JPH0825763B2 - すす状シリカ体の製造方法、その装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラス - Google Patents
すす状シリカ体の製造方法、その装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラスInfo
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- JPH0825763B2 JPH0825763B2 JP10883690A JP10883690A JPH0825763B2 JP H0825763 B2 JPH0825763 B2 JP H0825763B2 JP 10883690 A JP10883690 A JP 10883690A JP 10883690 A JP10883690 A JP 10883690A JP H0825763 B2 JPH0825763 B2 JP H0825763B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は合成石英ガラスの前駆体となるすす状シリカ
体の製造方法とその装置に係り、特に高度に均質な合成
石英ガラスが製造可能なすす状シリカ体の製造方法とそ
の装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラスに関す
る。
体の製造方法とその装置に係り、特に高度に均質な合成
石英ガラスが製造可能なすす状シリカ体の製造方法とそ
の装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラスに関す
る。
「従来の技術」 従来より、四塩化珪素等のシリカ形成気相原料を火炎
中での酸化／加水分解反応により生成したすす状シリカ
微粒子をターゲット軸上に堆積させてすす状シリカ体
（以下スート体という）を生成した後、該スート体を所
定雰囲気下で焼結する事により透明状の溶融ガラス体を
得る、いわゆる気相による合成石英ガラスの製造法は公
知であり、かかる合成石英ガラスの前駆体となるスート
体の製造は、同心円状の環状酸水素火炎バーナに四塩化
珪素等の珪素化合物と酸素及び水素を供給し、酸水素火
炎中で珪素化合物を酸化、加水分解させてすす状シリカ
微粒子を生成し、これを石英ガラス、炭素、炭化珪素、
アルミナ等のような、回転しているターゲット軸上に順
次堆積させつつ、該ターゲット軸を順次軸方向に移動さ
せる事により、該基体軸方向に沿って順次シリカ微粒子
を円錐状に堆積してスート体を製造する技術（特開昭56
−104740号、特開昭58−9835号他、以下第１従来技術と
いう。）が提案されている。
中での酸化／加水分解反応により生成したすす状シリカ
微粒子をターゲット軸上に堆積させてすす状シリカ体
（以下スート体という）を生成した後、該スート体を所
定雰囲気下で焼結する事により透明状の溶融ガラス体を
得る、いわゆる気相による合成石英ガラスの製造法は公
知であり、かかる合成石英ガラスの前駆体となるスート
体の製造は、同心円状の環状酸水素火炎バーナに四塩化
珪素等の珪素化合物と酸素及び水素を供給し、酸水素火
炎中で珪素化合物を酸化、加水分解させてすす状シリカ
微粒子を生成し、これを石英ガラス、炭素、炭化珪素、
アルミナ等のような、回転しているターゲット軸上に順
次堆積させつつ、該ターゲット軸を順次軸方向に移動さ
せる事により、該基体軸方向に沿って順次シリカ微粒子
を円錐状に堆積してスート体を製造する技術（特開昭56
−104740号、特開昭58−9835号他、以下第１従来技術と
いう。）が提案されている。
しかしながらかかる製造技術においては、シリカ微粒
子をターゲット軸上に軸方向に沿って順次堆積する構成
を取る為に、前記スート体を大型化、言い変えればター
ゲット軸方向に長くすればする程生産性が低下するとと
もに、前記バーナにより形成される火炎は中心部が火炎
温度が高く周縁部に進むにつれ低くなる為に、形成され
るスート体も半径方向に硬度差や嵩密度差が生じ、透明
ガラス化を行う次工程の焼結溶融時において、内外層と
中間層の熱収縮率の差によってひび割れやしわが出来て
しまう場合があった。
子をターゲット軸上に軸方向に沿って順次堆積する構成
を取る為に、前記スート体を大型化、言い変えればター
ゲット軸方向に長くすればする程生産性が低下するとと
もに、前記バーナにより形成される火炎は中心部が火炎
温度が高く周縁部に進むにつれ低くなる為に、形成され
るスート体も半径方向に硬度差や嵩密度差が生じ、透明
ガラス化を行う次工程の焼結溶融時において、内外層と
中間層の熱収縮率の差によってひび割れやしわが出来て
しまう場合があった。
かかる欠点を解消する為に、ターゲット軸のシリカ微
粒子堆積部位全長に亙って多数本のバーナを列状に配置
し、該バーナ列により回転しているターゲット軸上に、
半径方向に沿って順次シリカ微粒子を堆積させる技術
（特開昭53−70449号、以下第２従来技術という。）が
提案されている。
粒子堆積部位全長に亙って多数本のバーナを列状に配置
し、該バーナ列により回転しているターゲット軸上に、
半径方向に沿って順次シリカ微粒子を堆積させる技術
（特開昭53−70449号、以下第２従来技術という。）が
提案されている。
しかしながらこのように複数の管状バーナを一列状に
配列してスート体を製造する場合には、隣接する各バー
ナ間におこる火炎の重なりによる干渉や、火炎のあたる
所とあたらない所による堆積むらが発生し、高度に均質
化されたスート体を得る事は非常に困難であった。
配列してスート体を製造する場合には、隣接する各バー
ナ間におこる火炎の重なりによる干渉や、火炎のあたる
所とあたらない所による堆積むらが発生し、高度に均質
化されたスート体を得る事は非常に困難であった。
かかる欠点を解消する為に、バーナ列を一定の振幅で
耐熱性基体軸線方向に沿って往復運動させて複数のバー
ナから発生する火炎の流れを、擬似的にひとつの大きな
帯状の火炎に形成する事により、前述した隣接する各バ
ーナ間における堆積むらその他の弊害を解消する技術
（特開昭51−56641号、以下第３技術という。）も考え
られている。
耐熱性基体軸線方向に沿って往復運動させて複数のバー
ナから発生する火炎の流れを、擬似的にひとつの大きな
帯状の火炎に形成する事により、前述した隣接する各バ
ーナ間における堆積むらその他の弊害を解消する技術
（特開昭51−56641号、以下第３技術という。）も考え
られている。
「発明が解決しようとする課題」 前記第１従来技術の生産性を改良した第２および第３
の従来技術では確かに大型の石英ガラス体が得られるよ
うになったが、ターゲット軸の方向に屈折率の不均一が
生じてしまった。これは第１従来技術には見られないも
のであった。すなわち、大型で均一性の高い石英ガラス
を得ることは従来技術では非常に困難であった。
の従来技術では確かに大型の石英ガラス体が得られるよ
うになったが、ターゲット軸の方向に屈折率の不均一が
生じてしまった。これは第１従来技術には見られないも
のであった。すなわち、大型で均一性の高い石英ガラス
を得ることは従来技術では非常に困難であった。
さて近年LSIの微細化、高集積化に伴ないウエハ上に
回路パターンを描画する光リソグラフィ技術においても
サブミクロン単位の超微細な線幅を描画可能とする為
に、高純度の合成石英ガラス材からなる大口径のレンズ
やプリズム等を用いて光の短波長域における光透過性を
確保しつつ、KrF（248nm），やArF（193nm）等の短波長
エキシマレーザを光源として用いたリソグラフィ装置が
開発されているが、この用途における合成石英ガラス
は、屈折率の均一性を現わすホモジニティーが５×10-6
以下でならなければならない。
回路パターンを描画する光リソグラフィ技術においても
サブミクロン単位の超微細な線幅を描画可能とする為
に、高純度の合成石英ガラス材からなる大口径のレンズ
やプリズム等を用いて光の短波長域における光透過性を
確保しつつ、KrF（248nm），やArF（193nm）等の短波長
エキシマレーザを光源として用いたリソグラフィ装置が
開発されているが、この用途における合成石英ガラス
は、屈折率の均一性を現わすホモジニティーが５×10-6
以下でならなければならない。
しかしながら前記したように従来技術で製造された合
成石英ガラスではホモジニティーΔｎを５×10-6以下に
抑えることが不可能であり、リソグラフィ装置用光学部
材として好適な合成石英ガラス材を提供し得なかった。
成石英ガラスではホモジニティーΔｎを５×10-6以下に
抑えることが不可能であり、リソグラフィ装置用光学部
材として好適な合成石英ガラス材を提供し得なかった。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前記バーナ列
を用いてスート体を製造するも、該バーナ列の前述した
欠点を完全に解消する事の出来るスート体の製造方法を
提供する事を目的とする。
を用いてスート体を製造するも、該バーナ列の前述した
欠点を完全に解消する事の出来るスート体の製造方法を
提供する事を目的とする。
又本発明の他の目的は、ホモジニティーΔｎを５×10
-6以下にすることが出来る合成石英ガラス材が製造可能
なスート体の製造方法、その製造装置、及び該合成石英
ガラスを提供する事を目的とする。
-6以下にすることが出来る合成石英ガラス材が製造可能
なスート体の製造方法、その製造装置、及び該合成石英
ガラスを提供する事を目的とする。
「課題を解決する為の技術手段」 本発明は前記従来技術と同様にシリカ微粒子生成用バ
ーナ列とターゲット軸とを相対的に移動させるものであ
るが、前記従来技術の様に短振幅で往復運動を行なう事
なく、前記バーナ列の移動距離を、製造すべきスート体
の軸方向長さとほぼ同等距離若しくはそれ以上の範囲
（以下スート体長さＬという）に設定し、実質的に前記
従来技術における上下死点の消去を図り、そして更に前
記相対移動を等速度で行なう事により、軸方向に高度に
均質化させたスート体を得るものである。
ーナ列とターゲット軸とを相対的に移動させるものであ
るが、前記従来技術の様に短振幅で往復運動を行なう事
なく、前記バーナ列の移動距離を、製造すべきスート体
の軸方向長さとほぼ同等距離若しくはそれ以上の範囲
（以下スート体長さＬという）に設定し、実質的に前記
従来技術における上下死点の消去を図り、そして更に前
記相対移動を等速度で行なう事により、軸方向に高度に
均質化させたスート体を得るものである。
この場合前記の様な長い移動範囲をバーナ列の往復運
動で行なおうとすると、バーナ列の移動ストロークがス
ート体長さＬの３倍以上必要とし、結果として装置の大
型化につながる。
動で行なおうとすると、バーナ列の移動ストロークがス
ート体長さＬの３倍以上必要とし、結果として装置の大
型化につながる。
そこで請求項２及び請求項４に記載した発明におい
て、第２図に示すように、前記バーナ列をスート体長さ
Ｌに対応する直線距離を有する長円に沿って無端状に周
回運動を行なうか、バーナ列を構成する各バーナが前記
スート体長さＬだけ直線上に移動した後、順次反転して
折返し運動を行なうように構成するのがよい。
て、第２図に示すように、前記バーナ列をスート体長さ
Ｌに対応する直線距離を有する長円に沿って無端状に周
回運動を行なうか、バーナ列を構成する各バーナが前記
スート体長さＬだけ直線上に移動した後、順次反転して
折返し運動を行なうように構成するのがよい。
この場合前記周回域端側若しくは反転域端側において
はバーナの速度が変更するのみならずターゲット軸と直
交する方向に移動するために当然に製造されたスート体
に堆積むらやかさ密度の変化が生じ、その堆積域におい
ては高均質のスート体を得る事が出来ないのみならず、
スート体端側よりひび割れが生じてしまう恐れもある。
はバーナの速度が変更するのみならずターゲット軸と直
交する方向に移動するために当然に製造されたスート体
に堆積むらやかさ密度の変化が生じ、その堆積域におい
ては高均質のスート体を得る事が出来ないのみならず、
スート体端側よりひび割れが生じてしまう恐れもある。
そこで請求項３及び請求項５に記載した発明において
は、前記周回域端側若しくは反転域に位置するターゲッ
ト軸を、バーナの火炎から遮断する遮蔽板を配し、結果
的にスート体長さＬを越える部分の運動域において生成
されたシリカ微粒子を、積極的に前記ターゲット軸に付
着させないようにし、これにより軸方向全域に亙って高
均質なスート体を得る事が出来る。
は、前記周回域端側若しくは反転域に位置するターゲッ
ト軸を、バーナの火炎から遮断する遮蔽板を配し、結果
的にスート体長さＬを越える部分の運動域において生成
されたシリカ微粒子を、積極的に前記ターゲット軸に付
着させないようにし、これにより軸方向全域に亙って高
均質なスート体を得る事が出来る。
そして請求項７に記載するように、かかるスート体を
焼結ガラス化する事により、屈折率変動幅Δｎを５×10
-6以下に抑えることが出来る合成石英ガラス材を得る事
が可能となる。
焼結ガラス化する事により、屈折率変動幅Δｎを５×10
-6以下に抑えることが出来る合成石英ガラス材を得る事
が可能となる。
又前記のように遮蔽板を設けなくても、第３図及び第
４図に示すように前記バーナ群の移動軌跡を、直線距離
移動後ターゲット軸から遠ざかる方向にバーナ群を移動
可能に設定しても前記発明と同様な作用を得る事が出来
る。
４図に示すように前記バーナ群の移動軌跡を、直線距離
移動後ターゲット軸から遠ざかる方向にバーナ群を移動
可能に設定しても前記発明と同様な作用を得る事が出来
る。
「実施例」 以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示的に詳し
く説明する。但しこの実施例に記載されている構成部品
の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特定的な
記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに限定す
る趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
く説明する。但しこの実施例に記載されている構成部品
の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特定的な
記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに限定す
る趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
第１図は本発明の実施例に用いられるスート体製造装
置を示す概略斜視図、第２図はその正面図と平面図で、
バーナ列の移動軌跡を示す。
置を示す概略斜視図、第２図はその正面図と平面図で、
バーナ列の移動軌跡を示す。
同図において、１はターゲット軸で、その両端を軸受
け12を介して回転自在に支持する。
け12を介して回転自在に支持する。
２は、前記ターゲット軸１下方に位置する支持台10上
に設置されたガイドレールで、製造すべきスート体1Aの
軸方向長さとほぼ同等距離に亙って直線距離を有する長
円状をなし、その長円方向の軸線を前記ターゲット軸１
と平行にして且つ平面投影においてその軸線同士が一致
するように配置されている。
に設置されたガイドレールで、製造すべきスート体1Aの
軸方向長さとほぼ同等距離に亙って直線距離を有する長
円状をなし、その長円方向の軸線を前記ターゲット軸１
と平行にして且つ平面投影においてその軸線同士が一致
するように配置されている。
4a…は前記ベルトその他の連結部材11を介して無端状
に等間隔で連結されたバーナ列で、後記するガイドレー
ル２上に周回自在に載置されている。バーナ4a…は、公
知の如く、石英ガラス管を同心状に配設した多重管構造
となし、酸素等のキャリアガスとともに四塩化珪素等の
シリカ形成気相ガスを同心状に噴出しながらシリカ微粒
子を生成可能に構成している。
に等間隔で連結されたバーナ列で、後記するガイドレー
ル２上に周回自在に載置されている。バーナ4a…は、公
知の如く、石英ガラス管を同心状に配設した多重管構造
となし、酸素等のキャリアガスとともに四塩化珪素等の
シリカ形成気相ガスを同心状に噴出しながらシリカ微粒
子を生成可能に構成している。
そして、前記周回域端側に位置するターゲット軸１と
バーナ4a…間にはバーナの火炎から遮断する遮蔽板８を
配し、スート体長さＬを越える部分の運動域において生
成されたシリカ微粒子を前記ターゲット軸１に付着させ
ないようにしている。
バーナ4a…間にはバーナの火炎から遮断する遮蔽板８を
配し、スート体長さＬを越える部分の運動域において生
成されたシリカ微粒子を前記ターゲット軸１に付着させ
ないようにしている。
５は、内周に歯面10を有する前記ベルト11を介してバ
ーナ列4a…に周回力を付与する駆動プーリ若しくは駆動
歯車で、その上端部に円筒ドラム状のガス供給装置７が
回転自在に取り付けられている。
ーナ列4a…に周回力を付与する駆動プーリ若しくは駆動
歯車で、その上端部に円筒ドラム状のガス供給装置７が
回転自在に取り付けられている。
６は酸素管13、水素管14、原料管15が夫々中心垂直軸
に沿って同心状に接続されている回転継手で、その上端
に円筒ドラム状のガス供給装置７が回転自在に支持され
ている。
に沿って同心状に接続されている回転継手で、その上端
に円筒ドラム状のガス供給装置７が回転自在に支持され
ている。
そしてガス供給装置７と各バーナ4a…間には伸縮コイ
ル状のチューブ管９が接続されており、前記バーナ列4a
…とガス供給装置７の回転速度を一致させて同期回転さ
せる事により、バーナ列4a…の周回転に追従してチュー
ブ管９を周回させる事が出来る。
ル状のチューブ管９が接続されており、前記バーナ列4a
…とガス供給装置７の回転速度を一致させて同期回転さ
せる事により、バーナ列4a…の周回転に追従してチュー
ブ管９を周回させる事が出来る。
かかる実施例によれば、前記バーナ列4a…をガイドレ
ールに沿って長円状に等速度で周回させながらシリカ微
粒子を生成することにより、その直線距離域Ｌで常にタ
ーゲット軸にシリカ微粒子を付着させる事が出来ると共
に、スート体長さＬを越える部分の運動域において生成
されたシリカ微粒子は、遮蔽板により邪魔されて前記タ
ーゲット軸への付着を回避させる事が出来、これにより
軸方向全域に亙って高均質なスート体を得る事が出来
る。
ールに沿って長円状に等速度で周回させながらシリカ微
粒子を生成することにより、その直線距離域Ｌで常にタ
ーゲット軸にシリカ微粒子を付着させる事が出来ると共
に、スート体長さＬを越える部分の運動域において生成
されたシリカ微粒子は、遮蔽板により邪魔されて前記タ
ーゲット軸への付着を回避させる事が出来、これにより
軸方向全域に亙って高均質なスート体を得る事が出来
る。
そしてかかるスート体を真空雰囲気下で約100℃前後
で予熱した後、1200℃の温度で５時間前後加熱する。そ
してその後1400℃まで加熱し、これにより透明一体化し
た緻密なガラス部材を得る事が出来る。そして該透明ガ
ラス体をφ280mmに成型した後熱歪を除去し、このもの
の測定領域φ250mmについてホモジニティーΔｎを測定
したところ、２×10-6であって、５×10-6以下であるこ
とが確認され、これにより本発明の目的を円滑に達成出
来た。
で予熱した後、1200℃の温度で５時間前後加熱する。そ
してその後1400℃まで加熱し、これにより透明一体化し
た緻密なガラス部材を得る事が出来る。そして該透明ガ
ラス体をφ280mmに成型した後熱歪を除去し、このもの
の測定領域φ250mmについてホモジニティーΔｎを測定
したところ、２×10-6であって、５×10-6以下であるこ
とが確認され、これにより本発明の目的を円滑に達成出
来た。
第３図は遮蔽板８を設けずに、前記実施例と同一の作
用を営むように構成した他の実施例で、前記バーナ列4a
…の周回軌跡の片側の直線移動距離線上に沿ってターゲ
ット軸１を配設している。
用を営むように構成した他の実施例で、前記バーナ列4a
…の周回軌跡の片側の直線移動距離線上に沿ってターゲ
ット軸１を配設している。
かかる実施例によれば、前記バーナ列4a…をスート体
長さＬに対応する直線移動距離La線に沿って等速度で往
動させながら対応するターゲット軸１部分にシリカ微粒
子を生成した後、ターゲット軸１から遠ざかる方向にバ
ーナ列4a…が周回するために、スート体長さＬを越える
部分の移動域において生成されたシリカ微粒子のターゲ
ット軸１への付着を回避させる事が出来、これにより軸
方向全域に亙って高均質なスート体1Aを得る事が出来
る。
長さＬに対応する直線移動距離La線に沿って等速度で往
動させながら対応するターゲット軸１部分にシリカ微粒
子を生成した後、ターゲット軸１から遠ざかる方向にバ
ーナ列4a…が周回するために、スート体長さＬを越える
部分の移動域において生成されたシリカ微粒子のターゲ
ット軸１への付着を回避させる事が出来、これにより軸
方向全域に亙って高均質なスート体1Aを得る事が出来
る。
この場合において、前記ターゲット軸１へシリカ微粒
子を付着させた後には、スート体長さＬを越える部分の
移動域であるバーナ列4a…回動工程Ｒと復帰工程Lb時に
おいては、バーナ列4a…を消火させて移動させるか、若
しくは原料ガスの供給を停止させてもよい。
子を付着させた後には、スート体長さＬを越える部分の
移動域であるバーナ列4a…回動工程Ｒと復帰工程Lb時に
おいては、バーナ列4a…を消火させて移動させるか、若
しくは原料ガスの供給を停止させてもよい。
尚、本実施例においても前記遮蔽板８を設ける事によ
りスート体1A軸端部の一層均質なシリカ微粒子堆積を可
能にする事はいうまでもない。
りスート体1A軸端部の一層均質なシリカ微粒子堆積を可
能にする事はいうまでもない。
さて前記実施例のようにバーナ列4a…の点火と消火を
繰り返す事は、結果として製造条件が煩雑化し且つ高均
質性を図る上で悪影響がでる場合もある。
繰り返す事は、結果として製造条件が煩雑化し且つ高均
質性を図る上で悪影響がでる場合もある。
そこで第４図においては前記バーナ列4a…の周回軌跡
の両側の直線移動距離La,Lb線上に沿って夫々ターゲッ
ト軸１を配設し、復帰工程時にもスート体1Aの製造を可
能にする技術を開示する。
の両側の直線移動距離La,Lb線上に沿って夫々ターゲッ
ト軸１を配設し、復帰工程時にもスート体1Aの製造を可
能にする技術を開示する。
この場合においては前記周回Ｒ半径を大にし、バーナ
列4a…の往動工程時と復動工程時のいずれにも他側直線
移動距離線Lb,La上に配列且つ移動しているバーナ列4a
…の干渉を避ける必要がある。
列4a…の往動工程時と復動工程時のいずれにも他側直線
移動距離線Lb,La上に配列且つ移動しているバーナ列4a
…の干渉を避ける必要がある。
尚、前記第３図及び第４図に示す実施例は、第１実施
例と異なりシリカ微粒子生成工程におけるバーナ列4a…
の移動が往動若しくは復動の一方向のみであるために、
一層高品質なスート体の製造が可能となる。
例と異なりシリカ微粒子生成工程におけるバーナ列4a…
の移動が往動若しくは復動の一方向のみであるために、
一層高品質なスート体の製造が可能となる。
「効果」 以上記載した如く本発明によれば、複数のバーナを用
いてスート体を製造することにより、ホモジニティーΔ
ｎを５×10-6以下に抑えた合成石英ガラスの提供が可能
となる。等の種々の著効を有す。
いてスート体を製造することにより、ホモジニティーΔ
ｎを５×10-6以下に抑えた合成石英ガラスの提供が可能
となる。等の種々の著効を有す。
第１図は本発明の実施例に用いられるスート体製造装置
を示す概略斜視図、第２図はその正面図と平面図で、バ
ーナ列の移動軌跡を示す。 第３図及び第４図は何れも他の実施例に係るバーナ列の
移動軌跡を示す作用図である。
を示す概略斜視図、第２図はその正面図と平面図で、バ
ーナ列の移動軌跡を示す。 第３図及び第４図は何れも他の実施例に係るバーナ列の
移動軌跡を示す作用図である。
Claims (7)
- 【請求項１】シリカ微粒子生成用バーナ群とターゲット
軸とを相対的に移動させながら、ターゲット軸上に所定
長さのすす状シリカ体を製造する方法において、前記バ
ーナ群をターゲット軸に対し、製造すべき前記シリカ体
の軸方向長さとほぼ同等距離若しくはそれ以上の範囲に
亙って、等速度で相対移動させながらシリカ微粒子をタ
ーゲット軸上に堆積させる事を特徴とするすす状シリカ
体の製造方法 - 【請求項２】前記バーナ群のターゲット軸に対する相対
運動軌跡が、前記シリカ体の軸方向長さとほぼ同等距離
若しくはそれ以上の範囲に亙って直線状軌跡である、周
回軌跡若しくは折返し運動軌跡である請求項１記載のす
す状シリカ体の製造方法 - 【請求項３】前記すす状シリカ体の軸方向長さを越える
部分の運動域において生成されたシリカ微粒子を、前記
ターゲット軸に付着させることなく付着回避手段に付着
させるようにした請求項２記載のすす状シリカ体の製造
方法 - 【請求項４】シリカ微粒子生成用バーナ群をターゲット
軸に対し所定方向に移動させる移動手段を有するすす状
シリカ体の製造装置において、 前記移動手段の移動軌跡を、前記ターゲット軸に堆積す
べき前記シリカ体の軸方向長さとほぼ同等距離若しくは
それ以上の範囲に亙って直線状軌跡である、周回軌跡若
しくは折返し運動軌跡で形成すると共に、少なくとも前
記直線軌跡移動中における前記バーナ群の移動速度を等
速度に設定した事を特徴とするすす状シリカ体製造装置 - 【請求項５】前記シリカ体の軸方向長さを越える部分の
バーナ群の移動域に、ターゲット軸を隠蔽させる隠蔽手
段を設け、該隠蔽手段を利用してターゲット軸へのシリ
カ微粒子付着を阻止するように構成した請求項４記載の
すす状シリカ体製造装置 - 【請求項６】前記直線距離移動後ターゲット軸から遠ざ
かる方向にバーナ群が移動可能に、前記バーナ群の移動
軌跡を設定した請求項４記載のすす状シリカ体製造装置 - 【請求項７】シリカ微粒子生成用バーナ群をターゲット
軸に対し、製造すべき前記シリカ体の軸方向長さとほぼ
同等距離若しくはそれ以上の範囲に亙って、等速度で相
対移動させながらシリカ微粒子をターゲット軸上に堆積
させて得たすす状シリカ体を焼結ガラス化して形成した
事を特徴とする合成石英ガラス
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883690A JPH0825763B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | すす状シリカ体の製造方法、その装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883690A JPH0825763B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | すす状シリカ体の製造方法、その装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412032A JPH0412032A (ja) | 1992-01-16 |
| JPH0825763B2 true JPH0825763B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=14494793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10883690A Expired - Fee Related JPH0825763B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | すす状シリカ体の製造方法、その装置及び該シリカ体を用いた合成石英ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825763B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698484A (en) * | 1995-09-12 | 1997-12-16 | Corning Incorporated | Method and containment vessel for producing fused silica glass and the fused silica blank produced |
| WO1997010184A1 (en) * | 1995-09-12 | 1997-03-20 | Corning Incorporated | Boule oscillation patterns for producing fused silica glass |
| JP3979666B2 (ja) * | 1995-09-12 | 2007-09-19 | コーニング インコーポレイテッド | 溶融シリカガラスの製造に於ける、炉、その使用方法及び炉によって製造された光学製品 |
| DE10047100B4 (de) * | 2000-09-21 | 2004-09-30 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Zylinders aus dotiertem Quarzglas |
| DE10251390B4 (de) | 2002-11-01 | 2006-01-12 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Körpers aus Quarzglas |
| JP6284516B2 (ja) * | 2015-11-16 | 2018-02-28 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法、および光ファイバ母材の製造装置 |
| CN108483872B (zh) * | 2018-01-30 | 2024-01-19 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种大尺寸二氧化硅疏松体的制备装置 |
| CN108467185A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-31 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种大尺寸二氧化硅疏松体及其制备方法和装置 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP10883690A patent/JPH0825763B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0412032A (ja) | 1992-01-16 |
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