JPH08262210A - 光学装置およびこれを有する露光装置 - Google Patents
光学装置およびこれを有する露光装置Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/10—Irradiation devices with provision for relative movement of beam source and object to be irradiated
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
傷や塵埃汚れ等の欠陥によって露光むらが発生すること
を防止する。 【構成】 反射鏡を弾性振動させることによって露光面
での照度の不均一性の影響を解消する。高い振動数の弾
性振動を利用するので振動と露光開始のタイミングとを
同期させることなく、ミラーの欠陥に伴う露光量むらを
解消できる。
Description
などの電磁エネルギビームを利用した分光器、リソグラ
フィ装置、X線顕微鏡などの光学システム装置などに好
適に用いられる光学装置に関する。
トロン放射光用いた照明光学系が提案されている。この
照明光学系においては、露光に有害な影響をもたらす短
波長成分の強度を小さくするため、及び露光領域の拡大
のために反射ミラーが使用される。指向性の高いシンク
ロトロン放射光をミラーに反射させてからマスクに照射
する露光装置では、一般にマスク上の一点に照射される
光は、ミラー上の小さな領域から反射された光である。
この装置はシンクロトロン放射光光源1、ビームを拡大
する凸面ミラー2、転写パターンが形成されているマス
ク3、レジストが塗布されているウエハ8からなってい
る。
傷等の欠陥や塵埃あるいは汚れ等が付着していると、あ
るいはミラー表面の加工精度が不充分であると、このミ
ラーで反射した放射光が照射されるマスク上で、部分的
に照射強度が低下して露光ムラを生じる要因となる。
たものである。すなわち、ミラー等の光学素子を介して
被照射物を照明する露光装置などの光学装置において、
露光ムラの発生を効果的に抑えることができる装置を提
供することを目的とする。
明の好ましいある形態は、電磁エネルギビームを光学素
子を介して被照射物に導く光学装置において、前記光学
素子に弾性振動を生じせしめる機構を有することを特徴
とするものである。ここで、前記光学素子としては、例
えば電磁エネルギービームを反射する反射鏡である。
射面に弾性波を発生させて、反射面の角度あるいは曲率
を微小に変化させる。弾性波が立った反射面で反射した
光の進行方向は反射面の角度あるいは曲率の変化に伴い
周期的に変化する。反射面上の1点で反射した光は被照
射面上の線分状の領域を照明する。逆にマスク上の1点
に照射される光はミラーの面の線分状の領域で反射され
た光が加算されたものになる。このようにミラーを振動
させた場合には、ミラー上の広い領域からの反射光が重
ね合わされるので、仮に反射面に傷や塵埃、あるいは加
工精度などによる反射率むらがあった場合にも、照射さ
れる光の強度は平均化され、照度むらのない均一な露光
が行なわれる。
横振動、表面弾性波等が適当である。弾性波を励起する
方法としては、圧電素子、電磁コイル、等が適当であ
る。
ので振動の周期を露光時間に比較して十分に短くでき
る。従って露光開始のタイミングを露光毎に一定するこ
とをしなくても、露光量の均一性が保たれる。つまりミ
ラーの加振機構に露光開始時刻の情報を伝達する必要が
ない。
本実施例はシンクロトロン放射光を用いたX線露光装置
のための光学装置であり、シンクロトロン放射光源1か
ら発生するシート状のシンクロトロン放射光ビームを凸
面反射ミラー2で拡大し、X線取り出し窓であるBe窓
を通してマスク3を一括照明する。これによりマスク3
のパターンがウエハ4に露光転写させる。
及びミラー2からマスク3までの距離はそれぞれ5m、
光源1からの光のミラー2に対する入射角は89°であ
る。
示す。凸面鏡は薄い平面の基板7を撓めることで円筒面
状の形状を生成している。平面基板7としてはシリコン
ウエハを長方形に切り出したものを用いる。基板7の大
きさは幅50mm、長さ550mm、厚さ1mmであ
り、間隔500mmの一対の保持機構8で保持する。こ
の一対になった保持機構はシリコン板に対して逆向きの
偶力を与える。偶力の大きさは調整可能なであり、その
大きさを変えることにより反射鏡の曲率を自由に設定す
ることが出来る。反射鏡基板の裏側すなわち光を反射し
ない側の面の中心を外れた位置に永久磁石10が取り付
けてある。反射鏡の保持機構の永久磁石に対向する位置
にはコイル9が設けてあり、これに交流電流を流すこと
により、反射鏡基板7に面外の曲げ振動を励振する。
を曲率半径50mの円筒面状に曲げておき、さらにこの
上に振幅0.066mmの2次の曲げ振動を起こさせて
いる。振動周波数は約3.8kHzである。図3にミラ
ー形状と振動の様子を示す。このとき、ミラーの中心部
分は振動の節になるので、反射面の位置は変わらないで
反射面の角度だけが周期的に変化する。振幅0.066
mmのときミラー中心での角度の振幅は0.5mrad
となり、この面で反射した光の進行方向は1mradの
振幅で周期的に変化する。ミラーからマスクまでの距離
が5mとすればミラーの上の1点で反射した光はマスク
上の長さ10mmの線分状の領域を照明することにな
る。
の長手方向に沿って4.3mm離れた2点で反射した光
はマスク上の1mm離れた2点に投影される。従って、
ミラーが上記のような振動をしている場合にはマスク上
の1点に照射される光はミラーの長手方向に沿った長さ
43mmの線分状の領域で反射された光が加算されたも
のになる。このようにミラーを振動させた場合には、ミ
ラー上の広い領域からの反射光が重ね合わされるのでミ
ラー面に傷や塵埃などによる反射率むらがあった場合に
もマスクに照射される光の強度は平均化され、照度むら
のない均一な露光が行なわれる。
の位置、角度、曲率半径が同時に振動することになる。
しかし反射光のマスク上での照射位置の動きに関しては
ほぼミラー中心部と同ような作用を及ぼす。従ってマス
ク全面にわたって照射される光の強度は平均化され、照
度むらのない均一な露光が行なわれる。
くはないときには、振動の位相と露光開始のタイミング
とが露光毎に一定していなければ露光量の均一性が失わ
れる恐れがある。例えば露光時間が1秒、振動周期が
0.8秒の場合、1回の露光の間にミラーからの反射光
はマスク上で1.25回往復する。反射光が最も上向き
に向いた時に露光が開始された場合にはマスクの上側の
領域の照度が下側に比べてより多くなり、反射光が最も
下向きに向いた時に露光が開始された場合にはマスクの
下側の領域の照度が下側に比べてより多くなる。
0026秒であり、露光時間が1秒程度であれば振動の
周期が露光時間に比較して十分に短いといえるので、露
光開始のタイミングを露光毎に一定することをしなくて
も、露光量の均一性が保たれる。
構成を示す。本実施例はアンジュレータ光源を用いたX
線露光装置のための光学装置である。アンジュレータ1
1からのビームを凸面反射鏡12で拡大し、Be窓15
を通してマスク13を一括照明して、マスクパターンを
ウエハ14に露光転写する。
での距離は3m、ミラー12からマスク13までの距離
は6m、光源11からの光のミラー12に対する入射角
は89.2°である。
示す。凸面鏡は溶融石英基板を円筒面状に研磨し、表面
にスリット状の切り込み17を入れたものである。その
表面は白金薄膜でコーティングして反射率を向上すると
共にX線の照射による石英の損傷を防止してある。円筒
面の曲率半径は100m、スリット相互の間隔は1.0
5mm、スリットの幅は0.05mm、深さは10mm
である。すなわちミラーの表面は厚さ1mm、長さ10
mmの片持ち梁の集合と見做される。スリット部分では
X線が反射されないで光量の損失になるので、スリット
幅はできるだけ狭い方が望ましいが、本実施例の場合に
はその損失の割合は5%以下なので、露光装置の生産性
の低下はほとんど問題とならない程度である。
り付けてある。これに交流電圧を印加することにより、
反射鏡基板に縦振動を励振する。励振周波数は336k
Hzで、ミラー表面の片持ち梁の1次振動の共振周波数
に一致させてある。片持ち梁を共振させることにより、
ミラー基板の縦振動の振幅に比べて片持ち梁の横振動の
振幅は非常に大きなものになる。
ある。梁先端の振幅が2μmのとき、この反射面の傾き
の振幅は約0.4mradになり、この面で反射した光
の進行方向は0.8mradの振幅で周期的に変化す
る。ミラーからマスクまでの距離が6mなので、ミラー
の上の1点で反射した光はマスク上の長さ9.6mmの
線分状の領域を照明することになる。
マスク上の1点に照射される光はミラーの長手方向に沿
った長さ43mmの線分状の領域で反射された光が加算
されたものになる。このようにミラーを振動させた場合
には、ミラー上の広い領域からの反射光が重ね合わされ
るのでミラー面に傷や塵埃などによる反射率むらがあっ
た場合にもマスクに照射される光の強度は平均化され、
照度むらのない均一な露光が行なわれる。
照明光学系の構成を示す。シンクロトロン放射光源であ
る電子蓄積リング21で発生したシンクロトロン放射光
は、2枚の反射鏡に22,23よって集光、平行化さ
れ、これでマスク24を照明することによって、マスク
上の吸収体パターンをウエハ25に転写する。
る。通常の金属等を用いた反射鏡の場合、入射角が90
°より僅かに小さい場合には高いX線反射率が得られる
が、入射角がさらに小さくなると反射率が急激に低下す
る。これに対して、反射鏡表面を多層膜で構成すること
で、より小さな入射角に対しても高い反射率を得ること
ができる。
には凸の曲率を持った鞍型トロイダル形状のミラーであ
る。第2の反射鏡23はX方向には無限大、Y方向には
凹の曲率を持ったシリンドリカル形状のミラーである。
第1のミラー22でX方向に集光されるので、大きな角
度で放射光を取り込むことができる。
ー22までの距離は3m、第の1ミラー22から第2の
ミラー23までの距離は3m、第2のミラー23からマ
スク24までの距離は3m、ミラー22,23に対する
光線の主入射角はミラーに対する光線の主入射角はいず
れも86°である。コリメータとしての合成焦点距離は
水平方向に関しては3m、垂直方向に関しては100m
である。
に挙げる。
を図7に示す。第1の反射鏡基板の両端には櫛型の圧電
素子26が設けてある。これに高周波電源27によって
交流電圧を印加することにより、反射鏡基板に表面弾性
波(レイリー波)を励振する。励振周波数は5MHzで
ある。表面弾性波の波長は約1mm、振幅は0.16μm
である。高い周波数の弾性波は固体中での減衰が大きい
ので、ミラーは発熱する。また、光源からの光の吸収に
よってもミラーは発熱する。ミラーの温度が変化すると
反射面の形状が変化し、マスク上の照度が変化する。そ
こで、本実施例ではミラー内部に冷却水の流路18が設
けて、水冷によってミラーの温度変化を防止して、マス
ク上の照度を均一に保っている。
反射面の傾きの振幅は約0.1mradになり、この面
で反射した光の進行方向は0.2mradの振幅で周期
的に変化する。このため、マスク上の1点を照射する光
は、第1のミラーの長手方向に沿った長さ10mmの線
分状の領域で反射され、また第2のミラーの長手方向に
沿った長さ40mm線分状の領域で、反射された光が加
算されたものになる。
は、ミラー上の広い領域からの反射光が重ね合わされる
のでミラー面に傷や塵埃などによる反射率むらがあった
場合にもマスクに照射される光の強度は平均化される。
短くできるので、露光時にミラーの振動と露光開始時刻
との同期をとったりすることなしに照度むらのない均一
な露光が行なわれる。
照明光学系の構成を示す。本実施例では、点状のレーザ
ープラズマX線源31からの発散ビームを回転放物面鏡
で反射し、平行ビームとしてマスクを通してレジストを
露光する。レーザープラズマ光源31ではパルスレーザ
ービームをレンズ32で収束し、テープ状の金属ターゲ
ット33に照射し、軟X線を発生する。発生した軟X線
はダイアモンド薄膜のフィルタ34を透過した後、ミラ
ー35で反射される。ミラー35はミラーホルダ36に
よって保持されている。ミラー35で反射したX線ビー
ムはマスク37を照射し、マスクのパターンをウエハ3
8に露光転写する。
あるターゲット33からミラーまでは3m、ミラー35
からマスク37までは5m、ミラー中心部での軟X線の
入射角は89.5°である。
SiC製で幅50mm、長さ400mm厚さ50mmで
ある。長手方向の両端面には圧電素子39が取り付けて
ある。圧電素子には高周波電源40が接続されており、
周波数500kHzの高周波電圧が印加される。これに
よってミラーには長手方向に進行する縦波が励振され
る。縦波の速度はミラー材の物性値によって決まり、本
実施例では約5000m/sである。従って、縦波の波
長は約10mmである。
波状の凹凸が生じる。表面の波の振幅が0.14μmの
時、反射面の最大の傾きが8.7μradとなる。マスク上
の1点を照射する光は、このミラーの長手方向に沿った
長さ10mmの線分状の領域で反射された光が加算され
たものになる。
は、ミラー上の広い領域からの反射光が重ね合わされる
のでミラー面に傷や塵埃などによる反射率むらがあった
場合にもマスクに照射される光の強度は平均化される。
くはないときには、振動の位相と露光開始のタイミング
とが露光毎に一定していなければ露光量の均一性が失わ
れる恐れがある。例えば露光時間が1秒、振動周期が
0.8秒の場合、1回の露光の間にミラーからの反射光
はマスク上で1.25回往復する。反射光が最も上向き
に向いた時に露光が開始された場合にはマスクの上側の
領域の照度が下側に比べてより多くなり、反射光が最も
下向きに向いた時に露光が開始された場合にはマスクの
下側の領域の照度が下側に比べてより多くなる。
ロ秒であり、露光時間が1秒程度であれば振動の周期が
露光時間に比較して十分に短いといえるので、露光開始
のタイミングを露光毎に一定することをしなくても、露
光量の均一性が保たれる。
の照明光学系の構成を示す。本実施例では、アンジュレ
ータX線源41からのビームは順次、凸面鏡42、フラ
イアイミラー43、振動凹面鏡44で反射し、反射型マ
スク45を照明する。フライアイミラー43は一面に規
則的な微小な凹面を配列したミラーで、通常の光露光装
置の照明系で用いられるフライアイレンズと実質的に同
じ働きをする。すなわちフライアイミラー43の直後に
多数の2次光源の集合を形成し、その像が振動凹面鏡4
4でマスク45に結像して照明することになる。照明さ
れた反射型マスク45の像はシュワルツシルト光学系4
6により縮小され、レジストが塗布されたウエハ47に
結像しマスクパターンの露光転写が行なわれる。
動凹面鏡はSiC製でミラーホルダ53に保持されてい
る。反射面48は回転楕円面に研磨した上に多層膜コー
ティング49が施してある。多層膜の構成は使用するX
線の波長によって最適なものが選ばれる。例えば波長1
3nmのX線を用いる場合にはモリブデンとシリコンの
組み合せで厚さ約6.5nmの周期の多層膜が用いられ
る。
ト50が切ってある。スリット50を挾んで磁石51と
コイル52が取り付けてあり、コイル52には交流電流
が流してある。これによってミラーはスリットの上下で
曲げ振動を行う。このため、フライアイミラーによって
できた2次光源の像はマスクの上で往復振動する。
反射型マスク上の1点を照明する光は2次光源の像が重
ね合わされるので、ミラー面に傷や塵埃などによる反射
率むらがあった場合にもマスクに照射される光の強度は
平均化される。
ーを微小振動させるのに弾性振動を利用するので振動の
周期が露光時間に比較して十分に短くできる。従って露
光開始のタイミングを露光毎に一定することをしなくて
も、露光量の均一性が保たれる。つまりミラーの加振機
構に露光開始時刻の情報を伝達する必要がない。
などを用いて測定する必要がなく、1個から数個以内の
加振装置を用いるだけの単純な構成により照度むらが解
消できる。
が低く、高信頼性となる。加えて、ミラーの振動機構に
軸受けや摺動部がないので磨耗や発塵がなく、長寿命の
装置が実現できる。
利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図1
2は、微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、
液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)で
は半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マス
ク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを
製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウ
エハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスク
とウエハをもちいて、リソグラフィー技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組立)
は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエ
ハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブ
リ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング
工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検
査)ではステップ5で作成された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工
程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステッ
プ7)される。
ローを示す。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面
を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ強面
に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14
(イオン打ち込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ス
テップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ16(露光)では、上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像す
る。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実
施例の製造方法を用いいれば、従来製造が難しかった高
集積度の半導体デバイスを低コストに製造することがで
きる。
介して被照射物を照明する露光装置などの光学装置にお
いて、露光ムラの発生を効果的に抑えることができる。
図である。
る。
Claims (12)
- 【請求項1】 電磁エネルギビームを光学素子を介して
被照射物に導く光学装置において、前記光学素子に弾性
振動を生じせしめる機構を有することを特徴とする光学
装置。 - 【請求項2】 前記光学素子は、電磁エネルギービーム
を反射する反射鏡である請求項1記載の光学装置。 - 【請求項3】 前記機構は圧電素子を有する請求項1記
載の光学装置。 - 【請求項4】 前記機構は電磁コイルを有する請求項1
記載の光学装置。 - 【請求項5】 前記反射鏡の弾性振動の振幅を拡大せし
める構造を設けたことを特徴とする請求項1記載の光学
装置。 - 【請求項6】 前記構造はスリット構造である請求項4
記載の光学装置。 - 【請求項7】 前記電磁エネルギビームはシンクロトロ
ン放射源からのシンクロトロン放射光、レーザープラズ
マX線源からのX線、もしくはアンジュレータX線源か
らのX線である請求項1乃至6のいずれか記載の光学装
置。 - 【請求項8】 弾性振動が面外横振動である請求項1乃
至6のいずれか記載の光学装置。 - 【請求項9】 弾性振動が面内縦振動である請求項1乃
至6のいずれか記載の光学装置。 - 【請求項10】 弾性振動が表面弾性波振動である請求
項1乃至6のいずれか記載の光学装置。 - 【請求項11】 請求項1乃至10のいずれか記載の光
学装置によって、電磁エネルギビームをマスク及びウエ
ハに照射することによってマスクパターンをウエハに露
光転写することを特徴とする露光装置。 - 【請求項12】 請求項11の露光装置を用いてデバイ
スを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06601295A JP3278317B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US08/620,604 US5825844A (en) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | Optical arrangement and illumination method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06601295A JP3278317B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08262210A true JPH08262210A (ja) | 1996-10-11 |
JP3278317B2 JP3278317B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=13303615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06601295A Expired - Fee Related JP3278317B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5825844A (ja) |
JP (1) | JP3278317B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟x線露光装置 |
WO2009125530A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | 光源装置、露光装置および製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091209A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
DE19935568A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-15 | Zeiss Carl Fa | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
EP1200879B1 (de) | 1999-07-30 | 2007-06-20 | Carl Zeiss SMT AG | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
US6421417B1 (en) * | 1999-08-02 | 2002-07-16 | Osmic, Inc. | Multilayer optics with adjustable working wavelength |
DE10001291A1 (de) | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Zeiss Carl | Adaptronischer Spiegel |
JP2001332472A (ja) | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Canon Inc | X線露光装置 |
JP2002093684A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | X線露光装置、x線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
JP2003059801A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005083862A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Canon Inc | 光学薄膜およびこれを用いたミラー |
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DE102013223808A1 (de) * | 2013-11-21 | 2014-12-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht |
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TWI701517B (zh) | 2014-12-23 | 2020-08-11 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 光學構件 |
DE102014226917A1 (de) * | 2014-12-23 | 2015-12-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | X線露光装置 |
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JPH0720293A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Canon Inc | X線ミラー及びこれを用いたx線露光装置とデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP06601295A patent/JP3278317B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-22 US US08/620,604 patent/US5825844A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3278317B2 (ja) | 2002-04-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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