JPH04114132A

JPH04114132A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH04114132A
Application number: JP2233785A
Authority: JP
Inventors: Nagamasa Ono; 小野　長正
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1990-09-04
Filing date: 1990-09-04
Publication date: 1992-04-15
Anticipated expiration: 2015-07-17
Also published as: JP3067181B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は液晶表示装置に関する。

〔従来の技術〕

第１０図に従来の液晶表示装置を示す６画素電極１と信
号配線３の間には間隙があり、その間隙にＴＦＤ３が形
成され、ＴＦＤ３は第一の接続電極と第二の接続電極に
よって、それぞれ画素電極１と信号配線３に接続されて
いる。第１０図に於て、画面表示に機能する実能動部分
は、第二の接続電極との重なり部分を除く画素電極ｌぶ
ぶんであり、その面積は表示画面面積の７０％〜５０％
である、信号配線３、信号配線３と画＊［極との間隙、
画素電極間の間隙などは、画面表示に機能しない非能動
部分である。

〔発明が解決しようとする課題〕

近年液晶表示装置は画素数の高密度化が要求されている
。それにともない、表示画面面積に対する、実能動画素
面積で定義される開口率は低下する。開口率の低下は液
晶表示装置の表示品質の劣下、消費電流の増加をもたら
す。

本発明は、この様な課題を解決するために、表示画面面
積に対する非能動部分を減らし開口率を改善し表示品質
を向上させることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に、液晶または、液晶を含有するポリマー
が挟持され、該一対の基板の一方の基板上には、画素電
極と、該画素電極上の液晶を駆動するための非線形素子
が、マトリクス状に配置され、該非線形素子は、　゛第
一の接続電極、一層または多層の絶縁体または半導体ま
たはその両者、第二の接続電極゛°というサンドイッチ
構造（以下ＴＦＤとよぶ）をしており、該画素電極は、
行または列方向に該ＴＦＤを介して信号配線と接続され
ている液晶表示装置に於て、該ＴＦＤが、該信号配線上に形成され、且つ該信号配線
の一部が該ＴＦＤの第一の接続電極をかねており、且つ
該画素電極は、該ＴＦＤ上に、該ＴＦＤを覆うように形
成されていることを特徴とする。

〔実施例〕

以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。

（実施例１）第１図は、本発明による液晶表示装置の平面図である。

１は画素電極、２はＴＦＤ、３は信号配線である。信号
配線３は画素電極１に完全に覆われている０本発明によ
る液晶表示装置は、従来のように信号配線と画素電極と
の間隙を設ける必要がないため、開口率は１０％程度改
善する。

第２図は、第１図に於ける切片Ａ−Ｈの断面図である。

４はＴＦＤの第二の接続電極、５はＴＦＤの一層または
多層の絶縁体または半導体またはその両者、６はＴＦＤ
の絶縁体または半導体５に比べ抵抗の高い十分に光を透
過する絶縁層である。

製造工程は以下のようになる。

・信号配線３を形成する。

・ＴＦＤ素子の絶縁体または半導体層５を、信号配線３
を陽極酸化または熱酸化により形成する。または、スパ
ッタ、蒸着等により基板上に堆積させ、必要部分以外を
エツチングすることにより形成する、ＴＦＤ素子の絶縁
体または半導体層５が光を十分透過する場合にはエツチ
ングをする必要がなく断面は第３図のようになる。

・絶縁体６を基板全面に堆積させ、ＴＦＤ素子２を形成
する部分の該絶縁体６をエツチングにより除去する。

・ＴＦＤ素子の第二の電極４を形成する。

・画素電極１を形成する。

第４図は、実施例１の他の製造工程を示す。

■信号配線３．ＴＦＤ素子の絶縁体または半導体層２を
形成。

■ＴＦＤ素子の第二の電極４とフォトレジスト７を基板
上に堆積させる。

■該ＴＦＤ素子の第２の電極４とフォトレジスト７をＴ
ＦＤ素子を形成する部分を残しエツチングする。

■絶縁体６を基板上に堆積させる。

■フォトレジスト７を除去する。

０画素電極４を形成する。

（実施例２）第５図は、第１図に於ける切片Ａ−Ｈの他の断面図であ
る。ここで絶縁層６は必ずしも十分光を透過する必要は
ない。

（実施例３）第６図は、第１図に於ける切片Ａ−Ｈの他の実施例によ
る断面図である。ここでＴＦＤの一層または多層の絶縁
体または半導体またはその両者５は光を透過する必要が
ある。

（実施例４）第７図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例によ
る平面図である。信号配線３は画素電極１に一部覆われ
ている。開口率は２０％程度改善する。

（実施例５）第８図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例によ
る平面図である。信号配線３は画素電極１と画素電極１
に信号配線と直行する方向に隣合う画＊［極に同時に覆
われており、且つ該一方の画素電極はＴＦＤを介して該
信号配線と接続されており、該他方の画素電極は該信号
配線から絶縁されている。開口率は２０％程度改善する
。

（実施例６）第９図は、本発明に於ける請求項第２項を示す図である
。平面構造は第１図と同じであるが、画素電極１は、Ｔ
ＦＤの第二の接続電極をかねている為、ＴＦＤの第二の
接続電極を別に形成する工程が省略できるため歩留りの
向上とコストの削減が出来る。

（実施例７）第１図に於て、信号配線３に、Ｉ　Ｔ　Ｏ，Ｚ　ｎ　Ｏ
。

Ｓｎｏｗなどの光を透過する導電体を用いる事により、
開口率は３０％程度改善する。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、ＴＦＤを、信号配
線上に形成し、且つ該信号配線の一部が該ＴＦＤの第一
の接続電極をかねており、且つ該画素電極は、該ＴＦＤ
上に、該ＴＦＤを覆うように形成することにより、表示
画面中の非能動部分を減らすことにより、開口率を改善
し、表示品質を向上させることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図・・・本発明による液晶表示装置の平面図。第２図・・・第１区切片Ａ−Ｈに於ける断面図。（実施例１）第３図・・・第１区切片Ａ−Ｈに於ける断面図。第４図・・・実施例１に於ける製造工程を示す図。第５図・・・第１区切片Ａ−Ｈに於ける断面図。（実施例２）第６図・・・第１区切片Ａ−Ｈに於ける断面図。（実施例３）第７図・・・本発明による液晶表示装置の平面図。（実施例４）第８図・・・本発明による液晶表示装置の平面図。（゛実施例５）第９図・・・第１区切片Ａ−Ｈに於ける断面図。（実施例６）第１０図・・・従来の液晶表示装置の平面図。１・・・画素電極２・・・ＴＦＤ３・・・信号配線４・・・ＴＦＤの第二の接続電極５・・・ＴＦＤの一層または多層の絶縁体または半導体
またはその両者６・・・ＴＦＤの絶縁体または半導体の層５に比べ抵抗
の高い絶縁層７・・・フォトレジスト以　　上出願人　セイコーエプソン株式会社代理人　弁理士　鈴木　喜三部　化１名第１図第２図第３図第５図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一対の基板間に、液晶または、液晶を含有するポ
リマーが挟持され、該一対の基板の一方の基板上には、
画素電極と、該画素電極上の液晶を駆動するための非線
形素子が、マトリクス状に配置され、該非線形素子は、
“第一の接続電極、一層または多層の絶縁体または半導
体またはその両者、第二の接続電極”というサンドイッ
チ構造（以下ＴＦＤとよぶ）をしており、該画素電極は
、行または列方向に該ＴＦＤを介して信号配線と接続さ
れている液晶表示装置に於て、該ＴＦＤが、該信号配線上に形成され、且つ該信号配線
の一部が該ＴＦＤの第一の接続電極をかねており、且つ
該画素電極は、該ＴＦＤ上に、該ＴＦＤを覆うように形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
（２）前記画素電極の一部が、該ＴＦＤの第二の接続電
極をかねていることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。
（３）前記信号配線が、該信号配線が光を透過する導電
体によって形成されていることを特徴とする請求項１又
は２記載の液晶表示装置。