JPH082649Y2 - 液晶製造装置 - Google Patents

液晶製造装置

Info

Publication number
JPH082649Y2
JPH082649Y2 JP11047191U JP11047191U JPH082649Y2 JP H082649 Y2 JPH082649 Y2 JP H082649Y2 JP 11047191 U JP11047191 U JP 11047191U JP 11047191 U JP11047191 U JP 11047191U JP H082649 Y2 JPH082649 Y2 JP H082649Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
liquid crystal
substrate
chamber
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP11047191U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0552821U (ja
Inventor
駿介 小林
康夫 都甲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP11047191U priority Critical patent/JPH082649Y2/ja
Publication of JPH0552821U publication Critical patent/JPH0552821U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH082649Y2 publication Critical patent/JPH082649Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、TFT(薄膜トラン
ジスタ)、MIMを含むLCD製品の製造全般に利用さ
れる液晶製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の製造において、液晶駆動
用の電極等の形成には、気相法を用いて真空容器中で被
膜を形成している。特に、TFTやMIM基板を製造す
るには、各種被膜を積層しなければならないので、従来
は高度にクリーン化されたクリーンルーム内でほぼ自動
化し、ダストが基板に付着しないようにして製造するた
め、図2に図示したように、基板bを載置し搬送する製
造ラインaにロードロック室e、プラズマgを発生する
真空容器f、アンロック室hを備えたクリーンルームd
を設置し、真空容器f、ロードロック室e、アンロック
室hの各室は真空ポンプvで排気して真空可能に構成
し、また、クリーンルームdの前後にエアシャワー室c
を設置している。
【0003】また、CVDやスパッタ等装置で成膜時真
空が必要な時には、その都度真空容器fから真空ポンプ
vで真空引きを行って製造を行っている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】しかし、前記従来の技
術では、いかに部屋をクリーンルームにしてダストを減
らしたとしても被膜の製造装置である真空容器f内にお
いて、CVD装置やスパッタ装置等の真空容器内の壁面
等には基板に成膜した膜が付着しているので、同一真空
容器で数回成膜後にはこの膜が剥がれてガラス基板上等
に付着し、液晶セル製造上極めて重大な製品不良を引き
起こす。そこで、この製品不良を防ぐため、一定期間ご
とに壁面内をクリーニングする必要があるが、真空容器
は装置から分離できない状態で設置されているため、完
全なクリーニング作業は行えない。また、クリーニング
中は製造ラインを停止しなければ作業ができず、またこ
の作業により真空容器内のダストをクリーンルーム内に
飛散させるという問題点がある。
【0005】B.クリーン化するためには空気の流れを
考慮したクリーンルームを必要とし、設備費が極めて高
価となる。また、対流を完全に防ぐことはできない。従
って、微小なダストによる悪影響を零にはできないとい
う問題点がある。
【0006】そこで、本考案は上記従来の技術の問題点
に鑑み案出されたもので、製造工程におけるダストの発
生を防止可能な液晶製造装置の提供を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案における液晶表示素子の基板上に真空中で被
膜を形成する製造装置において、被覆を形成するための
複数の真空容器が排気可能な内部空間を有する真空室内
に移動可能に設けられており、前記基板に被膜を形成す
る際には、該基板が所定の真空容器中に配設された状態
で、該真空容器が独立に排気可能になると共に、被膜を
形成しない際には、前記真空容器が交換可能なことを特
徴としている。
【0008】
【作用】真空中で製造を行うため、真空装置を使う工程
の場合に、真空引きやガス出しの時間が短縮される。
【0009】また、真空中では、空気の抵抗や対流がな
いため、微小なゴミ(ダスト)が発生しても直ぐに下に
落ち、再び舞い上がることを防止でき、高度なクリーン
ルームが達成できる。
【0010】
【実施例】実施例について図1を参照して説明すると、
基板2を載置し搬送する製造ライン1の液晶製造工程R
の一部又は大部分を真空にするため、該液晶製造工程R
には、排気口41を設けた真空室4を設置し、該真空室
4は真空ポンプVで排気して真空可能にされている。
【0011】また、該真空室4の内部には回転装置9が
設置されていて、該回転装置9は、成膜工程で真空容器
7が所定位置に下降可能な吊り線91で吊設され、ま
た、成膜時にプラズマ8を利用して被膜を形成する際に
は、図示しないCVD装置やスパッタ装置によりプラズ
マ8を発生させるようになされている。
【0012】更に、この成膜工程には排気口61を有す
る高真空室6が配置され、真空ポンプVで排気して高真
空可能にされている。Cは成膜工程における使用時の真
空容器7をあらわしている。
【0013】更に、該真空室4の後側すなわち、基板2
供給側には、排気口31を設けたロードロック室3が設
置され、該ロードロック室3は真空ポンプV1で排気し
て真空可能にされ、該真空室4の前側すなわち、基板2
搬出側には排気口51を有するアンロック室5が設置さ
れ、該アンロック室5は真空ホンプV2で排気して真空
可能にされている。
【0014】また、真空容器7のうち使用済容器Bは取
り換え可能にし、該使用済容器Bはアンロック室5を通
って外に搬出可能にされている。
【0015】なお、作業者が製造ライン1に入る場合
は、ダストの発生及び飛散を防止するため、例えば宇宙
服の様な被服を着用する。
【0016】
【考案の効果】本考案は上述の通り構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。真空中で液晶セルの薄
膜製造の一部又は大部分を行うため、CVDやスパッタ
の際のように真空装置を使用する工程では真空引きやガ
ス出しの時間が短縮できる。
【0017】真空中では、空気の抵抗や対流がないた
め、液晶製造工程で微小なゴミ(ダスト)が発生しても
直ぐに下に落ち、再び舞い上がることがない。従って、
製品不良を引き起こすことが防止できる。
【0018】CVDやスパッタ装置で薄膜形成の際に、
容器内壁に膜が付着した場合は、使用済容器ごと交換で
きる。このため、液晶セル製造上極めて重大な問題点で
ある成膜装置壁面からのゴミ(ダスト)発生を完全に防
ぐことができる。
【0019】クリーン化するために高価なHEPAフィ
ルター等を多数用いることなく、高度なクリーンルーム
が実現できる。
【0020】さらに、真空容器は交換可能に構成されて
いるため、装置のメンテナンスに要する時間も短縮でき
るため、スループット(生産高、処理量)も向上でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の液晶製造装置の説明図である。
【図2】従来の液晶製造装置の説明図である。
【符号の説明】
1 製造ライン 2 基板 3 ロードロック室 31 排気口 4 真空室 41 排気口 5 アンロック室 51 排気口 6 高真空室 7 容器 8 プラズマ 9 回転装置 91 吊り線 V 真空ポンプ V1 真空ポンプ V2 真空ポンプ R 液晶製造工程

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】液晶表示素子の基板上に真空中で被膜を形
    成する製造装置において、被膜を形成するための複数の
    真空容器が排気可能な内部空間を有する真空室内に移動
    可能に設けられており、前記基板に被膜を形成する際に
    は、該基板が所定の真空容器中に配設された状態で、該
    真空容器が独立に排気可能になると共に、被膜を形成し
    ない際には、前記真空容器が交換可能なことを特徴とす
    る液晶表示素子の製造装置。
JP11047191U 1991-12-18 1991-12-18 液晶製造装置 Expired - Lifetime JPH082649Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11047191U JPH082649Y2 (ja) 1991-12-18 1991-12-18 液晶製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11047191U JPH082649Y2 (ja) 1991-12-18 1991-12-18 液晶製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0552821U JPH0552821U (ja) 1993-07-13
JPH082649Y2 true JPH082649Y2 (ja) 1996-01-29

Family

ID=14536550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11047191U Expired - Lifetime JPH082649Y2 (ja) 1991-12-18 1991-12-18 液晶製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH082649Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0552821U (ja) 1993-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW466541B (en) Wafer pedestal with a purge ring
JPH02138473A (ja) 縦型熱処理装置
AU4527993A (en) Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus
US10279379B2 (en) Uniform fluid manifold for acoustic transducer
JPH082649Y2 (ja) 液晶製造装置
US20050034675A1 (en) Susceptor and surface processing method
JPH0758016A (ja) 成膜処理装置
JPH0831752A (ja) Cvd装置の反応室のクリーニング方法およびコーティング方法
JPH06120146A (ja) 成膜処理方法及びその装置
JPS60248876A (ja) スパツタ装置
JP2533401B2 (ja) 回転式塗布装置
JPH09129596A (ja) 反応室のクリーニング方法
JPS6396919A (ja) プラズマ処理装置
JPH05166759A (ja) 半導体製造装置及びそのプラズマクリーニング方法
JP3142338B2 (ja) 常圧cvd方法およびその装置
JPH02294018A (ja) 成膜装置
JPH0781923A (ja) 二酸化珪素被膜の製造装置
JPH03284386A (ja) 洗浄用処理槽
TWM652663U (zh) 原子層沉積裝置
JPH01169919A (ja) 成膜装置
JPH0656999U (ja) パーティクルモニター装置
JPS58208121A (ja) 薄膜シリコン生成装置
JPS585987B2 (ja) 回転式蒸着装置
JPH0766095A (ja) クリーン台車
JPH0620963A (ja) 真空薄膜堆積装置