JPH082654Y2 - 液晶表示素子用電極基板 - Google Patents
液晶表示素子用電極基板Info
- Publication number
- JPH082654Y2 JPH082654Y2 JP1988068682U JP6868288U JPH082654Y2 JP H082654 Y2 JPH082654 Y2 JP H082654Y2 JP 1988068682 U JP1988068682 U JP 1988068682U JP 6868288 U JP6868288 U JP 6868288U JP H082654 Y2 JPH082654 Y2 JP H082654Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- transparent
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、主にマトリックス型の液晶表示素子に使
用される液晶表示素子用電極基板に関するものである。
用される液晶表示素子用電極基板に関するものである。
テレビジョン画像等を表示するマトリックス型の液晶
表示素子は、液晶層をはさんで対向する一対の透明基板
の一方に多数の透明セグメンメト電極を配列形成し、他
方の基板に前記走査電極と対向する透明コモン電極を配
列形成したもので、フルカラー画像を表示する液晶表示
素子は、各セグメント電極またはコモン電極の上に、
赤、緑、青の三原色のカラーフィルタを交互に形成した
構成となっている。
表示素子は、液晶層をはさんで対向する一対の透明基板
の一方に多数の透明セグメンメト電極を配列形成し、他
方の基板に前記走査電極と対向する透明コモン電極を配
列形成したもので、フルカラー画像を表示する液晶表示
素子は、各セグメント電極またはコモン電極の上に、
赤、緑、青の三原色のカラーフィルタを交互に形成した
構成となっている。
ところで、この種の液晶表示素子（特にフルカラー画
像を表示するカラー液晶表示素子）においては、その表
示品質を良くするために、一方または両方の基板の各電
極間に遮光膜を設けて、各表示画素間にブラックストラ
イプをつくっている。
像を表示するカラー液晶表示素子）においては、その表
示品質を良くするために、一方または両方の基板の各電
極間に遮光膜を設けて、各表示画素間にブラックストラ
イプをつくっている。
第３図は単純ストライプ型のカラー液晶表示素子に使
用される従来の電極基板を示したもので、図中１はガラ
ス等からなる透明基板であり、この基板１面にはITO等
の透明導電膜からなる多数本のストライプ状透明電極
（セグメント電極またはコモン電極）２が形成されてお
り、この各電極２の上には、赤色フィルタＲと緑色フィ
ルタＧと青色フィルタＢとが交互に形成されている。こ
の各カラーフィルタR,G,Bは、基板１の電極形成面上に
天然または合成蛋白質物質からなる被染色材料をスピン
コート法により塗布してこの塗膜をフォトエッチング法
でパターニングすることにより、赤、緑、青のうちの１
色のカラフィルタを形成する電極２上に被染色膜を形成
し、この被染色膜を赤、緑、青のうちの１色に染色する
工程を繰返して形成されたもので、遮光膜３は、各電極
2,2間に各カラーフィルタR,G,Bとほぼ同じ厚さに形成さ
れており、またこの遮光膜３とカラーフィルタR,G,Bに
上には配向膜４が形成されている。上記遮光膜３は、カ
ラーフィルタR,G,Bの形成と同様に、基板１面に被染色
材料を塗布してこの塗膜をパターニングすることにより
各電極2,2間に被染色膜を形成し、この被染色膜を黒色
に染色して形成されている。なお、この遮光膜３は、白
黒画像を表示する液晶表示素子にも設けられることがあ
り、この液晶表示素子の電極基板は、第３図の基板から
カラーフィルターR,G,Bをなくした構造となっている。
用される従来の電極基板を示したもので、図中１はガラ
ス等からなる透明基板であり、この基板１面にはITO等
の透明導電膜からなる多数本のストライプ状透明電極
（セグメント電極またはコモン電極）２が形成されてお
り、この各電極２の上には、赤色フィルタＲと緑色フィ
ルタＧと青色フィルタＢとが交互に形成されている。こ
の各カラーフィルタR,G,Bは、基板１の電極形成面上に
天然または合成蛋白質物質からなる被染色材料をスピン
コート法により塗布してこの塗膜をフォトエッチング法
でパターニングすることにより、赤、緑、青のうちの１
色のカラフィルタを形成する電極２上に被染色膜を形成
し、この被染色膜を赤、緑、青のうちの１色に染色する
工程を繰返して形成されたもので、遮光膜３は、各電極
2,2間に各カラーフィルタR,G,Bとほぼ同じ厚さに形成さ
れており、またこの遮光膜３とカラーフィルタR,G,Bに
上には配向膜４が形成されている。上記遮光膜３は、カ
ラーフィルタR,G,Bの形成と同様に、基板１面に被染色
材料を塗布してこの塗膜をパターニングすることにより
各電極2,2間に被染色膜を形成し、この被染色膜を黒色
に染色して形成されている。なお、この遮光膜３は、白
黒画像を表示する液晶表示素子にも設けられることがあ
り、この液晶表示素子の電極基板は、第３図の基板から
カラーフィルターR,G,Bをなくした構造となっている。
しかしながら、上記従来の電極基板は、基板１面に透
明電極２を形成した後に、この基板１面に被染色材料の
塗布およびそのパターニングを行なって各電極2,2間に
被染色膜を形成し、この被染色膜を黒色に染色して遮光
膜３としたものであるために、遮光膜３となる被染色膜
を、高い精度でマスク合せを行なってパターニングしな
ければならず、したがって遮光膜３の形成が面倒である
という問題をもっていた。
明電極２を形成した後に、この基板１面に被染色材料の
塗布およびそのパターニングを行なって各電極2,2間に
被染色膜を形成し、この被染色膜を黒色に染色して遮光
膜３としたものであるために、遮光膜３となる被染色膜
を、高い精度でマスク合せを行なってパターニングしな
ければならず、したがって遮光膜３の形成が面倒である
という問題をもっていた。
この考案は上記のような実情にかんがみてなされたも
のであって、その目的とするところは、透明電極の形成
と同時に各電極間の遮光膜も形成することができるよう
にした、製造の容易な液晶表示素子用電極基板を提供す
ることにある。
のであって、その目的とするところは、透明電極の形成
と同時に各電極間の遮光膜も形成することができるよう
にした、製造の容易な液晶表示素子用電極基板を提供す
ることにある。
この考案は上記目的を達成するために、透明基板面に
多数の透明電極を配列形成するとともにこの各透明電極
間に遮光膜を形成した液晶表示素子用電極基板におい
て、前記透明電極は、前記透明基板上に被着された不純
物無添加のアモルファスシリコン膜とクロムとの固相反
応による透明なクロムシリサイド膜で形成され、前記遮
光膜は不透明な前記アモルファスシリコン膜で形成され
ていることを特徴とするものであるる。
多数の透明電極を配列形成するとともにこの各透明電極
間に遮光膜を形成した液晶表示素子用電極基板におい
て、前記透明電極は、前記透明基板上に被着された不純
物無添加のアモルファスシリコン膜とクロムとの固相反
応による透明なクロムシリサイド膜で形成され、前記遮
光膜は不透明な前記アモルファスシリコン膜で形成され
ていることを特徴とするものであるる。
この考案の電極基板は、透明基板面に不純物無添加の
アモルファスシリコン膜とクロム膜とを積層形成した後
に、上層のクロム膜を電極の形状にパターニングし、こ
の後、熱処理によりアモルファスシリコンとクロムとを
固相反応させてクロムシリサイド膜を生成する方法で製
造されるものであり、生成したクロムシリサイド膜は高
い光透過率と導電性をもつ透明電極となり、またクロム
膜を除去した部分のアモルファスシリコン膜はそのまま
遮光膜となる。なお、この遮光膜となるアモルファスシ
リコン膜は不純物を添加していないものであるために、
このアモルファスシリコン膜からなる遮光膜は大きな抵
抗値をもっているから、隣接する透明電極がその間の遮
光膜によって短絡されることはない。したがってこの電
極基板によれば、透明電極の形成と同時に各電極間の遮
光膜も形成することができるから、その製造は容易であ
る。
アモルファスシリコン膜とクロム膜とを積層形成した後
に、上層のクロム膜を電極の形状にパターニングし、こ
の後、熱処理によりアモルファスシリコンとクロムとを
固相反応させてクロムシリサイド膜を生成する方法で製
造されるものであり、生成したクロムシリサイド膜は高
い光透過率と導電性をもつ透明電極となり、またクロム
膜を除去した部分のアモルファスシリコン膜はそのまま
遮光膜となる。なお、この遮光膜となるアモルファスシ
リコン膜は不純物を添加していないものであるために、
このアモルファスシリコン膜からなる遮光膜は大きな抵
抗値をもっているから、隣接する透明電極がその間の遮
光膜によって短絡されることはない。したがってこの電
極基板によれば、透明電極の形成と同時に各電極間の遮
光膜も形成することができるから、その製造は容易であ
る。
以下、この考案の一実施例を単純マトリックス型のカ
ラー液晶表示素子に使用される電極基板について説明す
る。
ラー液晶表示素子に使用される電極基板について説明す
る。
第１図において、11はガラス等からなる透明基板であ
り、この基板11面には、多数本のストライプ状透明電極
（セグメント電極またはコモン電極）12と、この各電極
12,12間を通る光を遮光するストライプ状の遮光膜13と
が形成されている。この遮光膜13は、不純物無添加のア
モルファスシリコン膜からなっており、また透明電極12
は、上記アモルファスシリコンとクロムとを固相反応さ
せたクロムシリサイド膜からなっている。また、各電極
12,12の上には、赤色フィルタＲと緑色フィルタＧと青
色フィルタＢとが交互に形成されており、その上には配
向膜14が形成されている。
り、この基板11面には、多数本のストライプ状透明電極
（セグメント電極またはコモン電極）12と、この各電極
12,12間を通る光を遮光するストライプ状の遮光膜13と
が形成されている。この遮光膜13は、不純物無添加のア
モルファスシリコン膜からなっており、また透明電極12
は、上記アモルファスシリコンとクロムとを固相反応さ
せたクロムシリサイド膜からなっている。また、各電極
12,12の上には、赤色フィルタＲと緑色フィルタＧと青
色フィルタＢとが交互に形成されており、その上には配
向膜14が形成されている。
第２図は基板11面に透明電極12と遮光膜13を形成する
方法を工程順に示したもので、この透明電極12と遮光膜
13は次のようにして形成される。まず第２図（ａ）に示
すように、基板11面全体にスパッタリング法またはCVD
法により不純物無添加のアモルファスシリコン（Si）を
被着させて膜厚1000〜2000Åのアモルファスシリコン膜
ａを形成する。このアモルファスシリコン膜ａは不透明
膜である。次に、このアモルファスシリコン膜ａの上に
その全面にわたってクロム（Cr）をスパッタリング法ま
たは真空蒸着法により500〜1000Åの厚さに被着させ
て、第２図（ｂ）に示すようにアモルファスシリコン膜
ａとその上のクロム膜ｂとからなる二層膜を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように上記クロム膜ｂをフォ
トエッチング法により形成する透明電極12の形状にパタ
ーニングし、この後、基板11全体を窒素ガス雰囲気中に
おいて450℃で30分〜３時間熱処理する。この熱処理を
行なうと、クロム膜ｂが残っている二層膜部分におい
て、下層膜ａのアモルファスシリコンと上層膜ｂのクロ
ムとが固相反応を起し、この二層膜部分が第２図（ｄ）
に示すようにクロムシリサイド（CrSi2）膜ｃに変化す
る。このクロムシリサイド膜ｃは、高い光透過率と導電
性をもっており、このクロムシリサイド膜ｃそのものが
透明電極12となる。また、クロム膜ｂを除去した部分
は、アモルファスシリコン膜ａだけの単層膜であり、こ
の部分のアモルファスシリコン膜ａは上記熱処理を行な
っても何等変化しないから、この部分のアモルファスシ
リコン膜ａは不透明のままであり、したがってこの部分
のアモルファスシリコン膜ａはそのまま遮光膜13とな
る。なお、この遮光膜13となるアモルファスシリコン膜
ａは不純物が何等添加されていないものであるために、
このアモルファスシリコン膜ａからなる遮光膜13は大き
な抵抗値をもっているから、隣接する透明電極2,12がそ
の間の遮光膜13によって短絡されることはない。この後
は、各透明電極12,12の上に従来のカラフィルタ形成方
法と同様にして赤、緑、青のカラーフィルターR,G,Bを
形成し、その上に配向膜14を形成して電極基板を完成す
ればよい。
方法を工程順に示したもので、この透明電極12と遮光膜
13は次のようにして形成される。まず第２図（ａ）に示
すように、基板11面全体にスパッタリング法またはCVD
法により不純物無添加のアモルファスシリコン（Si）を
被着させて膜厚1000〜2000Åのアモルファスシリコン膜
ａを形成する。このアモルファスシリコン膜ａは不透明
膜である。次に、このアモルファスシリコン膜ａの上に
その全面にわたってクロム（Cr）をスパッタリング法ま
たは真空蒸着法により500〜1000Åの厚さに被着させ
て、第２図（ｂ）に示すようにアモルファスシリコン膜
ａとその上のクロム膜ｂとからなる二層膜を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように上記クロム膜ｂをフォ
トエッチング法により形成する透明電極12の形状にパタ
ーニングし、この後、基板11全体を窒素ガス雰囲気中に
おいて450℃で30分〜３時間熱処理する。この熱処理を
行なうと、クロム膜ｂが残っている二層膜部分におい
て、下層膜ａのアモルファスシリコンと上層膜ｂのクロ
ムとが固相反応を起し、この二層膜部分が第２図（ｄ）
に示すようにクロムシリサイド（CrSi2）膜ｃに変化す
る。このクロムシリサイド膜ｃは、高い光透過率と導電
性をもっており、このクロムシリサイド膜ｃそのものが
透明電極12となる。また、クロム膜ｂを除去した部分
は、アモルファスシリコン膜ａだけの単層膜であり、こ
の部分のアモルファスシリコン膜ａは上記熱処理を行な
っても何等変化しないから、この部分のアモルファスシ
リコン膜ａは不透明のままであり、したがってこの部分
のアモルファスシリコン膜ａはそのまま遮光膜13とな
る。なお、この遮光膜13となるアモルファスシリコン膜
ａは不純物が何等添加されていないものであるために、
このアモルファスシリコン膜ａからなる遮光膜13は大き
な抵抗値をもっているから、隣接する透明電極2,12がそ
の間の遮光膜13によって短絡されることはない。この後
は、各透明電極12,12の上に従来のカラフィルタ形成方
法と同様にして赤、緑、青のカラーフィルターR,G,Bを
形成し、その上に配向膜14を形成して電極基板を完成す
ればよい。
このように、上記電極基板は、透光膜13を不純物無添
加のアモルファスシリコン膜ａとするとともに、透明電
極12を、上記アモルファスシリコンとクロムとを同相反
応させたクロムシリサイド膜ｃとしたものであるから、
透明電極12の形成と同時に各電極12,12間の遮光膜13も
形成することができ、したがってこの電極基板の製造は
容易である。
加のアモルファスシリコン膜ａとするとともに、透明電
極12を、上記アモルファスシリコンとクロムとを同相反
応させたクロムシリサイド膜ｃとしたものであるから、
透明電極12の形成と同時に各電極12,12間の遮光膜13も
形成することができ、したがってこの電極基板の製造は
容易である。
なお、上記実施例では、単純マトリックス型のカラー
液晶表示素子に使用される電極基板について説明した
が、この考案は、多重マトリックス型やアクティブマト
リックス型のカラー液晶表示素子に使用される電極基板
にも、また電極12上にカラーフィルタを設けていない白
黒画像表示用液晶表示素子の電極基板にも適用できるこ
とはもちろんである。
液晶表示素子に使用される電極基板について説明した
が、この考案は、多重マトリックス型やアクティブマト
リックス型のカラー液晶表示素子に使用される電極基板
にも、また電極12上にカラーフィルタを設けていない白
黒画像表示用液晶表示素子の電極基板にも適用できるこ
とはもちろんである。
この考案の液晶表示素子用電極基板によれば、透明電
極の形成と同時に各電極間の遮光膜も形成することがで
きるから、その製造は容易である。
極の形成と同時に各電極間の遮光膜も形成することがで
きるから、その製造は容易である。
第１図および第２図はこの考案の一実施例を示したもの
で、第１図は電極基板の断面図、第２図は基板面に透明
電極と遮光膜を形成する方法を工程順に示す基板の断面
図である。第３図は従来の電極基板の断面図である。 11……透明基板、12……透明電極（クロムシリサイド
膜）、13……遮光膜（不純物無添加のアモルファスシリ
コン膜）、R,G,B……カラーフィルタ、14……配向膜。
で、第１図は電極基板の断面図、第２図は基板面に透明
電極と遮光膜を形成する方法を工程順に示す基板の断面
図である。第３図は従来の電極基板の断面図である。 11……透明基板、12……透明電極（クロムシリサイド
膜）、13……遮光膜（不純物無添加のアモルファスシリ
コン膜）、R,G,B……カラーフィルタ、14……配向膜。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板面に多数の透明電極を配列形成す
るとともにこの各透明電極間に遮光膜を形成した液晶表
示素子用電極基板において、前記透明電極は、前記透明
基板上に被着された不純物無添加のアモルファスシリコ
ン膜とクロムとの固相反応による透明なクロムシリサイ
ド膜で形成され、前記遮光膜は不透明な前記アモルファ
スシリコン膜で形成されていることを特徴とする液晶表
示素子用電極基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988068682U JPH082654Y2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 液晶表示素子用電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988068682U JPH082654Y2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 液晶表示素子用電極基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172025U JPH01172025U (ja) | 1989-12-06 |
| JPH082654Y2 true JPH082654Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31293986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988068682U Expired - Lifetime JPH082654Y2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 液晶表示素子用電極基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082654Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2658873B2 (ja) * | 1994-05-30 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 光電変換素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148711A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | ミノルタ株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP1988068682U patent/JPH082654Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01172025U (ja) | 1989-12-06 |
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