JPH04277722A - カラー液晶表示パネル - Google Patents
カラー液晶表示パネルInfo
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- JPH04277722A JPH04277722A JP3039663A JP3966391A JPH04277722A JP H04277722 A JPH04277722 A JP H04277722A JP 3039663 A JP3039663 A JP 3039663A JP 3966391 A JP3966391 A JP 3966391A JP H04277722 A JPH04277722 A JP H04277722A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶表示パネル
に関し、特にＭＩＭダイオードアレイとカラーフィルタ
を組み合せたアクティブマトリクス型カラー液晶表示パ
ネルに関する。
に関し、特にＭＩＭダイオードアレイとカラーフィルタ
を組み合せたアクティブマトリクス型カラー液晶表示パ
ネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＩＭダイオードアレイとカラー
フィルタを組み合せたアクティブマトリクス型カラー液
晶表示パネルを構成する一対の電極基板は、一方の電極
基板にＭＩＭダイオードアレイと表示電極が設けられ、
他方の電極基板に、下層からカラーフィルタ，表示電極
に対向する帯状電極あるいは、逆に帯状電極，カラーフ
ィルタの順に形成されている。表示電極及び帯状電極は
、光を透過する酸化インジウム・スズの合金をスパッタ
法で成膜されたものをパターン化したものである。
フィルタを組み合せたアクティブマトリクス型カラー液
晶表示パネルを構成する一対の電極基板は、一方の電極
基板にＭＩＭダイオードアレイと表示電極が設けられ、
他方の電極基板に、下層からカラーフィルタ，表示電極
に対向する帯状電極あるいは、逆に帯状電極，カラーフ
ィルタの順に形成されている。表示電極及び帯状電極は
、光を透過する酸化インジウム・スズの合金をスパッタ
法で成膜されたものをパターン化したものである。
【０００３】図４（ａ）は、ガラス基板２上にゼラチン
膜を形成しその膜中に赤・緑・青の酸性染料を拡散させ
たカラーフィルタ４を設け、次に、スパッタ法で酸化イ
ンジウム・スズ膜を形成し帯状にパターン化された帯状
電極７を設けたものである。図４（ｂ）は、カラーフィ
ルタと帯状電極の形成順序を入れ換えたもので、その製
法は前者と同じである。
膜を形成しその膜中に赤・緑・青の酸性染料を拡散させ
たカラーフィルタ４を設け、次に、スパッタ法で酸化イ
ンジウム・スズ膜を形成し帯状にパターン化された帯状
電極７を設けたものである。図４（ｂ）は、カラーフィ
ルタと帯状電極の形成順序を入れ換えたもので、その製
法は前者と同じである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のカラー液晶
表示パネルでは、図４（ａ）の基板を用いた場合、カラ
ーフィルタの耐熱性が１８０℃以下と低いため、帯状電
極の形成に温度の制約を受け、膜のシート抵抗を低くす
ることが非常に難かしい。液晶自体は、容量負荷である
ため、帯状電極の抵抗との積の時定数による印加信号の
歪を与えるので走査本数の多いカラー液晶表示パネルで
は、一走査時間が前述の時定数に近くなるため実現が困
難になる。
表示パネルでは、図４（ａ）の基板を用いた場合、カラ
ーフィルタの耐熱性が１８０℃以下と低いため、帯状電
極の形成に温度の制約を受け、膜のシート抵抗を低くす
ることが非常に難かしい。液晶自体は、容量負荷である
ため、帯状電極の抵抗との積の時定数による印加信号の
歪を与えるので走査本数の多いカラー液晶表示パネルで
は、一走査時間が前述の時定数に近くなるため実現が困
難になる。
【０００５】また、図４（ｂ）の基板の場合、帯状電極
の形成に温度の制約を受けないので膜のシート抵抗を低
くすることができるが、帯状電極上に設けられたカラー
フィルタが酸性染料で着色されているので、この酸性染
料と帯状電極の材料である酸化インジウム・スズが電極
反応し劣化するという問題があった。
の形成に温度の制約を受けないので膜のシート抵抗を低
くすることができるが、帯状電極上に設けられたカラー
フィルタが酸性染料で着色されているので、この酸性染
料と帯状電極の材料である酸化インジウム・スズが電極
反応し劣化するという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のカラー液晶表示
パネルは、これを構成する一対の電極基板の一方の電極
基板が、ＭＩＭダイオードアレイ，カラーフィルタ，表
示電極の順に形成され、他方の電極基板に帯状電極が形
成されたものを用いている。
パネルは、これを構成する一対の電極基板の一方の電極
基板が、ＭＩＭダイオードアレイ，カラーフィルタ，表
示電極の順に形成され、他方の電極基板に帯状電極が形
成されたものを用いている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例のカラー液晶表示パ
ネルの断面図を模式的に示したものである。ガラス基板
１上には、金属−絶縁物−金属ダイオード（ＭＩＭダイ
オード）３、カラーフィルタ４、表示電極６が設けられ
、液晶を配向させる手段として一方向に布でこすって細
溝が設けられたポリイミド膜５で全体が被われている。 一方、ガラス基板２には、帯状電極７および液晶配向手
段としてのポリイミド膜８が設けられている。これら一
対の電極基板は、スペーサ材（図示省略）で一定の間隔
に保たれ、周囲がシール材９で接着され、中に液晶材１
０が充填されている。液晶分子が９０°ねじれ配向にな
るようにポリイミド膜５，８の細溝方向を互いに直交さ
せる。
る。図１は、本発明の第１の実施例のカラー液晶表示パ
ネルの断面図を模式的に示したものである。ガラス基板
１上には、金属−絶縁物−金属ダイオード（ＭＩＭダイ
オード）３、カラーフィルタ４、表示電極６が設けられ
、液晶を配向させる手段として一方向に布でこすって細
溝が設けられたポリイミド膜５で全体が被われている。 一方、ガラス基板２には、帯状電極７および液晶配向手
段としてのポリイミド膜８が設けられている。これら一
対の電極基板は、スペーサ材（図示省略）で一定の間隔
に保たれ、周囲がシール材９で接着され、中に液晶材１
０が充填されている。液晶分子が９０°ねじれ配向にな
るようにポリイミド膜５，８の細溝方向を互いに直交さ
せる。
【０００８】図２（ａ）は、ガラス基板１上に設けられ
たＭＩＭダイオードアレイ，カラーフィルタ及び表示電
極の平面図，図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面
図を模式的に示したものである。ガラス基板１上にスパ
ッタ法でクロムを１００ｎｍの膜厚に成膜し、図に示す
形状（斜線）にパターン化された信号線１１を形成する
。次に、プラズマ気相成長法で窒化シリコンを１００ｎ
ｍの膜厚に成膜し、図に示す形状（点状）にパターン化
した絶縁膜１２を形成する。次に、カラーフィルタ４を
形成する。カラーフィルタは、基板全面に合成ゼラチン
を厚さ１μｍにコーティングした後、図に示すように帯
状にパターン化する。次に隣接した両側のゼラチン層を
マスキングし赤色染料で着色する。次に隣りの一方のゼ
ラチン層を除きマスキングして緑色染料で着色する。 最後に、赤・緑に着色されたゼラチン層をマスキングし
、青色染料で残りのゼラチン層を着色する。以上の工程
で３色のカラーフィルタを形成した後、表示電極６を形
成する。表示電極は、低温プロセスのスパッタ法で酸化
インジウム・スズ膜（膜厚１００ｎｍ）で成膜後パター
ン化される。
たＭＩＭダイオードアレイ，カラーフィルタ及び表示電
極の平面図，図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面
図を模式的に示したものである。ガラス基板１上にスパ
ッタ法でクロムを１００ｎｍの膜厚に成膜し、図に示す
形状（斜線）にパターン化された信号線１１を形成する
。次に、プラズマ気相成長法で窒化シリコンを１００ｎ
ｍの膜厚に成膜し、図に示す形状（点状）にパターン化
した絶縁膜１２を形成する。次に、カラーフィルタ４を
形成する。カラーフィルタは、基板全面に合成ゼラチン
を厚さ１μｍにコーティングした後、図に示すように帯
状にパターン化する。次に隣接した両側のゼラチン層を
マスキングし赤色染料で着色する。次に隣りの一方のゼ
ラチン層を除きマスキングして緑色染料で着色する。 最後に、赤・緑に着色されたゼラチン層をマスキングし
、青色染料で残りのゼラチン層を着色する。以上の工程
で３色のカラーフィルタを形成した後、表示電極６を形
成する。表示電極は、低温プロセスのスパッタ法で酸化
インジウム・スズ膜（膜厚１００ｎｍ）で成膜後パター
ン化される。
【０００９】本実施例では、ＭＩＭダイオードの一方の
金属は、信号線の材料であるクロムが、又他方の金属は
、表示電極の材料である酸化インジウム・スズが使われ
ている。
金属は、信号線の材料であるクロムが、又他方の金属は
、表示電極の材料である酸化インジウム・スズが使われ
ている。
【００１０】この実施例では、カラーフィルタをＭＩＭ
ダイオードアレイが形成された基板側に設け、しかも表
示電極をカラーフィルタ面に形成しているので、帯状電
極が設けられている電極基板にはカラーフィルタが設け
られないから、成膜時の温度制約がなく１０Ω／□の膜
抵抗を容易に実現できる。
ダイオードアレイが形成された基板側に設け、しかも表
示電極をカラーフィルタ面に形成しているので、帯状電
極が設けられている電極基板にはカラーフィルタが設け
られないから、成膜時の温度制約がなく１０Ω／□の膜
抵抗を容易に実現できる。
【００１１】また、表示電極自体は、その面積が３００
μｍ×３００μｍ以下の小さな値であり従って容量も１
ｐＦ以下と小さいので表示電極の膜抵抗は１ＫΩ／□〜
１０ＫΩ／□と高抵抗であってもさしつかえないので、
この点においても従来にない利点を有する。
μｍ×３００μｍ以下の小さな値であり従って容量も１
ｐＦ以下と小さいので表示電極の膜抵抗は１ＫΩ／□〜
１０ＫΩ／□と高抵抗であってもさしつかえないので、
この点においても従来にない利点を有する。
【００１２】図３は、本発明の第２の実施例を示すＭＩ
Ｍダイオードアレイが設けられた側の電極基板を示す平
面図である。この実施例では、図に示すように、□の字
型のＭＩＭ電極１３を設け、表示電極６は、点線で示す
形状になっている。この場合のプロセスは、第１の実施
例の絶縁膜１２形成後ＭＩＭ電極としてクロムをスパッ
タ法で１００ｎｍの膜厚に形成し、パターン化する。後
工程としてのカラーフィルタ４及び表示電極６は、第１
の実施例と同じ工程で形成される。
Ｍダイオードアレイが設けられた側の電極基板を示す平
面図である。この実施例では、図に示すように、□の字
型のＭＩＭ電極１３を設け、表示電極６は、点線で示す
形状になっている。この場合のプロセスは、第１の実施
例の絶縁膜１２形成後ＭＩＭ電極としてクロムをスパッ
タ法で１００ｎｍの膜厚に形成し、パターン化する。後
工程としてのカラーフィルタ４及び表示電極６は、第１
の実施例と同じ工程で形成される。
【００１３】この実施例は、第１の実施例に比べ□の字
型のＭＩＭ電極を設けているので、カラーフィルタの段
差の両側から信号を送れるため表示電極の膜抵抗をより
大きな値まで許容できる利点がある。又、ＭＩＭダイオ
ードが、絶縁膜をサンドウィッチする両側電極の材料が
同じ金属であるため、電流の双方向性に優れたダイオー
ド特性が得られる。
型のＭＩＭ電極を設けているので、カラーフィルタの段
差の両側から信号を送れるため表示電極の膜抵抗をより
大きな値まで許容できる利点がある。又、ＭＩＭダイオ
ードが、絶縁膜をサンドウィッチする両側電極の材料が
同じ金属であるため、電流の双方向性に優れたダイオー
ド特性が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、カラー
フィルタをＭＩＭダイオードアレイが形成された基板側
に設け、しかも、表示電極をカラーフィルタ面に形成す
ることにより、高い信頼性を有するカラー液晶表示パネ
ルを得ることができる。
フィルタをＭＩＭダイオードアレイが形成された基板側
に設け、しかも、表示電極をカラーフィルタ面に形成す
ることにより、高い信頼性を有するカラー液晶表示パネ
ルを得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例のカラー液晶表示パネル
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図２】図１に示したカラー液晶表示パネルを構成する
一対の電極基板のＭＩＭダイオードアレイが設けられた
側の電極基板を模式的に示した図で、（ａ）図は平面図
，（ｂ）図は（ａ）図のＡＡ断面図である。
一対の電極基板のＭＩＭダイオードアレイが設けられた
側の電極基板を模式的に示した図で、（ａ）図は平面図
，（ｂ）図は（ａ）図のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例のＭＩＭダイオードアレ
イが設けられた側の電極基板を模式的に示した平面図で
ある。
イが設けられた側の電極基板を模式的に示した平面図で
ある。
【図４】従来のカラーフィルタ及び帯状電極が設けられ
た電極基板を示す図で、（ａ）図は、カラーフィルタ，
帯状電極の順で設けた例の断面図、（ｂ）図は、帯状電
極，カラーフィルタの順で設けた例の断面図である。
た電極基板を示す図で、（ａ）図は、カラーフィルタ，
帯状電極の順で設けた例の断面図、（ｂ）図は、帯状電
極，カラーフィルタの順で設けた例の断面図である。
１，２ ガラス基板
３ ＭＩＭダイオード
４ カラーフィルタ
５，８ ポリイミド膜
６ 表示電極
７ 帯状電極
９ シール材
１０ 液晶材
１１ 信号線
１２ 絶縁膜
１３ ＭＩＭ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 金属−絶縁物−金属（ＭＩＭと略す）
ダイオードのアレイと、表示電極と、該表示電極に対向
する帯状電極と、カラーフィルタとを有する一対の電極
基板を対向させて両者の間隙に液晶材を充填させてなる
カラー液晶表示パネルにおいて、前記一対の電極基板の
一方の電極基板に下層からＭＩＭダイオードのアレイ、
カラーフィルタ、表示電極の順に形成されていることを
特徴とするカラー液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039663A JPH04277722A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | カラー液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039663A JPH04277722A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | カラー液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277722A true JPH04277722A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12559327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039663A Pending JPH04277722A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | カラー液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0942315A2 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | OIS Optical Imaging Systems, Inc. | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
| US6043857A (en) * | 1994-05-18 | 2000-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display apparatus |
| KR100604717B1 (ko) * | 1999-07-08 | 2006-07-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3039663A patent/JPH04277722A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043857A (en) * | 1994-05-18 | 2000-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display apparatus |
| EP0942315A2 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | OIS Optical Imaging Systems, Inc. | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
| EP0942315A3 (en) * | 1998-03-13 | 2000-05-03 | OIS Optical Imaging Systems, Inc. | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
| KR100604717B1 (ko) * | 1999-07-08 | 2006-07-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 |
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