JPH08268722A - ＲｕＯ２ 粉末の製造方法 - Google Patents
ＲｕＯ２ 粉末の製造方法Info
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- JPH08268722A JPH08268722A JP9581795A JP9581795A JPH08268722A JP H08268722 A JPH08268722 A JP H08268722A JP 9581795 A JP9581795 A JP 9581795A JP 9581795 A JP9581795 A JP 9581795A JP H08268722 A JPH08268722 A JP H08268722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分散性が良好で、かつ、粒度分布が狭く、厚
膜抵抗体を構成したときの面積抵抗値のばらつきが小さ
く、かつ、ノイズ特性が良好なＲｕＯ2 粉末を提供す
る。 【構成】 不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜１０
００℃で焙焼してＲｕＯ2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対しＫ
およびＮａの少なくとも一方が０．１〜１０．０モル％
となるように用意したＫＯＨ水溶液、ＮａＯＨ水溶液ま
たはこれらの混合水溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、
前記水溶液を蒸発させてＫＯＨおよび／またはＮａＯＨ
で被覆したＲｕＯ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子を２００
〜１０００℃で焙焼したのち、水洗、乾燥することを特
徴とするＲｕＯ2 粉末の製造方法。
膜抵抗体を構成したときの面積抵抗値のばらつきが小さ
く、かつ、ノイズ特性が良好なＲｕＯ2 粉末を提供す
る。 【構成】 不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜１０
００℃で焙焼してＲｕＯ2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対しＫ
およびＮａの少なくとも一方が０．１〜１０．０モル％
となるように用意したＫＯＨ水溶液、ＮａＯＨ水溶液ま
たはこれらの混合水溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、
前記水溶液を蒸発させてＫＯＨおよび／またはＮａＯＨ
で被覆したＲｕＯ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子を２００
〜１０００℃で焙焼したのち、水洗、乾燥することを特
徴とするＲｕＯ2 粉末の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗値分布が小さく、
ノイズ特性の良好な厚膜抵抗ペーストを構成するための
ＲｕＯ2 粉末を製造する方法に関する。
ノイズ特性の良好な厚膜抵抗ペーストを構成するための
ＲｕＯ2 粉末を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＲｕＯ2 粉末はＲｕＯ2 成分とガラス成
分の比率を変えることによって緩やかに抵抗値が変わる
抵抗体が形成できるため、厚膜抵抗体の導電物として広
く用いられている。抵抗値分布が小さく、ノイズ特性の
良好な厚膜抵抗体を形成するためには、ＲｕＯ2 粉末は
微細で、凝集が少なく、分散性が良好で、粒度分布の狭
いことが必要である。ＲｕＯ2 粉末の製造方法として
は、一般に塩化ルテニウムの酸性溶液をアルカリで中和
するか、ルテニウム酸アルカリ金属塩の溶液をアルコー
ルや蟻酸等で中和還元して折出させた不定形酸化ルテニ
ウム水和物を高温で焙焼することによって製造されてい
る。
分の比率を変えることによって緩やかに抵抗値が変わる
抵抗体が形成できるため、厚膜抵抗体の導電物として広
く用いられている。抵抗値分布が小さく、ノイズ特性の
良好な厚膜抵抗体を形成するためには、ＲｕＯ2 粉末は
微細で、凝集が少なく、分散性が良好で、粒度分布の狭
いことが必要である。ＲｕＯ2 粉末の製造方法として
は、一般に塩化ルテニウムの酸性溶液をアルカリで中和
するか、ルテニウム酸アルカリ金属塩の溶液をアルコー
ルや蟻酸等で中和還元して折出させた不定形酸化ルテニ
ウム水和物を高温で焙焼することによって製造されてい
る。
【０００３】これらの製造方法においては、製造の条
件、その他の処理条件によって、ＲｕＯ2 粉末の粒度が
大きく異なるため、ＲｕＯ2 水和物に粒子成長抑制剤と
してアルカリ金属イオンを添加し焙焼する方法（特開昭
５９−５００３２号公報）や、不定形酸化ルテニウム粉
末にＫ、Ｎａを付着させた後、焙焼したＲｕＯ2 粉末を
用いて抵抗体ペーストを得る方法（特公昭６３−５５８
４１号公報）が考えられている。しかしながら、この方
法では、Ｋ、Ｎａの添加量や付着量が多いとＲｕＯ2 粉
末の粒度が小さくなりすぎて、凝集しやすく、Ｋ、Ｎａ
の添加量や付着量が少ないと、粉末の粒度は大きくな
り、分散性は良くなるが、粒度分布が広くなり、分散性
が良好でかつ粒度分布が狭いＲｕＯ2 粉末を製造するこ
とが困難であった。
件、その他の処理条件によって、ＲｕＯ2 粉末の粒度が
大きく異なるため、ＲｕＯ2 水和物に粒子成長抑制剤と
してアルカリ金属イオンを添加し焙焼する方法（特開昭
５９−５００３２号公報）や、不定形酸化ルテニウム粉
末にＫ、Ｎａを付着させた後、焙焼したＲｕＯ2 粉末を
用いて抵抗体ペーストを得る方法（特公昭６３−５５８
４１号公報）が考えられている。しかしながら、この方
法では、Ｋ、Ｎａの添加量や付着量が多いとＲｕＯ2 粉
末の粒度が小さくなりすぎて、凝集しやすく、Ｋ、Ｎａ
の添加量や付着量が少ないと、粉末の粒度は大きくな
り、分散性は良くなるが、粒度分布が広くなり、分散性
が良好でかつ粒度分布が狭いＲｕＯ2 粉末を製造するこ
とが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、分散性が良
好でかつ粒度分布が狭く、厚膜抵抗体を構成したときの
抵抗値分布が小さく、しかもノイズ特性が良好なＲｕＯ
2粉末を製造する。
好でかつ粒度分布が狭く、厚膜抵抗体を構成したときの
抵抗値分布が小さく、しかもノイズ特性が良好なＲｕＯ
2粉末を製造する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＲｕＯ2
粉末の製造方法は、第１の態様によれば、不定形酸化ル
テニウム水和物を３００〜１０００℃で焙焼してＲｕＯ
2 粒子を得、ＲｕＯ2に対しＫおよびＮａの少なくとも
一方が０．１〜１０．０モル％となるように用意したＫ
化合物水溶液、Ｎａ化合物水溶液またはこれらの混合水
溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、前記水溶液を蒸発さ
せてＫ化合物および／またはＮａ化合物で被覆したＲｕ
Ｏ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子を２００〜１０００℃で
焙焼したのち、水洗、乾燥してＲｕＯ2 粉末を得る。
粉末の製造方法は、第１の態様によれば、不定形酸化ル
テニウム水和物を３００〜１０００℃で焙焼してＲｕＯ
2 粒子を得、ＲｕＯ2に対しＫおよびＮａの少なくとも
一方が０．１〜１０．０モル％となるように用意したＫ
化合物水溶液、Ｎａ化合物水溶液またはこれらの混合水
溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、前記水溶液を蒸発さ
せてＫ化合物および／またはＮａ化合物で被覆したＲｕ
Ｏ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子を２００〜１０００℃で
焙焼したのち、水洗、乾燥してＲｕＯ2 粉末を得る。
【０００６】また、第２の態様によれば、不定形酸化ル
テニウム水和物を３００〜１０００℃で焙焼してＲｕＯ
2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対しＫおよびＮａの少なくとも
一方が０．１〜１０．０モル％となるように用意したＫ
化合物水溶液、Ｎａ化合物水溶液またはこれらの混合水
溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、前記水溶液を蒸発さ
せてＫ化合物および／またはＮａ化合物で被覆したＲｕ
Ｏ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子に対し２００〜１０００
℃で第１段の焙焼を行ったのち、水洗、乾燥し、さら
に、３００〜１０００℃で第２段の焙焼を行ってＲｕＯ
2粉末を得る。
テニウム水和物を３００〜１０００℃で焙焼してＲｕＯ
2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対しＫおよびＮａの少なくとも
一方が０．１〜１０．０モル％となるように用意したＫ
化合物水溶液、Ｎａ化合物水溶液またはこれらの混合水
溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を浸漬し、前記水溶液を蒸発さ
せてＫ化合物および／またはＮａ化合物で被覆したＲｕ
Ｏ2 粒子を得、該ＲｕＯ2 粒子に対し２００〜１０００
℃で第１段の焙焼を行ったのち、水洗、乾燥し、さら
に、３００〜１０００℃で第２段の焙焼を行ってＲｕＯ
2粉末を得る。
【０００７】さらに、上記Ｋ化合物、Ｎａ化合物は、
Ｋ、Ｎａの酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩から選ば
れる。
Ｋ、Ｎａの酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩から選ば
れる。
【０００８】
【作用】本発明では、不定形酸化ルテニウム水和物を焙
焼して得られたＲｕＯ2 粒子に、例えば、ＫＯＨおよび
ＮａＯＨの少なくとも一方を被覆させ、再び焙焼したの
ち、水洗、乾燥する。ここで用いられる不定形酸化ルテ
ニウム水和物は、従来から行われているいかなる合成方
法で合成されたものであってよい。不定形酸化ルテニウ
ム水和物の粒度は、１００オングストローム以下であ
る。この不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜１００
０℃で焼くと焼結され、１００〜２０００オングストロ
ームぐらいの凝集しやすいＲｕＯ2 粒子となる。このＲ
ｕＯ2 粒子を、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ水溶液または
これらの混合水溶液に浸け、蒸発（乾固）させると、Ｒ
ｕＯ2 粒子の表面にＫＯＨおよび／またはＮａＯＨが被
覆した状態となる。この被覆粒子を、２００〜１０００
℃で焙焼すると、Ｋ2ＲｕＯ4 やＮａ2ＲｕＯ4 のような
水溶性塩の表面層ができる。
焼して得られたＲｕＯ2 粒子に、例えば、ＫＯＨおよび
ＮａＯＨの少なくとも一方を被覆させ、再び焙焼したの
ち、水洗、乾燥する。ここで用いられる不定形酸化ルテ
ニウム水和物は、従来から行われているいかなる合成方
法で合成されたものであってよい。不定形酸化ルテニウ
ム水和物の粒度は、１００オングストローム以下であ
る。この不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜１００
０℃で焼くと焼結され、１００〜２０００オングストロ
ームぐらいの凝集しやすいＲｕＯ2 粒子となる。このＲ
ｕＯ2 粒子を、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ水溶液または
これらの混合水溶液に浸け、蒸発（乾固）させると、Ｒ
ｕＯ2 粒子の表面にＫＯＨおよび／またはＮａＯＨが被
覆した状態となる。この被覆粒子を、２００〜１０００
℃で焙焼すると、Ｋ2ＲｕＯ4 やＮａ2ＲｕＯ4 のような
水溶性塩の表面層ができる。
【０００９】ここで、１００オングストロームぐらいの
細かいＲｕＯ2は、全体がＮａ2ＲｕＯ4 となってしま
い、水洗により、それ全体が溶解して除去される。そし
て、粗いＲｕＯ2 −Ｋ2ＲｕＯ4は、表面のみが水洗さ
れ、粒度が幾分か小さくなる。その結果、比較的粒度の
そろったＲｕＯ2 粉末ができる。このＲｕＯ2 粉末に対
して、さらに３００〜１０００℃の温度で第２段の焙焼
を行うと、水洗された表面が加熱されて、結晶性が回復
する。不定形酸化ルテニウム水和物の焙焼温度を３００
〜１０００℃に限定した理由は次の通りである。すなわ
ち、３００℃より低い温度では、不定形酸化ルテニウム
水和物が完全にＲｕＯ2 にならないのであって、逆に１
０００℃より高い温度ではＲｕＯ2 の粒度が大きくなり
すぎ、またＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発してしま
い、ＲｕＯ2 の収率が低下するためである。
細かいＲｕＯ2は、全体がＮａ2ＲｕＯ4 となってしま
い、水洗により、それ全体が溶解して除去される。そし
て、粗いＲｕＯ2 −Ｋ2ＲｕＯ4は、表面のみが水洗さ
れ、粒度が幾分か小さくなる。その結果、比較的粒度の
そろったＲｕＯ2 粉末ができる。このＲｕＯ2 粉末に対
して、さらに３００〜１０００℃の温度で第２段の焙焼
を行うと、水洗された表面が加熱されて、結晶性が回復
する。不定形酸化ルテニウム水和物の焙焼温度を３００
〜１０００℃に限定した理由は次の通りである。すなわ
ち、３００℃より低い温度では、不定形酸化ルテニウム
水和物が完全にＲｕＯ2 にならないのであって、逆に１
０００℃より高い温度ではＲｕＯ2 の粒度が大きくなり
すぎ、またＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発してしま
い、ＲｕＯ2 の収率が低下するためである。
【００１０】不定形酸化ルテニウム水和物を焙焼して得
られたＲｕＯ2 にＫ化合物やＮａ化合物、例えばＫＯＨ
および／またはＮａＯＨで被覆し、２００〜１０００℃
で焙焼すると、ＲｕＯ2 とＫ、Ｎａが反応し、Ｋ2Ｒｕ
Ｏ4あるいはＮａ2ＲｕＯ4で表されるルテニウム酸アル
カリ金属塩がＲｕＯ2 粒子の表面に生成する。このと
き、粒度の小さい場合、ＲｕＯ2 粒子は完全にルテニウ
ム酸アルカリ金属塩になり、粒度の大きい場合、ＲｕＯ
2 粒子は表面層のみがルテニウム酸アルカリ金属塩に変
化する。そして、粒度の大きいＲｕＯ2 粒子では、表面
層においてＲｕＯ2とルテニウム酸アルカリ金属塩の変
化が平衡に達するため、結晶性の高いＲｕＯ2 が得られ
るものと考えられる。不定形酸化ルテニウム水和物を焙
焼して得られたＲｕＯ2 粒子を被覆するために、ＫやＮ
ａの量をＲｕＯ2 に対し０．１〜１０．０モル％に限定
した理由は次の通りである。すなわち、０．１モル％よ
りも少ないと効果がなく、１０．０モル％よりも多い
と、ルテニウム酸アルカリ金属塩に変化するＲｕＯ2 が
多すぎて収率が低下し過ぎるためである。
られたＲｕＯ2 にＫ化合物やＮａ化合物、例えばＫＯＨ
および／またはＮａＯＨで被覆し、２００〜１０００℃
で焙焼すると、ＲｕＯ2 とＫ、Ｎａが反応し、Ｋ2Ｒｕ
Ｏ4あるいはＮａ2ＲｕＯ4で表されるルテニウム酸アル
カリ金属塩がＲｕＯ2 粒子の表面に生成する。このと
き、粒度の小さい場合、ＲｕＯ2 粒子は完全にルテニウ
ム酸アルカリ金属塩になり、粒度の大きい場合、ＲｕＯ
2 粒子は表面層のみがルテニウム酸アルカリ金属塩に変
化する。そして、粒度の大きいＲｕＯ2 粒子では、表面
層においてＲｕＯ2とルテニウム酸アルカリ金属塩の変
化が平衡に達するため、結晶性の高いＲｕＯ2 が得られ
るものと考えられる。不定形酸化ルテニウム水和物を焙
焼して得られたＲｕＯ2 粒子を被覆するために、ＫやＮ
ａの量をＲｕＯ2 に対し０．１〜１０．０モル％に限定
した理由は次の通りである。すなわち、０．１モル％よ
りも少ないと効果がなく、１０．０モル％よりも多い
と、ルテニウム酸アルカリ金属塩に変化するＲｕＯ2 が
多すぎて収率が低下し過ぎるためである。
【００１１】Ｋ、Ｎａの供給源としてはどの様な化合物
でも良く、例えば酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等
が挙げられる。これらの化合物は水溶液の形でＲｕＯ2
粒子に付着させることが好ましい。Ｋ、Ｎａの化合物で
被覆したＲｕＯ2 粒子を焙焼する温度を２００〜１００
０℃に限定した理由は次の通りである。すなわち、２０
０℃より低い温度ではＲｕＯ2 がルテニウム酸アルカリ
金属塩に変化しないため効果がなく、１０００℃より高
い温度ではＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発し、ＲｕＯ
2 の収率が低下するためである。Ｋ、Ｎａの化合物を被
覆させ焙焼して得られたＲｕＯ2 粉末を水洗するのは、
表面層のルテニウム酸アルカリ金属塩をＲｕＯ2 粉末か
ら取り除くためである。ルテニウム酸アルカリ金属塩は
水に溶解しやすいため、ＲｕＯ2 粉末から容易に分離で
きる。なお、１００オングストローム程度以下の粒度で
は、粒子全体が取り除かれる。水洗によりルテニウム酸
アルカリ金属塩を取り除いたＲｕＯ2 粉末は、乾燥し、
厚膜抵抗ペーストの原料に使用する。このときの乾燥方
法はいかなる方法でもよい。
でも良く、例えば酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等
が挙げられる。これらの化合物は水溶液の形でＲｕＯ2
粒子に付着させることが好ましい。Ｋ、Ｎａの化合物で
被覆したＲｕＯ2 粒子を焙焼する温度を２００〜１００
０℃に限定した理由は次の通りである。すなわち、２０
０℃より低い温度ではＲｕＯ2 がルテニウム酸アルカリ
金属塩に変化しないため効果がなく、１０００℃より高
い温度ではＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発し、ＲｕＯ
2 の収率が低下するためである。Ｋ、Ｎａの化合物を被
覆させ焙焼して得られたＲｕＯ2 粉末を水洗するのは、
表面層のルテニウム酸アルカリ金属塩をＲｕＯ2 粉末か
ら取り除くためである。ルテニウム酸アルカリ金属塩は
水に溶解しやすいため、ＲｕＯ2 粉末から容易に分離で
きる。なお、１００オングストローム程度以下の粒度で
は、粒子全体が取り除かれる。水洗によりルテニウム酸
アルカリ金属塩を取り除いたＲｕＯ2 粉末は、乾燥し、
厚膜抵抗ペーストの原料に使用する。このときの乾燥方
法はいかなる方法でもよい。
【００１２】また、水洗によりルテニウム酸アルカリ金
属塩を取り除いたＲｕＯ2 粉末を乾燥後、３００〜１０
００℃で再び焙焼することによって、さらに分散性の良
好なＲｕＯ2 粉末が得られる。これは、第２段の焙焼を
行うことによってＲｕＯ2 の結晶性が向上するためと考
えられる。第２段の焙焼の温度を３００〜１０００℃に
限定した理由は次の通りである。すなわち、３００℃よ
り低い温度では効果がなく、１０００℃より高い温度で
はＲｕＯ2 の結晶が成長し、粒度が大きくなりすぎ、ま
たＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発しＲｕＯ2 の収率が
低下するためである。
属塩を取り除いたＲｕＯ2 粉末を乾燥後、３００〜１０
００℃で再び焙焼することによって、さらに分散性の良
好なＲｕＯ2 粉末が得られる。これは、第２段の焙焼を
行うことによってＲｕＯ2 の結晶性が向上するためと考
えられる。第２段の焙焼の温度を３００〜１０００℃に
限定した理由は次の通りである。すなわち、３００℃よ
り低い温度では効果がなく、１０００℃より高い温度で
はＲｕＯ2 の結晶が成長し、粒度が大きくなりすぎ、ま
たＲｕＯ2 がＲｕＯ4 となって揮発しＲｕＯ2 の収率が
低下するためである。
【００１３】
（実施例１）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノールで還元して１
００オングストローム以下の粒度の不定形酸化ルテニウ
ム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム水和物を水洗
し、不純物を取り除いた後、６００℃で２時間焙焼して
１００〜２０００オングストロームの粒度のＲｕＯ2 粒
子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが０．１モル％となるよう
に前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁し、１１０℃で
蒸発（乾固）させた後、８００℃で２時間焙焼した。得
られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で乾燥し
た。
００オングストローム以下の粒度の不定形酸化ルテニウ
ム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム水和物を水洗
し、不純物を取り除いた後、６００℃で２時間焙焼して
１００〜２０００オングストロームの粒度のＲｕＯ2 粒
子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが０．１モル％となるよう
に前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁し、１１０℃で
蒸発（乾固）させた後、８００℃で２時間焙焼した。得
られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で乾燥し
た。
【００１４】（実施例２）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノール
で還元して１００オングストローム以下の粒度の不定形
酸化ルテニウム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム
水和物を水洗し、不純物を取り除いた後、８００℃で２
時間焙焼して１００〜２０００オングストロームの粒度
のＲｕＯ2 粒子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが１．０モル
％となるように前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁
し、１１０℃で乾燥（乾固）後、８００℃で２時間焙焼
した。得られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で
乾燥した。
で還元して１００オングストローム以下の粒度の不定形
酸化ルテニウム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム
水和物を水洗し、不純物を取り除いた後、８００℃で２
時間焙焼して１００〜２０００オングストロームの粒度
のＲｕＯ2 粒子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが１．０モル
％となるように前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁
し、１１０℃で乾燥（乾固）後、８００℃で２時間焙焼
した。得られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で
乾燥した。
【００１５】（実施例３）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノール
で還元して１００オングストローム以下の粒度の不定形
酸化ルテニウム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム
水和物を水洗し、不純物を取り除いた後、８００℃で２
時間焙焼して１００〜２０００オングストロームの粒度
のＲｕＯ2 粒子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが１０．０モ
ル％となるように前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁
し、１１０℃で乾燥（乾固）後、８００℃で２時間焙焼
した。得られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で
乾燥した。
で還元して１００オングストローム以下の粒度の不定形
酸化ルテニウム水和物を得た。該不定形酸化ルテニウム
水和物を水洗し、不純物を取り除いた後、８００℃で２
時間焙焼して１００〜２０００オングストロームの粒度
のＲｕＯ2 粒子を得た。ＲｕＯ2 に対しＫが１０．０モ
ル％となるように前記ＲｕＯ2 粒子をＫＯＨ溶液に懸濁
し、１１０℃で乾燥（乾固）後、８００℃で２時間焙焼
した。得られたＲｕＯ2 粉末を水洗した後、１１０℃で
乾燥した。
【００１６】（実施例４）実施例１で得たＲｕＯ2 粉末
をさらに６００℃で２時間焙焼した。 （実施例５）実施例２で得たＲｕＯ2 粉末をさらに８０
０℃で２時間焙焼した。 （実施例６）実施例３で得たＲｕＯ2 粉末をさらに８０
０℃で２時間焙焼した。
をさらに６００℃で２時間焙焼した。 （実施例５）実施例２で得たＲｕＯ2 粉末をさらに８０
０℃で２時間焙焼した。 （実施例６）実施例３で得たＲｕＯ2 粉末をさらに８０
０℃で２時間焙焼した。
【００１７】（比較例１）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノール
で還元して得られた不定形酸化ルテニウム水和物を水洗
し、不純物を取り除いた後、６００℃で２時間焙焼して
ＲｕＯ2 粉末を得た。 （比較例２）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノールで還元して得
られた不定形酸化ルテニウム水和物を水洗し、不純物を
取り除いた後、ＲｕＯ2 に対しＫが０．１モル％となる
ようにＫＯＨ溶液に懸濁し、乾燥（乾固）後、８００℃
で２時間焙焼し、ＲｕＯ2 粉末を得た。
で還元して得られた不定形酸化ルテニウム水和物を水洗
し、不純物を取り除いた後、６００℃で２時間焙焼して
ＲｕＯ2 粉末を得た。 （比較例２）Ｋ2ＲｕＯ4溶液をメタノールで還元して得
られた不定形酸化ルテニウム水和物を水洗し、不純物を
取り除いた後、ＲｕＯ2 に対しＫが０．１モル％となる
ようにＫＯＨ溶液に懸濁し、乾燥（乾固）後、８００℃
で２時間焙焼し、ＲｕＯ2 粉末を得た。
【００１８】実施例１〜６と比較例１および２のＲｕＯ
2 粉末を各々別個に、ＰｂＯ／ＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3／Ａｌ2
Ｏ3 が重量％で５５／３０／１０／５であるガラス粉末
とエチルセルロースのターピネオール溶液とともに３本
ロールミルで混練し、８種類の抵抗ペーストを作製し
た。なお、抵抗ペーストは、抵抗特性を比較するため、
面積抵抗値でおよそ１０ｋΩとなるようにＲｕＯ2 粉末
とガラス粉末を配合した。一方、９６％アルミナ基板に
Ａｇ／Ｐｄペーストを印刷し、８５０℃で焼成してＡｇ
／Ｐｄ電極を作製した。該Ａｇ／Ｐｄ電極の上に前記８
種類の抵抗ぺーストを印刷し、１５０℃で乾燥後、ピー
ク温度８５０℃×９分、トータル３０分間のベルト炉で
焼成し、幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、膜厚７〜１０
μｍの８種類の抵抗体を形成した。
2 粉末を各々別個に、ＰｂＯ／ＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3／Ａｌ2
Ｏ3 が重量％で５５／３０／１０／５であるガラス粉末
とエチルセルロースのターピネオール溶液とともに３本
ロールミルで混練し、８種類の抵抗ペーストを作製し
た。なお、抵抗ペーストは、抵抗特性を比較するため、
面積抵抗値でおよそ１０ｋΩとなるようにＲｕＯ2 粉末
とガラス粉末を配合した。一方、９６％アルミナ基板に
Ａｇ／Ｐｄペーストを印刷し、８５０℃で焼成してＡｇ
／Ｐｄ電極を作製した。該Ａｇ／Ｐｄ電極の上に前記８
種類の抵抗ぺーストを印刷し、１５０℃で乾燥後、ピー
ク温度８５０℃×９分、トータル３０分間のベルト炉で
焼成し、幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、膜厚７〜１０
μｍの８種類の抵抗体を形成した。
【００１９】初期抵抗値のばらつきは、前記８種類の各
々について５０個の抵抗体の変動係数で評価した。変動
係数は、標準偏差を平均値で除した値で、相対的なばら
つきの目安として用いられており、値の小さいものほど
ばらつきが小さい。抵抗温度係数は、温度−５５〜２５
℃間の抵抗値の平均変化率（ＣＯＬＤ−ＴＣＲ）と、温
度２５〜１２５℃の抵抗値の平均変化率（ＨＯＴ−ＴＣ
Ｒ）とで評価した。電流ノイズはＱｕａｎ−Ｔｅｃｈの
ノイズメータで測定した。実施例１〜６と比較例１およ
び２の抵抗ペーストの特性をＲｕＯ2 ／ガラス配合と合
わせて表１に示した。実施例と比較例より、本発明の製
造方法によって製造したＲｕＯ2 粉末を用いた抵抗体は
面積抵抗値のばらつきが小さく、またノイズ特性も優れ
ていることが判る。なお、抵抗温度係数（ＨＯＴ−ＴＣ
Ｒ、ＣＯＬＤ−ＴＣＲ）は、実施例１〜６と比較例１お
よび２でほぼ同等であった。
々について５０個の抵抗体の変動係数で評価した。変動
係数は、標準偏差を平均値で除した値で、相対的なばら
つきの目安として用いられており、値の小さいものほど
ばらつきが小さい。抵抗温度係数は、温度−５５〜２５
℃間の抵抗値の平均変化率（ＣＯＬＤ−ＴＣＲ）と、温
度２５〜１２５℃の抵抗値の平均変化率（ＨＯＴ−ＴＣ
Ｒ）とで評価した。電流ノイズはＱｕａｎ−Ｔｅｃｈの
ノイズメータで測定した。実施例１〜６と比較例１およ
び２の抵抗ペーストの特性をＲｕＯ2 ／ガラス配合と合
わせて表１に示した。実施例と比較例より、本発明の製
造方法によって製造したＲｕＯ2 粉末を用いた抵抗体は
面積抵抗値のばらつきが小さく、またノイズ特性も優れ
ていることが判る。なお、抵抗温度係数（ＨＯＴ−ＴＣ
Ｒ、ＣＯＬＤ−ＴＣＲ）は、実施例１〜６と比較例１お
よび２でほぼ同等であった。
【００２０】
【表１】 実施例１ 実施例２ 実施例３ 実施例４ ＲｕＯ2 ／ガラス （重量比） ２５／７５ ３０／７０ ２３／７７ ２７／７３ K+/RuO2または Na+/RuO2（モル比） ０．１ １．０ １０．０ ０．１ 面積抵抗値（ｋΩ） １０．１ １０．２ １１．５ ９．７ 面積抵抗値の 変動係数（％） ２．８ ２．２ ３．０ １．６ Ｈｏｔ−ＴＣＲ （ｐｐｍ／℃） −１１０ −１０９ −１０９ −９９ Ｃｏｌｄ−ＴＣＲ （ｐｐｍ／℃） −１３８ −１４０ −１４１ −１３１ 電流ノイズ（ｄＢ） −５ −１０ −６ −７ 実施例５ 実施例６ 比較例１ 比較例２ ＲｕＯ2 ／ガラス （重量比） ３２／６８ ２５／７５ ２２／７８ ２７／７３ K+/RuO2または Na+/RuO2（モル比） １．０ １０．０ ０ ０ 面積抵抗値（ｋΩ） １０．８ １２．０ ８．１ ９．９ 面積抵抗値の 変動係数（％） ２．０ ３．０ ７．５ ４．７ Ｈｏｔ−ＴＣＲ （ｐｐｍ／℃） −１０２ −１１１ −１００ −１１８ Ｃｏｌｄ−ＴＣＲ （ｐｐｍ／℃） −１４２ −１３９ −１４９ −１５３ 電流ノイズ（ｄＢ） −１０ −６ ＋５ −２
【００２１】
【発明の効果】本発明による製造方法によって、従来の
技術では困難であった初期抵抗値のばらつきが小さく、
電流ノイズの小さい抵抗ペーストが作製できるＲｕＯ2
粉末の製造が可能となった。
技術では困難であった初期抵抗値のばらつきが小さく、
電流ノイズの小さい抵抗ペーストが作製できるＲｕＯ2
粉末の製造が可能となった。
Claims (3)
- 【請求項１】 不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜
１０００℃で焙焼してＲｕＯ2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対
しＫおよびＮａの少なくとも一方が０．１〜１０．０モ
ル％となるように用意したＫ化合物水溶液、Ｎａ化合物
水溶液またはこれらの混合水溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を
浸漬し、前記水溶液を蒸発させてＫ化合物および／また
はＮａ化合物で被覆したＲｕＯ2 粒子を得、該ＲｕＯ2
粒子を２００〜１０００℃で焙焼したのち、水洗、乾燥
することを特徴とするＲｕＯ2粉末の製造方法。 - 【請求項２】 不定形酸化ルテニウム水和物を３００〜
１０００℃で焙焼してＲｕＯ2 粒子を得、ＲｕＯ2 に対
しＫおよびＮａの少なくとも一方が０．１〜１０．０モ
ル％となるように用意したＫ化合物水溶液、Ｎａ化合物
水溶液またはこれらの混合水溶液に前記ＲｕＯ2 粒子を
浸漬し、前記水溶液を蒸発させてＫ化合物および／また
はＮａ化合物で被覆したＲｕＯ2 粒子を得、該ＲｕＯ2
粒子に対し２００〜１０００℃で第１段の焙焼を行った
のち、水洗、乾燥し、さらに、３００〜１０００℃で第
２段の焙焼を行うことを特徴とするＲｕＯ2 粉末の製造
方法。 - 【請求項３】 Ｋ化合物がＫの酸化物、水酸化物、炭酸
塩、硝酸塩のいずれかであり、Ｎａ化合物がＮａの酸化
物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩のいずれかである請求項
１または２に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9581795A JPH08268722A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ＲｕＯ２ 粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9581795A JPH08268722A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ＲｕＯ２ 粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08268722A true JPH08268722A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=14147981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9581795A Pending JPH08268722A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ＲｕＯ２ 粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08268722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090261941A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom |
| CN107986341A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-04 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 片式电阻浆料用氧化钌粉及其制备方法 |
| KR20200057695A (ko) | 2017-09-22 | 2020-05-26 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 후막 저항체용 조성물, 후막 저항 페이스트 및 후막 저항체 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP9581795A patent/JPH08268722A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090261941A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom |
| JP2011523489A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-08-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 表面改質された酸化ルテニウム導電性材料、無鉛ガラス、厚膜抵抗体ペースト、およびそれより製造されたデバイス |
| US8628695B2 (en) * | 2008-04-18 | 2014-01-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom |
| KR20200057695A (ko) | 2017-09-22 | 2020-05-26 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 후막 저항체용 조성물, 후막 저항 페이스트 및 후막 저항체 |
| CN107986341A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-04 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 片式电阻浆料用氧化钌粉及其制备方法 |
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