JPH08254637A - 光通信用端末装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光通信用端末装置とその製造方法に関し、簡
便な手段によって光半導体素子と光ファイバを効率よく
光結合できるを目的とする。 【構成】 少なくとも一端部の近傍に複数のボンディン
グパターン1aと、該一端部と他端部との間に少なくとも
一つの被嵌合部1bとを有する基板１と、少なくとも一つ
の光半導体素子であって、背面に設けられたボンディン
グパッド2aが前記ボンディング用パターン1aに位置合わ
せされて固着される第一の光部品２と、少なくとも一つ
の光ファイバである第二の光部品３と、前記第二の光部
品３を前記基板１上に支持させる少なくとも一つの収納
部4aと、該収納部4aを挟む両側に前記被嵌合部1bと嵌め
合う嵌合部4bとを有する支持部材４とで構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光通信に用いられる発光
・受光装置や光ファイバなどからなる光通信用端末装置
に関する。

【０００２】光ファイバを用いる高速のディジタル情報
通信網が一般家庭にまで普及すると、高品質の音声や画
像の双方向通信を駆使する情報通信サービスや個人レベ
ルのより高度で豊かなコミュニケーションが可能になる
と期待されている。

【０００３】このような通信網の構築にはさまざまな分
野にまたがる問題の解決が必要になるが、光通信用部品
の製造の分野では、光通信用端末装置、特に半導体レー
ザなどの光半導体装置と光ファイバとの高精度な位置合
わせに工数が掛かり、高価なものになっており、この製
造コストを低減することが重要となっている。

【０００４】

【従来の技術】代表的な光通信用端末装置である光半導
体装置と光ファイバの光結合を容易にしてコストを低減
する従来の技術には、光ファイバをガイドする溝と光半
導体装置をボンディングする電極を一つの基板上に設
け、光ファイバと光半導体装置を衝き合わせて位置合わ
せし基板上に固着する方法がある。

【０００５】図８は光半導体素子と光ファイバの位置合
わせ方法の従来例である。具体的には、第二の光部品３
である光ファイバやレンズをガイドする案内溝1jには、
例えば(100) シリコンからなる基板１をＫＯＨ水溶液な
どのエッチング液で異方性エッチングした断面がＶ字型
のいわゆるＶ溝が用いられる。このＶ溝が形成される面
は(111) 面である。

【０００６】一方、第一の光部品２である光半導体素子
を位置決めして固着する方法もいろいろ提案されてい
る。例えば、基板１の上に設けられたボンディング用パ
ターン1aと第一の光部品２の背面に設けられたボンディ
ング用パッド2aとの間に低融点金属を介在させ、溶融金
属の表面張力を利用したセルフアライメントフリップチ
ップボンディング方法が採られている。また、基板に設
けた位置決め用マークを基準にして光半導体素子を位置
合わせしながら低融点金属で固着する方法も採られてい
る。さらに、基板面に突起を設けてこの突起に光半導体
素子の端部を衝き当てて位置決めする方法も採られてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＶ溝
を用いた位置決め技術では、光ファイバやレンズなどを
案内するために、基板の上には 100μｍ以上の深さの溝
が形成される。このような溝が形成された基板において
は、フォトリソグラフィにおけるレジストの均質な塗布
が厄介である。そのため、リフトオフ法などの比較的簡
便に精度よくパターニングできるパターン形成技術が適
用できず、光半導体素子を位置決めして固着する電極の
形成に際して精度のよい位置や形状を得ることが難し
い。

【０００８】また、第一の光部品２である光半導体素子
と第二の光部品３である光ファイバの光結合効率をよく
するためには、光ファイバをできるだけ光半導体に近設
したい。ところが、光ファイバを案内するＶ溝が邪魔し
て、光半導体素子を固着するボンディング用パターン1a
をＶ溝に近設することが難しい。つまり、図８（Ｂ）に
示したように、Ｖ溝の先端部1kが傾斜しているために、
光ファイバを光半導体素子の端部を衝き当てて位置決め
すること、つまり、光ファイバの先端と光半導体素子の
距離Ｌを縮めることが厄介である。そのため、従来技術
では、光通信端末用装置が高価で、かつ性能向上が難し
いものになっていた。

【０００９】そこで本発明は、光ファイバを支持するた
めに基板に深いエッチング加工を行わず、光ファイバを
支持部材によって簡便に位置決め精度よく支持できてな
る光通信用端末装置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、基板
と、第一の光部品と、第二の光部品と、支持部材を有
し、該基板は、少なくとも一端部の近傍に複数のボンデ
ィング用パターンと、該一端部と他端部との間に少なく
とも一つの被嵌合部とを有するものであり、該第一の光
部品は、少なくとも一つの光半導体素子であって、背面
に設けられたボンディング用パッドが該ボンディング用
パターンに固着されるものであり、該第二の光部品は、
少なくとも一つの光ファイバであり、該支持部材は、該
第二の光部品を位置決め精度よく該基板上に配設させる
少なくとも一つの収納部と、該収納部を挟む両側に該被
嵌合部と位置決め精度よく嵌め合う嵌合部とを有するも
のであるように構成された光通信用端末装置によって解
決される。

【００１１】

【作用】光通信用端末装置において、光半導体素子から
なる第一の光部品と光ファイバからなる第二の光部品と
の位置合わせは、μｍ単位の高精度が要求されるため組
立に手間隙が掛かるので従来は高価であったが、本発明
においては、第二の光部品を支持部材によって支持する
ようにしている。そして、その支持部材を基板に位置決
め精度よく嵌合させるようにしている。

【００１２】こうすると、基板に第一の光部品と第二の
光部品を搭載するに際して、従来のような特に第二の光
部品である光ファイバを例えば基板に深いＶ溝を設けて
支持するのに比べて、基板には支持部材と嵌合させる浅
い溝の加工で十分である。従って、第一の光部品である
光半導体素子を位置決めして固定するボンディング用パ
ターンの加工精度などを上げることができる。

【００１３】

【実施例】図１は本発明の第一の実施例の斜視図で、同
図（Ａ）は分解斜視図、同図（Ｂ）は組立図、図２は本
発明になる所定の体積のバンプを形成する工程図、図３
は本発明の第二の実施例の斜視図、図４は基板と支持部
材のいろいろな嵌め合い形状例の断面斜視図、図５は基
板と支持部材のろう接の一例の説明図、図６は光導波路
部材を設けた光通信用端末装置の分解斜視図、図７は本
発明を応用した光通信用端末装置の組立工程である。

【００１４】図において、１は基板、1aはボンディング
用パターン、1bは被嵌合部、1cは光導波路ボンディング
用パターン、1dは台地、1eは基板側ろう接部、1fは窪
み、1gは斜面、1hは納置溝、1iは納置凹部、２は第一の
光部品、2aはボンディング用パッド、2bはボンディング
用バンプ、３は第二の光部品、４は支持部材、4aは収納
部、4bは嵌合部、4cは支持部材側ろう接部、５は光導波
路部材、5aは光導波路ボンディング用パッド、5bは光導
波路ボンディング用バンプ、６は低融点金属、７は光部
品組立体、10は光通信用端末装置、10a は筺体、10b は
入出力用端子、10c はスリーブ、10d はフランジ、10ｅ
は蓋、20は基板、21はＳｉＯ₂ 膜、22は下地電極、23は
低融点金属層、24はレジストパターンである。 〔実施例１〕図１は本発明の第一の実施例の斜視図であ
り、本発明になる光通信用端末装置の要部をなす光部品
組立体７は、基板１の上に、第一の光部品２が固着さ
れ、第二の光部品３が支持部材４によって支持された構
成になっている。

【００１５】図１（Ａ）において、基板１は例えばセラ
ミック製の基板であり、一端部の近傍には第一の光部品
２を固着する複数のボンディング用パターン1aが設けら
れている。また一端部と他端部との間には少なくとも一
つの例えば溝のような形状をした被嵌合部1bが設けられ
ている。

【００１６】第一の光部品２は、例えばＬＥＤや半導体
レーザのような発光素子、あるいはホトダイオードのよ
うな受光素子などの光半導体素子であり、底部には第一
の光部品２自身を固着する役目を兼ねた複数のボンディ
ング用パッド2aとボンディング用バンプ2bが設けられて
いる。なお、ボンディング用バンプ2bは、低融点金属に
濡れ性をもったボンディング用パッド2a上に低融点金属
であるＡｕＳｎ共晶合金を被着させたものである。第二
の光部品３は光ファイバである。

【００１７】支持部材４は、例えばセラミックや金属製
で断面がコの字型をした樋状をなして、収納部4aで第二
の光部品３を支持し、嵌合部4bが被嵌合部1bに嵌合する
ようになっている。

【００１８】第一の光部品２は、チップの底面に設けら
れた複数のボンディング用パッド2aが基板１の上に設け
られた複数のボンディング用パターン1aと対応するよう
になっており、セルフアライメントボンディングによっ
て位置決めされて基板１に固着される。こゝで、セルフ
アライメントボンディングとは、ボンディング用バンプ
2bを形成する低融点金属を溶融させ、その表面張力によ
って自動的に位置整合（セルフアライメント）するボン
ディング方法である。

【００１９】ところで、第一の光部品２は、光ファイバ
である第二の光部品３と光軸を合致させるためには、基
板１に対して前後左右の方向だけでなく高さ方向も所定
の位置決めがなされる必要がある。そのためには、複数
のボンディング用バンプ2bの個々の体積を調整すること
が望ましい。

【００２０】図２は所定の体積のバンプを形成する工程
図を示したもので、まず、図２（Ａ）において、基板20
は、例えば、表面に半導体レーザ構造を形成し、その上
にＳｉＯ₂ 膜21を被着した光半導体素子基板で、その上
に例えばＴｉ／Ａｕ（50ｎｍ/200ｎｍ) の下地電極22を
設ける。次いで、図２（Ｂ）に示したように、膜厚が計
測できるように、例えば基板20の一部を被ってＡｕＳｎ
共晶合金の低融点金属層23を真空蒸着によって形成す
る。図２（Ｃ）において、段差を利用して低融点金属層
23の膜厚を測定する。

【００２１】低融点金属層23の膜厚の測定を重量によっ
ても行うことができ、例えば、基板20が表面積の分かっ
た定型である場合には、図２（Ｂ）で基板20の一部を被
う必要はなく、低融点金属層23を被着する前後の基板１
の重量差から算出できる。一方、第一の基板2cが不定型
の場合には、予め面積の分かったマスクで四方を被って
低融点金属を被着し、基板20との重量差から低融点金属
層23の厚さを算出することもできる。

【００２２】次いで、図２（Ｄ）において、低融点金属
層23の上にレジストを塗布し、下地電極22に見合った低
融点金属層23の上にレジストパターン24を形成する。こ
のレジストパターン24は例えば円形状であり、その面積
は、下地電極22や低融点金属層23の厚み、低融点金属層
23が溶融して球状のいわゆる低融点はんだバンプになっ
たときの高さ、第一の光部品２の活性領域の基板１の上
面からの高さ、第二の光部品３である光ファイバの光軸
の基板１の上面からの高さなどから、第一の光部品２の
活性領域と第二の光部品３の光軸を合致させるために必
要なはんだの体積が得られるように決める。

【００２３】次いで、図２（Ｅ）において、低融点金属
層23を例えばＡｒイオンビームでエッチングし、次い
で、レジストパターン24を剥離する。こうして、それぞ
れが円柱状で同一の所定の体積をもった低融点金属層23
が形成される。

【００２４】次いで、図２（Ｆ）において、低融点金属
層23を例えば 300°Ｃで加熱して溶融すれば、はんだの
表面張力で球状となり、それぞれが所定の体積で高さの
等しいボンディング用バンプ2bが形成できる。

【００２５】こうして得られたボンディング用バンプ2b
を図１で示した基板１のボンディング用パターン1aを位
置合わせし、ボンディング用バンプ2bを加熱溶融すれ
ば、セルフアライメントによって第一の光部品２が基板
１に前後・左右・上下共に位置決め精度よく固着でき
る。

【００２６】第一の光部品２の高さ方向の位置をボンデ
ィング用バンプ2bの高さのみで賄いきれない場合には、
図示してないが別にスペーサなどを履かせてもよい。ま
た、図示してないが、基板１の方のボンディング用バン
プ2bを被着させることもできる。

【００２７】第二の光部品３を基板１に固定する支持部
材４は、収納部4aが第二の光部品３である光ファイバを
収納して支持するようになっている。また、支持部材４
の下端面は嵌合部4bになっており、基板１に設けられた
被嵌合部1bに嵌合するようになっている。こうして、基
板１に第一の光部品２が固着され、第二の光部品３が支
持部材４によって固定されれば、図１（Ｂ）に示したよ
うな光部品組立体７が組み立つ。

【００２８】図１において、被嵌合部1bは、深さが例え
ば10μｍの浅い溝になっている。従って、基板１の上に
ボンディング用パターン1aを形成する際にリフトオフ法
などの簡単なプロセスを用いることができる。その結
果、位置と形状の精度の高いボンディング用パターン1a
を形成することが容易となる。また、第一の光部品２と
第二の光部品３が載置される基板１の上は平らな台地1d
になっているので、第二の光部品３を第一の光部品２に
最近設することができる。その結果、第一の光部品２と
第二の光部品３の光結合効率を高めることができる。

【００２９】なお、基板１の表面の被嵌合部1bが浅い
と、基板１の方にボンディング用バンプ２ｂを形成する
場合にも容易に行うことができる。すなわち、図２の工
程において、第一の基板2cを基板１に置き換え、基板１
の上に下地電極22および低融点金属層23を形成する場合
に相当する。基板１の被嵌合部1bの凹凸が小さいので、
下地電極22や低融点金属層23の位置や形状の精度が容易
に向上する。

【００３０】基板１の被嵌合部1bに支持部材４の嵌合部
4bを固着するには、接着材による接着あるいは低融点は
んだによにろう接などを用いる。基板１や支持部材４が
直接ろう接できない材料からなる場合には、一旦メタラ
イズしてからろう接する。 〔実施例２〕図３は本発明の第二の実施例の斜視図であ
り、こゝでは、基板１と、第二の光部品３である光ファ
イバを支える支持部材４とにＳｉ部材を用い、被嵌合部
1bや収納部4a、嵌合部4bを異方性エッチングによって形
成する。

【００３１】すなわち、表面が(100) 面のＳｉ部材から
なる基板１をＫＯＨを用いて異方性エッチングし、少な
くとも一つの窪み1fを形成する、この窪み1fは、台地1d
と斜面1gでつながっており、斜面1dの部位が被嵌合部1b
となっている。

【００３２】第一の光部品２が固着される台地1dの一端
部近傍には、図示してないボンディング用パターンを設
けるが、斜面1gの段差を15μｍ以下に抑えればリフトオ
フプロセスが採用できるので、ボンディング用パターン
の位置精度を向上させることができる。

【００３３】光部品組立体７として組み立てるには、ま
ず、第一の光部品２を基板１にセルフアライメントで位
置決め精度よく固着する。次いで、第二の光部品３の光
ファイバを台地1dに載置し、収納部4aが逆Ｖ字型になる
ように支持部材４を第二の光部品３の上から被せるよう
にして嵌合部4bを被嵌合部1bに嵌め合わせ、第二の光部
品３を位置決め精度よく基板１に固定する。

【００３４】図２の説明で述べたように、第一の光部品
２の図示してないボンディング用バンプの体積を予め調
整しておけば、基板１の上に第二の光部品３を支持部材
４で固定すると、第一の光部品２の活性領域と第二の光
部品３の光ファイバの光軸は位置合わせ精度よく合致す
る。

【００３５】図４は基板と支持部材のいろいろな嵌め合
い形状例の断面斜視図である。図４（Ａ）は、基板１に
第二の光部品３である光ファイバを納める納置溝1hを設
けて１本の光ファイバを支持した例であり、納置溝1hの
深さによって第二の光部品３の光軸を上下方向に調整す
ることができる。

【００３６】従って、例えば、光軸を低くした場合に
は、図示してない第一の光部品を固着する球状のボンデ
ィング用バンプの直径を小さくすることができる。その
結果、第一の光部品を基板１に固着する際のバンプの体
積に起因する第一の光部品の高さ方向の位置精度を向上
させることができる。

【００３７】図４（Ｂ）は、支持される第二の光部品３
の光ファイバが１本の例、図４（Ｃ）は３本の例である
が、基板１に納置凹部1iを設けて光ファイバを載せる。
この場合にも光ファイバの光軸を上下方向に調整できる
ので、図４（Ａ）と同様の効果を得ることができる。

【００３８】また、図４（Ｃ）において、例えば、第二
の光部品３である光ファイバを 250μｍピッチで配列
し、図示してないが、その光ファイバに対応する半導体
レーザなどの第一の光部品を 251μｍピッチに配列す
る。そして光ファイバと第一の光部品の位置合わせ精度
を± 1.5μｍ以下にすると、３対のうちの１対の位置合
わせ精度を±0.5 μｍ以下に向上させることができる。
こうした第一の光部品と第二の光部品の配列ピッチを異
ならせて対をなす両者の位置合わせ精度を向上させる効
果は、第一の光部品と第二の光部品の対数が増えても成
り立つ。

【００３９】図５は基板と支持部材のろう接の一例の説
明図で、こゝでは、基板１に設けられた被嵌合部1bと支
持部材４に設けられた嵌合部4bが位置合わせのみに用い
られる例で、基板側ろう接部1eには窪み1fが設けられて
おり、支持部材側ろう接部4cは平面である。支持部材４
が直接はんだに濡れずろう接不可の材料からなる場合に
は、両ろう接部1e、4cとも、例えば一旦蒸着や無電解め
っきなどによってＣｒやＮｉなどをメタライズする。そ
して、例えばＳｎ／Ｐｂのような低融点金属６のボール
を窪み1fに嵌め込み、加熱して低融点金属６を溶かし、
被嵌合部1bと嵌合部4bを嵌め合わせてろう接する。 〔実施例３〕図６は光導波路部材を設けた光通信用端末
装置の分解斜視図で、２個の第一の光部品２と１個の第
二の光部品３をＹ字型の光導波路部材５で光結合した例
を示す。基板１には２個の第一の光部品２をセルフアラ
イメントによって位置決め精度よく固着する。光導波路
部材５は背面に光導波路ボンディング用パッド5aと光導
波路ボンディング用バンプ5bが設けられており、基板１
の上には導波路ボンディング用バンプ1cが設けられてい
る。そして、光導波路部材５は第一の光部品２と同様に
セルフアライメントによって位置決め精度よく基板１に
固着する。第二の光部品３の光ファイバは図４に示した
ように支持部材４によって基板１の上に固定する。

【００４０】光導波路部材５に関しては、本発明になる
基板１の表面が従来のような大きな凹凸がないことを活
かして基板１の上に直に形成することもできる。つま
り、例えば、厚みが57.5μｍの有機高分子製のドライフ
ィルムを基板１の上に熱圧着してアンダークラッドとす
る。次いで、例えば、感光性有機高分子を10μｍの厚み
になるようスピンコートしてからエッチングしコアパタ
ーンとする。次いで、例えば、厚みが20μｍの有機高分
子をオーバクラッドとして被着し、例えばＴｉ膜をマス
クに用い、酸素プラズマでアッシングして導波路端部を
形成することにより、モノリシックな光導波路部材を形
成することもできる。

【００４１】コアパターンは、例えばＴｉをマスクとし
て酸素プラズマでエッチングすることにより形成する。 〔実施例４〕図７は本発明を応用した光通信用端末装置
の組立工程を示す。まず、図１（Ａ）に示したように、
基板１のボンディング用パターン1aに第一の光部品２で
ある光半導体素子の背面に設けたボンディング用バンプ
2bを接触させ、加熱してセルフアライメントボンディン
グによって固着し、次いで、支持部材４を基板１に固着
させる。

【００４２】次いで、図７（Ｂ）に示したように、筺体
10a に基板１を収納し、入出力端子10b を接続する。次
いで、図７（Ｃ）に示したように、スリーブ10c が付さ
れた第二の光部品３である光ファイバをフランジ10d を
通したあと収納部4aに挿入し、スリーブ10cを筺体11a
に例えばレーザ溶接して筺体内を気密にできるようにす
る。

【００４３】次いで、図７（Ｄ）に示したように、蓋10
e を被せ、例えば抵抗溶接して気密封止する。こうして
光通信用端末装置10が組み上がる。このように、本発明
を用いると、基板１に支持部材４を搭載するだけでいわ
ばファイバコネクタ付きの光部品が形成できる。従っ
て、図７（Ｂ）に示した筺体10a に基板１を搭載する工
程を終了したあと支持部材４の挿入部4aに光ファイバを
挿入するだけで、第一の光部品２との位置合わせと光フ
ァイバの保持を行うことができる。こうして、光通信用
端末装置10の組立が簡便化できる。

【００４４】

【発明の効果】従来の光通信用端末装置では、光ファイ
バを基板に設けたＶ溝などによって位置決めしていたの
で、光半導体素子や光導波路などを固着するパターンを
精度よく形成することが困難であった。

【００４５】それに対して、本発明においては、光ファ
イバを基板に位置決めするに際して、基板表面に形成し
た浅い窪みあるいは低い台地からなる被嵌合部と、この
被嵌合部に嵌合する支持部材とを用いて基板に固定して
いる。

【００４６】その結果、基板表面の凹凸が小さくて済む
ので、光半導体素子や光導波路などを固着するためのボ
ンディング用パターンを精度よく形成することが容易と
なった。

【００４７】また、光半導体素子や光導波路、光ファイ
バなどのの光部品の上下・左右方向を精度よく位置合わ
せすることが容易となった。さらに、光ファイバが搭載
される面に溝を形成しなくてもよく、あるいは形成する
にしても溝を浅くすることができるので、光ファイバの
先端と他の光部品とを近設させることが容易となった。

【００４８】このように、光通信用端末装置における光
半導体素子と光ファイバの光結合効率を高めることが簡
易な工程で実現できるようになり、本発明は、光通信用
端末装置の低価格化と今後の大いなる普及に対して、寄
与するところが大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の実施例の斜視図で、同図
（Ａ）は分解斜視図、同図（Ｂ）は組立図である。

【図２】 本発明になる所定の体積のバンプを形成する
工程図である。

【図３】 本発明の第二の実施例の斜視図である。

【図４】 基板と支持部材のいろいろな嵌め合い形状例
の断面斜視図である。

【図５】 基板と支持部材のろう接の一例の説明図であ
る。

【図６】 光導波路部材を設けた光通信用端末装置の分
解斜視図である。

【図７】 本発明を応用した光通信用端末装置の組立工
程である。

【図８】 光半導体素子と光ファイバの位置合わせ方法
の従来例である。

【符号の説明】

１ 基板 1a ボンディング
用パターン 1b 被嵌合部 1c 光導波路ボン
ディング用パターン 1d 台地 1e 基板側ろう接
部 1f 窪み 1g 斜面 1h 納置溝 1i 納置凹部 ２ 第一の光部品 2a ボンディング
用パッド 2b ボンディング用バンプ 2c 第一の基板 ３ 第二の光部品 ４ 支持部材 4a 収納部 4b 嵌合部 4c 支持部材側ろ
う接部 ５ 光導波路部材 5a 光導波路ボン
ディング用パッド 5b 光導波路ボンディング用バンプ ６ 低融点金属 ７ 光部品組立体 10 光通信用端末装置 10a 筺体 10b 入出力用端子 10c スリーブ 10d フランジ 10e 蓋 20 基板 21 ＳｉＯ₂ 膜 22 下地電極 23 低融点金属層 24 レジストパターン

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、第一の光部品と、第二の光部品
   と、支持部材とを有し、 前記基板は、少なくとも一端部の近傍に複数のボンディ
   ング用パターンと、該一端部と他端部との間に少なくと
   も一つの被嵌合部とを有するものであり、 前記第一の光部品は、少なくとも一つの光半導体素子で
   あって、背面に設けられたボンディング用パッドが前記
   ボンディング用パターンに位置合わせされて固着される
   ものであり、 前記第二の光部品は、少なくとも一つの光ファイバであ
   り、 前記支持部材は、前記第二の光部品を収納して前記基板
   上に支持させる少なくとも一つの収納部と、該収納部を
   挟む両側に前記被嵌合部と嵌め合う嵌合部とを有するも
   のであることを特徴とする光通信用端末装置。
2. 【請求項２】 前記被嵌合部は、溝状凹部からなり、 前記嵌合部は、前記溝状凹部と嵌め合う凸部からなる請
   求項１記載の光通信用端末装置。
3. 【請求項３】 前記被嵌合部は、少なくとも一つの側壁
   が斜面をなす窪みからなり、 前記嵌合部は、前記被嵌合部の斜面と衝合する逆向き斜
   面からなる請求項１記載の光通信用端末装置。
4. 【請求項４】 前記基板が、シリコンからなり、 前記被嵌合部が、前記シリコンを異方性エッチングする
   ことによって形成された(111) 面からなる請求項１、２
   または３記載の光通信用端末装置。
5. 【請求項５】 前記支持部材は、収納部が方形の断面形
   状をなす溝からなる請求項１または２記載の光通信用端
   末装置。
6. 【請求項６】 前記ボンディング用パターンと前記ボン
   ディング用パッドとは、低融点金属に対して濡れ性を有
   するものである請求項１記載の光通信用端末装置。
7. 【請求項７】 前記基板と前記第一の光部品とは、ボン
   ディング用パターンとボンディング用パッドの間に低融
   点金属のボンディング用バンプを介して、該第一の光部
   品の自重のみの印加の下で、該ボンディング用バンプが
   加熱溶融されたあと冷却固化されるセルフアライメント
   型ボンディングによって固着される請求項１または６記
   載の光通信用端末装置。
8. 【請求項８】 光導波路部材を有し、 前記光導波路部材は、背面に導波路ボンディング用パッ
   ドを有し、かつ該光導波路ボンディング用パッドが、前
   記第一の光部品と第二の光部品とが相互に光結合するよ
   うに、前記基板に設けられた該光導波路ボンディング用
   パターンに固着されるものである請求項１記載の光通信
   用端末装置。
9. 【請求項９】 前記光導波路ボンディング用パッドと前
   記光導波路ボンディングパターンとは、低融点金属に対
   して濡れ性を有するものであり、 前記光導波路部材は、該光導波路部材の自重のみの印加
   の下で、前記セルフアライメント型ボンディングによっ
   て前記基板に固着される請求項１または７記載の光通信
   用端末装置。
10. 【請求項10】 前記ボンディング用バンプを形成するに
    際して、 前記第一の光部品または前記光導波路部材の背面にボン
    ディング用パッドを形成する工程と、 次いで、前記ボンディング用パッドを被って低融点金属
    層を形成し、次いで、低融点金属層の厚みを計測する工
    程と、 次いで、前記低融点金属層を介し、セルフアライメント
    型ボンディングによって、前記ボンディング用パターン
    または前記光導波路ボンディング用パターン上のそれぞ
    れに、前記第一の光部品または光導波路部材をボンディ
    ングした際に予定した高さになる体積と等しくなるよう
    に、該低融点金属層を介して該ボンディング用パターン
    または光導波路ボンディング用パターン上にレジスト膜
    からなるパターンを形成する工程と、 次いで、前記レジスト膜からなるパターンをマスクとし
    て前記低融点金属層をエッチングする工程と、 次いで、前記レジスト膜を剥離する工程とを含むことを
    特徴とする光通信用端末装置の製造方法。