JPH08255941A - 超短パルスレーザ装置 - Google Patents
超短パルスレーザ装置Info
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- JPH08255941A JPH08255941A JP5858795A JP5858795A JPH08255941A JP H08255941 A JPH08255941 A JP H08255941A JP 5858795 A JP5858795 A JP 5858795A JP 5858795 A JP5858795 A JP 5858795A JP H08255941 A JPH08255941 A JP H08255941A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、超短パルスレーザ光におけるパルス
列中のパルス数、1パルス当たりのエネルギー、パルス
列全体のエネルギーを容易に制御する。 【構成】共振器内にトリガ光を入射することにより、こ
の共振器内でモード同期した光を偏光ビームスプリッタ
(6) を通して超短パルスレーザとして出力する際、共振
器内の光軸に配置されたポッケルスセル(14)に対する印
加電圧の印加時間及び立上がり立ち下がり時間をポッケ
ルスセルドライバ(15,16) により可変制御してその偏光
を可変する。この場合、ポッケルスセル(14)に対する印
加電圧を長くすればパルスエネルギーが大きくなり、
又、印加電圧の立ち下がりを長くすればパルス列の長さ
が長くなり、これを短くすればパルス列の長さが短くな
る。
列中のパルス数、1パルス当たりのエネルギー、パルス
列全体のエネルギーを容易に制御する。 【構成】共振器内にトリガ光を入射することにより、こ
の共振器内でモード同期した光を偏光ビームスプリッタ
(6) を通して超短パルスレーザとして出力する際、共振
器内の光軸に配置されたポッケルスセル(14)に対する印
加電圧の印加時間及び立上がり立ち下がり時間をポッケ
ルスセルドライバ(15,16) により可変制御してその偏光
を可変する。この場合、ポッケルスセル(14)に対する印
加電圧を長くすればパルスエネルギーが大きくなり、
又、印加電圧の立ち下がりを長くすればパルス列の長さ
が長くなり、これを短くすればパルス列の長さが短くな
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超短パルスレーザをパ
ルス列に出力する超短パルスレーザ装置に関する。
ルス列に出力する超短パルスレーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】超短パルスレーザ列は、超高速現象の観
測やパルスレーザ計測用の光源として、例えば二重露光
干渉法、ストロボ干渉法等による高周波振動の測定、プ
ラズマ計測に用いられている。
測やパルスレーザ計測用の光源として、例えば二重露光
干渉法、ストロボ干渉法等による高周波振動の測定、プ
ラズマ計測に用いられている。
【0003】この超短パルスレーザ列は、多くの場合モ
ード同期レーザによって発生するもので、その発生方法
には、モードロックレーザパルス列を出力するパルス励
起モードロックレーザやモードロックレーザパルス列の
一部を外部のパルススライサーを使って切り出す方法が
ある。
ード同期レーザによって発生するもので、その発生方法
には、モードロックレーザパルス列を出力するパルス励
起モードロックレーザやモードロックレーザパルス列の
一部を外部のパルススライサーを使って切り出す方法が
ある。
【0004】ところで、パルスレーザ計測用の光源とし
て超短パルスレーザ列を用いる場合、パルス列中のパル
ス数、1パルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエ
ネルギーを調整できることが要求されている。
て超短パルスレーザ列を用いる場合、パルス列中のパル
ス数、1パルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエ
ネルギーを調整できることが要求されている。
【0005】しかしながら、パルス励起モードロックレ
ーザの方法では、パルス列の幅が励起パルス光のパルス
幅、又はレーザ媒質の励起状態の寿命により決まり、パ
ルス列中のパルス数、1パルス当たりのエネルギー、パ
ルス列全体のエネルギーを調整することは困難である。
一方、モードロックレーザパルス列の一部を切り出す方
法では、パルスエネルギーがモードロックレーザにより
規定されて調整できない。
ーザの方法では、パルス列の幅が励起パルス光のパルス
幅、又はレーザ媒質の励起状態の寿命により決まり、パ
ルス列中のパルス数、1パルス当たりのエネルギー、パ
ルス列全体のエネルギーを調整することは困難である。
一方、モードロックレーザパルス列の一部を切り出す方
法では、パルスエネルギーがモードロックレーザにより
規定されて調整できない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにパルス励
起モードロックレーザの方法では、パルス列の幅が励起
パルス光のパルス幅、又はレーザ媒質の励起状態の寿命
により決まり、パルス列中のパルス数等を調整できず、
又、モードロックレーザパルス列の一部を切り出す方法
では、パルスエネルギーがモードロックレーザにより規
定されて調整できない。
起モードロックレーザの方法では、パルス列の幅が励起
パルス光のパルス幅、又はレーザ媒質の励起状態の寿命
により決まり、パルス列中のパルス数等を調整できず、
又、モードロックレーザパルス列の一部を切り出す方法
では、パルスエネルギーがモードロックレーザにより規
定されて調整できない。
【0007】そこで本発明は、パルス列中のパルス数、
1パルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエネルギ
ーを容易に制御できる超短パルスレーザ装置を提供する
ことを目的とする。
1パルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエネルギ
ーを容易に制御できる超短パルスレーザ装置を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、共振器内の光
軸にレーザ媒質及びビームスプリッタを配置し、このビ
ームスプリッタを通してトリガ光を共振器内に入射し、
この共振器内でモード同期した光をビームスプリッタを
通して超短パルスレーザとして出力する超短パルスレー
ザ装置において、共振器内の光軸に配置され、印加電圧
の変化に応じて偏光可変な光変調素子と、この光変調素
子に対する印加電圧の印加時間及び立上がり立ち下がり
時間を可変制御する電圧制御手段とを備えて上記目的を
達成しようとする超短パルスレーザ装置である。
軸にレーザ媒質及びビームスプリッタを配置し、このビ
ームスプリッタを通してトリガ光を共振器内に入射し、
この共振器内でモード同期した光をビームスプリッタを
通して超短パルスレーザとして出力する超短パルスレー
ザ装置において、共振器内の光軸に配置され、印加電圧
の変化に応じて偏光可変な光変調素子と、この光変調素
子に対する印加電圧の印加時間及び立上がり立ち下がり
時間を可変制御する電圧制御手段とを備えて上記目的を
達成しようとする超短パルスレーザ装置である。
【0009】
【作用】このような手段を備えたことにより、共振器内
にトリガ光を入射することにより、この共振器内でモー
ド同期した光をビームスプリッタを通して超短パルスレ
ーザとして出力する際、共振器内の光軸に配置された光
変調素子に対する印加電圧の印加時間及び立上がり立ち
下がり時間を電圧制御手段により可変制御してその変更
を可変する。この場合、光変調素子に対する印加電圧を
長くすればパルスエネルギーが大きくなり、又、印加電
圧の立ち下がりを長くすればパルス列の長さが長くな
り、これを短くすればパルス列の長さが短くなる。
にトリガ光を入射することにより、この共振器内でモー
ド同期した光をビームスプリッタを通して超短パルスレ
ーザとして出力する際、共振器内の光軸に配置された光
変調素子に対する印加電圧の印加時間及び立上がり立ち
下がり時間を電圧制御手段により可変制御してその変更
を可変する。この場合、光変調素子に対する印加電圧を
長くすればパルスエネルギーが大きくなり、又、印加電
圧の立ち下がりを長くすればパルス列の長さが長くな
り、これを短くすればパルス列の長さが短くなる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図1は超短パルスレーザ装置の構成図で
ある。アレキサンドライトレーザ共振器を構成する各高
反射ミラー1、2が配置されおり、この共振器の光軸S
上には、レーザ媒質としてのアレキサンドライトレーザ
ロッド3が配置されている。このアレキサンドライトレ
ーザロッド3には、フラッシュランプ4が並設され、こ
のランプ4にランプ電源5が接続されている。なお、ア
レキサンドライトレーザ光は、図中A方向の偏光により
発振するものとなっている。
して説明する。図1は超短パルスレーザ装置の構成図で
ある。アレキサンドライトレーザ共振器を構成する各高
反射ミラー1、2が配置されおり、この共振器の光軸S
上には、レーザ媒質としてのアレキサンドライトレーザ
ロッド3が配置されている。このアレキサンドライトレ
ーザロッド3には、フラッシュランプ4が並設され、こ
のランプ4にランプ電源5が接続されている。なお、ア
レキサンドライトレーザ光は、図中A方向の偏光により
発振するものとなっている。
【0011】又、共振器の光軸S上には、偏光ビームス
プリッタ6が配置され、その分岐光軸F上にはλ/2偏
光板7、ファラデーローテータ8、偏光ビームスプリッ
タ9及びアンプ用アレキサンドライトレーザロッド10
が配置されている。
プリッタ6が配置され、その分岐光軸F上にはλ/2偏
光板7、ファラデーローテータ8、偏光ビームスプリッ
タ9及びアンプ用アレキサンドライトレーザロッド10
が配置されている。
【0012】このうち偏光ビームスプリッタ9の分岐光
軸H上には、LDパルサー11が配置されている。この
LDパルサー11は、トリガ光としてのLDパルスを偏
光ビームスプリッタ9に対して出力する機能を有してい
る。なお、上記λ/2偏光板7、ファラデーローテータ
8及び偏光ビームスプリッタ9は、超短パルス光の共振
器への入射、この共振器からの超短パルスレーザ光の出
射の光軸を変えるスイッチとして作用する。
軸H上には、LDパルサー11が配置されている。この
LDパルサー11は、トリガ光としてのLDパルスを偏
光ビームスプリッタ9に対して出力する機能を有してい
る。なお、上記λ/2偏光板7、ファラデーローテータ
8及び偏光ビームスプリッタ9は、超短パルス光の共振
器への入射、この共振器からの超短パルスレーザ光の出
射の光軸を変えるスイッチとして作用する。
【0013】又、アンプ用アレキサンドライトレーザロ
ッド10には、フラッシュランプ12が並設され、これ
にランプ電源13が接続されている。一方、共振器の光
軸上には、ポッケルスセル14が配置されている。この
ポッケルスセル14は、各ポッケルスセルドライバ1
5、16が接続され、これらドライバ15、16により
印加される各電圧の差電圧が台形状のパルス電圧として
印加されるようになっている。
ッド10には、フラッシュランプ12が並設され、これ
にランプ電源13が接続されている。一方、共振器の光
軸上には、ポッケルスセル14が配置されている。この
ポッケルスセル14は、各ポッケルスセルドライバ1
5、16が接続され、これらドライバ15、16により
印加される各電圧の差電圧が台形状のパルス電圧として
印加されるようになっている。
【0014】なお、このポッケルスセル14は、印加電
圧が零の場合にλ/4偏光板として作用し、又電圧(λ
/2電圧値)が印加されている場合にλ/2偏光板とし
て作用するものとなっている。
圧が零の場合にλ/4偏光板として作用し、又電圧(λ
/2電圧値)が印加されている場合にλ/2偏光板とし
て作用するものとなっている。
【0015】又、ディレイジェネレータ17は、ランプ
電源5からの発光トリガ信号aを受け、このときからフ
ラッシュランプ4の発光強度が最大となるまで期間(約
200μs)だけ遅延してトリガ信号bをLDパルサー
11に対して出力し、かつ各ポッケルスセルドライバ1
5、16に対して各ドライブ信号d1、d2を出力し、
台形状のパルス電圧をポッケルスセル14に印加させる
機能を有している。
電源5からの発光トリガ信号aを受け、このときからフ
ラッシュランプ4の発光強度が最大となるまで期間(約
200μs)だけ遅延してトリガ信号bをLDパルサー
11に対して出力し、かつ各ポッケルスセルドライバ1
5、16に対して各ドライブ信号d1、d2を出力し、
台形状のパルス電圧をポッケルスセル14に印加させる
機能を有している。
【0016】この場合、ディレイジェネレータ17は、
図2に示すように台形状のパルス電圧の立上がり時間を
1μs以下、立ち下がり時間を1ns〜100nsの間
で可変し、かつパルス幅を100ns〜10μsの間で
可変とする機能を有している。
図2に示すように台形状のパルス電圧の立上がり時間を
1μs以下、立ち下がり時間を1ns〜100nsの間
で可変し、かつパルス幅を100ns〜10μsの間で
可変とする機能を有している。
【0017】又、ディレイジェネレータ17は、台形状
のパルス電圧の電圧波形についての信号をランプ電源1
3に与え、このランプ電源13において台形状のパルス
電圧の波形に合わせた発光を行うように制御する機能を
有している。
のパルス電圧の電圧波形についての信号をランプ電源1
3に与え、このランプ電源13において台形状のパルス
電圧の波形に合わせた発光を行うように制御する機能を
有している。
【0018】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。ランプ電源5によってフラッシュランプ
4が発光し、これによりアレキサンドライトレーザロッ
ド3は励起される。このときフラッシュランプ4の発光
強度は、図3に示すように発光開始後から約200μs
後に最大となり、これに伴ってアレキサンドライトレー
ザロッド3の励起も最大となる。
いて説明する。ランプ電源5によってフラッシュランプ
4が発光し、これによりアレキサンドライトレーザロッ
ド3は励起される。このときフラッシュランプ4の発光
強度は、図3に示すように発光開始後から約200μs
後に最大となり、これに伴ってアレキサンドライトレー
ザロッド3の励起も最大となる。
【0019】又、ランプ電源5は、フラッシュランプ4
の発光駆動と同時に発光トリガ信号aをディレイジェネ
レータ17に出力する。このディレイジェネレータ17
は、発光トリガ信号aを受け、このときからフラッシュ
ランプ4の発光強度が最大となるまで約200μsだけ
遅延してトリガ信号bをLDパルサー11に対して出力
する。
の発光駆動と同時に発光トリガ信号aをディレイジェネ
レータ17に出力する。このディレイジェネレータ17
は、発光トリガ信号aを受け、このときからフラッシュ
ランプ4の発光強度が最大となるまで約200μsだけ
遅延してトリガ信号bをLDパルサー11に対して出力
する。
【0020】このLDパルサー11は、トリガ信号bを
受けると同時に図3に示すようにLDパルス光を出力す
る。このLDパルス光の偏光は図1に示すBである。こ
のLDパルス光は、偏光ビームスプリッタ9により光軸
Fに分岐され、さらにファラデーローテータ8により4
5°偏光が回転し、次のλ/2偏光板7により45°偏
光されて元に戻り、偏光Bの状態で偏光ビームスプリッ
タ6に入射し、共振器内の光軸Sに入射する。
受けると同時に図3に示すようにLDパルス光を出力す
る。このLDパルス光の偏光は図1に示すBである。こ
のLDパルス光は、偏光ビームスプリッタ9により光軸
Fに分岐され、さらにファラデーローテータ8により4
5°偏光が回転し、次のλ/2偏光板7により45°偏
光されて元に戻り、偏光Bの状態で偏光ビームスプリッ
タ6に入射し、共振器内の光軸Sに入射する。
【0021】この共振器内の光軸Sに入射したLDパル
ス光は、ポッケルスセル14を透過するが、このときポ
ッケルスセル14は、各ポッケルスセルドライバ15、
16により同一電圧が印加されてその差電圧が零の状態
であり、実質的には電圧が印加されていないのと同一状
態となっている。
ス光は、ポッケルスセル14を透過するが、このときポ
ッケルスセル14は、各ポッケルスセルドライバ15、
16により同一電圧が印加されてその差電圧が零の状態
であり、実質的には電圧が印加されていないのと同一状
態となっている。
【0022】従って、ポッケルスセル14はλ/4偏光
板として作用し、LDパルス光は、図4に示すように円
偏光となり、高反射ミラー2で反射して再びポッケルス
セル14を透過することにより直線偏光となる。このと
き、偏光方向はA方向となる。
板として作用し、LDパルス光は、図4に示すように円
偏光となり、高反射ミラー2で反射して再びポッケルス
セル14を透過することにより直線偏光となる。このと
き、偏光方向はA方向となる。
【0023】このLDパルス光が再びポッケルスセル1
4を透過する前に、ディレイジェネレータ17は各ポッ
ケルスセルドライバ15、16のうち例えばドライバ1
5による印加電圧を零に立ち下げ、これらドライバ1
5、16による印加電圧の差電圧がλ/2電圧値となる
ように制御する。これにより、ポッケルスセル14はλ
/2偏光板として作用する。
4を透過する前に、ディレイジェネレータ17は各ポッ
ケルスセルドライバ15、16のうち例えばドライバ1
5による印加電圧を零に立ち下げ、これらドライバ1
5、16による印加電圧の差電圧がλ/2電圧値となる
ように制御する。これにより、ポッケルスセル14はλ
/2偏光板として作用する。
【0024】この状態に図5に示すようにLDパルス光
が再びポッケルスセル14を透過すると、このLDパル
ス光は偏光方向が90°回転してC方向となり、光反射
ミラー2で反射し、この後に再びポッケルスセル14を
透過すると偏光が90°回転してA方向となる。
が再びポッケルスセル14を透過すると、このLDパル
ス光は偏光方向が90°回転してC方向となり、光反射
ミラー2で反射し、この後に再びポッケルスセル14を
透過すると偏光が90°回転してA方向となる。
【0025】このようにポッケルスセル14がλ/2偏
光板として作用している間、ポッケルスセル14よりも
レーザロッド3側では、LDパルス光の偏光は常にA方
向となり、このレーザロッド3を透過するたびに増幅さ
れる。
光板として作用している間、ポッケルスセル14よりも
レーザロッド3側では、LDパルス光の偏光は常にA方
向となり、このレーザロッド3を透過するたびに増幅さ
れる。
【0026】この状態にポッケルスセル14に対する印
加電圧が1ns程度で立ち下がると、LDパルス光は、
λ/4偏光板として作用するポッケルスセル14を2回
透過してC方向の偏光となり、偏光ビームスプリッタ6
により分岐されて共振器の外に出力される。この出力さ
れたパルス光は、λ/2偏光板7により45°偏光が回
転し、次にファラデーローテータ8により45°偏光が
回転し、D方向の偏光となって偏光ビームスプリッタ9
を透過して再生増幅パルスとして出力される。
加電圧が1ns程度で立ち下がると、LDパルス光は、
λ/4偏光板として作用するポッケルスセル14を2回
透過してC方向の偏光となり、偏光ビームスプリッタ6
により分岐されて共振器の外に出力される。この出力さ
れたパルス光は、λ/2偏光板7により45°偏光が回
転し、次にファラデーローテータ8により45°偏光が
回転し、D方向の偏光となって偏光ビームスプリッタ9
を透過して再生増幅パルスとして出力される。
【0027】一方、ポッケルスセル14に対する印加電
圧の立ち下がりが数10nsであれば、ポッケルスセル
14の印加電圧が立ち下がる途中で、増幅されたLDパ
ルス光がポッケルスセル14を透過するが、印加電圧が
零に下がっていないため、2回ポッケルスセル14を透
過しても直線偏光にはならず、このうちC方向の偏光成
分のみが偏光ビームスプリッタ6で反射して共振器外に
出力され、A方向偏光成分は共振器内に残る。
圧の立ち下がりが数10nsであれば、ポッケルスセル
14の印加電圧が立ち下がる途中で、増幅されたLDパ
ルス光がポッケルスセル14を透過するが、印加電圧が
零に下がっていないため、2回ポッケルスセル14を透
過しても直線偏光にはならず、このうちC方向の偏光成
分のみが偏光ビームスプリッタ6で反射して共振器外に
出力され、A方向偏光成分は共振器内に残る。
【0028】次にポッケルスセル14にLDパルス光が
透過したときも、印加電圧が零に下がっていないため、
2回ポッケルスセル14を透過しても直線偏光にはなら
ず、このうちC方向の偏光成分のみが偏光ビームスプリ
ッタ6で反射して共振器外に出力される。
透過したときも、印加電圧が零に下がっていないため、
2回ポッケルスセル14を透過しても直線偏光にはなら
ず、このうちC方向の偏光成分のみが偏光ビームスプリ
ッタ6で反射して共振器外に出力される。
【0029】このようにポッケルスセル14に対する印
加電圧が零となるまで、パルス光は除々に共振器外に出
力され、パルス列を形成する。このときパルス列のパル
ス間隔は、共振器内の1往復の時間に対応する。
加電圧が零となるまで、パルス光は除々に共振器外に出
力され、パルス列を形成する。このときパルス列のパル
ス間隔は、共振器内の1往復の時間に対応する。
【0030】又、ポッケルスセル14に印加する台形状
の電圧波形を長く制御すると、再生増幅時間が長くな
り、パルスエネルギーが大きくなる。台形状の電圧波形
の立ち下がり時間を長く制御すると、パルス列の長さが
長くなり、短くするとパルス列の長さが短くなる。
の電圧波形を長く制御すると、再生増幅時間が長くな
り、パルスエネルギーが大きくなる。台形状の電圧波形
の立ち下がり時間を長く制御すると、パルス列の長さが
長くなり、短くするとパルス列の長さが短くなる。
【0031】そして、共振器から出力されたパルス光
は、λ/2偏光板7により45°偏光が回転し、次にフ
ァラデーローテータ8により45°偏光が回転し、D方
向の偏光となって偏光ビームスプリッタ9を透過し、ア
ンプ用アレキサンドライトレーザロッド10により増幅
され、超短パルスレーザ光として出力される。
は、λ/2偏光板7により45°偏光が回転し、次にフ
ァラデーローテータ8により45°偏光が回転し、D方
向の偏光となって偏光ビームスプリッタ9を透過し、ア
ンプ用アレキサンドライトレーザロッド10により増幅
され、超短パルスレーザ光として出力される。
【0032】この場合、このレーザロッド10に対する
励起は、ディレイジェネレータ17により台形状のパル
ス電圧の波形に合わせてランプ電源13を発光制御する
ことにより行われる。
励起は、ディレイジェネレータ17により台形状のパル
ス電圧の波形に合わせてランプ電源13を発光制御する
ことにより行われる。
【0033】このように上記一実施例においては、共振
器内のポッケルスセル14に対する印加電圧の印加時間
及び立上がり立ち下がり時間を可変制御するようにした
ので、超短パルスレーザ光のパルス列長さ、全パルス列
エネルギー、1パルス当たりのエネルギーの制御が容易
にできる。
器内のポッケルスセル14に対する印加電圧の印加時間
及び立上がり立ち下がり時間を可変制御するようにした
ので、超短パルスレーザ光のパルス列長さ、全パルス列
エネルギー、1パルス当たりのエネルギーの制御が容易
にできる。
【0034】このうち、全パルス列エネルギー及び1パ
ルス当たりのエネルギーは、ディレイジェネレータ17
により各ポッケルスセルドライバ15、16の動作タイ
ミングを変えてポッケルスセル14に印加される台形状
の電圧波形のパルス幅を変化させることにより制御で
き、パルス列長さは各ポッケルスセルドライバ15、1
6により印加電圧の立ち下がり時間を変化させることに
より制御できる。
ルス当たりのエネルギーは、ディレイジェネレータ17
により各ポッケルスセルドライバ15、16の動作タイ
ミングを変えてポッケルスセル14に印加される台形状
の電圧波形のパルス幅を変化させることにより制御で
き、パルス列長さは各ポッケルスセルドライバ15、1
6により印加電圧の立ち下がり時間を変化させることに
より制御できる。
【0035】例えば、共振器1往復時間が8nsであれ
ば、印加電圧の立ち下がり時間1ns以下となって超短
パルスレーザ光を1パルス、10ns程度ならば2パル
ス、数10nsならば数パルスとなる。
ば、印加電圧の立ち下がり時間1ns以下となって超短
パルスレーザ光を1パルス、10ns程度ならば2パル
ス、数10nsならば数パルスとなる。
【0036】又、全パルスのエネルギーを変えずにパル
ス列の長さを長くすることもできる。さらに、ポッケル
スセル14に対する印加電圧の立ち下がり時の電圧波形
を制御すれば、パルス列のパルス毎にエネルギーを変化
させることもできる。
ス列の長さを長くすることもできる。さらに、ポッケル
スセル14に対する印加電圧の立ち下がり時の電圧波形
を制御すれば、パルス列のパルス毎にエネルギーを変化
させることもできる。
【0037】なお、本発明は上記一実施例に限定される
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、ゲイン調整可能なアンプを組み合わせるこ
とにより、パルス列ピークパワーを一定にした動作モー
ド、パルス列全エネルギーを一定にした動作モード等を
一体とした装置を実現できる。
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、ゲイン調整可能なアンプを組み合わせるこ
とにより、パルス列ピークパワーを一定にした動作モー
ド、パルス列全エネルギーを一定にした動作モード等を
一体とした装置を実現できる。
【0038】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、超
短パルスレーザ光におけるパルス列中のパルス数、1パ
ルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエネルギーを
容易に制御できる超短パルスレーザ装置を提供できる。
短パルスレーザ光におけるパルス列中のパルス数、1パ
ルス当たりのエネルギー、パルス列全体のエネルギーを
容易に制御できる超短パルスレーザ装置を提供できる。
【図1】本発明に係わる超短パルスレーザ装置の一実施
例を示す構成図。
例を示す構成図。
【図2】同装置におけるポッケルスセルに対する印加電
圧の波形図。
圧の波形図。
【図3】同装置におけるトリガ信号の発生タイミングを
示す図。
示す図。
【図4】同装置の作用を示す図。
【図5】同装置の作用を示す図。
1,2…高反射ミラー、3…アレキサンドライトレーザ
ロッド、6,9…偏光ビームスプリッタ、7…λ/2偏
光板、8…ファラデーローテータ、10…アンプ用アレ
キサンドライトレーザロッド、11…LDパルサー、1
4…ポッケルスセル、15,16…ポッケルスセルドラ
イバ、17…ディレイジェネレータ。
ロッド、6,9…偏光ビームスプリッタ、7…λ/2偏
光板、8…ファラデーローテータ、10…アンプ用アレ
キサンドライトレーザロッド、11…LDパルサー、1
4…ポッケルスセル、15,16…ポッケルスセルドラ
イバ、17…ディレイジェネレータ。
Claims (1)
- 【請求項1】 共振器内の光軸にレーザ媒質及びビーム
スプリッタを配置し、このビームスプリッタを通してト
リガ光を前記共振器内に入射し、この共振器内でモード
同期した光を前記ビームスプリッタを通して超短パルス
レーザとして出力する超短パルスレーザ装置において、 前記共振器内の光軸に配置され、印加電圧の変化に応じ
て偏光可変な光変調素子と、この光変調素子に対する印
加電圧の印加時間及び立上がり立ち下がり時間を可変制
御する電圧制御手段とを具備したことを特徴とする超短
パルスレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5858795A JPH08255941A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 超短パルスレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5858795A JPH08255941A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 超短パルスレーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255941A true JPH08255941A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13088616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5858795A Pending JPH08255941A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 超短パルスレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08255941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002307176A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-22 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 微細加工装置 |
AT411719B (de) * | 2000-10-02 | 2004-04-26 | Femtolasers Produktions Gmbh | Dentallaseranordnung |
WO2018207042A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | Uab Mgf Sviesos Konversija | Device and method for generation of high repetition rate laser pulse bursts |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP5858795A patent/JPH08255941A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT411719B (de) * | 2000-10-02 | 2004-04-26 | Femtolasers Produktions Gmbh | Dentallaseranordnung |
US7172588B2 (en) | 2000-10-02 | 2007-02-06 | Femtolasers Produktions Gmbh | Laser device |
JP2002307176A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-22 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 微細加工装置 |
JP4519352B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2010-08-04 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 微細加工装置 |
WO2018207042A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | Uab Mgf Sviesos Konversija | Device and method for generation of high repetition rate laser pulse bursts |
US11276985B2 (en) | 2017-05-08 | 2022-03-15 | Uab Light Conversion | Device and method for generation of high repetition rate laser pulse bursts |
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