JPH0690054A - パルスレ−ザ光の増幅装置 - Google Patents

パルスレ−ザ光の増幅装置

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JPH0690054A
JPH0690054A JP4239810A JP23981092A JPH0690054A JP H0690054 A JPH0690054 A JP H0690054A JP 4239810 A JP4239810 A JP 4239810A JP 23981092 A JP23981092 A JP 23981092A JP H0690054 A JPH0690054 A JP H0690054A
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laser
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pulse laser
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明はレ−ザ増幅器内に閉じ込めたパル
スレ−ザ光の増幅時間を精度よく制御できるようにした
増幅装置を提供することを目的とする。 【構成】 レ−ザ励起部6の一端側と他端側とにそれぞ
れ高反射ミラ−7a、7bを対向して配置したレ−ザ増
幅器5と、このレ−ザ増幅器内に配設されたポッケルス
セル9と、このポッケルスセルの一方の電極11に電圧
を印加する第1のパルス発生器13および他方の電極1
2に電圧を印加する第2のパルス発生器16と、レ−ザ
発振器1から出力されたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増
幅器内へ導入する光学手段と、上記第1のパルス発生器
と第2のパルス発生器とに印加する電圧のタイミングを
制御することで上記レ−ザ増幅器内に導入されたパルス
レ−ザ光を増幅したのち上記光学手段を通して導出する
動作信号発生器19とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はレ−ザ発振器から出力
されたパルスレ−ザ光を増幅するための増幅装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】たとえば、核融合反応においては、その
ときのプラズマの電子温度や密度を測定することが非常
に重要であり、その測定手段としてはLIDAR(Liggh
t Detection And Ranging)トムソン散乱計測法が用いら
れている。この散乱計測法を用いて測定する場合、レ−
ザ発振器から出力されるパルスレ−ザ光を核融合装置の
真空容器内に導入し、そのプラズマの構成成分である電
子からの散乱光をポリクロメ−タ式の分光器に導入す
る。
【0003】分光器に導入された散乱光は、その所定の
スペクトル成分だけが分光され、それぞれの分光成分の
強度が検出器によって検出される。したがって、各分光
成分の強度分布を求めることで、そのときの電子温度や
密度などを測定することができる。
【0004】上記真空容器内における電子からの散乱光
は非常に微弱であるから、測定精度を高めるためには、
レ−ザ発振器から出力される上記パルスレ−ザ光の強度
を十分に高くしなければ、散乱光の検出精度が低下する
ことになる。したがって、パルスレ−ザ発振器から出力
されたパルスレ−ザ光を十分に高いエネルギに増幅する
ことのできる増幅装置が要求される。
【0005】従来、パルスレ−ザ光を増幅するには、パ
ルスレ−ザ光を一対の高反射ミラ−間にレ−ザ励起部を
配置してなるレ−ザ増幅器内に閉じ込め、上記一対の高
反射ミラ−間で反射往復を繰り返すことで増幅したの
ち、上記レ−ザ増幅器内から増幅パルスレ−ザ光を取り
出すようにしている。
【0006】パルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内に閉
じ込めるには、この増幅器内にポッケルスセルを設け、
これにステップパルス状の高電圧を印加することで行う
ようにしている。ステップパルス電圧の発生方法として
は、ポッケルスセルとインピ−ダンスマッチングしたコ
ンデンサまたはコイルなどによる波形成形回路(PF
N:Pulse Forming Network)を用いる方式やポッケルス
セルに4端子状のものを用い、電極の両端を短絡してこ
の短絡線の長さによる信号遅延時間をもとにする方式な
どが知られている。
【0007】しかしながら、上記PFN方式の場合、電
気部品の特性の固体差により、ポッケルスセルとの確実
なインピ−ダンスマッチングが難かしい。そのため、実
際には全部品を組み合わせて動作させながら個別部品の
選択が必要となるから、その選択調整が容易でないとい
うことがあった。とくに、PFN方式の場合には、コン
デンサとコイルとにより定まる回路定数で、ステップパ
ルス電圧の立ち下がり時間が立上がり時間の3倍かかる
から、ステップパルス電圧の矩形波形に乱れが生じると
いうこともあった。
【0008】また、短絡線の長さによる信号遅延時間を
もとにする方式では、短絡線の容量が与える影響を避け
るために、上記短絡線を長くすることができないから、
一般的には100ns以上のステップパルス電圧の生成に
は適さない。したがって、パルスレ−ザ光を増幅する時
間に制限を受けたり、またポッケルスセルへの電圧印加
が設定通りに行われず、増幅性能を低下させるというこ
とがあった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はP
FN方式の場合にはポッケルスセルとの確実なインピ−
ダンスマッチングが難かしいということがあり、また短
絡線方式の場合にはステップパルス電圧の生成時間に制
限を受け、パルスレ−ザ光の増幅性能が低下するという
ことがあった。
【0010】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、手間のかかる調整をせず
に、パルスレ−ザ光の増幅時間を自由に設定することが
できるようにした増幅装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、レ−ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部
の一端側と他端側とにそれぞれ高反射ミラ−を対向して
配置したレ−ザ増幅器と、結晶の両端面にそれぞれ電極
が設けられてなり、上記レ−ザ増幅器内に配設されたポ
ッケルスセルと、このポッケルスセルの一方の電極に電
圧を印加する第1のパルス発生器および他方の電極に電
圧を印加する第2のパルス発生器と、パルスレ−ザ光を
出力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出力さ
れたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入する光
学手段と、上記第1のパルス発生器と第2のパルス発生
器とに印加する電圧のタイミングを制御することで上記
レ−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅した
のち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具備し
たことを特徴とする。
【0012】
【作用】上記構成によれば、第1のパルス発生器と第2
のパルス発生器とに印加する電圧のタイミングによって
ポッケルスセルに発生するパルス高電圧の波形を自由に
制御することがでできる。
【0013】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図1に示す増幅装置は後述する第1の偏光ビ
−ムススプリッタ2の接合面2aに対してS偏光に偏光
された超短パルスレ−ザ光Lを発振出力するレ−ザ発振
器1を備えている。このレ−ザ発振器1から出力された
S偏光のパルスレ−ザ光Lは、第1の偏光ビ−ムススプ
リッタ2で反射してファラデロ−テ−タ3に入射する。
このファラデロ−テ−タ3は磁界が印加されることで、
上記パルスレ−ザ光Lの偏光を45度回転させる。この
ファラデロ−テ−タ3によって後述する第2の偏光ビ−
ムスプリッタ4の接合面4aに対してS偏光にされたパ
ルスレ−ザ光Lは上記第2の偏光ビ−ムスプリッタ4に
入射する。
【0014】上記第2の偏光ビ−ムスプリッタ4はレ−
ザ増幅器5内に設けられている。このレ−ザ増幅器5は
レ−ザ励起部6の軸線方向の一端側と他端側とに、光共
振器7を形成する高反射ミラ−7a、7bがそれぞれ対
向して配設されてなる。
【0015】上記第2の偏光ビ−ムスプリッタ4は、上
記レ−ザ励起部6の一端側と一方の高反射ミラ−7aと
の間に配設されている。上記第2の偏光ビ−ムスプリッ
タ4と一方の高反射ミラ−7aとの間にはポッケルスセ
ル8とλ/4波長板10とが配設されている。このポッ
ケルスセル8は後述するごとく電圧が印加されること
で、λ/4波長板と同様に機能する。
【0016】したがって、上記第2の偏光ビ−ムスプリ
ッタ4で反射して光共振器7の光軸と同一直線上に入射
したパルスレ−ザ光Lは、上記ポッケルスセル8の電圧
印加によってS偏光からP偏光に偏光されることで、上
記第2の偏光ビ−ムスプリッタ4の接合面4aを透過す
る。パルスレ−ザ光LがP偏光になると、一対の高反射
ミラ−7a、7bで反射を繰り返して往復するから、上
記レ−ザ励起部6によって増幅される。つまり、パルス
レ−ザ光Lを光共振器7内に閉じ込めることができる。
【0017】上記ポッケルスセル8は、ポッケルス結晶
9の一端面と他端面とにそれぞれ第1の電極11と第2
の電極12とが設けられてなる。上記第1の電極11に
は、その一端に第1のパルス発生器13が接続され、他
端は第1のコンデンサ14と第1の抵抗15を介してア
−スされている。上記第2の電極12には、その一端に
第2のパルス発生器16が接続され、他端は第2のコン
デンサ17と第2の抵抗18を介してア−スされてい
る。上記第1、第2の抵抗15、18はインピ−ダンス
マッチ用の付加抵抗であり、上記第1、第2のコンデン
サ14、15は第1、第2のパルス発生器13、18か
ら上記抵抗15、18に電流が直接、流れるのを防ぐた
めの低容量のものである。
【0018】上記第1のパルス発生器13と第2のパル
ス発生器16とは制御手段としての動作信号発生器19
に接続されていて、この動作信号発生器19からの駆動
信号によって第1、第2の電極11、12への電圧の印
加が制御されるようになっている。つまり、ポッケルス
セル8に電圧を印加することができる。
【0019】上記動作信号発生器19は、上記第1のパ
ルス発生器13と第2のパルス発生器16とに電圧を印
加するタイミングを制御するだけでなく、上記レ−ザ発
振器1からパルスレ−ザ光Lを発振出力するタイミング
および上記レ−ザ励起部6が駆動電源部21を介して駆
動されるタイミングを制御するようになっている。
【0020】つぎに、上記構成の増幅装置の動作につい
て説明する。パルスレ−ザ光Lの再生増幅開始前には、
ポッケルスセル8の一対の電極11、12には図2
(a)、(b)にV1 、V2 で示す所定の電圧が印加さ
れている。
【0021】ついで、増幅開始の信号が動作信号発生器
19に入力されると、この動作信号発生器19からレ−
ザ発振器1と駆動電源部21とに駆動信号が出力され
る。それによって、上記レ−ザ発振器1が作動してパル
スレ−ザ光Lが発振出力されるとともに、レ−ザ励起部
6に上記駆動電源部21から電圧が印加されることで、
ここを通過するレ−ザ光Lを増幅できる状態に作動す
る。
【0022】上記レ−ザ発振器1から出力されたパルス
レ−ザ光Lは、第1の偏光ビ−ムスプリッタ2で反射
し、磁界が印加されたファラデロ−テ−タ3を通過し、
第2の偏光ビ−ムスプリッタ4に入射する。この第2の
偏光ビ−ムスプリッタ4はS偏光のパルスレ−ザ光Lを
反射するから、そのパルスレ−ザ光Lは光共振器7内を
その光軸方向に進行する。
【0023】一方、上記増幅開始信号によって、第1の
パルス発生器13にも駆動信号が出力される。それによ
って、図2(a)に示すようにポッケルスセル9の第1
の電極11への印加電圧がV1 から0に高速でスイッチ
される。このスイッチ時間はパルスレ−ザ光Lが光共振
器7内を往復する時間よりも十分に短くなければならな
い。
【0024】第1の電極11への印加電圧が0にスイッ
チされることで、ポッケルスセル9の電極11、12間
には図2(c)で示すように第2の電極12に印加され
た電圧V2 による電位差が生じる。それによって、ポッ
ケルスセル9は波長板作用を呈するから、上記第2の偏
光ビ−ムスプリッタ4の接合面4aではPに偏光されて
いる。P偏光のパルスレ−ザ光Lは上記第2の偏光ビ−
ムスプリッタ4の接合面4aを透過する。したがって、
光共振器7内に入射してP偏光となったパルスレ−ザ光
Lは、一対の全反射ミラ−7a、7b間で反射を繰り返
すから、その間にレ−ザ励起部6で増幅されることにな
る。
【0025】P偏光のパルスレ−ザ光Lを所定の強度ま
で増幅したならば、動作信号発生器19から第2のパル
ス発生器16に駆動信号が出力され、その駆動信号によ
ってポッケルスセル9の第2の電極12に印加された電
圧V2 が図2(b)に示すように0にスイッチされる。
それによって、ポッケルスセル9の一対の電極11、1
2間の電位差が0になるから、このポッケルスセル9の
波長板機能が喪失してP偏光のパルスレ−ザ光Lが第2
の偏光ビ−ムスプリッタ4の接合面4aに対してS偏光
となる。
【0026】S偏光のパルスレ−ザ光Lは第2の偏光ビ
−ムスプリッタ4の接合面4aで反射するから、レ−ザ
増幅器5内で増幅されたパルスレ−ザ光Lは上記反射面
4aで反射して光共振器7から出射される。光共振器7
から出射されたS偏光のパルスレ−ザ光Lはファラデロ
−テ−タ3を通過するが、このときファラデロ−テ−タ
3によって、パルスレ−ザ光LはP偏光の状態で第1の
偏光ビ−ムスプリッタ2へ入射するから、その接合面2
aを透過して取り出されることになる。
【0027】上記構成の増幅装置によれば、レ−ザ増幅
器5におけるパルスレ−ザ光Lの増幅時間は、ポッケル
スセル9の第1の電極11への印加電圧をV1 から0に
スイッチした時間t1 から第2の電極12への印加電圧
をV2 から0にスイッチする時間t2 までの時間差(t
2 −t1 )となる。この時間差は、動作信号発生器19
が第1、第2のパルス発生器13、16に駆動信号を出
力する時間差であるから、自由かつ精密に設定すること
ができる。たとえば、従来の短絡線方式ではその短絡線
の容量が与える影響などで上記時間差は100ns 程度が限
度であったが、この発明によれば時間差を大きくするこ
とで、とくに悪影響を受ける要因がない。したがって、
上記時間差を100ns以上に設定できるから、パルスレ
−ザ光Lを十分に増幅することができる。
【0028】しかも、ポッケルスセル9に電位差を与え
る立上がり状態と、電位差を除去する立ち下がり状態と
の応答時間は同一かつ急峻な矩形状とすることができ
る。それによって、増幅されたパルスレ−ザ光Lの波形
も成形された矩形状とすることができる。
【0029】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、パルスレ
−ザ光をレ−ザ増幅器内に閉じ込めるためのポッケルス
セルの一方の電極と他方の電極とに、それぞれ第1のパ
ルス発生器と第2のパルス発生器とを接続し、これらパ
ルス発生器が上記各電極に電圧を印加するタイミングを
制御することで、上記レ−ザ増幅器内にパルスレ−ザ光
を閉じ込めて増幅される時間を制御するようにした。
【0030】そのため、パルスレ−ザ光をレ−ザ増幅器
内において増幅する時間を自由に設定できるから、上記
パルスレ−ザ光の増幅強度の制御を容易かつ精密に行え
る。しかも、ポッケルスセルに印加する電圧の立上がり
と立ち下がりとの制御を同一の応答時間で急峻に行える
から、そのことによってもパルスレ−ザ光の増幅精度を
高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の全体構成図。
【図2】同じく(a)〜(c)はポッケルスセルの電極
に印加される電圧波形の説明図。
【符号の説明】
1…レ−ザ発振器、2、4…偏光ビ−ムスプリッタ(光
学手段)、3…ファラデロ−テ−タ(光学手段)、5…
レ−ザ増幅器、6…レ−ザ励起部、7…光共振器、7
a、7b…高反射ミラ−、9…ポッケルスセル、9…結
晶、11、12…電極、13、16…第1、第2のパル
ス発生器、19…動作信号発生器(制御手段)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レ−ザ励起部を有し、このレ−ザ励起部
    の一端側と他端側とにそれぞれ高反射ミラ−を対向して
    配置したレ−ザ増幅器と、結晶の両端面にそれぞれ電極
    が設けられてなり、上記レ−ザ増幅器内に配設されたポ
    ッケルスセルと、このポッケルスセルの一方の電極に電
    圧を印加する第1のパルス発生器および他方の電極に電
    圧を印加する第2のパルス発生器と、パルスレ−ザ光を
    出力するレ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から出力さ
    れたパルスレ−ザ光を上記レ−ザ増幅器内へ導入する光
    学手段と、上記第1のパルス発生器と第2のパルス発生
    器とに印加する電圧のタイミングを制御することで上記
    レ−ザ増幅器内に導入されたパルスレ−ザ光を増幅した
    のち上記光学手段を通して導出する制御手段とを具備し
    たことを特徴とするパルスレ−ザ光の増幅装置。
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