JPH08266886A - 流動化された固体のストリッピング法とストリッピング装置、および流動状態クラッキング法におけるその利用 - Google Patents

流動化された固体のストリッピング法とストリッピング装置、および流動状態クラッキング法におけるその利用

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 流動化された固体のストリッピング法とスト
リッピング装置、および流動状態クラッキング法におけ
るその利用 【解決手段】 この装置は少なくとも１つのライニング
（１７、１８、１９）を含み、このライニングは、ケー
シング軸線に対してほぼ横方向に配置された流通路を有
する少なくとも１つの部品から成り、前記部品は前記ケ
ーシングの前記循環区域の横方向断面全体に延在し、複
数の細胞から成り、これらの細胞を通して粒子とストリ
ッピング流体が通過し、またこれらの細胞がストリッピ
ング流体およびストリッピングされる粒子の循環をほぼ
放射方向に配向する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は流動床中の固体粒子
または顆粒のストリッピングに関するものである。本発
明は特に粒子間隙の中に同伴されこれらの粒子上に吸着
された炭化水素蒸気を除去するため、流動床において固
体を流体によってストリッピングする方法および装置を
目的としている。
【０００２】本発明は特に石油工業において使用される
技術に適用される。さらに詳しくは、本発明は高分子量
の高沸点の炭化水素分子を所望の用途に適したより低い
温度間隔で沸騰する事のできるより小さい分子量の炭化
水素に分解する流動床クラッキング工程に応用される。
【０００３】
【従来の技術】この目的で現在最も一般に使用されてい
る方法の１つはいわゆる流動状態触媒クラッキング法で
ある（英語で、Fluid Catalytic Cracking またはＦＣ
Ｃ法）。この型の方法においては、炭化水素装入物が蒸
発させられると同時に、この装入物蒸気がその中に懸濁
しこの蒸気によって同伴されるクラッキング触媒粒子と
高温で接触させられる。クラッキングによって所望の分
子量範囲に達しこれに対応して沸点が低下した後に、得
られた生成物が触媒粒子から分離され、触媒粒子は同伴
された炭化水素を回収するためにストリッピングされ、
次にその上に形成されたコークスの燃焼によって再生さ
れて、新しくクラッキングされる装入物と接触させられ
る。
【０００４】この方法において、制御された触媒反応と
熱反応の結果として炭化水素の沸点の所望の低下が得ら
れる。これらの反応は、噴霧された装入物が触媒粒子と
接触させられた時にほとんど瞬間的に生じる。しかし触
媒粒子は装入物と接触している短時間中に急速に不活性
化される。これは、本質的にその活性部位上に炭化水
素、コークス堆積物およびその他の汚染物が吸着される
事による。従って触媒の不活性化粒子を例えば蒸気によ
ってストリッピングして、懸濁粒子の間隙中に吸着され
同伴される炭化水素を回収し、単数段階または複数段階
の再生器において、コークスの制御燃焼により、触媒粒
子を連続的にその特性を変更する事なく再生してこれら
の触媒粒子を反応区域に再循環させる必要がある。
【０００５】多数の触媒クラッキング装置および方法が
雑誌「Oil & Gas Journal, May 18,1992, pp 68-71 」
の論文の中に記載されているので、詳細はこの文献を参
照されたい。モビール石油会社のＭＴＧ法およびエンジ
ニアリング社ストーン ＆ウエブスターのＤＣＣ法など
のストリッピング装置を含めて、触媒クラッキング以外
の可動床式、循環流動床式および沸騰床式装置および方
法も本発明に関連している。
【０００６】ストリッピングは流動状態触媒クラッキン
グ法における決定的段階の１つである。ストリッピング
が不十分な場合、炭化水素蒸気が触媒粒子上にまたその
間に残存し、再生に際して再生器の追加的な燃焼負荷が
必要となる。従って再生器まで同伴された炭化水素蒸気
の燃焼は転化生成物の最終収率の損失を生じる。
【０００７】通常技術の１つによれば、本質的に上昇型
の反応カラムの場合、反応区域からの流出物の分離後に
ストリッピングが反応カラムの上端のケーシングの中で
実施される。一般に、このケーシングはその高さと直径
の比が大である事を特徴とする。このケーシングは種々
の形状とし、例えば円形断面または六角形断面のタンク
状とする事ができる。
【０００８】このケーシングは２区域に分割される。ケ
ーシングの上方に配置された第１区域においては、米国
特許第２，５７４，４２２号および米国特許第２，５７
６，９０６号に記載のようなそれ自体公知の型のバリス
ティック分離装置が触媒粒子から流出物を分離して触媒
粒子を下方に向けるが、炭化水素蒸気は上方に上昇し
て、サイクロン装置によって触媒微粒子を追加的に分離
した後に、分溜区域に送られる。これに対してケーシン
グの下方水準に配置された第２区域においては、ストリ
ッピングが濃密な流動状態で実施される。ケーシング底
部に噴射されるガス流体が不活性化された触媒粒子を向
流洗浄し、触媒粒子の間隙の中に入って同伴されまたは
不活性触媒粒子の表面に吸着された炭化水素を移動させ
回収する。最後にストリッピングされた触媒粒子はケー
シング底部に配置された排出装置によって排出され、再
生区域に送られる。
【０００９】このストリッピング操作を最適化するた
め、触媒粒子上に炭化水素よりも強く吸着され従って炭
化水素の脱離を改良する水蒸気などの好ましくは非常に
極性の強いガス流体を使用する事は公知である。
【００１０】しかしこのストリッピング操作はなおも非
常に微妙な操作である。特に、触媒粒子の行程を制御す
る事、および貫孔現象（流動床中の大きな泡の直接貫
通）および一般に「バックミクシング」と呼ばれる逆混
合現象（ストリッピングケーシングの壁体区域における
低流動化粒子の下降）に関連する部分的脱流動化現象を
避ける事が困難である。従って、特に大量流動床におい
ては、不活性化された触媒粒子の平均ストリッピング時
間および粒子とガス流体との間の接触量が制御困難であ
る。
【００１１】このストリッピング時間は臨界的であっ
て、二次反応、特にコークス化反応を避けるように限定
されなければならない。同様に、再生反応に際して余分
の炭化水素が存在して再生器の燃焼負荷を増大させる事
のないように、この平均ストリッピング時間が十分でな
ければならない。
【００１２】再生区域の導入部分において触媒上に存在
するコークス量および再生モードが再生区域中において
得られる最終温度を決定する。コークスの燃焼から生じ
る熱量は単に熱損のほかに、同時に再生流体（空気およ
び／または酸素）を再熱し、燃焼ガスと触媒粒子との間
に分配されるからである。従って安定的作動状態におい
ては、外部要因によって熱平衡が変動しない限り、クラ
ッキングプラントの中で発生するコークス量はほぼ一定
となる。
【００１３】このコークス量は、再生区域の入口と出口
における触媒上に存在するコークス量の差、Δコークス
と関連している。
【００１４】Δコークスが増大すれば、従って再生され
る触媒温度が増大すれば、反応温度を許容範囲内に保持
するため、触媒粒子の循環量を低減せる必要がある。さ
らに、Δコークスの増大は触媒粒子の再生温度の上昇に
対応する。従って再生温度が制限されないＦＣＣ法によ
る最近のクラッキングプラントにおいては、Δコークス
の制御は基本的変数の１つと思われる。
【００１５】実際に、装入物がますます重質になり従っ
て沸点が高くなるの伴なって、ＦＣＣ法の操作条件がま
すます厳しくなるに従って、触媒粒子上のコークス堆積
量が増大している。ある意味では、これは有利であると
思われる。なぜかならば、その結果として反応区域の入
口における触媒粒子温度が上昇し、これは装入物のより
完全な蒸発と、アスファルテンの制御された熱クラッキ
ングと、触媒によってもたらされるエネルギーの増大と
を可能とするからである。しかし、触媒粒子の熱安定性
を保持して装入物中の、特に最も耐熱性の破片中の二、
三の成分の悪い作用を減少せるために、触媒粒子の再生
温度を制御し制限できる事が望ましい。さらに、装入物
と触媒粒子との接触を改良しまた装入物を触媒粒子のよ
り多くの活性部位と接触させる事によって装入物の転化
率を上昇させるため、Ｃ／Ｏ比、すなわち反応カラムの
入口における触媒量Ｃと装入物Ｏとの比率を増大させる
事がしばしば望ましい。
【００１６】ストリッピングを改良するため、種々の技
術が提案されている。特に下記の特許がストリッピング
改良法を開示している。
【００１７】米国特許第２，４７２，５０２号に記載の
ストリッピング装置は複数のグリッドセクションから成
る区域を含み、これらのグリッドセクションはストリッ
ピング区域中において相互に離間されまた反応器のケー
シング軸線に対して横方向に延在する。これらのグリッ
ドセクションは固体粒子の望ましくない循環を制限す
る。出願人は、この装置により、ストリッピングされな
いで直接に再生区域に向かって落下する固体粒子のパー
セントが制限される事を指摘している。また出願人は、
ストリッピングされた固体粒子が上方に循環する可能性
も制限されるとつけ加えているいる。
【００１８】米国特許第２，４８１，４３９号は、相互
に離間された複数のグリッドセクションから成るストリ
ッピング区域を含むストリッピング装置を目的とする。
各グリッドセクションは細胞を含み、固体粒子の下降波
を通してストリッピングガスの流出導溝の形成を避ける
ように相互に離間されている。これらのグリッドセクシ
ョンがストリッピング区域の長さの大部分を占めるのに
対して、グリッドセクション間のスペースはこのストリ
ッピング区域の小部分を占める。これらのスペースはス
トリッピング固体粒子とガスを再分布して濃密な流動化
乱流混合物を形成するために使用される。さらに、また
各グリッドセクションの細胞はガス流を複数の小ガス流
に細分する。従って出願人によれば、固体粒子は、グリ
ッドセクションによって画成される細胞を通過する際
に、これらの細分された小ガス流と密接に接触する。
【００１９】米国特許第２，４９１，５３６号は、米国
特許第２，４７２，５０２号に開示されたものとほぼ類
似の構造のストリッピング装置を記載している。ストリ
ッピングガスの導入されるストリッピング区域の最下部
分が複数の細胞に細分され、グリッドセクションはスト
リッピング区域の他の区域の中にのみ配置されている。
グリッドセクション間のスペースは固体粒子をストリッ
ピングガスの中に再分布させ、またグリッドセクション
の最小細胞によって形成される導溝の中に前記ガスが流
出する事を防止する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】前記の各特許に開示の
装置はストリッピングに伴なう問題点の一部しか解決し
ていない。さらに、前記の特許の手段はテクノロジーの
進展および新規な開発に適合しない。特にＦＣＣプラン
トのますます厳しくなる操作条件に対応できない。
【００２１】
【課題を解決するための手段】出願人は優れた結果を得
て先行技術に伴なう問題点を解決するため、流動化固体
粒子のストリッピングを改良するための新規な装置およ
び方法を開発した。
【００２２】このストリッピングガス流体の向流におい
て流動化された固体粒子をストリッピングする装置は、
ほぼ垂直のストリッピングケーシングと、ストリッピン
グされる粒子の導入のためにケーシングの頂点に開く少
なくとも１つの導管と、ストリッピングされた粒子の排
出のために前記ケーシングの底部に接続された少なくと
も１つ導管と、クラッキングされた装入物の少なくとも
１つの排出ラインと、ケーシングの底部に開く少なくと
も１つのストリッピングガス流体供給ラインと、前記ケ
ーシングの中において流体向流ストリッピングのための
前記ガス流体中に懸濁した粒子の下方への循環区域とを
含み、前記装置は少なくとも１つのライニングを含み、
このライニングは、ケーシング軸線に対してほぼ横方向
に配置された流通路を有する少なくとも１つの部品から
成り、前記部品は前記ケーシングの前記循環区域のケー
シングの横方向断面全体に延在し、複数の細胞から成
り、これらの細胞を通して粒子とストリッピング流体が
通過し、またこれらの細胞がストリッピング流体および
ストリッピングされる粒子の循環をほぼ放射方向に配向
する。
【００２３】この放射方向配向はストリッピング流体に
よる粒子の優れた分散と均質化とを可能とする。さらに
詳しくは、粒子はライニング部品中を通過した後にスペ
ースの中で再分布されて、流体による組織的な乱流状態
を保証し、粒子と流体の接触を不確定的に増大させる。
さらにこのライニング部品は、粒子の逆混合現象および
貫孔現象の出現、並びに固体またはガスのポケットの形
成を防止する。
【００２４】また前記ライニング部品の利用は粒子と流
体との接触区域のサイズを減少させる。実際に、この接
触が改善されるので、先行技術と比較して小サイズのス
トリッピングケーシングを使用する事ができ、しかもス
トリッピング性能を低下させない。これは部分的には、
ライニング部品の細胞の壁体によって生じる分割および
再結合作用によって説明される。細胞の壁体が噴射され
た流体を同一サイズの微細な泡状に細分し、ライニング
部品の内部および外部において泡の均質な分布を生じて
粒子との接触状態を改良する。
【００２５】また本発明はこの新規なストリッピング装
置によるストリッピング法を目的とする。ストリッピン
グ流体の向流において流動化固体粒子をストリッピング
するこの方法は、ストリッピングされる粒子をほぼ垂直
なストリッピングケーシングの頂点に導入する段階と、
ストリッピング流体をケーシングの底部に導入する段階
と、前記の懸濁粒子を下方に向かってケーシングの循環
区域を通して前記ストリッピング流体の向流において通
過させる段階とを含み、この方法においては、前記粒子
と向流流体が少なくとも１つのライニングを通過し、こ
のライニングはケーシングの軸線に対して横方向の流通
路を有する少なくとも１つの部品から成り、前記循環区
域の中でケーシングの横方向全断面にそって延在し、前
記部品は複数の細胞から成り、これらの細胞がケーシン
グ中の前記粒子と流体とを放射方向に配向する。
【００２６】本発明の装置および方法は、粒子懸濁液の
粒子中および粒子間容積中にあって流体向流状態で同伴
される流動化固体を効率的に回収する事ができる。
【００２７】ＦＣＣプラントの場合、これらの粒子は触
媒の不活性化された粒子である。前記の放射方向配向に
よって得られる粒子と流体との密接な接触により、粒子
表面上および粒子細孔の中に存在する流動化炭化水素を
よりよく脱離する事ができる。またガス流体の放射方向
配向は粒子間スペースによって同伴される炭化水素の回
収を改良する。このようにして、Δコークスが低くな
り、Ｃ／Ｏ比が増大し、これはプラントの熱／反応平衡
を改善するための柔軟性を与える。
【００２８】本発明の実施態様によれば、ライニング部
品の出口において粒子と向流流体が２つの相異なる方向
に反らされる。ガス流体と粒子のほぼ５０％が第１方向
にそらされ、他の５０％が第１方向と１０乃至９０度の
角度をなす第２方向に反らされる。このような偏向と放
射方向配向はライニング部品を構成する細胞のゼオメト
リーによって生じる。これらの細胞は種々の形状をとる
事ができる。
【００２９】例えばこれらの細胞は複数の折り曲げられ
た板を組立てこの組立体の面に対して横方向に切断する
事によって構成する事ができる。これらの板はパーフォ
レーションを備え、または条痕を備え、または凹凸を備
える事ができ、各板の折り曲げ稜が隣接板の折り曲げ稜
に対してほぼ４５乃至１３５度の角度を成すように組立
てられる。特に好ましい実施態様によれば、この角度を
９０度として、直角に交差したグルーブ網を画成する。
これらの交差点がライニング中の流体と粒子との密接な
接触点を成す。場合によっては、グルーブ網の交差グル
ーブが同形通路を成す。
【００３０】これらの折り曲げ板の配置によってライニ
ング部品中の粒子と流体の偏向が促進される。さらに詳
しくは前記の実施態様の場合、粒子とガス流体との５０
％が、第１板の折り曲げ稜と隣接の第２板の折り曲げ稜
との交差点において偏向され、この偏向方向はその初方
向に対してほぼ１０乃至９０度の範囲内にある。これら
の交差点が粒子とストリッピング流体との優先的接触区
域を成す。
【００３１】他の分野において使用されるライニング部
品の種々の構造を本発明を実施するために利用する事が
できる。特にスルツァー−ＳＭＶ（Ｓｕｌｚｅｒ−ＳＭ
Ｖ）またはケニックス（Ｋｅｎｉｃｓ）社によって市販
されるような静的ミキサはこの用途のために作製された
ものではないが、本発明によるライニング部品の構成す
るために適応させ変形する事ができる。
【００３２】使用されるストリッピングケーシングの型
によって、１つまたは複数のライニング部品を有する事
ができる。好ましい実施態様において、ストリッピング
ケーシングは少なくとも２つのライニング部品を含む。
付図に図示され下記の実施例において説明する特に好ま
しい実施態様においては、ストリッピングケーシングは
３個のライニング部品を含む。二、三の場合、特にＦＣ
Ｃ分野で使用される場合、流体内粒子を再分布させまた
特にコークスの破片を通過させるため、これらのライニ
ング部品は相互に離間される。ライニングはストリッピ
ングケーシングの内部容積の望ましくは２０乃至８０％
を占める。
【００３３】ストリッパーが複数のライニング部品を含
む場合、これらのライニング部品は、その１つの部品通
過後の触媒粒子と流体の方向の面が隣接部品通過後の触
媒粒子と流体の方向の面に対してほぼ９０度の角度を成
すようにストリッパー中に配置される。
【００３４】従って前記の細胞の形状においては、第１
ライニング部品の折り曲げられた板の面が、隣接第２ラ
イニング部品の折り曲げられた板の面とほぼ４５乃至９
０度の角度を成すように配置される事が好ましい。従っ
て、触媒粒子と流体の方向は、ライニング部品の内部で
偏向されるのみならず、各ライニング部品の入口と出口
においても偏向される。
【００３５】ライニング部品の全厚さＥは、粒子と流体
との接触が実施されるストリッピング区域の高さＨに依
存して選択される。一般にこの厚さＥはストリッピング
区域の高さＨの１０乃至８０％である。
【００３６】さらに各ライニング部品について、このラ
イニング部品の全体積に対する細胞の体積は５０乃至９
８％、好ましくは９０乃至９８％の範囲内とする。この
範囲内において粒子とストリッピングガスとの乱流状態
を妨げる事なくその良好な循環を生じる事ができる。
【００３７】付図は本発明を実施するストリッピング装
置を概略図示する。これらの付図の詳細な説明により本
発明の新規なストリッピング装置の目的および利点が理
解されよう。もちろん下記の実施例は非制限的なもので
あって、当業者はストリッピング段階を必要とする他の
プラントに本発明の装置を適用する事ができよう。
【００３８】
【発明の実施の形態】図１に図示のＦＣＣ法による触媒
クラッキング装置は公知の型である。この装置は本質的
に装入物エレベータと呼ばれる外側カラム１を含み、こ
のカラム１は、ライン２を通して、処理される装入物を
供給され、導管３を通してクラッキング触媒の粒子を受
ける。ガス上昇媒体、例えば空気がライン３５からカラ
ム１の中に導入される。
【００３９】外側カラム１はその頂点においてケーシン
グ４の中に開き、このケーシング４の中でクラッキング
された装入物の分離と、不活性化された触媒粒子のスト
リッピングとが実施される。
【００４０】本発明の場合、ストリッパー４ａはカラム
１に対して偏心されている。しかし、ストリッパーは他
の形状および配置を有する事ができる。例えばストリッ
パーはカラム１に対して同心とする事ができるが、これ
には対応の部品設計が必要である。
【００４１】処理される装入物はケーシング４中に配置
されたサイクロン５の中で分離され、ケーシング４の頂
上にはクラッキングされた装入物の排出ライン６が備え
られ、また不活性化された触媒粒子は重力によってケー
シング４の底部４ａに向かって移動する。ライン７がス
トリッピング流体、一般に水蒸気を、ケーシング４の底
部４ａに規則的に配置された流動化ガスのインゼクタま
たは拡散装置８に供給する。従って好ましくはストリッ
ピングは触媒粒子の向流において濃密媒質の中で実施さ
れる。
【００４２】このようにしてストリッピングされて不活
性化された触媒粒子はケーシング４の底部から導管１０
を通して再生器９に向かって排出され、この導管１０上
に調整弁１１が配備されている。再生器９の中におい
て、触媒粒子上に堆積したコークスが、ライン１２から
再生器底部に噴射される空気によって燃焼される。この
ライン１２は一定間隔でインゼクタ１３に空気を供給す
る。処理された触媒粒子は燃焼ガスによって同伴されて
サイクロン１４によって分離され、サイクロンから燃焼
ガスがライン１５によって排出され、他方触媒粒子は再
生器９の底部に落下して、そこから調整弁１６を備えた
導管３によって、装入物エレベータ１の供給のために循
環される。
【００４３】このような装置のサイズ特性および動作特
性は通常下記のようである。
【００４４】 エレベータ１の反応部分の高さ：５−４０メートル、 クラッキングされる装入物の温度：７５−４５０℃、 エレベータ１の被処理装入物の供給流量：１０００−2
0,000トン／日、 エレベータ１の触媒供給流量：３−５０トン／分、 エレベータ１中のクラッキング温度：５００−６００
℃、 エレベータ１中の装入物滞留時間：０．１−１０秒、 触媒再生温度：６５０−９００℃、 再生器９中の触媒滞留時間：５−２０分。
【００４５】図２に概略図示のストリッパー４は本発明
による装置を含む。このストリッパーの懸濁状態の触媒
粒子とストリッピングガスとの向流循環区域３６中に３
ライニング部品１７、１８および１９を加えた。
【００４６】これらの３部品１７、１８、１９はケーシ
ング４の軸線に対してほぼ垂直に配置されまた相互にほ
ぼ平行である。これらの３部品はストリッピング流体の
分布用インゼクタ８の上方に配置されている。これらの
部品のケーシング４の壁体に対する固定は先行技術の手
段によって実施され、この手段がストリッピング中、前
記部品を不動状態に保持する。
【００４７】この実施態様において、ライニング部品１
７、１８、１９はスペース２０、２１によって相互に分
離され、これらのスペースはライニング部品間の閉塞と
破片、特にコークスの堆積の問題を避けるためのもので
ある。これらのスペースの中におけるガスと粒子の放射
方向流出と、均質な粒子／ガス比との故に、ストリッピ
ング効率が著しく改善される。実際にこれらのスペース
２０、２１は、放射方向に向かう破片を１つのライニン
グ部品から他のライニング部品に通過させる。またこれ
らのスペースは、ライニング部品間において流動化濃密
混合物の乱流を生じる事により、粒子と流体の再分布を
生じる。
【００４８】これらのライニング部品は、折り曲げられ
た板を組合わせてその組立体の面に対して横方向に切断
する事によって形成される。ストリッパーの内部におい
て、各ライニング部品は第１部品の折り曲げられた板の
面が隣接部品の折り曲げられた板の面に対してほぼ９０
度の角度を成すように配向される。このようにして、第
１部品の通過後に触媒粒子と流体の循環方向が第２部品
通過後の触媒粒子と流体の循環方向に対してほぼ９０度
を成し、この事がライニング部品の外部における触媒粒
子の再分布を改良しまた流体による組織的乱流状態を形
成する。
【００４９】図３はライニング部品の一部の平面図であ
る。
【００５０】このライニング部品は複数の折り曲げられ
た板をその面に対して横方向に切断して形成される。こ
れらの折り曲げられた板は、各板の折り曲げ稜２２が隣
接板の折り曲げ稜２２’に対してほぼ９０度の角度を成
すように組立てられる。このようにして各板の折り曲げ
稜が隣接板の折り曲げ稜と交差し、交差したグルーブ網
２３、２４から成る細胞構造を成す。これらのグルーブ
の交差区域が粒子と流体の優先的接触区域を成す。
【００５１】これらのグルーブ２３、２４を通る向流状
態の粒子と流体は濃密な流動化状態に保持される。この
ような細胞構造の断面はライニング部品中の粒子閉塞現
象を避けるように選ばれる。
【００５２】図示の場合、波形板は相互に折り曲げ稜２
２、２２’のレベルで溶接される。触媒粒子がグルーブ
２３、２４の中に進入して案内される。各グルーブの配
置により、第１板の折り曲げ稜と隣接の第２板の折り曲
げ稜とによって形成される各交差点で粒子がそらされ
て、粒子と向流ストリッピング流体の分割と再混合とを
改善する。
【００５３】図４は３部品２５、２６、２７から成るラ
イニング組立体の全体図である。これらの部品はセパレ
ータ２８、２９によって相互に分離されてスペース３
０、３１の中での粒子と流体との再分布を生じる。スト
リッピング流体はこれらの部品を通して下から上へと循
環し、粒子は上から下へと循環して、逆混合現象および
貫孔現象は避けられる。
【００５４】実施例 下記に説明する類似条件で実施されたテストは本発明を
説明するためのものであって、特に本発明によるストリ
ッピング装置およびストリッピング法による二、三の利
点を示す。
【００５５】移動流動床型触媒クラッキングプラントの
ストリッピングケーシングの中で本発明の方法を再現す
るための代表的なテストを実施した。これらのテスト結
果を、ストリッピング区域にじゃま板を備えた装置の性
能と比較した。
【００５６】テストは市販プラントの中で、ほぼ２・１
０5 パスカルの圧力で実施される。ストリッピング流量
はストリッピング蒸気２．８トン／時の高水準に保持さ
れる。これは、２６０％の空容積洗浄率に相当する。処
理された装入物はＶＧＯ（バキューム・ガス・オイル）
と、北海原油の大気圧残留物との混合物（４０／６０
比）であって、このプラントを５２０℃で操作する。
【００５７】
【表１】 テストＮｏ．１においてストリッピングケーシングは先
行技術構造のじゃま板を含み、米国特許第３，４７２，
５０２号に記載のグリッドと類似の性能を有する。テス
トＮｏ．２においてストリッピングケーシングはストリ
ッピング区域３の中に本発明によるスペースによって分
離されたストリッピング部品を含む。
【００５８】
【発明の効果】本発明を実施したプラントにおいては再
生温度および後燃（一般に「アフターバーニング」とよ
ばれる）温度の著しい低下が見られる。コークス水素お
よびΔコークスのパーセントも低下し、これはストリッ
ピング区域における良好な接触と洗浄効果とを示し、従
って触媒粒子上および粒子間の炭化水素の非常にすぐれ
た回収を示す。
【００５９】ストリッピングの高い効率は装置内部にお
けるＣ／Ｏ比（装入物Ｏと接触する触媒Ｃの質量比）を
増大させる事ができ、従って装入物を触媒粒子のより多
数の活性部位と接触させる事により装入物の転化率を向
上させる事ができる。
【００６０】さらに、装置の触媒粒子の安定性を増大
し、これは装置中に粒子の適量を保持しながら、新しい
触媒粒子の毎日の添加量と不活性化された触媒粒子の毎
日の抽出量とを低減させる。
【００６１】第３テスト（テストＮｏ．３）は１．６ｔ
／ｈのオーダの少ないストリッピング蒸気によって実施
された。この結果もテストＮｏ．１と比較して満足な結
果である。すなわち本発明によるストリッピングは、先
行技術に対して効率を改良しながらストリッピング蒸気
の消費量を低減する事ができる。その結果、エネルギー
が節約され、またストリッピングに使用される蒸気の凝
縮による汚染水の量を低減させる事ができる。
【００６２】前記の結果はこの新規ストリッピング装置
によって得られる利得を示す。特にガスと触媒粒子との
接触の改良の結果、再生器への炭化水素同伴量が低下
し、コークスの水素含有量が低下し、また後燃現象が除
去される。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術の触媒クラッキング装置の概略図。
【図２】ＦＣＣプラントのストリッパーに適用された本
発明の実施態様を示す概略図。
【図３】本発明のライニング部品の一部の斜視図。
【図４】本発明によるライニング部品全体の斜視図。
【符号の説明】
４ ストリッピングケーシング ４ａ ストリッパー ７ ストリッピングガス ８ インゼクタ ９ 再生器 １０ 導管 １７ ライニング部品 １８ ライニング部品 １９ ライニング部品 ２０ スペース ２１ スペース ２２ 折り曲げ稜 ２２’ 折り曲げ稜 ２３ グルーブ網 ２４ グルーブ網 ２５ ライニング部品 ２６ ライニング部品 ２７ ライニング部品 ３０ スペース ３１ スペース ３６ 循環区域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティエリ、パテュロー フランス国フォンテーヌ、ラ、マイエ、リ ュ、デ、フレーヌ、10 (72)発明者 フィリップ、スラン フランス国モンティビリエ、アンパース、 エリック、サティ、17 (72)発明者 ジャン‐ルイ、モレオン フランス国サント、クロワ、シュール、エ ジエ、ラ、マール、アース（番地なし)

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ストリッピングガス流体の向流において流
    動化された固体粒子をストリッピングする装置におい
    て、 ほぼ垂直のストリッピングケーシング（４，４ａ）と、 ストリッピングされる粒子の導入のためにケーシングの
    頂点に開く少なくとも１つの導管と、 ストリッピングされた粒子の排出のために前記ケーシン
    グの底部に接続された少なくとも１つ導管（１０）と、 クラッキングされた装入物の少なくとも１つの排出ライ
    ンと、 ケーシングの底部（４ａ）に開く少なくとも１つのスト
    リッピングガス流体供給ライン（８）と、 前記ケーシングの中において流体向流ストリッピングの
    ための前記ガス流体中に懸濁した粒子の下方への循環区
    域とを含み、 前記装置は少なくとも１つのライニング（１７、１８、
    １９）を含み、このライニングは、ケーシング軸線に対
    してほぼ横方向に配置された流通路を有する少なくとも
    １つの部品から成り、前記部品は前記ケーシングの前記
    循環区域のケーシングの横方向断面全体に延在し、複数
    の細胞から成り、これらの細胞を通して粒子とストリッ
    ピング流体が通過し、またこれらの細胞がストリッピン
    グ流体およびストリッピングされる粒子の循環をほぼ放
    射方向に配向する事を特徴とするストリッピング装置。
  2. 【請求項２】前記ライニング部品は流体および粒子のほ
    ぼ５０％をこの部品外部に向かって第１方向に配向し、
    他のほぼ５０％を前記第１方向に対して１０乃至９０度
    の角度を成す第２方向に配向する事を特徴とする請求項
    １に記載の装置。
  3. 【請求項３】前記部品は複数の折り曲げられた板（２
    ２、２２’）を組立てその面に対して横方向に切断する
    事によって形成された複数の細胞から成り、各板の折り
    曲げ稜（２２）が隣接板の折り曲げ稜（２２’）に対し
    てほぼ４５乃至１３５度の角度を成すように、これらの
    折り曲げられた板が組立てられる事を特徴とする請求項
    １または２のいずれかに記載の装置。
  4. 【請求項４】細胞がほぼ均一断面の交差グルーブ（２
    ３、２４）の網状構造を成す事を特徴とする請求項１に
    記載の装置。
  5. 【請求項５】粒子と流体のほぼ５０％が部品内部におい
    て、第１板の折り曲げ稜（２２）と隣接の第２板の折り
    曲げ稜（２２’）との交差点で初方向からそらされ、こ
    のそらせ方向は初方向に対してほぼ１０乃至９０度の角
    度を成す事を特徴とする請求項３または４のいずれかに
    記載の装置。
  6. 【請求項６】前記第１板の折り曲げ稜（２２）と隣接の
    第２板の折り曲げ稜（２２’）との交差点がストリッピ
    ング粒子および流体の間の接触区域を成す事を特徴とす
    る請求項３または４のいずれかに記載の装置。
  7. 【請求項７】前記ライニングは上下に平行に配置された
    少なくとも２つのライニング部品（１７、１８、１９）
    を含む事を特徴とする請求項１に記載の装置。
  8. 【請求項８】前記ライニングは３平行部品を含む事を特
    徴とする請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】第１部品の折り曲げ板（２２）の面が隣接
    部品の折り曲げ板（２２’）の面に対してほぼ４５乃至
    ９０度の角度を成すように配向されている事を特徴とす
    る請求項７または８のいずれかに記載の装置。
  10. 【請求項１０】ライニングの全体厚さＥとケーシングの
    ストリッピング区域の高さＨとの比Ｅ／Ｈが１０乃至８
    ０％の範囲内に含まれる事を特徴とする請求項７または
    ８のいずれかに記載の装置。
  11. 【請求項１１】ライニングの占めるスペースがストリッ
    ピングケーシングの内部容積の約２０乃至８０％を成す
    事を特徴とする請求項１に記載の装置。
  12. 【請求項１２】ライニング部品（１７、１８、１９）が
    相互に離間され、これらのライニング部品を離間するス
    ペースが流体中の粒子の再分布を促進する事を特徴とす
    る請求項７または８のいずれかに記載の装置。
  13. 【請求項１３】ライニング部品の全体積に対する細胞の
    体積が５０乃至９８％の範囲内にある事を特徴とする請
    求項１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】ライニング部品の全体積に対する細胞の
    体積が９０乃至９８％の範囲内にある事を特徴とする請
    求項１２に記載の装置。
  15. 【請求項１５】ストリッピングされる粒子をほぼ垂直な
    ストリッピングケーシング（４，４ａ）の頂点に導入す
    る段階と、 ストリッピング流体をケーシングの底部（４ａ）に導入
    する段階と、 前記の懸濁粒子を下方に向かってケーシングの循環区域
    （３６）を通して前記ストリッピング流体の向流におい
    て通過させる段階とを含むストリッピング流体の向流に
    おいて流動化固体粒子をストリッピングする方法におい
    て、 この方法は、前記粒子と向流流体が少なくとも１つのラ
    イニング（１７、１８、１９）を通過し、このライニン
    グはケーシングの軸線に対して横方向の流通路を有する
    少なくとも１つの部品から成り、前記部品は複数の細胞
    から成り、前記循環区域（３６）の中でケーシングの横
    方向全断面にそって延在し、ケーシング中の前記粒子と
    流体とを放射方向に配向する事を特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】流動床触媒クラッキングプラントの中で
    利用することを特徴とする請求項１乃至１４の装置およ
    び請求項１５の方法。
  17. 【請求項１７】ライニング部品（１７、１８、１９）は
    静的ミキサである事を特徴とする請求項１６に記載の装
    置および方法。
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