JPH08255819A - 温度測定方法及びその装置 - Google Patents
温度測定方法及びその装置Info
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- JPH08255819A JPH08255819A JP5858895A JP5858895A JPH08255819A JP H08255819 A JPH08255819 A JP H08255819A JP 5858895 A JP5858895 A JP 5858895A JP 5858895 A JP5858895 A JP 5858895A JP H08255819 A JPH08255819 A JP H08255819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、被処理体の状態が変動しても正確に
被処理体の温度を測定する。 【構成】チャンバー(1) に収納された半導体ウエハ(3)
の温度を測定する際に、半導体ウエハ(3) の外径寸法の
変化を各ＩＴＶカメラ(7,8) により計測し、この外径寸
法から半導体ウエハ(3) の温度を求める。
被処理体の温度を測定する。 【構成】チャンバー(1) に収納された半導体ウエハ(3)
の温度を測定する際に、半導体ウエハ(3) の外径寸法の
変化を各ＩＴＶカメラ(7,8) により計測し、この外径寸
法から半導体ウエハ(3) の温度を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを熱処理
しているときの半導体ウエハの温度を測定する温度測定
方法及びその装置に関する。
しているときの半導体ウエハの温度を測定する温度測定
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造プロセスでは、半導
体ウエハを急速（短時間）に加熱する熱処理技術として
ラピットアニール装置が用いられている。このラピット
アニール装置は、光の吸収により半導体ウエハを選択的
に短時間で加熱するもので、この加熱時の半導体ウエハ
の温度測定は、半導体ウエハの裏面に対して放射温度計
を配置して行っている。又、その他の温度測定として
は、半導体ウエハに熱電対を接触して計測する方法が用
いられている。
体ウエハを急速（短時間）に加熱する熱処理技術として
ラピットアニール装置が用いられている。このラピット
アニール装置は、光の吸収により半導体ウエハを選択的
に短時間で加熱するもので、この加熱時の半導体ウエハ
の温度測定は、半導体ウエハの裏面に対して放射温度計
を配置して行っている。又、その他の温度測定として
は、半導体ウエハに熱電対を接触して計測する方法が用
いられている。
【０００３】しかしながら、放射温度計を用いる場合
は、半導体ウエハの裏面の状態、つまりベアＳｉ又はＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ、その他の膜が形成されているかにより計
測される半導体ウエハの光の放射量が変動するため、そ
の温度測定値が変動するという問題がある。
は、半導体ウエハの裏面の状態、つまりベアＳｉ又はＰ
ｏｌｙ−Ｓｉ、その他の膜が形成されているかにより計
測される半導体ウエハの光の放射量が変動するため、そ
の温度測定値が変動するという問題がある。
【０００４】又、ラピットアニール装置に投入する半導
体ウエハの種類が多い場合には、その種類ごとに測定し
た半導体ウエハの温度を補正する必要がある。このよう
なことから半導体ウエハの温度を正確に測定する方法と
して、半導体ウエハ表面に熱電対を埋め込み、この熱電
対の測定値を用いて放射温度計の測定値を補正する方法
が考えられている。
体ウエハの種類が多い場合には、その種類ごとに測定し
た半導体ウエハの温度を補正する必要がある。このよう
なことから半導体ウエハの温度を正確に測定する方法と
して、半導体ウエハ表面に熱電対を埋め込み、この熱電
対の測定値を用いて放射温度計の測定値を補正する方法
が考えられている。
【０００５】しかしながら、半導体ウエハ表面に熱電対
を埋め込む方法では、放射温度計により計測を行うため
に半導体ウエハの裏面の状態を変えた半導体ウエハを作
成しなければならず、かつ半導体ウエハごとに各補正値
を求めることは、現実性に乏しい。そのうえ半導体ウエ
ハ裏面の状態を変えることにより、これが放射温度計に
よる計測結果に対する誤差の要因となる。そして、実際
には、熱電対を埋め込むために工程数が増加したり、又
は半導体ウエハの裏面を加工するのに工程数が増加す
る。一方、熱電対を用いた測定方法では、熱電対の応答
性が遅いので、短時間に加熱する半導体ウエハの温度測
定には適用できない。
を埋め込む方法では、放射温度計により計測を行うため
に半導体ウエハの裏面の状態を変えた半導体ウエハを作
成しなければならず、かつ半導体ウエハごとに各補正値
を求めることは、現実性に乏しい。そのうえ半導体ウエ
ハ裏面の状態を変えることにより、これが放射温度計に
よる計測結果に対する誤差の要因となる。そして、実際
には、熱電対を埋め込むために工程数が増加したり、又
は半導体ウエハの裏面を加工するのに工程数が増加す
る。一方、熱電対を用いた測定方法では、熱電対の応答
性が遅いので、短時間に加熱する半導体ウエハの温度測
定には適用できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように放射温度
計を用いる場合は、半導体ウエハの裏面の状態に応じて
光の放射量が変動し、その温度測定値が変動する。そこ
で、半導体ウエハ表面に熱電対を埋め込む方法では、現
実性に乏しく、かつ工程数が増加する。
計を用いる場合は、半導体ウエハの裏面の状態に応じて
光の放射量が変動し、その温度測定値が変動する。そこ
で、半導体ウエハ表面に熱電対を埋め込む方法では、現
実性に乏しく、かつ工程数が増加する。
【０００７】一方、熱電対を用いた測定方法では、短時
間に加熱する半導体ウエハの温度測定に適用できない。
そこで本発明は、被処理体の状態が変動しても正確に被
処理体の温度を測定できる温度測定方法及びその装置を
提供することを目的とする。
間に加熱する半導体ウエハの温度測定に適用できない。
そこで本発明は、被処理体の状態が変動しても正確に被
処理体の温度を測定できる温度測定方法及びその装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、加熱
容器に収納された被処理体の温度を測定する温度測定方
法において、被処理体の外径寸法の変化を計測し、この
外径寸法から被処理体の温度を測定して上記目的を達成
しようとする温度測定方法である。
容器に収納された被処理体の温度を測定する温度測定方
法において、被処理体の外径寸法の変化を計測し、この
外径寸法から被処理体の温度を測定して上記目的を達成
しようとする温度測定方法である。
【０００９】請求項２によれば、加熱容器に収納された
被処理体の温度を測定する温度測定装置において、被処
理体の外周部位を撮像する少なくとも２つの撮像装置
と、これら撮像装置の撮像により得られる画像データに
基づいて被処理体の熱膨張による外径変化を求め、この
外径寸法から被処理体の温度を求める温度処理手段とを
備えて上記目的を達成しようとする温度測定装置であ
る。
被処理体の温度を測定する温度測定装置において、被処
理体の外周部位を撮像する少なくとも２つの撮像装置
と、これら撮像装置の撮像により得られる画像データに
基づいて被処理体の熱膨張による外径変化を求め、この
外径寸法から被処理体の温度を求める温度処理手段とを
備えて上記目的を達成しようとする温度測定装置であ
る。
【００１０】請求項３によれば、撮像装置は、拡大光学
系を備えている。請求項４によれば、加熱容器に収納さ
れた被処理体の温度を測定する温度測定方法において、
被処理体表面の抵抗の変動を計測し、この抵抗変動に基
づいて被処理体の温度を測定して上記目的を達成しよう
とする温度測定方法である。
系を備えている。請求項４によれば、加熱容器に収納さ
れた被処理体の温度を測定する温度測定方法において、
被処理体表面の抵抗の変動を計測し、この抵抗変動に基
づいて被処理体の温度を測定して上記目的を達成しよう
とする温度測定方法である。
【００１１】請求項５によれば、予め被処理体の比抵抗
を測定し、この比抵抗及び被処理体の抵抗変動に基づい
て被処理体の温度を測定するものである。請求項６によ
れば、加熱容器に収納された被処理体の温度を測定する
温度測定装置において、被処理体に接触する各接触子
と、これら接触子を介して被処理体の抵抗変化を測定
し、この抵抗変化に基づいて被処理体の温度を求める温
度処理手段とを備えて上記目的を達成しようとする温度
測定装置である。
を測定し、この比抵抗及び被処理体の抵抗変動に基づい
て被処理体の温度を測定するものである。請求項６によ
れば、加熱容器に収納された被処理体の温度を測定する
温度測定装置において、被処理体に接触する各接触子
と、これら接触子を介して被処理体の抵抗変化を測定
し、この抵抗変化に基づいて被処理体の温度を求める温
度処理手段とを備えて上記目的を達成しようとする温度
測定装置である。
【００１２】
【作用】請求項１によれば、被処理体の外径寸法の変化
から被処理体の温度を測定するので、被処理体の熱膨張
を見ることになり、被処理体表面の膜が変化しても影響
されず、かつ応答性もよい。
から被処理体の温度を測定するので、被処理体の熱膨張
を見ることになり、被処理体表面の膜が変化しても影響
されず、かつ応答性もよい。
【００１３】請求項２によれば、被処理体の外周部位を
各撮像装置により撮像して被処理体の熱膨張による外径
変化を求め、この外径寸法から被処理体の温度を求め
る。この場合、請求項３のように、撮像装置に拡大光学
系を備えるので、撮像の倍率を変えることにより、いか
なる加熱温度でも被処理体の熱膨脹による変位を捕える
ことができる。
各撮像装置により撮像して被処理体の熱膨張による外径
変化を求め、この外径寸法から被処理体の温度を求め
る。この場合、請求項３のように、撮像装置に拡大光学
系を備えるので、撮像の倍率を変えることにより、いか
なる加熱温度でも被処理体の熱膨脹による変位を捕える
ことができる。
【００１４】請求項４によれば、被処理体表面の抵抗の
変動に基づいて被処理体の温度を測定するので、被処理
体表面の導電性材料を利用して温度を測定できる。この
場合、請求項５のように、予め被処理体の比抵抗を測定
し、この比抵抗及び被処理体の抵抗変動に基づいて被処
理体の温度を測定する。請求項６によれば、被処理体に
接触する各接触子を介して被処理体の抵抗変化を測定
し、この抵抗変化に基づいて被処理体の温度を求める。
変動に基づいて被処理体の温度を測定するので、被処理
体表面の導電性材料を利用して温度を測定できる。この
場合、請求項５のように、予め被処理体の比抵抗を測定
し、この比抵抗及び被処理体の抵抗変動に基づいて被処
理体の温度を測定する。請求項６によれば、被処理体に
接触する各接触子を介して被処理体の抵抗変化を測定
し、この抵抗変化に基づいて被処理体の温度を求める。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について図面を参
照して説明する。図１は半導体ウエハの加熱処理に際し
ての温度測定装置の構成図である。チャンバー１の内部
には、支持台２が設けられ、この支持台２上に半導体ウ
エハ３が載置されている。又、このチャンバー１の上部
及び下部には、それぞれ石英窓４、５が形成されてい
る。このうち、下方窓５には、加熱ヒータとしてのタン
グステンハロゲンランプ６が配置されている。
照して説明する。図１は半導体ウエハの加熱処理に際し
ての温度測定装置の構成図である。チャンバー１の内部
には、支持台２が設けられ、この支持台２上に半導体ウ
エハ３が載置されている。又、このチャンバー１の上部
及び下部には、それぞれ石英窓４、５が形成されてい
る。このうち、下方窓５には、加熱ヒータとしてのタン
グステンハロゲンランプ６が配置されている。
【００１６】一方、チャンバー１の外部である石英窓４
の上方には、各ＩＴＶ（工業用テレビジョン）カメラ
７、８が配置されている。これらＩＴＶカメラ７、８
は、支持台２上に半導体ウエハ３を載置した状態に、こ
の半導体ウエハ２の外周エッジを撮像する位置に配置さ
れている。又、これらＩＴＶカメラ７、８には、光学筒
鏡９、１０が備えられ、かつ倍率変更機能を備えた拡大
光学系が接続されている。
の上方には、各ＩＴＶ（工業用テレビジョン）カメラ
７、８が配置されている。これらＩＴＶカメラ７、８
は、支持台２上に半導体ウエハ３を載置した状態に、こ
の半導体ウエハ２の外周エッジを撮像する位置に配置さ
れている。又、これらＩＴＶカメラ７、８には、光学筒
鏡９、１０が備えられ、かつ倍率変更機能を備えた拡大
光学系が接続されている。
【００１７】これらＩＴＶカメラ７、８の出力端子は、
入力部１１を介して画像処理装置１２に接続されてい
る。この画像処理装置１２は、各ＩＴＶカメラ７、８の
撮像により得られる各画像データに基づいて、温度変化
に従って、熱膨張による半導体ウエハ３の外径の変化量
を求める機能を有している。
入力部１１を介して画像処理装置１２に接続されてい
る。この画像処理装置１２は、各ＩＴＶカメラ７、８の
撮像により得られる各画像データに基づいて、温度変化
に従って、熱膨張による半導体ウエハ３の外径の変化量
を求める機能を有している。
【００１８】又、温度算出装置１３は、画像処理装置１
２により求められた半導体ウエハ３の外径の変化量を受
取り、この外径の変化量に基づいて半導体ウエハ３の温
度を求める機能を有している。
２により求められた半導体ウエハ３の外径の変化量を受
取り、この外径の変化量に基づいて半導体ウエハ３の温
度を求める機能を有している。
【００１９】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。半導体ウエハ３が支持台２上に載置され
ると、各ＩＴＶカメラ７、８は、半導体ウエハ３の外周
エッジを撮像する位置に配置される。
いて説明する。半導体ウエハ３が支持台２上に載置され
ると、各ＩＴＶカメラ７、８は、半導体ウエハ３の外周
エッジを撮像する位置に配置される。
【００２０】この状態に、チャンバー１内部が真空引き
され、タングステンハロゲンランプが点灯されて、半導
体ウエハ３が短時間に加熱されると、この半導体ウエハ
３はその熱を受けて熱膨脹し、その外径寸法が変化す
る。
され、タングステンハロゲンランプが点灯されて、半導
体ウエハ３が短時間に加熱されると、この半導体ウエハ
３はその熱を受けて熱膨脹し、その外径寸法が変化す
る。
【００２１】各ＩＴＶカメラ７、８は、このときの半導
体ウエハ３の外周エッジをそれぞれ撮像し、その映像信
号を出力する。これら映像信号は、入力部１１により２
値化変換され、それぞれ順次２値化の画像データとして
画像処理装置１２に記憶される。
体ウエハ３の外周エッジをそれぞれ撮像し、その映像信
号を出力する。これら映像信号は、入力部１１により２
値化変換され、それぞれ順次２値化の画像データとして
画像処理装置１２に記憶される。
【００２２】この画像処理装置１２は、順次記憶した各
画像データに基づいて熱膨張による半導体ウエハ３の外
径の変化量を求める。そして、温度算出装置１３は、画
像処理装置１２により求められた半導体ウエハ３の外径
の変化量を受取り、この温度変化に従った外径の変化量
に基づいて半導体ウエハ３の温度を求める。
画像データに基づいて熱膨張による半導体ウエハ３の外
径の変化量を求める。そして、温度算出装置１３は、画
像処理装置１２により求められた半導体ウエハ３の外径
の変化量を受取り、この温度変化に従った外径の変化量
に基づいて半導体ウエハ３の温度を求める。
【００２３】このように上記第１実施例においては、チ
ャンバー１に収納された半導体ウエハ３の外径寸法の変
化を計測し、この外径寸法から半導体ウエハ３の温度を
測定するようにしたので、半導体ウエハ３の裏面に形成
されている膜が変化しても、Ｓｉの半導体ウエハ３の熱
膨脹量は変化せず、又、同様に半導体ウエハ３の表面に
１μｍ以下の膜厚のＡｌ等が成膜されていても半導体ウ
エハ３の熱膨脹量には影響がない。従って、半導体ウエ
ハ３の外径寸法の変化から精度高く半導体ウエハ３の温
度を測定できる。
ャンバー１に収納された半導体ウエハ３の外径寸法の変
化を計測し、この外径寸法から半導体ウエハ３の温度を
測定するようにしたので、半導体ウエハ３の裏面に形成
されている膜が変化しても、Ｓｉの半導体ウエハ３の熱
膨脹量は変化せず、又、同様に半導体ウエハ３の表面に
１μｍ以下の膜厚のＡｌ等が成膜されていても半導体ウ
エハ３の熱膨脹量には影響がない。従って、半導体ウエ
ハ３の外径寸法の変化から精度高く半導体ウエハ３の温
度を測定できる。
【００２４】又、各ＩＴＶカメラ７、８の画像により半
導体ウエハ３の外径寸法の変化を計測するので、半導体
ウエハ３の温度を求める応答性もよい。又、Ｓｉの半導
体ウエハ３を例えば５００℃程度に加熱する場合、数度
の分解能で温度を測定するには、６″φの半導体ウエハ
３でμｍオーダの変位を測定する必要があるが、この場
合には、各ＩＴＶカメラ７、８には、それぞれ倍率変更
の拡大光学系を備えているので、この半導体ウエハ３の
変位を計測できる倍率にセットすることにより数度の分
解能で半導体ウエハ３の温度を測定できる。
導体ウエハ３の外径寸法の変化を計測するので、半導体
ウエハ３の温度を求める応答性もよい。又、Ｓｉの半導
体ウエハ３を例えば５００℃程度に加熱する場合、数度
の分解能で温度を測定するには、６″φの半導体ウエハ
３でμｍオーダの変位を測定する必要があるが、この場
合には、各ＩＴＶカメラ７、８には、それぞれ倍率変更
の拡大光学系を備えているので、この半導体ウエハ３の
変位を計測できる倍率にセットすることにより数度の分
解能で半導体ウエハ３の温度を測定できる。
【００２５】さらに、２つのＩＴＶカメラ７、８を備え
ているので、熱の影響により支持台２が測定系に対して
変位しても、各ＩＴＶカメラ７、８の各画像データから
支持台２の変位に対する補正ができる。
ているので、熱の影響により支持台２が測定系に対して
変位しても、各ＩＴＶカメラ７、８の各画像データから
支持台２の変位に対する補正ができる。
【００２６】なお、上記第１の実施例では、半導体ウエ
ハ３の外径寸法を各ＩＴＶカメラ７、８の撮像により計
測しているが、この半導体ウエハ３の外径寸法の測定
を、半導体ウエハ３の外径に２本の測定子を接触させ、
電気マイクロメータ等により直接計測するようにしても
よい。
ハ３の外径寸法を各ＩＴＶカメラ７、８の撮像により計
測しているが、この半導体ウエハ３の外径寸法の測定
を、半導体ウエハ３の外径に２本の測定子を接触させ、
電気マイクロメータ等により直接計測するようにしても
よい。
【００２７】又、半導体ウエハ３内に設けられた各アラ
イメントマークの位置を計測し、これらアライメントマ
ーク間の伸びを計測するようにしてもよい。次に本発明
の第２実施例について説明する。
イメントマークの位置を計測し、これらアライメントマ
ーク間の伸びを計測するようにしてもよい。次に本発明
の第２実施例について説明する。
【００２８】図２は半導体ウエハの加熱処理に際しての
温度測定装置の構成図である。チャンバー１の内部に
は、上下機構を備えた支持台２が設けられ、この支持台
２上に半導体ウエハ３が載置されている。又、このチャ
ンバー１の下部には石英窓５が形成され、この石英窓５
の下方には、タングステンハロゲンランプ６が配置され
ている。
温度測定装置の構成図である。チャンバー１の内部に
は、上下機構を備えた支持台２が設けられ、この支持台
２上に半導体ウエハ３が載置されている。又、このチャ
ンバー１の下部には石英窓５が形成され、この石英窓５
の下方には、タングステンハロゲンランプ６が配置され
ている。
【００２９】一方、チャンバ１内部の上部には、各接触
子２０が設けられている。これら接触子２０は、支持台
２上に半導体ウエハ３を載置した状態で、かつ支持台２
が上下機構により最上部に上昇したときに、半導体ウエ
ハ２の外周部に接触する位置に配置されている。
子２０が設けられている。これら接触子２０は、支持台
２上に半導体ウエハ３を載置した状態で、かつ支持台２
が上下機構により最上部に上昇したときに、半導体ウエ
ハ２の外周部に接触する位置に配置されている。
【００３０】又、これら接触子２０は、電流導入端子２
１を介してチャンバー１の外部の抵抗測定機２２に接続
されている。この抵抗測定機２２は、一般にρs メータ
と呼ばれるもので、一定の電圧を各接触子２０に印加
し、このとき各接触子２０間に流れる電流を検出し、こ
れら電圧及び電流から各接触子２０間の抵抗の変化を測
定する機能を有するものである。
１を介してチャンバー１の外部の抵抗測定機２２に接続
されている。この抵抗測定機２２は、一般にρs メータ
と呼ばれるもので、一定の電圧を各接触子２０に印加
し、このとき各接触子２０間に流れる電流を検出し、こ
れら電圧及び電流から各接触子２０間の抵抗の変化を測
定する機能を有するものである。
【００３１】温度算出装置２３は、抵抗測定機２２によ
り測定されて抵抗の変化を受取り、この抵抗の変化に基
づいて次式を算出して半導体ウエハ３の温度Ｔを求める
機能を有している。
り測定されて抵抗の変化を受取り、この抵抗の変化に基
づいて次式を算出して半導体ウエハ３の温度Ｔを求める
機能を有している。
【００３２】 Ｒ＝（ρＬ／Ｓ）｛１＋αｔ（Ｔ−ｔ0 ）｝ …(1) ここで、Ｒは抵抗［Ω］、ρは体積抵抗率（固有抵抗）
［Ωｍ3 ］、Ｌは長さ［ｍ］、Ｓは断面積［ｍ2 ］、α
ｔは抵抗温度係数である。
［Ωｍ3 ］、Ｌは長さ［ｍ］、Ｓは断面積［ｍ2 ］、α
ｔは抵抗温度係数である。
【００３３】又、熱電対２４が、各接触子２０の配置位
置に近接して熱電対２４が配置されている。この熱電対
２４は、半導体ウエハ３を加熱していない状態に、半導
体ウエハ３の温度を測定するに使用されるものである。
置に近接して熱電対２４が配置されている。この熱電対
２４は、半導体ウエハ３を加熱していない状態に、半導
体ウエハ３の温度を測定するに使用されるものである。
【００３４】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。半導体ウエハ３が支持台２上に載置され
ると、この支持台２は上下機構に最上部に上昇される。
これにより、半導体ウエハ３の周辺部に各接触子２０が
接触刷る。又、これと共に半導体ウエハ３の周辺部に、
熱電対２４が接触する。
いて説明する。半導体ウエハ３が支持台２上に載置され
ると、この支持台２は上下機構に最上部に上昇される。
これにより、半導体ウエハ３の周辺部に各接触子２０が
接触刷る。又、これと共に半導体ウエハ３の周辺部に、
熱電対２４が接触する。
【００３５】この状態に、チャンバー１内部が真空引き
され、タングステンハロゲンランプが点灯されて、半導
体ウエハ３が短時間に加熱される。このように半導体ウ
エハ３が加熱されると、この半導体ウエハ３表面の抵抗
Ｒは、上記(1) 式に従って変化する。
され、タングステンハロゲンランプが点灯されて、半導
体ウエハ３が短時間に加熱される。このように半導体ウ
エハ３が加熱されると、この半導体ウエハ３表面の抵抗
Ｒは、上記(1) 式に従って変化する。
【００３６】そして、半導体ウエハ３の表面に、Ａｌ、
Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等の膜が成膜されている
と、これら導電性材料により半導体ウエハ３の表面抵抗
Ｒの測定が可能となる。
Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等の膜が成膜されている
と、これら導電性材料により半導体ウエハ３の表面抵抗
Ｒの測定が可能となる。
【００３７】この場合、半導体ウエハ３の加熱により、
その表面の膜厚、膜質が変化するので、上記(1) 式にお
ける（ρ／Ｓ）の値は、半導体ウエハ３の種類により異
なる。従って、抵抗Ｒを測定しただけでは、半導体ウエ
ハ３の温度Ｔを求めることができないので、半導体ウエ
ハ３を加熱しない状態でのウエハ温度を予め測定する。
その表面の膜厚、膜質が変化するので、上記(1) 式にお
ける（ρ／Ｓ）の値は、半導体ウエハ３の種類により異
なる。従って、抵抗Ｒを測定しただけでは、半導体ウエ
ハ３の温度Ｔを求めることができないので、半導体ウエ
ハ３を加熱しない状態でのウエハ温度を予め測定する。
【００３８】この加熱しない状態での常温の半導体ウエ
ハ３の温度は、熱電対２４により測定される。そして、
この常温での半導体ウエハ３の温度を用いて上記(1) 式
により（ρ／Ｓ）の値を算出する。
ハ３の温度は、熱電対２４により測定される。そして、
この常温での半導体ウエハ３の温度を用いて上記(1) 式
により（ρ／Ｓ）の値を算出する。
【００３９】従って、半導体ウエハ３が加熱され、この
半導体ウエハ３表面の抵抗Ｒが上記(1) 式に従って変化
すると、この状態に抵抗測定機２２は、一定の電圧を各
接触子２０に印加し、このとき各接触子２０間に流れる
電流を検出し、これら電圧及び電流から各接触子２０間
の抵抗の変化を測定する。
半導体ウエハ３表面の抵抗Ｒが上記(1) 式に従って変化
すると、この状態に抵抗測定機２２は、一定の電圧を各
接触子２０に印加し、このとき各接触子２０間に流れる
電流を検出し、これら電圧及び電流から各接触子２０間
の抵抗の変化を測定する。
【００４０】温度算出装置２３は、抵抗測定機２２によ
り測定されて抵抗の変化を受取り、この抵抗の変化及び
予め求めた（ρ／Ｓ）の値に基づいて上記(1) 式を算出
して半導体ウエハ３の温度Ｔを求める。
り測定されて抵抗の変化を受取り、この抵抗の変化及び
予め求めた（ρ／Ｓ）の値に基づいて上記(1) 式を算出
して半導体ウエハ３の温度Ｔを求める。
【００４１】このように上記第２実施例においては、チ
ャンバー１に収納された半導体ウエハ３の表面抵抗Ｒの
変動を計測し、この抵抗変動に基づいて半導体ウエハ３
の温度を測定するようにしたので、半導体ウエハ３を短
時間に加熱しても、このときの半導体ウエハ３の温度を
高精度に測定できる。この場合、（ρ／Ｓ）の値を予め
求めるので、半導体ウエハ３の加熱により、その表面の
膜厚、膜質が変化しても、半導体ウエハ３の温度を高精
度に測定できる。
ャンバー１に収納された半導体ウエハ３の表面抵抗Ｒの
変動を計測し、この抵抗変動に基づいて半導体ウエハ３
の温度を測定するようにしたので、半導体ウエハ３を短
時間に加熱しても、このときの半導体ウエハ３の温度を
高精度に測定できる。この場合、（ρ／Ｓ）の値を予め
求めるので、半導体ウエハ３の加熱により、その表面の
膜厚、膜質が変化しても、半導体ウエハ３の温度を高精
度に測定できる。
【００４２】なお、上記第２実施例では、常温（低温）
での抵抗を熱電対２４により測定したが、ρs メータ等
により事前に半導体ウエハ３の比抵抗を測定し、この比
抵抗を用いて（ρ／Ｓ）の値を事前に求めるようにして
もよい。
での抵抗を熱電対２４により測定したが、ρs メータ等
により事前に半導体ウエハ３の比抵抗を測定し、この比
抵抗を用いて（ρ／Ｓ）の値を事前に求めるようにして
もよい。
【００４３】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、被
処理体の状態が変動しても正確に被処理体の温度を測定
できる温度測定方法及びその装置を提供できる。
処理体の状態が変動しても正確に被処理体の温度を測定
できる温度測定方法及びその装置を提供できる。
【図１】本発明に係わる温度測定装置を半導体ウエハの
加熱処理に適用した場合の第１実施例を示す構成図。
加熱処理に適用した場合の第１実施例を示す構成図。
【図２】本発明に係わる温度測定装置を半導体ウエハの
加熱処理に適用した場合の第２実施例を示す構成図。
加熱処理に適用した場合の第２実施例を示す構成図。
１…チャンバー、２…支持台、３…半導体ウエハ、４，
５…石英窓、６…タングステンハロゲンランプ、７，８
…ＩＴＶカメラ、９，１０…光学筒鏡、１１…入力部、
１２…画像処理装置、１３…温度算出装置、２０…接触
子、２１…電流導入端子、２２…抵抗測定機、２３…温
度算出装置、２４…熱電対。
５…石英窓、６…タングステンハロゲンランプ、７，８
…ＩＴＶカメラ、９，１０…光学筒鏡、１１…入力部、
１２…画像処理装置、１３…温度算出装置、２０…接触
子、２１…電流導入端子、２２…抵抗測定機、２３…温
度算出装置、２４…熱電対。
Claims (6)
- 【請求項１】 加熱容器に収納された被処理体の温度を
測定する温度測定方法において、 前記被処理体の外径寸法の変化を計測し、この外径寸法
から前記被処理体の温度を測定することを特徴とする温
度測定方法。 - 【請求項２】 加熱容器に収納された被処理体の温度を
測定する温度測定装置において、 前記被処理体の外周部位を撮像する少なくとも２つの撮
像装置と、これら撮像装置の撮像により得られる画像デ
ータに基づいて前記被処理体の熱膨張による外径変化を
求め、この外径寸法から前記被処理体の温度を求める温
度処理手段とを具備したことを特徴とする温度測定装
置。 - 【請求項３】 撮像装置は、拡大光学系を備えたことを
特徴とする請求項２記載の温度測定装置。 - 【請求項４】 加熱容器に収納された被処理体の温度を
測定する温度測定方法において、 前記被処理体表面の抵抗の変動を計測し、この抵抗変動
に基づいて前記被処理体の温度を測定することを特徴と
する温度測定方法。 - 【請求項５】 予め被処理体の比抵抗を測定し、この比
抵抗及び前記被処理体の抵抗変動に基づいて前記被処理
体の温度を測定することを特徴とする請求項４記載の温
度測定方法。 - 【請求項６】 加熱容器に収納された被処理体の温度を
測定する温度測定装置において、 前記被処理体に接触する各接触子と、これら接触子を介
して前記被処理体の抵抗変化を測定し、この抵抗変化に
基づいて前記被処理体の温度を求める温度処理手段とを
具備したことを特徴とする温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5858895A JPH08255819A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 温度測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5858895A JPH08255819A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 温度測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255819A true JPH08255819A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13088645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5858895A Pending JPH08255819A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 温度測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255819A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1130372A1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-09-05 | Semiconductor 300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for temperature measurement of a semiconductor wafer |
| FR2809384A1 (fr) * | 2000-05-26 | 2001-11-30 | Thomson Csf | Procede de fabrication de mousse de carbone et pile a combustible utilisant cette mousse |
| JP2009212199A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Canon Anelva Corp | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
| JP2010188505A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 測定装置及びその測定方法並びに切削機械の加工位置補正装置及びその加工位置補正方法 |
| WO2010125947A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 富士機械製造株式会社 | 測定装置及びその測定方法並びに切削機械の加工位置補正装置及びその加工位置補正方法並びに撮像装置及びその撮像装置を備える切削機械 |
| JP2011027300A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 炉内温度の測定方法、炉内温度測定装置、熱処理装置およびセラミック原料粉末の仮焼合成法 |
| US20120112068A1 (en) * | 2009-07-08 | 2012-05-10 | Shusaku Maeda | Charged particle beam device |
| WO2021100173A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 三菱電機株式会社 | ロウ付け装置及び熱交換器 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP5858895A patent/JPH08255819A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1130372A1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-09-05 | Semiconductor 300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for temperature measurement of a semiconductor wafer |
| FR2809384A1 (fr) * | 2000-05-26 | 2001-11-30 | Thomson Csf | Procede de fabrication de mousse de carbone et pile a combustible utilisant cette mousse |
| JP2009212199A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Canon Anelva Corp | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
| JP4515509B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
| JP2010188505A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 測定装置及びその測定方法並びに切削機械の加工位置補正装置及びその加工位置補正方法 |
| WO2010125947A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 富士機械製造株式会社 | 測定装置及びその測定方法並びに切削機械の加工位置補正装置及びその加工位置補正方法並びに撮像装置及びその撮像装置を備える切削機械 |
| US8885038B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-11-11 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Measuring apparatus and measuring method thereof, apparatus for correcting processing position of cutting machine and method thereof for correcting processing position, and imaging apparatus and cutting machine comprising the same |
| US20120112068A1 (en) * | 2009-07-08 | 2012-05-10 | Shusaku Maeda | Charged particle beam device |
| US8558193B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-10-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device |
| JP2011027300A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 炉内温度の測定方法、炉内温度測定装置、熱処理装置およびセラミック原料粉末の仮焼合成法 |
| WO2021100173A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 三菱電機株式会社 | ロウ付け装置及び熱交換器 |
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