JPH0824551A - フィルタ装置 - Google Patents
フィルタ装置Info
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- JPH0824551A JPH0824551A JP6161362A JP16136294A JPH0824551A JP H0824551 A JPH0824551 A JP H0824551A JP 6161362 A JP6161362 A JP 6161362A JP 16136294 A JP16136294 A JP 16136294A JP H0824551 A JPH0824551 A JP H0824551A
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- Japan
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- filter
- chemical
- air
- outside air
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- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス状の汚染物質や有機系化合物が清浄環境
内に侵入することにより発生する各種不都合を防止す
る。 【構成】 有機物除去用フィルタ(12)と、ケミカル
フィルタ(14)と、パーティクルフィルタ(16)と
を積層して構成しており、ケミカルフィルタ(14)は
濾材がイオン交換体で構成されており、有機物除去用フ
ィルタ(12)はケミカルフィルタ(14)よりも外気
又は吸気(O)側に配置され、パーティクルフィルタ
(16)はケミカルフィルタ(14)よりも清浄環境
(CR)側に配置して構成する。
内に侵入することにより発生する各種不都合を防止す
る。 【構成】 有機物除去用フィルタ(12)と、ケミカル
フィルタ(14)と、パーティクルフィルタ(16)と
を積層して構成しており、ケミカルフィルタ(14)は
濾材がイオン交換体で構成されており、有機物除去用フ
ィルタ(12)はケミカルフィルタ(14)よりも外気
又は吸気(O)側に配置され、パーティクルフィルタ
(16)はケミカルフィルタ(14)よりも清浄環境
(CR)側に配置して構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等を製造す
るクリーンルームの内部空間や、その内部に配置される
露光装置(所謂「ステッパ」)等の各種半導体製造設備
の内部空間の様な清浄環境に外気を導入する際に、或い
は清浄環境中の空気を循環清浄する際に使用されるフィ
ルタ装置に関する。
るクリーンルームの内部空間や、その内部に配置される
露光装置(所謂「ステッパ」)等の各種半導体製造設備
の内部空間の様な清浄環境に外気を導入する際に、或い
は清浄環境中の空気を循環清浄する際に使用されるフィ
ルタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】クリーンルーム等の半導体製造設備にお
いては、その内部空間(作業空間)内に粒子その他の汚
染源となり得る物質(汚染物質)が存在すると、製品
(半導体素子等)に不良が生じる。そして、前記内部空
間(清浄環境)から汚染物質が除去出来るか否かは、半
導体製品の「歩留まり」に大きな影響を及ぼすことも良
く知られている。
いては、その内部空間(作業空間)内に粒子その他の汚
染源となり得る物質(汚染物質)が存在すると、製品
(半導体素子等)に不良が生じる。そして、前記内部空
間(清浄環境)から汚染物質が除去出来るか否かは、半
導体製品の「歩留まり」に大きな影響を及ぼすことも良
く知られている。
【0003】ここで、前記清浄環境に汚染物質が侵入す
る経路として、換気等のため、外気が清浄環境内へ供給
される際に、外気と共に汚染物質が清浄環境内に導入さ
れてしまう事がある。また、半導体製造工程中のある工
程で使用される薬品等が清浄環境内に放出されると、他
の工程にとっては深刻な不純物となることもある。それ
等を阻止するため、外気を清浄環境中に導入する吸気系
に介装されるフィルタ装置、又は清浄環境中の空気を循
環清浄するフィルタ装置については、従来より種々の提
案(特開平2−126912号公報、特開平2−108
712号公報、特開平4−126513号公報)が為さ
れている。
る経路として、換気等のため、外気が清浄環境内へ供給
される際に、外気と共に汚染物質が清浄環境内に導入さ
れてしまう事がある。また、半導体製造工程中のある工
程で使用される薬品等が清浄環境内に放出されると、他
の工程にとっては深刻な不純物となることもある。それ
等を阻止するため、外気を清浄環境中に導入する吸気系
に介装されるフィルタ装置、又は清浄環境中の空気を循
環清浄するフィルタ装置については、従来より種々の提
案(特開平2−126912号公報、特開平2−108
712号公報、特開平4−126513号公報)が為さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】例えば、化学的不純物
或いは不純物蒸気がクリーンルーム内に配置されたステ
ッパ内部に侵入した場合には、該不純物蒸気が光源付近
で化学反応を起こしてその他の化学物質となり、該その
他の化学物質がレンズその他の光学系の部品に付着して
しまうので、フォトマスク上の微細パターンをウエハ全
面へ正確に露光することが全く不可能となる。そのた
め、「歩留り」が非常に悪化してしまう。
或いは不純物蒸気がクリーンルーム内に配置されたステ
ッパ内部に侵入した場合には、該不純物蒸気が光源付近
で化学反応を起こしてその他の化学物質となり、該その
他の化学物質がレンズその他の光学系の部品に付着して
しまうので、フォトマスク上の微細パターンをウエハ全
面へ正確に露光することが全く不可能となる。そのた
め、「歩留り」が非常に悪化してしまう。
【0005】また、半導体ウエハに塗布されたレジスタ
が化学増幅型レジスト、すなわち、露光されると酸を放
出し該酸が触媒となってレジストが変化(硬化又は分
解)するタイプのレジストである場合に、不純物蒸気、
特にアミン、アンモニア等の塩基性物質、がステッパ内
に侵入すると、発生した酸は塩基性の不純物蒸気により
中和されてしまい、触媒として機能しなくなってしま
う。すなわち、特にアミン、アンモニア等の蒸気状の塩
基性物質がステッパ内に侵入すると、化学増幅型レジス
トを用いる意味が無くなってしまう。
が化学増幅型レジスト、すなわち、露光されると酸を放
出し該酸が触媒となってレジストが変化(硬化又は分
解)するタイプのレジストである場合に、不純物蒸気、
特にアミン、アンモニア等の塩基性物質、がステッパ内
に侵入すると、発生した酸は塩基性の不純物蒸気により
中和されてしまい、触媒として機能しなくなってしま
う。すなわち、特にアミン、アンモニア等の蒸気状の塩
基性物質がステッパ内に侵入すると、化学増幅型レジス
トを用いる意味が無くなってしまう。
【0006】従来技術(特開平2−126912号公
報、特開平2−108712号公報、特開平4−126
513号公報等)では、空気清浄フィルタ(物理的な粒
子除去フィルタ)と吸着フィルタ(活性炭、ゼオライ
ト、モレキュラシーブ、金属酸化物等)を組み合わせて
行う空気清浄装置やその様な空気清浄装置を用いたクリ
ーンルームについての記述はあるが、除去すべき成分の
構成、またその多様性に関する記述は無い。
報、特開平2−108712号公報、特開平4−126
513号公報等)では、空気清浄フィルタ(物理的な粒
子除去フィルタ)と吸着フィルタ(活性炭、ゼオライ
ト、モレキュラシーブ、金属酸化物等)を組み合わせて
行う空気清浄装置やその様な空気清浄装置を用いたクリ
ーンルームについての記述はあるが、除去すべき成分の
構成、またその多様性に関する記述は無い。
【0007】クリーンルーム内のガス状の不純物の構成
は極めて複雑で多岐に及び、前記従来技術等に記載のあ
る様な、一段の吸着フィルタだけで顕著な効果をあげる
ことは難しい。特に、イオン交換体によって効果的に吸
着されるイオン性成分と、活性炭、合成吸着剤等で非常
に効果的に吸着される有機物成分とを、一種類の吸着剤
で効果的に除去するものは、未だに開発されていない。
は極めて複雑で多岐に及び、前記従来技術等に記載のあ
る様な、一段の吸着フィルタだけで顕著な効果をあげる
ことは難しい。特に、イオン交換体によって効果的に吸
着されるイオン性成分と、活性炭、合成吸着剤等で非常
に効果的に吸着される有機物成分とを、一種類の吸着剤
で効果的に除去するものは、未だに開発されていない。
【0008】本発明は上述した様な従来技術の問題点に
鑑みて提案されたもので、非常に多岐にわたるクリーン
ルーム内の不純物成分の中で、イオン交換体によって効
果的に吸着されるイオン性成分と、活性炭、合成吸着剤
等で非常に効果的に吸着される有機物成分とを同時に除
去することで、各々単独にしか除去し得ない場合に比較
して飛躍的に高い効果を得られる様なフィルタ装置を提
供することを目的としている。
鑑みて提案されたもので、非常に多岐にわたるクリーン
ルーム内の不純物成分の中で、イオン交換体によって効
果的に吸着されるイオン性成分と、活性炭、合成吸着剤
等で非常に効果的に吸着される有機物成分とを同時に除
去することで、各々単独にしか除去し得ない場合に比較
して飛躍的に高い効果を得られる様なフィルタ装置を提
供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルタ装置
は、外気を清浄環境中に導入する吸気系又は清浄環境中
の空気を循環清浄する系に介装されるフィルタ装置にお
いて、有機物除去用フィルタと、ケミカルフィルタと、
パーティクルフィルタとを積層して構成しており、その
ケミカルフィルタは濾材がイオン交換体で構成されてお
り、有機物除去用フィルタは該ケミカルフィルタの吸気
側(又は外気側)に配置され且つパーティクルフィルタ
は該ケミカルフィルタの清浄環境側に配置されているこ
とを特徴としている。
は、外気を清浄環境中に導入する吸気系又は清浄環境中
の空気を循環清浄する系に介装されるフィルタ装置にお
いて、有機物除去用フィルタと、ケミカルフィルタと、
パーティクルフィルタとを積層して構成しており、その
ケミカルフィルタは濾材がイオン交換体で構成されてお
り、有機物除去用フィルタは該ケミカルフィルタの吸気
側(又は外気側)に配置され且つパーティクルフィルタ
は該ケミカルフィルタの清浄環境側に配置されているこ
とを特徴としている。
【0010】本発明の実施に際して、濾材をイオン交換
体で構成したケミカルフィルタは、例えばグラフト重合
反応で製造され、官能基がイオン交換基であるイオン交
換樹脂を繊維状にして且つ不織布形状としたものである
のが好ましい。
体で構成したケミカルフィルタは、例えばグラフト重合
反応で製造され、官能基がイオン交換基であるイオン交
換樹脂を繊維状にして且つ不織布形状としたものである
のが好ましい。
【0011】また、前記ケミカルフィルタとしては商品
名「EPIXフィルタ」(株式会社荏原製作所製)とし
て市販されているものが好適であり、パーティクルフィ
ルタとしては例えばHEPAフィルタを用いるのが好ま
しい。さらに、有機物除去用フィルタとしては、合成吸
着材を用いたタイプのフィルタが好ましい。
名「EPIXフィルタ」(株式会社荏原製作所製)とし
て市販されているものが好適であり、パーティクルフィ
ルタとしては例えばHEPAフィルタを用いるのが好ま
しい。さらに、有機物除去用フィルタとしては、合成吸
着材を用いたタイプのフィルタが好ましい。
【0012】
【作用】上記した様な構成を具備する本発明のフィルタ
装置によれば、濾材がイオン交換体で構成されているケ
ミカルフィルタが吸気系に介装されており、該ケミカル
フィルタは中性能程度の濾過機能に加えて、官能基によ
るイオン交換吸着が行われ、不純物の化学的な除去が為
される。そして、気相状態の化学的不純物(不純物蒸
気)が吸気系を通過する際に、ケミカルフィルタのイオ
ン交換吸着により当該不純物が吸着されて除去され、ク
リーンルーム内部空間の様な清浄環境内には侵入しな
い。これにより、気相状態の化学的不純物が光学系の部
品に付着して製品の歩留りを悪化させたり、或いは酸素
と化学反応を起こすという不都合は完全に防止される。
装置によれば、濾材がイオン交換体で構成されているケ
ミカルフィルタが吸気系に介装されており、該ケミカル
フィルタは中性能程度の濾過機能に加えて、官能基によ
るイオン交換吸着が行われ、不純物の化学的な除去が為
される。そして、気相状態の化学的不純物(不純物蒸
気)が吸気系を通過する際に、ケミカルフィルタのイオ
ン交換吸着により当該不純物が吸着されて除去され、ク
リーンルーム内部空間の様な清浄環境内には侵入しな
い。これにより、気相状態の化学的不純物が光学系の部
品に付着して製品の歩留りを悪化させたり、或いは酸素
と化学反応を起こすという不都合は完全に防止される。
【0013】ここで、ケミカルフィルタからは微細粒子
(パーティクル)が発生する可能性があるが、これがス
テッパ内に侵入すると半導体製品の歩留り悪化の原因と
なる。そのため、本発明では、吸気系のケミカルフィル
タの下流側にパーティクルフィルタを配置し、ケミカル
フィルタから発生する可能性があるパーティクルを捕獲
せしめている。これにより、ケミカルフィルタから発生
する可能性があるパーティクルが原因となって露光の精
度が劣化し、半導体製品の歩留りが低下する恐れが防止
されるのである。
(パーティクル)が発生する可能性があるが、これがス
テッパ内に侵入すると半導体製品の歩留り悪化の原因と
なる。そのため、本発明では、吸気系のケミカルフィル
タの下流側にパーティクルフィルタを配置し、ケミカル
フィルタから発生する可能性があるパーティクルを捕獲
せしめている。これにより、ケミカルフィルタから発生
する可能性があるパーティクルが原因となって露光の精
度が劣化し、半導体製品の歩留りが低下する恐れが防止
されるのである。
【0014】さらに、本発明によれば有機物除去用フィ
ルタが吸気系に介装されているので、空気に含まれる有
機ケイ素化合物等の有機系化合物(有機系不純物)も除
去される。
ルタが吸気系に介装されているので、空気に含まれる有
機ケイ素化合物等の有機系化合物(有機系不純物)も除
去される。
【0015】その結果、本発明のフィルタ装置によれ
ば、有機系不純物、ガス状汚染物質、粒子状汚染物質が
効率的に除去され、半導体製造設備に適用した場合には
製品の歩留りが飛躍的に向上するのである。
ば、有機系不純物、ガス状汚染物質、粒子状汚染物質が
効率的に除去され、半導体製造設備に適用した場合には
製品の歩留りが飛躍的に向上するのである。
【0016】これに加えて、クリーンルーム内の不純物
成分の中で、イオン交換体によって効果的に吸着される
イオン性成分と、活性炭、合成吸着剤等で非常に効果的
に吸着される有機物成分とは、単独に生産される半導体
に対して影響を与えるのみならず、不純物物成分同士が
反応して除去することがより一層困難な不純物成分や、
汚染の影響がより大きい不純物成分を生成することがあ
る。しかし、本発明では除去機能の異なる吸着フィルタ
を複数用いているので、この様な複合汚染物質の生成を
効果的に防止することが出来、半導体製造プロセスにお
ける歩留りの向上に、大きな影響(良好な影響)を及ぼ
すことが出来るのである。
成分の中で、イオン交換体によって効果的に吸着される
イオン性成分と、活性炭、合成吸着剤等で非常に効果的
に吸着される有機物成分とは、単独に生産される半導体
に対して影響を与えるのみならず、不純物物成分同士が
反応して除去することがより一層困難な不純物成分や、
汚染の影響がより大きい不純物成分を生成することがあ
る。しかし、本発明では除去機能の異なる吸着フィルタ
を複数用いているので、この様な複合汚染物質の生成を
効果的に防止することが出来、半導体製造プロセスにお
ける歩留りの向上に、大きな影響(良好な影響)を及ぼ
すことが出来るのである。
【0017】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【0018】図1において、清浄環境として、例えばク
リームルームCRが図示されている。このクリーンルー
ムCRは吸気系Iを介して外気Oを導入している。そし
て、排気は排気系Eを介して行われる。ここで、空気の
循環は循環系Rと循環用ファンRFとを介して行われ
る。
リームルームCRが図示されている。このクリーンルー
ムCRは吸気系Iを介して外気Oを導入している。そし
て、排気は排気系Eを介して行われる。ここで、空気の
循環は循環系Rと循環用ファンRFとを介して行われ
る。
【0019】クリーンルームCR内に外気Oを導入する
に際して、空気取入口8を介してファンFにより吸引さ
れた外気Oは、そのままの状態では各種不純物或いは汚
染物質(有機系不純物、ガス状汚染物質、粒子汚染物
質:以下、「不純物」という)を含有している。そのた
め、外気処理装置OAH内に設置された本発明のフィル
タ装置10により、当該不純物を除去するのである。な
お、図1において符号Hはクリーンルーム内部CRIに
設けられた複数のHEPAフィルタ、符号Gはグレーチ
ング床を示している。
に際して、空気取入口8を介してファンFにより吸引さ
れた外気Oは、そのままの状態では各種不純物或いは汚
染物質(有機系不純物、ガス状汚染物質、粒子汚染物
質:以下、「不純物」という)を含有している。そのた
め、外気処理装置OAH内に設置された本発明のフィル
タ装置10により、当該不純物を除去するのである。な
お、図1において符号Hはクリーンルーム内部CRIに
設けられた複数のHEPAフィルタ、符号Gはグレーチ
ング床を示している。
【0020】図2においても、清浄環境としてクリーム
ルームCRが示されている。このクリーンルームCRに
おいても、吸気系Iを介して外気Oを導入しており、排
気系Eを介して排気が行われる。そして、循環系Rと循
環用ファンRFとを介して空気の循環が行われる。この
実施例においても外気Oに含有される不純物を除去する
ため本発明のフィルタ装置10を設けているが、図1の
場合とは異なり、図2においてフィルタ装置10はクリ
ーンルームCR内に設けられている。
ルームCRが示されている。このクリーンルームCRに
おいても、吸気系Iを介して外気Oを導入しており、排
気系Eを介して排気が行われる。そして、循環系Rと循
環用ファンRFとを介して空気の循環が行われる。この
実施例においても外気Oに含有される不純物を除去する
ため本発明のフィルタ装置10を設けているが、図1の
場合とは異なり、図2においてフィルタ装置10はクリ
ーンルームCR内に設けられている。
【0021】図3において、清浄環境としてクリームル
ームCRが示されている点、吸気系Iを介して外気Oを
導入している点、排気系Eを介して排気が行われる点、
外気Oに含有される不純物を除去するため本発明のフィ
ルタ装置10を用いる点は、図1、図2の実施例と同様
である。但し、この実施例において、本発明のフィルタ
装置10は外気処理装置OAH内に設置されると共に、
クリーンルームCR内にも設けられている。すなわち、
図3の実施例においては、外気Oに含有される不純物は
外気処理装置OAH及びクリーンルーム内部CRIの双
方に設けられた本発明のフィルタ装置により除去される
のである。
ームCRが示されている点、吸気系Iを介して外気Oを
導入している点、排気系Eを介して排気が行われる点、
外気Oに含有される不純物を除去するため本発明のフィ
ルタ装置10を用いる点は、図1、図2の実施例と同様
である。但し、この実施例において、本発明のフィルタ
装置10は外気処理装置OAH内に設置されると共に、
クリーンルームCR内にも設けられている。すなわち、
図3の実施例においては、外気Oに含有される不純物は
外気処理装置OAH及びクリーンルーム内部CRIの双
方に設けられた本発明のフィルタ装置により除去される
のである。
【0022】図4は、本発明のフィルタ装置10の構造
を示している。このフィルタ装置10は、有機物除去用
フィルタ12と、ケミカルフィルタ14と、パーティク
ルフィルタ16とを積層した積層構造として構成され
る。そして、有機物除去用フィルタ12はケミカルフィ
ルタ14よりも吸気側すなわち外気O側(図4において
右側)に配置されており、パーティクルフィルタ16は
ケミカルフィルタ14よりもクリーンルームCR側(清
浄環境側:図4では左側)に配置されている。
を示している。このフィルタ装置10は、有機物除去用
フィルタ12と、ケミカルフィルタ14と、パーティク
ルフィルタ16とを積層した積層構造として構成され
る。そして、有機物除去用フィルタ12はケミカルフィ
ルタ14よりも吸気側すなわち外気O側(図4において
右側)に配置されており、パーティクルフィルタ16は
ケミカルフィルタ14よりもクリーンルームCR側(清
浄環境側:図4では左側)に配置されている。
【0023】ここで、前述した様に、ケミカルフィルタ
14は濾材がイオン交換体で構成されており、そのイオ
ン交換体は例えばグラフト重合反応で製造され、官能基
がイオン交換基であるイオン交換樹脂を繊維状にして且
つ不織布形状としたものである。なお、図示の実施例に
おいては、ケミカルフィルタ14として、株式会社荏原
製作所より商品名「EPIXフィルタ」として市販され
ているものが採用されている。また、パーティクルフィ
ルタ16としてはHEPAフィルタ又はULPAフィル
タ等が用いられている。
14は濾材がイオン交換体で構成されており、そのイオ
ン交換体は例えばグラフト重合反応で製造され、官能基
がイオン交換基であるイオン交換樹脂を繊維状にして且
つ不織布形状としたものである。なお、図示の実施例に
おいては、ケミカルフィルタ14として、株式会社荏原
製作所より商品名「EPIXフィルタ」として市販され
ているものが採用されている。また、パーティクルフィ
ルタ16としてはHEPAフィルタ又はULPAフィル
タ等が用いられている。
【0024】有機物除去用フィルタ12は、有機ケイ素
化合物の様な有機系化合物を除去する機能を有してお
り、活性炭や合成吸着材等の様に、吸着作用を奏する材
料で構成されている。そして、フィルタ装置10におい
て最も外気Oに近い側に位置している。すなわち、空気
取入口8、吸い込みファンFを介して吸気系Iを通過す
る外気Oが含有する不純物の内、有機系化合物は、この
有機物除去用フィルタ12により、最初に除去されるの
である。
化合物の様な有機系化合物を除去する機能を有してお
り、活性炭や合成吸着材等の様に、吸着作用を奏する材
料で構成されている。そして、フィルタ装置10におい
て最も外気Oに近い側に位置している。すなわち、空気
取入口8、吸い込みファンFを介して吸気系Iを通過す
る外気Oが含有する不純物の内、有機系化合物は、この
有機物除去用フィルタ12により、最初に除去されるの
である。
【0025】有機物除去用フィルタ12で濾過された吸
気は、次にケミカルフィルタ14を通過する。このケミ
カルフィルタ14は、中性能程度の濾過機能と、官能基
のイオン交換吸着による化学的な除去機能とを併せ持
つ。従って、有機物除去用フィルタ12で除去出来なか
った不純物の内、ガス状汚染物質はケミカルフィルタ1
4により除去されるのである。
気は、次にケミカルフィルタ14を通過する。このケミ
カルフィルタ14は、中性能程度の濾過機能と、官能基
のイオン交換吸着による化学的な除去機能とを併せ持
つ。従って、有機物除去用フィルタ12で除去出来なか
った不純物の内、ガス状汚染物質はケミカルフィルタ1
4により除去されるのである。
【0026】ここで、ケミカルフィルタ14は微細粒子
を発生する可能性があることが知られている。しかし、
ケミカルフィルタ14を通過した吸気はパーティクルフ
ィルタ16で濾過され、このパーティクルフィルタ1
6、例えばHEPAフィルタは、ケミカルフィルタ14
で捕獲し切れなかった微細粒子及びケミカルフィルタ1
4から発生した微細粒子を除去する。
を発生する可能性があることが知られている。しかし、
ケミカルフィルタ14を通過した吸気はパーティクルフ
ィルタ16で濾過され、このパーティクルフィルタ1
6、例えばHEPAフィルタは、ケミカルフィルタ14
で捕獲し切れなかった微細粒子及びケミカルフィルタ1
4から発生した微細粒子を除去する。
【0027】その結果、クリーンルームCRに導入され
る吸気(複数の矢印Aで示される)は、微細粒子を含ま
ず、ガス状汚染物質も含有せず、しかも有機系化合物も
含んでいない、極めて清浄な気体となる。そして、微細
粒子の付着による歩留りの悪化が防止されると共に、化
学的不純物や有機系化合物が反応して別の物質となり、
当該別の物質がクリーンルーム内の各種機器(レンズ、
ミラー、その他の光学機器、フィルタ、その他)に付着
して悪影響を及ぼすことが防止される。
る吸気(複数の矢印Aで示される)は、微細粒子を含ま
ず、ガス状汚染物質も含有せず、しかも有機系化合物も
含んでいない、極めて清浄な気体となる。そして、微細
粒子の付着による歩留りの悪化が防止されると共に、化
学的不純物や有機系化合物が反応して別の物質となり、
当該別の物質がクリーンルーム内の各種機器(レンズ、
ミラー、その他の光学機器、フィルタ、その他)に付着
して悪影響を及ぼすことが防止される。
【0028】なお、図示の実施例はあくまでも例示であ
り、本発明の技術的範囲を限定する趣旨のものではない
ことを付記する。例えば、図示の実施例ではクリーンル
ームへの給気のみが述べられているが、本発明のフィル
タ装置は、各種精密機器、光学機器等、微細粒子、化学
的不純物、有機系化合物による悪影響が懸念される環境
への空気導入に関して幅広く適用可能である。
り、本発明の技術的範囲を限定する趣旨のものではない
ことを付記する。例えば、図示の実施例ではクリーンル
ームへの給気のみが述べられているが、本発明のフィル
タ装置は、各種精密機器、光学機器等、微細粒子、化学
的不純物、有機系化合物による悪影響が懸念される環境
への空気導入に関して幅広く適用可能である。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
清浄環境に導入される外気又は清浄環境中の空気を循環
清浄する系内の空気に含有されている有機系化合物は、
有機物除去用フィルタで除去され、ガス状汚染物質はケ
ミカルフィルタのイオン交換吸着により除去され、外気
又は吸気に含有されている微細粒子及びケミカルフィル
タから発生する可能性がある微細粒子は、パーティクル
フィルタにより捕獲される。その結果、清浄環境に導入
される気体は、有機系化合物、ガス状汚染物質、微細粒
子は含有されない極めて清浄なものとなる。
清浄環境に導入される外気又は清浄環境中の空気を循環
清浄する系内の空気に含有されている有機系化合物は、
有機物除去用フィルタで除去され、ガス状汚染物質はケ
ミカルフィルタのイオン交換吸着により除去され、外気
又は吸気に含有されている微細粒子及びケミカルフィル
タから発生する可能性がある微細粒子は、パーティクル
フィルタにより捕獲される。その結果、清浄環境に導入
される気体は、有機系化合物、ガス状汚染物質、微細粒
子は含有されない極めて清浄なものとなる。
【0030】また、3種類のフィルタを積層して構成し
ているので、別種のフィルタを吸気系の異なる位置にそ
れぞれ配置する場合に比較して、介装が容易であり、交
換、清掃等の各種作業に費やされる労力が軽減される。
ているので、別種のフィルタを吸気系の異なる位置にそ
れぞれ配置する場合に比較して、介装が容易であり、交
換、清掃等の各種作業に費やされる労力が軽減される。
【図1】本発明の1実施例を示すブロック図。
【図2】本発明の他の実施例を示すブロック図。
【図3】本発明のさらに別の実施例を示すブロック図。
【図4】本発明のフィルタ装置の構造を示す部分拡大断
面図。
面図。
CR・・・クリーンルーム I・・・吸気系 O・・・外気 E・・・排気系 R・・・循環系 G・・・グレーチング床 H・・・HEPAフィルタユニット RF・・・循環用ファン OAH・・・外気処理装置 8・・・空気取入口 F・・・ファン 10・・・フィルタ装置 12・・・有機物除去用フィルタ 14・・・ケミカルフィルタ 16・・・パーティクルフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 誠 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内
Claims (1)
- 【請求項1】 有機物除去用フィルタと、ケミカルフィ
ルタと、パーティクルフィルタとを積層して構成してお
り、ケミカルフィルタは濾材がイオン交換体で構成され
ており、有機物除去用フィルタはケミカルフィルタより
も吸気側に配置され、パーティクルフィルタはケミカル
フィルタよりも清浄環境側に配置されていることを特徴
とするフィルタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6161362A JPH0824551A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | フィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6161362A JPH0824551A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | フィルタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0824551A true JPH0824551A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15733651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6161362A Pending JPH0824551A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | フィルタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0824551A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6171932B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and production method thereof |
US6784494B2 (en) | 2000-12-18 | 2004-08-31 | Shin-Etsu Handotai, Co., Ltd. | Production method for SOI wafer and SOI wafer |
JP2014199156A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 日本無機株式会社 | 換気システム用エアフィルタユニット |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP6161362A patent/JPH0824551A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6171932B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and production method thereof |
US6472711B1 (en) | 1998-07-23 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and production method thereof |
US6784494B2 (en) | 2000-12-18 | 2004-08-31 | Shin-Etsu Handotai, Co., Ltd. | Production method for SOI wafer and SOI wafer |
JP2014199156A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 日本無機株式会社 | 換気システム用エアフィルタユニット |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040512 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |