JPH08241917A - Vacuum treatment method and device of substrate - Google Patents

Vacuum treatment method and device of substrate

Info

Publication number
JPH08241917A
JPH08241917A JP32566295A JP32566295A JPH08241917A JP H08241917 A JPH08241917 A JP H08241917A JP 32566295 A JP32566295 A JP 32566295A JP 32566295 A JP32566295 A JP 32566295A JP H08241917 A JPH08241917 A JP H08241917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
vacuum
space
vacuum processing
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32566295A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2695402B2 (en
Inventor
Yutaka Kakehi
豊 掛樋
Norio Nakazato
則男 仲里
Yoshimasa Fukushima
喜正 福島
Fumio Shibata
史雄 柴田
Tsunehiko Tsubone
恒彦 坪根
Norio Kanai
謙雄 金井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7325662A priority Critical patent/JP2695402B2/en
Publication of JPH08241917A publication Critical patent/JPH08241917A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2695402B2 publication Critical patent/JP2695402B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE: To improve yield in the treatment process of a substrate and hence throughput by taking out one substrate from a cassette and carrying it into a space which is subjected to vacuum exhaust and aligning the orientation flat of the carried substrate at the space which is subjected to vacuum exhaust. CONSTITUTION: One substrate 30 is taken out of substrate cassettes 70 and 71 and is carried into a vacuum reserve 60 which is subjected to vacuum exhaust. The orientation flat of the substrate which is carried in is aligned in the vacuum reserve room 60 which is subjected to vacuum exhaust. Then, the substrate 30 where the orientation flat is aligned is carried into a vacuum treatment room 20 which is connected in vacuum state from the vacuum reserve room 60. The substrate 30 which is carried in is treated one by one in the vacuum treatment room 20. Then, the treated substrate 30 is collected in cassettes 70 and 71. Since the orientation flat of the substrate 30 is aligned in the vacuum spare room 6 which is subjected to vacuum exhaust, the deposition and adhesion of dust/dirt onto the treatment surface of the substrate 30, thus improving yield when manufacturing a semiconductor.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の利用分野】本発明はエッチング装置,プラズマ
CVD装置,スパッタ装置等の半導体製造工程における
真空処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus in a semiconductor manufacturing process such as an etching apparatus, a plasma CVD apparatus and a sputtering apparatus.

【0002】[0002]

【発明の背景】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても1μmパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
(時間あたりの基板処理枚数)を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。
BACKGROUND OF THE INVENTION Recent progress in semiconductor manufacturing process technology has been remarkable, and a model for processing a 1 .mu.m pattern has appeared in a dry etching apparatus as well, and has attracted attention. As such miniaturization progresses, the size of substrates increases, and accordingly the throughput per unit floor area of semiconductor manufacturing equipment (the number of substrates processed per hour) is improved and the diversification of manufacturing process technology is responded to. Is a big issue.

【0003】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭57−128928号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。また、実開昭57−394
30号公報に開示されているようないくつかの真空処理
室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的
に処理されるようなタイプでは真空処理室数が固定さ
れ、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を変更したりする自由度がなく、使用しづらいという問
題点を有している。
In order to solve such a demand, it is necessary to downsize the apparatus and perform multipurpose processing by using a plurality of vacuum processing chambers. Moreover, vacuum processing is required in response to process changes and line changes. There has been a demand for a vacuum processing module that can configure or organize a system by freely changing the number of rooms. On the other hand, the conventional type, such as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-128928, in which a module in which a vacuum processing chamber and a substrate transfer line in the atmosphere can be connected, can be added has a poor cleanliness atmosphere. Since the substrate is transferred to the next vacuum processing chamber through the inside, it is not suitable for application to a process step in which the processing is handed over to the next vacuum processing chamber during the processing. Also, the actual exploitation Sho 57-394
In the type in which substrates are transferred between several vacuum processing chambers and one buffer chamber and continuously processed as disclosed in Japanese Patent No. 30, the number of vacuum processing chambers is fixed and the process is changed. There is no freedom to change the number of vacuum processing chambers in response to line changes, and it is difficult to use.

【0004】[0004]

【発明の目的】本発明の目的は、基板の処理過程におけ
る歩留まりを向上でき、スループットを向上出来る基板
処理方法および基板処理装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of improving the yield in the substrate processing process and improving the throughput.

【0005】本発明の他の目的は、基板の処理時間を短
縮でき、スループットを向上出来る基板処理方法および
処理装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a processing apparatus capable of shortening the substrate processing time and improving the throughput.

【0006】[0006]

【発明の概要】本発明は、真空搬送空間を介して連結し
た必要な真空処理室のみを用い、該真空処理室内で前記
基板を一枚毎に真空処理する方法において、カセットか
ら前記基板を1枚取り出し、該基板を真空排気される空
間に搬入する工程と、該搬入された基板のオリフラを、
前記真空排気される空間で位置合わせする工程と、前記
オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空間と
真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工程
と、該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処
理する工程と、該処理済みの基板を、カセットに回収す
る工程とを有することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method of vacuum-processing the substrates one by one in the vacuum processing chamber using only the necessary vacuum processing chambers connected via a vacuum transfer space. A step of taking out the substrates and loading the substrates into a space to be evacuated; and an orientation flat of the loaded substrates,
A step of aligning in the space to be evacuated, a step of loading the substrate with the orientation flat into the vacuum processing chamber that communicates with the space to be evacuated in a vacuum state; and the loaded substrate. It is characterized in that it has a step of processing the substrates one by one in the vacuum processing chamber and a step of collecting the processed substrates in a cassette.

【0007】本発明の他の特徴は、カセットテーブルを
1ピッチ分下降させ供給カセットから基板を1枚毎取り
出し、基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行
い、前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電
極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引
き続き下降させて前記基板電極に前記基板を載置し、
その後、真空処理室を仕切り、所定のプラズマ処理を行
い、この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ
合わせを行い、前記プラズマ処理が終了した基板は前記
真空処理室から搬出し、カセットテーブルを1ピッチ分
上昇させて回収カセットに前記基板を1枚毎回収するこ
とである。
Another feature of the present invention is that the cassette table is lowered by one pitch and the substrates are taken out from the supply cassette one by one, conveyed to the substrate table for orientation flat alignment, and the substrates after the orientation flat alignment are vacuum-processed. The substrate is conveyed above the substrate electrode in the chamber, and the claw is raised from the lower side of the substrate electrode and subsequently lowered to place the substrate on the substrate electrode,
After that, the vacuum processing chamber is partitioned and a predetermined plasma processing is performed. During this time, the orientation flat of the next substrate is performed on the substrate table, and the substrate after the plasma processing is carried out from the vacuum processing chamber and the cassette table is set. That is, the substrates are raised by one pitch and the substrates are collected one by one in the collection cassette.

【0008】本発明によれば、基板のオリフラ合わせを
真空排気される空間で実施するので、大気中でのオリフ
ラ合わせに比較して基板の被処理面への塵埃の滞積・付
着が抑制される。このため、半導体製造における歩留ま
りを向上出来る。
According to the present invention, since the orientation flat alignment of the substrate is performed in the space evacuated, the accumulation and adhesion of dust on the surface to be processed of the substrate is suppressed as compared with the orientation flat alignment in the atmosphere. It Therefore, the yield in semiconductor manufacturing can be improved.

【0009】また、本発明の他の特徴によれば、真空処
理室内で前記基板が処理されている間に、前記空間での
前記基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を
短縮でき、スループットを向上出来る。
According to another aspect of the present invention, since the orientation flat alignment of the substrate in the space is performed while the substrate is being processed in the vacuum processing chamber, the processing time can be shortened and the throughput can be improved. Can be improved.

【0010】[0010]

【発明の実施例】本発明の一実施例を図1〜図5で説明
する。図1で、真空処理装置は、真空排気可能なバッフ
ァ室10と、バッファ室10に設けられた真空処理室2
0と、基板30を矢印A方向に搬送可能なバッファ室1
0に内設された第1の基板搬送手段(図示省略)と、第
1の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室10の側
壁に設けられたゲート弁,仕切具等の真空開閉手段4
0,41と、この場合、真空開閉手段40,41が設け
られた側壁と直角をなし第1の基板搬送手段をはさんで
真空処理室20と対応する側壁に設けられたゲート弁等
の他の真空開閉手段50,51を介してバッファ室10
に具設された真空予備室60と、第1の基板搬送手段と
の間で他の真空開閉手段50,51を介して基板30を
矢印B,C方向に搬送する第2の基板搬送手段(図示省
略)と、第1の基板搬送手段の基板搬送経路上で、か
つ、真空処理室20に対応して設けられた基板受渡手段
(図示省略)と、基板受渡手段と真空処理室20との間
で基板30を矢印D方向に搬送する第3の基板搬送手段
(図示省略)とを有している。なお、この場合、真空予
備室60には、基板カセット70,71を昇降駆動する
カセット昇降装置(図示省略)のカセットテーブル(図
示省略)が昇降可能に他の真空開閉手段50,51と対
応して内設されている。第1〜第3の基板搬送手段,基
板受渡手段等を図2で更に詳細に説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, the vacuum processing apparatus includes a buffer chamber 10 that can be evacuated and a vacuum processing chamber 2 provided in the buffer chamber 10.
0 and the buffer chamber 1 capable of transporting the substrate 30 in the direction of arrow A.
First substrate transfer means (not shown) internally provided at 0, and a vacuum opening / closing means 4 such as a gate valve and a partition provided on the side wall of the buffer chamber 10 corresponding to both ends of the first substrate transfer means.
0, 41 and, in this case, a gate valve provided on the side wall corresponding to the vacuum processing chamber 20 at right angles to the side wall on which the vacuum opening / closing means 40, 41 are provided and sandwiching the first substrate transfer means. Of the buffer chamber 10 through the vacuum opening / closing means 50 and 51 of FIG.
The second substrate transporting means (which transports the substrate 30 in the directions of arrows B and C via the other vacuum opening / closing means 50 and 51 between the pre-vacuum chamber 60 provided in the apparatus and the first substrate transporting means ( A substrate transfer means (not shown) provided on the substrate transfer path of the first substrate transfer means and corresponding to the vacuum processing chamber 20, and a connection between the substrate transfer means and the vacuum processing chamber 20. And a third substrate carrying means (not shown) for carrying the substrate 30 in the direction of the arrow D between them. In this case, in the vacuum preparatory chamber 60, a cassette table (not shown) of a cassette elevating device (not shown) for driving the substrate cassettes 70 and 71 up and down corresponds to the other vacuum opening / closing means 50 and 51 so as to be able to go up and down. It is installed inside. The first to third substrate transfer means and the substrate transfer means will be described in more detail with reference to FIG.

【0011】図2において、第1の基板搬送手段は、ベ
ルト搬送装置80であり、ベルト搬送装置80は、その
全体を昇降装置、例えば、シリンダ81で昇降駆動され
ると共に、モータ82でベルト83を回転駆動される。
In FIG. 2, the first substrate carrying means is a belt carrying device 80, and the belt carrying device 80 is entirely moved up and down by an elevating device, for example, a cylinder 81, and a belt 83 is driven by a motor 82. Is driven to rotate.

【0012】第2の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
50,51をはさんで真空予備室60に設けられたベル
ト搬送装置90,100とバッファ室10に設けられた
ベルト搬送装置110,120である。ベルト搬送装置
90のプーリ91,92とプーリ91,92に無端に巻
掛けられたベルト93とは、カセット昇降装置130の
カセットテーブル131に対応し、かつ、カセットテー
ブル131が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。ベルト93はモ
ータ94で回転駆動される。ベルト搬送装置110はモ
ータ111でベルト112を回転駆動され、ベルト搬送
装置110のベルト搬送装置80側端部は、ベルト搬送
装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しないよう
に、この場合、V字形に折曲され最終端のプーリ113
は、ベルト搬送装置80のベルト83間に位置するよう
に設けられている。
The second substrate transfer means includes belt transfer devices 90 and 100 provided in the vacuum preliminary chamber 60 and belt transfer devices 110 provided in the buffer chamber 10 with the other vacuum opening / closing means 50 and 51 interposed therebetween. 120. The pulleys 91 and 92 of the belt conveying device 90 and the belt 93 wound around the pulleys 91 and 92 endlessly correspond to the cassette table 131 of the cassette elevating device 130, and the cassette table 131 is raised to the highest position. It is arranged so as to be located above it even at the time. The belt 93 is rotationally driven by a motor 94. The belt conveyance device 110 is driven to rotate the belt 112 by the motor 111, and the end portion of the belt conveyance device 110 on the belt conveyance device 80 side does not hinder the up-and-down movement of one of the belts 83 of the belt conveyance device 80. The pulley 113 at the final end bent into a V shape
Are provided so as to be located between the belts 83 of the belt transport device 80.

【0013】なお、ベルト搬送装置90のベルト93と
ベルト搬送装置110のベルト112とは同一レベルで
あり、ベルト搬送装置90とベルト搬送装置110との
他の真空開閉手段50側端の間隔は、基板30の受渡し
に支障のない大きさとなっている。ベルト搬送装置10
0のプーリ101,102とプーリ101,102に無端
に巻掛けられたベルト103とは、ベルト搬送装置90
と同様に配設され、ベルト103はモータ104で回動
駆動される。ベルト搬送装置120はモータ121でベ
ルト122を回転駆動され、ベルト搬送装置120のベ
ルト搬送装置80側端部は、ベルト搬送装置110の場
合と同様にベルト搬送装置80のベルト83の一方の昇
降動を阻害しないようにV字形に折曲され最終端のプー
リ123は、ベルト搬送装置80のベルト83間に位置
するように設けられている。なお、ベルト搬送装置10
0のベルト103とベルト搬送装置120のベルト12
2とは同一レベルであり、ベルト搬送装置100とベル
ト搬送装置120との他の真空開閉手段51側端の間隔
は、基板30の受渡しに支障のない大きさとなってい
る。
The belt 93 of the belt conveying device 90 and the belt 112 of the belt conveying device 110 are at the same level, and the distance between the belt conveying device 90 and the belt conveying device 110 on the other side of the vacuum opening / closing means 50 is: It has a size that does not hinder the delivery of the substrate 30. Belt transport device 10
No. 0 pulleys 101, 102 and the belt 103 wound around the pulleys 101, 102 endlessly are
The belt 103 is rotationally driven by the motor 104. The belt 122 is driven to rotate by the motor 121, and the end portion of the belt conveyor 120 on the side of the belt conveyor 80 moves up and down one of the belts 83 of the belt conveyor 80 as in the case of the belt conveyor 110. The pulley 123 at the final end, which is bent into a V shape so as not to interfere with the above, is provided so as to be located between the belts 83 of the belt conveying device 80. The belt conveyor 10
Belt 103 of 0 and belt 12 of the belt conveying device 120
2 is at the same level, and the distance between the other ends of the belt transfer device 100 and the belt transfer device 120 on the side of the vacuum opening / closing means 51 has a size that does not hinder the delivery of the substrate 30.

【0014】また、ベルト搬送装置110のプーリ11
3とプーリ113に対応するプーリ114との間隔は、
基板30の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさで
あり、ベルト搬送装置120のプーリ123に対応する
プーリ124との間隔も同様の大きさである。なお、ベ
ルト搬送装置80は、ベルト83のレベルがベルト搬送
装置110,120のベルト112,122のレベル以
下並びに以上になるように昇降駆動される。
Further, the pulley 11 of the belt conveying device 110
The distance between 3 and the pulley 114 corresponding to the pulley 113 is
The size is such that the substrate 30 can be prevented from falling and can be delivered satisfactorily, and the space between the substrate 30 and the pulley 124 corresponding to the pulley 123 is also the same size. The belt conveyor 80 is driven up and down so that the level of the belt 83 is below and above the levels of the belts 112 and 122 of the belt conveyors 110 and 120.

【0015】基板受渡手段140は、ベルト搬送装置8
0のベルト83間の寸法より小さい基板テーブル141
と昇降装置、例えば、シリンダ142とで構成されてい
る。基板テーブル141は真空処理室20と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置110,120の間
の位置で、ベルト搬送装置80のベルト83間を通過し
シリンダ142で昇降可能に設けられている。
The substrate transfer means 140 is a belt transfer device 8.
Substrate table 141 smaller than the dimension between the belts 83 of 0
And a lifting device, for example, a cylinder 142. The substrate table 141 is provided at a position corresponding to the vacuum processing chamber 20, in this case, at a position between the belt transfer devices 110 and 120, passes between the belts 83 of the belt transfer device 80, and is vertically movable by the cylinder 142. There is.

【0016】第3の基板搬送手段は、アーム搬送装置1
50,160である。アーム搬送装置150は、基板す
くい具151とアーム152と回動装置、例えば、パル
スモータ153とで構成されている。パルスモータ15
3は、ベルト搬送装置80と真空処理室20との間で、
かつ、基板受渡手段140の基板テーブル141の中心
と真空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線の一
方の側(図2では左側)に設けられ、パルスモータ15
3には、アーム152の一端が設けられている。アーム
152の他端には基板すくい具151が設けられてい
る。
The third substrate transfer means is the arm transfer device 1.
50,160. The arm transfer device 150 includes a substrate scooping tool 151, an arm 152, and a rotating device, for example, a pulse motor 153. Pulse motor 15
3 is between the belt transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20,
The pulse motor 15 is provided on one side (left side in FIG. 2) of a line connecting the center of the substrate table 141 of the substrate transfer means 140 and the center of the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20.
3, one end of an arm 152 is provided. A substrate scooping tool 151 is provided at the other end of the arm 152.

【0017】また、アーム搬送装置160は、基板すく
い具161とアーム162と回動装置、例えば、パルス
モータ163とで構成されている。パルスモータ163
は、ベルト搬送装置80と真空処理室20との間で、か
つ、基板受渡手段140の基板テーブル141の中心と真
空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線の他方の
側(図2では右側)に設けられ、パルスモータ163に
は、アーム162の一端が設けられている。アーム16
2の他端には、基板すくい具161が設けられている。
この場合、基板すくい具151,161,アーム15
2,162の寸法は、基板テーブル141並びに基板電
極21に基板30が載置されている場合、この基板30
を基板すくい具151,161ですくい可能な寸法であ
る。また、アーム152,162は、基板すくい具15
1,161で基板30を基板テーブル141と基板電極
21との間で搬送可能にパルスモータ153,163で
それぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム15
2,162の動作平面はアーム152が上面、アーム1
62で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置150で
基板30を基板テーブル141から基板電極21へ搬送
する際に、アーム搬送装置160で基板30を基板電極
21から基板テーブル141へ搬送するのを阻害しない
ようになっている。
The arm transfer device 160 is composed of a substrate scooping tool 161, an arm 162, and a rotating device, for example, a pulse motor 163. Pulse motor 163
Is the other side of the line connecting the center of the substrate table 141 of the substrate transfer means 140 and the center of the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20 between the belt transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20 (FIG. 2). The pulse motor 163 is provided with one end of an arm 162. Arm 16
At the other end of 2, a substrate scooping tool 161 is provided.
In this case, the board scooping tools 151, 161, the arm 15
The sizes of 2, 162 are the same as those of the substrate table 141 and the substrate electrode 21 when the substrate 30 is placed on the substrate table 141 and the substrate electrode 21.
The substrate scooping tools 151 and 161 have dimensions that allow scooping. Further, the arms 152 and 162 are provided with the substrate scooping tool 15
1 and 161, the substrate 30 is partially rotated by the pulse motors 153 and 163 so that the substrate 30 can be conveyed between the substrate table 141 and the substrate electrode 21. In this case, the arm 15
In the operation planes of Nos. 2, 162, the arm 152 is the upper surface, and the arm 1 is
Unlike the lower surface at 62, for example, when the substrate 30 is transferred from the substrate table 141 to the substrate electrode 21 by the arm transfer device 150, the transfer of the substrate 30 from the substrate electrode 21 to the substrate table 141 by the arm transfer device 160 is prevented. It is supposed not to.

【0018】カセット昇降装置130は、カセットテー
ブル131と、カセットテーブル131に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド132と、モータ13
3で回動駆動される歯車134と、歯車134と噛合し
設けられると共に昇降ロッド132の下端部が螺合され
た歯車135とで構成されている。
The cassette elevating / lowering device 130 includes a cassette table 131, an elevating / lowering rod 132 vertically provided on the cassette table 131 and having a screw formed at a lower end thereof, and a motor 13.
3, a gear 134 that is driven to rotate, and a gear 135 that meshes with the gear 134 and that has a lower end portion of the elevating rod 132 screwed thereto.

【0019】基板電極21は、ラック・ピニオン機構2
2を介しモータ23の回動により昇降駆動される。ま
た、基板電極21の中心部には、基板支持用の爪24が
昇降装置、例えば、シリンダ25で昇降可能に設けられ
ている。爪24は、その表面が基板電極21の表面以下
になる位置と、アーム搬送装置150,160の基板す
くい具151,161と基板30を受渡し可能な位置と
の間で昇降駆動される。
The substrate electrode 21 is a rack and pinion mechanism 2
It is driven up and down by the rotation of the motor 23 via 2. Further, a substrate supporting claw 24 is provided at the center of the substrate electrode 21 so as to be able to move up and down by a lifting device, for example, a cylinder 25. The claw 24 is driven to move up and down between a position where the surface thereof is equal to or lower than the surface of the substrate electrode 21 and a position where the substrate rakes 151 and 161 of the arm transfer devices 150 and 160 and the substrate 30 can be transferred.

【0020】図1,図2で示される真空処理装置では、
次のような基板処理を行うことができる。
In the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2,
The following substrate processing can be performed.

【0021】まず、他の真空開閉手段50に対応するカ
セットテーブル131は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段51に対応するカセットテーブル(図示省
略)は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段5
0,51が、例えば、シリンダ52,53の駆動により
閉止されバッファ室10と真空予備室60との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段40,41が閉止
又は仕切られてバッファ室10と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室10は真空排気装置
(図示省略)を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。
First, the cassette table 131 corresponding to the other vacuum opening / closing means 50 is lowered to the lowermost portion, and the cassette table (not shown) corresponding to the other vacuum opening / closing means 51 is raised to the uppermost portion. Other vacuum opening / closing means 5
0 and 51 are closed by, for example, driving the cylinders 52 and 53, the communication between the buffer chamber 10 and the vacuum reserve chamber 60 is airtightly shut off, and the vacuum opening / closing means 40 and 41 are closed or partitioned so that the buffer chamber 10 is closed. Communication with the outside is also airtightly shut off. In this state, the buffer chamber 10 is evacuated to a predetermined pressure by operating a vacuum exhaust device (not shown).

【0022】一方、真空予備室60には、外部が大気側
である場合は、真空予備室60に設けられた扉等の大気
真空開閉手段(図示省略)を開放することで所定枚数の
基板30が装填された基板カセット(以下、供給カセッ
トと略)70と基板回収用の空の基板カセット(以下、
回収カセットと略)71とが搬入されて、供給カセット
70は他の真空開閉手段50に対応するカセットテーブ
ル131に、回収カセット71は他の真空開閉手段51
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。そ
の後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室60は、
真空排気装置(図示省略)でバッファ室10の圧力と同
程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ52
の駆動により他の真空開閉手段50が開放され、これに
よりバッファ室10と真空予備室60とは連通状態とな
る。
On the other hand, when the outside of the vacuum preliminary chamber 60 is on the atmospheric side, a predetermined number of substrates 30 are opened by opening an atmospheric vacuum opening / closing means (not shown) such as a door provided in the vacuum preliminary chamber 60. A substrate cassette 70 (hereinafter abbreviated as supply cassette) loaded with an empty substrate cassette (hereinafter,
A collection cassette 71 is carried in, the supply cassette 70 is placed on the cassette table 131 corresponding to the other vacuum opening / closing means 50, and the collection cassette 71 is placed on the other vacuum opening / closing means 51.
Mounted on the cassette table corresponding to Thereafter, the atmospheric vacuum opening / closing means is closed and the vacuum preliminary chamber 60 is
The evacuation device (not shown) evacuates the buffer chamber 10 to a pressure approximately the same as that of the buffer chamber 10. Then the cylinder 52
The other vacuum opening / closing means 50 is opened by the driving of, and the buffer chamber 10 and the vacuum preliminary chamber 60 are brought into communication with each other.

【0023】この状態下で、モータ133を駆動しカセ
ットテーブル131を1ピッチ分下降させることで供給
カセット70の、この場合、最下部に装填された基板3
0はベルト93に載置される。その後、モータ94によ
りベルト93を回転駆動することで載置された基板30
は他の真空開閉手段50側へ搬送され、モータ111に
より回転駆動されているベルト112に他の真空開閉手
段50を介して渡される。ベルト112に渡された基板
30はベルト搬送装置80側へ搬送される。なお、この
ときベルト83のレベルがベルト112のレベル以下と
なるようにベルト搬送装置80全体はシリンダ81によ
り降下させられている。
Under this condition, the motor 133 is driven and the cassette table 131 is lowered by one pitch, whereby the substrate 3 loaded in the lowermost portion of the supply cassette 70, in this case, the substrate 3.
0 is placed on the belt 93. Then, the belt 94 is rotationally driven by the motor 94 so that the substrate 30 placed
Is conveyed to the side of the other vacuum opening / closing means 50, and is passed to the belt 112 which is rotationally driven by the motor 111 via the other vacuum opening / closing means 50. The substrate 30 passed on the belt 112 is transported to the belt transport device 80 side. At this time, the entire belt conveyor 80 is lowered by the cylinder 81 so that the level of the belt 83 becomes equal to or lower than the level of the belt 112.

【0024】その後、基板30がプーリ113,114
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト83のレベ
ルがベルト112のレベル以上となるようにベルト搬送
装置80全体はシリンダ81により上昇させられ、これ
により基板30はベルト112からベルト83へ渡され
る。ベルト83に渡された基板30は、モータ82の駆
動により基板テーブル141に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル141をシリンダ142で上昇
させることで基板テーブル141に受取られる。基板テ
ーブル141に受取られた基板30は、例えば、オリフ
ラ合せ装置170でオリフラを合わされる。
After that, the substrate 30 is moved to the pulleys 113 and 114.
The entire belt conveyor 80 is lifted by the cylinder 81 so that the level of the belt 83 becomes equal to or higher than the level of the belt 112 at the time when the substrate 30 is conveyed to the extent of the above, whereby the substrate 30 is passed from the belt 112 to the belt 83. . The substrate 30 passed on the belt 83 is conveyed to a position corresponding to the substrate table 141 by driving the motor 82, and then is raised by the cylinder 142 to be received by the substrate table 141. The substrate 30 received by the substrate table 141 is subjected to orientation flat alignment by the orientation flat alignment device 170, for example.

【0025】その後、基板30は、例えば、基板のせ具
151に渡されアーム152をパルスモータ153で真
空処理室20側へ回転駆動することで、バッファ室10
を経て真空処理室20の基板電極21の上方へ搬送され
る。その後、爪24をシリンダ25で上昇させること
で、基板のせ具151の基板30は、爪24に受取られ
る。その後、基板30を爪24に渡した基板のせ具15
1は、真空処理室20外のバッファ室10に退避させら
れる。その後、爪24を、その表面が基板電極21の表
面以下となるようにシリンダ25で下降させることで、
基板30は爪24から基板電極21に渡されて載置され
る。
Thereafter, the substrate 30 is passed to, for example, the substrate holder 151, and the arm 152 is rotationally driven by the pulse motor 153 toward the vacuum processing chamber 20 side.
Then, it is transported to above the substrate electrode 21 in the vacuum processing chamber 20. After that, the claw 24 is raised by the cylinder 25, so that the substrate 30 of the substrate restraint 151 is received by the claw 24. After that, the substrate mounting tool 15 in which the substrate 30 is passed to the nail 24
1 is evacuated to the buffer chamber 10 outside the vacuum processing chamber 20. Then, the claw 24 is lowered by the cylinder 25 so that the surface thereof is below the surface of the substrate electrode 21,
The substrate 30 is passed from the claw 24 to the substrate electrode 21 and placed.

【0026】その後、仕切り用のフランジ180と、フ
ランジ180の裏面とバッファ室10の底壁とに跨設さ
れたベローズ181と、フランジ180を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ182とで構成される仕切
り手段183によりバッファ室10と真空処理室20と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極20と、基
板電極30の上方に対向して真空処理室20に設けられ
た対向電極(図示省略)との電極間隔は、モータ23を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室20には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置(図示省略)の駆動によ
り真空処理室20の圧力は処理圧力に調整される。
After that, it is constituted by a partitioning flange 180, a bellows 181 which is laid across the back surface of the flange 180 and the bottom wall of the buffer chamber 10, and an elevating device for elevating and lowering the flange 180, for example, a cylinder 182. The buffer chamber 10 and the vacuum processing chamber 20 are partitioned by the partitioning means 183. In this state, first, the electrode interval between the substrate electrode 20 and the counter electrode (not shown) provided above the substrate electrode 30 and facing the substrate electrode 30 is set to an appropriate interval by driving the motor 23. Adjusted. Then, the process gas is introduced into the vacuum processing chamber 20 at a controlled flow rate, and the pressure in the vacuum processing chamber 20 is adjusted to the processing pressure by driving a vacuum exhaust device (not shown).

【0027】その後、例えば、基板電極21に接続され
た電源、例えば、高周波電源(図示省略)より基板電極
21に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極21との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極21に載置された基板30は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット70からは、上
記した操作により基板30が取り出されベルト搬送装置
110,80で搬送されて基板テーブル141に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具151に渡され
る。
Thereafter, for example, by applying high frequency power to the substrate electrode 21 from a power source connected to the substrate electrode 21, for example, a high frequency power source (not shown), a glow is generated between the counter electrode and the substrate electrode 21. A discharge is generated, and the process gas is turned into plasma by the discharge. The substrate 30 placed on the substrate electrode 21 is subjected to a predetermined process such as an etching process by this plasma. During this time, the substrate 30 is taken out from the supply cassette 70 by the above-described operation, is conveyed by the belt conveying devices 110 and 80, is delivered to the substrate table 141, and is aligned with the orientation flat, and then delivered to the substrate holder 151.

【0028】真空処理室20での処理が終了した後に仕
切り手段183によるバッファ室10と真空処理室20
の仕切りは解除され、真空処理室20はバッファ室10
と再び連通させられる。その後、基板電極21は、所定
位置まで降下させられ、爪24をシリンダ25で上昇さ
せることで、処理済みの基板30は、基板電極21から
除去され爪24に渡される。その後、基板のせ具161
を爪24に渡された基板30の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪24をシリンダ25で下降させるこ
とで、処理済みの基板30は基板のせ具161に渡され
る。
After the processing in the vacuum processing chamber 20 is completed, the buffer chamber 10 and the vacuum processing chamber 20 are separated by the partition means 183.
Partition is released, and the vacuum processing chamber 20 becomes the buffer chamber 10
And is made to communicate again. After that, the substrate electrode 21 is lowered to a predetermined position, and the claw 24 is raised by the cylinder 25, whereby the processed substrate 30 is removed from the substrate electrode 21 and passed to the claw 24. After that, the substrate holder 161
Is rotated to a position corresponding to the back surface of the substrate 30 transferred to the claw 24, and then the claw 24 is lowered by the cylinder 25, whereby the processed substrate 30 is transferred to the substrate holder 161.

【0029】その後、基板のせ具151に渡された基板
30は、基板テーブル141から基板電極21へ、ま
た、基板のせ具161に渡された処理済みの基板30は
基板電極21から基板テーブル141へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極21へ搬送された基板30は、上記した
操作により所定処理される。
Thereafter, the substrate 30 transferred to the substrate holder 151 is transferred from the substrate table 141 to the substrate electrode 21, and the processed substrate 30 transferred to the substrate holder 161 is transferred from the substrate electrode 21 to the substrate table 141. Each is transported. The substrate 30 transported to the substrate electrode 21 is subjected to predetermined processing by the above-mentioned operation.

【0030】この間、基板テーブル141に搬送された
処理済みの基板30は、基板テーブル141をシリンダ
142で下降させることでベルト搬送装置80のベルト
83に渡され、その後、ベルト83,122のモータ8
2,121による回転駆動で他の真空開閉手段51側へ
搬送される。なお、ベルト83からベルト122への処
理済みの基板30の受渡しは、ベルト112からベルト
83への基板30の受渡しと逆操作により行われる。シ
リンダ53の駆動により他の真空開閉手段51が開放さ
れ、モータ104によりベルト103を回転駆動するこ
とで、他の真空開閉手段51側へ搬送されてきた処理済
みの基板30は他の真空開閉手段51を介して真空予備
室60に搬入され、その後、カセットテーブルを1ピッ
チ分上昇させることで回収カセット71に回収される。
During this time, the processed substrate 30 transferred to the substrate table 141 is transferred to the belt 83 of the belt transfer device 80 by lowering the substrate table 141 by the cylinder 142, and then the motor 8 of the belts 83 and 122 is moved.
It is conveyed to the other vacuum opening / closing means 51 side by the rotational drive by 2,121. Delivery of the processed substrate 30 from the belt 83 to the belt 122 is performed by the reverse operation of delivery of the substrate 30 from the belt 112 to the belt 83. The other vacuum opening / closing means 51 is opened by driving the cylinder 53, and the belt 103 is rotationally driven by the motor 104, so that the processed substrate 30 transferred to the other vacuum opening / closing means 51 side is changed to another vacuum opening / closing means. It is carried into the vacuum preliminary chamber 60 via 51, and thereafter, the cassette table is raised by one pitch to be collected in the collecting cassette 71.

【0031】また、供給カセット70からは上記した操
作により基板30が取り出されベルト搬送装置110,
80で搬送されて基板テーブル141に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具151に渡される。
Further, the substrate 30 is taken out from the supply cassette 70 by the above-mentioned operation, and the belt conveying device 110,
After being conveyed by 80, it is transferred to the substrate table 141, the orientation flat is combined, and then transferred to the substrate rest 151.

【0032】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット70からは基板30が1枚毎取り出さ
れ、真空予備室60からバッファ室10を経て真空処理
室20に搬送され、真空処理室20で1枚毎処理され、
処理済みの基板30は、真空処理室20からバッファ室
10を経て真空予備室60に搬送されて1枚毎回収カセ
ット71に回収される。
By repeating the above operation, the substrates 30 are taken out from the supply cassette 70 one by one, transferred from the vacuum preliminary chamber 60 through the buffer chamber 10 to the vacuum processing chamber 20, and then the vacuum processing chamber 20. It is processed one by one at 20,
The processed substrates 30 are transferred from the vacuum processing chamber 20 through the buffer chamber 10 to the vacuum preliminary chamber 60 and collected in the collection cassette 71 one by one.

【0033】図3は、図1,図2で示される真空処理装
置を1モジュールとして真空開閉手段40,41を介し
て2モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図3での構成部品は、図2のそれと全て同一であ
り、したがって、構成,作用等の説明は省略する。図3
で示される真空処理装置では、図4(a)〜図4(c)
に示すような基板処理を行うことができる。
FIG. 3 shows an example in which the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is used as one module and two modules are connected in series via the vacuum opening / closing means 40 and 41. Note that the components in FIG. 3 are all the same as those in FIG. 2, and therefore the description of the configuration, action, etc. is omitted. FIG.
In the vacuum processing apparatus shown in FIG.
Substrate processing as shown in FIG.

【0034】即ち、図4(a)に示すように基板30を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室20でシリ
ーズ処理することも、図4(b)に示すように、基板3
0を連設された真空処理装置の二つの真空処理室20で
パラレル処理することも、図4(c)に示すように、基
板30を、連設された真空処理装置毎の真空処理室20
でパラレル処理することもできる。
That is, as shown in FIG. 4 (a), the substrate 30 can be subjected to series processing in the two vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatus connected in series, as shown in FIG. 4 (b).
0 can be processed in parallel in the two vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatuses connected in series, as shown in FIG. 4C.
You can also process in parallel with.

【0035】なおこのような基板処理モードで図4
(a),(b)に示される基板処理モードの場合、前段の
真空処理装置の真空予備室60に供給カセット(図示省
略)を少なくとも1個セットし、後段の真空処理装置の
真空予備室60に回収カセット(図示省略)を少なくと
も1個セットするようにする。また、図4(c)に示さ
れる基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備
室60に供給カセット(図示省略),回収カセット(図
示省略)を各1個セットするようにする。また、図1,
図2で示される真空処理装置を1モジュールとして真空
開閉手段40,41を介して2モジュール連設した場
合、各真空処理装置における基板30の搬送はバッファ
室10を経ることで行われる。
In such a substrate processing mode, as shown in FIG.
In the case of the substrate processing mode shown in (a) and (b), at least one supply cassette (not shown) is set in the vacuum preliminary chamber 60 of the vacuum processing apparatus of the first stage, and the vacuum preliminary chamber 60 of the vacuum processing apparatus of the second stage is set. At least one recovery cassette (not shown) is set in the. Further, in the substrate processing mode shown in FIG. 4C, one supply cassette (not shown) and one recovery cassette (not shown) are set in the vacuum preliminary chamber 60 of each vacuum processing apparatus. Also, in FIG.
When the vacuum processing apparatus shown in FIG. 2 is used as one module and two modules are connected in series via the vacuum opening / closing means 40 and 41, the substrate 30 in each vacuum processing apparatus is transferred through the buffer chamber 10.

【0036】更に、図1,図2で示される真空処理装置
を1モジュールとして真空開閉手段40,41を介して
3モジュール以上連設した場合は、図4に示すような基
板処理モードに加えて図5(a),(b)に示すような基
板処理を行うことができる。
Further, when three or more modules of the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 are connected in series through the vacuum opening / closing means 40 and 41, in addition to the substrate processing mode shown in FIG. Substrate processing as shown in FIGS. 5A and 5B can be performed.

【0037】即ち、図5(a)に示すように、基板30
を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空
処理室20と、この場合は、中段の真空処理装置の真空
処理室20とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の
真空処理装置の真空処理室20でシリーズ処理すること
も、図5(b)に示すように、基板30を連設された真
空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室2
0でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装
置の真空処理室20でシリーズ処理することもできる。
なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処
理装置の真空予備室60に供給カセット(図示省略)を
2個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室60に
回収カセット(図示省略)を2個セットするようにす
る。
That is, as shown in FIG. 5A, the substrate 30
The vacuum processing chamber 20 of the vacuum processing device in the preceding stage of the vacuum processing device connected in series and the vacuum processing chamber 20 of the vacuum processing device in the middle stage in this case first perform parallel processing and then the vacuum processing device of the subsequent stage. The series of treatments can be performed in the vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing chambers 2 of the vacuum processing apparatuses in the front stage and the middle stage of the vacuum processing apparatus in which the substrates 30 are connected in series, as shown in FIG. 5B.
It is possible to perform the series processing at 0 and the series processing in the vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatuses at the front and rear stages.
In the case of such a substrate processing mode, two supply cassettes (not shown) are set in the vacuum preliminary chamber 60 of the preceding vacuum processing apparatus, and a recovery cassette (not shown) is set in the vacuum preliminary chamber 60 of the subsequent vacuum processing apparatus. ) Try to set 2 pieces.

【0038】また、各真空処理装置の真空処理室20で
基板30をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室60に供給カセットを1個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを1個セ
ットするようにする。また、各真空処理装置の真空処理
室で基板30をパラレル処理する場合は、前段の真空処
理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも1個セ
ットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセット
を少なくとも1個セットするようにする。
When the substrates 30 are processed in series in the vacuum processing chamber 20 of each vacuum processing apparatus, one supply cassette is set in the vacuum preliminary chamber 60 of the vacuum processing apparatus of the first stage, and the vacuum of the vacuum processing apparatus of the second stage is set. Make sure to set one recovery cassette in the spare room. When the substrates 30 are processed in parallel in the vacuum processing chamber of each vacuum processing apparatus, at least one supply cassette is set in the vacuum preliminary chamber of the preceding vacuum processing apparatus and the recovery cassette is set in the vacuum preliminary chamber of the subsequent vacuum processing apparatus. At least one should be set.

【0039】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各1個セットするようにする。また、図1,図2で示
される真空処理装置を1モジュールとして真空開閉手段
40,41を介して3モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板30の搬送は、バッフ
ァ室10を経ることで行われる。
When each vacuum processing apparatus is independent and the substrates are processed in parallel in the respective vacuum processing chambers, one supply cassette and one recovery cassette are set in the vacuum preliminary chamber of each vacuum processing apparatus. . Even when the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is used as one module and three or more modules are connected in series through the vacuum opening / closing means 40 and 41, the substrate 30 is transferred in each vacuum processing apparatus through the buffer chamber 10. It is done by passing.

【0040】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1)プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。
The vacuum processing apparatus of this embodiment has the following effects. (1) The system configuration or organization can be changed by freely changing the number of vacuum processing chambers in response to process changes and line changes.

【0041】(2)基板は真空排気されているバッファ室
を経て次の真空処理室に搬送されるため、処理途中で次
の真空処理室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問
題なく適用できる。
(2) Since the substrate is transferred to the next vacuum processing chamber through the buffer chamber that is evacuated, it can be applied to the process step in which the process is taken over to the next vacuum processing chamber without any problem. .

【0042】(3)第2の基板搬送手段と第3の基板搬送
手段とを平行とし真空処理装置の前面横幅を小さくする
ことができ、多モジュール構成がし易くなっている。
(3) Since the second substrate transfer means and the third substrate transfer means are parallel to each other, the width of the front surface of the vacuum processing apparatus can be reduced, which facilitates multi-module construction.

【0043】(4)真空予備室を真空排気可能なカセット
室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくす
ることができ、多モジュールシステムでは、1モジュー
ルに2個のカセットをセットすることも可能でスループ
ット向上時のカセットセット時間間隔を長くすることが
できる。
(4) Since the vacuum preparatory chamber is a cassette chamber that can be evacuated, the depth of the vacuum processing apparatus can be reduced, and in a multi-module system, two cassettes can be set in one module. It is possible to extend the cassette set time interval when improving the throughput.

【0044】(5)第3の基板搬送手段として動作平面の
異なるアーム搬送装置を用いているので、真空処理室へ
の基板の搬入,搬出を同時に行うことができるので、ス
ループットを向上できる。
(5) Since the arm transfer devices having different operation planes are used as the third substrate transfer means, the substrates can be carried in and out of the vacuum processing chamber at the same time, so that the throughput can be improved.

【0045】(6)多モジュールによるシリーズ処理ある
いはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小
形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させるこ
とができる。
(6) Since multiple modules can perform series processing or parallel processing, the vacuum processing apparatus can be downsized and the throughput per combined floor area can be improved.

【0046】(7)バッファ室に設けられる真空開閉手段
の開口面積は、基板が1枚通過可能な面積であればよ
く、したがって、多モジュールの場合、真空処理装置間
での残留プロセスガスの混入がほとんど生じないため、
各真空処理装置でのプロセスガスに対する独立性を確保
できる。
(7) The opening area of the vacuum opening / closing means provided in the buffer chamber has only to be an area through which one substrate can pass. Therefore, in the case of multiple modules, residual process gas is mixed between the vacuum processing apparatuses. Rarely occurs,
Independence with respect to the process gas in each vacuum processing apparatus can be ensured.

【0047】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図6に示すように、真空予備室60′を例えば、真空開
閉手段40を介してバッファ室10に具設すると共に、
矢印A方向に基板30を搬送する第1の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置(図示省略)との間で真空開閉手段
40を介して矢印E方向に基板30を受渡し可能に第2
の基板搬送手段であるベルト搬送装置(図示省略)を真
空予備室60′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。
When the depth of the vacuum processing apparatus is reduced and the continuous processing with other apparatus is aimed at,
As shown in FIG. 6, a vacuum preliminary chamber 60 ′ is provided in the buffer chamber 10 via the vacuum opening / closing means 40, and
The substrate 30 can be transferred in the arrow E direction via the vacuum opening / closing means 40 with a belt transfer device (not shown) that is the first substrate transfer means for transferring the substrate 30 in the arrow A direction.
A belt transfer device (not shown), which is a substrate transfer means, is provided in the vacuum preliminary chamber 60 '. In this case, the other vacuum opening / closing means is unnecessary.

【0048】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット,回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット,回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。
In the embodiment described above, the vacuum reserve chamber is a vacuum reserve chamber in which the supply cassette and the recovery cassette are loaded and set from the outside, but it is particularly necessary to limit the vacuum reserve chamber to such a vacuum reserve chamber. There is no. For example, the supply cassette and the recovery cassette are fixedly set in the vacuum preliminary chamber, a predetermined number of substrates are externally loaded into the supply cassette, and the substrates recovered in the recovery cassette are taken out from the recovery cassette and carried out to the outside. May be.

【0049】また、第1の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第2
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置,アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。
Further, the first substrate carrying means may be any one that carries the substrate to and from the vacuum opening / closing means provided in the buffer chamber in addition to the belt carrying device. Also, the second
As the substrate transfer means, other than the belt transfer device, for example, an arm transfer device in which an arm moves straight, an arm transfer device in which an arm rotates, or the like may be used.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明によれば、基板のオリフラ合わせ
を真空排気される空間で実施するので、大気中でのオリ
フラ合わせに比較して基板の被処理面への塵埃の滞積・
付着が抑制される。このため、半導体製造における歩留
まりを向上出来る。
According to the present invention, since the orientation flat alignment of the substrate is performed in a space that is evacuated, the accumulation of dust on the surface to be processed of the substrate compared to the orientation flat alignment in the atmosphere.
Adhesion is suppressed. Therefore, the yield in semiconductor manufacturing can be improved.

【0051】また、本発明の他の特徴によれば、真空処
理室内で前記基板が処理されている間に、前記空間での
前記基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を
短縮でき、スループットを向上出来る。
According to another feature of the present invention, since the orientation flat alignment of the substrate in the space is performed while the substrate is being processed in the vacuum processing chamber, the processing time can be shortened and the throughput can be improved. Can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a vacuum processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。
FIG. 2 is a perspective configuration diagram of a substrate transfer means of the vacuum processing apparatus of FIG.

【図3】図1の真空処理装置を2モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
FIG. 3 is a perspective configuration diagram of a substrate transfer means of a vacuum processing apparatus in which two modules of the vacuum processing apparatus of FIG. 1 are connected in series.

【図4】(a)ないし(c)は、2モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。
4A to 4C are substrate processing mode diagrams in a two-module vacuum processing apparatus.

【図5】(a),(b)は、3モジュール真空処理装置で
の他の基板処理モード図。
5 (a) and 5 (b) are other substrate processing mode diagrams in the three-module vacuum processing apparatus.

【図6】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。
FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the vacuum processing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…バッファ室、20…真空処理室、30…基板、4
0,41…真空開閉手段、50,51…他の真空開閉手
段、60,60′…真空予備室、80ないし120…ベ
ルト搬送装置、140…基板受渡手段、150,160
…アーム搬送装置。
10 ... Buffer chamber, 20 ... Vacuum processing chamber, 30 ... Substrate, 4
0, 41 ... Vacuum opening / closing means, 50, 51 ... Other vacuum opening / closing means, 60, 60 '... Vacuum reserve chamber, 80 to 120 ... Belt transfer device, 140 ... Substrate delivery means, 150, 160
… Arm transfer device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Fumio Shibata 794 Azuma Higashitoyo, Shimomatsu City, Yamaguchi Prefecture Stock company Hitachi Kasado Plant (72) Inventor Tsunehiko Tsubone 794 Azuma Toyoi, Shimomatsu City, Yamaguchi Prefecture Stock Association In-house Hitachi Ltd. Kasado Plant (72) Inventor Keno Kanai 794 Azuma Higashitoyo, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture Stock Company In-house Hitachi Ltd. Kasado Plant

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空搬送空間を介して連結した必要な真空
処理室のみを用い、該真空処理室内で前記基板を一枚毎
に真空処理する方法において、 カセットから前記基板を1枚取り出し、該基板を真空排
気される空間に搬入する工程と、 該搬入された基板のオリフラを、前記真空排気される空
間で位置合わせする工程と、 前記オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空
間と真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工
程と、 該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処理す
る工程と、 該処理済みの基板を、カセットに回収する工程とを有す
る基板の真空処理方法。
1. A method of vacuum-processing one substrate at a time in the vacuum processing chamber using only a necessary vacuum processing chamber connected through a vacuum transfer space, wherein one substrate is taken out from a cassette, and A step of loading the substrate into a space to be evacuated; a step of aligning an orientation flat of the loaded substrate in the space to be evacuated; and a substrate combined with the orientation flat to a space to be evacuated. The method includes a step of loading the vacuum processing chamber that communicates in a vacuum state, a step of processing the loaded substrates one by one in the vacuum processing chamber, and a step of collecting the processed substrates in a cassette. Substrate vacuum processing method.
【請求項2】真空搬送空間を介して連結した必要な真空
処理室のみを用い、該真空処理室内で前記基板を一枚毎
に真空処理する方法において、 カセットから前記基板を1枚取り出し、該基板を真空排
気される空間に搬入する工程と、 該搬入された基板のオリフラを、前記真空排気される空
間で位置合わせする工程と、 前記オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空
間と真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工
程と、 該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処理す
る工程と、 該処理済みの基板を、カセットに回収する工程とを有
し、 前記真空処理室内で前記基板が処理されている間に、前
記真空排気される空間での前記基板のオリフラ合わせを
実施する、ことを特徴とする基板の真空処理方法。
2. A method of vacuum-processing the substrates one by one in the vacuum processing chamber using only a necessary vacuum processing chamber connected through a vacuum transfer space, wherein one substrate is taken out from a cassette, and A step of loading the substrate into a space to be evacuated; a step of aligning an orientation flat of the loaded substrate in the space to be evacuated; and a substrate combined with the orientation flat to a space to be evacuated. There is a step of loading the vacuum processing chamber that communicates in a vacuum state, a step of processing the loaded substrates one by one in the vacuum processing chamber, and a step of collecting the processed substrates in a cassette. Then, while the substrate is being processed in the vacuum processing chamber, the orientation flat alignment of the substrate in the space to be evacuated is carried out.
【請求項3】真空搬送空間と、該真空搬送空間を介して
必要な室のみ連結され基板に対して所定の処理を行う真
空処理室と、真空排気される空間と、 前記真空排気される空間に前記基板を一枚毎搬入する手
段と、 前記真空排気される空間に搬入された基板のオリフラ
を、該真空排気される空間で位置合わせする手段と、 前記オリフラを合わせられた基板を、前記基板処理モー
ドに応じて、前記基板を単一に処理する場合は、前記真
空搬送空間を介して前記真空処理室のそれぞれへ前記基
板を直接に搬送し、 前記基板を連続的に処理する場合は、前記真空搬送空間
を介して前記真空処理室内に搬送する手段と、 該搬送されてきた基板を、前記真空処理室内で一枚毎処
理する手段、 とを具備したことを特徴とする真空処理装置。
3. A vacuum transfer space, a vacuum processing chamber in which only necessary chambers are connected through the vacuum transfer space to perform a predetermined process on a substrate, a vacuum exhausted space, and a vacuum exhausted space. A means for loading the substrates one by one, a means for aligning an orientation flat of the substrates loaded in the space to be evacuated, and a means for aligning the orientation flats in the space to be evacuated, According to the substrate processing mode, when the substrate is processed singly, the substrate is directly transferred to each of the vacuum processing chambers through the vacuum transfer space, and when the substrate is processed continuously, A vacuum processing apparatus comprising: a means for transferring the transferred substrates into the vacuum processing chamber through the vacuum transfer space; and a means for processing the transferred substrates one by one in the vacuum processing chamber. .
【請求項4】カセットテーブルを1ピッチ分下降させ供
給カセットから基板を1枚毎取り出し、基板テーブル上
に搬送してオリフラ合わせを行い、 前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上
方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続
き下降させて前記基板電極に前記基板を載置し、 その
後、真空処理室を仕切り、所定のプラズマ処理を行い、 この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ合わ
せを行い、 前記プラズマ処理が終了した基板は前記真空処理室から
搬出し、カセットテーブルを1ピッチ分上昇させて回収
カセットに前記基板を1枚毎回収することを特徴とする
半導体基板処理方法。
4. The cassette table is lowered by one pitch and the substrates are taken out from the supply cassette one by one, conveyed to the substrate table for orientation flat alignment, and the substrates after the orientation flat alignment are placed above the substrate electrodes in the vacuum processing chamber. The substrate is transferred, and the claw is raised from below the substrate electrode and continuously lowered to place the substrate on the substrate electrode, and then the vacuum processing chamber is partitioned to perform a predetermined plasma treatment. The substrate after the plasma processing is finished is carried out from the vacuum processing chamber, the cassette table is raised by one pitch, and the substrates are collected one by one in a collection cassette. Substrate processing method.
【請求項5】カセットから基板を取り出し、該取り出さ
れた基板を真空下で搬送する空間に搬送する工程と、 該搬送された基板のオリフラを前記空間で合わせる工程
と、 該オリフラを合わせられた基板を、前記空間と真空状態
で連通する真空処理室内に搬送する工程と、 該搬送された基板を前記真空処理室内で処理する工程
と、 該処理工程で発生したガスを前記空間を介さずに前記真
空処理室外へ排気する工程と、 前記処理済みの基板を、前記空間を介してカセットに回
収する工程とを有する、ことを特徴とする半導体基板処
理方法。
5. A step of taking out a substrate from a cassette, carrying the taken-out substrate to a space for carrying under vacuum, a step of aligning an orientation flat of the transported substrate in the space, and a step of aligning the orientation flat. A step of transferring the substrate into a vacuum processing chamber communicating with the space in a vacuum state; a step of processing the transferred substrate in the vacuum processing chamber; and a gas generated in the processing step without passing through the space. A semiconductor substrate processing method comprising: a step of evacuating the vacuum processing chamber to the outside, and a step of collecting the processed substrate into a cassette through the space.
JP7325662A 1995-12-14 1995-12-14 Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus Expired - Lifetime JP2695402B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7325662A JP2695402B2 (en) 1995-12-14 1995-12-14 Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7325662A JP2695402B2 (en) 1995-12-14 1995-12-14 Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58222004A Division JPH06105742B2 (en) 1983-11-28 1983-11-28 Vacuum processing method and device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9165719A Division JP2883596B2 (en) 1997-06-23 1997-06-23 Vacuum processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08241917A true JPH08241917A (en) 1996-09-17
JP2695402B2 JP2695402B2 (en) 1997-12-24

Family

ID=18179324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7325662A Expired - Lifetime JP2695402B2 (en) 1995-12-14 1995-12-14 Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2695402B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55149951U (en) * 1979-04-16 1980-10-29
JPS5737847A (en) * 1980-08-19 1982-03-02 Kokusai Electric Co Ltd Carrier for semiconductor substrate
JPS5739430U (en) * 1980-08-14 1982-03-03
JPS57149748A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Treating device for substrate
JPS58129633U (en) * 1982-02-25 1983-09-02 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 semiconductor manufacturing equipment

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55149951U (en) * 1979-04-16 1980-10-29
JPS5739430U (en) * 1980-08-14 1982-03-03
JPS5737847A (en) * 1980-08-19 1982-03-02 Kokusai Electric Co Ltd Carrier for semiconductor substrate
JPS57149748A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Treating device for substrate
JPS58129633U (en) * 1982-02-25 1983-09-02 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 semiconductor manufacturing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2695402B2 (en) 1997-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06105742B2 (en) Vacuum processing method and device
US6655044B2 (en) Vacuum processing apparatus and operating method therefor
JPH09176857A (en) Vacuum device for surface treatment of work piece
JPH11307614A (en) Multi-chamber system for etching equipment of semiconductor element manufacture
JPS59179786A (en) Continuous sputtering device
JPS60113428A (en) Manufacturing equipment of semiconductor
JPH0613751B2 (en) Continuous sputtering equipment
JP2695403B2 (en) Semiconductor substrate processing method and semiconductor substrate processing apparatus
JP2695402B2 (en) Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus
JP2960404B2 (en) Semiconductor substrate processing method
JP2669455B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH07176592A (en) Carrying in/out apparatus for object to be treated
JP2752965B2 (en) Vacuum processing equipment
JPH05326666A (en) Conveyor
JP2883597B2 (en) Vacuum processing apparatus and semiconductor substrate processing method
JP2873761B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2883596B2 (en) Vacuum processing apparatus and substrate processing method
JPH08298280A (en) Vacuum processing device
JPH0242901B2 (en)
JP2695402C (en)
JPS63129641A (en) Block system for constituting semiconductor manufacturing line of various processes
JPS60102744A (en) Vacuum treater
JPH0159354B2 (en)
JP2912318B2 (en) Transfer system for vacuum processing equipment
JPS6074531A (en) Vacuum processing device