不活性ガスの外部への流出量を
減らすようにしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の不活
性ガス雰囲気炉は長期間使用すると、フラックスを含ん
だ炉内ガスが入口通路37および出口通路39を通り炉
外に流出する際にフラックスがシール板49に付着す
る。付着したフラックスは序々にシール板49の間に溜
まりはじめ遂にはシール板49の間の間隙を塞いでしま
う。シール板49の間の間隙が無くなるとシール板49
によるラビリンスシールの効果(シール板とシール板の
間の空間に流出するガスが巻き込まれて滞留する効果)
を低減させてしまい、炉内の不活性ガスの外部への流出
量が増加するようになり初期の目的を達成できなくなる
という問題が生じる。また、このシール板49を設けた
導入部31の入口通路37および導出部33の出口通路
39は開口面積を小さくして、不活性ガスの外部への流
出量を減らすようにしているために、付着したフラック
スを除去するのが困難になっている。本発明は上記の課
題を解決し、シール板に付着したフラックスを簡単に排
除することができる不活性ガス雰囲気炉を提供すること
を目的とするものである。
性ガス雰囲気炉は長期間使用すると、フラックスを含ん
だ炉内ガスが入口通路37および出口通路39を通り炉
外に流出する際にフラックスがシール板49に付着す
る。付着したフラックスは序々にシール板49の間に溜
まりはじめ遂にはシール板49の間の間隙を塞いでしま
う。シール板49の間の間隙が無くなるとシール板49
によるラビリンスシールの効果(シール板とシール板の
間の空間に流出するガスが巻き込まれて滞留する効果)
を低減させてしまい、炉内の不活性ガスの外部への流出
量が増加するようになり初期の目的を達成できなくなる
という問題が生じる。また、このシール板49を設けた
導入部31の入口通路37および導出部33の出口通路
39は開口面積を小さくして、不活性ガスの外部への流
出量を減らすようにしているために、付着したフラック
スを除去するのが困難になっている。本発明は上記の課
題を解決し、シール板に付着したフラックスを簡単に排
除することができる不活性ガス雰囲気炉を提供すること
を目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために以下のような手段を有している。
決するために以下のような手段を有している。
【0011】本発明のうち請求項1の不活性ガス雰囲気
炉は、被加熱物を加熱するためのヒーターを備えた加熱
室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を設けた導
入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路を
設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室を経て導
出部へ搬送するコンベアを備え、炉内に不活性ガスを導
入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持する不活性ガス
雰囲気炉において、前記導入部の入口通路及び前記導出
部の出口通路の少なくとも一方には上下に前記被加熱物
の走行方向に所定の間隔をおいて複数のシール板が設け
られていて、前記導入部の入口通路及び前記導出部の出
口通路の少なくとも一方の下側のシール板の下部にはフ
ラックス受け皿が抜き差し可能に設けられていることを
特徴とする。
炉は、被加熱物を加熱するためのヒーターを備えた加熱
室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を設けた導
入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路を
設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室を経て導
出部へ搬送するコンベアを備え、炉内に不活性ガスを導
入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持する不活性ガス
雰囲気炉において、前記導入部の入口通路及び前記導出
部の出口通路の少なくとも一方には上下に前記被加熱物
の走行方向に所定の間隔をおいて複数のシール板が設け
られていて、前記導入部の入口通路及び前記導出部の出
口通路の少なくとも一方の下側のシール板の下部にはフ
ラックス受け皿が抜き差し可能に設けられていることを
特徴とする。
【0012】本発明のうち請求項2の不活性ガス雰囲気
炉は、フラックス受け皿には仕切り板が設けられている
ことを特徴とする。
炉は、フラックス受け皿には仕切り板が設けられている
ことを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明のうち請求項1の不活性ガス雰囲気炉に
よれば、被加熱物を加熱するためのヒーターを備えた加
熱室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を設けた
導入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路
を設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室を経て
導出部へ搬送する搬送ベルトを備え、炉内に不活性ガス
を導入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、前記導
入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも
一方には上下に前記被加熱物の走行方向に所定の間隔を
おいて複数のシール板が設けられていて、前記導入部の
入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも一方の
下側のシール板の下部にはフラックス受け皿が抜き差し
可能に設けられているので、付着したフラックスを熱風
ドライヤ等で加熱してフラックスを溶解してシール板下
部に設けられているフラックス受け皿に滴下、沈着させ
てフラックス受け皿を引出し清掃することによってシー
ル板に付着したフラックスを簡単に排除することができ
る。
よれば、被加熱物を加熱するためのヒーターを備えた加
熱室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を設けた
導入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出口通路
を設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室を経て
導出部へ搬送する搬送ベルトを備え、炉内に不活性ガス
を導入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、前記導
入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも
一方には上下に前記被加熱物の走行方向に所定の間隔を
おいて複数のシール板が設けられていて、前記導入部の
入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも一方の
下側のシール板の下部にはフラックス受け皿が抜き差し
可能に設けられているので、付着したフラックスを熱風
ドライヤ等で加熱してフラックスを溶解してシール板下
部に設けられているフラックス受け皿に滴下、沈着させ
てフラックス受け皿を引出し清掃することによってシー
ル板に付着したフラックスを簡単に排除することができ
る。
【0014】本発明のうち請求項2の不活性ガス雰囲気
炉によれば、フラックス受け皿には仕切り板が設けられ
ているので、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿を設け
た通路のフラックス受け皿を通りぬけて炉外へ流出して
しまうのをできるだけ少なくすることができる。この仕
切り板の間隔は広い方が掃除が容易となる。また、仕切
り板の間隔が下側のシール板の間隔と同じ間隔であると
遮蔽効果が大きくなる。
炉によれば、フラックス受け皿には仕切り板が設けられ
ているので、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿を設け
た通路のフラックス受け皿を通りぬけて炉外へ流出して
しまうのをできるだけ少なくすることができる。この仕
切り板の間隔は広い方が掃除が容易となる。また、仕切
り板の間隔が下側のシール板の間隔と同じ間隔であると
遮蔽効果が大きくなる。
【0015】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。なお、従来のものと同様のものについては従来のも
のと同符号を付して詳細な説明は省略する。
る。なお、従来のものと同様のものについては従来のも
のと同符号を付して詳細な説明は省略する。
【0016】図1は本発明の一実施例を示す。この不活
性ガス雰囲気炉は、内部に複数のヒーター11を有する
従来と同様の加熱室13を有している。加熱室13の入
口側には入口通路37を設けた導入部31が、出口側に
は出口通路39を設けた導出部33が設けられている。
性ガス雰囲気炉は、内部に複数のヒーター11を有する
従来と同様の加熱室13を有している。加熱室13の入
口側には入口通路37を設けた導入部31が、出口側に
は出口通路39を設けた導出部33が設けられている。
【0017】導入部31、加熱室13および導出部33
内には、例えば電子部品を搭載した回路基板を搬送する
チェーンコンベア35が走行するようになっている。こ
のチェーンコンベア35は、回路基板の導入部31から
入り、加熱室13および導出部33の出口通路39から
炉外に出て、炉外を通って再び導入部31の入口通路3
7に戻る一連続のものである。このチェーンコンベア3
5は図2に示すようにレール36上に2列に配列されて
おり、その内側に突出する支持ピン41で回路基板21
の両側縁を支持するようになっている。2列のチェーン
コンベア35の間隔は回路基板21の幅に応じて調節可
能である。
内には、例えば電子部品を搭載した回路基板を搬送する
チェーンコンベア35が走行するようになっている。こ
のチェーンコンベア35は、回路基板の導入部31から
入り、加熱室13および導出部33の出口通路39から
炉外に出て、炉外を通って再び導入部31の入口通路3
7に戻る一連続のものである。このチェーンコンベア3
5は図2に示すようにレール36上に2列に配列されて
おり、その内側に突出する支持ピン41で回路基板21
の両側縁を支持するようになっている。2列のチェーン
コンベア35の間隔は回路基板21の幅に応じて調節可
能である。
【0018】また導出部33内のチェーンコンベア35
の上下には不活性ガス例えば窒素ガスを供給するノズル
43が設置されている。ノズル43としては種々のタイ
プのものを用いることができるが、例えば図3に示すよ
うに金属パイプ45に長手方向に適当な間隔をおいて多
数のガス吹き出し孔47を形成したものを使用するとよ
い。このようなノズル43をチェーンコンベア35の走
行方向と直交する方向に配置し、両端から加圧された窒
素ガスを供給すると、回路基板21の幅方向に万遍なく
窒素ガスを吹き出させることができる。
の上下には不活性ガス例えば窒素ガスを供給するノズル
43が設置されている。ノズル43としては種々のタイ
プのものを用いることができるが、例えば図3に示すよ
うに金属パイプ45に長手方向に適当な間隔をおいて多
数のガス吹き出し孔47を形成したものを使用するとよ
い。このようなノズル43をチェーンコンベア35の走
行方向と直交する方向に配置し、両端から加圧された窒
素ガスを供給すると、回路基板21の幅方向に万遍なく
窒素ガスを吹き出させることができる。
【0019】導出部33内の少なくとも上側及び下側に
はまた、ノズル43から供給された窒素ガスが出口側へ
流出してしまうのを防止するため、シール板49が複数
枚、所定間隔を有して設けられている。このシール板4
9は、その先端縁と、チェーンコンベア35との間隔を
できるだけ小さくして窒素ガスの流通抵抗を高める共に
導出部33の出口通路39の開口面積を小さくし、窒素
ガスが出口通路39側へ流出する量をできるだけ少なく
するものである。また導入部31の入口通路37内にも
同様の目的で導入部31内の上側及び下側にはシール板
49が設けられている。
はまた、ノズル43から供給された窒素ガスが出口側へ
流出してしまうのを防止するため、シール板49が複数
枚、所定間隔を有して設けられている。このシール板4
9は、その先端縁と、チェーンコンベア35との間隔を
できるだけ小さくして窒素ガスの流通抵抗を高める共に
導出部33の出口通路39の開口面積を小さくし、窒素
ガスが出口通路39側へ流出する量をできるだけ少なく
するものである。また導入部31の入口通路37内にも
同様の目的で導入部31内の上側及び下側にはシール板
49が設けられている。
【0020】導出部33内には下側のシール板49の下
部にフラックス受け皿51が抜き差し可能に設けられて
いる。このフラックス受け皿51は図4に示すようにフ
ラックス受け部51Aと窒素ガス流出防止壁51Bで構
成した箱状のものでもよいが、図5に示すようにフラッ
クス受け皿51のフラックス受け部51Aに仕切り板5
3を設けたものでも良い。この仕切り板53を設けるこ
とによって、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿51を
通りぬけて炉外へ流出してしまうのをきるだけ少なくす
ることができる。このフラックス受け皿51の仕切り板
53はその間隔が広い方がフラックスの掃除が容易であ
るが下側のシール板49と同間隔にするとシール効果が
大きくなる。
部にフラックス受け皿51が抜き差し可能に設けられて
いる。このフラックス受け皿51は図4に示すようにフ
ラックス受け部51Aと窒素ガス流出防止壁51Bで構
成した箱状のものでもよいが、図5に示すようにフラッ
クス受け皿51のフラックス受け部51Aに仕切り板5
3を設けたものでも良い。この仕切り板53を設けるこ
とによって、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿51を
通りぬけて炉外へ流出してしまうのをきるだけ少なくす
ることができる。このフラックス受け皿51の仕切り板
53はその間隔が広い方がフラックスの掃除が容易であ
るが下側のシール板49と同間隔にするとシール効果が
大きくなる。
【0021】フラックス受け皿51はシール板49の一
部に設けるだけでも良いが全長に渡って設けるのが最良
である。また、導出部33の下側がフラックス受け皿5
1を設けたことによってその分大きくなるが、仕切り板
53をフラックス受け皿51に設けることによって出口
通路39内の上側と同じ大きさでシール板49のラビリ
ンスシールの効果とすることができる。更に、導入部3
1内にも同様の目的で入口通路37内の下側シール板4
9の下部にはフラックス受け皿51が抜き差し可能に設
けられている。
部に設けるだけでも良いが全長に渡って設けるのが最良
である。また、導出部33の下側がフラックス受け皿5
1を設けたことによってその分大きくなるが、仕切り板
53をフラックス受け皿51に設けることによって出口
通路39内の上側と同じ大きさでシール板49のラビリ
ンスシールの効果とすることができる。更に、導入部3
1内にも同様の目的で入口通路37内の下側シール板4
9の下部にはフラックス受け皿51が抜き差し可能に設
けられている。
【0022】導出部33に供給される窒素ガスの一部は
出口通路39から炉外に流出するが、供給される窒素ガ
スをなるべく多く加熱室13および導入部31に流通さ
せるためには、ノズル43の設置位置より入口通路37
側のガス流通抵抗を、出口通路39側のガス流通抵抗よ
り小さくしておけばよい。
出口通路39から炉外に流出するが、供給される窒素ガ
スをなるべく多く加熱室13および導入部31に流通さ
せるためには、ノズル43の設置位置より入口通路37
側のガス流通抵抗を、出口通路39側のガス流通抵抗よ
り小さくしておけばよい。
【0023】このようにしておくと、ノズル43から供
給された窒素ガスの大部分が加熱室13の方へ流れて行
き、加熱室13および入口通路37を通って炉外に流出
するようになる。その結果、炉内には窒素ガスが充満
し、この窒素ガスの圧力は大気圧よりわずかに高くなる
ので、入口通路37および出口通路39から空気が炉内
に侵入し難くなり、炉内の酸素濃度を低く保つことがで
きる。また出口通路39で大量の窒素ガスが吹き出すの
で、回路基板21の冷却効率もきわめて高くなる。
給された窒素ガスの大部分が加熱室13の方へ流れて行
き、加熱室13および入口通路37を通って炉外に流出
するようになる。その結果、炉内には窒素ガスが充満
し、この窒素ガスの圧力は大気圧よりわずかに高くなる
ので、入口通路37および出口通路39から空気が炉内
に侵入し難くなり、炉内の酸素濃度を低く保つことがで
きる。また出口通路39で大量の窒素ガスが吹き出すの
で、回路基板21の冷却効率もきわめて高くなる。
【0024】またノズル43から供給した窒素ガスが出
口通路39側より入口通路37側の方へできるだけ多く
流れるようにするためには、ノズル43をその軸線を中
心にして回転可能にして、窒素ガスの吹き出し方向を調
整できるようにしておくとよい。実験によるとガス吹き
出し孔47をチェーンコンベア35に向けるよりはチェ
ーンコンベア35と反対側に向けておいた方が、ガスの
流れが一様になって、流量の調整がしやすいことが分か
った。
口通路39側より入口通路37側の方へできるだけ多く
流れるようにするためには、ノズル43をその軸線を中
心にして回転可能にして、窒素ガスの吹き出し方向を調
整できるようにしておくとよい。実験によるとガス吹き
出し孔47をチェーンコンベア35に向けるよりはチェ
ーンコンベア35と反対側に向けておいた方が、ガスの
流れが一様になって、流量の調整がしやすいことが分か
った。
【0025】上記のように構成された不活性ガス雰囲気
炉において、導入部又は導出部のシール板を熱風ドライ
ヤーや予めシール板に配設したヒーター等で加熱するこ
とでシール板に付着したフラックスを溶融させ、溶融フ
ラックスをシール板下部に設けられているフラックス受
け皿に滴下、沈着させてフラックス受け皿を引出し清掃
することによってシール板に付着したフラックスを排除
することができる。なお以上の実施例では半田付け後の
回路基板の冷却を考えて不活性ガスの供給ノズルを出口
通路内に設置した場合を説明したが、不活性ガス供給ノ
ズルは加熱室内または入口通路内に設置することもでき
る。また上記の実施例ではフラックス受け皿を導入部及
び導出部33の双方に設けたが、双方に設ける必要はな
く炉内ガスが多く流れる方にのみ設けるだけでも初期の
目的は達成できることはいうまでもない。
炉において、導入部又は導出部のシール板を熱風ドライ
ヤーや予めシール板に配設したヒーター等で加熱するこ
とでシール板に付着したフラックスを溶融させ、溶融フ
ラックスをシール板下部に設けられているフラックス受
け皿に滴下、沈着させてフラックス受け皿を引出し清掃
することによってシール板に付着したフラックスを排除
することができる。なお以上の実施例では半田付け後の
回路基板の冷却を考えて不活性ガスの供給ノズルを出口
通路内に設置した場合を説明したが、不活性ガス供給ノ
ズルは加熱室内または入口通路内に設置することもでき
る。また上記の実施例ではフラックス受け皿を導入部及
び導出部33の双方に設けたが、双方に設ける必要はな
く炉内ガスが多く流れる方にのみ設けるだけでも初期の
目的は達成できることはいうまでもない。
【0026】
【発明の効果】本発明のうち請求項1の不活性ガス雰囲
気炉によれば、被加熱物を加熱するためのヒーターを備
えた加熱室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を
設けた導入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出
口通路を設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室
を経て導出部へ搬送する搬送ベルトを備え、炉内に不活
性ガスを導入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、
前記導入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少な
くとも一方には上下に前記被加熱物の走行方向に所定の
間隔をおいて複数のシール板が設けられていて、前記導
入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも
一方の下側のシール板の下部にはフラックス受け皿が抜
き差し可能に設けられているので、付着したフラックス
を熱風ドライヤ等で加熱してフラックスを溶解してシー
ル板下部に設けられているフラックス受け皿に滴下、沈
着させてフラックス受け皿を引出し清掃することによっ
てシール板に付着したフラックスを簡単に排除すること
ができる。
気炉によれば、被加熱物を加熱するためのヒーターを備
えた加熱室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を
設けた導入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出
口通路を設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室
を経て導出部へ搬送する搬送ベルトを備え、炉内に不活
性ガスを導入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持し、
前記導入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少な
くとも一方には上下に前記被加熱物の走行方向に所定の
間隔をおいて複数のシール板が設けられていて、前記導
入部の入口通路及び前記導出部の出口通路の少なくとも
一方の下側のシール板の下部にはフラックス受け皿が抜
き差し可能に設けられているので、付着したフラックス
を熱風ドライヤ等で加熱してフラックスを溶解してシー
ル板下部に設けられているフラックス受け皿に滴下、沈
着させてフラックス受け皿を引出し清掃することによっ
てシール板に付着したフラックスを簡単に排除すること
ができる。
【0027】本発明のうち請求項2の不活性ガス雰囲気
炉によれば、フラックス受け皿には仕切り板が設けられ
ているので、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿を設け
た通路のフラックス受け皿を通りぬけて炉外へ流出して
しまうのをできるだけ少なくすることができる。この仕
切り板の間隔は広い方が掃除が容易となる。また、仕切
り板の間隔が下側のシール板の間隔と同じ間隔であると
遮蔽効果が大きくなる。
炉によれば、フラックス受け皿には仕切り板が設けられ
ているので、炉内の窒素ガスがフラックス受け皿を設け
た通路のフラックス受け皿を通りぬけて炉外へ流出して
しまうのをできるだけ少なくすることができる。この仕
切り板の間隔は広い方が掃除が容易となる。また、仕切
り板の間隔が下側のシール板の間隔と同じ間隔であると
遮蔽効果が大きくなる。
【図1】本発明の一実施例に係る不活性ガス雰囲気炉を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図2】図1の加熱炉における加熱室内のチェーンコン
ベアを示す横断面図である。
ベアを示す横断面図である。
【図3】図1の加熱炉に使用したノズルの平面図であ
る。
る。
【図4】図1の加熱炉に用いられるフラックス受け皿の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図5】図1の加熱炉に用いられるフラックス受け皿の
他の一例を示す斜視図である。
他の一例を示す斜視図である。
【図6】従来の不活性ガス雰囲気炉を示す縦断面図であ
る。
る。
【図7】従来の他の不活性ガス雰囲気炉を示す縦断面図
である。
である。
11 ヒーター 13 加熱室 21 回路基板 31 導入部 33 導出部 35 チェーンコンベア 37 入口通路 39 出口通路 43 窒素ガス供給ノズル 49 シール板 51 フラックス受け皿 53 仕切り板
Claims (2)
- 【請求項1】 被加熱物を加熱するためのヒーターを備
えた加熱室と、加熱室に被加熱物を導入する入口通路を
設けた導入部と、加熱した被加熱物を外部に導出する出
口通路を設けた導出部と、被加熱物を導入部から加熱室
を経て導出部へ搬送するコンベアを備え、炉内に不活性
ガスを導入して、炉内を不活性ガス雰囲気に保持する不
活性ガス雰囲気炉において、前記導入部の入口通路及び
前記導出部の出口通路の少なくとも一方には上下に前記
被加熱物の走行方向に所定の間隔をおいて複数のシール
板が設けられていて、前記導入部の入口通路及び前記導
出部の出口通路の少なくとも一方の下側のシール板の下
部にはフラックス受け皿が抜き差し可能に設けられてい
ることを特徴とする不活性ガス雰囲気炉。 - 【請求項2】 フラックス受け皿には仕切り板が設けら
れていることを特徴とする請求項1記載の不活性ガス雰
囲気炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7345195A JPH08274459A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 不活性ガス雰囲気炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7345195A JPH08274459A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 不活性ガス雰囲気炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08274459A true JPH08274459A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13518617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7345195A Pending JPH08274459A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 不活性ガス雰囲気炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08274459A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7377775B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heating apparatus |
JP2008215652A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Espec Corp | 熱処理装置 |
JP2013518985A (ja) * | 2010-02-01 | 2013-05-23 | レフィテック ベー.フェー. | 動的流体弁およびその構築方法 |
KR20200085079A (ko) * | 2019-01-04 | 2020-07-14 | 주식회사 비아트론 | 기판 열처리 장치 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7345195A patent/JPH08274459A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7377775B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heating apparatus |
JP2008215652A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Espec Corp | 熱処理装置 |
JP2013518985A (ja) * | 2010-02-01 | 2013-05-23 | レフィテック ベー.フェー. | 動的流体弁およびその構築方法 |
US9822447B2 (en) | 2010-02-01 | 2017-11-21 | Asm International N.V. | Dynamic fluid valve and method for establishing the same |
KR20200085079A (ko) * | 2019-01-04 | 2020-07-14 | 주식회사 비아트론 | 기판 열처리 장치 |
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