JPH08262465A - 透明導電性パターンの形成方法 - Google Patents

透明導電性パターンの形成方法

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JPH08262465A
JPH08262465A JP7064495A JP6449595A JPH08262465A JP H08262465 A JPH08262465 A JP H08262465A JP 7064495 A JP7064495 A JP 7064495A JP 6449595 A JP6449595 A JP 6449595A JP H08262465 A JPH08262465 A JP H08262465A
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JP
Japan
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transparent conductive
water
ink
conductive film
substrate
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Application number
JP7064495A
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English (en)
Inventor
Masaaki Tsuboi
當昌 坪井
Seiichi Tamura
誠一 田村
Masako Munehisa
真子 宗久
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TOYO SHIGYO KK
Original Assignee
TOYO SHIGYO KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング技術や金属マスクを用いず、印刷
によりマスクを形成し、マスクを除去するのに水を用い
て、高精度で、異物付着が少なく、寸法精度が良く、歩
留まりが高く、かつ大型化が容易な透明導電性パターン
の製造方法を提供する。 【構成】 基板上の透明導電膜を必要とする以外の部分
に親水性インキを凸版印刷し、乾燥後、透明導電膜を形
成し、水または水を主成分とする液にて印刷されたイン
キ及び不要な透明導電膜を除去して透明導電性パターン
を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン状の透明導電
膜の形成方法に関し、特にカラー液晶表示装置あるいは
プラズマディスプレイ用の透明導電膜、あるいはプラス
チック基板等に好適なパターン状の透明導電膜を形成す
る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】透明導電膜をパターニングするには、従
来,透明導電膜に低級酸化物をマスクとしてエッチング
する方法(特開昭57−125921号公報)や透明導
電膜に感光性レジストを塗設し露光,現像してからレジ
ストをマスクとしてエッチング液でエッチングする方法
(特開昭62−12010,特開昭62−15382
6,特開平04−75028号各公報)、あるいは金属
のマスクを基板に密着して取り付け、透明導電膜を成膜
する方法が知られている。しかし、前記のエッチングす
る方法は、感光性レジストを塗設,乾燥する設備や露
光,現像する設備等のフォトリソグラフィー工程とエッ
チングする工程が必要で、設備的にも複雑であり、スル
ープットが減少し、総じてコスト高になる欠点があっ
た。更にエッチング工程ではエッチング除去された透明
導電膜が、液中で基板に再付着し、異物付着故障を起こ
すことも多かった。またエッチングには強酸性の液を使
用するため、使用後の液の排出にも公害防止の特別の処
理を取る必要があった。
【0003】金属マスクによる透明導電膜をパターニン
グする方法では、低抵抗の透明導電性の膜を得るために
基板を加熱すると、基板と,マスク及び/又は治具との
熱膨張の違いによりマスクが基板より浮いて、パターン
のエッジがボケた透明導電膜になる欠点があり、更にマ
スクと基板が接触するために、透明導電膜パターンや基
板を傷付ける恐れがあった。また、ガラスの破片で異物
故障が生ずることもあった。また、これらの欠点の除く
方法として、マスキング部に有機溶剤で除去出来るイン
キを印刷した後、透明導電膜を全面に形成し、次いでイ
ンキを有機溶剤で除去する方法が提案されている(特開
昭63−311329号公報)。しかしながら、上記の
方法では有機溶剤を用いているので、作業場の雰囲気を
悪くするばかりでなく、火災防止や使用済の廃液処理に
も特別な配慮を必要とする等の問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような欠点を解決し、高度なフォトリソグラフィー技
術を必要とせず、しかもスループットが良く、大型化へ
の対応も容易で、大量生産が容易であり、かつ有機溶剤
を使用することなくパターン精度のよい透明導電性パタ
ーンの形成方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の如
き従来技術の欠点が無く、透明導電膜のパターン精度が
良好で、大型化にも対処可能な透明導電膜の形成法につ
いて種々研究の結果、水で除去しうるインキによるマス
ク印刷、低温での透明導電膜の形成、パターン状に印刷
されたインキ及び必要としない透明導電膜の除去、そし
てある場合には後加熱を組み合わせることにより歩留り
が良く、著しく安価で優れたパターン状の透明導電膜を
形成する方法を見出し、本発明を達成した。即ち、本発
明は、カラーフィルタを有しまたは有さないガラスある
いはプラスチックなどの基板上の透明導電膜を必要とす
る以外の部分に、マスクとして水で除去しうるインキを
凸版を用いて印刷し、乾燥した後、透明導電膜の成膜後
にマスクが水で除去されうる温度で透明導電膜を成膜
し、水または水を主成分とする液により印刷されたマス
ク及び必要としない透明導電膜を除去することを特徴と
する、透明導電性パターンの形成方法である。
【0006】本発明によれば、表面に保護層を有するカ
ラーフィルタ、あるいは表面が平坦なカラーフィルタを
有するプラスチックまたはガラス基板、あるいはこのよ
うなカラーフィルタを有さない熱的に劣化あるいは変形
しやすいプラスチック基板、あるいはガラス基板および
金属板など(以下単に”基板”と称する)の上に、透明
導電性パターンを歩留りよく形成できる。即ち基板の透
明導電膜を必要とする以外の部分に水可溶性インキを印
刷し、インキを乾燥したのち、透明導電膜をインキが水
で除去しうる温度で成膜し、次いでインキを溶解あるい
は剥離して除去し、非印刷部にパターン状の透明導電膜
を形成することができる。また、本発明より、前記の如
くしてインキを除去したのち、150℃以上で後加熱す
ることにより、より低抵抗の透明導電膜を形成すること
ができる。
【0007】以下、本発明を更に詳細に説明する。ま
ず、透明導電膜をパターニングしようとする基板,例え
ばカラーフィルタあるいはプラスチックス他の基板に水
で除去しうるインキでマスクパターンを凸版を用いて印
刷する。このインキは透明導電膜を成膜後に水で溶解あ
るいは剥離などにより除去しうるものであるが、基板の
最上面はカラーフィルタの保護膜あるいはカラーフィル
タの顔料入りの層、あるいは単にガラス、あるいはプラ
スチック基板等であるために、印刷に通常用いられる有
機溶剤をベースとするインキでは、透明導電膜の成膜後
に成膜時の熱によりインキが基板の最上面に密着してし
まって、透明導電膜を成膜後、インキを水で除去できな
くなる。そのために、水をベースの主成分とするインキ
で印刷し,インキの乾燥温度,及び透明導電膜の成膜温
度を低くしてマスクとして印刷されたインキを透明導電
膜の成膜後に除去して、透明導電膜のパターンを作るよ
うにすることが必要である。
【0008】印刷法としてはスクリーン印刷,パッド印
刷,あるいはフレキソ印刷,グラビア印刷,平版印刷な
どが知られているが,本発明に適する印刷法は凸版印
刷,フレキソ印刷である。それは凸版またはフレキソ版
を用いる印刷法は、版にインキが付いた所のみが基板に
接触してインキが基板に印刷される印刷法であり、透明
導電膜が成膜される部分には印刷時には非接触である特
徴がある。他にスクリーン印刷の場合では、透明導電膜
を成膜する部分、つまりインキが通らないところでも版
の裏が基板に接触することになり、異物が基板に付着し
たり、インキの裏面への廻り込みによって透明導電性パ
ターンの不合格品が生ずる確率が高い。これに対して凸
版印刷方式ではマスクとなる部分以外には基板に接触し
ないため、異物あるいはインキの付着のために不合格品
が出るのが減少し、歩留りを向上するのに効果が大き
い。また凸版を用いた印刷法としては直刷り凸版方式と
凸版オフセットの方法があるが、後者はブランケットが
透明導電膜の成膜されるべき所に接触するので好ましく
なく、前者の直刷りの凸版方式が好ましい。版材として
はゴム版あるいは樹脂凸版あるいは金属凸版を用いるこ
とができる。特にゴム版あるいは樹脂凸版は金属凸版の
ように硬度が高くなく、版の凸部が基板に接触しても基
板が傷つくことが少なく、非常に好ましいものである。
更に樹脂凸版あるいはゴム凸版はスクリーン印刷に比べ
て寸法安定性が高いのも好ましいことである。
【0009】樹脂凸版としては市販のフレキソ版で、し
かも水性インキで印刷できる版を用いることができる。
例えば東洋紡績(株)製のコスモライト、富士写真フイ
ルム(株)製の富士トレリーフ、日本ペイント(株)製
のフレキシード、ルナフレックス・クッションプレー
ト、Flex−Light FL−KORPC、デュポ
ン(株)のCYRELなどの樹脂凸版、あるいは Spe
c. Publ. R. Soc. Chem.No.133, pp23-32 (1993) に記
載されているようなフレキソ印刷版が適している。ゴム
版の場合、レーザ彫刻により作られたゴム凸版は本発明
に好適なものの一つである。樹脂凸版あるいはゴム版の
硬度はショアー硬度25以上90以下のものが使える
が、画像部の解像性あるいは基板を誤って傷つけないた
めに、ショアー硬度40以上75以下の版が好適であ
る。本印刷法によって、用いるインキの物理的性状,例
えば粘度,降伏値及び化学的性状,溶媒と樹脂組成,固
形分含量,顔料,微量の添加剤などは最適に調整されて
使用される。本発明に用いる印刷インキは水をベースと
するインキであり、水溶性の樹脂及び/又は乳化してミ
クロゲルを水中で作る樹脂(親水性バインダーと記
す)、例えば”特殊印刷とコンバーティング 加工技術
研究会発行、発行年1990年 P170−P171”
を参照,および水,ときによっては少量のアルコール系
の有機溶剤,pH調節材、あるいは体質顔料,粘性ある
いはチキソトロピック性などの印刷適性調整のための添
加剤,および必要に応じて着色剤としての染料あるいは
/および顔料を含んでもよい。
【0010】印刷法として樹脂凸版の版を用いる印刷法
を採用する場合、本発明で用いるインキ成分の配合割合
は水100重量部に対し、親水性バインダーは5以上3
0重量部以下であり、その量は樹脂の種類あるいは分子
量によって異なる。また印刷適性を改善するために公知
の改質用添加剤を加えることが出来る。例えば、桐山春
雄・鳥羽山満・田中丈之編著 「塗料・インキ用添加
剤」 シーエムシー社,第2刷1990年9月25日発
行,P58−P118及び,P159−P184などに
記されている添加剤を加える事が出来る。更に主溶剤の
水に、印刷適性の改良あるいは乾燥促進のため、低級ア
ルコール,例えばメチルアルコール,エチルアルコー
ル,プロピルアルコール,イソプロピルアルコール,正
ブチルアルコール,エチレングリコール,プロピレング
リコールなど、あるいは他の水溶性有機溶剤、エチレン
グリコールモノメチルエーテル,エチレングリコールモ
ノエチルエーテル,アセトン,メチルエチルケトン,酢
酸エチルなどを水の15重量%以下加えてもよい。これ
らの有機溶剤のインキへの添加量が水に対して15重量
%より高くなると、インキを印刷して乾燥後,基板への
インキの密着が強すぎ、透明導電膜を成膜後、インキを
溶解または剥離しにくくなる傾向があるので避ける方が
良い。
【0011】本発明のインキに用いられる親水性バイン
ダー樹脂としては水に溶解あるいは乳化するものが好ま
しく、例えばポリビニルピロリドン,ポリビニルベンジ
ルエーテル共重合物,ビニルエーテルー無水マレイン酸
共重合物の塩,ポリスチレンスルフォン酸塩,ポリアク
リル酸塩,ポリビニルアルコール,カゼイン,また水溶
性のゼラチン,アラビアゴム,アルギン酸ナトリウム,
水溶性ナイロン,水溶性澱粉,デキストリン,アクリル
樹脂のエマルジョン,ポリアクリル酸の架橋ポリマー,
例えばエチレン/アクリレート共重合体,ポリエチレン
オキサイド,カルボキシメチルセルロース,ヒドロキシ
エチルセルロースメタクリロイルベタイン/メタクリル
酸ブチル共重合体,N−オクチルアクリルアミド/メタ
クリル酸t−ブチルアミノエチル/AA/(メタ)−ア
クリル酸エステル共重合体などを挙げることができる。
この中でゼラチンは通常水には溶けず、40℃以上の湯
で溶解しうるので好適なものであるが、ゼラチンを蛋白
質分解酵素例えばプロナーゼP〔科研化学(株)製〕によ
り酵素分解して低分子量化したゼラチンや、ゼラチンの
原料のコラーゲンをアルカリあるいは酸加水分解して低
分子量成分を抽出したゼラチンは25℃程度の水(以下
単に水と示す)に易溶であり、非常に好ましいものであ
る。あるいは水に溶けぬ通常のゼラチンであっても、ゼ
ラチンを水と加熱して溶解させたのち作ったインキを印
刷後、直ちに50℃以上120℃以下で加熱乾燥させる
と、いわゆるゾルタイプのゼラチン皮膜になり、水に溶
けるようになり、これも好ましいものである。
【0012】またポリビニルアルコール(PVAと略
す)は、特にケン価度が88%程度の部分けん化PVA
は水に溶けやすい。完全けん化PVA,部分けん化PV
Aともに分子量が低いもの,例えば分子量10,000
以下のものが水に溶け易い点で好ましい。またPVAを
ベースにしたインキは常温の水よりも、40℃以上の水
で印刷パターンを膨潤してから溶解あるいは剥離する方
が、印刷したマスクパターンをより早く除去することが
できる。ポリビニルピロリドン,ポリスチレンスルフォ
ン酸塩,ポリアクリル酸塩(これらの塩の陽イオン成分
としては水素,ナトリウム,カリウム,アンモニウムな
どの陽イオンなど),などは好ましいものであるが、易
溶解性の観点から分子量20,000以下のものがより
好ましい。また,陽イオン成分としてはナトリウムイオ
ン,カリウムイオンより,アンモニウムイオンの方が,
例えばTFT・LCDのカラーフィルタ用に使う場合は
ICを安定に作動させるので好ましい。
【0013】必要によりインキに配合される染料および
/または顔料の色相は、主に印刷したパターンを検版し
やすくするものである。これらは目的により適宜選択で
きるが、濃度は印刷されたパターンを検版しうる程度、
例えば透過濃度0.2程度以上でよく、青色,緑色,
黒,紫,赤などの色相が好ましい。また、染料および/
または顔料は2種類以上混合して用いることも出来る。
なお、染料および/または顔料については「COLOR
INDEX」他を参照して選択出来る。染料および/
または顔料あるいは体質顔料は少なくとも良分散あるい
はより好ましくは濁りのでないほど微分散しうるもので
ある必要があり、それは印刷パターンの解像力を上げる
ためにも必要である。具体的には、染料としては、例え
ばアゾ系,アントラキノン系,ベンゾジフラノン系,縮
合メチン系等が挙げられる。また顔料としては、例えば
アゾレーキ系,キナクリドン系,フタロシアニン系,イ
ソインドリノン系,アントラキノン系,チオインジゴ系
等の有機顔料、黄鉛,酸化鉄,クロムバーミリオン,ク
ロムグリーン,群青,紺青,コバルトブルー,コバルト
グリーン,エメラルドグリーン,カーボンブラック等の
無機顔料が適している。
【0014】染料および/または顔料の使用割合は、色
相,使用する染料および/または顔料の種類,印刷され
たパターンの乾燥膜厚等によって適宜選択され、好まし
くはインキ全体に対して、0.1〜20重量%,更に好
ましくは0.2〜10重量%が適している。また印刷適
性を整えるための体質顔料が必要なときは二酸化けい
素、酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸バリウムなどの
少なくとも1種類以上をインキの0.2ー10重量%の
範囲で添加することが出来る。体質顔料の平均粒径とし
ては0.01μm以上10μm以下、より好ましくは
0.02μm以上5μm以下である。透明電導膜の成膜
のマスクとしては液晶ディスプレイの場合、通常100
μmから200μm、より好ましくは60μm、最も好
ましくは30μm幅のインキ像を印刷出来る印刷方法で
あれば充分である。これはすでに述べた凸版方式で印刷
しうる解像力である。
【0015】インキによるマスクの膜厚は透明導電膜の
成膜時にマスクが破損しない膜厚が好ましく、本発明で
は0.3〜30μmであるが、好ましくは乾燥したイン
キパターン中に含まれる残留水分あるいは残留溶媒がI
TOの成膜時に真空の引きが悪くならないように、また
透明導電膜パターンを得る時にマスクの除去のし易さか
ら10μm以下の乾燥膜厚になるように印刷するのが好
ましい。膜厚の最低はピンホールが生じない印刷膜厚、
つまり成膜時にマスクになりうる膜厚であり,膜厚の最
高は実用的に透明導電膜を成膜時に真空引きがよく、ま
た成膜後マスクをより短時間に水で溶解又は剥離して、
除去しうる膜厚として決められる。このような観点から
インキを溶解除去する時、最も好ましいインキの乾燥膜
厚は0.8μm〜5μmである。
【0016】透明導電膜は、ITO(Indium T
in Oxide)やIn2 3,SnOx,ZnOx
等の金属酸化物を主成分とする酸化物を,例えばスパッ
タリング,真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンプレーテ
ィング等の薄膜形成法により基板に被着して形成され
る。特に、カラーフィルタ用には透明導電膜は低抵抗と
共に可視光に対して透明である事が要求される。透明導
電膜は成膜後,熱処理を行うことにより更に低抵抗で経
時劣化の少ない透明な導電膜となることは例えば特開平
3−110716号公報に述べられている。また後加熱
により熱処理することは特開昭62−12010,特開
平4−75028,特開平5−81943号各公報など
にも記されているが、特開昭62−12010号公報で
は比較的低温(例えば10℃以上200℃以下)で透明
な導電膜を成膜し,次いでレジストをマスクにしてエッ
チングにより透明導電膜をパターン化し,更に窒素雰囲
気中で熱処理することが述べられている。また特開平4
−75028号公報ではエッチング特性を良くするため
に270℃以下で成膜し、200〜300℃まで後加熱
することが述べられているが、本発明のように水で除去
しうるマスクを印刷し、基板の最上層にITOを成膜
後、マスクを水で除去されるような低温で成膜し、後加
熱する方法は記されていない。
【0017】そして、従来の熱処理方法には、真空中あ
るいは窒素中で熱処理する方法と空気中で熱処理する方
法があった。真空中あるいは窒素中で熱処理する場合に
は、成膜直後の膜組成がより高温で成膜したときに電気
抵抗最小となるような膜組成、もしくはその組成よりも
僅かに酸素過多の組成としていた。一方、空気中で熱処
理する場合は、成膜直後の膜組成が電気抵抗最小となる
ような膜組成よりも成膜中は酸素欠乏の組成,例えば図
1のRa値の条件で成膜したものであった。更に、特公
昭51−36875号公報には基板上で透明導電膜を必
要としない部分を、熱分解可能な物質で被覆し、次いで
この基板に室温にて真空蒸着により透明導電膜を形成し
たのち、300℃以上の温度で被覆物質を熱分解して除
去して、透明導電膜のパターンを形成することは述べら
れているが、本発明のように被覆物質(マスク)を水で
除去することは開示されていず、熱に弱い基板には論外
の方法である。本発明においては、耐熱性が余り高くな
いガラス基板上のカラーフィルタ、あるいはガラスより
耐熱性の低いプラスチック、ガラスあるいは石英ガラ
ス、時によってはシリコーンウエハーにマスクを形成
後、低抵抗で高透過率の透明導電膜のパターンを形成で
きるように低温で成膜し、その後、後加熱を基板を損傷
しないように比較的低温で行っている。成膜の基板温度
は印刷されたマスクが水で除去することができる温度範
囲であり、これはインキによっても異なるが、0℃以上
160℃以下、より好ましくは25℃以上140℃以下
である。残留水分の除去のために最も好ましいのは60
℃以上120℃以下である。比較的低温で成膜すると特
にバッチ式のスパッター装置の場合、基板の加熱と冷却
に時間があまりかからなく成膜効率が向上する利点もあ
る。
【0018】図1に、密度85%のターゲットを用いI
TOをスパッターした時の、アルゴンガス中の酸素流量
とITO膜の表面抵抗率を、図2には図1の条件で作ら
れたITO膜の光透過率(膜厚1500Å)を示す。成
膜直後に抵抗値が最小値Rbとなるやや酸素流量が多い
ところでは、空気中で熱処理することによって膜は酸化
され、表面抵抗は後加熱後は高くなる。一方、密度85
%のITOターゲットを用いて成膜する場合は、ITO
膜の光透過率は酸素流量の少ないところ(Ra)では酸
素欠陥のために低く、このためアルゴン300SCCM
に対して酸素1.5SCCM以下では着色が多い。また
アルゴン300SCCMに対し酸素流量が5SCCM以
上では、後加熱しても表面抵抗があまり低くならないた
めに、液晶カラーフィルタに用いられるITOとしては
好ましい物ではない。従って、低抵抗で高透過率のIT
O膜を得るためには、本発明のような特定のITO膜成
膜条件と後加熱の条件が必要となる。また密度が95%
のITOターゲットを用いる場合には、アルゴン300
SCCMに対して酸素1.5SCCM以上7.5SCC
M以下で好ましい膜が得られる。
【0019】透明導電膜を形成したのち部分的に印刷さ
れたインキ、即ちマスクは、水を主成分とする液により
除去する。除去する方法はインキの種類により異なる
が、マスク付基板に透明導電膜を形成したものを、水に
浸すか,水をスプレイするか,またある場合には水に浸
さずに、水をスプレイしつつブラシあるいはスポンジで
軽くこすってマスクを除去する。水に浸した場合や水を
スプレイした場合は,ブラシあるいはスポンジで軽くこ
すってマスクを除去してもよい。特に、カラーフィルタ
基板の場合には、水に浸漬し、水をスプレイするだけで
インキを除去することがカラーフィルタの最上層にブラ
シまたは/およびスポンジが接触しないので最もよい。
水に若干量、好ましくは30%以下の水溶性有機溶剤、
例えばエチルアルコール,メチルアルコール,アセトン
を加えてもよいが、コスト高になりやすい。また、マス
クのインキの種類により、インキが酸性あるいはアルカ
リ性の水に溶けやすいか、膨潤して除去されやすい場合
は、水に酸あるいはアルカリを加えてもよい。特にカラ
ーフィルタあるいはTFT基板に透明導電膜を作る場合
は、アルカリの陽イオンとしてはアンモニウムイオンあ
るいは有機アルカリのイオンが好ましい。インキのマス
クを除去して透明導電性パターンを作る時、水中で試料
に超音波を照射するか、超音波で振動させた水を試料に
噴射するとパターンエッジがきれいになることが見いだ
された。超音波の周波数としては20kHz以上1MH
zが用いられるが、とくに20kHzから100kHz
の超音波が適している。照射時間としては超音波のパワ
ーにより異なるが、20秒ないし15分である。
【0020】後加熱する条件は透明導電性パターンを作
る基板により異なるが、後加熱の方法は透明導電性パタ
ーンを設けた基板を加熱できればどのような方法でもよ
く、ランプによる輻射及び/又は対流加熱,ヒーターに
よる加熱方法などが用いられ、具体的にはエアーオーブ
ン、真空オーブンあるいはホットプレートが用いられ、
エアーオーブンでは3分以上60分以内、実用的には5
分以上30分以内後加熱することが好ましい。ライン内
のホットプレートであるとエアーオーブンの約1/2な
いし1/6の後加熱時間で十分でよい。後加熱の条件
は、基板の耐熱性、例えば基板の変形、伸縮、劣化ある
いは着色などにより温度と時間が異なるが、体積抵抗率
が7×10-4Ω・cm以下となる条件が選ばれる。カラ
ーフィルタ基板の場合は、550nmの光透過率が少な
くとも85%以上、より好ましくは90%以上にするた
めに、温度は150℃以上300℃以下、より好ましく
は後加熱前と後加熱後の色差(ΔEuv) が3 .5 以下0
以上となる150℃以上250℃以下がより好ましい。
またガラスやシリコーン基板の場合は耐熱性があるた
め、150℃以上600℃以下好ましくはガラスに永久
変形が起こりにくい150℃以上400℃以下の温度条
件で後加熱する。また、本方法によって作ることが出来
る透明導電性パターンは現在のところ体積抵抗率7×1
-5Ω・cm以上のものである。後加熱の効果としては
体積抵抗率の低下、光透過率の向上、X線ピーク強度の
増大にみられる結晶性の増大などがあり、体積抵抗率の
経時変化が減少する効果もある。
【0021】
【実施例】以下実施例により本発明を説明する。 実施例1〜4 基板として市販の厚さ135μmのポリエチレンテレフ
タレートフィルムにコロナ照射した後、牛皮ゼラチン2
部を,水60部にメチルアルコール40部よりなる液に
溶かした溶液にフォルマリン0.6部を加えたゼラチン
溶液を塗布して、ポリエチレンテレフタレートフィルム
にゼラチン0.1μm厚の下塗り皮膜を形成した。これ
を乾燥してゼラチン皮膜を硬化させた。この基板に水溶
性牛皮ゼラチン8重量%、およびコロイダルシリカ0.
5重量%を含む親水性インキで、マスクとしてのインキ
の乾燥厚さ2μmになるように、ITOパターン以外の
所に日本ペイント(株)の樹脂凸版フレキシードVと上
記のインキで印刷し、60℃で乾燥してマスクを形成し
た。次いで、酸化スズを10重量%含む、相対密度85
%のITOターゲットを用いてアルゴン300SCC
M,酸素を1〜5SCCMに4段階変化させた雰囲気中
で、基板を100℃に保ってマグネトロンスパッター法
で真空冶金(株)製の相対密度85%ITOターゲット
を用いてITOを1500Å厚に成膜した。次に、IT
Oを成膜したマスク付基板をKOHでpH10.5にし
た35℃の水に浸漬し、2分間上下に揺動してマスクを
除去した。マスクのみ除去されて、下塗りのゼラチン膜
は除去されず、マスクが印刷されなかった所にITOが
パターン状に形成された。この状態でのITOの表面抵
抗率を三菱油化(株)製「Loresta AP」表面
抵抗測定機で測り、また基板をリファレンスとしての5
50nmでの透過率を日本分光(株)製Ubest−5
5分光光度計で測った。これらの結果を表1に示した。
次いで、パターン状のITOが付いた基板を170℃,
1時間,後加熱して、再びITOの抵抗値と550nm
での透過率を測った。これらを表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】実施例5 300mm×400mmの大きさ,厚さ1.1mmのコ
ーニング(株)製7059ガラス基板にクロムの線幅3
0μm,開口部90μm×330μmのブラックマトリ
ックスを設け、開口部にB.G.Rのストライプ状の顔
料レジスト〔日本合成ゴム(株)製カラーレジスト R
ED,GREEN,BLUE〕のパターンを厚さ1.5
μmに塗設し、現像して1色のパターンを作り、それを
繰り返してR,G,Bの3色の11インチ用LCDカラ
ーフィルタパターンを1枚のガラス基板に作成した。こ
れに平坦化層として日本合成ゴム(株)製オプトマーS
S・5200を乾燥膜厚2.0μmになるように塗設し
た。
【0024】このものに、カラーフィルタパターンと電
極端子部以外の所に、東洋紡績(株)製の樹脂凸版コス
モライトCLG170Fを用いて、ポリビニルアルコー
ル〔(株)クラレ製ポバール203〕20重量%を水に
溶解して、これに微粉硫酸バリウムを3.5重量%含有
した印刷インキで印刷を行い、60℃で乾燥してマスク
を作成した。マスクの乾燥膜厚は1.5μmであった。
なお、この印刷パターン解像度をテストしたところ60
μmのラインアンドスペースを解像できた。その後、酸
化スズ10重量%を含む酸化インジウムのターゲット
(相対密度95%)を用いて、アルゴン300SCC
M,酸素6.5SCCMで基板を100℃に保ってIT
Oをスパッターして、1500ÅのITOをマスクの開
口部に成膜した。25℃のpH10の水に、ITOを成
膜した基板を2分間浸漬したのち、水をスプレイしつつ
柔いナイロンブラシローラーの間を通して、マスクと不
要の透明導電膜を除去した。マスクが印刷されなかった
所にITOがパターン状に形成できた。この状態でのI
TOの表面抵抗値は46Ω/Sq,545nmでの光透過
率は84.5%であった。次いで、この基板を230
℃、10分オーブンに入れて加熱したのち、再びITO
の表面抵抗率と545nmでの空気をリファレンスとし
た光透過率を測った。表面抵抗率は18Ω/Sqであり、
545nmの透過率は96.5%であり、TFT・LC
D(Thin Film Transistorを用いた液晶表示装置)用カ
ラーフィルタの透明導電膜として充分な性能を有してい
た。
【0025】実施例6 1.1mm厚のアルカリガラスに二酸化けい素を0.1
μm塗設し,乾燥したに二酸化けい素膜を有するガラス
基板を用い、この基板にポリアクリル酸ナトリウムを基
材とする樹脂凸版用インキで殆どが100μm幅のIT
O下部電極以外の所に富士トレリーフCS−NKの版を
用いて膜厚2.1μmにマスクを印刷して85℃で乾燥
した。基板を110℃にしてITOを高周波イオンプレ
ーティングで成膜して2700ÅのITOを成膜した。
ITO成膜部の表面抵抗は40Ω/Sq、および545n
mの透過率は82%であった。28kHz,300Wの
超音波を照射しているpH11の水に試料を超音波の強
度が強い付近に2分間浸漬し、ついで柔らかいクリーン
ルーム用の布(ベルクリーン)で拭いてマスクと不要の
透明導電膜を洗い落とした。このリフトオフ法により、
ITOのパターンはエッジがきれいに作られた。超音波
を試料に照射すると、照射しない場合に比べて格段にI
TOのパターンエッジはきれいだった。これを270℃
で60分加熱して再び表面抵抗と545nmの透過率を
測定したところ、各々12Ω/Sq,95%となった。こ
の基板に常法でCrのブラックマトリックスを作り、
B,G,Rのパターンをインキ膜厚1.2μmになるよ
うに順次平版印刷法で作成し、その後表面を研磨して平
坦な表面にした。更により平坦化するために実施例5の
平坦化剤を2μm塗設し、更にITOの上部電極を設け
てSTN用の液晶カラーフィルタを作成した。
【0026】
【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、高度
な微細加工技術やエッチング技術を必要とせず、金属の
マスクを用いず、また有機溶剤ではなく水あるいは水溶
液で印刷されたマスクと不要な透明導電膜を除去して、
ガラス基板,カラーフィルタ基板又はプラスチックス基
板上に、光透過率の高い透明導電膜パターンを形成する
ことが出来る。しかも、本発明による透明導電膜のパタ
ーンは寸法精度がよく、基板が傷付きにくく、製造コス
トが安く、またマスクパターンをスクリーン印刷するの
に比較して、ITOパターン面となる基板に印刷版が接
触しないため異物やインキが基板に付着する頻度が非常
に少なくなり歩留りが上がる。また、印刷したマスクを
除去したのち、後加熱することにより低抵抗、高光透過
率の透明導電膜を得ることができる。更に印刷法を採用
してマスクを形成しているために40cm幅以上の大型
基板にも対応し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ITOの表面抵抗率と100℃にして1500
Å厚に成膜した場合におけるAr300SCCMの酸素
流量を変化させた時の関係を示すグラフである。
【図2】ITOの100℃成膜において、Ar300S
CCMNの酸素流量を変化させた時の1500Å厚のI
TOの550nmにおける透過率を示すグラフである。
【符号の説明】
1 100℃成膜、後加熱なし。 2 100℃成膜、後に170℃、1時間加熱。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カラーフィルタを有しまたは有さない基
    板上の透明導電膜を必要とする以外の部分に、水で除去
    しうるインキをインキが印刷される部分以外には印刷版
    が被印刷体に接触しない印刷法を用いて印刷し、乾燥し
    た後、透明導電膜を成膜し、水または水を主成分とする
    液により印刷されたインキ及び必要としない透明導電膜
    を除去することを特徴とする、透明導電性パターンの形
    成方法。
  2. 【請求項2】 水または水を主成分とする液により、印
    刷されたインキを除去すると同時、あるいはその後に超
    音波を照射してインキ及び/又は必要としない透明導電
    膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の透明導
    電性パターンの形成方法。
  3. 【請求項3】 得られた透明導電性パターンを、更に1
    50℃以上600℃以下の温度で後加熱し、透明導電膜
    の体積抵抗率を7×10-4Ω・cm以下にする請求項1
    又は2に記載の透明導電性パターンの形成方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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