JPH08255785A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH08255785A JPH08255785A JP7057848A JP5784895A JPH08255785A JP H08255785 A JPH08255785 A JP H08255785A JP 7057848 A JP7057848 A JP 7057848A JP 5784895 A JP5784895 A JP 5784895A JP H08255785 A JPH08255785 A JP H08255785A
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- upper electrode
- plasma processing
- processing apparatus
- chamber
- process gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】平行平板型のプラズマ処理装置において、大き
な面積をもつ被処理基板２８の複数枚を同時に均一にプ
ラズマ処理きるように図る。 【構成】一つのチャンバ１１に対し、複数台の試料台２
ａ〜２ｄと、上部電極５のマイクロ波放射口８を通して
被処理基板２８のそれぞれにマイクロ波を放出する複数
の誘電体線路部材１ａ〜１ｄと、空間部のそれぞれにに
プロセスガスを供給するガス導入部９ａ〜９ｄと、一つ
の真空ポンプ７の前段に配設されガス圧を調節する圧力
調整部６と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高
周波電源とを設け、各空間部のプロセスガス圧、マイク
ロ波放出強度および各試料台へ印加する高周波電力を独
立して制御できるようにしている。
な面積をもつ被処理基板２８の複数枚を同時に均一にプ
ラズマ処理きるように図る。 【構成】一つのチャンバ１１に対し、複数台の試料台２
ａ〜２ｄと、上部電極５のマイクロ波放射口８を通して
被処理基板２８のそれぞれにマイクロ波を放出する複数
の誘電体線路部材１ａ〜１ｄと、空間部のそれぞれにに
プロセスガスを供給するガス導入部９ａ〜９ｄと、一つ
の真空ポンプ７の前段に配設されガス圧を調節する圧力
調整部６と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高
周波電源とを設け、各空間部のプロセスガス圧、マイク
ロ波放出強度および各試料台へ印加する高周波電力を独
立して制御できるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被処理基板にＣＶＤ膜の
形成やエッチングなどの処理する平行平板型のプラズマ
処理装置に関し、特にマイクロ波を用いた平行平板型の
プラズマ処理装置に関する。
形成やエッチングなどの処理する平行平板型のプラズマ
処理装置に関し、特にマイクロ波を用いた平行平板型の
プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、ドライエッ
チングやプラズマＣＶＤの処理技術は広く用いられてい
る。一般に、プラズマ処理では、プロセスガスを高周波
で励起し得られた活性な粒子を用い被処理基板の表面の
処理を行なうものである。
チングやプラズマＣＶＤの処理技術は広く用いられてい
る。一般に、プラズマ処理では、プロセスガスを高周波
で励起し得られた活性な粒子を用い被処理基板の表面の
処理を行なうものである。
【０００３】通常、この種のプラズマ処理装置は一枚ず
つ半導体ウェハなど処理する枚様式の装置であった。一
方、表面処理される被処理基板は、半導体ウェハだけで
はなくより大きな処理面積をもつ液晶ディスプレイ用の
基板の処理まで適用するに至った。さらに、よりスルー
プットを高めるために複数台の枚様式のプラズマ処理装
置を配備して対処してきたが、周知のように複数台設け
ることは設備コストが高くつくばかりか広い床面積を必
要とする欠点があった。
つ半導体ウェハなど処理する枚様式の装置であった。一
方、表面処理される被処理基板は、半導体ウェハだけで
はなくより大きな処理面積をもつ液晶ディスプレイ用の
基板の処理まで適用するに至った。さらに、よりスルー
プットを高めるために複数台の枚様式のプラズマ処理装
置を配備して対処してきたが、周知のように複数台設け
ることは設備コストが高くつくばかりか広い床面積を必
要とする欠点があった。
【０００４】そこで、現在は、大面積の被処理基板を複
数枚の表面処理が同時にできるバッチ式のプラズマ処理
装置が求められている。
数枚の表面処理が同時にできるバッチ式のプラズマ処理
装置が求められている。
【０００５】図４は従来のプラズマ処理装置の一例を示
す断面図である。この大面積の表面処理が可能なプラズ
マ処理装置は、例えば、図４に示すように、ガス導入口
よりプロセスガスを導入しガス圧を一定に維持されるチ
ャンバ１９と、チャンバ１９内に上部側に寄せてセラミ
ック板２６を背面材として取付けられる上部電極２２
と、この上部電極２２に対向して設けられ複数枚の被処
理基板２８を載置する試料台２３をなす下部電極２１
と、上部電極２２の背面側に取付けられマイクロ波を導
波管２７を経由して導入し上部電極２２のマイクロ波放
射口２５を通してチャンバ１９内にマイクロ波を放出す
る板状の誘電体線路部材２４と、下部電極２１を形成す
る試料台２３に接続される高周波電源２０とを備えてい
る。
す断面図である。この大面積の表面処理が可能なプラズ
マ処理装置は、例えば、図４に示すように、ガス導入口
よりプロセスガスを導入しガス圧を一定に維持されるチ
ャンバ１９と、チャンバ１９内に上部側に寄せてセラミ
ック板２６を背面材として取付けられる上部電極２２
と、この上部電極２２に対向して設けられ複数枚の被処
理基板２８を載置する試料台２３をなす下部電極２１
と、上部電極２２の背面側に取付けられマイクロ波を導
波管２７を経由して導入し上部電極２２のマイクロ波放
射口２５を通してチャンバ１９内にマイクロ波を放出す
る板状の誘電体線路部材２４と、下部電極２１を形成す
る試料台２３に接続される高周波電源２０とを備えてい
る。
【０００６】この平行平板型のプラズマ処理装置は、被
処理基板２８に対し十分広い面積をもつ誘電体線路部材
２４から上部電極２２の複数のマイクロ波放射口２５を
経てマイクロ波が放出され導入されたプロセスガスを励
起し高密度のプラズマを発生させる。そして、試料台２
３に印加される高周波電圧による電界によってプラズマ
を加速し大面積の複数枚の被処理基板２８を同時に処理
することを特徴としていた。
処理基板２８に対し十分広い面積をもつ誘電体線路部材
２４から上部電極２２の複数のマイクロ波放射口２５を
経てマイクロ波が放出され導入されたプロセスガスを励
起し高密度のプラズマを発生させる。そして、試料台２
３に印加される高周波電圧による電界によってプラズマ
を加速し大面積の複数枚の被処理基板２８を同時に処理
することを特徴としていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マ処理装置では、誘電体線路部材に対応する上部電極に
中央部と周辺部にあるマイクロ波放射口の開口面積を変
え所望の一様さでマイクロ波を放出させるものの、発生
するプラズマの密度にむらが生じ、処理される被処理基
板面内および基板間に、ＣＶＤ膜であれば膜厚のばらつ
きをエッチングであればエッチングの深さや幅などにば
らつきが生ずるという問題があった。
マ処理装置では、誘電体線路部材に対応する上部電極に
中央部と周辺部にあるマイクロ波放射口の開口面積を変
え所望の一様さでマイクロ波を放出させるものの、発生
するプラズマの密度にむらが生じ、処理される被処理基
板面内および基板間に、ＣＶＤ膜であれば膜厚のばらつ
きをエッチングであればエッチングの深さや幅などにば
らつきが生ずるという問題があった。
【０００８】また、チャンバが大きくなるため、例え
ば、プロセスガス圧を０．１Ｐａ以下という分子流領域
の近くまで下げると、チャンバ内の場所により圧力に差
が生じ圧力の高い所ではプラズマに斜めのイオンを含み
その場所に位置する被処理基板に所望のアスペクト比で
エッチングされないという問題がある。
ば、プロセスガス圧を０．１Ｐａ以下という分子流領域
の近くまで下げると、チャンバ内の場所により圧力に差
が生じ圧力の高い所ではプラズマに斜めのイオンを含み
その場所に位置する被処理基板に所望のアスペクト比で
エッチングされないという問題がある。
【０００９】従って、本発明の目的は、大面積の被処理
物の複数を同時にばらつきなく処理できるプラズマ処理
装置を提供することである。
物の複数を同時にばらつきなく処理できるプラズマ処理
装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、チャン
バ内に配設され複数のマイクロ波放射口を有する平板状
の上部電極と、この上部電極の背面側に配置されマイク
ロ波を導入し該上部電極のマイクロ波放射口を通して前
記チャンバ内に該マイクロ波を放出する複数の板状の誘
電体線路部材と、前記上部電極と対向し配置されるとと
もに前記誘電体線路部材のそれぞれに対応する被処理基
板の複数を載置する複数の下部電極をなす試料台と、こ
れら下部電極と前記上部電極との間の空間部のそれぞれ
に独立してプロセスガスを導入する複数のプロセスガス
導入手段と、前記下部電極のそれぞれに接続される複数
の高周波電源と、前記チャンバを真空排気する真空ポン
プの前段に配設されるとともに導入された該プロセスガ
スの圧力を一定に維持するガス圧調整機構とを備えるプ
ラズマ処理装置である。
バ内に配設され複数のマイクロ波放射口を有する平板状
の上部電極と、この上部電極の背面側に配置されマイク
ロ波を導入し該上部電極のマイクロ波放射口を通して前
記チャンバ内に該マイクロ波を放出する複数の板状の誘
電体線路部材と、前記上部電極と対向し配置されるとと
もに前記誘電体線路部材のそれぞれに対応する被処理基
板の複数を載置する複数の下部電極をなす試料台と、こ
れら下部電極と前記上部電極との間の空間部のそれぞれ
に独立してプロセスガスを導入する複数のプロセスガス
導入手段と、前記下部電極のそれぞれに接続される複数
の高周波電源と、前記チャンバを真空排気する真空ポン
プの前段に配設されるとともに導入された該プロセスガ
スの圧力を一定に維持するガス圧調整機構とを備えるプ
ラズマ処理装置である。
【００１１】また、前記空間部のそれぞれのガス圧を独
立して調整する複数の前記ガス圧力調整機構の複数を備
えることが望ましい。さらに、前記空間部を互に仕切る
仕切板部材を備えることが望ましい。
立して調整する複数の前記ガス圧力調整機構の複数を備
えることが望ましい。さらに、前記空間部を互に仕切る
仕切板部材を備えることが望ましい。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の第１の
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＡ一Ａ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図１に示すよう
に、チャンバ１１内に配設され複数のマイクロ波放射口
８を有する平板状の上部電極５と、この上部電極５の背
面側に配置され導波管１０ａ〜１０ｄを介してマイクロ
波を導入し上部電極５のマイクロ波放射口８を通してチ
ャンバ１１内にマイクロ波を放出する複数の誘電体線路
部材１ａ〜１ｄと、上部電極５と対向し配置されるとと
もに誘電体線路部材１ａ〜１ｄのそれぞれに対応する被
処理基板２８の複数を載置する複数の下部電極３ａ〜３
ｄをなす試料台２ａ〜２ｄと、これら下部電極３ａ〜３
ｄと上部電極５との間の空間部のそれぞれに独立してプ
ロセスガスを導入する複数のプロセスガス導入部９ａ〜
９ｄと、下部電極３ａ〜３ｄおよび試料台２ａ〜２ｄの
それぞれに接続される複数の高周波電源４ａ，４ｂと、
チャンバ１１を真空排気する真空ポンプ７の前段に配設
されるとともに導入されたプロセスガスの圧力を一定に
維持する圧力調整部６および真空ポンプ７とを備えてい
る。
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＡ一Ａ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図１に示すよう
に、チャンバ１１内に配設され複数のマイクロ波放射口
８を有する平板状の上部電極５と、この上部電極５の背
面側に配置され導波管１０ａ〜１０ｄを介してマイクロ
波を導入し上部電極５のマイクロ波放射口８を通してチ
ャンバ１１内にマイクロ波を放出する複数の誘電体線路
部材１ａ〜１ｄと、上部電極５と対向し配置されるとと
もに誘電体線路部材１ａ〜１ｄのそれぞれに対応する被
処理基板２８の複数を載置する複数の下部電極３ａ〜３
ｄをなす試料台２ａ〜２ｄと、これら下部電極３ａ〜３
ｄと上部電極５との間の空間部のそれぞれに独立してプ
ロセスガスを導入する複数のプロセスガス導入部９ａ〜
９ｄと、下部電極３ａ〜３ｄおよび試料台２ａ〜２ｄの
それぞれに接続される複数の高周波電源４ａ，４ｂと、
チャンバ１１を真空排気する真空ポンプ７の前段に配設
されるとともに導入されたプロセスガスの圧力を一定に
維持する圧力調整部６および真空ポンプ７とを備えてい
る。
【００１４】すなわち、このドライエッチング装置は、
大面積の被処理基板２８、例えば、液晶ディスプレイ用
基板の複数枚を同時に処理できるように被処理基板２８
のそれぞれに対応してマイクロ波放射面をもつ誘電体線
路部材１ａ〜１ｄを設けている。また、テフロン製の誘
電体線路部材１ａ〜１ｄの下方にあって被処理基板２８
に対応する上部電極５の各部には、それぞれの上部電極
５と下部電極３ａ〜３ｄの空間部に放射されるマイクロ
波が一様になるように開口面積を適宜決められたマイク
ロ波放射口８の複数個が設けられている。そして、図面
には示していないが、磁石などをチャンバ１１の外周囲
に並べ取付け、各空間部におけるプラズマ密度の均一性
が、例えば、±４パーセント以内にするようになされて
いる。
大面積の被処理基板２８、例えば、液晶ディスプレイ用
基板の複数枚を同時に処理できるように被処理基板２８
のそれぞれに対応してマイクロ波放射面をもつ誘電体線
路部材１ａ〜１ｄを設けている。また、テフロン製の誘
電体線路部材１ａ〜１ｄの下方にあって被処理基板２８
に対応する上部電極５の各部には、それぞれの上部電極
５と下部電極３ａ〜３ｄの空間部に放射されるマイクロ
波が一様になるように開口面積を適宜決められたマイク
ロ波放射口８の複数個が設けられている。そして、図面
には示していないが、磁石などをチャンバ１１の外周囲
に並べ取付け、各空間部におけるプラズマ密度の均一性
が、例えば、±４パーセント以内にするようになされて
いる。
【００１５】一方、プロセスガスを導入するガス導入部
９ａ〜９ｄは、図面に示していないが、ガス供給装置と
マスフローコントローラと配管とから構成され、それぞ
れの下部電極３ａ〜３ｄと上部電極５の空間部にプロセ
スガスを独立に流量制御し供給できる。また、ガス圧を
一定に維持するために一つの大きな排気口がチャンバ１
１に設けられ、この排気口には真空ポンプ７の排気能力
を調節する可変コンダクタンスバルブである圧力調整部
６が設けられている。この実施例の場合は、ガス圧は１
０〜１００Ｐａという比較的高い圧力範囲に調整でき
る。しかも、この圧力は粘性流領域であるので一つの排
気口でも各空間部の圧力差は生じない。
９ａ〜９ｄは、図面に示していないが、ガス供給装置と
マスフローコントローラと配管とから構成され、それぞ
れの下部電極３ａ〜３ｄと上部電極５の空間部にプロセ
スガスを独立に流量制御し供給できる。また、ガス圧を
一定に維持するために一つの大きな排気口がチャンバ１
１に設けられ、この排気口には真空ポンプ７の排気能力
を調節する可変コンダクタンスバルブである圧力調整部
６が設けられている。この実施例の場合は、ガス圧は１
０〜１００Ｐａという比較的高い圧力範囲に調整でき
る。しかも、この圧力は粘性流領域であるので一つの排
気口でも各空間部の圧力差は生じない。
【００１６】下部電極２ａ〜２ｄを形成する試料台２ａ
〜２ｄのそれぞれには高周波電源４ａ，４ｂが設けられ
ており独立に制御できる。また、図面には示していない
が、被処理基板２８を加熱する基板加熱機構のヒータが
それぞれの試料台３ａ〜３ｄに設けられており、被処理
基板２８の温度を独立して制御できる。
〜２ｄのそれぞれには高周波電源４ａ，４ｂが設けられ
ており独立に制御できる。また、図面には示していない
が、被処理基板２８を加熱する基板加熱機構のヒータが
それぞれの試料台３ａ〜３ｄに設けられており、被処理
基板２８の温度を独立して制御できる。
【００１７】このように、一枚の被処理基板２８に対し
て一誘電体線路部材１ａ〜１ｄと試料台３ａ〜３ｄと高
周波電源４ａ，４ｂおよびガス導入部９ａ〜９ｄを独立
に設け、プロセスガスの制御、導入マイクロ波の電力、
被処理基板温度、被処理基板に印加するバイアス電力と
処理時間を被処理基板２８のそれぞれに対応し変化させ
ることができるので、一バッチで同時に複数枚の被処理
基板２８の処理ができる。
て一誘電体線路部材１ａ〜１ｄと試料台３ａ〜３ｄと高
周波電源４ａ，４ｂおよびガス導入部９ａ〜９ｄを独立
に設け、プロセスガスの制御、導入マイクロ波の電力、
被処理基板温度、被処理基板に印加するバイアス電力と
処理時間を被処理基板２８のそれぞれに対応し変化させ
ることができるので、一バッチで同時に複数枚の被処理
基板２８の処理ができる。
【００１８】図２（ａ）および（ｂ）は本発明の第２の
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＢ一Ｂ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図２に示すよう
に、下部電極３ａ〜３ｄと上部電極５との間の各空間部
を排気する排気口１２ａ〜１２ｄを試料台２ａ〜２ｄの
下に設け、この排気口１２ａ〜１２ｄに接続される圧力
調整部６ａ〜６ｄを真空ポンプ７の前段に配設さたこと
である。それ以外は前述の実施例と同じである。
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＢ一Ｂ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図２に示すよう
に、下部電極３ａ〜３ｄと上部電極５との間の各空間部
を排気する排気口１２ａ〜１２ｄを試料台２ａ〜２ｄの
下に設け、この排気口１２ａ〜１２ｄに接続される圧力
調整部６ａ〜６ｄを真空ポンプ７の前段に配設さたこと
である。それ以外は前述の実施例と同じである。
【００１９】このプラズマ処理装置は、下部電極３ａ〜
３ｄと上部電極５との間の空間部を独立して排気する排
気口１２ａ〜１２ｄを設けてあるので前述の実施例に比
べよりコンダクタンスが大きくなりかつ各空間部に対す
る各コンダクタンスを一定にできるので、ガス圧力が分
子流領域に達しても各空間部の圧力差が殆んど零にする
ことができる。また、圧力調整部６ａ〜６ｄで独立して
排気能力を調整できる利点がある。その結果、この実施
例では、空間部のプロセスガスの圧力を分子流領域から
粘性流領域まで、すなわち、０．０１Ｐａから１００Ｐ
ａまで空間部内に圧力差を生ずることなく広範囲に調整
できた。
３ｄと上部電極５との間の空間部を独立して排気する排
気口１２ａ〜１２ｄを設けてあるので前述の実施例に比
べよりコンダクタンスが大きくなりかつ各空間部に対す
る各コンダクタンスを一定にできるので、ガス圧力が分
子流領域に達しても各空間部の圧力差が殆んど零にする
ことができる。また、圧力調整部６ａ〜６ｄで独立して
排気能力を調整できる利点がある。その結果、この実施
例では、空間部のプロセスガスの圧力を分子流領域から
粘性流領域まで、すなわち、０．０１Ｐａから１００Ｐ
ａまで空間部内に圧力差を生ずることなく広範囲に調整
できた。
【００２０】図３（ａ）および（ｃ）は本発明の第３の
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＣ一Ｃ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図３に示すよう
に、試料台２ａ〜２ｄの各下部電極３ａ〜３ｄと上部電
極５との間の空間部を仕切る導電性の仕切板１３を設け
たことである。それ以外は前述の第１の実施例と同じで
ある。
実施例を示すプラズマ処理装置の平面図およびＣ一Ｃ断
面図である。このプラズマ処理装置は、図３に示すよう
に、試料台２ａ〜２ｄの各下部電極３ａ〜３ｄと上部電
極５との間の空間部を仕切る導電性の仕切板１３を設け
たことである。それ以外は前述の第１の実施例と同じで
ある。
【００２１】この仕切板１３を設けることにより各空間
部で発生するプラズマが互に干渉することがなくなる。
プラズマの均一性の確保が容易でない。特に、ガス圧の
高いときに起きるプラズマの広がりに伴なう被処理基板
２８への悪影響を必然的に防止するという利点がある。
部で発生するプラズマが互に干渉することがなくなる。
プラズマの均一性の確保が容易でない。特に、ガス圧の
高いときに起きるプラズマの広がりに伴なう被処理基板
２８への悪影響を必然的に防止するという利点がある。
【００２２】また、この実施例のプラズマ処理装置に前
述の第２の実施例のように独立して排気口と圧力調整部
を設ければ、各空間のガス圧、高周波電源の印加電力お
よびマイクロ波強度を独立して制御できるから、一チャ
ンバで同時に四枚の被処理基板への同一処理ができるば
かりではなくそれぞれ異なる処理もできるという利点が
ある。
述の第２の実施例のように独立して排気口と圧力調整部
を設ければ、各空間のガス圧、高周波電源の印加電力お
よびマイクロ波強度を独立して制御できるから、一チャ
ンバで同時に四枚の被処理基板への同一処理ができるば
かりではなくそれぞれ異なる処理もできるという利点が
ある。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プラズマ
処理室である一チャンバに対し、複数の被処理基板をそ
れぞれ載置する試料台および下部電極と、複数の下部電
極を覆うとともにマイクロ波放射口をもつ上部電極と、
マイクロ波を放出し被処理基板のそれぞれに対応し上部
電極の背面側に配置される複数の誘電体線路部材と、上
部電極と被処理基板との間の空間部のそれぞれににプロ
セスガスを供給するガス導入部と、一つの真空ポンプの
前段に配設され各空間部のガス圧を調節する圧力調整部
と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高周波電源
とを設けることによって、各空間部のプロセスガス圧、
各空間部へのマイクロ波放出強度および各試料台へ印加
する高周波電力を独立して制御できることから、大面積
の被処理基板の複数を同時にばらつきなく処理できると
いう効果が得られる。
処理室である一チャンバに対し、複数の被処理基板をそ
れぞれ載置する試料台および下部電極と、複数の下部電
極を覆うとともにマイクロ波放射口をもつ上部電極と、
マイクロ波を放出し被処理基板のそれぞれに対応し上部
電極の背面側に配置される複数の誘電体線路部材と、上
部電極と被処理基板との間の空間部のそれぞれににプロ
セスガスを供給するガス導入部と、一つの真空ポンプの
前段に配設され各空間部のガス圧を調節する圧力調整部
と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高周波電源
とを設けることによって、各空間部のプロセスガス圧、
各空間部へのマイクロ波放出強度および各試料台へ印加
する高周波電力を独立して制御できることから、大面積
の被処理基板の複数を同時にばらつきなく処理できると
いう効果が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すプラズマ処理装置
の平面図およびＡ一Ａ断面図である。
の平面図およびＡ一Ａ断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示すプラズマ処理装置
の平面図およびＢ一Ｂ断面図である。
の平面図およびＢ一Ｂ断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示すプラズマ処理装置
の平面図およびＣ一Ｃ断面図である。
の平面図およびＣ一Ｃ断面図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，２４ 誘電体線路部材 ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２３ 試料台 ３ａ，３ｂ，２１ 下部電極 ４ａ，４ｂ，２０ 高周波電源 ５，２２ 上部電極 ６，６ａ，６ｂ 圧力調整部 ７ 真空ポンプ ８，２５ マイクロ波放射口 ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ ガス導入部 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，２７ 導波管 １１，１９ チャンバ １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ 排気口 １３ 仕切板 ２８ 被処理基板
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ内に配設され複数のマイクロ波
放射口を有する平板状の上部電極と、この上部電極の背
面側に配置されマイクロ波を導入し該上部電極のマイク
ロ波放射口を通して前記チャンバ内に該マイクロ波を放
出する複数の板状の誘電体線路部材と、前記上部電極と
対向し配置されるとともに前記誘電体線路部材のそれぞ
れに対応する被処理基板の複数を載置する複数の下部電
極をなす試料台と、これら下部電極と前記上部電極との
間の空間部のそれぞれに独立してプロセスガスを導入す
る複数のプロセスガス導入手段と、前記下部電極のそれ
ぞれに接続される複数の高周波電源と、前記チャンバを
真空排気する真空ポンプの前段に配設されるとともに導
入された該プロセスガスの圧力を一定に維持するガス圧
調整機構とを備えることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 前記空間部のそれぞれのガス圧を独立し
て調整する前記ガス圧調整機構の複数を備えることを特
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記空間部を互に仕切る仕切板部材を備
えることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ
処理装置。
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