JP3333242B2 - パルスレーザ光の増幅方法及び増幅装置 - Google Patents
パルスレーザ光の増幅方法及び増幅装置Info
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- JP3333242B2 JP3333242B2 JP23981092A JP23981092A JP3333242B2 JP 3333242 B2 JP3333242 B2 JP 3333242B2 JP 23981092 A JP23981092 A JP 23981092A JP 23981092 A JP23981092 A JP 23981092A JP 3333242 B2 JP3333242 B2 JP 3333242B2
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Description
【０００１】
【産業上に利用分野】この発明はレーザ発振器から出力
されたパルスレーザ光を増幅するための増幅方法及び増
幅装置に関する。
されたパルスレーザ光を増幅するための増幅方法及び増
幅装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、核融合反応においては、その
ときのプラズマの電子温度や密度を測定することが非常
に重要であり、その測定手段としてはＬＩＤＡＲ(Liggh
t Detection And Ranging)トムソン散乱計測法が用いら
れている。この散乱計測法を用いて測定する場合、レ−
ザ発振器から出力されるパルスレ−ザ光を核融合装置の
真空容器内に導入し、そのプラズマの構成成分である電
子からの散乱光をポリクロメ−タ式の分光器に導入す
る。
ときのプラズマの電子温度や密度を測定することが非常
に重要であり、その測定手段としてはＬＩＤＡＲ(Liggh
t Detection And Ranging)トムソン散乱計測法が用いら
れている。この散乱計測法を用いて測定する場合、レ−
ザ発振器から出力されるパルスレ−ザ光を核融合装置の
真空容器内に導入し、そのプラズマの構成成分である電
子からの散乱光をポリクロメ−タ式の分光器に導入す
る。
【０００３】分光器に導入された散乱光は、その所定の
スペクトル成分だけが分光され、それぞれの分光成分の
強度が検出器によって検出される。したがって、各分光
成分の強度分布を求めることで、そのときの電子温度や
密度などを測定することができる。
スペクトル成分だけが分光され、それぞれの分光成分の
強度が検出器によって検出される。したがって、各分光
成分の強度分布を求めることで、そのときの電子温度や
密度などを測定することができる。
【０００４】上記真空容器内における電子からの散乱光
は非常に微弱であるから、測定精度を高めるためには、
レ−ザ発振器から出力される上記パルスレ−ザ光の強度
を十分に高くしなければ、散乱光の検出精度が低下する
ことになる。したがって、パルスレ−ザ発振器から出力
されたパルスレ−ザ光を十分に高いエネルギに増幅する
ことのできる増幅装置が要求される。
は非常に微弱であるから、測定精度を高めるためには、
レ−ザ発振器から出力される上記パルスレ−ザ光の強度
を十分に高くしなければ、散乱光の検出精度が低下する
ことになる。したがって、パルスレ−ザ発振器から出力
されたパルスレ−ザ光を十分に高いエネルギに増幅する
ことのできる増幅装置が要求される。
【０００５】従来、パルスレ−ザ光を増幅するには、パ
ルスレ−ザ光を一対の高反射ミラ−間にレ−ザ励起部を
配置してなるレ−ザ増幅器内に閉じ込め、上記一対の高
反射ミラ−間で反射往復を繰り返すことで増幅したの
ち、上記レ−ザ増幅器内から増幅パルスレ−ザ光を取り
出すようにしている。
ルスレ−ザ光を一対の高反射ミラ−間にレ−ザ励起部を
配置してなるレ−ザ増幅器内に閉じ込め、上記一対の高
反射ミラ−間で反射往復を繰り返すことで増幅したの
ち、上記レ−ザ増幅器内から増幅パルスレ−ザ光を取り
出すようにしている。
【０００６】パルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内に閉
じ込めるには、この増幅器内にポッケルスセルを設け、
これにステップパルス状の高電圧を印加することで行う
ようにしている。ステップパルス電圧の発生方法として
は、ポッケルスセルとインピ−ダンスマッチングしたコ
ンデンサまたはコイルなどによる波形成形回路（ＰＦ
Ｎ：Pulse Forming Network)を用いる方式やポッケルス
セルに４端子状のものを用い、電極の両端を短絡してこ
の短絡線の長さによる信号遅延時間をもとにする方式な
どが知られている。
じ込めるには、この増幅器内にポッケルスセルを設け、
これにステップパルス状の高電圧を印加することで行う
ようにしている。ステップパルス電圧の発生方法として
は、ポッケルスセルとインピ−ダンスマッチングしたコ
ンデンサまたはコイルなどによる波形成形回路（ＰＦ
Ｎ：Pulse Forming Network)を用いる方式やポッケルス
セルに４端子状のものを用い、電極の両端を短絡してこ
の短絡線の長さによる信号遅延時間をもとにする方式な
どが知られている。
【０００７】しかしながら、上記ＰＦＮ方式の場合、電
気部品の特性の固体差により、ポッケルスセルとの確実
なインピ−ダンスマッチングが難かしい。そのため、実
際には全部品を組み合わせて動作させながら個別部品の
選択が必要となるから、その選択調整が容易でないとい
うことがあった。とくに、ＰＦＮ方式の場合には、コン
デンサとコイルとにより定まる回路定数で、ステップパ
ルス電圧の立ち下がり時間が立上がり時間の３倍かかる
から、ステップパルス電圧の矩形波形に乱れが生じると
いうこともあった。
気部品の特性の固体差により、ポッケルスセルとの確実
なインピ−ダンスマッチングが難かしい。そのため、実
際には全部品を組み合わせて動作させながら個別部品の
選択が必要となるから、その選択調整が容易でないとい
うことがあった。とくに、ＰＦＮ方式の場合には、コン
デンサとコイルとにより定まる回路定数で、ステップパ
ルス電圧の立ち下がり時間が立上がり時間の３倍かかる
から、ステップパルス電圧の矩形波形に乱れが生じると
いうこともあった。
【０００８】また、短絡線の長さによる信号遅延時間を
もとにする方式では、短絡線の容量が与える影響を避け
るために、上記短絡線を長くすることができないから、
一般的には１００ns以上のステップパルス電圧の生成に
は適さない。したがって、パルスレ−ザ光を増幅する時
間に制限を受けたり、またポッケルスセルへの電圧印加
が設定通りに行われず、増幅性能を低下させるというこ
とがあった。
もとにする方式では、短絡線の容量が与える影響を避け
るために、上記短絡線を長くすることができないから、
一般的には１００ns以上のステップパルス電圧の生成に
は適さない。したがって、パルスレ−ザ光を増幅する時
間に制限を受けたり、またポッケルスセルへの電圧印加
が設定通りに行われず、増幅性能を低下させるというこ
とがあった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はＰ
ＦＮ方式の場合にはポッケルスセルとの確実なインピ−
ダンスマッチングが難かしいということがあり、また短
絡線方式の場合にはステップパルス電圧の生成時間に制
限を受け、パルスレ−ザ光の増幅性能が低下するという
ことがあった。
ＦＮ方式の場合にはポッケルスセルとの確実なインピ−
ダンスマッチングが難かしいということがあり、また短
絡線方式の場合にはステップパルス電圧の生成時間に制
限を受け、パルスレ−ザ光の増幅性能が低下するという
ことがあった。
【００１０】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、手間のかかる調整をせず
に、パルスレーザ光の増幅時間を自由に設定することが
できるようにした増幅方法及び増幅装置を提供すること
にある。
で、その目的とするところは、手間のかかる調整をせず
に、パルスレーザ光の増幅時間を自由に設定することが
できるようにした増幅方法及び増幅装置を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、レ−
ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部の一端側と他端側と
にそれぞれ高反射ミラ−を対向して配置したレ−ザ増幅
器と、結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、
上記レ−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上
記レーザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設けら
れたλ／４波長板と、このポッケルスセルの一方の電極
に電圧を印加する第１のパルス発生器および他方の電極
に電圧を印加する第２のパルス発生器と、パルスレ−ザ
光を出力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出
力されたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入す
る光学手段と、上記第１のパルス発生器と第２のパルス
発生器とに印加する電圧のタイミングを制御することで
上記レ−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅
したのち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具
備するパルスレーザ光の増幅装置を用いたパルスレーザ
光の増幅方法において、上記ポッケルスセルの両電極に
等しい電圧を印加した状態で、上記レ−ザ発振器から出
力されたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入す
る工程と、上記ポッケルスセルの一方の電極の印加電圧
を０にスイッチする工程と、所定時間上記両電極への電
圧の印加状態を維持して上記パルスレーザ光を増幅させ
る工程と、上記ポッケルスセルの他方の電極の印加電圧
を０にスイッチして、増幅された上記パルスレーザ光を
上記光共振器から出射させる工程とを備えるパルスレー
ザ光の増幅方法にある。請求項２の発明は、レ−ザ励起
部を有し、このレ−ザ励起部の一端側と他端側とにそれ
ぞれ高反射ミラ−を対向して配置したレ−ザ増幅器と、
結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、上記レ
−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上記レー
ザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設けられたλ
／４波長板と、このポッケルスセルの一方の電極に電圧
を印加する第１のパルス発生器および他方の電極に電圧
を印加する第２のパルス発生器と、パルスレ−ザ光を出
力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出力され
たパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入する光学
手段と、上記第１のパルス発生器と第２のパルス発生器
とが印加する電圧のタイミングを制御することで上記レ
−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅したの
ち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具備する
パルスレーザ光の増幅装置において、上記制御手段は、
上記レ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光が上記
レ−ザ増幅器内に導入されるときに上記ポッケルスセル
の両電極に等しい電圧を印加し、上記パルスレーザ光を
増幅させるために、上記ポッケルスセルの一方の電極の
印加電圧を０にスイッチし、上記パルスレーザ光を増幅
させるために所定時間上記両電極への電圧の印加状態を
維持し、増幅された上記パルスレーザ光を上記光共振器
から出射させるために、上記ポッケルスセルの他方の電
極の印加電圧を０にスイッチするように、上記第１及び
第２のパルス発生器の制御を行なうことを特徴とするパ
ルスレーザ光の増幅装置にある。
ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部の一端側と他端側と
にそれぞれ高反射ミラ−を対向して配置したレ−ザ増幅
器と、結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、
上記レ−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上
記レーザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設けら
れたλ／４波長板と、このポッケルスセルの一方の電極
に電圧を印加する第１のパルス発生器および他方の電極
に電圧を印加する第２のパルス発生器と、パルスレ−ザ
光を出力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出
力されたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入す
る光学手段と、上記第１のパルス発生器と第２のパルス
発生器とに印加する電圧のタイミングを制御することで
上記レ−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅
したのち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具
備するパルスレーザ光の増幅装置を用いたパルスレーザ
光の増幅方法において、上記ポッケルスセルの両電極に
等しい電圧を印加した状態で、上記レ−ザ発振器から出
力されたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入す
る工程と、上記ポッケルスセルの一方の電極の印加電圧
を０にスイッチする工程と、所定時間上記両電極への電
圧の印加状態を維持して上記パルスレーザ光を増幅させ
る工程と、上記ポッケルスセルの他方の電極の印加電圧
を０にスイッチして、増幅された上記パルスレーザ光を
上記光共振器から出射させる工程とを備えるパルスレー
ザ光の増幅方法にある。請求項２の発明は、レ−ザ励起
部を有し、このレ−ザ励起部の一端側と他端側とにそれ
ぞれ高反射ミラ−を対向して配置したレ−ザ増幅器と、
結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、上記レ
−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上記レー
ザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設けられたλ
／４波長板と、このポッケルスセルの一方の電極に電圧
を印加する第１のパルス発生器および他方の電極に電圧
を印加する第２のパルス発生器と、パルスレ−ザ光を出
力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出力され
たパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入する光学
手段と、上記第１のパルス発生器と第２のパルス発生器
とが印加する電圧のタイミングを制御することで上記レ
−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅したの
ち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具備する
パルスレーザ光の増幅装置において、上記制御手段は、
上記レ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光が上記
レ−ザ増幅器内に導入されるときに上記ポッケルスセル
の両電極に等しい電圧を印加し、上記パルスレーザ光を
増幅させるために、上記ポッケルスセルの一方の電極の
印加電圧を０にスイッチし、上記パルスレーザ光を増幅
させるために所定時間上記両電極への電圧の印加状態を
維持し、増幅された上記パルスレーザ光を上記光共振器
から出射させるために、上記ポッケルスセルの他方の電
極の印加電圧を０にスイッチするように、上記第１及び
第２のパルス発生器の制御を行なうことを特徴とするパ
ルスレーザ光の増幅装置にある。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、第１のパルス発生器と第２
のパルス発生器とに印加する電圧のタイミングによって
ポッケルスセルに発生するパルス高電圧の波形を自由に
制御することができる。
のパルス発生器とに印加する電圧のタイミングによって
ポッケルスセルに発生するパルス高電圧の波形を自由に
制御することができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示す増幅装置は後述する第１の偏光ビ
−ムススプリッタ２の接合面２ａに対してＳ偏光に偏光
された超短パルスレ−ザ光Ｌを発振出力するレ−ザ発振
器１を備えている。このレ−ザ発振器１から出力された
Ｓ偏光のパルスレ−ザ光Ｌは、第１の偏光ビ−ムススプ
リッタ２で反射してファラデロ−テ−タ３に入射する。
このファラデロ−テ−タ３は磁界が印加されることで、
上記パルスレ−ザ光Ｌの偏光を４５度回転させる。この
ファラデロ−テ−タ３によって後述する第２の偏光ビ−
ムスプリッタ４の接合面４ａに対してＳ偏光にされたパ
ルスレ−ザ光Ｌは上記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４に
入射する。
説明する。図１に示す増幅装置は後述する第１の偏光ビ
−ムススプリッタ２の接合面２ａに対してＳ偏光に偏光
された超短パルスレ−ザ光Ｌを発振出力するレ−ザ発振
器１を備えている。このレ−ザ発振器１から出力された
Ｓ偏光のパルスレ−ザ光Ｌは、第１の偏光ビ−ムススプ
リッタ２で反射してファラデロ−テ−タ３に入射する。
このファラデロ−テ−タ３は磁界が印加されることで、
上記パルスレ−ザ光Ｌの偏光を４５度回転させる。この
ファラデロ−テ−タ３によって後述する第２の偏光ビ−
ムスプリッタ４の接合面４ａに対してＳ偏光にされたパ
ルスレ−ザ光Ｌは上記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４に
入射する。
【００１４】上記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４はレ−
ザ増幅器５内に設けられている。このレ−ザ増幅器５は
レ−ザ励起部６の軸線方向の一端側と他端側とに、光共
振器７を形成する高反射ミラ−７ａ、７ｂがそれぞれ対
向して配設されてなる。
ザ増幅器５内に設けられている。このレ−ザ増幅器５は
レ−ザ励起部６の軸線方向の一端側と他端側とに、光共
振器７を形成する高反射ミラ−７ａ、７ｂがそれぞれ対
向して配設されてなる。
【００１５】上記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４は、上
記レ−ザ励起部６の一端側と一方の高反射ミラ−７ａと
の間に配設されている。上記第２の偏光ビ−ムスプリッ
タ４と一方の高反射ミラ−７ａとの間にはポッケルスセ
ル８とλ／４波長板１０とが配設されている。このポッ
ケルスセル８は後述するごとく電圧が印加されること
で、λ／４波長板と同様に機能する。
記レ−ザ励起部６の一端側と一方の高反射ミラ−７ａと
の間に配設されている。上記第２の偏光ビ−ムスプリッ
タ４と一方の高反射ミラ−７ａとの間にはポッケルスセ
ル８とλ／４波長板１０とが配設されている。このポッ
ケルスセル８は後述するごとく電圧が印加されること
で、λ／４波長板と同様に機能する。
【００１６】したがって、上記第２の偏光ビ−ムスプリ
ッタ４で反射して光共振器７の光軸と同一直線上に入射
したパルスレ−ザ光Ｌは、上記ポッケルスセル８の電圧
印加によってＳ偏光からＰ偏光に偏光されることで、上
記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４の接合面４ａを透過す
る。パルスレ−ザ光ＬがＰ偏光になると、一対の高反射
ミラ−７ａ、７ｂで反射を繰り返して往復するから、上
記レ−ザ励起部６によって増幅される。つまり、パルス
レ−ザ光Ｌを光共振器７内に閉じ込めることができる。
ッタ４で反射して光共振器７の光軸と同一直線上に入射
したパルスレ−ザ光Ｌは、上記ポッケルスセル８の電圧
印加によってＳ偏光からＰ偏光に偏光されることで、上
記第２の偏光ビ−ムスプリッタ４の接合面４ａを透過す
る。パルスレ−ザ光ＬがＰ偏光になると、一対の高反射
ミラ−７ａ、７ｂで反射を繰り返して往復するから、上
記レ−ザ励起部６によって増幅される。つまり、パルス
レ−ザ光Ｌを光共振器７内に閉じ込めることができる。
【００１７】上記ポッケルスセル８は、ポッケルス結晶
９の一端面と他端面とにそれぞれ第１の電極１１と第２
の電極１２とが設けられてなる。上記第１の電極１１に
は、その一端に第１のパルス発生器１３が接続され、他
端は第１のコンデンサ１４と第１の抵抗１５を介してア
ースされている。上記第２の電極１２には、その一端に
第２のパルス発生器１６が接続され、他端は第２のコン
デンサ１７と第２の抵抗１８を介してアースされてい
る。上記第１、第２の抵抗１５、１８はインピーダンス
マッチ用の付加抵抗であり、上記第１、第２のコンデン
サ１４、１７は第１、第２のパルス発生器１３、１６か
ら上記抵抗１５、１８に電流が直接、流れるのを防ぐた
めの低容量のものである。
９の一端面と他端面とにそれぞれ第１の電極１１と第２
の電極１２とが設けられてなる。上記第１の電極１１に
は、その一端に第１のパルス発生器１３が接続され、他
端は第１のコンデンサ１４と第１の抵抗１５を介してア
ースされている。上記第２の電極１２には、その一端に
第２のパルス発生器１６が接続され、他端は第２のコン
デンサ１７と第２の抵抗１８を介してアースされてい
る。上記第１、第２の抵抗１５、１８はインピーダンス
マッチ用の付加抵抗であり、上記第１、第２のコンデン
サ１４、１７は第１、第２のパルス発生器１３、１６か
ら上記抵抗１５、１８に電流が直接、流れるのを防ぐた
めの低容量のものである。
【００１８】上記第１のパルス発生器１３と第２のパル
ス発生器１６とは制御手段としての動作信号発生器１９
に接続されていて、この動作信号発生器１９からの駆動
信号によって第１、第２の電極１１、１２への電圧の印
加が制御されるようになっている。つまり、ポッケルス
セル８に電圧を印加することができる。
ス発生器１６とは制御手段としての動作信号発生器１９
に接続されていて、この動作信号発生器１９からの駆動
信号によって第１、第２の電極１１、１２への電圧の印
加が制御されるようになっている。つまり、ポッケルス
セル８に電圧を印加することができる。
【００１９】上記動作信号発生器１９は、上記第１のパ
ルス発生器１３と第２のパルス発生器１６とに電圧を印
加するタイミングを制御するだけでなく、上記レ−ザ発
振器１からパルスレ−ザ光Ｌを発振出力するタイミング
および上記レ−ザ励起部６が駆動電源部２１を介して駆
動されるタイミングを制御するようになっている。
ルス発生器１３と第２のパルス発生器１６とに電圧を印
加するタイミングを制御するだけでなく、上記レ−ザ発
振器１からパルスレ−ザ光Ｌを発振出力するタイミング
および上記レ−ザ励起部６が駆動電源部２１を介して駆
動されるタイミングを制御するようになっている。
【００２０】つぎに、上記構成の増幅装置の動作につい
て説明する。パルスレ−ザ光Ｌの再生増幅開始前には、
ポッケルスセル８の一対の電極１１、１２には図２
（ａ）、（ｂ）にＶ1 、Ｖ2 で示す所定の電圧が印加さ
れている。
て説明する。パルスレ−ザ光Ｌの再生増幅開始前には、
ポッケルスセル８の一対の電極１１、１２には図２
（ａ）、（ｂ）にＶ1 、Ｖ2 で示す所定の電圧が印加さ
れている。
【００２１】ついで、増幅開始の信号が動作信号発生器
１９に入力されると、この動作信号発生器１９からレ−
ザ発振器１と駆動電源部２１とに駆動信号が出力され
る。それによって、上記レ−ザ発振器１が作動してパル
スレ−ザ光Ｌが発振出力されるとともに、レ−ザ励起部
６に上記駆動電源部２１から電圧が印加されることで、
ここを通過するレ−ザ光Ｌを増幅できる状態に作動す
る。
１９に入力されると、この動作信号発生器１９からレ−
ザ発振器１と駆動電源部２１とに駆動信号が出力され
る。それによって、上記レ−ザ発振器１が作動してパル
スレ−ザ光Ｌが発振出力されるとともに、レ−ザ励起部
６に上記駆動電源部２１から電圧が印加されることで、
ここを通過するレ−ザ光Ｌを増幅できる状態に作動す
る。
【００２２】上記レーザ発振器１から出力されたパルス
レーザ光Ｌは、第１の偏光ビームスプリッタ２で反射し
てファラデローテータ３を通過し、第２の偏光ビームス
プリッタ４に入射する。この第２の偏光ビームスプリッ
タ４はＳ偏光のパルスレーザ光Ｌを反射するから、その
パルスレーザ光Ｌは光共振器７内をその光軸方向に進行
する。Ｓ偏光のパルスレーザ光Ｌは第２の偏光ビームス
プリッタ４の接合面４ａで反射してλ／４波長板１０、
ポッケルスセル９を通過し、一方の高反射ミラー７ａで
反射して再び第２の偏光ビームスプリッタ４に入射す
る。このとき、パルスレーザ光Ｌは上記λ／４波長板１
０を１往復することで９０度偏光されるから、Ｓ偏光か
らＰ偏光になる。
レーザ光Ｌは、第１の偏光ビームスプリッタ２で反射し
てファラデローテータ３を通過し、第２の偏光ビームス
プリッタ４に入射する。この第２の偏光ビームスプリッ
タ４はＳ偏光のパルスレーザ光Ｌを反射するから、その
パルスレーザ光Ｌは光共振器７内をその光軸方向に進行
する。Ｓ偏光のパルスレーザ光Ｌは第２の偏光ビームス
プリッタ４の接合面４ａで反射してλ／４波長板１０、
ポッケルスセル９を通過し、一方の高反射ミラー７ａで
反射して再び第２の偏光ビームスプリッタ４に入射す
る。このとき、パルスレーザ光Ｌは上記λ／４波長板１
０を１往復することで９０度偏光されるから、Ｓ偏光か
らＰ偏光になる。
【００２３】一方、上記増幅開始信号によって、第１の
パルス発生器１３にも駆動信号が出力される。それによ
って、図２（ａ）に示すようにポッケルスセル９の第１
の電極１１への印加電圧がＶ1 から０に高速でスイッチ
される。このスイッチ時間はパルスレ−ザ光Ｌが光共振
器７内を往復する時間よりも十分に短くなければならな
い。
パルス発生器１３にも駆動信号が出力される。それによ
って、図２（ａ）に示すようにポッケルスセル９の第１
の電極１１への印加電圧がＶ1 から０に高速でスイッチ
される。このスイッチ時間はパルスレ−ザ光Ｌが光共振
器７内を往復する時間よりも十分に短くなければならな
い。
【００２４】第１の電極１１への印加電圧が０にスイッ
チされることで、ポッケルスセル９の電極１１，１２間
には図２（ｃ）で示すように第２の電極１２に印加され
た電圧Ｖ2 による電位差が生じる。それによって、ポッ
ケルスセル９はλ／４波長板１０と同様の波長板作用を
呈するから、Ｐ偏光のパルスレーザ光Ｌが並設されたλ
／４波長板１０とポッケルスセル９とを１往復すると、
偏光角度は１８０度となる。つまり、Ｐ偏光のパルスレ
ーザ光Ｌがλ／４波長板１０とポッケルスセル９とを透
過すると９０度偏光されてＳ偏光となるが、一方の高反
射ミラー７ａで反射して再びポッケルスセル９とλ／４
波長板１０とを透過することで、さらに９０度偏光され
てＰ偏光になる。したがって、第２の偏光ビームスプリ
ッタ４に入射するパルスレーザ光ＬはＰ偏光の状態が維
持される。それによって、パルスレーザ光Ｌは一対の全
反射ミラー７ａ，７ｂ間で全反射を繰り返し、レザー励
起部６で増幅されることになる。つまり、ポッケルスセ
ル９に電位差を与えて波長板作用を持たせることで、こ
のポッケルスセル９とλ／４波長板１０との偏光作用に
よって第２の偏光ビームスプリッタ４に入射するパルス
レーザ光ＬはＰ偏光の状態が維持されるから、光共振器
７内を往復し、増幅されることになる。
チされることで、ポッケルスセル９の電極１１，１２間
には図２（ｃ）で示すように第２の電極１２に印加され
た電圧Ｖ2 による電位差が生じる。それによって、ポッ
ケルスセル９はλ／４波長板１０と同様の波長板作用を
呈するから、Ｐ偏光のパルスレーザ光Ｌが並設されたλ
／４波長板１０とポッケルスセル９とを１往復すると、
偏光角度は１８０度となる。つまり、Ｐ偏光のパルスレ
ーザ光Ｌがλ／４波長板１０とポッケルスセル９とを透
過すると９０度偏光されてＳ偏光となるが、一方の高反
射ミラー７ａで反射して再びポッケルスセル９とλ／４
波長板１０とを透過することで、さらに９０度偏光され
てＰ偏光になる。したがって、第２の偏光ビームスプリ
ッタ４に入射するパルスレーザ光ＬはＰ偏光の状態が維
持される。それによって、パルスレーザ光Ｌは一対の全
反射ミラー７ａ，７ｂ間で全反射を繰り返し、レザー励
起部６で増幅されることになる。つまり、ポッケルスセ
ル９に電位差を与えて波長板作用を持たせることで、こ
のポッケルスセル９とλ／４波長板１０との偏光作用に
よって第２の偏光ビームスプリッタ４に入射するパルス
レーザ光ＬはＰ偏光の状態が維持されるから、光共振器
７内を往復し、増幅されることになる。
【００２５】光共振器７内でパルスレーザ光Ｌを所定の
強度まで増幅したならば、動作信号発生器１９から第２
のパルス発生器１６に駆動信号が出力され、その駆動信
号によってポッケルスセル９の第２の電極１２に印加さ
れた電圧Ｖ2 が図２（ｂ）に示すように０にスイッチさ
れる。それによって、ポッケルスセル９の一対の電極１
１，１２間の電位差が０になり、このポッケルスセル９
の波長板機能が喪失するから、第２の偏光ビームスプリ
ッタ４を透過してλ／４波長板１０に入射するＰ偏光の
パルスレーザ光Ｌは、このλ／４波長板１０を１往復す
ることで、９０度偏光されるから、Ｓ偏光に偏光され
る。
強度まで増幅したならば、動作信号発生器１９から第２
のパルス発生器１６に駆動信号が出力され、その駆動信
号によってポッケルスセル９の第２の電極１２に印加さ
れた電圧Ｖ2 が図２（ｂ）に示すように０にスイッチさ
れる。それによって、ポッケルスセル９の一対の電極１
１，１２間の電位差が０になり、このポッケルスセル９
の波長板機能が喪失するから、第２の偏光ビームスプリ
ッタ４を透過してλ／４波長板１０に入射するＰ偏光の
パルスレーザ光Ｌは、このλ／４波長板１０を１往復す
ることで、９０度偏光されるから、Ｓ偏光に偏光され
る。
【００２６】Ｓ偏光のパルスレーザ光Ｌは第２の偏光ビ
ームスプリッタ４の接合面４ａで反射するから、レーザ
増幅器５内で増幅されたパルスレーザ光Ｌは上記反射面
４ａで反射して光共振器７から出射される。光共振器７
から出射されたＳ偏光のパルスレーザ光Ｌはファラデロ
ーテータ３を通過する。このとき、ファラデローテータ
３に所定強度の磁界を印加しておけば、Ｓ偏光のパルス
レーザ光ＬはＰ偏光に偏光される。したがって、パルス
レーザ光ＬはＰ偏光の状態で第１の偏光ビームスプリッ
タ２へ入射するから、その接合面２ａを透過して取り出
されることになる。
ームスプリッタ４の接合面４ａで反射するから、レーザ
増幅器５内で増幅されたパルスレーザ光Ｌは上記反射面
４ａで反射して光共振器７から出射される。光共振器７
から出射されたＳ偏光のパルスレーザ光Ｌはファラデロ
ーテータ３を通過する。このとき、ファラデローテータ
３に所定強度の磁界を印加しておけば、Ｓ偏光のパルス
レーザ光ＬはＰ偏光に偏光される。したがって、パルス
レーザ光ＬはＰ偏光の状態で第１の偏光ビームスプリッ
タ２へ入射するから、その接合面２ａを透過して取り出
されることになる。
【００２７】上記構成の増幅装置によれば、レ−ザ増幅
器５におけるパルスレ−ザ光Ｌの増幅時間は、ポッケル
スセル９の第１の電極１１への印加電圧をＶ1 から０に
スイッチした時間ｔ1 から第２の電極１２への印加電圧
をＶ2 から０にスイッチする時間ｔ2 までの時間差（ｔ
2 −ｔ1 ）となる。この時間差は、動作信号発生器１９
が第１、第２のパルス発生器１３、１６に駆動信号を出
力する時間差であるから、自由かつ精密に設定すること
ができる。たとえば、従来の短絡線方式ではその短絡線
の容量が与える影響などで上記時間差は100ns 程度が限
度であったが、この発明によれば時間差を大きくするこ
とで、とくに悪影響を受ける要因がない。したがって、
上記時間差を１００ns以上に設定できるから、パルスレ
−ザ光Ｌを十分に増幅することができる。
器５におけるパルスレ−ザ光Ｌの増幅時間は、ポッケル
スセル９の第１の電極１１への印加電圧をＶ1 から０に
スイッチした時間ｔ1 から第２の電極１２への印加電圧
をＶ2 から０にスイッチする時間ｔ2 までの時間差（ｔ
2 −ｔ1 ）となる。この時間差は、動作信号発生器１９
が第１、第２のパルス発生器１３、１６に駆動信号を出
力する時間差であるから、自由かつ精密に設定すること
ができる。たとえば、従来の短絡線方式ではその短絡線
の容量が与える影響などで上記時間差は100ns 程度が限
度であったが、この発明によれば時間差を大きくするこ
とで、とくに悪影響を受ける要因がない。したがって、
上記時間差を１００ns以上に設定できるから、パルスレ
−ザ光Ｌを十分に増幅することができる。
【００２８】しかも、ポッケルスセル９に電位差を与え
る立上がり状態と、電位差を除去する立ち下がり状態と
の応答時間は同一かつ急峻な矩形状とすることができ
る。それによって、増幅されたパルスレ−ザ光Ｌの波形
も成形された矩形状とすることができる。
る立上がり状態と、電位差を除去する立ち下がり状態と
の応答時間は同一かつ急峻な矩形状とすることができ
る。それによって、増幅されたパルスレ−ザ光Ｌの波形
も成形された矩形状とすることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、パルスレ
−ザ光をレ−ザ増幅器内に閉じ込めるためのポッケルス
セルの一方の電極と他方の電極とに、それぞれ第１のパ
ルス発生器と第２のパルス発生器とを接続し、これらパ
ルス発生器が上記各電極に電圧を印加するタイミングを
制御することで、上記レ−ザ増幅器内にパルスレ−ザ光
を閉じ込めて増幅される時間を制御するようにした。
−ザ光をレ−ザ増幅器内に閉じ込めるためのポッケルス
セルの一方の電極と他方の電極とに、それぞれ第１のパ
ルス発生器と第２のパルス発生器とを接続し、これらパ
ルス発生器が上記各電極に電圧を印加するタイミングを
制御することで、上記レ−ザ増幅器内にパルスレ−ザ光
を閉じ込めて増幅される時間を制御するようにした。
【００３０】そのため、パルスレ−ザ光をレ−ザ増幅器
内において増幅する時間を自由に設定できるから、上記
パルスレ−ザ光の増幅強度の制御を容易かつ精密に行え
る。しかも、ポッケルスセルに印加する電圧の立上がり
と立ち下がりとの制御を同一の応答時間で急峻に行える
から、そのことによってもパルスレ−ザ光の増幅精度を
高めることができる。
内において増幅する時間を自由に設定できるから、上記
パルスレ−ザ光の増幅強度の制御を容易かつ精密に行え
る。しかも、ポッケルスセルに印加する電圧の立上がり
と立ち下がりとの制御を同一の応答時間で急峻に行える
から、そのことによってもパルスレ−ザ光の増幅精度を
高めることができる。
【図１】この発明の一実施例の全体構成図。
【図２】同じく（ａ）〜（ｃ）はポッケルスセルの電極
に印加される電圧波形の説明図。
に印加される電圧波形の説明図。
１…レ−ザ発振器、２、４…偏光ビ−ムスプリッタ（光
学手段）、３…ファラデロ−テ−タ（光学手段）、５…
レ−ザ増幅器、６…レ−ザ励起部、７…光共振器、７
ａ、７ｂ…高反射ミラ−、９…ポッケルスセル、９…結
晶、１１、１２…電極、１３、１６…第１、第２のパル
ス発生器、１９…動作信号発生器（制御手段）。
学手段）、３…ファラデロ−テ−タ（光学手段）、５…
レ−ザ増幅器、６…レ−ザ励起部、７…光共振器、７
ａ、７ｂ…高反射ミラ−、９…ポッケルスセル、９…結
晶、１１、１２…電極、１３、１６…第１、第２のパル
ス発生器、１９…動作信号発生器（制御手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/00 - 3/30
Claims (2)
- 【請求項１】 レ−ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部
の一端側と他端側とにそれぞれ高反射ミラ−を対向して
配置したレ−ザ増幅器と、 結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、上記レ
−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上記レーザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設け
られたλ／４波長板と、 このポッケルスセルの一方の電極に電圧を印加する第１
のパルス発生器および他方の電極に電圧を印加する第２
のパルス発生器と、 パルスレ−ザ光を出力するレ−ザ発振器と、 このレ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光を上記
レ−ザ増幅器内へ導入する光学手段と、 上記第１のパルス発生器と第２のパルス発生器とに印加
する電圧のタイミングを制御することで上記レ−ザ増幅
器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅したのち上記光
学手段を通して導出する制御手段とを具備するパルスレ
ーザ光の増幅装置を用いたパルスレーザ光の増幅方法に
おいて、 上記ポッケルスセルの両電極に等しい電圧を印加した状
態で、上記レ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光
を上記レ−ザ増幅器内へ導入する工程と、 上記ポッケルスセルの一方の電極の印加電圧を０にスイ
ッチする工程と、 所定時間上記両電極への電圧の印加状態を維持して上記
パルスレーザ光を増幅させる工程と、 上記ポッケルスセルの他方の電極の印加電圧を０にスイ
ッチして、増幅された上記パルスレーザ光を上記光共振
器から出射させる工程とを備えるパルスレーザ光の増幅
方法。 - 【請求項２】 レ−ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部
の一端側と他端側とにそれぞれ高反射ミラ−を対向して
配置したレ−ザ増幅器と、 結晶の両端面にそれぞれ電極が設けられてなり、上記レ
−ザ増幅器内に配設されたポッケルスセルと、上記レーザ増幅器内に上記ポッケルスセルと並んで設け
られたλ／４波長板と 、 このポッケルスセルの一方の電極に電圧を印加する第１
のパルス発生器および他方の電極に電圧を印加する第２
のパルス発生器と、 パルスレ−ザ光を出力するレ−ザ発振器と、 このレ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光を上記
レ−ザ増幅器内へ導入する光学手段と、 上記第１のパルス発生器と第２のパルス発生器とが印加
する電圧のタイミングを制御することで上記レ−ザ増幅
器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅したのち上記光
学手段を通して導出する制御手段とを具備するパルスレ
ーザ光の増幅装置において、 上記制御手段は、 上記レ−ザ発振器から出力されたパルスレ−ザ光が上記
レ−ザ増幅器内に導入されるときに上記ポッケルスセル
の両電極に等しい電圧を印加し、 上記パルスレーザ光を増幅させるために、上記ポッケル
スセルの一方の電極の印加電圧を０にスイッチし、 上記パルスレーザ光を増幅させるために所定時間上記両
電極への電圧の印加状態を維持し、 増幅された上記パルスレーザ光を上記光共振器から出射
させるために、上記ポッケルスセルの他方の電極の印加
電圧を０にスイッチするように、上記第１及び第２のパ
ルス発生器の制御を行なうことを特徴とするパルスレー
ザ光の増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23981092A JP3333242B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | パルスレーザ光の増幅方法及び増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23981092A JP3333242B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | パルスレーザ光の増幅方法及び増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0690054A JPH0690054A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3333242B2 true JP3333242B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=17050194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23981092A Expired - Fee Related JP3333242B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | パルスレーザ光の増幅方法及び増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333242B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6080476B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2017-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルス光発生装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108617A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Nec Corp | Pockels cell differential drive system |
| US4764930A (en) * | 1988-01-27 | 1988-08-16 | Intelligent Surgical Lasers | Multiwavelength laser source |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23981092A patent/JP3333242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＡＡＰＬＩＥＤ ＯＰＴＩＣＳ Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．１９（１９７８）ｐ．３１８４−３１８６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690054A (ja) | 1994-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |