JPH10247755A - レーザ光再生増幅器 - Google Patents
レーザ光再生増幅器Info
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- JPH10247755A JPH10247755A JP4914397A JP4914397A JPH10247755A JP H10247755 A JPH10247755 A JP H10247755A JP 4914397 A JP4914397 A JP 4914397A JP 4914397 A JP4914397 A JP 4914397A JP H10247755 A JPH10247755 A JP H10247755A
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- voltage power
- pockels cell
- laser
- power supply
- switching elements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0327—Operation of the cell; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、リンギングやオーバーシュートを発
生せずに、パルス切出し時のダブルパルス化を防ぎ、レ
ーザ共振器の短共振器化、損失の低減を図る。 【解決手段】２つの高圧電源２１、２２と、ポッケルス
セル１０の各電極１０ａ、１０ｂにそれぞれ接続され、
一方が高圧電源２１に接続され、他方が接地された各抵
抗２３、２４と、ポッケルスセル１０の各電極１０ａ、
１０ｂにそれぞれ接続され、一方が高圧電源２２に接続
されるとともに接地側の抵抗２４に直列接続され、他方
が接地されるとともに高圧電源２１側の抵抗２３に直列
接続された各スイッチング素子２５、２６と、これらス
イッチング素子２５、２６をオン・オフ制御してポッケ
ルスセル１０の各電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印
加する制御回路２７とにより構成した。
生せずに、パルス切出し時のダブルパルス化を防ぎ、レ
ーザ共振器の短共振器化、損失の低減を図る。 【解決手段】２つの高圧電源２１、２２と、ポッケルス
セル１０の各電極１０ａ、１０ｂにそれぞれ接続され、
一方が高圧電源２１に接続され、他方が接地された各抵
抗２３、２４と、ポッケルスセル１０の各電極１０ａ、
１０ｂにそれぞれ接続され、一方が高圧電源２２に接続
されるとともに接地側の抵抗２４に直列接続され、他方
が接地されるとともに高圧電源２１側の抵抗２３に直列
接続された各スイッチング素子２５、２６と、これらス
イッチング素子２５、２６をオン・オフ制御してポッケ
ルスセル１０の各電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印
加する制御回路２７とにより構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、短パルス光を偏向
回転させてレーザ共振器内に入射し、このレーザ共振器
内で電気光学素子の作用により短パルス光を複数回往復
させて増幅し、この後にレーザ共振器から取り出すレー
ザ光再生増幅器に関する。
回転させてレーザ共振器内に入射し、このレーザ共振器
内で電気光学素子の作用により短パルス光を複数回往復
させて増幅し、この後にレーザ共振器から取り出すレー
ザ光再生増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４はレーザ光再生増幅器の構成図であ
る。短パルス光源１から出力された短パルス光は、シー
ドパルス光としてプリズムビームスプリッタ（ＰＢＳ）
２に入射し、ここで反射されて偏光回転素子３を通って
偏光回転されてレーザ共振器４内に入射する。
る。短パルス光源１から出力された短パルス光は、シー
ドパルス光としてプリズムビームスプリッタ（ＰＢＳ）
２に入射し、ここで反射されて偏光回転素子３を通って
偏光回転されてレーザ共振器４内に入射する。
【０００３】このレーザ共振器４は、両端側にそれぞれ
反射ミラー５、６が対向配置され、これら反射ミラー
５、６の光軸上にレーザ媒質７、プリズムビームスプリ
ッタ８、（λ／４）板９及び電気光学素子（ＥＯ）とし
てのポッケルスセル１０が配置されている。
反射ミラー５、６が対向配置され、これら反射ミラー
５、６の光軸上にレーザ媒質７、プリズムビームスプリ
ッタ８、（λ／４）板９及び電気光学素子（ＥＯ）とし
てのポッケルスセル１０が配置されている。
【０００４】このポッケルスセル１０は、ポッケルス効
果を利用した光変調素子で、例えばＡＤＰ、ＫＤＰなど
の結晶が用いられる。このようなレーザ共振器４のプリ
ズムビームスプリッタ８にシードパルス光が入射する
が、このときのシードパルス光は、プリズムビームスプ
リッタ８に対してＳ偏光となる。
果を利用した光変調素子で、例えばＡＤＰ、ＫＤＰなど
の結晶が用いられる。このようなレーザ共振器４のプリ
ズムビームスプリッタ８にシードパルス光が入射する
が、このときのシードパルス光は、プリズムビームスプ
リッタ８に対してＳ偏光となる。
【０００５】このプリズムビームスプリッタ８で反射し
たシードパルス光は、（λ／４）板９、ポッケルスセル
１０及びレーザ媒質７を透過して各反射ミラー５、６間
で反射し、再びポッケルスセル１０を透過する。
たシードパルス光は、（λ／４）板９、ポッケルスセル
１０及びレーザ媒質７を透過して各反射ミラー５、６間
で反射し、再びポッケルスセル１０を透過する。
【０００６】このようにシードパルス光がポッケルスセ
ル１０を１度透過し、再び透過する間にポッケルスセル
１０に対する印加電圧をドライバ１１により変化し、シ
ードパルス光を偏光する。
ル１０を１度透過し、再び透過する間にポッケルスセル
１０に対する印加電圧をドライバ１１により変化し、シ
ードパルス光を偏光する。
【０００７】例えばシードパルス光が２度目に反射ミラ
ー５で反射した後、３度目にプリズムビームスプリッタ
８を透過するときに、シードパルス光の偏光がプリズム
ビームスプリッタ８に対してＰ偏光となるようにする。
ー５で反射した後、３度目にプリズムビームスプリッタ
８を透過するときに、シードパルス光の偏光がプリズム
ビームスプリッタ８に対してＰ偏光となるようにする。
【０００８】このシードパルス光の偏光により、シード
パルス光は、レーザ共振器４内を何度も往復し、この往
復の間にレーザ媒質７によって増幅される。この後、ポ
ッケルスセル１０に対する印加電圧をドライバ１１によ
り変化し、シードパルス光をＳ偏光に偏光すれば、増幅
されたシードパルス光がプリズムビームスプリッタ８か
ら取り出され、偏向回転素子３、プリズムビームスプリ
ッタ２を透過して出力光として得られる。
パルス光は、レーザ共振器４内を何度も往復し、この往
復の間にレーザ媒質７によって増幅される。この後、ポ
ッケルスセル１０に対する印加電圧をドライバ１１によ
り変化し、シードパルス光をＳ偏光に偏光すれば、増幅
されたシードパルス光がプリズムビームスプリッタ８か
ら取り出され、偏向回転素子３、プリズムビームスプリ
ッタ２を透過して出力光として得られる。
【０００９】このようなレーザ光再生増幅器においてポ
ッケルスセル１０のドライバ１１は、図５に示すように
トラップ用として高圧電源１２が設けられ、この高圧電
源１２の正極（＋極）に対して例えば１０ＭΩの抵抗１
３を介してポッケルスセル１０の一方の電極１０ａが接
続され、さらにこの電極１０ａがスイッチング素子１４
を介して接地されている。
ッケルスセル１０のドライバ１１は、図５に示すように
トラップ用として高圧電源１２が設けられ、この高圧電
源１２の正極（＋極）に対して例えば１０ＭΩの抵抗１
３を介してポッケルスセル１０の一方の電極１０ａが接
続され、さらにこの電極１０ａがスイッチング素子１４
を介して接地されている。
【００１０】又、キャビティダンプ用として高圧電源１
５が設けられ、この高圧電源１５の正極（＋極）が例え
ば１０ＭΩの抵抗１６を介してポッケルスセル１０の一
方の電極１０ｂが接続され、さらにこの電極１０ｂがス
イッチング素子１７を介して接地されている。
５が設けられ、この高圧電源１５の正極（＋極）が例え
ば１０ＭΩの抵抗１６を介してポッケルスセル１０の一
方の電極１０ｂが接続され、さらにこの電極１０ｂがス
イッチング素子１７を介して接地されている。
【００１１】このようなドライバ１０では、ポッケルス
セル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間の電位差を変化さ
せる場合、ポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂ
に電圧を加えた状態、すなわち両スイッチング素子１
４、１７をともにオフして両電極１０ａ、１０ｂ間の電
位差を０Ｖの状態とし、一方のスイッチング素子、例え
ばスイッチング素子１４をオンして両電極１０ａ、１０
ｂに高電位差を印加するモード（ＨＨモード）となる。
セル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間の電位差を変化さ
せる場合、ポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂ
に電圧を加えた状態、すなわち両スイッチング素子１
４、１７をともにオフして両電極１０ａ、１０ｂ間の電
位差を０Ｖの状態とし、一方のスイッチング素子、例え
ばスイッチング素子１４をオンして両電極１０ａ、１０
ｂに高電位差を印加するモード（ＨＨモード）となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポッケ
ルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間の電位差を変
化させる場合、例えば、ポッケルスセル１０の一方の電
極１０ｂに高電圧が印加されたまま、他方の電極１０ａ
側のスイッチング素子１４がオンとなるため、ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間に印加される矩
形の電圧波形には、図６に示すように大きなリンギング
１８や大きなオーバーシュート１９が発生する。
ルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間の電位差を変
化させる場合、例えば、ポッケルスセル１０の一方の電
極１０ｂに高電圧が印加されたまま、他方の電極１０ａ
側のスイッチング素子１４がオンとなるため、ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂの間に印加される矩
形の電圧波形には、図６に示すように大きなリンギング
１８や大きなオーバーシュート１９が発生する。
【００１３】このようなリンギング１８やオーバーシュ
ート１９が発生すると、実質的なスイッチング時間が延
び、パルス切り出し時のダブルパルス化、レーザ共振器
４の共振器長の延長やレーザ発振の損失の増加をまね
く。
ート１９が発生すると、実質的なスイッチング時間が延
び、パルス切り出し時のダブルパルス化、レーザ共振器
４の共振器長の延長やレーザ発振の損失の増加をまね
く。
【００１４】そこで本発明は、リンギングやオーバーシ
ュートを発生せずに、パルス切り出し時のダブルパルス
化を防ぎ、レーザ共振器の短縮やレーザ発振の損失の低
減を図れるレーザ光再生増幅器を提供することを目的と
する。
ュートを発生せずに、パルス切り出し時のダブルパルス
化を防ぎ、レーザ共振器の短縮やレーザ発振の損失の低
減を図れるレーザ光再生増幅器を提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、短パ
ルス光を偏向回転させてレーザ媒質及び電気光学素子の
配置されたレーザ共振器内に入射し、このレーザ共振器
内で短パルス光を複数回往復させて増幅した後に取り出
すレーザ光再生増幅器において、高圧電源と、電気光学
素子の各電極にそれぞれ接続され、かつ一方が高圧電源
に接続され、他方が接地された各抵抗と、電気光学素子
の各電極にそれぞれ接続され、かつ一方が高圧電源に接
続されるとともに接地側の抵抗に直列接続され、他方が
接地されるとともに高圧電源側の抵抗に直列接続された
各スイッチング素子と、これらスイッチング素子をオン
・オフ制御して電気光学素子に矩形電圧を印加する制御
手段と、を備えたレーザ光再生増幅器である。
ルス光を偏向回転させてレーザ媒質及び電気光学素子の
配置されたレーザ共振器内に入射し、このレーザ共振器
内で短パルス光を複数回往復させて増幅した後に取り出
すレーザ光再生増幅器において、高圧電源と、電気光学
素子の各電極にそれぞれ接続され、かつ一方が高圧電源
に接続され、他方が接地された各抵抗と、電気光学素子
の各電極にそれぞれ接続され、かつ一方が高圧電源に接
続されるとともに接地側の抵抗に直列接続され、他方が
接地されるとともに高圧電源側の抵抗に直列接続された
各スイッチング素子と、これらスイッチング素子をオン
・オフ制御して電気光学素子に矩形電圧を印加する制御
手段と、を備えたレーザ光再生増幅器である。
【００１６】請求項２によれば、請求項１記載のレーザ
光再生増幅器において、制御手段は、先ず各スイッチン
グ素子をオフ状態とし、次に各スイッチング素子のうち
他方のスイッチング素子をオン状態とし、次に両方のス
イッチング素子を共にオン状態とし、再び各スイッチン
グ素子をオフ状態に制御する機能を有する。
光再生増幅器において、制御手段は、先ず各スイッチン
グ素子をオフ状態とし、次に各スイッチング素子のうち
他方のスイッチング素子をオン状態とし、次に両方のス
イッチング素子を共にオン状態とし、再び各スイッチン
グ素子をオフ状態に制御する機能を有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について図面を参照して説明する。なお、図４と同一部
分には同一符号を付してある。図１はレーザ光再生増幅
器の構成図である。
について図面を参照して説明する。なお、図４と同一部
分には同一符号を付してある。図１はレーザ光再生増幅
器の構成図である。
【００１８】短パルス光源１から出力された短パルス光
（シードパルス光）の光路上には、プリズムビームスプ
リッタ２が配置され、このプリズムビームスプリッタ２
の反射光路上に偏光回転素子３が配置されている。
（シードパルス光）の光路上には、プリズムビームスプ
リッタ２が配置され、このプリズムビームスプリッタ２
の反射光路上に偏光回転素子３が配置されている。
【００１９】一方、レーザ共振器４は、両端側にそれぞ
れ反射ミラー５、６が対向配置され、これら反射ミラー
５、６の光軸上にレーザ媒質７、プリズムビームスプリ
ッタ８、（λ／４）板９及び電気光学素子（ＥＯ）とし
てのポッケルスセル１０が配置されている。
れ反射ミラー５、６が対向配置され、これら反射ミラー
５、６の光軸上にレーザ媒質７、プリズムビームスプリ
ッタ８、（λ／４）板９及び電気光学素子（ＥＯ）とし
てのポッケルスセル１０が配置されている。
【００２０】このうちプリズムビームスプリッタ８は、
プリズムビームスプリッタ２の反射光路上に配置され、
偏光回転素子３により偏光回転されたシードパルス光を
レーザ共振器４内に入射する作用を有している。
プリズムビームスプリッタ２の反射光路上に配置され、
偏光回転素子３により偏光回転されたシードパルス光を
レーザ共振器４内に入射する作用を有している。
【００２１】ポッケルスセル１０は、ドライバ２０から
印加される矩形の電圧によりレーザ共振器４内のシード
パルス光を偏光するものとなっている。図２はかかるド
ライバ２０の具体的な構成図である。
印加される矩形の電圧によりレーザ共振器４内のシード
パルス光を偏光するものとなっている。図２はかかるド
ライバ２０の具体的な構成図である。
【００２２】トラップ用及びキャビティダンプ用として
２つの高圧電源２１、２２が設けられている。ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂには、それぞれ例え
ば１０ＭΩの各抵抗２３、２４がそれぞれ接続されてい
る。これら抵抗２３、２４のうち一方の抵抗２３は高圧
電源２１の正極（＋極）に接続され、かつ他方の抵抗２
４は接地されている。
２つの高圧電源２１、２２が設けられている。ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂには、それぞれ例え
ば１０ＭΩの各抵抗２３、２４がそれぞれ接続されてい
る。これら抵抗２３、２４のうち一方の抵抗２３は高圧
電源２１の正極（＋極）に接続され、かつ他方の抵抗２
４は接地されている。
【００２３】又、ポッケルスセル１０の両電極１０ａ、
１０ｂには、それぞれ各ＭＯＳＦＥＴ高速スイッチング
素子（以下、スイッチング素子と省略する）２５、２６
が接続されている。このうち一方のスイッチング素子２
５は、高圧電源２２の正極に接続され、かつ接地側の抵
抗２４に対して直接接続されている。
１０ｂには、それぞれ各ＭＯＳＦＥＴ高速スイッチング
素子（以下、スイッチング素子と省略する）２５、２６
が接続されている。このうち一方のスイッチング素子２
５は、高圧電源２２の正極に接続され、かつ接地側の抵
抗２４に対して直接接続されている。
【００２４】又、他方のスイッチング素子２６は、接地
され、かつ高圧電源２１側の抵抗２３に対して直接接続
されている。制御回路２７は、各スイッチング素子２
５、２６をオン・オフ制御してポッケルスセル１０の両
電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印加する機能を有し
ている。
され、かつ高圧電源２１側の抵抗２３に対して直接接続
されている。制御回路２７は、各スイッチング素子２
５、２６をオン・オフ制御してポッケルスセル１０の両
電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印加する機能を有し
ている。
【００２５】この制御回路２７は、先ず各スイッチング
素子２５、２６をオフ状態とし、次に各スイッチング素
子２５、２６のうち他方のスイッチング素子２６をオン
状態とし、次に両方のスイッチング素子２５、２６を共
にオン状態とし、再び各スイッチング素子２５、２６を
オフ状態に制御する機能を有している。
素子２５、２６をオフ状態とし、次に各スイッチング素
子２５、２６のうち他方のスイッチング素子２６をオン
状態とし、次に両方のスイッチング素子２５、２６を共
にオン状態とし、再び各スイッチング素子２５、２６を
オフ状態に制御する機能を有している。
【００２６】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。短パルス光源１から短パルス光が出力さ
れると、この短パルス光は、シードパルス光としてプリ
ズムビームスプリッタ２に入射し、ここで反射されて偏
光回転素子３を通って偏光回転されてレーザ共振器４内
のプリズムビームスプリッタ８に入射する。
いて説明する。短パルス光源１から短パルス光が出力さ
れると、この短パルス光は、シードパルス光としてプリ
ズムビームスプリッタ２に入射し、ここで反射されて偏
光回転素子３を通って偏光回転されてレーザ共振器４内
のプリズムビームスプリッタ８に入射する。
【００２７】このレーザ共振器４のプリズムビームスプ
リッタ８にシードパルス光が入射すると、このときのシ
ードパルス光は、プリズムビームスプリッタ８に対して
Ｓ偏光となる。
リッタ８にシードパルス光が入射すると、このときのシ
ードパルス光は、プリズムビームスプリッタ８に対して
Ｓ偏光となる。
【００２８】このプリズムビームスプリッタ８で反射し
たシードパルス光は、（λ／４）板９、ポッケルスセル
１０及びレーザ媒質７を透過して各反射ミラー５、６間
で反射し、再びポッケルスセル１０を透過する。
たシードパルス光は、（λ／４）板９、ポッケルスセル
１０及びレーザ媒質７を透過して各反射ミラー５、６間
で反射し、再びポッケルスセル１０を透過する。
【００２９】このようにシードパルス光がポッケルスセ
ル１０を１度透過し、再び透過する間にポッケルスセル
１０に対する印加電圧をドライバ２０により変化し、シ
ードパルス光を偏光する。
ル１０を１度透過し、再び透過する間にポッケルスセル
１０に対する印加電圧をドライバ２０により変化し、シ
ードパルス光を偏光する。
【００３０】例えばシードパルス光が２度目に反射ミラ
ー５で反射した後、３度目にプリズムビームスプリッタ
８を透過するときに、シードパルス光の偏光がプリズム
ビームスプリッタ８に対してＰ偏光となるようにする。
ー５で反射した後、３度目にプリズムビームスプリッタ
８を透過するときに、シードパルス光の偏光がプリズム
ビームスプリッタ８に対してＰ偏光となるようにする。
【００３１】このシードパルス光の偏光により、シード
パルス光は、レーザ共振器４内を何度も往復し、この往
復の間にレーザ媒質７によって増幅される。この後、ポ
ッケルスセル１０に対する印加電圧をドライバ２０によ
り変化し、シードパルス光をＳ偏光に偏光すれば、増幅
されたシードパルス光がプリズムビームスプリッタ８か
ら取り出され、偏向回転素子３、プリズムビームスプリ
ッタ２を透過して出力光として得られる。
パルス光は、レーザ共振器４内を何度も往復し、この往
復の間にレーザ媒質７によって増幅される。この後、ポ
ッケルスセル１０に対する印加電圧をドライバ２０によ
り変化し、シードパルス光をＳ偏光に偏光すれば、増幅
されたシードパルス光がプリズムビームスプリッタ８か
ら取り出され、偏向回転素子３、プリズムビームスプリ
ッタ２を透過して出力光として得られる。
【００３２】ここで、ポッケルスセル１０の両電極１０
ａ、１０ｂ間の電位差の変化は、図３に示すようにドラ
イバ２０により次の通り行われる。先ず、制御回路２７
は、各スイッチング素子２５、２６をオフ状態に制御す
る。この状態では、ポッケルスセル１０はコンデンサと
見做せることができ、このポッケルスセル１０の両電極
１０ａ、１０ｂには２つの高圧電源２１、２２から高電
圧、例えば３．５Ｖが印加される。
ａ、１０ｂ間の電位差の変化は、図３に示すようにドラ
イバ２０により次の通り行われる。先ず、制御回路２７
は、各スイッチング素子２５、２６をオフ状態に制御す
る。この状態では、ポッケルスセル１０はコンデンサと
見做せることができ、このポッケルスセル１０の両電極
１０ａ、１０ｂには２つの高圧電源２１、２２から高電
圧、例えば３．５Ｖが印加される。
【００３３】次に制御回路２７は、各スイッチング素子
２５、２６のうち他方のスイッチング素子２６をオン状
態に制御する。この状態では、ポッケルスセル１０の両
電極１０ａ、１０ｂ間に印加される電圧は、０Ｖとな
る。
２５、２６のうち他方のスイッチング素子２６をオン状
態に制御する。この状態では、ポッケルスセル１０の両
電極１０ａ、１０ｂ間に印加される電圧は、０Ｖとな
る。
【００３４】次に制御回路２７は、両方のスイッチング
素子２５、２６を共にオン状態に制御する。この状態で
は、ポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに、２
つの高圧電源２１、２２から高電圧、例えば３．５Ｖが
印加される。
素子２５、２６を共にオン状態に制御する。この状態で
は、ポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに、２
つの高圧電源２１、２２から高電圧、例えば３．５Ｖが
印加される。
【００３５】そして、制御回路２７は、再び各スイッチ
ング素子２５、２６をオフ状態に制御する。従って、ポ
ッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに高電圧、例
えば３．５Ｖが印加されたり、又は０Ｖになることで、
ポッケルスセル１０は、レーザ共振器４内に往復するシ
ードパルス光をＰ偏光又はＳ偏光にする。
ング素子２５、２６をオフ状態に制御する。従って、ポ
ッケルスセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに高電圧、例
えば３．５Ｖが印加されたり、又は０Ｖになることで、
ポッケルスセル１０は、レーザ共振器４内に往復するシ
ードパルス光をＰ偏光又はＳ偏光にする。
【００３６】すなわち、ポッケルスセル１０の両電極１
０ａ、１０ｂ間の印加電圧が０Ｖとなったとき、レーザ
共振器４内に往復するシードパルス光はＳ偏光となり、
増幅されたレーザパルス光が、プリズムビームスプリッ
タ８から取り出される。
０ａ、１０ｂ間の印加電圧が０Ｖとなったとき、レーザ
共振器４内に往復するシードパルス光はＳ偏光となり、
増幅されたレーザパルス光が、プリズムビームスプリッ
タ８から取り出される。
【００３７】このように上記一実施の形態においては、
２つの高圧電源２１、２２と、ポッケルスセル１０の各
電極１０ａ、１０ｂにそれぞれ接続され、一方が高圧電
源２１に接続され、他方が接地された各抵抗２３、２４
と、ポッケルスセル１０の各電極１０ａ、１０ｂにそれ
ぞれ接続され、一方が高圧電源２２に接続されるととも
に接地側の抵抗２４に直列接続され、他方が接地される
とともに高圧電源２１側の抵抗２３に直列接続された各
スイッチング素子２５、２６と、これらスイッチング素
子２５、２６をオン・オフ制御してポッケルスセル１０
の各電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印加する制御回
路２７とにより構成したので、例えばスイッチング素子
２３をオンしてポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１
０ｂに高電位差を印加するＨＨモードがなく、ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに印加する電圧波形
にリンギングやオーバーシュートを発生せずに、増幅さ
れたレーザ光を取り出すパルス切り出し時のダブルパル
ス化を防ぎ、レーザ共振器４の短共振器化、損失の低減
を図ることができる。
２つの高圧電源２１、２２と、ポッケルスセル１０の各
電極１０ａ、１０ｂにそれぞれ接続され、一方が高圧電
源２１に接続され、他方が接地された各抵抗２３、２４
と、ポッケルスセル１０の各電極１０ａ、１０ｂにそれ
ぞれ接続され、一方が高圧電源２２に接続されるととも
に接地側の抵抗２４に直列接続され、他方が接地される
とともに高圧電源２１側の抵抗２３に直列接続された各
スイッチング素子２５、２６と、これらスイッチング素
子２５、２６をオン・オフ制御してポッケルスセル１０
の各電極１０ａ、１０ｂ間に矩形電圧を印加する制御回
路２７とにより構成したので、例えばスイッチング素子
２３をオンしてポッケルスセル１０の両電極１０ａ、１
０ｂに高電位差を印加するＨＨモードがなく、ポッケル
スセル１０の両電極１０ａ、１０ｂに印加する電圧波形
にリンギングやオーバーシュートを発生せずに、増幅さ
れたレーザ光を取り出すパルス切り出し時のダブルパル
ス化を防ぎ、レーザ共振器４の短共振器化、損失の低減
を図ることができる。
【００３８】すなわち、先ず、各スイッチング素子２
５、２６をオフ状態に制御し、次に他方のスイッチング
素子２６をオン状態に制御し、次に両方のスイッチング
素子２５、２６を共にオン状態に制御し、再び各スイッ
チング素子２５、２６をオフ状態にするが、このときに
は既にレーザパルス光はレーザ共振器４から取り出され
ているので、増幅されたレーザパルス光に影響を与える
ことはない。
５、２６をオフ状態に制御し、次に他方のスイッチング
素子２６をオン状態に制御し、次に両方のスイッチング
素子２５、２６を共にオン状態に制御し、再び各スイッ
チング素子２５、２６をオフ状態にするが、このときに
は既にレーザパルス光はレーザ共振器４から取り出され
ているので、増幅されたレーザパルス光に影響を与える
ことはない。
【００３９】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。上記一実施
の形態では、ＭＯＳＦＥＴ高速スイッチング素子２５、
２６を用いたが、これに限らず他のスイッチング素子
（Ｋrystron など）でもよい。
されるものでなく次の通り変形してもよい。上記一実施
の形態では、ＭＯＳＦＥＴ高速スイッチング素子２５、
２６を用いたが、これに限らず他のスイッチング素子
（Ｋrystron など）でもよい。
【００４０】又、シードパルス光を入出射する光学系の
一部に、電気光学素子としてのポッケルスセル１０、
（λ／４）板９、プリズムビームスプリッタ８を用いた
が、ポッケルスセル１０への印加電圧の変化によってシ
ードパルス光の偏光を回転してレーザ共振器４に対する
入出射を行うものであれば、他の光学構成を用いてもよ
い。又、各抵抗２３、２４は、その抵抗値を１０ＭΩと
したが、これら抵抗値は任意の値でよい。
一部に、電気光学素子としてのポッケルスセル１０、
（λ／４）板９、プリズムビームスプリッタ８を用いた
が、ポッケルスセル１０への印加電圧の変化によってシ
ードパルス光の偏光を回転してレーザ共振器４に対する
入出射を行うものであれば、他の光学構成を用いてもよ
い。又、各抵抗２３、２４は、その抵抗値を１０ＭΩと
したが、これら抵抗値は任意の値でよい。
【００４１】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１、
２によれば、リンギングやオーバーシュートを発生せず
に、パルス切り出し時のダブルパルス化を防ぎ、レーザ
共振器の短共振器化、損失の低減を図れるレーザ光再生
増幅器を提供できる。
２によれば、リンギングやオーバーシュートを発生せず
に、パルス切り出し時のダブルパルス化を防ぎ、レーザ
共振器の短共振器化、損失の低減を図れるレーザ光再生
増幅器を提供できる。
【図１】本発明に係わるレーザ光再生増幅器の一実施の
形態を示す構成図。
形態を示す構成図。
【図２】ポッケルスセルのドライバの具体的な構成図。
【図３】ポッケルスセルの両電極間の電位差の制御手順
を示す図。
を示す図。
【図４】従来のレーザ光再生増幅器の構成図。
【図５】同レーザ光再生増幅器におけるポッケルスセル
のドライバの構成図。
のドライバの構成図。
【図６】ポッケルスセルの両電極間への印加電圧に発生
するリンギング及びオーバーシュートを示す図。
するリンギング及びオーバーシュートを示す図。
１…短パルス光源、 ２…プリズムビームスプリッタ、 ３…偏光回転素子、 ４…レーザ共振器、 ５，６…反射ミラー、 ７…レーザ媒質、 ８…プリズムビームスプリッタ、 ９…（λ／４）板、 １０…ポッケルスセル、 ２０…ドライバ、 ２１，２２…高圧電源、 ２３，２４…抵抗、 ２５，２６…ＭＯＳＦＥＴ高速スイッチング素子、 ２７…制御回路。
Claims (2)
- 【請求項１】 短パルス光を偏向回転させてレーザ媒質
及び電気光学素子の配置されたレーザ共振器内に入射
し、このレーザ共振器内で前記短パルス光を複数回往復
させて増幅した後に取り出すレーザ光再生増幅器におい
て、 高圧電源と、 前記電気光学素子の各電極にそれぞれ接続され、かつ一
方が前記高圧電源に接続され、他方が接地された各抵抗
と、 前記電気光学素子の各電極にそれぞれ接続され、かつ一
方が前記高圧電源に接続されるとともに前記接地側の前
記抵抗に直列接続され、他方が接地されるとともに前記
高圧電源側の前記抵抗に直列接続された各スイッチング
素子と、 これらスイッチング素子をオン・オフ制御して前記電気
光学素子に矩形電圧を印加する制御手段と、を具備した
ことを特徴とするレーザ光再生増幅器。 - 【請求項２】 前記制御手段は、先ず前記各スイッチン
グ素子をオフ状態とし、次に前記各スイッチング素子の
うち他方のスイッチング素子をオン状態とし、次に両方
の前記スイッチング素子を共にオン状態とし、再び前記
各スイッチング素子をオフ状態に制御する機能を有する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ光再生増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4914397A JPH10247755A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | レーザ光再生増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4914397A JPH10247755A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | レーザ光再生増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247755A true JPH10247755A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12822876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4914397A Pending JPH10247755A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | レーザ光再生増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247755A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305777A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 再生増幅器およびレーザ装置 |
| JP2014012290A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
| JP2015525003A (ja) * | 2012-08-16 | 2015-08-27 | インテグレイテッド オプティックス，ウーアーベー | キャビティダンピングおよび強制モード同期を使用するレーザ装置 |
| WO2017169336A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
| WO2017169452A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP4914397A patent/JPH10247755A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305777A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 再生増幅器およびレーザ装置 |
| JP2014012290A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
| JP2015525003A (ja) * | 2012-08-16 | 2015-08-27 | インテグレイテッド オプティックス，ウーアーベー | キャビティダンピングおよび強制モード同期を使用するレーザ装置 |
| WO2017169336A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
| WO2017169452A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
| JPWO2017169452A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2018-08-09 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
| JPWO2017169336A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2018-09-13 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置および光音響計測装置 |
| CN108886230A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-11-23 | 富士胶片株式会社 | 激光装置及光声测量装置 |
| CN108886231A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-11-23 | 富士胶片株式会社 | 激光装置及光声测量装置 |
| CN108886230B (zh) * | 2016-03-30 | 2020-10-20 | 富士胶片株式会社 | 激光装置及光声测量装置 |
| US11291372B2 (en) | 2016-03-30 | 2022-04-05 | Fujifilm Corporation | Laser device and photoacoustic measurement apparatus |
| US11324402B2 (en) | 2016-03-30 | 2022-05-10 | Fujifilm Corporation | Laser device and photoacoustic measurement apparatus |
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